CN117134603A - 一种基于jfet的高压启动电路、电源转换器及电源芯片 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于JFET的高压启动电路、电源转换器及电源芯片，属于开关电源技术领域，本发明设计的一种新的高压启动电路结构，能满足更多场景下使用的要求，有更宽的电压输入范围和更高的电压输入值。可用于通信用电，工业用电等各种场景为各种不同功能的电路供电。本发明采用基于JFET晶体管来实现大电阻的作用来用作电路的降压电路，占用的昂贵的芯片面积较小，节约了成本，提高了产品竞争力，减小了电路待机时的功耗。

Description

一种基于JFET的高压启动电路、电源转换器及电源芯片

技术领域

本发明涉及开关电源技术领域，尤其涉及一种基于JFET的高压启动电路、电源转换器及电源芯片。

背景技术

在当代，需要电源供给的情况无处不在，而在工业和通信领域，输入通常是非常高的电压，如果此时需要供电，则经常会使用到高压启动电路来提供一个稳定的电压，因为即使是开关电源变换器本身在启动过程中也需要供电，所以高压启动电路至关重要。高压启动电路现在正在朝具有更小的功耗，更宽范围的输入电压，以及更高的功率密度的方向发展。

宽输入指在对高输入电压源或会发生高电压瞬变的输入电源进行电压调节，从而更大限度地减少对外部浪涌抑制元件的需求。宽输入表明控制器需要承受较高的输入电压，电路中的预降压处理实现这一要求，具有高压特性的功率器件同时承担耐高压和提供大电流的作用。现有的DC转DC电路当中，存在输入电压不够宽广、转换效率低、发热严重、占用芯片面积大等弊端。

现有技术中，如CN103000626B所公开的一种合成结构的高压器件及启动电路通过合成的高压器件结构，节省芯片的面积，降低芯片的成本，芯片正常工作后启动电路关闭，提高了电源系统的转换效率。

但其输入电压仍然不够宽，转换效率较低，占用芯片面积较大。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于JFET的高压启动电路、电源转换器及电源芯片。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

第一方面本发明提供一种基于JFET的高压启动电路，包括降压电路，钳位电路，基准和偏置电路，电压调节模块，输出电路；所述降压电路与外部输入电路连接，所述钳位电路与所述降压电路连接，所述电压调节模块与所述降压电路及所述钳位电路连接，所述基准和偏置电路与所述电压调节模块连接，所述输出电路与所述电压调节模块连接，所述降压电路包括两个串联的JFET晶体管，利用JFET晶体管反偏或夹断产生的电阻实现大电阻，能够降低启动电路的功耗，增大启动电路的电压输入范围。

优选的，所述降压电路包括第一N型JFET晶体管、第二N型JFET晶体管、第一电阻、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一N型JFET晶体管的漏极与所述输入电路、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一N型JFET晶体管的栅极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端连接，所述第一N型JFET晶体管的源极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二N型JFET晶体管的栅极与所述第一电阻的第二端、所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路、所述输出电路连接；第一N型JFET晶体管的栅极接到第二个NJFET的源极后面，使栅极能有一定的电压，满足栅源，栅漏接反向偏压实现大电阻，且不完全丧失夹断；第二N型JFET晶体管的栅极接第一电阻第二端，使栅源，栅漏反向偏压代替大电阻的作用，在第二N型JFET晶体管源极后面加一个电阻可以抬高第二N型JFET晶体管源极的电压，使得其阻值增大，降低高压启动电路输入消耗的功耗。

优选的，所述降压电路包括第一N型JFET晶体管、第二N型JFET晶体管、第一电阻、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一N型JFET晶体管的漏极与所述输入电路、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一N型JFET晶体管的栅极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端连接，所述第一N型JFET晶体管的源极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二N型JFET晶体管的栅极与地连接，所述第一电阻的第二端与所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路、所述输出电路连接，所述第二N型JFET晶体管的栅极接地，用于调节第二N型JFET晶体管的栅源电压，使得栅源电压的调节范围更广。

优选的，所述的降压电路包括第一P型JFET晶体管、第二P型JFET晶体管、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一P型JFET晶体管的源极与所述输入电路、所述第一P型JFET晶体管的栅极、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一P型JFET晶体管的漏极与所述第二P型JFET晶体管的源极、所述第二P型JFET晶体管的栅极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二P型JFET晶体管与所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路连接。

