CN117198950A - 一种非金属矿物质半导体器件及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种非金属矿物质半导体器件及系统，涉及半导体领域，包括压力传感数据采集模块、间距采集模块、压力分析模块、间距分析模块和控制模块，所述压力传感数据采集模块用于采集压力传感器的传感数据，所述间距采集模块用于根据半导体工件在阵列式激光接收器表面的投影采集半导体工件与固定外环底部的间隙，所述压力分析模块用于将压力传感数据采集模块采集的传感数据代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，对吸附过程中的吸盘与半导体器件的接触数据进行采集，代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，从而判断是否吸附成功，以在生产的过程中对吸盘的吸附状态进行判断。

Description

一种非金属矿物质半导体器件及系统

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种非金属矿物质半导体器件及系统。

背景技术

在进行半导体器件生产的过程中，通常需要使用吸盘对半导体器件进行吸附转运，吸盘与半导体器件频繁地接触极易导致吸盘发生磨损，吸盘发生磨损后对半导体器件吸附的过程中极易导致半导体器件吸附不紧贴，极易导致半导体器件在吸附后发生掉落，现有的半导体器件生产设备在生产的过程中无法对吸盘的吸附状态进行判断，这样容易导致半导体器件在吸附过程中发生掉落，从而导致半导体器件受损；

例如在现有技术授权公告号为CN103617961B的中国专利中公开了一种转移半导体芯片用吸盘机构，包括把手和盖板，一底板安装于所述盖板下表面；由上塞体和下塞体组成的活动通孔塞与所述漏气通孔间隙配合安装，所述上导气筋的宽度大于所述下导气筋的宽度，所述下端面部和上端面部的直径大于所述漏气通孔的直径，所述活动通孔塞的上端面部和下端面部之间的距离大于漏气通孔的厚度，从而保证此活动通孔塞可沿漏气通孔上下行进；当活动通孔塞的下塞体封闭漏气通孔时，气流从所述吸嘴流入，当活动通孔塞的上塞体封闭漏气通孔时，气流从所述漏气通孔流入。该发明吸盘机构改善了半导体晶粒制造过程中吸附晶粒时容易将晶粒压伤的技术问题，并大大提高了吸附率，从而提高了产品良率，降低资源损耗；

同时例如在现有技术授权公告号为 CN202423243U的中国专利中公开了一种用于转移石墨舟上半导体晶粒的吸盘装置，包括把手和盖板，一底板安装于所述盖板下表面；由上塞体和下塞体组成的活动通孔塞与所述漏气通孔间隙配合安装，所述上导气筋的宽度大于所述下导气筋的宽度，所述下端面部和上端面部的直径大于所述漏气通孔的直径，所述活动通孔塞的上端面部和下端面部之间的距离大于漏气通孔的厚度，从而保证此活动通孔塞可沿漏气通孔上下行进；当活动通孔塞的下塞体封闭漏气通孔时，气流从所述吸嘴流入，当活动通孔塞的上塞体封闭漏气通孔时，气流从所述漏气通孔流入。 该吸盘装置改善了半导体晶粒制造过程中吸附晶粒时容易将晶粒压伤的技术问题，并大大提高了吸附率，从而提高了产品良率；但是以上现有技术均存在吸盘发生磨损后对半导体器件吸附的过程中极易导致半导体器件吸附不紧贴，极易导致半导体器件在吸附后发生掉落，现有的半导体器件生产设备在生产的过程中无法对吸盘的吸附状态进行判断，这样容易导致半导体器件在吸附过程中发生掉落，从而导致半导体器件受损的问题，本发明是为了解决这一问题，提出一种非金属矿物质半导体器件及系统。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种非金属矿物质半导体器件及系统，能够有效解决背景技术中的问题：吸盘发生磨损后对半导体器件吸附的过程中极易导致半导体器件吸附不紧贴，极易导致半导体器件在吸附后发生掉落，现有的半导体器件生产设备在生产的过程中无法对吸盘的吸附状态进行判断，这样容易导致半导体器件在吸附过程中发生掉落，从而导致半导体器件受损。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种非金属矿物质半导体器件，包括操作台，所述操作台的正面安装有控制器，所述操作台的表面固定安装有阵列式激光发射器、放置板和阵列式激光接收器，所述阵列式激光发射器和阵列式激光接收器分别位于放置板的两侧，所述操作台的正面固定安装有横向导轨，所述横向导轨的表面滑动连接有纵向导轨，所述纵向导轨的表面滑动连接有吸附气泵，所述吸附气泵的底部固定安装有固定外环，所述固定外环的内沿固定安装有吸附内圈，所述固定外环的底部固定安装有若干个压力传感器。

