CN117199016B - 一种光电子半导体芯片结构及其制造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 157
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 40
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 45
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 6
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001012 protector Effects 0.000 claims 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种光电子半导体芯片结构及其制造方法,涉及半导体芯片相关技术领域,包括:半导体基板;半导体芯片主体,所述半导体芯片主体底侧固定安装有半导体基板,所述半导体芯片主体包括安装在所述半导体基板顶侧的隔开层,设置在所述隔开层顶侧的第一电极,设于所述第一电极两侧的导热层,设于所述导热层内侧的第二电极,设于所述第二电极顶侧的连接部,防护套、补偿组件以及散热组件,解决了一些半导体芯片的拿取实验中,半导体芯片多暴露放置在外部,容易在工作者安装拿取过程中导致半导体芯片出现摔落碰损的情况,而一些半导体芯片放置在盒内进行防护,而在测试实验中,需要进行再次取出操作,降低实验效率的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体芯片相关技术领域,具体为一种光电子半导体芯片结构及其制造方法。
背景技术
半导体芯片:在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件,不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓,锗等半导体材料。
现有技术中,一些半导体芯片的拿取实验中,半导体芯片多暴露放置在外部,容易在工作者安装拿取过程中导致半导体芯片出现摔落碰损的情况,而一些半导体芯片放置在盒内进行防护,而在测试实验中,需要进行再次取出操作,降低实验效率,为解决上述提到的问题,现提供一种光电子半导体芯片结构及其制造方法。
发明内容
本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊,而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。
鉴于上述光电子半导体芯片结构存在的问题,提出了本发明。
因此,本发明目的是提供一种光电子半导体芯片结构及其制造方法。
为解决上述技术问题,本发明提供如下技术方案:包括:半导体基板;半导体芯片主体,所述半导体芯片主体底侧固定安装有半导体基板,所述半导体芯片主体包括安装在所述半导体基板顶侧的隔开层,设置在所述隔开层顶侧的第一电极,设于所述第一电极两侧的导热层,设于所述导热层内侧的第二电极,设于所述第二电极顶侧的连接部,设于所述第二电极顶部的绝缘层,设于所述绝缘层顶侧的防护层,以及设置于所述防护层顶侧的导电垫;防护套,所述防护套套接在所述半导体芯片主体表面,所述防护套顶侧表面以及底侧固定橡胶块,所述防护套内开设有放置腔;补偿组件,设置于所述防护套的内壁表面;散热组件,设置于所述防护套的外侧表面。
作为本发明所述光电子半导体芯片结构的一种优选方案,其中:所述连接部贯穿防护层以及绝缘层顶侧表面,且连接部顶端与导电垫电学连接,所述连接部底端与第一电极以及第二电极电学连接,所述导电垫位于半导体芯片主体最顶侧,所述导电垫可选自金、银、铜、铝、锡、合金等材料。
作为本发明所述光电子半导体芯片结构的一种优选方案,其中:所述防护套顶侧表面以及防护套底侧表面均匀分布有若干个橡胶块,所述橡胶块截面呈半椭圆型结构。
作为本发明所述光电子半导体芯片结构的一种优选方案,其中:所述散热组件包括固定安装在防护套侧表面的散热筒,设置于所述散热筒端头表面的橡胶套,以及固定安装在所述橡胶套末端的过滤网。