优选的，所述的钳位电路包括第二齐纳二极管、至少一个第三齐纳二极管、第二N型高压MOS场效应管；所述第二齐纳二极管的正端与所述降压电路、所述第二N型高压MOS场效应管的栅极连接，所述第二齐纳二极管的负端与所述第三齐纳二极管的正端连接，所述第三齐纳二极管的负端与地连接，所述第二N型高压MOS场效应管的漏极与所述降压电路、所述输出电路连接，所述第二N型高压MOS场效应管的源极与所述电压调节模块连接；所述第二N型高压MOS场效应管起源跟随器的作用，使得源极电压跟随栅极电压。

优选的，所述的基准和偏置电路的第一端与所述的电压调节模块的正向输入端连接，所述的基准和偏置的电路的第二端与所述的电压调节模块的第二输出端连接，所述的电压调节模块的第一输入端与所述的钳位电路连接，所述的电压调节模块的第一输出端与所述的输出电路连接，所述的电压调节模块的负向输入端与所述的电压调节模块的第三输出端连接。

优选的，所述的输出电路包括第三N型高压MOS场效应管、第四齐纳二极管、第五齐纳二极管、第六齐纳二极管、第一电容；所述第三N型高压MOS场效应管的栅极与所述的电压调节模块连接，所述的第三N型高压MOS场效应管的漏极与所述的降压电路、所述的钳位电路连接，所述的第三N型高压MOS场效应管的源极与所述的电压调节模块、所述的第四齐纳二极管的正端、所述的第一电容的第一端、输出端连接，所述的第四齐纳二极管的负端与所述的第五齐纳二极管的正端连接，所述的第五齐纳二极管的负端与所述的第六齐纳二极管的正端连接，所述的第六齐纳二极管的负端与所述的第一电容的第二端、地连接。

本发明第二方面提供一种电源转换器的电源芯片，包括上述的基于JFET的高压启动电路。

本发明第三方面提供一种电源转换器，包括上述的电源转换器的电源芯片。

本发明的有益效果是：

1）使用JFET代替大电阻节省了芯片的设计面积，降低启动电路的功耗，节约成本，提高了产品竞争力，减小了电路待机时的功耗。

2）串联两个JFET晶体管，利用JFET晶体管反偏夹断产生的电阻，增大启动电路的电压输入范围，具有宽输入范围和高电压输入工作的优点。

附图说明

图1为本发明提供的一种高压启动电路的框架连接图；

图2为本发明提供的一种NJFET宽输入高压启动电路的电路原理图；

图3为本发明提供的另一种NJFET宽输入高压启动电路的电路原理图；

图4为本发明提供的一种PJFET宽输入高压启动电路的电路原理图；

图5为一种电阻分压宽输入高压启动电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

启动电路的功耗取决于电阻的阻值，电阻越大，启动电路的功耗越小，但电阻越大占用的芯片面积越大；电阻越小，占用的芯片面积越小，但启动电路的功耗越大。启动电路的电压的输入范围也与电阻的阻值有一定的关系，电阻越大，启动电路的电压输入范围越大；电阻越小，启动电路的输入范围也相对较小。

为了满足对宽输入电压范围及较低的启动电路功耗的要求，以及在高输入电压也能正常工作使用的目的，设计出一种高压电源启动电路，如图1所示。

本发明提供了一种基于JFET的高压启动电路，输入高电压经过高压启动电路输出稳定的低工作电压，结合图1至图5，其包括降压电路，钳位电路，基准和偏置电路，电压调节模块，输出电路。

所述降压电路通过串联两个JFET晶体管，利用其反偏或夹断作用产生的电阻来代替图5中两个5MΩ的大电阻。

其中，所述降压电路与外部输入电路连接，所述钳位电路与所述降压电路连接，所述电压调节模块与所述降压电路及所述钳位电路连接，所述基准和偏置电路与所述电压调节模块连接，所述输出电路与所述电压调节模块连接。

