CN117219495A - 一种解决光学临近效应的方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种解决光学临近效应的方法，涉及集成电路领域，包括以下步骤：对晶圆在HDMS烘箱内进行预处理，其中烘箱温度120~170℃，烘箱内保持时间360~720s；选取光刻胶厚度0.7~2.8um，分辨率≤0.5um的光刻胶旋涂于晶圆上；前烘，以使光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度90℃~150℃，前烘时间60s~120s；通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，曝光距离0~20um、真空接触真空度700~1000mbar，曝光光源为I/G/H线占比50%~100%/0%~25%/0%~25%；将曝光后的芯片进行静态显影30~60s，得到显影后的芯片；后处理。
Description
技术领域
本公开涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种解决光学临近效应的方法。
背景技术
光学邻近效应（Optical Proximity Effect，OPE）是指由于部分相干成像过程中的非线性空间滤波，像强度频谱的能量分布和位相分布相对理想像频谱有一定的畸变，并最终大大降低了成像质量。OPE使得芯片上的图形和掩模上的图形差别较大，例如线条宽度变窄、窄线条短点收缩、图形拐角处变圆滑等。随着掩膜版上图形尺寸的缩小，这种相邻图形之间的干涉和衍射效应更加明显，曝光后图形的偏差更大。
微机电系统（Microelectromechanical systems，MEMS）制造技术中，应用接近-接触式光刻机进行双面光刻是较为常见的光刻手段。但由于接近-接触式光刻机的曝光模式光源透过掩膜版直接入射光刻胶，光学衍射现象造成的光学临近效应是不可避免的，导致部分形状光刻结果与设计不符形成缺陷，在特征尺寸较小时，该现象更为明显。虽然有仿真软件可以对光学临近效应进行补偿修正，但往往需要多次的设计改版，周期较为漫长。
发明内容
本发明提供一种解决光学临近效应的方法，用以解决现有技术中对光学临近效应进行补偿修正需要多次修改、周期漫长的缺陷。
本发明公开了一种解决光学临近效应的方法，用于芯片的光刻工艺中，所述光刻工艺包括以下步骤：
衬底处理：对作为所述芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度120~170℃，烘箱内保持时间360~720s；
光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度0.7~2.8um，分辨率小于等于0.5um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上；
前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度90℃~150℃，前烘时间60s~120s；
曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为0~20um、真空接触真空度700~1000mbar，曝光光源为I线占比50%~100%、G线占比0%~25%、H线占比0%~25%；
显影：将曝光后的芯片进行静态显影30~60s，得到显影后的芯片；
后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述光刻胶的厚度为0.7 um~1.4um；
所述光刻胶的分辨率为0.3~0.5um。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述光刻胶的厚度为0.7 um、0.8um、0.9 um、1.0 um、1.1 um、1.2 um、1.3 um和1.4um；
所述光刻胶的分辨率为0.3 um、0.35 um、0.4 um、0.45 um、0.5um。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述前烘温度90℃~120℃，前烘时间80s~100s。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述前烘温度为以下任意一种：90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、115℃、120℃；
所述前烘时间为以下任意一种：85s、90s、95s、100s。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述曝光光源的占比为以下任意一种：
所述曝光光源为I线占比100%、G线占比0%、H线占比0%；
所述曝光光源为I线占比95%、G线占比5%、H线占比0%；
所述曝光光源为I线占比95%、G线占比0%、H线占比5%；
所述曝光光源为I线占比90%、G线占比5%、H线占比5%。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述真空接触真空度为800~1000mbar。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述真空接触真空度为以下任意一种：800mbar、850mbar、900mbar、1000mbar。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述静态显影为40~60s。
