CN117177444A - 一种高密度电路板深微导通孔制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种高密度电路板深微导通孔制作方法，取单面覆铜板，按照深微导通孔的分布图形，将其加工形成铜层图形，取绝缘介质层与单面覆铜板并压合，在电路板的辅助区域制作包括主对位孔及辅助对位孔的对位靶标组合，主对位孔的孔直径大于辅助对位孔的孔直径，从对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，按照深微导通孔的分布图形，从上表面及下表面分别进行激光打孔加工，进行微蚀刻、填孔电镀、表面电镀，形成深微导通孔；通过从上下两面分别进行激光打孔，有效改善了激光打孔的孔形异形、孔壁粗糙度异常的问题，通过新型对位靶标组合对位，有效改善对位不准、对偏位的问题；整体加工过程清晰简单，实现了流程化加工。

Description

一种高密度电路板深微导通孔制作方法

技术领域

本发明涉及高密度电路板设计及加工领域，尤其涉及一种高密度电路板深微导通孔制作方法。

背景技术

对于诸如高密度互连（HDI）电路板、IC载板等高密度电路板，一般设计有微孔，以提高其孔分布密度，增加电路板的单位密度。

微孔包括盲孔、埋孔、微通孔，一般使用激光打孔的方式加工，即，使用瞬时激光将需要制作微孔的位置的绝缘介质层烧掉，再使用电镀的方式将孔金属化，使之具备导通性，对于厚度较小、微孔孔径较小的电路板，激光打孔一般控制≤3次脉冲完成打孔，可以得到较为理想的孔形。

但对于板厚较厚的高密度电路板，在制作微孔时，由于绝缘介质层较厚，一方面，激光打孔一般采用增加激光脉冲次数到3次以上的方式，形成多次脉冲打孔，但直接增加激光次数，会产生后打孔的脉冲对前打孔已经被烧掉的区域的侧壁形成一定的二次脉冲冲击（包括热量散射冲击及受热不能理想的均匀化及激光漫反射冲击等），则会产生微孔上部分变形扩大，下部分狭小，整体孔形异形，且孔壁粗糙度异常的问题，导致后续电镀加工难度较大，容易产生镀不上铜、电镀空洞等问题；另一方面，激光打孔的对位一般使用通过钻孔形成的板边的通孔进行对位，对于板厚较厚的电路板采用多次脉冲打孔的方式加工，由于激光热量散热及激光漫反射的影响，其对位会受到一定的影响，容易产生打孔偏位等问题，另外，若微孔分布较为密集，激光对局部区域产生的单一面烧蚀较为频繁，则会影响到绝缘层材料的涨缩，使打孔的位置与对位的位置产生相对偏位问题，致使激光打孔偏位，容易导致后续电镀短路、焊接元器件不良等问题。

因此，需要提供一种更优的板厚较厚的高密度电路板的微孔加工的高密度电路板深微导通孔制作方法。

发明内容

本发明旨在解决现有技术针对高密度电路板深微导通孔的制作，存在孔形异形、孔壁粗糙度异常、对位不准、对偏位的问题，提供一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于：

所述制作方法包括以下步骤：

S10：取绝缘介质层和单面覆铜板，按照所述深微导通孔的分布图形，将所述单面覆铜板的铜层加工形成与所述深微导通孔对应分布的铜层图形，所述铜层图形的单边尺寸大于所述深微导通孔的孔直径；

将所述绝缘介质层和加工后的所述单面覆铜板叠排，并压合，形成层压板；

所述铜层图形被压入所述层压板的内层，所述铜层图形的几何中心对应所述深微导通孔的孔中心；

S20：所述层压板包括图形区域和辅助区域，在所述辅助区域的顶角位置制作对位靶标组合，形成对位图形板；

所述对位靶标组合包括相离的主对位孔及辅助对位孔，所述主对位孔的孔直径大于所述辅助对位孔的孔直径；

S30：采用所述对位靶标组合分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，按照所述深微导通孔的分布图形，从所述上表面及所述下表面分别进行激光打孔加工，形成打孔线路板；

