CN117167124A - 一种后处理降结晶控制方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种后处理降结晶控制方法、装置、设备及存储介质，方法包括：获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量；根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值、氨储差值下限值；根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；若氨储差值小于等于氨储差值上限值且大于等于氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；还包括根据选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量；根据还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量。

Description

一种后处理降结晶控制方法、装置、设备及存储介质

技术领域

本发明实施例涉及发动机控制技术，尤其涉及一种后处理降结晶控制方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

选择性催化还原技术（Selective Catalytic Reduction，SCR）是针对柴油车尾气排放中的一项处理工艺，即在催化剂的作用下，喷入还原剂氨或尿素，把尾气中的/>还原成/>和/>。传统的尿素喷射控制方式是通过前馈加氨储闭环得到需求氨氮比，结合SCR上游/>质量流量算出需求的尿素质量流量，然后给执行器执行去控制实际的还原剂反馈控制量。

选择性催化还原过程包含复杂的物理变化和化学变化，柴油机的运动工况多变，导致尿素水溶液喷射到排气的过程也会发生一定变化，某些情况下会发生尿素结晶的问题。

发明内容

本发明提供一种后处理降结晶控制方法、装置、设备及存储介质，以达到降低尿素结晶发生可能性的目的。

第一方面，本发明实施例提供了一种后处理降结晶控制方法，包括：获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量；

根据所述选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值、氨储差值下限值；

根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；

若所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；

还包括根据所述选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量；

根据所述还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量。

可选的，所述第一闭环控制与所述第二闭环控制的控制方程结构相同，控制方程参数不同；

输入相同时，采用所述第一闭环控制确定的还原剂反馈控制量小于采用所述第二闭环控制确定的还原剂反馈控制量。

可选的，采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量后还包括：根据所述还原剂反馈控制量确定调整系数；

当所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值时，根据所述调整系数和所述还原剂前馈控制量确定所述还原剂控制量。

可选的，根据所述选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第一MAP图确定所述氨储差值上限值；

根据所述选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第二MAP图确定所述氨储差值下限值。

可选的，根据所述选择性催化还原温度、空速，采用第三MAP图确定所述还原剂前馈控制量。

可选的，所述第一闭环控制的输入包括：下游氮氧化物质量流量测量值，下游氮氧化物质量流量目标值。

可选的，所述第一闭环控制、第二闭环控制为PID控制。

第二方面，本发明实施例还提供了一种后处理降结晶控制装置，包括后处理降结晶控制单元，所述后处理降结晶控制单元用于：

获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量；

根据所述选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值、氨储差值下限值；

根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；

若所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；

还包括根据所述选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量；

根据所述还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量。

第三方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；

所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本发明实施例记载的任意一种后处理降结晶控制方法。

第四发明，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本发明实施例记载的任意一种后处理降结晶控制方法。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明提出一种后处理降结晶控制方法，该方法中，通过选择性催化还原温度（后处理温度）和当前的原排质量流量水平确定合适的氨储差值上限值和下限值，根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值，当氨储差值在氨储差值上限值和下限值对应的范围以内，就认为该后处理温度下氨储足够大，此时将氨储由第二闭环控制切换为第一闭环控制，以使得采用闭环控制确定还原剂控制量时，在相同的氨储差值下可以减小还原剂控制量，从而降低还原剂喷射量，降低结晶风险。

附图说明

图1是实施例中的后处理降结晶控制方法流程图；

图2是实施例中的另一种后处理降结晶控制方法流程图；

图3是实施例中的又一种后处理降结晶控制方法流程图；

图4是实施例中的电子设备结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

实施例一

图1是实施例中的后处理降结晶控制方法流程图，参考图1，控制方法包括：

S101.获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量。

示例性的，本实施例中，后处理降结晶控制方式适用于发动机排气后处理场景中，避免还原剂喷嘴位置出现结晶的情形。

本实施例中，采用选择性催化还原（Selective Catalytic Reduction，SCR）温度表示发生SCR反应时，反应容器（例如指定部分的排气管路）内的温度，该值可以通过温度传感器测量获取。