作为本发明所述光电子半导体芯片结构的一种优选方案,其中:所述散热筒数目为若干个,若干个所述散热筒位于防护套左右相对两侧表面,所述散热筒呈中通管状结构,且散热筒一端贯穿防护套侧表面与防护套的放置腔连通。
作为本发明所述光电子半导体芯片结构的一种优选方案,其中:所述散热筒延伸出防护套的一端表面套接橡胶套,所述橡胶套的长度大于散热筒延伸出防护套侧表面的一端长度,且橡胶套内壁固定连接的过滤网与散热筒一端贴合。
作为本发明所述光电子半导体芯片结构的一种优选方案,其中:所述补偿组件包括固定安装在所述防护套内壁的螺纹柱,用于滑动贯穿所述螺纹柱表面的固定座,螺纹套接在所述螺纹柱表面的螺母,固定安装在所述固定座侧表面的限位套,滑动连接在所述限位套内腔的凸台,以及凸台侧表面固定安装的弹性件。
作为本发明所述光电子半导体芯片结构的一种优选方案,其中:所述防护套左右两侧内壁固定安装有多个补偿组件,所述防护套侧表面内壁通过补偿组件与半导体芯片主体侧表面贴合;所述限位套与防护套内壁贴合的一端侧表面固定安装有若干个固定座,若干个所述固定座在限位套端头侧表面环形分布,且固定座侧表面贴合有用于将固定座固定安装在螺纹柱表面的螺母。
作为本发明所述光电子半导体芯片结构的一种优选方案,其中:所述凸台靠近半导体芯片主体的一端呈圆台型结构,与其对应的凸台另一端均匀固定安装有若干个弹性件,所述凸台通过弹性件与防护套内壁弹性连接,所述弹性件为压缩弹簧。
一种光电子半导体芯片结构的制造方法,包括如下步骤:
(一)半导体芯片主体制备,在半导体基板顶侧安装隔开层,将第一电极安装在隔开层顶侧,通过导热层设置在第一电极以及第二电极表面,保障半导体芯片整体工作中的热量导出,通过在第二电极顶侧安装绝缘层,提高整体的绝缘效果,避免漏电情况,且绝缘层以及防护层由不导电、防水、且热传导性佳的材料所制成,能产生抗湿气、抗氧化及防短路等自我保护作用,以保护半导体芯片整体不受电弧与湿性影响,并能迅速散发热气,无须像一般的芯片必须藉由繁琐的封装制程来保护芯片稳定使用,同时通过连接部将导电垫与电极进行连接,导电垫可选自金、银、铜、铝、锡、合金等材料;
(二)补偿组件的安装,将凸台安装在限位套内腔,凸台侧表面固定连接的限位滑块滑动连接在限位套侧表面的限位滑槽内腔,通过固定座放置在防护套内壁表面,旋转螺母,将固定座进行固定在螺纹柱表面,实现补偿组件的固定安装;
(三)半导体芯片的防护,将准备的半导体芯片主体表面包裹防护套,防护套起到对半导体芯片进行防碰损效果,在半导体芯片主体放置在防护套中,通过补偿组件作用下,便于对半导体芯片主体进行限位夹持,提高半导体芯片的固定放置,避免出现防护套与半导体之间出现连接错位情况,容易导致半导体放置后出现放置晃动不稳的情况,保障防护套与半导体芯片之间的连接稳定,且防护套侧表面安装散热筒,通过散热筒将内部与外部连通,便于将内部半导体芯片工作产生的热量导出,同时配合过滤网的设置,提高防尘效果,在散热筒外侧设置橡胶套,提高散热筒的外表面防护。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明为一种光电子半导体芯片结构及其制造方法,将凸台安装在限位套内腔,凸台侧表面固定连接的限位滑块滑动连接在限位套侧表面的限位滑槽内腔,通过固定座放置在防护套内壁表面,旋转螺母,将固定座进行固定在螺纹柱表面,实现补偿组件的固定安装;将准备的半导体芯片主体表面包裹防护套,防护套起到对半导体芯片进行防碰损效果,在半导体芯片主体放置在防护套中,通过补偿组件作用下,便于对半导体芯片主体进行限位夹持,提高半导体芯片的固定放置,避免出现防护套与半导体之间出现连接错位情况,容易导致半导体放置后出现放置晃动不稳的情况,保障防护套与半导体芯片之间的连接稳定,且防护套侧表面安装散热筒,通过散热筒将内部与外部连通,便于将内部半导体芯片工作产生的热量导出,同时配合过滤网的设置,提高防尘效果,在散热筒外侧设置橡胶套,提高散热筒的外表面防护。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
图 1 为本发明光电子半导体芯片结构的主视结构示意图。
图 2 为本发明光电子半导体芯片结构的整体主视剖视结构示意图。