S40：对所述打孔线路板进行微蚀刻加工，再进行填孔电镀加工，随后进行表面电镀加工及后工序加工，形成所述深微导通孔。

可选地，所述绝缘介质层和所述单面覆铜板的绝缘层的材质相同，且厚度相同。

可选地，所述主对位孔的孔直径大于所述辅助对位孔的孔直径100μm至2.0mm。

可选地，所述对位靶标组合包括相离的一个所述主对位孔及一个所述辅助对位孔。

可选地，采用所述对位靶标组合分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，为从所述上表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔进行一级对位，再采用所述辅对位孔进行二级对位；随后从所述下表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔进行一级对位，再采用所述辅对位孔进行二级对位。

可选地，所述对位靶标组合包括相离的一个所述主对位孔及两个所述辅助对位孔。

可选地，两个所述辅助对位孔分为第一辅助对位孔和第二辅助对位孔，且均为阶梯型孔；所述阶梯型孔为由一端孔口至另一端孔口呈一半孔直径大而另一半孔直径小的孔；所述第一辅助对位孔的孔直径大的一端的孔口朝向所述对位图形板的上表面；所述第二辅助对位孔的孔直径大的一端的孔口朝向所述对位图形板的下表面。

可选地，采用所述对位靶标组合分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，为从所述上表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔进行一级对位，再采用所述第一辅助对位孔进行二级对位；从所述下表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔进行一级对位，再采用所述第二辅助对位孔进行二级对位。

可选地，所述从所述上表面进行激光打孔加工，或所述从所述下表面进行激光打孔加工，采用的打孔激光脉冲宽度均为6微秒至20微秒，能量均为9mj至27mj，打孔次数均为1至5次。

本发明通过将现有技术的较厚的绝缘介质层拆分为由绝缘介质层和单面覆铜板组成的上下两层，且在内层设置铜层图形，形成从上下两面进行激光打孔加工的基础条件，再将现有技术的从一面进行激光打孔的加工方式，更改为从上下两面分别进行激光打孔的方式，能够有效改善激光打孔的孔形异形、孔壁粗糙度异常的问题，同时设计并加工形成新型对位靶标组合，进行平面方向与垂直深度方向的匹配式高精度对位，为激光打孔加工提供良好的对位基础，有效改善对位不准、对偏位的问题；整体加工过程清晰简单，实现了流程化加工，为深微孔的激光打孔加工方面提供了高精度、高可靠性加工方案。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为现有技术激光打孔的理想状态的深微孔结构形态；

图2为现有技术激光打孔的实际加工的深微孔结构形态示意图；

图3为本发明实施方式的高密度电路板深微导通孔制作方法流程图；

图4为本发明实施方式的绝缘介质层与单面覆铜板叠排的截面结构示意图；

图5为本发明实施方式的制作形成层压板的截面结构示意图；

图6为本发明实施方式的主对位孔及辅助对位孔设计分布平面结构示意图；

图7为图6中H区域放大图；

图8为图7中A-A剖切线的剖面结构示意图；

图9为图7中B-B剖切线的剖面结构示意图；

图10为本发明实施方式的加工形成打孔线路板的截面示意图；

图11为本发明实施方式的对打孔线路板进行微蚀刻加工后的截面结构示意图；

图12为本发明实施方式的加工形成深微导通孔的截面结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				110X	现有技术绝缘介质层	200	对位靶标组合
1200X	现有技术铜层	210	主对位孔
				400XS	理想状态的深微孔	220	辅助对位孔
4110X	深微孔中心参考线	220A	第一辅助对位孔
				400XJ	实际状态的深微孔	2210A	第一辅助对位孔直径大的一端
110	绝缘介质层	2220A	第一辅助对位孔直径小的一端
				120	单面覆铜板	220B	第二辅助对位孔
1200	铜层图形	2210B	第二辅助对位孔直径大的一端
				10	层压板	2220B	第二辅助对位孔直径小的一端
130	图形区域	410	正面盲孔
				140	辅助区域	420	反面盲孔
20	对位图形板	1200Y	余留铜层图形
				30	打孔线路板	400	深微导通孔