本实施例中，采用原排氮氧化物质量流量表示（发动机排出的未经SCR处理的气体的质量流量），该值可以通过质量流量传感器测量获取。

S102.根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值、氨储差值下限值。

本实施例中，对根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值、氨储差值下限值的方式不做限定；

例如，可以通过预设MAP图、表等确定对应的氨储差值上限值、氨储差值下限值，其中，MAP图、表可以通过标定试验确定；

或者，采用预设函数或预设模型确定对应的氨储差值上限值、氨储差值下限值，其中，预设函数或预设模型可以通过仿真试验确定。

S103.根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值。

结合步骤S102和步骤S103，本实施例中，采用氨储值指表示：在SCR反应过程中，被进行存储的，未参与到反应过程中的氨气（质量）数值。

本实施例中，设定氨储值可以通过如下方式确定：

获取发动机工况，根据发动机工况确定设定氨储值，其中，发动机工况可以包括SCR温度、空速等，发动机工况与设定氨储值的对应关系可以通过标定试验确定。

本实施例中，实际氨储值可以通过如下方式确定：

通过预设的SCR模型确定实际氨储值，其中，SCR模型与现有技术相同，例如，可以采用202110858980.9中记载的SCR模型；

或者，可以采用氨储的质量公式计算实际氨储值，其中，氨储的质量公式可以通过202210790274.X中记载的方式建立。

本实施中，设定采用设定氨储值减去实际氨储值得到氨储差值。

S104.若氨储差值小于等于氨储差值上限值且大于等于氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量。

本实施例中，设定第一闭环控制与第二闭环控制的控制方程结构相同，控制参数不同；

输入相同时，采用第一闭环控制确定的还原剂反馈控制量小于采用第二闭环控制确定的还原剂反馈控制量。

示例性的，本实施例中，设定还原剂反馈控制量可以直接作为用于控制参与SCR反应的还原剂喷射量的控制量；

或者，还原剂反馈控制量也可以为用于控制参与SCR反应的还原剂喷射量的（最终）控制量中的部分控制量，此时，设定（最终）控制量与还原剂反馈控制量的变化趋势相同。

在一种可实施方案中，当还原剂反馈控制量为还原剂喷射量的最终控制量中的部分控制量时，设定还原剂控制量由还原剂前馈控制量和还原剂反馈控制量确定；

其中，设定获取选择性催化剂还原温度、空速，根据选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量。

本方案中，采用空速表示每小时流过SCR反应容器的（废气）排气体积流量与SCR反应容器的容积的比值。

示例性的，本方案中，采用选择性催化还原温度、空速，基于前馈控制方法确定还原剂前馈控制量。

示例性的，本方案中，对根据还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量的具体方式不做限定；

例如，可以将还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量作为输入，采用预设的运算规则运算后得到还原剂前馈控制量。

本实施例中，对第一闭环控制和第二闭环控制的输入参数的种类不做限定，其可以根据设计需求自由设定。

本实施例提出一种后处理降结晶控制方法，该方法中，通过选择性催化还原温度（后处理温度）和当前的原排质量流量水平确定合适的氨储差值上限值和下限值，根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值，当氨储差值在氨储差值上限值和下限值对应的范围以内，就认为该后处理温度下氨储足够大，此时将氨储由第二闭环控制切换为第一闭环控制，以使得采用闭环控制确定还原剂控制量时，在相同的氨储差值下可以减小还原剂控制量，从而降低还原剂喷射量，降低结晶风险。

在图1所示方案的基础上，在一种可实施方案中，设定根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第一MAP图确定氨储差值上限值；

根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第二MAP图确定氨储差值下限值。

本方案中，第一MAP图和第二MAP图均通过标定试验确定。

在图1所示方案的基础上，在一种可实施方案中，还包括根据选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量；

根据还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量。

本方案中，采用空速表示每小时流过SCR反应容器的（废气）排气体积流量与SCR反应容器的容积的比值。

本方案中，采用选择性催化还原温度和空速，基于前馈控制确定还原剂前馈控制量；

其中，对前馈控制的具体方程形式不做限定，其可以根据设计需求自由设定。

本方案中，设定还原剂前馈控制量与还原剂反馈控制量的和为还原剂控制量，设定还原剂控制量为直接作为用于控制参与SCR反应的还原剂喷射量的控制量。

在根据选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量的方案的基础上，在一种可实施方案中，根据选择性催化还原温度、空速，采用第三MAP图确定还原剂前馈控制量。

