CN117136639A - 量子点发光器件及量子点层图案化的方法 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 546
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 59
- -1 azobenzene compound Chemical class 0.000 claims abstract description 149
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 405
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 59
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 38
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 33
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 29
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 9
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- UBJVUCKUDDKUJF-UHFFFAOYSA-N Diallyl sulfide Chemical compound C=CCSCC=C UBJVUCKUDDKUJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- ULIKDJVNUXNQHS-UHFFFAOYSA-N 2-Propene-1-thiol Chemical compound SCC=C ULIKDJVNUXNQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims description 4
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VSKYJOJQOKKIPN-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-3-ene-1-thiol Chemical compound CC(=C)CCS VSKYJOJQOKKIPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 14
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- GAUZCKBSTZFWCT-UHFFFAOYSA-N azoxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[N+]([O-])=NC1=CC=CC=C1 GAUZCKBSTZFWCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical class C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 2
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- MMZCYVBYIOUFEO-UHFFFAOYSA-N (1,3-dioxoisoindol-2-yl) 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)ON1C(=O)C2=CC=CC=C2C1=O MMZCYVBYIOUFEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGCRPKOHRIXSEG-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)-phenyldiazene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 LGCRPKOHRIXSEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTUVQQKHBMGYEH-UHFFFAOYSA-N 2-(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical class ClC(Cl)(Cl)C1=NC=NC=N1 QTUVQQKHBMGYEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBVIXYABUQQSRY-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-carboxyphenyl)diazenyl]benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(N=NC=2C=C(C=CC=2)C(O)=O)=C1 QBVIXYABUQQSRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWQCRGGEGLIWHV-UHFFFAOYSA-N 3-amino-3-imino-2-phenyldiazenylpropanamide Chemical compound NC(=N)C(C(N)=O)N=NC1=CC=CC=C1 IWQCRGGEGLIWHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPHJVOCATFFPSZ-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2-tert-butylimidazo[1,2-a]pyridine Chemical compound C1=CC=CN2C(Br)=C(C(C)(C)C)N=C21 IPHJVOCATFFPSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQIKKETXZQDHGE-FOCLMDBBSA-N 4,4'-diaminoazobenzene Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1\N=N\C1=CC=C(N)C=C1 KQIKKETXZQDHGE-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 1
- NGPGYVQZGRJHFJ-BUHFOSPRSA-N 4-(4-nitrophenylazo)resorcinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1\N=N\C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NGPGYVQZGRJHFJ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- QPQKUYVSJWQSDY-CCEZHUSRSA-N 4-(phenylazo)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1\N=N\C1=CC=CC=C1 QPQKUYVSJWQSDY-CCEZHUSRSA-N 0.000 description 1