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

请参阅图1和图2，图1为现有技术激光打孔的理想状态的深微孔结构形态；图2为现有技术激光打孔的实际加工的深微孔结构形态示意图。

现有技术的深微孔加工设计，一般为在由现有技术绝缘介质层110X与现有技术铜层1200X组成的待加工线路板上，激光打孔加工时，调整激光能量，使其能够烧蚀掉现有技术绝缘介质层110X而烧蚀不掉现有技术铜层1200X，形成待电镀加工的微孔结构，采用激光打孔的方式，设计形成理想状态的深微孔400XS结构形态，并且设计加工时，经过对位的深微孔中心参考线4110X经过理想状态的深微孔400XS结构形态的孔中心，也即，设计的形态结构为完全对准位且激光加工形成的标准形态结构。

现有技术的深微孔实际加工，由于现有技术绝缘介质层110X较厚，一般需要采用多次脉冲的激光打孔，但由于热量扩散及受热不均匀及光的漫反射冲击等原因影响，造成激光打孔形成的现有技术实际状态的深微孔400XJ结构形态呈现不规则形态，且孔中心偏离深微孔中心参考线4110X，也即，实际状态的深微孔400XJ产生偏位现象。

请参阅图3，图3为本发明实施方式的高密度电路板深微导通孔制作方法流程图。

对于现有技术的问题，本实施方式提供一种高密度电路板深微导通孔制作方法，制作流程根据图3的步骤完成，以下将根据制作流程逐步进行说明：

请参阅图4和图5，图4为本发明实施方式的绝缘介质层与单面覆铜板叠排的截面结构示意图；图5为本发明实施方式的制作形成层压板的截面结构示意图。

步骤S10：

取绝缘介质层110和单面覆铜板120，按照所述深微导通孔的分布图形，将所述单面覆铜板120的铜层加工形成与所述深微导通孔对应分布的铜层图形1200；将所述绝缘介质层110和加工后的所述单面覆铜板120叠排，并压合，形成层压板10；所述铜层图形1200被压入所述层压板10的内层，所述铜层图形1200的几何中心对应所述深微导通孔的孔中心。

由于现有技术绝缘介质层110X厚度较厚，激光直接打孔加工形态不理想，但在仍然需要保证深微孔的孔尺寸和整体电路板性能的情况下，不能改变现有技术绝缘介质层110X厚度，因而，采用将现有技术绝缘介质层110X分为上下两部分的方式，并将铜层移层压板10内层，形成能够从上下两面分别打孔的层压板10结构，在加工上实现将较厚的现有技术绝缘介质层110X直接激光打孔，变更为由两面分别打孔的更容易加工的结构，在打孔加工时，由于分上下两面分别打孔，单面打孔加工深度变小，打孔时产生的热量扩散及受热不均匀及光的漫反射冲击更小，打孔品质得到提升。

而将单面覆铜板120的铜层移入层压板10内层的做法，不能简单的将整体铜面移入板内，否则在电镀完成深微孔之后会导致铜层面整体导通，形成短路失效问题，因而，需要对铜层制作图形，形成与深微导通孔对应分布的铜层图形1200，使铜层图形1200仅作为深微孔加工时阻碍激光进一步穿透的介质层，在起到有效的辅助加工作用的同时，不会产生后续内部短路的问题。

以上将绝缘介质层分为上下两部分，并制作铜层图形1200的过程，为后续激光打孔加工提供了基本的加工条件。

在一个实施方式中，所述绝缘介质层和所述单面覆铜板的绝缘层的材质相同，且厚度相同；材质相同是由于原本现有技术绝缘介质层110X为一层，而拆分为上下两部分之后不能改变原本材料材质，材质相同且厚度相同能够使激光打孔加工在加工时更加高效，在对上下两面激光打孔加工时，激光参数可不同二次调整，使深微孔呈现上下的对称结构，在电镀及后工序加工时更加便捷，可靠性更高。

铜层图形1200的厚度可选地为5μm至25μm，优选10μm，防止铜层过薄被激光打穿影响深微孔加工，同时防止铜层过厚在后续微蚀刻加工时难以蚀刻掉，影响孔壁品质的问题。