与现有技术相比，本发明中的高压启动电路在输入电路输入DC电压大于等于输出电压时，输入电压经降压电路及钳位电路可以为电压调节模块的输入电压提供调节范围内的电压，当满足条件时基准和偏置电路可以为电压调节模块提供工作电压使其正常工作，电压调节模块的VO0输出端直接与反相输入端相连实现电压跟随，电压调节模块的VO1输出端为输出电路提供需要的输出电压，电压调节模块的VO3输出端及降压电路的输出端与输出电路连接使输出电路正常工作。这样便可以实现0-1000V输入电压，输出低电压这一宽输入电压范围的作用。而由于高压启动电路仅采用一个降压电路及一个钳位电路便可以满足各种电路供能的供电需求，所以该电路降低了设备的体积、成本及功耗。

在本实施例一中，降压电路（如图2所示）包括第一N型JFET晶体管、第二N型JFET晶体管、第一电阻、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一N型JFET晶体管的漏极与所述输入电路、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一N型JFET晶体管的栅极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端连接，所述第一N型JFET晶体管的源极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二N型JFET晶体管的栅极与所述第一电阻的第二端、所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路、所述输出电路连接。

本实施例中，图2中降压电路采用两个NJFET串联的方式来代替两个大电阻实现降压的作用，此降压电路非线性分压，仅提供降低电压的作用；如果用两个电阻的方式（如图5）实现分压，并且要满足这一支路消耗电流的设计值，两个电阻的阻值将会很大（5MΩ以上）。JFET晶体管反偏夹断的电阻非常大，本发明中采用串联两个JFET晶体管来实现大电阻的作用来用作电路的降压电路，采用大电阻来实现降压功能则会占用大面积的昂贵的芯片面积，而采用两个JFET晶体管串联的方式（两个PJFET晶体管及两个NJFET晶体管通过不同的连接方式均可达到作为大电阻的作用）则可以代替两个大电阻的作用并且占用的芯片面积较小。

本实施例中，让两个NJFET接反向偏压以达到代替大电阻的作用。电路图中第一个NJFET的栅极如果接地，会使得栅源，栅漏压差过大，从而使NJFET完全夹断，电路不能实现分压的作用。让栅极接到第二个NJFET的源极后面，使栅极能有一定的电压，满足栅源，栅漏接反向偏压实现大电阻的功能的同时又不至于完全夹断。第二个NJFET的栅极接第一电阻第二端，使栅源，栅漏反向偏压代替大电阻的作用，在第二个NJFET源极后面加一个电阻可以抬高第二个NJFET源级的电压，使得其阻值增大，从而增大这一支路的电阻实现设计的参数要求。使用大电阻可以减小启动电路待机时的输入电流，降低高压启动电路输入消耗的功耗。

在本实施例二中，降压电路（如图3所示）包括第一N型JFET晶体管、第二N型JFET晶体管、第一电阻、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一N型JFET晶体管的漏极与所述输入电路、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一N型JFET晶体管的栅极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端连接，所述第一N型JFET晶体管的源极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二N型JFET晶体管的栅极与地连接，所述第一电阻的第二端与所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路、所述输出电路连接。

本实施例中，图3中降压电路采用两个NJFET串联的方式来代替两个大电阻实现降压的作用，此降压电路非线性分压，仅提供降低电压的作用；如果用两个电阻的方式（如图5）实现分压，并且要满足这一支路消耗电流的设计值，两个电阻的阻值将会很大（5MΩ以上）。

本实施例中，图3与图2电路功能相同，图3中第二NJFET栅极接地和第一电阻，用于调节第二NJFET的栅源电压，使得栅源电压的调节范围更广。

在一些实施例中，降压电路（如图4所示）所述的降压电路包括第一P型JFET晶体管、第二P型JFET晶体管、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一P型JFET晶体管的源极与所述输入电路、所述第一P型JFET晶体管的栅极、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一P型JFET晶体管的漏极与所述第二P型JFET晶体管的源极、所述第二P型JFET晶体管的栅极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二P型JFET晶体管与所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路连接。

本实施例中，图4中降压电路采用两个PJFET串联的方式来代替两个大电阻实现分压的作用，此降压电路非线性分压，仅提供降低电压的作用。利用两个PJFET夹断时的大电阻做电阻的作用。

本实施例中，降压电路中两JFET起一个代替大电阻分压的作用，接上面的源跟随器的输入端，将外部输入电压进行分压，使得源跟随器的输出端输出合适的电压提供给后面的电路。这个源跟随器的栅源间接一个钳位二极管钳住两点的电压，使得两点间的电压不超过钳位二极管的击穿电压，保护MOS管不会由于电压波动造成击穿。

