CN117157826A - 介质滤波器 - Google Patents

Abstract

滤波器装置(100)具备具有长方体的形状的层叠体(110)、平板电极(130、135)、多个谐振器(140)、屏蔽导体(121、122)。平板电极在层叠体的内部在层叠方向上分离地配置。多个谐振器配置于平板电极之间，在与层叠方向正交的第一方向上延伸。屏蔽导体分别配置于层叠体中的侧面(115、116)，与平板电极连接。谐振器在层叠体的内部在第二方向上排列配置。多个谐振器的各个谐振器的第一端部与屏蔽导体(121)连接，第二端部与屏蔽导体(122)分离。谐振器由沿层叠方向层叠的多个导体构成。在从第一方向俯视观察谐振器的情况下，包含多个导体的端部的第一区域的厚度大于第一区域之外的部分的厚度。

Description

介质滤波器

技术领域

本公开涉及介质滤波器，更特别涉及用于提高介质滤波器中的滤波器特性的技术。

背景技术

日本特开2007-235465号公报(专利文献1)中公开了使用在介质内层叠有多个内部电极层的层叠型介质谐振器的带通滤波器。在日本特开2007-235465号公报(专利文献1)所公开的带通滤波器中，内部电极层的电感部由纵长图案构成，具有该纵长图案的一部分宽度逐渐变窄的形状。通过形成该构成，能够使共振频率降低而不降低Q值，因此，能够实现谐振器的小型化。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-235465号公报

发明内容

发明要解决的课题

日本特开2007-235465号公报(专利文献1)所公开的介质滤波器例如用于以移动电话或者智能手机为代表的小型移动终端中对高频信号进行滤波。

介质滤波器通常通过将配置了多个平板导体的介质进行压接或烧结而制造。在通过这种工序制造出的介质滤波器中，有时会由于从外部施加的压力或由于热收缩产生的应力而导致平板导体的前端与该平板导体的其它部分相比变细。

已知通常高频电流由于集肤效应而主要在作为信号传递构件的导体的表面附近流动。因此，如果介质滤波器中平板导体的前端变细，则有可能高频电流的通过路径中的电阻值变大，与电流通过相伴的损耗增加而Q值降低，滤波器特性降低。

本公开就是为了解决这种课题而实现的，其目的在于抑制介质滤波器中的Q值降低。

用于解决课题的手段

本公开所涉及的介质滤波器具备具有长方体的形状的层叠体、第一平板电极和第二平板电极、多个谐振器、第一屏蔽导体和第二屏蔽导体。层叠体具备多个介质层。第一平板电极和第二平板电极在层叠体的内部在层叠方向上分离地配置。多个谐振器配置于第一平板电极与第二平板电极之间，在与层叠方向正交的第一方向上延伸。第一屏蔽导体和第二屏蔽导体在层叠体中分别配置于垂直于第一方向的第一侧面和第二侧面，与第一平板电极和第二平板电极连接。多个谐振器在层叠体的内部在与层叠方向和第一方向这两个方向正交的第二方向上排列而配置。多个谐振器的每一个谐振器的第一端部与第一屏蔽导体连接，第二端部与第二屏蔽导体分离。多个谐振器的每一个谐振器由沿层叠方向层叠的多个导体形成。在从第一方向俯视观察多个谐振器的情况下，多个导体的包含端部的第一区域的厚度大于第一区域之外的部分的厚度。

发明的效果

根据本公开所涉及的介质滤波器，构成介质谐振器的多个电极的包含端部的第一区域的厚度大于该第一区域之外的部分的厚度。通过形成这样的形状，能够降低在高频电流流过各电极的情况下的电流的通过路径中的电阻值，因此，能够抑制介质滤波器中的Q值降低。