本方案中，设定第三MAP图通过标定试验确定。

在前述任意一种后处理降结晶控制方法对应的方案的基础上，设定还原剂为尿素（溶液），相应的，还原剂反馈控制量为尿素喷射反馈控制量；

进一步的，当方案中涉及还原剂前馈控制量时，还原剂前馈控制量为尿素喷射前馈控制量。

在通过尿素喷射反馈控制量、尿素喷射前馈控制量确定还原剂控制量时，在一种可实施方案中，设定还原剂控制量用于控制氨氮比。

本方案中，氨氮比为尿素中的氨（）与发动机原排废气中的氮氧化物（/>）的摩尔比；

本方案中，具体通过控制氨氮比大小来确定尿素的实际喷射量，从而使发动机的排放水平达标。

在图1所示方案的基础上，在一种可实施方案中，设定第一闭环控制、第二闭环控制为PID控制。

本方案中，设定第一闭环控制中的PID参数小于第二闭环控制中的PID参数，进而实现输入相同时，采用第一闭环控制确定的还原剂反馈控制量小于采用第二闭环控制确定的还原剂反馈控制量。

图2是实施例中的另一种后处理降结晶控制方法流程图，参考图2，在一种可实施方案中，后处理降结晶控制方法包括：

S201.获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量。

S202.根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第一MAP图确定氨储差值上限值。

S203.根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第二MAP图确定氨储差值下限值。

S204.根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值。

S205.若氨储差值小于等于氨储差值上限值且大于等于氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量。

S206.根据选择性催化还原温度、空速，采用第三MAP图确定还原剂前馈控制量。

S207.根据还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量。

本方案中，设定第一闭环控制、第二闭环控制为PID控制，设定第一闭环控制中的PID参数小于第二闭环控制中的PID参数，其余内容与前述对应记载的方案相同，详细内容不再赘述。

可选的，在本方案的基础上，在一种可实施方案中，在第一闭环控制或第二闭环控制的实现过程中，还可以设定还原剂（尿素）控制量限值；

其中，还原剂控制量限值用于与还原剂控制量进行比较，选用其中的较小者作为实际使用的还原剂控制量。

示例性的，本方案中，还原剂控制量限值可以通过如下方式确定：

获取发动机排气量、发动机排气温度，根据发动机排气量、发动机排气温度，采用混合器壁面温度MAP表确定混合器壁面温度值；

根据混合器壁面温度值以及原排氮氧化物质量流量，采用第四MAP图确定还原剂控制量限值。

示例性的，本方案中，采用发动机排气量表示发动机的废气排气量，采用发动机排气温度表示进入到SCR系统前的废气温度。

示例性的，本方案中，设定混合器壁面温度值表示后处理混合器（用于废气和氨混合容器）的壁面温度。

示例性的，本方案中，混合器壁面温度MAP表通过标定试验确定，其中，标定试验可以为：

发动机台架开发阶段，在后处理混合器易结晶位置安装壁面温度传感器，通过壁面温度传感器采集不同发动机排气流量和发动机排气温度下的混合器壁面温度值，由这些试验数据建立基于发动机废气量和排气温度的混合器壁面温度模型。

示例性的，本方案中，设定第四MAP图通过标定试验确定，设定通过第四MAP图确定出的还原剂（尿素）控制量限值对应当前混合器壁面温度值以及原排氮氧化物质量流量条件下，尿素结晶的边界（控制量）值。

在图2所示方案有益效果的基础上，本方案中，由发动机排气量和发动机排气温度通过混合器壁面温度模型获取混合器壁面温度模型值，由混合器壁面温度模型值和原排氮氧化物质量流量值确定还原剂控制量限值，确定还原剂控制量后，该尿素喷射控制通过上述还原剂控制量限值的限制后得到实际的还原剂控制量，通过实际的还原剂控制量控制尿素的喷射，可以进一步降低结晶风险。

在图1所示方案的基础上，在一种可实施方案中，采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量后还包括：根据还原剂反馈控制量确定调整系数；