图 3 为本发明光电子半导体芯片结构的防护套侧视连接结构示意图。
图 4 为本发明光电子半导体芯片结构的整体图1中A处局部放大示意图。
图 5 为本发明光电子半导体芯片结构的限位套与固定座连接示意图。
图 6 为本发明光电子半导体芯片结构的凸台表面连接结构示意图。
图中:100、半导体基板;
200、半导体芯片主体;201、第一电极;202、导热层;203、第二电极;204、连接部;205、绝缘层;206、导电垫;207、防护层;208、隔开层;
300、防护套;301、放置腔;302、橡胶块;
400、补偿组件;401、限位套;402、固定座;403、螺母;404、螺纹柱;405、限位滑块;406、限位滑槽;407、凸台;408、弹性件;
500、散热组件;501、散热筒;502、过滤网;503、橡胶套。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合说明书附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次,此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例,也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
再其次,本发明结合示意图进行详细描述,在详述本发明实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
实施例 1
请参阅图1-3,本实施例提供了一种光电子半导体芯片结构及其制造方法,包括:半导体基板100;半导体芯片主体200,半导体芯片主体200底侧固定安装有半导体基板100,半导体芯片主体200包括安装在半导体基板100顶侧的隔开层208,设置在隔开层208顶侧的第一电极201,设于第一电极201两侧的导热层202,设于导热层202内侧的第二电极203,设于第二电极203顶侧的连接部204,设于第二电极203顶部的绝缘层205,设于绝缘层205顶侧的防护层207,以及设置于防护层207顶侧的导电垫206,在半导体基板100顶侧安装隔开层208,将第一电极201安装在隔开层208顶侧,通过导热层202设置在第一电极201以及第二电极203表面,保障半导体芯片整体工作中的热量导出,通过在第二电极203顶侧安装绝缘层205,提高整体的绝缘效果,避免漏电情况,且绝缘层205以及防护层207由不导电、防水、且热传导性佳的材料所制成,能产生抗湿气、抗氧化及防短路等自我保护作用,以保护半导体芯片整体不受电弧与湿性影响,并能迅速散发热气,无须像一般的芯片必须藉由繁琐的封装制程来保护芯片稳定使用,同时通过连接部204将导电垫206与电极进行连接,导电垫206可选自金、银、铜、铝、锡、合金等材料;
进一步的,防护套300,所述防护套300套接在所述半导体芯片主体200表面,所述防护套300顶侧表面以及底侧固定橡胶块302,所述防护套300内开设有放置腔301,通过橡胶块302对防护套300进行外表面防护,提高抗摔效果;散热组件500,设置于防护套300的外侧表面。
具体的,连接部204贯穿防护层207以及绝缘层205顶侧表面,且连接部204顶端与导电垫206电学连接,连接部204底端与第一电极201以及第二电极203电学连接,导电垫206位于半导体芯片主体200最顶侧,导电垫206可选自金、银、铜、铝、锡、合金等材料。
进一步的,防护套300顶侧表面以及防护套300底侧表面均匀分布有若干个橡胶块302,橡胶块302截面呈半椭圆型结构。
其中,散热组件500包括固定安装在防护套300侧表面的散热筒501,设置于散热筒501端头表面的橡胶套503,以及固定安装在橡胶套503末端的过滤网502,散热筒501数目为若干个,若干个散热筒501位于防护套300左右相对两侧表面,散热筒501呈中通管状结构,且散热筒501一端贯穿防护套300侧表面与防护套300的放置腔301连通,散热筒501延伸出防护套300的一端表面套接橡胶套503,橡胶套503的长度大于散热筒501延伸出防护套300侧表面的一端长度,且橡胶套503内壁固定连接的过滤网502与散热筒501一端贴合。