本发明还提供一种解决光学临近效应的方法，所述静态显影为以下任意一种：40s、45s、50s、55s、60s。
本发明提供的解决光学临近效应的方法，通过工艺参数调整的方式，即可消除光学衍射的影响，在工艺角度直接解决光学邻近效应形成的光刻缺陷，光刻达成产品设计所需的图形，省去了仿真软件修正及设计再改版的过程，提高了工艺迭代的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的解决光学临近效应的方法的流程示意图；
图2是本公开提供的工艺参数调整后直角形貌示意图；
图3是现有技术中常见的圆角缺陷示意图；
图4是现有技术中常见的工艺参数调整过量的内圆角缺陷示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明实施例一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明实施例中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明实施例保护的范围。
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
本发明实施例公开了一种解决光学临近效应的方法，用于芯片的光刻工艺中，参见图1，所述光刻工艺包括以下步骤：
101、衬底处理：对作为所述芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度120~170℃，烘箱内保持时间360~720s。
当使用新的洁净的衬底（晶圆）时，需要进行衬底的预处理以去除衬底表面的水汽。且后续应该尽快进行下一步工艺，或者建议将处理好的衬底存放在干燥容器中避免再次吸收水分。
可见，环境因素对于的晶圆加工的工艺影响会很大。可以选取环境温度21~24℃，环境湿度为40%~60%。
其中，优选环境温度22~23℃，环境湿度为40%~60%。例如环境温度可以包括22.2℃、22.4℃、22.6℃、22.8℃和23.0℃。环境湿度可以为40%、45%、50%、55%和60%。
102、光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度0.7~2.8um，分辨率小于等于0.5um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上。
光刻胶主要通过旋涂的方式进行涂布（又称为“甩胶”），对于薄胶，最佳的旋涂转速为2000~4000rpm，对于相对胶厚的胶，最佳旋涂转速为250~2000rpm，匀胶机的转速通常可以达到9000rpm，在某些情况下，还可以使用1000~200rpm较慢的转速来获得特定较厚的胶层。但是这种情况下，胶膜的质量会下降，并且可能会在晶圆的边缘形成大量的边缘胶珠。
本实施例中，光刻胶的厚度为0.7 um~1.4um，光刻胶的分辨率为0.3~0.5um。本实施例可选的光刻胶包含但不限于SPR955、AZ5214、MIR701、S1800等分辨率可达到特征尺寸的光刻胶。
可选地，光刻胶的厚度为0.7 um、0.8 um、0.9 um、1.0 um、1.1 um、1.2 um、1.3 um和1.4um；
所述光刻胶的分辨率为0.3 um、0.35 um、0.4 um、0.45 um、0.5um。
103、前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度90℃~150℃，前烘时间60s~120s。
前烘（pre-bake或soft-bake）的目的是通过温度将光刻胶中的有机溶剂挥发掉，使晶圆表面的胶固化。一般来说，匀胶的过程中大部分溶剂已经挥发掉了，但是还是有相当部分溶剂残留在光刻胶胶膜中，在前烘（90~100℃）过程中胶膜会得到进一步的干燥和固化，可提高光刻胶与衬底的粘附性，还可以减小显影过程中的暗腐蚀的发生。
前烘可以在热板上进行，也可在烘箱中进行，每种胶都会有其特定的前烘温度和时间。
其中，前烘温度过低或者时间过短，则会导致光刻胶中有溶剂残留，这些残留的溶剂会在后续的曝光环节中挥发出来导致图形质量不高。前烘温度过高，或者时间太长也是不适合的，因为光敏物质可能在前烘过程中被破坏，导致光刻胶的灵敏度下降，曝光剂量增加。
具体地，可以选择前烘温度90℃~120℃，前烘时间80s~100s。
前烘温度为以下任意一种：90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、115℃、120℃；
所述前烘时间为以下任意一种：85s、90s、95s、100s。
104、曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为0~20um、真空接触真空度700~1000mbar，曝光光源为I线占比50%~100%、G线占比0%~25%、H线占比0%~25%。
曝光的完成是通过曝光掩模和曝光系统，如步进式（i-线的，g-线）掩模对准式或接触式曝光系统在各自的光谱工作范围内曝光，也可以用直接激光无掩模曝光。
AR光刻胶涂层在紫外带宽范围内（300-450nm）敏感，因此典型的汞灯发射光谱365nm（i-线），405nm（h-线）和436nm（g-线）（→吸收光谱）也在感光波长内。产品信息说明中推荐的曝光剂量是按照标准工艺下得出的，仅供参考。具体的剂量需要按照我们自己的实验条件来验证。
在曝光过程中和曝光后都有可能产生气泡，如由于曝光距离过大、真空接触真空度过高，导致成品质量受损。
根据光学衍射原理可知，芯片的光刻图形转移过程中，曝光的光源波长越短越好，光刻胶和掩模版之间的距离越近越好。真空接触时二者的距离比接近及接触时近，但真空接触的真空度过高易导致成品质量受损，因此曝光距离及真空接触曝光时的真空度需按照具体的实验条件来验证。