附图说明

图1是具有应用了实施方式1的滤波器装置的高频前端电路的通信装置的框图。

图2是实施方式1的滤波器装置的外观立体图。

图3是表示实施方式1的滤波器装置的内部构造的透视立体图。

图4是实施方式1的滤波器装置的截面图。

图5是实施方式1的滤波器装置的截面图。

图6是变形例1的滤波器装置的截面图。

图7是变形例2的滤波器装置的截面图。

图8是变形例2的滤波器装置中层叠方向中央部的导体的俯视图的一个例子。

图9是变形例3的滤波器装置的截面图。

图10是表示实施方式2的滤波器装置的内部构造的透视立体图。

图11是说明谐振器中的导体变稀疏的情况下的Q值变化的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式详细地进行说明。此外，对图中相同或相当的部分标注相同标号，相关说明不再重复。

[实施方式1]

(通信装置的基本构成)

图1是具有应用了实施方式1的滤波器装置的高频前端电路20的通信装置10的框图。通信装置10例如是以智能手机为代表的移动终端、或者是移动电话基站。

参照图1，通信装置10具有天线12、高频前端电路20、混频器30、本地振荡器32、D/A转换器(DAC)40和RF电路50。另外，高频前端电路20包含带通滤波器22、28、放大器24和衰减器26。此外，在图1中，针对高频前端电路20包含从天线12发送高频信号的发送电路的情况进行说明，但高频前端电路20也可以包含经由天线12接收高频信号的接收电路。

通信装置10将从RF电路50传输来的信号上变频为高频信号后从天线12发射。从RF电路50输出的调制完毕的数字信号通过D/A转换器40转换为模拟信号。混频器30将已通过D/A转换器40转换为模拟信号的信号与来自本地振荡器32的振荡信号混合后，上变频为高频信号。带通滤波器28去除通过上变频产生的不需要的波，仅提取所期望的频带的信号。衰减器26调整信号的强度。放大器24将通过衰减器26后的信号进行功率放大至规定的级别。带通滤波器22去除在放大过程中产生的不需要的波，并且仅使由通信标准规定的频带的信号分量通过。通过带通滤波器22后的信号作为发送信号从天线12被发射。

作为上述的通信装置10中的带通滤波器22、28，可以采用对应于本公开的滤波器装置。

(滤波器装置的构成)

接下来，使用图2～图5，说明实施方式1的滤波器装置100的详细构成。滤波器装置100是由作为分布参数元件的多个谐振器构成的介质滤波器。

图2是滤波器装置100的外观立体图。在图2中，仅示出了从滤波器装置100的外表面能够观察到的构成，省略了内部的构成。图3是表示滤波器装置100的内部构造的透视立体图。图4是滤波器装置100的截面图。图4是从Y轴方向观察构成滤波器装置100的谐振器而得的截面图。另外，图5是滤波器装置100的截面图。图5是滤波器装置100的沿Y轴方向的截面图。

参照图2，滤波器装置100具备将多个介质层沿层叠方向堆叠而形成的、长方体或大致长方体的层叠体110。层叠体110具有上表面111、下表面112、侧面113、侧面114、侧面115和侧面116。侧面113是X轴的正向的侧面，侧面114是X轴的负向的侧面。侧面115、116是垂直于Y轴方向的侧面。

层叠体110的各介质层例如由低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-firedCeramics)等陶瓷、或者树脂形成。在层叠体110的内部，通过形成于各介质层的多个平板导体、和形成于介质层间的多个通路，构成用于构成谐振器的分布参数元件、用于将该分布参数元件间耦合的电容器和电感器。本说明书中的“通路”是表示为了连接设置于不同介质层的导体的、在层叠方向上延伸的导体。通路通过例如导电浆料、镀覆、及/或金属引脚(metalpin)等形成。

此外，在以下的说明中，将层叠体110的层叠方向作为“Z轴方向”，将垂直于Z轴方向且沿层叠体110的长边的方向作为“X轴方向”(第二方向)，将沿层叠体110的短边的方向作为“Y轴方向”(第一方向)。另外，以下有时将各图中的Z轴的正向称为上侧，将负向称为下侧。

如图2所示，滤波器装置100具备覆盖层叠体110的侧面115、116的屏蔽导体121、122。屏蔽导体121、122在从层叠体110的X轴方向观察时具有大致C字形状。即，屏蔽导体121、122覆盖层叠体110的上表面111和下表面112的一部分。在屏蔽导体121、122中，配置于层叠体110的下表面112的部分通过焊料凸块等连接构件与未图示的安装基板上的接地电极连接。即，屏蔽导体121、122还作为接地端子起作用。