操作过程:半导体芯片的防护,将准备的半导体芯片主体200表面包裹防护套300,防护套300起到对半导体芯片进行防碰损效果,在半导体芯片主体200放置在防护套300中,通过补偿组件400作用下,便于对半导体芯片主体200进行限位夹持,提高半导体芯片的固定放置,避免出现防护套300与半导体之间出现连接错位情况,容易导致半导体放置后出现放置晃动不稳的情况,保障防护套300与半导体芯片之间的连接稳定,且防护套300侧表面安装散热筒501,通过散热筒501将内部与外部连通,便于将内部半导体芯片工作产生的热量导出,同时配合过滤网502的设置,提高防尘效果,在散热筒501外侧设置橡胶套503,提高散热筒501的外表面防护,其中防护套300无需在实验中拆掉,直接即可进行半导体芯片实验测试操作。
实施例 2
参照图1至图2和图4至图6,该实施例不同于第一个实施例的是:补偿组件400,设置于防护套300的内壁表面;补偿组件400包括固定安装在防护套300内壁的螺纹柱404,用于滑动贯穿螺纹柱404表面的固定座402,螺纹套接在螺纹柱404表面的螺母403,固定安装在固定座402侧表面的限位套401,滑动连接在限位套401内腔的凸台407,以及凸台407侧表面固定安装的弹性件408。
具体的,防护套300左右两侧内壁固定安装有多个补偿组件400,防护套300侧表面内壁通过补偿组件400与半导体芯片主体200侧表面贴合;限位套401与防护套300内壁贴合的一端侧表面固定安装有若干个固定座402,若干个固定座402在限位套401端头侧表面环形分布,且固定座402侧表面贴合有用于将固定座402固定安装在螺纹柱404表面的螺母403。
进一步的,凸台407靠近半导体芯片主体200的一端呈圆台型结构,与其对应的凸台407另一端均匀固定安装有若干个弹性件408,凸台407通过弹性件408与防护套300内壁弹性连接,弹性件408为压缩弹簧。
操作过程:补偿组件400的安装,将凸台407安装在限位套401内腔,凸台407侧表面固定连接的限位滑块405滑动连接在限位套401侧表面的限位滑槽406内腔,通过固定座402放置在防护套300内壁表面,旋转螺母403,将固定座402进行固定在螺纹柱404表面,实现补偿组件400的固定安装,解决了一些半导体芯片的拿取实验中,半导体芯片多暴露放置在外部,容易在工作者安装拿取过程中导致半导体芯片出现摔落碰损的情况,而一些半导体芯片放置在盒内进行防护,而在测试实验中,需要进行再次取出操作,降低实验效率的问题。
实施例 3
一种光电子半导体芯片结构的制造方法,包括如下步骤:
(一)半导体芯片主体200制备,在半导体基板100顶侧安装隔开层208,将第一电极201安装在隔开层208顶侧,通过导热层202设置在第一电极201以及第二电极203表面,保障半导体芯片整体工作中的热量导出,通过在第二电极203顶侧安装绝缘层205,提高整体的绝缘效果,避免漏电情况,且绝缘层205以及防护层207由不导电、防水、且热传导性佳的材料所制成,能产生抗湿气、抗氧化及防短路等自我保护作用,以保护半导体芯片整体不受电弧与湿性影响,并能迅速散发热气,无须像一般的芯片必须藉由繁琐的封装制程来保护芯片稳定使用,同时通过连接部204将导电垫206与电极进行连接,导电垫206可选自金、银、铜、铝、锡、合金等材料;
(二)补偿组件400的安装,将凸台407安装在限位套401内腔,凸台407侧表面固定连接的限位滑块405滑动连接在限位套401侧表面的限位滑槽406内腔,通过固定座402放置在防护套300内壁表面,旋转螺母403,将固定座402进行固定在螺纹柱404表面,实现补偿组件400的固定安装;
(三)半导体芯片的防护,将准备的半导体芯片主体200表面包裹防护套300,防护套300起到对半导体芯片进行防碰损效果,在半导体芯片主体200放置在防护套300中,通过补偿组件400作用下,便于对半导体芯片主体200进行限位夹持,提高半导体芯片的固定放置,避免出现防护套300与半导体之间出现连接错位情况,容易导致半导体放置后出现放置晃动不稳的情况,保障防护套300与半导体芯片之间的连接稳定,且防护套300侧表面安装散热筒501,通过散热筒501将内部与外部连通,便于将内部半导体芯片工作产生的热量导出,同时配合过滤网502的设置,提高防尘效果,在散热筒501外侧设置橡胶套503,提高散热筒501的外表面防护。
