CN117203755A - 半导体封装体以及半导体电子装置 - Google Patents

Abstract

半导体封装体具备：基部，具有包括第一边及与第一边连接的第二边在内的第一面；布线层叠体(20)，在第一面上沿着第一面的第一边配置，并且具有沿着第二边的第二面；以及与布线层叠体(20)一起将第一面围起来的周壁部。布线层叠体(20)具有：层状地层叠的多个绝缘层；位于多个绝缘层中的不同绝缘层上的至少两个第一布线导体；和位于侧面(22)，连接至少两个第一布线导体的层间导体(221，222)。

Description

半导体封装体以及半导体电子装置

技术领域

本公开涉及半导体封装体以及半导体电子装置。

背景技术

存在将电子部件收容到内部并将该电子部件与外部的基板等电连接的半导体封装体。半导体封装体具有用于将电子部件的连接端子与半导体封装体的外部相连的导体线路。在美国专利申请公开第2017/0135204号说明书中，将连接不同绝缘层上的导体线路之间的通孔导体汇集排列到基板的端部而连接夹着RF信号层以及接地层的上下的导体线路。

发明内容

-用于解决课题的手段-

本公开的一个方式为半导体封装体，具备：

基部，具有包括第一边以及与该第一边连接的第二边在内的第一面；

布线层叠部，在所述第一面上沿着该第一面的所述第一边配置，并且具有沿着所述第二边的第二面；和

周壁部，与所述布线层叠部一起将所述第一面围起来，

所述布线层叠部具有：

层状地重叠的多个绝缘层；

至少两个第一布线导体，位于该多个绝缘层中的不同的所述绝缘层上；和

第一层间导体，位于所述第二面，连接所述至少两个第一布线导体。

-发明效果-

根据本公开，在半导体封装体中，能更适当地连接不同的层间。

附图说明

图1为在拆卸了盖体的状态下观察半导体电子装置的整体立体图。

图2A为针对绝缘层上的导体部分进行说明的图。

图2B为针对绝缘层上的导体部分进行说明的图。

图3A为针对绝缘层上的导体部分进行说明的图。

图3B为针对绝缘层上的导体部分进行说明的图。

图4A为针对绝缘层上的导体部分进行说明的图。

图4B为针对绝缘层上的导体部分进行说明的图。

图5为针对绝缘层的下表面的导体部分进行说明的图。

图6为表示布线层叠体的侧面的图。

图7A为表示半导体封装体的变形例1的立体图。

图7B为表示半导体封装体的变形例2的立体图。

具体实施方式

以下，基于附图对实施方式进行说明。

图1为拆卸了盖体8的状态下观察本实施方式的半导体电子装置1的整体立体图。

半导体电子装置1具备半导体封装体6、电子部件7和盖体8等。

半导体封装体6具备基板10(基部)、布线层叠体20(布线层叠部)和壁体30(周壁部)等。半导体封装体6也可具有被利用于向外部的基板等的固定的夹具等。

基板10具有作为+Z侧的面的上表面11(第一面)，布线层叠体20沿着该上表面11上的一边(第一边。在此，位于+X侧并在Y方向上伸长的边)配置。布线层叠体20与壁体30构成将上表面11包围为环状的框状壳体。基板10从Z方向观察的俯视下为大致矩形状(也可将角弄圆或除去角)，但并不限于此。

布线层叠体20，层状地重叠多个绝缘层，信号线路、接地线路、电力供给线路这样的布线导体(第一布线导体)位于各绝缘层的(其中至少两层的)上表面。布线层叠体20被分为：在上下方向(Z方向)上连续的一部分的绝缘层在俯视下比上表面11(基板10)的第一边更向外侧(+X侧)突出的突出部21a；和位于比第一边靠内侧(-X侧)的该突出部21a以外的内方部21b。分别位于突出部21a的上表面211a(第一上表面)以及下表面的省略图示的连接端子与外部的布线等连接。此外，沿着与第一边连接的上表面11的边(第二边。在此为在X方向上伸长的两边)的两个面为侧面22、23(第二面)。内方部21b的上表面24(第二上表面)的一部分与壁体30接合。上表面24的一部分位于比壁体30靠外侧(+X侧)的位置。此外，上表面24也可位于导体面24a(第二导体)。导体面24a和位于侧面22、23与壁体30的边界的导体223(第一导体)连接。