- BEYOBVMPDRKTNR-BUHFOSPRSA-N 4-Hydroxyazobenzene Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1\N=N\C1=CC=CC=C1 BEYOBVMPDRKTNR-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- WCKQPPQRFNHPRJ-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)phenyl]diazenyl]benzoic acid Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 WCKQPPQRFNHPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQKQINNUKSBEQR-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)phenyl]diazenyl]phenol Chemical compound CN(C)c1ccc(cc1)N=Nc1ccc(O)cc1 CQKQINNUKSBEQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSPTZWQFHBVOLO-UHFFFAOYSA-N 4-phenyldiazenylbenzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 CSPTZWQFHBVOLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYMHZBAYPLCCAC-UHFFFAOYSA-N 4-phenyldiazenylbenzoyl chloride Chemical compound C1=CC(C(=O)Cl)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 RYMHZBAYPLCCAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IICHURGZQPGTRD-UHFFFAOYSA-N 4-phenyldiazenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(N)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 IICHURGZQPGTRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- 239000004395 L-leucine Substances 0.000 description 1
- SJJISKLXUJVZOA-UHFFFAOYSA-N Solvent yellow 56 Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 SJJISKLXUJVZOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N [methyl(oxido){1-[6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]ethyl}-lambda(6)-sulfanylidene]cyanamide Chemical compound N#CN=S(C)(=O)C(C)C1=CC=C(C(F)(F)F)N=C1 ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000001661 cadmium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHNIKUXMZFPPCS-UHFFFAOYSA-N chembl1433124 Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1N=NC1=NC=CS1 SHNIKUXMZFPPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEBZABRSUREBDG-UHFFFAOYSA-N chembl34712 Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1N=NC1=CC=C(Br)C=C1 YEBZABRSUREBDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229960003136 leucine Drugs 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- PSNNNVCIKCUWKM-UHFFFAOYSA-N methyl 4-[(4-methoxycarbonylphenyl)diazenyl]benzoate Chemical compound C1=CC(C(=O)OC)=CC=C1N=NC1=CC=C(C(=O)OC)C=C1 PSNNNVCIKCUWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXTOLYZIJUDOIT-UHFFFAOYSA-N n,n,3-trimethyl-4-phenyldiazenylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 QXTOLYZIJUDOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLPXBJDOCHBJCT-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-4-(pyridin-4-yldiazenyl)aniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1N=NC1=CC=NC=C1 FLPXBJDOCHBJCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BISWHFCOHYEFQW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-4-[(3-nitrophenyl)diazenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 BISWHFCOHYEFQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXLFYNFOITWQPM-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-4-phenyldiazenylaniline Chemical compound C=1C=C(N=NC=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 VXLFYNFOITWQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Substances [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开实施例公开了一种量子点发光器件及量子点层图案化的方法，该量子点发光器件包括：基底；量子点层，位于基底上；量子点层包括发射不同颜色光的第一量子点单元、第二量子点单元和第三量子点单元，第一量子点单元、第二量子点单元和第三量子点单元在基底上的正投影互不交叠，且第一量子点单元的底面、第二量子点单元的底面和第三量子点单元的底面与基底表面之间的距离依次增大；其中，基底与第一量子点单元之间、第一量子点单元与第二量子点单元之间以及第二量子点单元与第三量子点单元之间均设置有：在基底上的正投影完全覆盖基底的偶氮苯化合物层，偶氮苯化合物层的偶氮苯化合物为反式结构。
Description
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种量子点发光器件及量子点层图案化的方法。
量子点(Quantum dots，QDs)，又名半导体纳米晶、半导体纳米颗粒，是指尺寸在空间三个维度上均处于纳米数量级或由它们作为基本单元构成的纳米固体材料，是在纳米尺度上的原子和分子的集合体。基于量子点材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)，是一种新型的发光器件。
发明内容
本公开实施例提供的一种量子点发光器件及量子点层图案化的方法，具体方案如下：
本公开实施例提供的一种量子点发光器件，包括：
基底；
量子点层，位于所述基底上；所述量子点层包括发射不同颜色光的第一量子点单元、第二量子点单元和第三量子点单元，所述第一量子点单元、所述第二量子点单元和所述第三量子点单元在所述基底上的正投影互不交叠，且所述第一量子点单元的底面、所述第二量子点单元的底面和所述第三量子点单元的底面与所述基底表面之间的距离依次增大；其中，