曝光距离为0~20um，优选距离包括10um、15um、18um、20um。
通常，真空接触真空度800~1000mbar，其中优选点为800mbar、850 mbar、900mbar、1000 mbar。
需要说明的是，曝光距离不为0的都不能有真空度，因为不是真空接触；有真空度的曝光距离为0。
另外，对于曝光光源的占比，可以为以下任意一种：
所述曝光光源为I线占比100%、G线占比0%、H线占比0%；
所述曝光光源为I线占比95%、G线占比5%、H线占比0%；
所述曝光光源为I线占比95%、G线占比0%、H线占比5%；
所述曝光光源为I线占比90%、G线占比5%、H线占比5%。
105、显影：将曝光后的芯片进行静态显影30~60s，得到显影后的芯片。
显影（development）过程中，正胶薄膜结构的形成是通过溶解曝光区域，而负胶显影去除的是未曝光的区域。对于可重复的结果，温度范围在（21-23）±0.5℃保持。
光刻胶显影的主要目的是把掩模版图形准确复制到光刻胶中。如果不正确地控制显影工艺，光刻胶图形就会出现问题，这些光刻胶问题对产品成品率会产生消极影响，在随后的刻蚀工艺中暴露缺陷。
显影方式包括但不限于静态显影20~60s、动态显影摆动5~25次、手动显影20~60s等。本实施例中采用静态显影，以保证显影效果。
本实施例中，静态显影为40~60s。具体地，静态显影为以下任意一种：40s、45s、50s、55s、60s。
106、后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
其中，去残胶——在显影过后，通常会在晶圆表现残留一层非常薄的胶质层（scum），这种残胶现象在曝光图形的深宽比（aspect ratio）较高是尤其明显，因为图形很深，显影液不容易对图形底部精细充分显影。这层残胶虽然只有几纳米的厚度，但是却对后续的图形转移带来较大的影响，因此需要去残胶。去残胶的过程就是将显影后的衬底放置于等离子体中进行短时间的处理，例如通常在氧等离子体中处理30s，并非所有工艺都得进行去残胶（如干法刻蚀）。
需要注意，去残胶的过程中光刻胶的厚度也会减小，并造成图形精度的变化。这里我们一般推荐微波等离子去胶机（如Alpha Plasma Q 235），其优势是去胶的过程中对衬底材料不产生物理轰击，避免衬底受损伤。
图形转移——光刻的目的就是为了获得图形，之后就需要通过一些工艺将图形转移至衬底上，光刻胶本身只是起到掩膜的作用，即保护晶圆使得只有通过显影后暴露的部分才能被进一步的加工。图形转移的方式有很多，如刻蚀干法刻蚀、湿法刻蚀、lift-off、注入、LIGA等。
去胶——图形转移后，光刻胶就不再需要了，因此需要将其去除干净。去胶的方法通常有湿法去胶和干法去胶两种。
湿法去胶就是利用有机溶剂或者对光刻胶有腐蚀作用的溶液将光刻胶溶解或者腐蚀掉，从而达到去胶的目的，这里，去胶液的选择需要遵循与衬底反应或者不损伤衬底为前提条件。
干法去胶是利用氧等离子体将光刻胶灰化掉，从而达到去胶的目的。对于去胶方法的选择，一般推荐优先考虑湿法去胶，因为湿法去胶更加简单，如果发生湿法无法去除的则考虑使用干法去胶。
本发明实施例提供的解决光学临近效应的方法，通过工艺参数调整的方式，即可消除光学衍射的影响，在工艺角度直接解决光学邻近效应形成的光刻缺陷，光刻达成产品设计所需的图形，省去了仿真软件修正及设计再改版的过程，提高了工艺迭代的效率。
为了验证本实施例的各项工艺参数对的解决光学临近效应的所起作用，下面通过各个设计多个不同实验例来进行对比验证。
实验例1
实验例1中，选取光刻胶为SPR955。该种类光刻胶的光源为i-Line光，类型为正性，分辨率为0.35um，厚度为0.6-3.5um，适用范围为广泛使用的高分辨率正胶。
以此光刻胶种类为基础设计对比实验，涉及的参数包括：环境温度和环境湿度、光刻胶厚度及分辨率、前烘温度及时间、曝光距离、曝光光源、显影方式。
本实验例1中的光刻工艺包括以下步骤：
衬底处理：对作为所述芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度150℃，烘箱内保持时间360s。
光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度0.8um，分辨率为0.35um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上。
前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度90℃，前烘时间85s；
曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为0um真空接触真空度700mbar，曝光光源为I线占比100%、G线占比0%、H线占比0%；
显影：将曝光后的芯片进行静态显影40s，得到显影后的芯片。
后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
实验例2
本实验例2中，选取光刻胶为SPR955。该种类光刻胶的光源为i-Line光，类型为正性，分辨率为0.35um，厚度为0.6-3.5um，适用范围为广泛使用的高分辨率正胶。
以此光刻胶种类为基础设计对比实验，涉及的参数包括：环境温度和环境湿度、光刻胶厚度及分辨率、前烘温度及时间、曝光距离、曝光光源、显影方式。
本实验例2中的光刻工艺包括以下步骤：
衬底处理：对作为所述芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度140℃，烘箱内保持时间720s。