壁体30在俯视下沿着基板10的外缘配置，具有包围上表面11的环状形状。壁体30在俯视下与布线层叠体20重叠的部分，与布线层叠体20的上表面接合，在与布线层叠体20不重叠的部分而与基板10接合。在此，壁体30的上表面为均衡的高度，但并不限于此。半导体封装体6成为箱型形状：将基板10的上表面11设为底面，该上表面11的周围由布线层叠体20以及壁体30包围，具有在上方向上开放的凹部。

壁体30也可在构成半导体封装体6的侧面的一个面且与布线层叠体20所位于的一侧(上表面11的第一边的侧)不同的侧的面具有开口31。例如在电子部件7包括光电二极管或激光二极管等光学部件的情况下，光能通过该开口31。开口31也可以采用玻璃或者透明树脂等透光构件来隔开半导体封装体6的内部和外部。

布线层叠体20以及壁体30通过确定三维形状而制作得到，例如也可为将多个绝缘片(陶瓷生片)进行层叠、压接以及烧成而制作，按照需要适当进行了切断、冲孔等的加工处理，其中所述多个绝缘片通过将在材料物质的粉末(例如氧化铝以及氧化硅等)中混合有机粘合剂和溶剂而制作出的浆料成形为片状来得到。在布线层叠体20的制造中，例如上述的导体金属、粘合剂和有机溶剂混合来制作金属膏。接下来，在上述绝缘片的层叠时，通过丝网印刷等对各绝缘片涂敷该金属膏。而且，如上述那样与通常的绝缘片一起被层叠而被压接、烧成。

此外，金属化层也可位于壁体30的上表面。由此，能够提高壁体30与盖体8的接合强度。金属化层也可被涂敷、烧成，也可通过镀覆等形成。

此外，壁体30也可与布线层叠体20为不同构件，也可为例如Fe、Ni、Co等金属。

盖体8与壁体30的上表面接合，覆盖上述的凹部的上表面。壁体30为导体，例如为包含铁、铜、镍、铬、钴、钼或者钨在内的金属或者这些金属的合金。

布线层叠体20，如上述那样，传输信号等的布线导体位于多个绝缘层当中一部或者全部的上表面(表面)。该布线导体能包括信号线路、接地线路以及电力供给线路等。一个或者多个布线导体所产生的各信号、供电路径(电气路径)将半导体封装体6的凹部的内侧和外侧相连。

电子部件7位于基板10的上表面11，收纳于凹部的内部。半导体封装体6的内侧的电气路径的一端与电子部件7的端子通过接合线等而被连接(未图示)，半导体封装体6的外侧的电气路径的一端(与上述一端相反的端)经由未图示的连接端子与外部的基板等连接，从而进行信号的收发、电力的供给等。

如后述那样连接不同的绝缘层上的布线导体之间的层间导体221(第一层间导体)以及层间导体222(第二层间导体)等位于布线层叠体20的侧面22、23。

此外，导体223(金属化层；第一导体)沿着侧面22、23的与基板10或者壁体30相接的外缘配置。该导体223用于：通过在将布线层叠体20与基板10以及壁体30进行接合时，用于接合的焊料沿着导体223适度地流动，从而抑制焊料过度地固着于接合面而残留，在对半导体封装体6施加应力的情况下难以产生裂缝等。

接下来，对位于布线层叠体20的绝缘层上的电气路径进行说明。

图2A～图4B为针对6个绝缘层201～206上的导体部分进行说明的图。此外，图5为针对6个绝缘层201～206当中最下层的绝缘层206的背面侧进行说明的图。图2A～图5均表示从上表面侧在平面透视下观察到的情况。另外，实施方式的绝缘层的数目也可比6层多。

图2A示出最上层的绝缘层201上部。在该绝缘层201的上表面，导体面2011在一面扩大。在该导体面2011上经由焊料等接合壁体30。

图2B示出6层当中自上开始第2层的绝缘层202上部。连接贯通绝缘层201的通孔内的通孔导体以及贯通绝缘层202的通孔内的通孔导体的连接盘(land)2021、和从连接盘2021向侧面22、23伸长的信号线路2022位于该绝缘层202。即，信号线路2022经由通孔导体与连接盘2034(参照图3A)电相连。在此为了说明，仅示出一对连接盘2021以及连接盘2034，但并不限于此。也可以是三个以上的连接盘2021以及连接盘2034以适当的位置关系排列。