另外，滤波器装置100具备配置于层叠体110的下表面112的输入端子T1和输出端子T2。输入端子T1配置于下表面112中接近X轴的正向的侧面113的位置。另一方面，输出端子T2配置于下表面112中接近X轴的负向的侧面114的位置。输入端子T1和输出端子T2通过焊料凸块等连接构件与安装基板上的对应的电极连接。

接下来，参照图3说明滤波器装置100的内部构造。滤波器装置100在图2所示的构成之外，还具备平板电极130、135、多个谐振器141～145、连接导体151～155、连接导体171～175、电容器电极161～165。此外，在此后的说明中，有时将谐振器141～145、连接导体151～155、连接导体171～175、电容器电极161～165分别概括性地称为“谐振器140”、“连接导体150”、“连接导体170”、“电容器电极160”。

平板电极130、135在层叠体110的内部在层叠方向(Z轴方向)上分离的位置处彼此相对地配置。平板电极130设置于接近上表面111的介质层，在沿着X轴的端部处与屏蔽导体121、122连接。平板电极130具有在从层叠方向俯视观察的情况下几乎覆盖介质层的形状。

平板电极135设置于接近下表面112的介质层。平板电极135具有大致H型的形状，在从层叠方向俯视观察的情况下，与输入端子T1和输出端子T2相对的部分形成了切去部。平板电极135在沿着X轴的端部处与屏蔽导体121、122连接。

在层叠体110中，在平板电极130与平板电极135之间配置有谐振器141～145。谐振器141～145各自在Y轴方向上延伸。谐振器141～145各自的Y轴的正向的端部(第一端部)与屏蔽导体121连接。另一方面，谐振器141～145各自的Y轴的负向的端部(第二端部)与屏蔽导体122分离。

在滤波器装置100中，谐振器141～145在层叠体110的内部沿X轴方向排列配置。更具体地说，从X轴的正向朝向负向依次配置有谐振器141、142、143、144、145。

谐振器141～145各自由沿层叠方向配置的多个导体构成。如图4所示，在各谐振器140的与ZX平面平行的截面(即，从Y轴方向俯视观察的截面)上，多个导体整体具有大致椭圆形状。换言之，多个导体中配置于最上层和最下层的导体的X轴方向的尺寸(第一宽度)小于配置于中央附近的层的导体的X轴方向的尺寸(第二宽度)。另外，在本实施方式1的滤波器装置100中，各导体中的包含沿着Y轴的端部的第一区域AR1(图4的虚线部)的导体的厚度比该第一区域以外的部分的导体的厚度更厚。

参照图5，谐振器140在接近与屏蔽导体121连接的第一端部的位置处，经由连接导体150与平板电极130、135连接。在滤波器装置100中，连接导体150从平板电极130起贯穿对应的谐振器140的多个导体而延伸至平板电极135。各连接导体将形成对应的谐振器的多个导体电连接。

另外，在谐振器140中、构成各谐振器的多个导体在接近屏蔽导体122侧的第二端部的位置处通过连接导体170电连接。各谐振器设计为，如果将传递的高频信号的波长设为λ，则各谐振器的第二端部与连接导体150之间的距离成为大约λ/4。

如图5所示，在谐振器140的多个导体中，包含与连接导体150连接的连接部分的第二区域AR2的导体的厚度和包含与连接导体170连接的连接部分的第三区域AR3的导体的厚度，比除此之外的部分的导体的厚度更厚。

谐振器140作为以多个导体为中心导体、以平板电极130、135为外导体的分布参数型的TEM模式谐振器起作用。

谐振器141经由通路V10、V11和平板电极PL1与输入端子T1连接。此外，在图3中，虽然被谐振器遮挡而无法观察到，但谐振器145经由通路和平板电极与输出端子T2连接。谐振器141～145彼此磁耦合，将输入至输入端子T1的高频信号以谐振器141～145的顺序传递，从输出端子T2输出。此时，根据各谐振器间的耦合程度，滤波器装置100作为带通滤波器起作用。