重要的是,应注意,在多个不同示例性实施方案中示出的本申请的构造和布置仅是例示性的。尽管在此公开内容中仅详细描述了几个实施方案,但参阅此公开内容的人员应容易理解,在实质上不偏离该申请中所描述的主题的新颖教导和优点的前提下,许多改型是可能的(例如,各种元件的尺寸、尺度、结构、形状和比例、以及参数值(例如,温度、压力等)、安装布置、材料的使用、颜色、定向的变化等)。例如,示出为整体成形的元件可以由多个部分或元件构成,元件的位置可被倒置或以其它方式改变,并且分立元件的性质或数目或位置可被更改或改变。因此,所有这样的改型旨在被包含在本发明的范围内。可以根据替代的实施方案改变或重新排序任何过程或方法步骤的次序或顺序。在权利要求中,任何“装置加功能”的条款都旨在覆盖在本文中所描述的执行所述功能的结构,且不仅是结构等同而且还是等同结构。在不背离本发明的范围的前提下,可以在示例性实施方案的设计、运行状况和布置中做出其他替换、改型、改变和省略。因此,本发明不限制于特定的实施方案,而是扩展至仍落在所附的权利要求书的范围内的多种改型。
此外,为了提供示例性实施方案的简练描述,可以不描述实际实施方案的所有特征(即,与当前考虑的执行本发明的最佳模式不相关的那些特征,或于实现本发明不相关的那些特征)。
应理解的是,在任何实际实施方式的开发过程中,如在任何工程或设计项目中,可做出大量的具体实施方式决定。这样的开发努力可能是复杂的且耗时的,但对于那些得益于此公开内容的普通技术人员来说,不需要过多实验,所述开发努力将是一个设计、制造和生产的常规工作。
应说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (10)
1.一种光电子半导体芯片结构,其特征在于,包括:
半导体基板(100);
半导体芯片主体(200),所述半导体芯片主体(200)底侧固定安装有半导体基板(100),所述半导体芯片主体(200)包括安装在所述半导体基板(100)顶侧的隔开层(208),设置在所述隔开层(208)顶侧的第一电极(201),设于所述第一电极(201)两侧的导热层(202),设于所述导热层(202)内侧的第二电极(203),设于所述第二电极(203)顶侧的连接部(204),设于所述第二电极(203)顶部的绝缘层(205),设于所述绝缘层(205)顶侧的防护层(207),以及设置于所述防护层(207)顶侧的导电垫(206);
防护套(300),所述防护套(300)套接在所述半导体芯片主体(200)表面,所述防护套(300)顶侧表面以及底侧固定有橡胶块(302),所述防护套(300)内开设有放置腔(301);
补偿组件(400),设置于所述防护套(300)的内壁表面;
散热组件(500),设置于所述防护套(300)的外侧表面。
2.如权利要求1所述的光电子半导体芯片结构,其特征在于:所述连接部(204)贯穿防护层(207)以及绝缘层(205)顶侧表面,且连接部(204)顶端与导电垫(206)电学连接,所述连接部(204)底端与第一电极(201)以及第二电极(203)电学连接,所述导电垫(206)位于半导体芯片主体(200)最顶侧。
3.如权利要求1所述的光电子半导体芯片结构,其特征在于:所述防护套(300)顶侧表面以及防护套(300)底侧表面均匀分布有若干个橡胶块(302),所述橡胶块(302)截面呈半椭圆型结构。
4.如权利要求1所述的光电子半导体芯片结构,其特征在于:所述散热组件(500)包括固定安装在防护套(300)侧表面的散热筒(501),设置于所述散热筒(501)端头表面的橡胶套(503),以及固定安装在所述橡胶套(503)末端的过滤网(502)。
5.如权利要求4所述的光电子半导体芯片结构,其特征在于:所述散热筒(501)数目为若干个,若干个所述散热筒(501)位于防护套(300)左右相对两侧表面,所述散热筒(501)呈中通管状结构,且散热筒(501)一端贯穿防护套(300)侧表面与防护套(300)的放置腔(301)连通。