所述基底与所述第一量子点单元之间、所述第一量子点单元与所述第二量子点单元之间以及所述第二量子点单元与所述第三量子点单元之间均设置有：在所述基底上的正投影完全覆盖所述基底的偶氮苯化合物层，所述偶氮苯化合物层的偶氮苯化合物为反式结构。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，每一所述偶氮苯类化合物层的厚度为1nm～10nm。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，所述第三量子点单元的表面与最远离所述基底的所述偶氮苯化合物层的表面齐平设置。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，所述量子点层为量子点表面的配体发生交联之后的膜层。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，所述基底与所述第一量子点单元之间的所述偶氮苯化合物层为第一偶氮苯化合物层，所述量子点发光器件还包括：位于所述基底和所述第一偶氮苯化合物层之间的第一电极，位于所述第一电极和所述偶氮苯化合物层之间的第一发光功能层，位于所述量子点层背离所述基底一侧的第二发光功能层，以及位于所述第二发光功能层背离所述基底一侧的第二电极。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述第一发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层，所述第二发光功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述第一发光功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层，所述第二发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，当包括所述电子传输层时，所述电子传输层的材料包括氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌、氧化锡、氧化钛中的至少一种。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，当包括所述空穴传输层时，所述空穴传输层的材料包括CBP、NPB、TPD、氧化镍、氧化钨、氧化钼、氧化亚铜、氧化钒中的至少一种。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，所述基底的材 料为玻璃、聚酰亚胺或硅片，最靠近所述基底的所述偶氮苯类化合物层与所述基底直接接触。
相应地，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述任一项所述的量子点发光器件。
相应地，本公开实施例还提供了一种量子点层图案化的方法，包括：
在基底上形成反式结构的偶氮苯类化合物层；
在所述偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对所述量子点膜层的保留区域的量子点进行固化；
采用第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，使被照射的所述偶氮苯类化合物由反式结构转变为顺式结构，以完全去除所述保留区域之外的量子点，在所述保留区域形成图案化的量子点层。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，采用第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，具体包括：
采用所述第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行第一次显影，以去除所述保留区域之外的量子点；
采用所述第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行第二次显影，同时采用所述紫外光照射所述偶氮苯类化合物层。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，采用第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，具体包括：
采用所述第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，同时采用所述紫外光照射所述偶氮苯类化合物层。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，在所述偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对所述量子点膜层的保留区域的量子点进行固化，具体包括：
在所述偶氮苯类化合物层上形成具有可交联配体的量子点膜层；
采用预设波长的光照射所述保留区域的量子点，使所述保留区域的量子点表面的配体发生交联，以固化所述保留区域的量子点。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，所述可交联配体包括2-丙烯-1-硫醇、异戊烯基硫醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、1,6-己二醇二丙烯酸酯、二烯丙基硫醚中的至少一种。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，在所述偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对所述量子点膜层的保留区域的量子点进行固化，具体包括：
在所述偶氮苯类化合物层上形成具有光敏材料以及表面具有配体的量子点膜层；
采用预设波长的光照射所述保留区域的量子点；其中，在所述预设波长的光照射下，所述光敏材料或所述光敏材料在所述光照射后的生成物与所述量子点表面的配体发生反应，使所述配体从所述量子点表面脱落，以改变所述保留区域量子点的溶解性，使所述保留区域的量子点发生聚沉，以固化所述保留区域的量子点。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，所述量子点表面的配体包括油酸、油胺、三辛基膦、十二硫醇中的至少一种。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，所述光敏材料包括光生酸剂、烯烃类物质或炔烃类物质。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，所述在基底上形成反式结构的偶氮苯类化合物层，具体为：
采用旋涂、喷涂、刮涂或蒸镀的方式在所述基底上形成所述偶氮苯类化合物层。
可选地，在本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法中，所述采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，具体为：
采用所述紫外光从所述量子点膜层的一侧照射所述偶氮苯类化合物层。
相应地，本公开实施例还提供了一种量子点发光器件的制作方法，包括采用本公开实施例提供的上述任一项所述的量子点层图案化的方法在基底上形成量子点层。
可选地，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成所述量子点发光器件，具体包括：
在所述基底上采用构图工艺形成第一电极；
在所述第一电极上形成第一发光功能膜层；
在所述第一发光功能膜层上形成反式结构的偶氮苯类化合物层；
在所述偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对所述量子点膜层的保留区域的量子点进行固化；
采用第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，使被照射的所述偶氮苯类化合物由反式结构转变为顺式结构，以完全去除所述保留区域之外的量子点，在所述保留区域形成图案化的量子点层；
在所述量子点层上形成第二发光功能膜层；
在所述第二发光功能膜层上形成第二电极。
图1为本公开实施例提供的量子点发光器件的结构示意图；
图2为偶氮苯化合物受UV照射后顺反异构体的切换机理；
图3为偶氮苯化合物受UV照射后量子点发生拉升、滑动、滚动效果示意图；
图4为本公开实施例提供的正置结构的量子点发光器件的结构示意图；
图5为本公开实施例提供的倒置结构的量子点发光器件的结构示意图；
图6为本公开实施例提供的一种量子点层图案化方法的流程示意图；
图7A-图7T为本公开实施例提供的量子点层图案化方法中各制备步骤的结构示意图；
图8为可交联配体发生交联后形成的交联网络结构；
图9为绿色第二量子点单元的发射光谱图；
图10为蓝色第三量子点单元的发射光谱图；
图11为本公开实施例提供的一种量子点发光器件的制作方法的流程示意图；
图12为本公开实施例提供的显示装置的结构示意图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