绝缘层201、202在图的右侧(-X侧)具有缺口部分(凹处)。

图3A示出6层当中自上开始第3层的绝缘层203上部。在此示出一对信号线路2032及一对电力供给线路2033、以及连接盘2034。绝缘层203的缺口部分的深度(关于X方向的宽度)比绝缘层201、202的缺口部分小，位于该缺口部分的边缘附近的电力供给线路2033以及信号线路2032的一端(绝缘层203的上表面)分别在上述绝缘层201、202的缺口部分的内部露出。

电力供给线路2033与位于侧面22、23的另一端相连，信号线路2032与连接盘2034相连。连接盘2034在平面透视下与连接盘2021重叠，这些连接盘2034、2021经由穿过绝缘层202的通孔内的通孔导体而被电连接。

针对露出的电力供给线路2033以及信号线路2032的-X方向的端附近，在半导体封装体6的内侧通过接合线等与电子部件7连接，向电子部件7以给定的电压(包括接地电压)供给电力。另外，在此作为电力供给线路2033以及信号线路2032而示出，但也可为直流信号、以低频(所谓低频，如后述那样为不需要考虑阻抗匹配的程度的频率)切换的信号等的传输用线路(也可将它们统称为布线导体)。

图3B示出6层当中从上开始第4层的绝缘层204上部。该绝缘层204当中图的左侧(+X的侧)为突出部21a的上表面，在半导体封装体6的外侧面露出。在该露出部分，信号线路2041的一端以及接地导体2042、2043(接地用导体)并排。在此，信号线路2041以两根为一组来构成差动线路，接地导体2042(一部分为接地导体2043)位于各组的差动线路的两侧(±Y方向)。信号线路2041的这一端接合省略图示的连接端子(引线端子)，该连接端子与外部的信号线路等连接。图3B中的这些信号线路2041以及接地导体2042、2043为了说明而较大地示出，其尺寸、间隔、数量也可按照信号的数量、半导体封装体6的尺寸等适当地决定。

信号线路2041以及接地导体2042通过被覆层2046之下与图的右侧(-X侧)相连。绝缘层204不具有缺口部分，因此信号线路2041以及接地导体2042、2043的右侧(-X侧)的端在绝缘层203的缺口部分的内侧露出到半导体封装体6的内面(凹部)侧。被覆层2046例如为氧化铝等的绝缘性薄膜。信号线路2041的右侧的端与电子部件7经由省略图示的接合线等被连接，在与电子部件7之间传输信号。被传输的对象的信号为RF信号，也可为1MHz以上，特别是GHz频段的信号。

接地导体2042分别与通孔导体2044相接。通孔导体2044通过贯通绝缘层204的通孔内而与绝缘层205上的接地导体面2051相连。此外，通过贯通位于绝缘层203，204之间的省略图示的绝缘层的通孔内并与该绝缘层上的接地导体面连接的通孔导体2045也可位于在俯视下不与突出部21a接触的部分(突出部21a以外的部分)。

针对Y方向两端的接地导体2043在突出部21a，其端部露出到侧面22、23。该露出部分E1(第一区域)与位于侧面的层间导体222接合(连接)。另一方面，该露出部分E1以外的部分(与层间导体221的相邻部分D1(第二区域))分别从侧面22、23分离地配置，在此，位于分离距离dm以上且与层间导体221邻近(相邻)的位置。与此相伴，在露出部分E1与相邻部分D1之间，接地导体2043的边缘(边)在沿着第一边的方向(与侧面22、23垂直的方向)上伸长，相邻部分D1与侧面22相连。

图4A示出6层当中从上开始第5个绝缘层205上部。绝缘层205中，接地导体面2051(层间接地用导体)扩大。接地导体面2051横跨露出部分E2与相邻部分D2(即平面透视下突出部21a的范围与突出部21a以外的范围)，在平面透视下将绝缘层204上的信号线路2041的范围完全包括在内而延伸。接地导体面2051与绝缘层204的接地导体2043相同地，在露出部分E2露出到侧面22、23，在相邻部分D2从侧面22、23离开给定距离(距离dm)。构成这些区域的边界的边沿着第一边(与侧面22、23垂直)伸长。该边的位置与在图3B中在绝缘层204上露出部分E1和相邻部分D1之间的接地导体2042的边缘在平面透视下几乎重叠。

如上述那样，布线层叠体20通过在制作后切断、冲孔等而成形。该切断、冲孔的位置没有避开物理上微小的偏差，但如上那样通过露出部分E1、E2与相邻部分D1，D2的边界沿着第一边(与侧面22、23垂直)，从而即使产生一些偏差，在针对X方向的边界的位置上也不会产生偏移。因此，露出部分E1，E2难以变得比必要的范围大或者小，特别能抑制不需要的露出部分所引起的无意的短路的产生等。