当氨储差值小于等于氨储差值上限值且大于等于氨储差值下限值时，根据调整系数和还原剂前馈控制量确定还原剂控制量。

示例性的，本方案中，基于还原剂反馈控制量，可以根据预设的图、表或预设的函数确定调整系数，其中，预设的图、表或函数可以通过标定试验、仿真试验等方式确定。

示例性的，本方案中，设定调整系数与还原剂前馈控制量的乘积为还原剂控制量。

示例性的，本方案中，设定采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量时，设定还原剂反馈控制量与还原剂前馈控制量的和为还原剂控制量。

进一步的，本方案中，第一闭环控制的输入可以为下游氮氧化物（）质量流量测量值，下游氮氧化物（/>）质量流量目标值。

示例性的，本方案中，设定下游为经过SCR处理后，SCR系统指定位置的，其具体位置可以根据设计和使用需求自由设定。

进一步的，本方案中，第二闭环控制的输入可以为设定氨储值和实际氨储值。

图3是实施例中的又一种后处理降结晶控制方法流程图，参考图3，具体的，在一种可实施方案中，控制方法包括：

S301.获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量。

S302.根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第一MAP图确定氨储差值上限值。

S303.根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第二MAP图确定氨储差值下限值。

S304.根据选择性催化还原温度、空速，采用第三MAP图确定还原剂前馈控制量。

S305.根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值。

S306.若氨储差值小于等于氨储差值上限值且大于等于氨储差值下限值，则获取下游氮氧化物质量流量测量值，下游氮氧化物质量流量目标值。

S307.基于下游氮氧化物质量流量测量值，下游氮氧化物质量流量目标值，采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，根据还原剂反馈控制量确定调整系数。

可选的，在一种可实施方案中，也可以通过如下方式确定调整系数：

获取下游氮氧化物质量流量测量值，基于氨储差值和下游氮氧化物质量流量测量值，采用第五MAP图确定调整系数，其中，设定第五MAP图通过标定试验确定。

S308.根据调整系数和还原剂前馈控制量确定还原剂控制量。

S309.若氨储差值大于氨储差值上限值或小于氨储差值下限值，则基于定氨储值和实际氨储值，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量。

S310.根据还原剂反馈控制量和还原剂前馈控制量确定还原剂控制量。

本方案中，设定还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量、还原剂控制量为均为针对氨氮比的控制量。

本方案中，得到氨储差值后，若氨储差值位于上下限之间时，则认为该选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量条件下实际氨储和设定氨储差别不大，此时不需要通过第二闭环调节对后处理进行（控制尿素）加喷，只需要在还原剂前馈控制量（前馈氨氮比）的基础上，采用修正因子（调整系数）调整还原剂前馈控制量后得到还原剂控制量（需求氨氮比）需求氨氮比；

该修正因子是基于当前的下游质量流量确定的，当下游/>质量流量较小时修正因子较小，减少尿素喷射量，当下游/>质量流量较大时，修正因子，增大尿素喷射量以降低排放水平；

当氨储差值不在该限制范围内时，认为实际氨储与设定氨储偏差较大，此时通过第二闭环调节对后处理进气快速的加喷或减喷，以使实际氨储尽快与设定氨储吻合。

本方案中，可以在SCR后处理温度比较合适且氨储差值不大的情况之下降低尿素喷射量，降低后处理结晶风险。

实施例二

本实施例提出一种后处理降结晶控制装置，包括后处理降结晶控制单元，后处理降结晶控制单元用于：

获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量；

根据选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值、氨储差值下限值；

根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；

若氨储差值小于等于氨储差值上限值且大于等于氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；

还包括根据选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量；

根据还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量。

示例性的，本实施例中，后处理降结晶控制单元可以具体配置为实现实施例一记载的任意一种后处理降结晶控制方法，其实现方式和有益效果与实施例一中记载的对应内容相同，在此不再赘述。

实施例三

图4示出了可以用来实施本发明的实施例的电子设备10的结构示意图。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备（如头盔、眼镜、手表等）和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本发明的实现。

如图4所示，电子设备10包括至少一个处理器11，以及与至少一个处理器11通信连接的存储器，如只读存储器（ROM）12、随机访问存储器（RAM）13等，其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序，处理器11可以根据存储在只读存储器（ROM）12中的计算机程序或者从存储单元18加载到随机访问存储器（RAM）13中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 13中，还可存储电子设备10操作所需的各种程序和数据。处理器11、ROM 12以及RAM 13通过总线14彼此相连。输入/输出（I/O）接口15也连接至总线14。