目前，运用量子点的光刻图案化工艺制备高分辨率QLED已经成为一项重要的议题，但是目前量子点进行直接图案化的工艺中，容易在显影过程后 形成残留，造成全彩量子点显示中存在混色问题，降低QLED器件色纯度，最后导致显示面板色域的降低。
有鉴于此，本公开实施例提供了一种量子点发光器件，如图1所示，包括：
基底1；
量子点层2，位于基底1上；量子点层2包括发射不同颜色光的第一量子点单元21、第二量子点单元22和第三量子点单元23，第一量子点单元21、第二量子点单元22和第三量子点单元23在基底1上的正投影互不交叠，且第一量子点单元21的底面、第二量子点单元22的底面和第三量子点单元23的底面与基底1表面之间的距离(d1、d2、d3)依次增大；其中，
基底1与第一量子点单元21之间、第一量子点单元21与第二量子点单元22之间以及第二量子点单元22与第三量子点单元23之间均设置有：在基底1上的正投影完全覆盖基底1的偶氮苯化合物层(31、32和33)，偶氮苯化合物层(31、32和33)的偶氮苯化合物为反式结构。
本公开实施例提供的上述量子点发光器件，在制作图案化的第一量子点单元21之前、制作图案化的第二量子点单元22之前和制作图案化的第三量子点单元23之前，都需要分别旋涂一整层的量子点膜层，然后通过光刻图案化工艺制作各量子点单元，本公开通过在基底1与第一量子点单元21之间、第一量子点单元21与第二量子点单元22之间以及第二量子点单元22与第三量子点单元23之间均设置偶氮苯化合物层3，这样在旋涂第一量子点膜层之前、旋涂第二量子点膜层之前和旋涂第三量子点膜层之前，均可以先沉积一层偶氮苯化合物层3，然后通过光刻图案化工艺制作各量子点单元，由于光刻图案化工艺过程中在对需要保留的量子点单元进行光照之后需要采用显影工艺，本公开可以在显影的同时对偶氮苯化合物层进行紫外光照射，或先对量子点单元进行第一次显影，然后对量子点单元进行第二次显影，并在第二次显影的同时对偶氮苯化合物层进行紫外光照射，由于反式结构的偶氮苯化合物在紫外光(UV)照射下会发生顺反异构体切换的特性，即反式结构的偶氮 苯化合物变成顺式结构，如图2所示，图2为偶氮苯化合物受UV照射后顺反异构体的切换机理，在偶氮苯化合物异构体变换的过程中，会产生分子级的界面力F，使偶氮苯化合物层(以31为例)表面残留的量子点产生滑动、滚动或拉升，如图3所示，可以降低量子点(21)与偶氮苯化合物层31表面的粘附力，以完全去除保留区域之外的量子点，从而能够有效解决量子点层光刻显影过程中的残留问题，防止混色现象的产生，提高光刻图案化工艺制备量子点发光器件的性能。
具体的，如图2所示，在紫外光(UV)照射下，稳定的反式结构的偶氮苯化合物变成顺式结构；在紫外光撤去，即在室温(hv)情况下，顺式结构的偶氮苯化合物变成稳定的反式结构。
具体地，如图1所示，本公开实施例以第一量子点单元21发射的光的颜色、第二量子点单元22发射的光的颜色、第三量子点单元23发射的光的颜色分别为红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)。当然，本公开实施例提供的量子点层2还可以包括发射其它颜色光的量子点单元，例如黄色等，本公开实施例对此不做限定。
具体地，本公开实施例不限定偶氮苯化合物的材料，可以是偶氮苯、4-氨基偶氮苯、偶氮苯-4,4-二羧酸、4,4'-二羟偶氮苯、对二氨基偶氮苯、4-(苯偶氮)苯甲酸、4-苯偶氮基苯酚、4,4'-氧化偶氮苯甲醚、2-(对羟基苯偶氮)苯甲酸、4-甲氧基偶氮苯、4-(二乙氨基)偶氮苯、4,4'-双(己氧基)氧化偶氮苯、氧化偶氮苯、偶氮苯-3,3'-二羧酸、4-二甲氨基偶氮苯-4'-甲酸、4-(苯偶氮)二苯胺、偶氮苯-4,4'-二羰酰氯、4-苯偶氮苯甲酰氯、4-羟基偶氮苯-4'-磺酰钠水合物、4-(4-溴苯偶氮基)苯酚、3'-硝基-4-二甲氨基偶氮苯、4-氨基-4'-二甲基氨基偶氮苯、3,3'-二甲基偶氮苯、4-乙酰氨基-2',3-二甲基偶氮苯、4-(4-硝基苯偶氮)间苯二酚、2-氨基甲酰基-2-(苯偶氮基)乙脒、4-苯偶氮-1-萘胺、4-(2-噻唑基偶氮)间苯二酚、4-羟基-4'-二甲氨基偶氮苯、偶氮苯-4,4'-二甲酸二甲酯、4-(二甲氨基)-2-甲基偶氮苯、4-(4-二甲氨基苯偶氮)苯胂酸盐、4-苯偶氮硫代异氰酸酯、二甲氨基苯基偶氮苯磺酰-L-亮氨酸、4-(4-二乙氨基苯偶氮)吡啶、4,4'-二戊氧 基氧化偶氮苯等，及其偶氮苯衍生物等。
具体地，本公开实施例不限定量子点的材料，可以是CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl
3、CsPbBr
3、CsPhI
3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl
3/ZnS、CsPbBr
3/ZnS、CsPhI
3/ZnS等量子点。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图1所示，每一偶氮苯类化合物层(31、32和33)的厚度可以为1nm～10nm，该厚度下能够形成连续均一的膜层，能够很好的附着在基底1的表面，阻隔量子点与基底的直接接触，在量子点的显影过程中提供足够的界面力，除去残留量子点；膜层太薄不能形成连续的薄膜，使部分量子点与基底1直接接触，显影过程中难以去除；膜层太厚虽然可以形成完整的膜层，起到去除残留量子点的性能，但是过厚的膜层影响量子点发光器件中载流子的传输性能，进而影响量子点发光器件的性能。
需要说明的是，本公开实施例提供的量子点发光器件中的偶氮苯类化合物层的厚度设置在1nm～10nm范围内，膜层较薄，不会影响量子点层的发光性能。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图1所示，第三量子点单元23的表面与最远离基底1的偶氮苯化合物层33的表面齐平设置。这样在制作后续膜层时，可以保证后续膜层的平坦性，提高器件性能。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图1所示，量子点层2为量子点表面的配体发生交联之后的膜层。例如，采用光刻图案化工艺制作图案化的量子点单元时，量子点的表面具有在预设波长的光照射下可发生交联的配体，这样可以对量子点保留区域的量子点进行光照，其余区域采用掩膜版遮挡，被光照的量子点表面的配体发生交联，形成稳固的交联网络结构，不溶解于显影溶剂，而未被光照的量子点则被溶剂清洗掉，从而形成图案化的量子点，因此图案化的量子点层为量子点表面的配体发生交联之后的膜层。
当然，在采用光刻图案化工艺制作图案化的量子点单元时，可以旋涂具有光敏材料的量子点膜层，在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与量子点表面的配体发生反应，使配体从量子点表面脱落，以改变保留区域的量子点的溶解性，使保留区域的量子点发生聚沉，以固化保留区域的量子点。即量子点层还可以为量子点表面的配体脱落之后的膜层。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图4和图5所示，基底1与第一量子点单元21之间的偶氮苯化合物层为第一偶氮苯化合物层31，量子点发光器件还包括：位于基底1和第一偶氮苯化合物层31之间的第一电极4，位于第一电极4和第一偶氮苯化合物层31之间的第一发光功能层(5和5’)，位于量子点层2背离基底1一侧的第二发光功能层(6和6’)，以及位于第二发光功能层(6和6’)背离基底1一侧的第二电极7。