图4B示出6层当中最下层的绝缘层206上部。该绝缘层206的下表面(底面)构成突出部21a的下表面。信号线路2062以及电力供给线路2063位于绝缘层206上。

信号线路2062的一端露出到侧面22、23，与一个层间导体221相接。与该一端相反的一端与通孔导体2064相连，经由该通孔导体2064而贯通绝缘层206，与图5所示的布线导体2066连接。布线导体2066露出到突出部21a的下表面，经由连接端子等与外部的布线等连接。

电力供给线路2063的一端露出到侧面22、23，与不同于信号线路2062相接的层间导体的层间导体221相接。与该一端相反的一端与通孔导体2065相连，经由该通孔导体2065贯通绝缘层206，与图5所示的布线导体2067连接。布线导体2067在突出部21a的下表面露出，经由连接端子等与外部的布线等连接。

图6为侧面22的侧视图。另外，本实施方式中，在平面透视下从侧面22一侧观察而侧面23与侧面22相同，因此省略说明。

层间导体221包括位于由内方部21b的侧面的导体223围起来的区域的平面状的层间导体221a、221b。层间导体221a几十年后不同的绝缘层202、206的信号线路2022、2062相连。层间导体221b将不同的绝缘层203、206的电力供给线路2033、2063相连。层间导体221也可为分别位于具有半圆筒状等形状的凹部的内表面的导体。此外，层间导体222位于比层间导体221靠外侧(+X侧)的位置，在突出部21a的侧面将不同的绝缘层204、205的接地导体2043(在此，突出部21a上的上表面的接地导体；第一接地用导体)和接地导体面2051相连。在此，层间导体222的针对X方向的长度也可比接地导体2043的针对X方向的长度(图3B的长度E1)短。针对如接地、电力供给等那样不是传送电压的变化的目的的情况、电压不变化的直流信号、传输信号的频率不够大而需要阻抗匹配的程度也不产生来自露出部分的电磁辐射等的低频交流信号例如1MHZ以下的情况，能够使电气路径的一部分露出到半导体封装体6的表面。在采用了通孔导体的现有的电力供给线路中，在与绝缘层内的周围的信号线路等之间存在必要的下限距离(空隙(clearance))、位置关系的制约等，因此对小型化有限制，但是如上那样具有使露出到侧面22、23的电气路径，从而特别是绕过存在大量信号线路2041的绝缘层204上而能够容易地确定电气路径。

内方部21b的上表面24如上述那样为与导体223连接的导体面24a。

[变形例]

图7A以及图7B为表示半导体封装体6的变形例的立体图。

图7A表示变形例1的半导体封装体6A。在该半导体封装体6A中，布线层叠体20与壁体30成为一体构造的层叠体20A。在该情况下，被层叠的绝缘层分别成为环状构造。由此，不需要在布线层叠体20的边缘沿着与壁体30的接合面配置的导体223。其他的与布线层叠体20对应的部分(布线层叠部)的构造与上述实施方式的构造相同，因此省略说明。

图7B表示变形例2的半导体封装体6B。该半导体封装体6B中，基板10、布线层叠体20以及壁体30全部为一体构造的层叠体20B。在该情况下，与基板10对应的部分的绝缘层为板状，其他部分的绝缘层与上述的层叠体20A同样地为环状。由于不是多个构件的组合，因而不需要导体223。

在与布线层叠体20对应的部分(布线层叠部)中，在该变形例2中，接地导体2043A不与侧面22、23相接，与此相伴，层叠体20B在侧面不具有层间导体222。其他的结构以及构造与上述实施方式相同，因此省略说明。

如上述那样，布线层叠体20不需要为独立的结构，也可为与壁体30以及/或者基板10一体地形成的层叠体的一部分。

如上那样，本实施方式的半导体封装体6具备：具有包括第一边和与该第一边连接的第二边在内的上表面11的基板10；在上表面11上沿着该上表面11的第一边配置，并且具有沿着第二边的侧面22、23的布线层叠体20；和与布线层叠体20一起将上表面11围起来的壁体30。布线层叠体20具有：层状地重叠的多个绝缘层201～206；位于多个绝缘层201～206中的不同的绝缘层(202，203，206等)上的至少两个信号线路2022、2062、电力供给线路2033、2063等的第一布线导体；和位于侧面22、23，连接上述至少两个第一布线导体的层间导体221。