谐振器140的第二端部侧设有在相邻的谐振器之间凸出的电容器电极。电容器电极成为构成谐振器的多个导体的一部分外伸而成的构造。能够通过电容器电极的Y轴方向的长度、与相邻的谐振器之间的距离、以及/或者构成电容器电极的导体的数量而调整谐振器间的电容耦合的程度。

在滤波器装置100中，如图3所示，从谐振器141朝向谐振器142凸出设置有电容器电极C10，从谐振器142朝向谐振器141凸出设置有电容器电极C20。另外，从谐振器143朝向谐振器142凸出设置有电容器电极C30，从谐振器144朝向谐振器143凸出设置有电容器电极C40。此外，从谐振器145朝向谐振器144凸出设置有电容器电极C50。

此外，电容器电极C10～C50并不是必需的构成，只要能够实现谐振器间的所期望的耦合程度，可以不设置部分电容器电极或所有的电容器电极。另外，滤波器装置也可以在图3的构成之外，还具备从谐振器142朝向谐振器143凸出设置的电容器电极，从谐振器143朝向谐振器144凸出设置的电容器电极，从谐振器144朝向谐振器145凸出设置的电容器电极。

另外，在滤波器装置100中，与谐振器140的第二端部相对地配置有电容器电极160。电容器电极160的与ZX平面平行的截面具有与谐振器140相同的截面。电容器电极160与屏蔽导体122连接。由此，由谐振器140和对应的电容器电极160构成电容器。通过调整图5中的谐振器与电容器电极之间的间隙(Y轴方向的距离)GP，能够调整由谐振器140和对应的电容器电极160构成的电容器的电容。

在滤波器装置100中，在从输入端子T1向输出端子T2传递高频信号的情况下，与各谐振器中高频信号的谐振相伴，在构成谐振器的导体中流过高频电流。

已知通常高频电流由于集肤效应而主要在导体的表面附近流动。因此，在多个导体的整体截面形状为矩形形状的情况下，导致在角部(即最上层和最下层的电极的端部)电流集中。如图3所示，通过使多个导体的截面为大致椭圆形状，能够缓和电流的集中。

另外，在滤波器装置100的谐振器中，在形成谐振器的导体的长度方向(Y轴方向)上也有电流流过，并且经由连接导体150、170而在导体间和平板电极130、135上也有电流流过。如在图3和图4中说明的那样，在滤波器装置100中，各导体中的包含沿Y轴的端部的第一区域AR1中的导体的厚度、包含与平板电极130、135连接的连接部分的第二区域AR2和第三区域AR3中的导体的厚度比导体的其它部分更厚。通过这样的构成，各导体中的电流路径的电阻值被降低，因而能够降低与电流通过相伴的损耗，其结果，能够抑制滤波器装置100的Q值降低。

此外，在降低构成谐振器的导体的电阻值时，还考虑了不是如上述那样仅将特定区域的导体的厚度变厚，而是将导体整体的厚度变厚。然而，如果层叠方向的导体密度增加，则有可能在制造工序中，由于与导体较少的部分之间的热膨胀系数之差而产生导体与介质之间的裂纹、层间剥离、以及/或者层叠体110的表面的平坦性的恶化等构造缺陷。因此，如实施方式1的滤波器装置100那样，使导体中的与电流路径对应的区域的导体的厚度相对变厚，使对电流路径的作用较小的区域的导体的厚度相对变薄，从而能够抑制Q值降低并且抑制构造缺陷的产生。

另外，通过使导体的端部的厚度变厚，从而能够增强相邻的谐振器间的电容耦合，因此，还有助于将滤波器装置100小型化。

此外，实施方式1中的“平板电极130”和“平板电极135”分别对应于本公开中的“第一平板电极”和“第二平板电极”。实施方式1中的“侧面115”和“侧面116”分别对应于本公开中的“第一侧面”和“第二侧面”。实施方式1中的“屏蔽导体121”和“屏蔽导体122”分别对应于本公开中的“第一屏蔽导体”和“第二屏蔽导体”。实施方式1中的“Y轴方向”和“X轴方向”分别对应于本公开中的“第一方向”和“第二方向”。实施方式1中的“连接导体150(151～155)”对应于本公开中的“第一连接导体”。实施方式1中的“连接导体170(171～175)”对应于本公开中的“第二连接导体”。