在一个实施方式中，铜层图形1200的单边尺寸大于所述深微导通孔的孔直径的5μm至25μm，优选地为15μm；铜层图形1200适当大于深微孔直径，给予激光打孔一定的打孔余量，避免铜层图形1200覆盖不全产生激光对未覆盖区域的过度烧蚀问题，并且，后续微蚀刻加工之后，深微孔区域的铜层图形1200被蚀刻掉，留下深入绝缘介质层的余留铜层图形1200Y，在电镀加工时，能够以铜基为金属基底，为电镀起到牵引作用，是深微孔的深孔电镀加工的孔内壁铜附着效率更高、效果更好，能够有效防止深微孔电镀产生孔内空洞、无铜、铜瘤等问题。

请参阅图6，图6为本发明实施方式的主对位孔及辅助对位孔设计分布平面结构示意图。

步骤S20：

所述层压板100包括图形区域130和辅助区域140，在所述辅助区域130的顶角位置制作对位靶标组合200，形成对位图形板20；所述对位靶标组合200包括相离的主对位孔210及辅助对位孔220；所述主对位孔210的孔直径大于所述辅助对位孔220的孔直径的0.4mm至3.8mm。

在本实施方式中，由于采用从上下表面分别进行激光打孔的加工方式，因而不仅需要使单面打孔时对位准确，且能够使上下两面打孔时对位相互匹配准确，因此采用主对位孔210及辅助对位孔220的“母子”对位孔的形式，形成主对位+辅对位的组合对位模式，并形成双面能够采用同一组孔对位的方式，提高同一面打孔加工及双面打孔加工的对位精度。

一般情况下，对位靶标组合200设计在辅助区域130的顶角位置，不影响图形区域130的加工，当加工精度要求较高时，也可增加对位靶标组合200设计在板中心区域的辅助区域130，能够进一步提高板中心与板边角的协同对位精度；对位时，一般采用光学对位镜头捕捉多组对位靶标组合200协同对位，例如，对位靶标组合200为四组时，可采用其中三组或四组协同对位的方式进行整板对位，若对位靶标组合200为五组时（板中心区域多设计一组），可采用中心对位靶标组合200协同顶角位置的任意两组对位靶标组合200进行协同对位，形成整板对位。

主对位孔210的直径为1.4mm至4.0mm，辅助对位孔220的孔直径为0.2mm至1.0mm，辅助对位孔220的直径相比主对位孔210的孔直径更小，且小出较多，形成主对位孔210粗略对位，辅助对位孔220精准补偿对位，或主对位孔210与辅对位孔在光学对位镜头的捕捉下共同补偿对位的形式，能够提高对位效率和对位精度。

步骤S30：

采用所述对位靶标组合200分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，按照所述深微导通孔的分布图形，从所述上表面及所述下表面分别进行激光打孔加工，形成打孔线路板30；

在一个实施方式中，所述对位靶标组合200包括相离的一个所述主对位孔210及一个所述辅助对位孔220；采用所述对位靶标组合200分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，为从所述上表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔210进行一级对位，再采用所述辅对位孔220进行二级对位；随后从所述下表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔210进行一级对位，再采用所述辅对位孔220进行二级对位。

在该实施方式中，主对位孔210与辅助对位孔220均为普通通孔，上表面与下表面激光打孔加工对位时，均采用上述的形成主对位孔210粗略对位，辅助对位孔220精准补偿对位，或主对位孔210与辅对位孔在光学对位镜头的捕捉下共同补偿对位的形式，形成较高精度的对位。

请再次参阅图6，并请参阅图7和图8和图9，图7为图6中H区域放大图。

在一个实施方式中，所述对位靶标组合200包括相离的一个所述主对位孔210及两个所述辅助对位孔220。

两个所述辅助对位孔分为第一辅助对位孔220A和第二辅助对位孔220B，且均为阶梯型孔；所述阶梯型孔为由一端孔口至另一端孔口呈一半孔直径大而另一半孔直径小的孔；所述第一辅助对位孔220A的孔直径大的一端的孔口朝向所述对位图形板的上表面；所述第二辅助对位孔220B的孔直径大的一端的孔口朝向所述对位图形板的下表面。