6.如权利要求4所述的光电子半导体芯片结构,其特征在于:所述散热筒(501)延伸出防护套(300)的一端表面套接橡胶套(503),所述橡胶套(503)的长度大于散热筒(501)延伸出防护套(300)侧表面的一端长度,且橡胶套(503)内壁固定连接的过滤网(502)与散热筒(501)一端贴合。
7.如权利要求1所述的光电子半导体芯片结构,其特征在于:所述补偿组件(400)包括固定安装在所述防护套(300)内壁的螺纹柱(404),用于滑动贯穿所述螺纹柱(404)表面的固定座(402),螺纹套接在所述螺纹柱(404)表面的螺母(403),固定安装在所述固定座(402)侧表面的限位套(401),滑动连接在所述限位套(401)内腔的凸台(407),以及凸台(407)侧表面固定安装的弹性件(408)。
8.如权利要求7所述的光电子半导体芯片结构,其特征在于:所述防护套(300)左右两侧内壁固定安装有多个补偿组件(400),所述防护套(300)侧表面内壁通过补偿组件(400)与半导体芯片主体(200)侧表面贴合;
所述限位套(401)与防护套(300)内壁贴合的一端侧表面固定安装有若干个固定座(402),若干个所述固定座(402)在限位套(401)端头侧表面环形分布,且固定座(402)侧表面贴合有用于将固定座(402)固定安装在螺纹柱(404)表面的螺母(403)。
9.如权利要求7所述的光电子半导体芯片结构,其特征在于:所述凸台(407)靠近半导体芯片主体(200)的一端呈圆台型结构,与其对应的凸台(407)另一端均匀固定安装有若干个弹性件(408),所述凸台(407)通过弹性件(408)与防护套(300)内壁弹性连接,所述弹性件(408)为压缩弹簧。
10.一种光电子半导体芯片结构的制造方法,针对权利要求1-9任意一项所述的一种光电子半导体芯片结构,其特征在于:包括如下步骤:
(一)半导体芯片主体(200)制备,在半导体基板(100)顶侧安装隔开层(208),将第一电极(201)安装在隔开层(208)顶侧,通过导热层(202)设置在第一电极(201)以及第二电极(203)表面,保障半导体芯片整体工作中的热量导出,通过在第二电极(203)顶侧安装绝缘层(205),提高整体的绝缘效果,避免漏电情况,且绝缘层(205)以及防护层(207)由不导电、防水且热传导性佳的材料所制成,能产生抗湿气、抗氧化及防短路的自我保护作用,以保护半导体芯片整体不受电弧与湿性影响,并能迅速散发热气,同时通过连接部(204)将导电垫(206)与电极进行连接;
(二)补偿组件(400)的安装,将凸台(407)安装在限位套(401)内腔,凸台(407)侧表面固定连接的限位滑块(405)滑动连接在限位套(401)侧表面的限位滑槽(406)内腔,通过固定座(402)放置在防护套(300)内壁表面,旋转螺母(403),将固定座(402)进行固定在螺纹柱(404)表面,实现补偿组件(400)的固定安装;
(三)半导体芯片的防护,将准备的半导体芯片主体(200)表面包裹防护套(300),防护套(300)起到对半导体芯片进行防碰损效果,在半导体芯片主体(200)放置在防护套(300)中,通过补偿组件(400)作用下,便于对半导体芯片主体(200)进行限位夹持,提高半导体芯片的固定放置,避免出现防护套(300)与半导体之间出现连接错位情况,容易导致半导体放置后出现放置晃动不稳的情况,保障防护套(300)与半导体芯片之间的连接稳定,且防护套(300)侧表面安装散热筒(501),通过散热筒(501)将内部与外部连通,便于将内部半导体芯片工作产生的热量导出,同时配合过滤网(502)的设置,提高防尘效果,在散热筒(501)外侧设置橡胶套(503),提高散热筒(501)的外表面防护。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117199016A CN117199016A (zh) | 2023-12-08 |
CN117199016B true CN117199016B (zh) | 2024-01-23 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN117199016B (zh) |
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