(变形例1)

在变形例1中，针对形成谐振器的导体的形状的第一变形例进行说明。图6是变形例1的滤波器装置100A的截面图。图6是从Y轴方向观察滤波器装置100A中的谐振器140A而得的截面图。在图6中，例示了谐振器140A中的谐振器141A、142A、143A。

参照图6，在变形例1的滤波器装置100A中，与实施方式1同样地，谐振器140A的截面整体成为大致椭圆形状。并且，在滤波器装置100A的各谐振器中，以使相邻的导体中的端部的第一区域AR1彼此在层叠方向上不重叠地配置有多个导体。更具体而言，层叠方向的中央附近的导体中的第一区域在层叠方向以锯齿形配置。

如果导体的厚度变厚的第一区域在层叠方向上重合，则该部分中的导体密度与其它部分相比会增加，因此有可能成为上述那样的构造缺陷的主要原因。然而，在变形例1的滤波器装置100A中，以使得在层叠方向上相邻的导体的端部不重叠的方式配置有多个导体。由此，导体的端部的位置被分散开，能够降低层叠方向的导体密度，因此能够抑制构造缺陷的产生。

(变形例2)

在变形例2中，针对形成谐振器的导体的形状的第二变形例进行说明。图7是变形例2的滤波器装置100B的截面图。图7是从Y轴方向观察滤波器装置100B中的谐振器140B而得的截面图。在图7中例示了谐振器140B中的谐振器141B、142B、143B。

参照图7，在变形例2的滤波器装置100B中，与实施方式1同样地，谐振器140B的截面整体成为大致椭圆形状。并且，在滤波器装置100B中，在谐振器140B的中心附近的导体的厚度较薄的部分(即第一区域AR1之外的部分)设有开口部。具体而言，在谐振器141B、142B、143B中分别设有开口部191、192、193。此外，也可以构成为：导体中的谐振器140B的中心附近设有开口部，导体仅具有第一区域AR1的部分。

图8是变形例2的滤波器装置100B中的层叠方向的中央部的导体的俯视图的一个例子。如图8所示，在包含与连接导体150、170连接的连接部分的第二区域AR2和第三区域AR3的部分未设置开口部。

如以上所示，通过在构成谐振器的多个导体中，形成去除对电流路径的作用较小的区域的导体的一部分的构成，从而能够降低层叠体中的导体密度差，因此，能够进一步抑制构造缺陷的产生。

此外，也可以在变形例1的构成中进一步应用变形例2的构成。

(变形例3)

在变形例3中，针对将与连接导体150连接的连接部分的第二区域AR2进一步扩大的构成进行说明。

图9是变形例3的滤波器装置100C的截面图。图9是滤波器装置100C中的谐振器140C沿Y轴方向的截面图。在构成滤波器装置100C的谐振器140C的多个导体中，在从与屏蔽导体121连接的第一端部向第二端部的方向上，直至长度L1的第四区域AR4的导体的厚度变厚。此外，对于谐振器140C，各导体的X轴方向的端部的第一区域AR1和包含与连接导体170连接的连接部分的第三区域AR3的导体的厚度也变厚。此外，上述的长度L1优选为直至形成谐振器的导体的1/2为止的长度。

在TEM谐振器中，由于开路端(第二端部)的电流密度低，随着越至短路端(第一端部)侧电流密度就变得越高，因此，通过将第一端部附近的导体厚度变厚，能够改善插入损耗。

[实施方式2]

在具有层叠多个导体而成的谐振器的介质滤波器中，如上述所示，由于在层叠体中设置该谐振器的区域和未设置谐振器而仅有介质的区域之间的导体密度的不同，有时在制造工序中在导体与介质之间产生裂纹等构造缺陷。