本发明进一步的改进在于，所述横向导轨的侧面固定安装有一号电机，所述一号电机的输出端传动连接有一号螺纹杆，所述一号螺纹杆位于横向导轨的内部，所述纵向导轨的上端安装有二号电机，所述二号电机的输出端传动连接有二号螺杆，所述二号螺杆位于纵向导轨的内部，所述一号螺纹杆与纵向导轨背面的螺纹套螺纹连接，所述二号螺杆与吸附气泵背面的螺纹套螺纹连接。

本发明进一步的改进在于，一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，包括压力传感数据采集模块、间距采集模块、压力分析模块、间距分析模块和控制模块，所述压力传感数据采集模块用于采集压力传感器的传感数据，所述间距采集模块用于根据半导体工件在阵列式激光接收器表面的投影采集半导体工件与固定外环底部的间隙，所述压力分析模块用于将压力传感数据采集模块采集的传感数据代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，所述间距分析模块用于将半导体工件与固定外环底部的间隙代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，所述控制模块用于将整体压力偏差值和整体间距偏差值的计算结果代入整体威胁值计算策略中计算整体威胁值，并将整体威胁值与威胁阈值进行对比以判断是否需要重新吸附。

本发明进一步的改进在于，所述控制模块包括吸附气泵控制单元、电机控制单元和阵列式激光发射器控制单元，所述吸附气泵控制单元用于控制吸附气泵的运行，所述电机控制单元用于控制一号电机和二号电机的运行，所述阵列式激光发射器控制单元用于控制阵列式激光发射器的运行。

本发明进一步的改进在于，所述压力分析策略的具体步骤如下：

S11、设定吸附力安全范围和偏差值安全范围，将待传输的半导体器件放置在放置板的表面，控制器控制一号电机和二号电机运行，将吸附气泵和固定外环移动至与半导体器件对应的位置，吸附气泵工作，对半导体器件进行吸附，采集压力传感数据采集模块采集的传感数据，其中n为压力传感器的个数，/>为第i个压力传感器的采集值，采集吸附工件的质量m，计算固定外环对半导体器件的整体吸附力/>大小，计算公式为：/>，其中g为重力加速度；

S12、以压力传感器的个数为划分单位值，将半导体器件表面平均划分为n块，计算n块半导体器件表面吸附力的平均值，计算半导体器件表面吸附力的偏差值，偏差值计算公式为：/> ；

S13、判断整体吸附力是否在吸附力安全范围内，判断偏差值是否在偏差值安全范围内，若至少一个判断量不在安全范围内，则判定为吸附失败需要重新吸附，若两个判断量均在安全范围内，则计算整体压力偏差值：，其中/>为吸附力的占比系数，/>为偏差值的占比系数，/>为吸附力安全范围的最大值，/>为吸附力安全范围的最小值，/>为偏差值安全范围的最大值，/>为偏差值安全范围的最小值。

本发明进一步的改进在于，所述间距分析策略包括以下具体步骤：

S14、设定角度安全范围，阵列式激光发射器的光束照射在半导体器件的表面，在阵列式激光接收器的表面形成投影，对投影图像进行提取，以图像的左下角点为原点做直角坐标系，取图像的最高点坐标设为，同时取图像的最低点坐标/>，计算半导体器件在吸附状态下的最高点与最低点所成的角度/>；

S15、提取计算的半导体器件在吸附状态下的最高点与最低点所成的角度，判断其是否在角度安全范围内，若判断结果为是，则计算整体间距偏差值，若判断结果为否，则判断为吸附失败需要重新吸附；

S16、计算整体间距偏差值，整体间距偏差值的计算公式为：，其中，/>为角度安全范围的最大值，/>为角度安全范围的最小值。

本发明进一步的改进在于，所述整体威胁值计算策略包括以下具体步骤：

S17、将整体压力偏差值和整体间距偏差值采集导入整体威胁值计算公式中计算整体威胁值，整体威胁值的计算公式为：，其中，/>为整体压力偏差值的占比系数，/>为整体间距偏差值的占比系数；