本公开实施例不限定量子点发光器件的结构，可以是正置结构器件，也可以是倒置结构器件。正置结构与倒置结构的区别在于膜层制作顺序不同，正置结构是在基底上依次形成阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、电子注入层和阴极，倒置结构是在基底上依次形成阴极、电子注入层、电子传输层、量子点层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图4所示，量子点发光器件为正置结构，即第一电极4为阳极，第二电极7为阴极，第一发光功能层5可以包括空穴注入层51、空穴传输层52、电子阻挡层中的至少一层，第二发光功能层6可以包括电子注入层61、电子传输层62、空穴阻挡层中的至少一层。本公开实施例图1示意第一发光功能层5包括空穴注入层51和空穴传输层52，第二发光功能层6包括电子注入层61和电子传输层62，当然可根据需要选择设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的哪几层。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图5所示，量子点发光器件为倒置结构，即第一电极4为阴极，第二电极7为阳极，第一发光功能层5’可以包括电子注入层51’、电子传输层52’、空穴阻挡 层中的至少一层，第二发光功能层6’包括空穴注入层61’、空穴传输层62’、电子阻挡层中的至少一层。本公开实施例图1示意第一发光功能层5’包括电子注入层51’、电子传输层52’，第二发光功能层6’包括空穴注入层61’、空穴传输层62’，当然可根据需要选择设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的哪几层。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图4和图5所示，当包括电子传输层(62、52’)时，电子传输层(62、52’)的材料可以包括但不限于氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌、氧化锡、氧化钛中的至少一种。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图4和图5所示，当包括空穴传输层(52、62’)时，空穴传输层(52、62’)的材料可以包括但不限于CBP、NPB、TPD、氧化镍、氧化钨、氧化钼、氧化亚铜、氧化钒中的至少一种。其中，CBP、NPB、TPD为有机空穴传输材料，氧化镍、氧化钨、氧化钼、氧化亚铜、氧化钒为无机空穴传输材料。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述量子点发光器件中，如图4和图5所示，基底1可以包括衬底基板、位于衬底基板上的驱动电路以及位于驱动电路上方的钝化层、平坦层等结构。
本公开实施例提供的图4和图5所示的量子点发光器件的出光方式可以为底出光，也可以为顶出光。具体地，出光方式为底出光还是顶出光，可以通过选择第一电极和第二电极的材料来进行设置。
具体地，图4和图5是以图1所示的量子点发光器件为电致发光器件为例的进一步具体结构，当然，本公开实施例提供的图1所示的量子点发光器件还可以为光致发光器件，这样最靠近基底1的偶氮苯类化合物层31与基底1直接接触，在光致发光器件中不限定基底1的材料，例如基底1的材料可以为玻璃、聚酰亚胺(PI)或硅片等。
在具体实施时，本公开实施例提供的量子点发光器件还可以包括本领域技术人员熟知的其它功能膜层，在此不做详述。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种量子点层图案化的方法，如图6所示，包括：
S601、在基底上形成反式结构的偶氮苯类化合物层；
S602、在偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对量子点膜层的保留区域的量子点进行固化；
S603、采用第一溶剂对固化后的量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射偶氮苯类化合物层，使被照射的偶氮苯类化合物由反式结构转变为顺式结构，以完全去除保留区域之外的量子点，在保留区域形成图案化的量子点层。
本公开实施例提供的上述量子点层图案化的方法，在形成量子点膜层之前，先沉积一层偶氮苯化合物层，然后通过光刻图案化工艺制作图案化的量子点层，在显影的时对偶氮苯化合物层进行紫外光照射，反式结构的偶氮苯化合物在紫外光照射下会发生顺反异构体切换的特性，即反式结构的偶氮苯化合物变成顺式结构，在偶氮苯化合物异构体变换的过程中，会产生分子级的界面力，使偶氮苯化合物层表面残留的量子点产生滑动、滚动或拉升，可以降低量子点与偶氮苯化合物层表面的粘附力，以完全去除保留区域之外的量子点，从而能够有效解决量子点层光刻显影过程中的残留问题，防止混色现象的产生，提高光刻图案化工艺制备量子点发光器件的性能。
需要说明的是，本公开实施例主要以图5所示的倒置结构的发光器件为例对量子点层图案化的方法进行详细说明，当然本公开实施例也适用于正置结构中量子点层图案化的方法。
为了实现全彩显示，量子点层一般包括不同颜色的图案化的量子点单元，本公开实施例以量子点层包括第一量子点单元、第二量子点单元和第三量子点单元为例，结合附图详细介绍本公开实施例提供的量子点层图案化的方法。
制备量子点溶液，以量子点为CdSe为例，分别制备不同颜色的第一量子点溶液、第二量子点溶液和第三量子点溶液。具体地，可以通过但不限于溶液相合成法、水热法、溶剂热法等方法形成CdSe量子点，CdSe量子点表面的配体可以包括油酸、油胺、三辛基膦、十二硫醇中的至少一种。
以上述制得的量子点CdSe表面的配体为油酸为例，由于油酸无法发生交联，因此需要将油酸配体置换成可交联的配体，例如2-丙烯-1-硫醇配体，制备表面具有2-丙烯-1-硫醇配体的量子点工艺如下：
CdSe量子点配体交换过程需在氮气环境保护下进行，实验过程中使用无水无氧超干溶剂。使用旋转蒸发仪将油酸配体量子点(30mg/mL，5mL)溶剂除去，并用5mL氯仿重新溶解，加入到配有磁力搅拌的20mL回流瓶中，升温至65℃，将2-丙烯-1-硫醇配体0.5g的氯仿溶液5mL分3次缓慢滴加至量子点溶液中，每次间隔1h，最后再回流1h，结束反应，冷却至室温。向反应体系加入适量丙酮，量子点沉降，离心，沉淀用甲苯溶解，再用丙酮/甲苯循环处理3次，洗净量子点表面残留的油酸和未修饰的配体等。得到具有2-丙烯-1-硫醇配体的量子点CdSe，并放入冰箱0-5℃保存。使用前加入1-5％的光引发剂二苯甲酮混合均匀。
具体地，如图7A所示，提供一基底1，并对基底1进行清洗并吹干；该基底1可以包括衬底基板、位于衬底基板上的驱动电路以及位于驱动电路上方的钝化层、平坦层等结构。
如图7B所示，在基底1上形成第一电极4、电子注入层51’，然后通过旋涂(sputter)或溶胶-凝胶法(sol-gel)在基底1上沉积电子传输层52’；本公开仅示意在基底上1的电子传输层52’。电子传输层52’的材料可以为ZnO。
如图7C所示，在电子传输层材料52’上采用旋涂、喷涂、刮涂或蒸镀的方式沉积一层反式结构的偶氮苯类化合物层31，偶氮苯类化合物的结构如图2左侧所示，偶氮苯类化合物层31的厚度例如为5nm，旋涂的偶氮苯类化合物层31的溶液中的溶剂为氯仿，溶液浓度为15mg/L，旋涂转速为3000r/min。
如图7D所示，在偶氮苯类化合物层31上形成具有可交联配体的第一量子点膜层21’，可交联配体为2-丙烯-1-硫醇配体。
如图7E所示，采用预设波长的光(紫外光，图中箭头方向所示)照射第一量子点保留区域A1的第一量子点，第一量子点保留区域A1对应后续需要形成第一量子点单元21的区域，使第一保留区域A1的第一量子点表面的配 体发生交联，以固化第一保留区域A1的第一量子点；曝光时长可以为30s，曝光强度可以为1-50mw/cm
-2；在具体实施时，在本公开实施例提供的上述图案化的方法中，可以采用紫外光照射第一量子点膜层21’，在照射第一量子点膜层21’时，可以采用掩膜版8遮挡第一量子点膜层21’，掩膜版8包括透光区域81和遮光区域82，透光区域81对应第一量子点膜层21’中接受光照射的第一量子点保留区域A1。
如图7F所示，采用第一溶剂(甲苯、氯仿，体积比3:1)对固化后的第一量子点膜层21’进行第一次显影，第一量子点膜层21’中未被紫外光照射的区域内的第一量子点溶解于第一溶剂被清洗掉，而第一量子点保留区域A1内的第一量子点表面的2-丙烯-1-硫醇配体发生交联，形成稳定的交联网络结构，不溶解于第一溶剂，形成图案化的第一量子点单元21，交联网络结构如图8所示，QD表示量子点。
具体地，如图7F所示，由于在第一次显影的过程中，在第一保留区域A1之外的区域易产生第一量子点的残留(01表示残留的第一量子点)，如图7G所示，采用第一溶剂对固化后的第一量子点膜层21’进行第二次显影，同时采用紫外光(箭头所示)从第一量子点膜层21’的一侧照射偶氮苯类化合物层31，反式结构的偶氮苯化合物变成顺式结构，如图2所示，在偶氮苯化合物异构体变换的过程中，会产生分子级的界面力F，使偶氮苯化合物层31表面残留的量子点产生滑动、滚动或拉升，如图3所示，可以降低残留的第一量子点01与偶氮苯化合物层31表面的粘附力，以完全去除第一保留区域A1之外的残留的第一量子点01，如图7H所示。
需要说明的是，采用紫外光(箭头所示)照射偶氮苯类化合物层31时，由于第一保留区域A1的第一量子点单元21可以起到遮挡作用，因此第一保留区域A1下方的偶氮苯化合物层31不会发生顺反异构体变化，因此第一保留区域A1的第一量子点单元21不会被显影掉。
需要说明的是，由于本公开实施例提供的第一量子点材料的溶剂为甲苯、氯仿，因此可以采用甲苯、氯仿清洗被预设波长的光照射后的第一量子点膜 层21’，当然溶剂还可以是氯苯、四氢呋喃、正己烷、正庚烷、正辛烷的一种或多种混合溶剂。