根据该半导体封装体，能够经由半导体封装体的侧面传送以往经由通孔相连不同的绝缘层之间的控制信号、接地电压、供给电力。由此，即使信号线路的根数变多也不需要获取必要的间隔来设置通孔，能够更适当地连接不同的绝缘层之间。此外，由此能够与信号线路的根数相比谋求小型化。

此外，层间导体221为电力供给等传送低频交流信号或者直流信号的导体。如果为这样的信号，则即使电气路径部分地露出到绝缘层的外侧，切换有无露出的边界等的阻抗不匹配也不会成为问题，能够没有问题地利用层间导体221。

此外，包括层间导体221(第一层间导体)的电气路径也可为接地用导体。在该情况下电气路径也可在绝缘层的外侧露出，能够适当地连接不同的绝缘层之间的接地导体之间。

此外，布线层叠体20，也可在侧面22、23具有互相并排地延伸的两个层间导体221a、221b。由此能够省空间地传送多种信号、电压。

此外，布线层叠体20具有位于侧面22、23的凹部，层间导体221也可为位于凹部内的导体。由此，与向X方向的宽度相比，能够增大层间导体221的面积。

此外，布线层叠体20具有：比第一边更向外侧突出并且具有上表面211a的突出部21a；位于比第一边靠内侧(-X侧)的位置的内方部21b；位于突出部21a的上表面211a的接地导体2043；在绝缘层之间横跨突出部21a和内方部21b而延伸的接地导体面2051；以及位于侧面22、23，连接接地导体2043和接地导体面2051的层间导体222。在具有信号线路的连接端子的突出部21a，配置信号布线间的接地导体的情形较多，由于小型化而空间往往不足。通过将两端的接地导体经过外侧面而与其他层相连，能够减少通孔的数量，由此适当地具有接地面，从而能减小信号的损失，并能够抑制尺寸的大型化。

此外，层间导体222在侧面22、23，位于比层间导体221靠外侧(+X侧)的位置。即，通过使将包括突出部21a的上表面211a的层的导体与其他层的导体连接的层间导体222位于突出部21a的一侧，从而能够高效地配置多个层间导体。

此外，侧面22、23的层间导体222向X方向的长度也可比上表面211a的接地导体2043的向X方向的长度短。即，如果作为层间导体222而具有必要的宽度，则接地导体2043也可不遍及整个宽度与层间导体222相接，不需要必要以上地采用导体构件。

此外，接地导体2043以及接地导体面2051当中的至少一方在平面透视下具有：，与侧面22、23连接的露出部分E1；从侧面22、23分离地配置并且与层间导体221以距离dm以上相邻的相邻部分D1；和沿着将露出部分E1与相邻部分D1相连的第一边的边。即，该相邻部分D1从侧面22、23离开，从而在制造时不切断该相邻部分D1。此外，将相邻部分D1与侧面22、23之间相连的部分的边缘相对于侧面22、23垂直且不倾斜，从而即使切断位置偏离，接地导体2043以及接地导体面2051向侧面22、23的露出范围也不变化。在侧面22、23具有层间导体221、222的情况下，露出面的偏移不仅导致连接范围的偏移，而且也能导致与其他部分无意的连接等所引起的短路等。因此，通过如上那样确定接地导体的范围，能使制造时的切断等的精度相比以往有所提高，并且能容易地进行对位，能够得到适当的电气路径。

此外，布线层叠体20具有沿着与侧面22、23当中至少基板10或者壁体30相接的外缘配置的导体223。在将布线层叠体20与基板10以及壁体30接合时，用于接合的焊料沿着该导体223适度地流动，从而能够抑制焊料过度固着于接合面而残留，在对半导体封装体6施加了应力的情况下难以产生裂缝等。

此外，布线层叠体20具有与侧面22、23连接的上表面24和位于该上表面24的导体面24a，导体面24a与导体223也可进行连接。由此，能够使布线层叠体20更稳定地接地。

此外，本实施方式的半导体电子装置1具备上述的半导体封装体6和位于基板10的上表面11上的电子部件7。根据该半导体电子装置1，能够适当地连接接地线路、电力供给线路等电气路径而使电子部件7正确工作。