S18、将整体威胁值与威胁阈值进行对比，若整体威胁值大于等于威胁阈值，则判断为吸附失败需要重新吸附，若整体威胁值小于威胁阈值，则判断为吸附成功，若重复吸附三次后，还是判断为吸附失败，则判断为吸盘损伤提示更换吸盘。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：对吸附过程中的吸盘与半导体器件的接触数据进行采集，代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，从而判断是否吸附成功，以在生产的过程中对吸盘的吸附状态进行判断，避免导致半导体器件在吸附过程中发生掉落。

附图说明

图1为本发明一种非金属矿物质半导体器件的结构示意图；

图2为本发明一种非金属矿物质半导体器件的吸附组件的结构示意图；

图3为本发明一种非金属矿物质半导体器件的监测系统的构架示意图。

图中：1、操作台；2、控制器；3、阵列式激光发射器；4、阵列式激光接收器；5、放置板；6、横向导轨；7、一号电机；8、一号螺纹杆；9、纵向导轨；10、二号电机；11、二号螺杆；12、吸附气泵；13、固定外环；14、压力传感器；15、吸附内圈。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“一号”、“二号”、“三号”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

实施例1

本实施例对吸附过程中的吸盘与半导体器件的接触数据进行采集，代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，从而判断是否吸附成功，以在生产的过程中对吸盘的吸附状态进行判断，避免导致半导体器件在吸附过程中发生掉落，具体方案为，如图1-图2所示，一种非金属矿物质半导体器件，包括操作台1，操作台1的正面安装有控制器2，操作台1的表面固定安装有阵列式激光发射器3、放置板5和阵列式激光接收器4，阵列式激光发射器3和阵列式激光接收器4分别位于放置板5的两侧，操作台1的正面固定安装有横向导轨6，横向导轨6的表面滑动连接有纵向导轨9，纵向导轨9的表面滑动连接有吸附气泵12，吸附气泵12的底部固定安装有固定外环13，固定外环13的内沿固定安装有吸附内圈15，固定外环13的底部固定安装有若干个压力传感器14；横向导轨6的侧面固定安装有一号电机7，一号电机7的输出端传动连接有一号螺纹杆8，一号螺纹杆8位于横向导轨6的内部，纵向导轨9的上端安装有二号电机10，二号电机10的输出端传动连接有二号螺杆11，二号螺杆11位于纵向导轨9的内部，一号螺纹杆8与纵向导轨9背面的螺纹套螺纹连接，二号螺杆11与吸附气泵12背面的螺纹套螺纹连接。

实施例2

本实施例对吸附过程中的吸盘与半导体器件的接触数据进行采集，代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，从而判断是否吸附成功，以在生产的过程中对吸盘的吸附状态进行判断，避免导致半导体器件在吸附过程中发生掉落，如图1-图3所示，一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，包括压力传感数据采集模块、间距采集模块、压力分析模块、间距分析模块和控制模块，压力传感数据采集模块用于采集压力传感器14的传感数据，间距采集模块用于根据阵列式激光接收器4的采集对半导体工件与固定外环13底部的间隙，压力分析模块用于将压力传感数据采集模块采集的传感数据代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，间距分析模块用于将半导体工件与固定外环13底部的间隙代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，控制模块用于将整体压力偏差值和整体间距偏差值的计算结果代入整体威胁值计算策略中计算整体威胁值，并将整体威胁值与威胁阈值进行对比以判断是否需要重新吸附；控制模块包括吸附气泵控制单元、电机控制单元和阵列式激光发射器控制单元，吸附气泵控制单元用于控制吸附气泵12的运行，电机控制单元用于控制一号电机7和二号电机10的运行，阵列式激光发射器控制单元用于控制阵列式激光发射器3的运行；压力分析策略的具体步骤如下：

S11、设定吸附力安全范围和偏差值安全范围，将待传输的半导体器件放置在放置板5的表面，控制器2控制一号电机7和二号电机10运行，将吸附气泵12和固定外环13移动至与半导体器件对应的位置，吸附气泵12工作，对半导体器件进行吸附，采集压力传感数据采集模块采集的传感数据，其中n为压力传感器14的个数，/>为第i个压力传感器14的采集值，采集吸附工件的质量m，计算固定外环13对半导体器件的整体吸附力大小，计算公式为：/>，其中g为重力加速度；