需要说明的是，本公开实施例在对光照之后的第一量子点采用两次显影工艺，并在第二次显影时同时采用紫外光照射偶氮苯化合物层，当然也可以采用一次显影工艺，具体为：采用第一溶剂对固化后的第一量子点膜层进行显影，并同时采用紫外光照射偶氮苯类化合物层。
具体地，上述量子点表面的可交联配体不限于2-丙烯-1-硫醇，还可以包括异戊烯基硫醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、1,6-己二醇二丙烯酸酯、二烯丙基硫醚中的至少一种。
需要说明的是本公开实施例是以发生交联反应的方式固化量子点为例，当然，也可以采用如下方式固化量子点，具体为：
在偶氮苯类化合物层上形成具有光敏材料以及表面具有配体的第一量子点膜层；采用预设波长(例如紫外光)的光照射第一保留区域的第一量子点；其中，在预设波长的光照射下，光敏材料或光敏材料在光照射后的生成物与第一量子点表面的配体发生反应，使配体从第一量子点表面脱落，以改变第一保留区域内第一量子点的溶解性，使第一保留区域的第一量子点发生聚沉，以固化第一保留区域的第一量子点。
具体地，上述能够发生脱落的配体可以包括但不限于油酸、油胺、三辛基膦、十二硫醇中的至少一种。
具体地，上述光敏材料可以包括光致生酸剂、烯烃类物质或炔烃类物质。具体地，当光敏材料为光致生酸剂时，光致生酸剂在紫外光的照射下产生氢离子，氢离子与第一量子点表面的配体结合，使配体从第一量子点表面脱落，没有配体的第一量子点的溶解性与具有配体的第一量子点的溶解性不同，从而可以使第一保留区域A1内没有配体的第一量子点发生聚沉，从而固化第一保留区域A1的第一量子点。当光敏材料为烯烃类物质或炔烃类物质时，烯烃类物质和炔烃类物质可以直接与第一量子点表面的配体结合，使配体从第一量子点表面脱落，从而实现固化第一保留区域A1的第一量子点。
可选地，光致生酸剂可以包括硫鎓盐类、三嗪类、磺酸酯类、重氮盐类至少其中之一。
具体地，硫鎓盐类可以为六氟锑酸三苯基硫鎓盐等，三嗪类可以为(4，6)-二(三氯甲基)-1，3，5三嗪衍生物等，磺酸酯类可以为N-对甲苯磺酰氧邻苯二甲酰亚胺等，重氮盐类可以为重氮氟硼酸盐等。
接着，如图7I所示，在第一量子点单元21上采用旋涂、喷涂、刮涂或蒸镀的方式沉积一层反式结构的偶氮苯类化合物层32，偶氮苯类化合物的结构如图2左侧所示，偶氮苯类化合物层32的厚度例如为5nm，旋涂的偶氮苯类化合物层32的溶液中的溶剂为甲苯、氯仿，溶液浓度为15mg/L，旋涂转速为3000r/min。
如图7J所示，在偶氮苯类化合物层32上形成具有可交联配体的第二量子点膜层22’，可交联配体为2-丙烯-1-硫醇配体。
如图7K所示，采用预设波长的光(紫外光，图中箭头方向所示)照射第二量子点保留区域A2的第二量子点，第二量子点保留区域A2对应后续需要形成第二量子点单元22的区域，使第二保留区域A2的第二量子点表面的配体发生交联，以固化第二保留区域A2的第二量子点；在具体实施时，在本公开实施例提供的上述图案化的方法中，可以采用紫外光照射第二量子点膜层22’，在照射第二量子点膜层22’时，可以采用掩膜版8遮挡第二量子点膜层22’，掩膜版8包括透光区域81和遮光区域82，透光区域81对应第二量子点膜层22’中接受光照射的第二量子点保留区域A2。
如图7L所示，采用第一溶剂(甲苯、氯仿，体积比3:1)对固化后的第二量子点膜层22’进行第一次显影，第二量子点膜层22’中未被紫外光照射的区域内的第二量子点溶解于第一溶剂被清洗掉，而第二量子点保留区域A2内的第二量子点表面的2-丙烯-1-硫醇配体发生交联，形成稳定的交联网络结构，不溶解于第一溶剂，形成图案化的第二量子点单元22，交联网络结构如图8所示，QD表示量子点。
具体地，如图7L所示，由于在第一次显影的过程中，在第二保留区域 A2之外的区域易产生第二量子点的残留(02表示残留的第二量子点)，如图7M所示，采用第一溶剂对固化后的第二量子点膜层22’进行第二次显影，同时采用紫外光(箭头所示)从第二量子点膜层22’的一侧照射偶氮苯类化合物层32，反式结构的偶氮苯化合物变成顺式结构，如图2所示，在偶氮苯化合物异构体变换的过程中，会产生分子级的界面力F，使偶氮苯化合物层32表面残留的量子点产生滑动、滚动或拉升，如图3所示，可以降低残留的第二量子点02与偶氮苯化合物层32表面的粘附力，以完全去除第二保留区域A2之外的残留的第二量子点01，如图7N所示。
需要说明的是，采用紫外光(箭头所示)照射偶氮苯类化合物层32时，由于第二保留区域A2的第二量子点单元22可以起到遮挡作用，因此第二保留区域A2下方的偶氮苯化合物层32不会发生顺反异构体变化，因此第二保留区域A2的第二量子点单元22不会被显影掉。
需要说明的是，由于本公开实施例提供的第二量子点材料的溶剂为甲苯、氯仿，因此可以采用甲苯、氯仿清洗被预设波长的光照射后的第二量子点膜层22’，当然溶剂还可以是氯苯、四氢呋喃、正己烷、正庚烷、正辛烷的一种或多种混合溶剂。
接着，如图7O所示，在第二量子点单元22上采用旋涂、喷涂、刮涂或蒸镀的方式沉积一层反式结构的偶氮苯类化合物层33，偶氮苯类化合物的结构如图2左侧所示，偶氮苯类化合物层33的厚度例如为5nm，旋涂的偶氮苯类化合物层33的溶液中的溶剂为甲苯、氯仿，溶液浓度为15mg/L，旋涂转速为3000r/min。
如图7P所示，在偶氮苯类化合物层33上形成具有可交联配体的第三量子点膜层23’，可交联配体为2-丙烯-1-硫醇配体。
如图7Q所示，采用预设波长的光(紫外光，图中箭头方向所示)照射第三量子点保留区域A3的第三量子点，第三量子点保留区域A3对应后续需要形成第三量子点单元23的区域，使第三保留区域A3的第三量子点表面的配体发生交联，以固化第三保留区域A3的第三量子点；在具体实施时，在本公 开实施例提供的上述图案化的方法中，可以采用紫外光照射第三量子点膜层23’，在照射第三量子点膜层23’时，可以采用掩膜版8遮挡第三量子点膜层23’，掩膜版8包括透光区域81和遮光区域82，透光区域81对应第三量子点膜层23’中接受光照射的第三量子点保留区域A3。
如图7R所示，采用第一溶剂(甲苯、氯仿)对固化后的第三量子点膜层23’进行第一次显影，第三量子点膜层23’中未被紫外光照射的区域内的第三量子点溶解于第一溶剂被清洗掉，而第三量子点保留区域A3内的第三量子点表面的2-丙烯-1-硫醇配体发生交联，形成稳定的交联网络结构，不溶解于第一溶剂，形成图案化的第三量子点单元23，交联网络结构如图8所示，QD表示量子点。
具体地，如图7R所示，由于在第一次显影的过程中，在第三保留区域A3之外的区域易产生第三量子点的残留(03表示残留的第三量子点)，如图7S所示，采用第一溶剂对固化后的第三量子点膜层23’进行第二次显影，同时采用紫外光(箭头所示)从第三量子点膜层23’的一侧照射偶氮苯类化合物层33，反式结构的偶氮苯化合物变成顺式结构，如图2所示，在偶氮苯化合物异构体变换的过程中，会产生分子级的界面力F，使偶氮苯化合物层32表面残留的量子点产生滑动、滚动或拉升，如图3所示，可以降低残留的第三量子点03与偶氮苯化合物层33表面的粘附力，以完全去除第三保留区域A3之外的残留的第三量子点03，如图7T所示。
需要说明的是，采用紫外光(箭头所示)照射偶氮苯类化合物层33时，由于第三保留区域A3的第三量子点单元23可以起到遮挡作用，因此第三保留区域A3下方的偶氮苯化合物层33不会发生顺反异构体变化，因此第三保留区域A3的第三量子点单元23不会被显影掉。
需要说明的是，由于本公开实施例提供的第三量子点材料的溶剂为甲苯、氯仿，因此可以采用甲苯、氯仿清洗被预设波长的光照射后的第三量子点膜层23’，当然溶剂还可以是氯苯、四氢呋喃、正己烷、正庚烷、正辛烷的一种或多种混合溶剂。
因此采用图7A-图7T所示的步骤形成本公开实施例提供的图案化的量子点层2。
在一种可能的实施方式中，本公开实施例提供的上述制作第一量子点单元、第二量子点单元和第三量子点单元，可以采用同一种波长的紫外光照射第一量子点保留区域、第二量子点保留区域和第三量子点保留区域。当然也可以采用H线的光照射第一量子点保留区域，形成发射红颜色光的第一量子点单元，H线的波长为405nm；可以采用I线的光照射第二量子点保留区域，形成发射绿颜色光的第二量子点单元，I线的波长为365nm；可以采用G线的光照射量子点保留区域，形成发射蓝颜色光的第三量子点单元，G线的波长为436nm。
下面对在不同电子传输层(ZnO)表面旋涂镉系量子点(CdSe)显影后测试残留镉元素数据，为保证实验数据的可靠性，每组实验设计4片平行样品，如下表1所示。
表1
通过表1数据结果可以看出在ZnO的表面制备一层10nm的偶氮苯化合物层，涂覆量子点显影过程中，对基底表面施加365nm UV照射，使偶氮苯 化合物构型变化，产生界面力，在界面力的作用下，残留量子点显著下降，相较于未使用偶氮苯化合物处理的ZnO表面量子点残留量下降了3个数量级。