另外，上述实施方式是例示，能进行各种变更。

例如上述实施方式中，说明了在自同一方向的平面透视下同一层间导体221、222在侧面22、23中均处于同一位置(相对于位于侧面22、23的中间的面而面对称地配置)的情况，但不限于此。也可按照布线图案等而在侧面22、23具有互相不同的位置、数量、尺寸、形状的层间导体。

此外，在多个层间导体在不同的用途即接地线路、电力供给线路、低频信号的信号线路等当中多个用途中被采用而混在一起的情况下，也可在该层间导体之间调整位置关系。

此外，半导体封装体6也可未必具有层间导体222。在突出部21a具有空间的情况下，也可不采用层间导体222而通过通常的通孔导体执行连接。

此外，上述实施方式中，层间导体221配置为横跨具有RF信号线路的第4层绝缘层，但并不限于此。层间导体也可为连接任意的互相不同的层间的导体。

此外，层间导体并不限于在Z方向上伸长的矩形状的导体。也可倾斜地在侧面22、23伸长，也可为曲线状或者折线状的形状。此外，粗细(与Z方向垂直的方向)也可不一致。

此外，上述实施方式中，说明了设为盖体8与半导体封装体6分开的结构的情况，但也可为具有盖体8的半导体封装体6。

此外，半导体封装体6的制作并不限于如上述那样采用了绝缘片的方法。也可采用其他方法来制作。

此外，半导体封装体6也可不具有突出部21a，突出部21a也可不是中间的一部分的绝缘层的突出。也可包括最上层或者最下层的绝缘层。此外，突出部21a也可不是遍及第一边的整体长度而突出的突出部，也可在突出部21a具有缺口部分。

此外，上述的半导体封装体6也可与电子部件7分开地制造销售。在该情况下，盖体8也可在不与半导体封装体6接合的状态被销售。

除此之外，上述实施方式所示的结构、材质、构造等的具体的细节在不脱离本公开的主旨的范围中能适当变更。本发明的范围包括权利要求书中记载的范围和其均等的范围。

--工业可用性--

本公开能够利用于半导体封装体以及半导体电子装置。

Claims (12)

1.一种半导体封装体，具备：

基部，具有包括第一边以及与该第一边连接的第二边在内的第一面；

布线层叠部，在所述第一面上沿着该第一面的所述第一边配置，并且具有沿着所述第二边的第二面；和

周壁部，与所述布线层叠部一起将所述第一面围起来，

所述布线层叠部具有：

层状地重叠的多个绝缘层；

至少两个第一布线导体，位于该多个绝缘层中的不同的所述绝缘层上；和

第一层间导体，位于所述第二面，连接所述至少两个第一布线导体。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，

所述第一层间导体为低频交流信号用或者直流信号用的导体。

3.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，

所述第一层间导体为接地用导体。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体封装体，其中，

所述布线层叠部在所述第二面具有互相并排地延伸的两个所述第一层间导体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体封装体，其中，

所述布线层叠部具有位于所述第二面的凹部，

所述第一层间导体为位于所述凹部内的导体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体封装体，其中，

所述布线层叠部具有：

突出部，比所述第一边向外侧突出，并且具有第一上表面；

内方部，位于比所述第一边靠内侧的位置；

第一接地用导体，位于所述突出部的所述第一上表面；

层间接地用导体，在所述绝缘层之间横跨所述突出部与所述内方部地延伸；和

第二层间导体，位于所述第二面，连接所述第一接地用导体和所述层间接地用导体。

7.根据权利要求6所述的半导体封装体，其中，

所述第二层间导体在所述第二面位于比所述第一层间导体靠外侧的位置。

8.根据权利要求6或7所述的半导体封装体，其中，

所述第二面中的所述第二层间导体的长度比所述第一上表面中的所述第一接地用导体的长度短。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体封装体，其中，

所述第一接地用导体以及所述层间接地用导体当中的任一者在平面透视下具有：与第二面连接的第一区域；与所述第二面分离地配置且与所述第一层间导体相邻的第二区域；和沿着将所述第一区域与所述第二区域相连的所述第一边的边。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体封装体，其中，

所述布线层叠部具有沿着所述第二面当中至少与所述基部或者所述周壁部相接的外缘配置的第一导体。

11.根据权利要求10所述的半导体封装体，其中，

所述布线层叠部具有与所述第二面连接的第二上表面、和位于该第二上表面的第二导体，

所述第二导体与所述第一导体连接。

12.一种半导体电子装置，具备：

权利要求1～11中任一项所述的半导体封装体；和

位于所述第一面上的电子部件。