在一些实施例中，钳位电路包括第二齐纳二极管、第三齐纳二极管、第二N型高压MOS场效应管；所述第二齐纳二极管的正端与所述降压电路、所述第二N型高压MOS场效应管的栅极连接，所述第二齐纳二极管的负端与所述第三齐纳二极管的正端连接，所述第三齐纳二极管的负端与地连接，所述第二N型高压MOS场效应管的漏极与所述降压电路、所述输出电路连接，所述第二N型高压MOS场效应管的源极与所述电压调节模块连接。

本实施例中，钳位电路中串联的两个齐纳二极管起钳位的作用。改变串联的齐纳二极管的数量可以改变钳位电压的大小。

本实施例中，钳位电路中的高压NMOS2起源跟随器的作用，使得源极电压跟随栅极电压，输出端源极连接LDO稳压器即电压调节模块的输入端，而LDO中的MOS管的使用低压器件，所以将输入电压控制在一定值下，即源跟随器的输入端，两齐纳二极管的钳位电压控制在一定值下。源跟随器以及钳位二极管的电路结构，可以使LDO稳压器的输入电压保持在一定范围，而不用直接接入VIN的输入电压，使得LDO稳压器内部电路的器件不用使用耐高压的器件，降低了对器件的要求，节约了电路设计的空间和成本。

在一些实施例中， 电压调节模块的功能是将经钳位电路的直流输入电压稳定在一定的值，主要通过差分运算放大器的负反馈来实现。运算放大器同相端的输入基准电压，VO0输出端直接与反相输入端相连实现电压跟随，再通过电阻分压实现合适的比例关系。

本实施例中，电压调节模块中的运算放大模块是由BJT作为差分输入对管构成的运算电路，除输入对管之外的BJT和MOS管大多为电流镜结构，以此得到比例合适的电流偏置，VCC引脚下的电阻分压模块的阻值设置是电路正常工作的前提，阻抗网络达到匹配时能够得到期望的输出电压。

在一些实施例中，基准和偏置电路的第一端与所述的电压调节模块的正向输入端连接，所述的基准和偏置的电路的第二端与所述的电压调节模块的第二输出端连接，所述的电压调节模块的第一输入端与所述的钳位电路连接，所述的电压调节模块的第一输出端与所述的输出电路连接，所述的电压调节模块的负向输入端与所述的电压调节模块的第三输出端连接。

在一些实施例中，输出电路包括第三N型高压MOS场效应管、第四齐纳二极管、第五齐纳二极管、第六齐纳二极管、第一电容；所述第三N型高压MOS场效应管的栅极与所述的电压调节模块连接，所述的第三N型高压MOS场效应管的漏极与所述的降压电路、所述的钳位电路连接，所述的第三N型高压MOS场效应管的源极与所述的电压调节模块、所述的第四齐纳二极管的正端、所述的第一电容的第一端、输出端连接，所述的第四齐纳二极管的负端与所述的第五齐纳二极管的正端连接，所述的第五齐纳二极管的负端与所述的第六齐纳二极管的正端连接，所述的第六齐纳二极管的负端与所述的第一电容的第二端、地连接。

本实施例中，高压NMOS3场效应管作为输出功率管为后级电路供能。输出端3个齐纳二极管和电容可以起稳定输出电压和保护电路的作用。

本发明中，图2图3图4中，NMOS1,NMOS2,NMOS3均使用耐高压的管子，使得电路结构能够承受高电压下使用的要求，经过NMOS1输入电压VIN的电压值减小满足其后电路对电压的要求，增强电路的安全和稳定。NMOS2使得输入电压满足LDO稳压器输入电压的要求，降低对LDO器件的要求。NMOS3作为功率管，为芯片的电路输入电流。

本发明第二方面提供一种电源转换器的电源芯片，包括上述任一种基于JFET的高压启动电路。

本发明第三方面提供一种电源转换器，包括上述电源转换器的电源芯片。

本发明设计的一种新的高压启动电路结构，能满足更多场景下使用的要求，有更宽的电压输入范围和更高的电压输入值。可用于通信用电，工业用电等各种场景为各种不同功能的电路供电。使用JFET代替大电阻节省了芯片的设计面积，节约成本，提高了产品竞争力，减小了电路待机时的功耗，增强电路结构的安全性和稳定性。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种基于JFET的高压启动电路，包括降压电路、钳位电路、基准和偏置电路、电压调节模块、输出电路；其特征在于：所述降压电路与外部输入电路连接，所述钳位电路与所述降压电路连接，所述电压调节模块与所述降压电路及所述钳位电路连接，所述基准和偏置电路与所述电压调节模块连接，所述输出电路与所述电压调节模块连接，所述降压电路包括两个串联的JFET晶体管，利用JFET晶体管反偏或夹断产生的电阻实现大电阻。