如图9所示，图9为绿色的第二量子点单元的发射光谱图，即在红色的第一量子点单元制作完之后，基底表面旋涂沉积绿色的第二量子点，并使用荧光光谱仪检测第二量子点发射光谱，可以看出无红色的第一量子点单元发射残留峰，说明本公开实施例提供的量子点层图案化方法能够有效解决量子点光刻图案化工艺过程中的残留问题。
如图10所示，图10为蓝色的第三量子点单元的发射光谱图，即在红色的第一量子点单元和绿色的第二量子点单元制作完之后，基底表面旋涂沉积蓝色的第三量子点，并使用荧光光谱仪检测第三量子点发射光谱，可以看出无红色的第一量子点单元和无绿色的第二量子点单元发射残留峰，说明本公开实施例提供的量子点层图案化方法能够有效解决量子点光刻图案化工艺过程中的残留问题。
在具体实施时，本公开实施例中第一量子点单元发射的光的颜色、第二量子点单元发射的光的颜色、第三量子点单元发射的光的颜色分别为红色、绿色、蓝色，这样本公开实施例通过以上图案化的方法完成了全彩量子点的图案化过程，并且解决了不同颜色的量子点发生混色的问题，提高了量子点发光器件的发光性能。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种量子点发光器件的制作方法，其中，包括采用本公开实施例提供的前述量子点层图案化的方法在基底上形成量子点层。
在具体实施时，形成上述量子点发光器件，如图11所示，具体可以包括：
S1101、在基底上采用构图工艺形成第一电极；
S1102、在第一电极上形成第一发光功能膜层；
S1103、在第一发光功能膜层上形成反式结构的偶氮苯类化合物层；
S1104、在偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对量子点膜层的保留区域的量子点进行固化；
S1105、采用第一溶剂对固化后的量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射偶氮苯类化合物层，使被照射的偶氮苯类化合物由反式结构转变为顺式结构，以完全去除保留区域之外的量子点，在保留区域形成图案化的量子点层；
S1106、在量子点层上形成第二发光功能膜层；
S1107、在第二发光功能膜层上形成第二电极。
在具体实施时，本公开具体实施例提供的上述步骤S1101、S1102、S1106和S1507的具体方法与现有技术相同，在此不做赘述；上述步骤S1103、S1104和S1105与上述步骤S601、S602和S603类似，在此不做赘述。
在具体实施时，本公开实施例在制作完成第二电极后，还包括量子点发光器件的封装过程、切割过程，以及绑定(bonding)过程，这些过程均与现有技术相同，在此不做赘述。
本公开实施例提供的量子点发光器件的结构，可以是正置结构器件，也可以是倒置结构器件。当量子点发光器件为正置结构时，第一电极为阳极，第二电极为阴极，第一发光功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层，第二发光功能层可以包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层。可根据需要选择设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的哪几层。当量子点发光器件为倒置结构时，第一电极为阴极，第二电极为阳极，第一发光功能层可以包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层，第二发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层。可根据需要选择设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的哪几层。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述量子点发光器件。该显示装置解决问题的原理与前述量子点发光器件相似，因此该显示装置的实施可以参见前述量子点发光器件的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，本公开实施例提供的上述显示装置可以为有机发光显示装 置或液晶显示装置。
在具体实施时，本公开实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。
在具体实施时，本公开实施例提供的上述显示装置可以为如图12所示的全面屏的手机。
当然，本公开实施例提供的上述显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
在具体实施时，本公开实施例提供的显示装置还可以包括本领域技术人员熟知的其它功能性膜层，在此不做详述。
本公开实施例提供的一种量子点发光器件、量子点层图案化的方法，在制作图案化的第一量子点单元之前、制作图案化的第二量子点单元之前和制作图案化的第三量子点单元之前，都需要分别旋涂一整层的量子点膜层，然后通过光刻图案化工艺制作各量子点单元，本公开通过在基底与第一量子点单元之间、第一量子点单元与第二量子点单元之间以及第二量子点单元与第三量子点单元之间均设置偶氮苯化合物层，这样在旋涂第一量子点膜层之前、旋涂第二量子点膜层之前和旋涂第三量子点膜层之前，均可以先沉积一层偶氮苯化合物层，然后通过光刻图案化工艺制作各量子点单元，由于光刻图案化工艺过程中在对需要保留的量子点单元进行光照之后需要采用显影工艺，本公开可以在显影的同时对偶氮苯化合物层进行紫外光照射，或先对量子点单元进行第一次显影，然后对量子点单元进行第二次显影，并在第二次显影的同时对偶氮苯化合物层进行紫外光照射，由于反式结构的偶氮苯化合物在紫外光照射下会发生顺反异构体切换的特性，即反式结构的偶氮苯化合物变成顺式结构，在偶氮苯化合物异构体变换的过程中，会产生分子级的界面力，使偶氮苯化合物层表面残留的量子点产生滑动、滚动或拉升，可以降低量子点与偶氮苯化合物层表面的粘附力，以完全去除保留区域之外的量子点，从 而能够有效解决量子点层光刻显影过程中的残留问题，防止混色现象的产生，提高光刻图案化工艺制备量子点发光器件的性能。
显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (23)
- 一种量子点发光器件，其中，包括：基底；量子点层，位于所述基底上；所述量子点层包括发射不同颜色光的第一量子点单元、第二量子点单元和第三量子点单元，所述第一量子点单元、所述第二量子点单元和所述第三量子点单元在所述基底上的正投影互不交叠，且所述第一量子点单元的底面、所述第二量子点单元的底面和所述第三量子点单元的底面与所述基底表面之间的距离依次增大；其中，所述基底与所述第一量子点单元之间、所述第一量子点单元与所述第二量子点单元之间以及所述第二量子点单元与所述第三量子点单元之间均设置有：在所述基底上的正投影完全覆盖所述基底的偶氮苯化合物层，所述偶氮苯化合物层的偶氮苯化合物为反式结构。
- 如权利要求1所述的量子点发光器件，其中，每一所述偶氮苯类化合物层的厚度为1nm～10nm。
- 如权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述第三量子点单元的表面与最远离所述基底的所述偶氮苯化合物层的表面齐平设置。
- 如权利要求1所述的量子点发光器件，其中，所述量子点层为量子点表面的配体发生交联之后的膜层。
- 如权利要求1-4任一项所述的量子点发光器件，其中，所述基底与所述第一量子点单元之间的所述偶氮苯化合物层为第一偶氮苯化合物层，所述量子点发光器件还包括：位于所述基底和所述第一偶氮苯化合物层之间的第一电极，位于所述第一电极和所述偶氮苯化合物层之间的第一发光功能层，位于所述量子点层背离所述基底一侧的第二发光功能层，以及位于所述第二发光功能层背离所述基底一侧的第二电极。
- 如权利要求5所述的量子点发光器件，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述第一发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、 电子阻挡层中的至少一层，所述第二发光功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层。
- 如权利要求5所述的量子点发光器件，其中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述第一发光功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层，所述第二发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层。
- 如权利要求6或7所述的量子点发光器件，其中，当包括所述电子传输层时，所述电子传输层的材料包括氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌、氧化锡、氧化钛中的至少一种。