光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度0.9um，分辨率为0.35um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上。
前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度95℃，前烘时间95s；
曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为5um，曝光光源为I线占比95%、G线占比0%、H线占比0%；
显影：将曝光后的芯片进行静态显影50s，得到显影后的芯片。
后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
实验例3
本实验例3中，选取光刻胶为SPR955。以此光刻胶种类为基础设计对比实验，涉及的参数包括：环境温度和环境湿度、光刻胶厚度及分辨率、前烘温度及时间、曝光距离、曝光光源、显影方式。
本实验例3中的光刻工艺包括以下步骤：
衬底处理：对作为所述芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度150℃，烘箱内保持时间600s。
光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度1.0um，分辨率为0.35um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上。
前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度100℃，前烘时间90s；
曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为0um、真空接触真空度850mbar，曝光光源为I线占比100%、G线占比0%、H线占比0%；
显影：将曝光后的芯片进行静态显影45s，得到显影后的芯片。
后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
实验例4
本实验例4中，选取光刻胶为SPR955。以此光刻胶种类为基础设计对比实验，涉及的参数包括：环境温度和环境湿度、光刻胶厚度及分辨率、前烘温度及时间、曝光距离、曝光光源、显影方式。
本实验例4中的光刻工艺包括以下步骤：
衬底处理：对作为所述芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度150℃，烘箱内保持时间720s。
光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度0.7um，分辨率为0.45um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上。
前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度90℃，前烘时间60s；
曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为15um，曝光光源为I线占比95%、G线占比5%、H线占比0%；
显影：将曝光后的芯片进行静态显影45s，得到显影后的芯片。
后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
实验例5
本实验例5中，选取光刻胶为SPR955。以此光刻胶种类为基础设计对比实验，涉及的参数包括：环境温度和环境湿度、光刻胶厚度及分辨率、前烘温度及时间、曝光距离、曝光光源、显影方式。
本实验例5中的光刻工艺包括以下步骤：
衬底处理：对作为所述芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度160℃，烘箱内保持时间360s。
光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度1.2um，分辨率为0.5um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上。
前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度120℃，前烘时间100s；
曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为0um、真空接触真空度1000mbar，曝光光源为I线占比90%、G线占比5%、H线占比5%；
显影：将曝光后的芯片进行静态显影120s，得到显影后的芯片。
后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
实验例6
本实验例6中，选取光刻胶为SPR955。以此光刻胶种类为基础设计对比实验，涉及的参数包括：环境温度和环境湿度、光刻胶厚度及分辨率、前烘温度及时间、曝光距离、曝光光源、显影方式。
本实验例6中的光刻工艺包括以下步骤：
衬底处理：对作为所述芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度160℃，烘箱内保持时间600s。
光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度1.4um，分辨率为0.45um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上。