2.根据权利要求1所述的基于JFET的高压启动电路，其特征在于：所述降压电路包括第一N型JFET晶体管、第二N型JFET晶体管、第一电阻、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一N型JFET晶体管的漏极与所述输入电路、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一N型JFET晶体管的栅极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端连接，所述第一N型JFET晶体管的源极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二N型JFET晶体管的栅极与所述第一电阻的第二端、所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路、所述输出电路连接。

3.根据权利要求1所述的基于JFET的高压启动电路，其特征在于：所述降压电路包括第一N型JFET晶体管、第二N型JFET晶体管、第一电阻、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一N型JFET晶体管的漏极与所述输入电路、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一N型JFET晶体管的栅极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端连接，所述第一N型JFET晶体管的源极与所述第二N型JFET晶体管的漏极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二N型JFET晶体管的栅极与地连接，所述第一电阻的第二端与所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路、所述输出电路连接。

4.根据权利要求1所述的基于JFET的高压启动电路，其特征在于：所述的降压电路包括第一P型JFET晶体管、第二P型JFET晶体管、第一N型高压MOS场效应管、第一齐纳二极管；所述第一P型JFET晶体管的源极与所述输入电路、所述第一P型JFET晶体管的栅极、所述第一N型高压MOS场效应管的漏极连接，所述第一P型JFET晶体管的漏极与所述第二P型JFET晶体管的源极、所述第二P型JFET晶体管的栅极、所述第一N型高压MOS场效应管的栅极、所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二P型JFET晶体管与所述钳位电路连接，所述第一N型高压MOS场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端、所述钳位电路连接。

5.根据权利要求1所述的基于JFET的高压启动电路，其特征在于：所述的钳位电路包括第二齐纳二极管、至少一个第三齐纳二极管、第二N型高压MOS场效应管；所述第二齐纳二极管的正端与所述降压电路、所述第二N型高压MOS场效应管的栅极连接，所述第二齐纳二极管的负端与所述第三齐纳二极管的正端连接，所述第三齐纳二极管的负端与地连接，所述第二N型高压MOS场效应管的漏极与所述降压电路、所述输出电路连接，所述第二N型高压MOS场效应管的源极与所述电压调节模块连接；所述第二N型高压MOS场效应管起源跟随器的作用，使得源极电压跟随栅极电压。

6.根据权利要求1所述的基于JFET的高压启动电路，其特征在于：所述的基准和偏置电路的第一端与所述的电压调节模块的正向输入端连接，所述的基准和偏置的电路的第二端与所述的电压调节模块的第二输出端连接，所述的电压调节模块的第一输入端与所述的钳位电路连接，所述的电压调节模块的第一输出端与所述的输出电路连接，所述的电压调节模块的负向输入端与所述的电压调节模块的第三输出端连接。

7.根据权利要求1所述的基于JFET的高压启动电路，其特征在于：所述的输出电路包括第三N型高压MOS场效应管、第四齐纳二极管、第五齐纳二极管、第六齐纳二极管、第一电容；所述第三N型高压MOS场效应管的栅极与所述的电压调节模块连接，所述的第三N型高压MOS场效应管的漏极与所述的降压电路、所述的钳位电路连接，所述的第三N型高压MOS场效应管的源极与所述的电压调节模块、所述的第四齐纳二极管的正端、所述的第一电容的第一端、输出端连接，所述的第四齐纳二极管的负端与所述的第五齐纳二极管的正端连接，所述的第五齐纳二极管的负端与所述的第六齐纳二极管的正端连接，所述的第六齐纳二极管的负端与所述的第一电容的第二端、地连接。

8.一种电源转换器的电源芯片，其特征在于：包括权利要求1-7中任一项所述的基于JFET的高压启动电路。

9.一种电源转换器，其特征在于：包括权利要求8所述的电源转换器的电源芯片。