S12、以压力传感器14的个数为划分单位值，将半导体器件表面平均划分为n块，计算n块半导体器件表面吸附力的平均值，计算半导体器件表面吸附力的偏差值，偏差值计算公式为：/> ；

S13、判断整体吸附力是否在吸附力安全范围内，判断偏差值是否在偏差值安全范围内，若至少一个判断量不在安全范围内，则判定为吸附失败需要重新吸附，若两个判断量均在安全范围内，则计算整体压力偏差值：，其中/>为吸附力的占比系数，/>为偏差值的占比系数，/>为吸附力安全范围的最大值，/>为吸附力安全范围的最小值，/>为偏差值安全范围的最大值，/>为偏差值安全范围的最小值。

实施例3

本实施例在实施例2的基础上添加间距分析策略，对吸附过程中的吸盘与半导体器件的接触数据进行采集，代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，从而判断是否吸附成功，以在生产的过程中对吸盘的吸附状态进行判断，避免导致半导体器件在吸附过程中发生掉落，如图1-图3所示，一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，包括压力传感数据采集模块、间距采集模块、压力分析模块、间距分析模块和控制模块，压力传感数据采集模块用于采集压力传感器14的传感数据，间距采集模块用于根据阵列式激光接收器4的采集对半导体工件与固定外环13底部的间隙，压力分析模块用于将压力传感数据采集模块采集的传感数据代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，间距分析模块用于将半导体工件与固定外环13底部的间隙代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，控制模块用于将整体压力偏差值和整体间距偏差值的计算结果代入整体威胁值计算策略中计算整体威胁值，并将整体威胁值与威胁阈值进行对比以判断是否需要重新吸附；控制模块包括吸附气泵控制单元、电机控制单元和阵列式激光发射器控制单元，吸附气泵控制单元用于控制吸附气泵12的运行，电机控制单元用于控制一号电机7和二号电机10的运行，阵列式激光发射器控制单元用于控制阵列式激光发射器3的运行；压力分析策略的具体步骤如下：

S11、设定吸附力安全范围和偏差值安全范围，将待传输的半导体器件放置在放置板5的表面，控制器2控制一号电机7和二号电机10运行，将吸附气泵12和固定外环13移动至与半导体器件对应的位置，吸附气泵12工作，对半导体器件进行吸附，采集压力传感数据采集模块采集的传感数据，其中n为压力传感器14的个数，/>为第i个压力传感器14的采集值，采集吸附工件的质量m，计算固定外环13对半导体器件的整体吸附力大小，计算公式为：/>，其中g为重力加速度；

S12、以压力传感器14的个数为划分单位值，将半导体器件表面平均划分为n块，计算n块半导体器件表面吸附力的平均值，计算半导体器件表面吸附力的偏差值，偏差值计算公式为：/> ；

S13、判断整体吸附力是否在吸附力安全范围内，判断偏差值是否在偏差值安全范围内，若至少一个判断量不在安全范围内，则判定为吸附失败需要重新吸附，若两个判断量均在安全范围内，则计算整体压力偏差值：，其中/>为吸附力的占比系数，/>为偏差值的占比系数，/>为吸附力安全范围的最大值，/>为吸附力安全范围的最小值，/>为偏差值安全范围的最大值，/>为偏差值安全范围的最小值；间距分析策略包括以下具体步骤：

S14、设定角度安全范围，阵列式激光发射器3的光束照射在半导体器件的表面，在阵列式激光接收器4的表面形成投影，对投影图像进行提取，以图像的左下角点为原点做直角坐标系，取图像的最高点坐标设为，同时取图像的最低点坐标/>，计算半导体器件在吸附状态下的最高点与最低点所成的角度/>；

S15、提取计算的半导体器件在吸附状态下的最高点与最低点所成的角度，判断其是否在角度安全范围内，若判断结果为是，则计算整体间距偏差值，若判断结果为否，则判断为吸附失败需要重新吸附；