请参阅参阅图8和图9，图8为图7中A-A剖切线的剖面结构示意图；图9为图7中B-B剖切线的剖面结构示意图。

第一辅助对位孔220A的阶梯型孔的结构如图8所示，其由第一辅助对位孔直径大的一端2210A与第一辅助对位孔直径小的一端2220A组成；第二辅助对位孔220B的的阶梯型孔的结构如图9所示，其由第二辅助对位孔直径大的一端2210B与第二辅助对位孔直径小的一端2220B组成。

阶梯型孔可采用从上下两面使用不同直径的钻刀进行控深钻孔加工，一般情况下，先从一面钻孔直径大的孔，钻孔深度为层压板10厚度的一半，再从另一面钻孔直径小的孔，钻孔深度为与孔直径大的孔贯通为止。

设计两个辅助对位孔220，且均为阶梯型孔，能够在对位时利用阶梯型孔的互补对位，减小电路板因为前工序加工流程对板材涨缩及孔图形的影响，以及激光打孔加工设备对位误差造成的叠加影响，使对位更加精确（在以下内容中详细说明）。

主对位孔210的直径为1.4mm至4.0mm，辅助对位孔220的阶梯形孔的孔直径较大的一端的孔直径一般为0.5mm至1.0mm，孔直径较小的一端的孔直径一般为0.2mm至0.6mm。

采用所述对位靶标组合200分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，为从所述上表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔210进行一级对位，再采用所述第一辅助对位孔220A进行二级对位；从所述下表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔210进行一级对位，再采用所述第二辅助对位孔220B进行二级对位。

采用光学镜头捕捉靶标孔的对位方式，从孔的正上方或正下方捕捉对位孔，主对位孔210仍然起到粗略对位及补偿对位的作用。

一般情况下，在对上表面进行激光打孔加工时，第一辅助对位孔直径大的一端2210A在镜头下，此时，由于直径大的一端无法遮挡直径小的一端，因此，第一辅助对位孔直径小的一端2220A也会被镜头（从第一辅助对位孔直径大的一端2210A）铺捉到，因此在镜头中第一辅助对位孔220A形成了两个圆环形状，此时，镜头相当于对外圆（直径较大的孔）与内圆（直径较小的孔）分别进行了对位，而直径较小的孔与下表面相通，也即，对上表面对位时，同时也进行了对下表面的对位。

同样地，在对下表面进行激光打孔加工时，第二辅助对位孔直径大的一端2210B在镜头下，第二辅助对位孔直径小的一端2220B也会被镜头铺捉到，而直径较小的孔与上表面相通，也即，对上表面对位时，同时也进行了对下表面的对位。

由于电路板在加工过程中需要经过多个工序，包括化学加工工序（例如：酸洗、内层蚀刻、内层显影、褪膜等），机械加工工序（例如：切割、压合、打磨等等），物理加工工序、热加工、电镀加工等等，此类加工对电路板本身可能造成板材涨缩、内部温度、湿度不平衡等影响，因而表现出在对位时可能出现对不准、对位孔变形、损伤等问题，加上电路板加工的光学设备的精度存在一定的误差（一般情况下对位误差为±10μm），因而加工影响与设备误差可能叠加，造成对位不准、对偏位、对不上位等问题，还可能产生单纯的通孔已产生形变（例如：孔倾斜、孔内直径不均等），但上下表面的孔口良好，光学镜头分别从上下表面捕捉孔口时，依然能够形成良好的对位的隐形对位不良问题；而采用阶梯型孔作为辅助对位孔220，由于阶梯型孔以贯穿电路板上下两面的孔径不同，在对位时能够形成镜头捕捉一面实则对位两面的效果，当阶梯型孔的孔形较差、或孔形偏位、或由于加工影响及设备误差影响产生对不准位等问题时，则相对于单纯的通孔对位，能够更直接的表现出上下两面的加工偏差（或涨缩偏差），从而避免因孔的隐形不良导致加工不良的问题，有效提高了从上下两面进行激光打孔加工深微孔的双面对位精度。