前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度105℃，前烘时间85s；
曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为0um、真空接触真空度900mbar，曝光光源为I线占比90%、G线占比5%、H线占比5%；
显影：将曝光后的芯片进行静态显影45s，得到显影后的芯片。
后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
表1为实验例1~实验例6的良品率结果对比。
表1
由表1中可见，实验例3的效果最佳，实验例2和4的效果最差。
用显微镜观察长方形图案四角形貌，对比各组实验结果，得到以下最佳参数：
环境温度22~23℃，环境湿度为40%~60%均可；
光刻胶厚度选取0.8-1.0um，
前烘温度100℃，前烘时间90s；
曝光距离为真空接触真空度850 mbar；
曝光光源为I/G/H线占比100%/0%/0%。
显影方式为静态显影45s。
根据最佳参数选取其中一组，不清洗掩膜版进行多片晶圆的光刻，确定能达到产品所需合格率最大片数，确定掩膜版清洗频率为每曝光4片清洗掩模版。
本发明实施例通过上述工艺参数的调整，实现了窄长方形图案四角图形缺陷的问题，如图2所示。图2所示为工艺参数调整后直角形貌。另外，图3所示为常见的圆角缺陷，图4所示为工艺参数调整过量的内圆角缺陷。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种解决光学临近效应的方法，其特征在于，用于芯片的光刻工艺中，所述光刻工艺包括以下步骤：
衬底处理：对作为芯片衬底的晶圆在HMDS烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度120~170℃，烘箱内保持时间360~720s；
光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度0.7~2.8um，分辨率小于等于0.5um的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上；
前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度90℃~150℃，前烘时间60s~120s；
曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为0~20um、真空接触真空度700~1000mbar，曝光光源为I线占比50%~100%、G线占比0%~25%、H线占比0%~25%；
显影：将曝光后的芯片进行静态显影30~60s，得到显影后的芯片；
后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶、图形转移和去胶，完成对芯片的光刻。
2.根据权利要求1所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为0.7 um~1.4um；
所述光刻胶的分辨率为0.3~0.5um。
3.根据权利要求2所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为0.7 um、0.8 um、0.9 um、1.0 um、1.1 um、1.2 um、1.3 um和1.4um；
所述光刻胶的分辨率为0.3 um、0.35 um、0.4 um、0.45 um、0.5um。
4.根据权利要求1所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述前烘温度90℃~120℃，前烘时间80s~100s。
5.根据权利要求4所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述前烘温度为以下任意一种：90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、115℃、120℃；
所述前烘时间为以下任意一种：85s、90s、95s、100s。
6.根据权利要求1所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述曝光光源的占比为以下任意一种：
所述曝光光源为I线占比100%、G线占比0%、H线占比0%；
所述曝光光源为I线占比95%、G线占比5%、H线占比0%；
所述曝光光源为I线占比95%、G线占比0%、H线占比5%；
所述曝光光源为I线占比90%、G线占比5%、H线占比5%。
7.根据权利要求1所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述真空接触真空度为800~1000mbar。
8.根据权利要求7所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述真空接触真空度为以下任意一种：800mbar、850mbar、900mbar、1000mbar。
9.根据权利要求1所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述静态显影为40~60s。
10.根据权利要求9所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述静态显影为以下任意一种：40s、45s、50s、55s、60s。
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