- 如权利要求6或7所述的量子点发光器件，其中，当包括所述空穴传输层时，所述空穴传输层的材料包括CBP、NPB、TPD、氧化镍、氧化钨、氧化钼、氧化亚铜、氧化钒中的至少一种。
- 如权利要求1-4任一项所述的量子点发光器件，其中，所述基底的材料为玻璃、聚酰亚胺或硅片，最靠近所述基底的所述偶氮苯类化合物层与所述基底直接接触。
- 一种显示装置，其中，包括如权利要求1-10任一项所述的量子点发光器件。
- 一种量子点层图案化的方法，其中，包括：在基底上形成反式结构的偶氮苯类化合物层；在所述偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对所述量子点膜层的保留区域的量子点进行固化；采用第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，使被照射的所述偶氮苯类化合物由反式结构转变为顺式结构，以完全去除所述保留区域之外的量子点，在所述保留区域形成图案化的量子点层。
- 如权利要求12所述的量子点层图案化的方法，其中，采用第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射所述偶氮苯类化合 物层，具体包括：采用所述第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行第一次显影，以去除所述保留区域之外的量子点；采用所述第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行第二次显影，同时采用所述紫外光照射所述偶氮苯类化合物层。
- 如权利要求12所述的量子点层图案化的方法，其中，采用第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，具体包括：采用所述第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，同时采用所述紫外光照射所述偶氮苯类化合物层。
- 如权利要求12所述的量子点层图案化的方法，其中，在所述偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对所述量子点膜层的保留区域的量子点进行固化，具体包括：在所述偶氮苯类化合物层上形成具有可交联配体的量子点膜层；采用预设波长的光照射所述保留区域的量子点，使所述保留区域的量子点表面的配体发生交联，以固化所述保留区域的量子点。
- 如权利要求15所述的量子点层图案化的方法，其中，所述可交联配体包括2-丙烯-1-硫醇、异戊烯基硫醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、1,6-己二醇二丙烯酸酯、二烯丙基硫醚中的至少一种。
- 如权利要求12所述的量子点层图案化的方法，其中，在所述偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对所述量子点膜层的保留区域的量子点进行固化，具体包括：在所述偶氮苯类化合物层上形成具有光敏材料以及表面具有配体的量子点膜层；采用预设波长的光照射所述保留区域的量子点；其中，在所述预设波长的光照射下，所述光敏材料或所述光敏材料在所述光照射后的生成物与所述量子点表面的配体发生反应，使所述配体从所述量子点表面脱落，以改变所 述保留区域量子点的溶解性，使所述保留区域的量子点发生聚沉，以固化所述保留区域的量子点。
- 如权利要求17所述的量子点层图案化的方法，其中，所述量子点表面的配体包括油酸、油胺、三辛基膦、十二硫醇中的至少一种。
- 如权利要求17所述的量子点层图案化的方法，其中，所述光敏材料包括光生酸剂、烯烃类物质或炔烃类物质。
- 如权利要求12所述的量子点层图案化的方法，其中，所述在基底上形成反式结构的偶氮苯类化合物层，具体为：采用旋涂、喷涂、刮涂或蒸镀的方式在所述基底上形成所述偶氮苯类化合物层。
- 如权利要求12所述的量子点层图案化的方法，其中，所述采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，具体为：采用所述紫外光从所述量子点膜层的一侧照射所述偶氮苯类化合物层。
- 一种量子点发光器件的制作方法，其中，包括采用如权利要求12-21任一项所述的量子点层图案化的方法在基底上形成量子点层。
- 如权利要求22所述的制作方法，其中，形成所述量子点发光器件，具体包括：在所述基底上采用构图工艺形成第一电极；在所述第一电极上形成第一发光功能膜层；在所述第一发光功能膜层上形成反式结构的偶氮苯类化合物层；在所述偶氮苯类化合物层上形成量子点膜层，并对所述量子点膜层的保留区域的量子点进行固化；采用第一溶剂对固化后的所述量子点膜层进行显影，并采用紫外光照射所述偶氮苯类化合物层，使被照射的所述偶氮苯类化合物由反式结构转变为顺式结构，以完全去除所述保留区域之外的量子点，在所述保留区域形成图案化的量子点层；在所述量子点层上形成第二发光功能膜层；在所述第二发光功能膜层上形成第二电极。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2022/082776 WO2023178604A1 (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 量子点发光器件及量子点层图案化的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117136639A true CN117136639A (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=88099563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280000531.3A Pending CN117136639A (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 量子点发光器件及量子点层图案化的方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117136639A (zh) |
| WO (1) | WO2023178604A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9964539B2 (en) * | 2012-07-06 | 2018-05-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Analysis device and analysis method |
| CN109148673A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点薄膜、量子点发光组件及显示装置 |
| CN113861960B (zh) * | 2020-06-15 | 2024-04-23 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点复合材料、量子点发光二极管及其及其制备方法 |
| CN113921742A (zh) * | 2020-07-09 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置 |
| CN114133925B (zh) * | 2021-11-26 | 2024-02-02 | 北京京东方技术开发有限公司 | 一种量子点膜层、显示装置和量子点膜层的制备方法 |
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2022
- 2022-03-24 CN CN202280000531.3A patent/CN117136639A/zh active Pending
- 2022-03-24 WO PCT/CN2022/082776 patent/WO2023178604A1/zh unknown
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| Publication number | Publication date |
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| WO2023178604A1 (zh) | 2023-09-28 |
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