在实施方式2中，说明通过调整谐振器中的导体的数量和配置而抑制滤波器特性的劣化并且防止构造缺陷的发生的构成。

图10是表示实施方式2的滤波器装置100D的内部构造的透视立体图。滤波器装置100D构成为，将图3所示的实施方式1的滤波器装置100中的谐振器140(141～145)置换为谐振器140D(141D～145D)，将电容器电极160(161～165)置换为电容器电极160D(161D～165D)。另外，在滤波器装置100D中，在谐振器中的屏蔽导体121侧的第一端部附近，通过连接导体180、181而各谐振器相互连接。此外，在图10中，与图3重复的要素的构成不再重复。

在实施方式1的滤波器装置100中，构成谐振器140和电容器电极160的多个导体在层叠方向上等间隔地配置。另一方面，在实施方式2的滤波器装置100D中的谐振器140D和电容器电极160D中，成为层叠方向的中央区域处的导体间隔比层叠方向上的端部区域的导体间隔更大的构成。

并且，各谐振器中的上表面111侧的端部区域的导体通过连接导体180相互连接。另外，各谐振器中的下表面112侧的端部区域的导体通过连接导体181相互连接。通过设置连接导体180、181，能够增强谐振器间的电感耦合的程度。此外，也可以根据所期望的特性而不设置连接导体180、181。

如实施方式1中所说明的那样，高频电流由于集肤效应而具有在谐振器的截面中的端部流动的趋势。因此，对谐振器和电容器电极的剖面进行考虑后，在层叠方向上，电流容易集中于接近上表面111和下表面112的端部区域流动。因此，在实施方式2中，通过针对形成谐振器和电容器电极的多个导体，以使得上表面侧和下表面侧的端部区域的导体间隔比中央区域的导体间隔窄的方式进行配置，从而降低与电流通过相伴的损耗。

换言之，在滤波器装置100D中，从谐振器和电容器电极的导体全部以与端部区域相同的导体间隔配置的状态变成中央区域中的导体的一部分变稀疏的构成。由此，与全部导体以与端部区域相同的导体间隔配置的情况相比，中央区域处的导体数量减少，层叠方向上的导体密度降低。由此，能够抑制电流损耗而抑制Q值降低并且抑制与导体密度差相伴的构造缺陷。

图11是说明谐振器中的导体变稀疏的情况下的Q值变化的图。图11示出谐振器中一部分导体变稀疏时、导体变稀疏的位置和数量对Q值的影响。在图11中，将25层的导体等间隔地配置的状态设为初始状态，将图10所示中央区域的导体变稀疏的情况(上部)和端部区域的导体变稀疏的情况(中部)下的Q值的模拟值在下部的曲线图中示出。对于导体数量，针对23层、21层、19层和17层这4种情况进行模拟。在下部的曲线图中，实线LN10示出中央区域变稀疏的情况下的Q值，虚线LN11示出端部区域变稀疏的情况下的Q值。

参照图11，在中央区域的导体变稀疏的情况和端部区域的导体变稀疏的情况的任一种情况下，都具有随着导体数量减少而Q值降低的趋势。然而，可知如图10的实施方式2那样中央区域的导体变稀疏的情况下的Q值比端部区域的导体变稀疏的情况下的Q值大。

如以上所述，对于形成谐振器和电容器电极的多个导体，通过使中央区域的导体间隔比端部区域的导体间隔更大，从而能够抑制损耗且减少导体的总数。由此，能够抑制Q值降低并且抑制由于导体密度差导致的构造缺陷。

应该认为本次公开的实施方式的所有方面都仅为例示，并非限定性的内容。本发明的范围并不由上述实施方式的说明示出，而是通过权利要求书的范围示出，其意图在于包括与权利要求书的范围等同的意义及范围内的所有变更。

标号的说明

10通信装置；12天线；20高频前端电路；22、28带通滤波器；24放大器；26衰减器；30混频器；32本地振荡器；40D/A转换器；50RF电路；100、100A～100D滤波器装置；110层叠体；111上表面；112下表面；113～116侧面；121、122屏蔽导体；130、135、PL1平板电极；140～145、140A～143A、140B～143B、140C、140D～145D谐振器；150、151、155、170、171、175、180、181连接导体；160、160D～165D、161、165、C10～C50电容器电极；191～193开口部；AR1～AR4区域；T1输入端子；T2输出端子；V10、V11通路。