S16、计算整体间距偏差值，整体间距偏差值的计算公式为：，其中，/>为角度安全范围的最大值，/>为角度安全范围的最小值。

实施例4

本实施例在实施例3的基础上添加整体威胁值计算策略，如图1-图3所示，一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，包括压力传感数据采集模块、间距采集模块、压力分析模块、间距分析模块和控制模块，压力传感数据采集模块用于采集压力传感器14的传感数据，间距采集模块用于根据阵列式激光接收器4的采集对半导体工件与固定外环13底部的间隙，压力分析模块用于将压力传感数据采集模块采集的传感数据代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，间距分析模块用于将半导体工件与固定外环13底部的间隙代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，控制模块用于将整体压力偏差值和整体间距偏差值的计算结果代入整体威胁值计算策略中计算整体威胁值，并将整体威胁值与威胁阈值进行对比以判断是否需要重新吸附；控制模块包括吸附气泵控制单元、电机控制单元和阵列式激光发射器控制单元，吸附气泵控制单元用于控制吸附气泵12的运行，电机控制单元用于控制一号电机7和二号电机10的运行，阵列式激光发射器控制单元用于控制阵列式激光发射器3的运行；压力分析策略的具体步骤如下：

S11、设定吸附力安全范围和偏差值安全范围，将待传输的半导体器件放置在放置板5的表面，控制器2控制一号电机7和二号电机10运行，将吸附气泵12和固定外环13移动至与半导体器件对应的位置，吸附气泵12工作，对半导体器件进行吸附，采集压力传感数据采集模块采集的传感数据，其中n为压力传感器14的个数，/>为第i个压力传感器14的采集值，采集吸附工件的质量m，计算固定外环13对半导体器件的整体吸附力/>大小，计算公式为：/>，其中g为重力加速度；

S12、以压力传感器14的个数为划分单位值，将半导体器件表面平均划分为n块，计算n块半导体器件表面吸附力的平均值，计算半导体器件表面吸附力的偏差值，偏差值计算公式为：/>；

S13、判断整体吸附力是否在吸附力安全范围内，判断偏差值是否在偏差值安全范围内，若至少一个判断量不在安全范围内，则判定为吸附失败需要重新吸附，若两个判断量均在安全范围内，则计算整体压力偏差值：，其中/>为吸附力的占比系数，/>为偏差值的占比系数，/>为吸附力安全范围的最大值，为吸附力安全范围的最小值，/>为偏差值安全范围的最大值，/>为偏差值安全范围的最小值；间距分析策略包括以下具体步骤：

S14、设定角度安全范围，阵列式激光发射器3的光束照射在半导体器件的表面，在阵列式激光接收器4的表面形成投影，对投影图像进行提取，以图像的左下角点为原点做直角坐标系，取图像的最高点坐标设为，同时取图像的最低点坐标/>，计算半导体器件在吸附状态下的最高点与最低点所成的角度/>；

S15、提取计算的半导体器件在吸附状态下的最高点与最低点所成的角度，判断其是否在角度安全范围内，若判断结果为是，则计算整体间距偏差值，若判断结果为否，则判断为吸附失败需要重新吸附；

S16、计算整体间距偏差值，整体间距偏差值的计算公式为：，其中，/>为角度安全范围的最大值，/>为角度安全范围的最小值；整体威胁值计算策略包括以下具体步骤：

S17、将整体压力偏差值和整体间距偏差值采集导入整体威胁值计算公式中计算整体威胁值，整体威胁值的计算公式为：，其中，/>为整体压力偏差值的占比系数，/>为整体间距偏差值的占比系数；

S18、将整体威胁值与威胁阈值进行对比，若整体威胁值大于等于威胁阈值，则判断为吸附失败需要重新吸附，若整体威胁值小于威胁阈值，则判断为吸附成功，若重复吸附三次后，还是判断为吸附失败，则判断为吸盘损伤提示更换吸盘。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种非金属矿物质半导体器件，其特征在于：包括操作台，所述操作台的正面安装有控制器，所述操作台的表面固定安装有阵列式激光发射器、放置板和阵列式激光接收器，所述阵列式激光发射器和阵列式激光接收器分别位于放置板的两侧，所述操作台的正面固定安装有横向导轨，所述横向导轨的表面滑动连接有纵向导轨，所述纵向导轨的表面滑动连接有吸附气泵，所述吸附气泵的底部固定安装有固定外环，所述固定外环的内沿固定安装有吸附内圈，所述固定外环的底部固定安装有若干个压力传感器。

2.根据权利要求1所述的一种非金属矿物质半导体器件，其特征在于：所述横向导轨的侧面固定安装有一号电机，所述一号电机的输出端传动连接有一号螺纹杆，所述一号螺纹杆位于横向导轨的内部，所述纵向导轨的上端安装有二号电机，所述二号电机的输出端传动连接有二号螺杆，所述二号螺杆位于纵向导轨的内部，所述一号螺纹杆与纵向导轨背面的螺纹套螺纹连接，所述二号螺杆与吸附气泵背面的螺纹套螺纹连接。