电子设备10中的多个部件连接至I/O接口15，包括：输入单元16，例如键盘、鼠标等；输出单元17，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元18，例如磁盘、光盘等；以及通信单元19，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元19允许电子设备10通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。

处理器11可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。处理器11的一些示例包括但不限于中央处理单元（CPU）、图形处理单元（GPU）、各种专用的人工智能（AI）计算芯片、各种运行机器学习模型算法的处理器、数字信号处理器（DSP）、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。处理器11执行上文所描述的各个方法和处理，例如后处理降结晶控制方法。

在一些实施例中，后处理降结晶控制方法可被实现为计算机程序，其被有形地包含于计算机可读存储介质，例如存储单元18。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 12和/或通信单元19而被载入和/或安装到电子设备10上。当计算机程序加载到RAM 13并由处理器11执行时，可以执行上文描述的后处理降结晶控制方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，处理器11可以通过其他任何适当的方式（例如，借助于固件）而被配置为执行后处理降结晶控制方法。

本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、场可编程门阵列（FPGA）、专用集成电路（ASIC）、专用标准产品（ASSP）、芯片上系统的系统（SOC）、负载可编程逻辑设备（CPLD）、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。

用于实施本发明的方法的计算机程序可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些计算机程序可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器，使得计算机程序当由处理器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。计算机程序可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。

在本发明的上下文中，计算机可读存储介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的计算机程序。计算机可读存储介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。备选地，计算机可读存储介质可以是机器可读信号介质。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM或快闪存储器）、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器（CD-ROM）、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。

为了提供与用户的交互，可以在电子设备上实施此处描述的系统和技术，该电子设备具有：用于向用户显示信息的显示装置（例如，CRT（阴极射线管）或者LCD（液晶显示器）监视器）；以及键盘和指向装置（例如，鼠标或者轨迹球），用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给电子设备。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈（例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈）；并且可以用任何形式（包括声输入、语音输入或者、触觉输入）来接收来自用户的输入。

可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统（例如，作为数据服务器）、或者包括中间件部件的计算系统（例如，应用服务器）、或者包括前端部件的计算系统（例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互）、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信（例如，通信网络）来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网（LAN）、广域网（WAN）、区块链网络和互联网。

计算系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以是云服务器，又称为云计算服务器或云主机，是云计算服务体系中的一项主机产品，以解决了传统物理主机与VPS服务中，存在的管理难度大，业务扩展性弱的缺陷。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种后处理降结晶控制方法，其特征在于，包括：

获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量；

根据所述选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值、氨储差值下限值；

根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；

若所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；

还包括根据所述选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量；

根据所述还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量。

2.如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，所述第一闭环控制与所述第二闭环控制的控制方程结构相同，控制方程参数不同；

输入相同时，采用所述第一闭环控制确定的还原剂反馈控制量小于采用所述第二闭环控制确定的还原剂反馈控制量。

3.如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量后还包括：根据所述还原剂反馈控制量确定调整系数；

当所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值时，根据所述调整系数和所述还原剂前馈控制量确定所述还原剂控制量。

4.如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，根据所述选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第一MAP图确定所述氨储差值上限值；

根据所述选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量，采用第二MAP图确定所述氨储差值下限值。

5.如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，根据所述选择性催化还原温度、空速，采用第三MAP图确定所述还原剂前馈控制量。

6.如权利要求3所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，所述第一闭环控制的输入包括：下游氮氧化物质量流量测量值，下游氮氧化物质量流量目标值。

7.如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，所述第一闭环控制、第二闭环控制为PID控制。

8.一种后处理降结晶控制装置，其特征在于，包括后处理降结晶控制单元，所述后处理降结晶控制单元用于：

获取选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量；

根据所述选择性催化还原温度、原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值、氨储差值下限值；

根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；

若所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；

还包括根据所述选择性催化还原温度、空速确定还原剂前馈控制量；

根据所述还原剂前馈控制量、还原剂反馈控制量确定还原剂控制量。

9.一种电子设备，其特征在于，包括至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；

所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-7中任一项所述的后处理降结晶控制方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的后处理降结晶控制方法。