进一步地，在诸如IC载板等具有超高精度的深微孔加工时，在对上表面进行激光打孔加工时，采用主对位孔210进行粗劣对位，再采用第一辅助对位孔220A进行第一次二级对位，之后可采用第二辅助对位孔220B进行第二次二级对位；同样地，在对下表面进行激光打孔加工时，进一步地，对位采用主对位孔210进行粗劣对位，再采用第二辅助对位孔220B进行第一次二级对位，之后可采用第一辅助对位孔220A进行第二次二级对位；双面均采用第一辅助对位孔220A和第二辅助对位孔220B的二次对位，能够进一步提升对位精准度，适合于超高精度深微孔的加工。

因此，采用对位靶标组合200的形式，具备良好的对位灵活性，能够根据电路板深微孔对加工精度的要求高低，选择不同的孔进行单独对位或组合对位，且对位靶标组合200的辅助对位孔220为阶梯型孔时，不仅能够实现平面方向上的对位，同时能够实现内部立体方向上的对位。

值得说明的是，在一个实施方式中，所述第一辅助对位孔直径大的一端2210A的深度，与所述第二辅助对位孔直径大的一端2210B的深度，存在一定的深度重叠，也即，第一辅助对位孔直径大的一端2210A的深度超过层压板10厚度的一半（可为层压板10厚度的2/3至4/5），同时第二辅助对位孔直径大的一端2210B的深度也超过层压板10厚度的一半（可为层压板10厚度的2/3至4/5）。

如此设计，当加工上表面激光打孔时，使用第一辅助对位孔220A进行对位，此时其孔直径小的一端的孔也被捕捉到，同样地，当加工下表面激光打孔时，使用第二辅助对位孔220B进行对位，此时其孔直径小的一端的孔也被捕捉到，由于二者孔直径大的一端有深度重叠，因而相当于对位捕捉深度有重叠区域，能够避免对位时在深度方向上的层压板10的内部出现对位空白区，避免空白区的涨缩问题，提高深度方向上的对位精度。

同样地，在一个实施方式中，所述第一辅助对位孔直径小的一端2220A的深度，与所述第二辅助对位孔直径小的一端2220B的深度，存在一定的深度重叠，也即，第一辅助对位孔直径小的一端2220A的深度超过层压板10厚度的一半（可为层压板10厚度的2/3至4/5），同时第二辅助对位孔直径小的一端2220B的深度也超过层压板10厚度的一半（可为层压板10厚度的2/3至4/5）；设计及加工原由同上，在此不再赘述。

在一个实施方式中，对位靶标组合200可设计多个（例如6个或8个）辅助对位孔220，形成辅助对位孔220群，围绕主对位孔210，交替分布第一辅助对位孔220A和第二辅助对位孔220B，整体形成“花瓣形”对位靶标组合200；此设计能够提高当对位靶标组合200作为整体组合的对位形式时光学镜头捕捉的整体性，提升应用便捷性和效率。

请参阅图10，图10为本发明实施方式的加工形成打孔线路板的截面示意图。

所述从所述上表面进行激光打孔加工，或所述从所述下表面进行激光打孔加工，采用的打孔激光脉冲宽度均为6微秒至20微秒，优选地可为8微秒或10微秒或12微秒，能量均为9mj至27mj，优选地可为15mj或18mj，打孔次数均为1至5次，优选地可为2次或3次。

将激光打孔分为上表面及下表面的双面打孔方式之后，激光的脉冲宽度及能量，相较一般情况下更小，打孔次数也更少，因此从打孔角度而言，更加节约成本；通过激光打孔加工，形成了正面盲孔410与反面盲孔420的组合式盲孔形态。

请参阅图11和图12,，图11为本发明实施方式的对打孔线路板进行微蚀刻加工后的截面结构示意图；图12为本发明实施方式的加工形成深微导通孔的截面结构示意图。

S40：对所述打孔线路板进行微蚀刻加工（请参阅图11），再进行填孔电镀加工，随后进行表面电镀加工，形成表面铜层430，并进行后工序加工（请参阅图12），形成所述深微导通孔400。