3.一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，根据权利要求1或2所述的非金属矿物质半导体器件实现，其特征在于：包括压力传感数据采集模块、间距采集模块、压力分析模块、间距分析模块和控制模块，所述压力传感数据采集模块用于采集压力传感器的传感数据，所述间距采集模块用于根据半导体工件在阵列式激光接收器表面的投影采集半导体工件与固定外环底部的间隙，所述压力分析模块用于将压力传感数据采集模块采集的传感数据代入压力分析策略中计算整体压力偏差值，所述间距分析模块用于将半导体工件与固定外环底部的间隙代入间距分析策略中计算整体间距偏差值，所述控制模块用于将整体压力偏差值和整体间距偏差值的计算结果代入整体威胁值计算策略中计算整体威胁值，并将整体威胁值与威胁阈值进行对比以判断是否需要重新吸附。

4.根据权利要求3所述的一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，其特征在于：所述控制模块包括吸附气泵控制单元、电机控制单元和阵列式激光发射器控制单元，所述吸附气泵控制单元用于控制吸附气泵的运行，所述电机控制单元用于控制一号电机和二号电机的运行，所述阵列式激光发射器控制单元用于控制阵列式激光发射器的运行。

5.根据权利要求4所述的一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，其特征在于：所述压力分析策略的具体步骤如下：

S11、设定吸附力安全范围和偏差值安全范围，将待传输的半导体器件放置在放置板的表面，控制器控制一号电机和二号电机运行，将吸附气泵和固定外环移动至与半导体器件对应的位置，吸附气泵工作，对半导体器件进行吸附，采集压力传感数据采集模块采集的传感数据，其中n为压力传感器的个数，/>为第i个压力传感器的采集值，采集吸附工件的质量m，计算固定外环对半导体器件的整体吸附力/>大小，计算公式为：，其中g为重力加速度；

S12、以压力传感器的个数为划分单位值，将半导体器件表面平均划分为n块，计算n块半导体器件表面吸附力的平均值，计算半导体器件表面吸附力的偏差值，偏差值计算公式为：/> ；

S13、判断整体吸附力是否在吸附力安全范围内，判断偏差值是否在偏差值安全范围内，若至少一个判断量不在安全范围内，则判定为吸附失败需要重新吸附，若两个判断量均在安全范围内，则计算整体压力偏差值：，其中/>为吸附力的占比系数，/>为偏差值的占比系数，/>为吸附力安全范围的最大值，/>为吸附力安全范围的最小值，/>为偏差值安全范围的最大值，/>为偏差值安全范围的最小值。

6.根据权利要求5所述的一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，其特征在于：所述间距分析策略包括以下具体步骤：

S14、设定角度安全范围，阵列式激光发射器的光束照射在半导体器件的表面，在阵列式激光接收器的表面形成投影，对投影图像进行提取，以图像的左下角点为原点做直角坐标系，取图像的最高点坐标设为，同时取图像的最低点坐标/>，计算半导体器件在吸附状态下的最高点与最低点所成的角度/>；

S15、提取计算的半导体器件在吸附状态下的最高点与最低点所成的角度，判断其是否在角度安全范围内，若判断结果为是，则计算整体间距偏差值，若判断结果为否，则判断为吸附失败需要重新吸附；

S16、计算整体间距偏差值，整体间距偏差值的计算公式为：，其中，为角度安全范围的最大值，/>为角度安全范围的最小值。

7.根据权利要求6所述的一种非金属矿物质半导体器件的监测系统，其特征在于：所述整体威胁值计算策略包括以下具体步骤：

S17、将整体压力偏差值和整体间距偏差值采集导入整体威胁值计算公式中计算整体威胁值，整体威胁值的计算公式为：，其中，/>为整体压力偏差值的占比系数，/>为整体间距偏差值的占比系数；

S18、将整体威胁值与威胁阈值进行对比，若整体威胁值大于等于威胁阈值，则判断为吸附失败需要重新吸附，若整体威胁值小于威胁阈值，则判断为吸附成功，若重复吸附三次后，还是判断为吸附失败，则判断为吸盘损伤提示更换吸盘。