Claims (11)

1.一种介质滤波器，其具备：

层叠体，具备多个介质层，具有长方体的形状；

第一平板电极和第二平板电极，在所述层叠体的内部在层叠方向上分离地配置；

多个谐振器，配置于所述第一平板电极与所述第二平板电极之间，在与所述层叠方向正交的第一方向上延伸；以及

第一屏蔽导体和第二屏蔽导体，在所述层叠体中分别配置于垂直于所述第一方向的第一侧面和第二侧面，与所述第一平板电极和所述第二平板电极连接，

所述多个谐振器在所述层叠体的内部在与所述层叠方向和所述第一方向这两个方向正交的第二方向上排列配置，

所述多个谐振器的每一个谐振器的第一端部与所述第一屏蔽导体连接，第二端部与所述第二屏蔽导体分离，

所述多个谐振器的每一个谐振器由沿所述层叠方向层叠的多个导体构成，

在从所述第一方向俯视观察所述多个谐振器的情况下，所述多个导体的包含端部的第一区域的厚度大于所述第一区域之外的部分的厚度。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

在从所述第一方向俯视观察的情况下，所述多个导体的一部分的所述第一区域在所述层叠方向上锯齿形地配置。

3.根据权利要求1或2所述的介质滤波器，其中，

在所述多个导体的一部分中，在除所述第一区域之外的部分设有开口部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述多个谐振器的每一个谐振器中还具备第一连接导体，所述第一连接导体配置于所述第一端部侧，并且将所述多个谐振器的每一个谐振器与所述第一平板电极和所述第二平板电极连接，

在所述多个导体中，包含与所述第一连接导体连接的连接部分的第二区域的厚度大于除所述第一区域和所述第二区域之外的部分的厚度。

5.根据权利要求4所述的介质滤波器，其中，

所述多个谐振器的每一个谐振器中还具备第二连接导体，所述第二连接导体配置于所述第二端部侧，并且将所述多个导体相互电连接，

在所述多个导体中，包含与所述第二连接导体连接的连接部分的第三区域的厚度大于除所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域之外的部分的厚度。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述多个谐振器的每一个谐振器中还具备第二连接导体，所述第二连接导体配置于所述第二端部侧，并且将所述多个导体相互电连接，

在所述多个导体中，包含与所述第二连接导体连接的连接部分的第三区域的厚度大于除所述第一区域和所述第三区域之外的部分的厚度。

7.根据权利要求6所述的介质滤波器，其中，

在所述多个导体中，包含所述第一端部的第四区域的厚度大于除所述第一区域、所述第三区域和所述第四区域之外的部分的厚度。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的介质滤波器，其中，

在所述多个导体中，包含所述第一端部的第四区域的厚度大于除所述第一区域和所述第四区域之外的部分的厚度。

9.根据权利要求7或8所述的介质滤波器，其中，

所述第四区域的所述第一方向的长度为所述多个导体的所述第一方向的长度的1/2以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的介质滤波器，其中，

在所述多个导体中，所述层叠方向上的中央区域的导体间隔大于所述层叠方向上的端部区域的导体间隔。

11.一种介质滤波器，其具备：

层叠体，具备多个介质层，具有长方体的形状；

第一平板电极和第二平板电极，在所述层叠体的内部在层叠方向上分离地配置；

多个谐振器，配置于所述第一平板电极与所述第二平板电极之间，在与所述层叠方向正交的第一方向上延伸；以及

第一屏蔽导体和第二屏蔽导体，在所述层叠体中分别配置于垂直于所述第一方向的第一侧面和第二侧面，与所述第一平板电极和所述第二平板电极连接，

所述多个谐振器在所述层叠体的内部在与所述层叠方向和所述第一方向这两个方向正交的第二方向上排列配置，

所述多个谐振器的每一个谐振器的第一端部与所述第一屏蔽导体连接，第二端部与所述第二屏蔽导体分离，

所述多个谐振器的每一个谐振器由沿所述层叠方向层叠的多个导体构成，

在所述多个导体中，所述层叠方向上的中央区域的导体间隔大于所述层叠方向上的端部区域的导体间隔。