经过激光打孔后的深微孔，采用微蚀刻将铜层图形1200蚀刻掉，余留未被激光打孔覆盖的余留铜层图形1200Y，能够起到填孔电镀加工时内部的铜引导层作用，使电镀内外更加平衡，有助于填孔电镀形成充实的填孔效果；对于填孔电镀加工之前，可采用化学除胶或等离子除胶的方式清除孔内杂质，修整孔壁，给于良好的孔壁电镀条件。

综上，本发明实施方式通过将单面激光打孔的加工方式更改为双面激光打孔的方式，且利用对位靶标组合进行精准对位，并利用内部的铜层图形1200作为打孔的阻挡介质，经过流程化的加工，能够形成良好的高精度深微导通孔，为高密度电路板加工提供了良好的孔加工保证，且加工流程清晰简洁，适宜于批量加工生产，少有返工、报废的问题产生。

需要说明的是，由于实际加工过程及应用过程中，存在不同的电路板的设计、加工、应用情形，本实施例的附图仅作为说明本实施例的实现过程使用，不代表实际产品的尺寸比例，也不代表按照实际情况进行等比例放大的图。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于：

所述制作方法包括以下步骤：

S10：取绝缘介质层和单面覆铜板，按照所述深微导通孔的分布图形，将所述单面覆铜板的铜层加工形成与所述深微导通孔对应分布的铜层图形，所述铜层图形的单边尺寸大于所述深微导通孔的孔直径；

将所述绝缘介质层和加工后的所述单面覆铜板叠排，并压合，形成层压板；

所述铜层图形被压入所述层压板的内层，所述铜层图形的几何中心对应所述深微导通孔的孔中心；

S20：所述层压板包括图形区域和辅助区域，在所述辅助区域的顶角位置制作对位靶标组合，形成对位图形板；

所述对位靶标组合包括相离的主对位孔及辅助对位孔，所述主对位孔的孔直径大于所述辅助对位孔的孔直径；

S30：采用所述对位靶标组合分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，按照所述深微导通孔的分布图形，从所述上表面及所述下表面分别进行激光打孔加工，形成打孔线路板；

S40：对所述打孔线路板进行微蚀刻加工，再进行填孔电镀加工，随后进行表面电镀加工及后工序加工，形成所述深微导通孔。

2.如权利要求1所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层和所述单面覆铜板的绝缘层的材质相同，且厚度相同。

3.如权利要求1所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，所述主对位孔的孔直径大于所述辅助对位孔的孔直径0.4mm至3.8mm。

4.如权利要求1所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，所述对位靶标组合包括相离的一个所述主对位孔及一个所述辅助对位孔。

5.如权利要求4所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，采用所述对位靶标组合分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，为从所述上表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔进行一级对位，再采用所述辅对位孔进行二级对位；

随后从所述下表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔进行一级对位，再采用所述辅对位孔进行二级对位。

6.如权利要求1所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，所述对位靶标组合包括相离的一个所述主对位孔及两个所述辅助对位孔。

7.如权利要求6所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，两个所述辅助对位孔分为第一辅助对位孔和第二辅助对位孔，且均为阶梯型孔；

所述阶梯型孔为由一端孔口至另一端孔口呈一半孔直径大而另一半孔直径小的孔；

所述第一辅助对位孔的孔直径大的一端的孔口朝向所述对位图形板的上表面；

所述第二辅助对位孔的孔直径大的一端的孔口朝向所述对位图形板的下表面。

8.如权利要求7所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，采用所述对位靶标组合分别从所述对位图形板的上表面及下表面分别进行对位，

为从所述上表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔进行一级对位，再采用所述第一辅助对位孔进行二级对位；

从所述下表面进行所述激光打孔加工前，先采用所述主对位孔进行一级对位，再采用所述第二辅助对位孔进行二级对位。

9.如权利要求7所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，所述第一辅助对位孔的孔直径大的一端的深度为所述层压板厚度的2/3至4/5；所述第二辅助对位孔的孔直径大的一端的深度为所述层压板厚度的2/3至4/5。

10.如权利要求1所述的一种高密度电路板深微导通孔制作方法，其特征在于，所述从所述上表面进行激光打孔加工，或所述从所述下表面进行激光打孔加工，采用的打孔激光脉冲宽度均为6微秒至20微秒，能量均为9mj至27mj，打孔次数均为1至5次。