CN117118203A - 一种降压转换器 - Google Patents

一种降压转换器 Download PDF

Info

Publication number
CN117118203A
CN117118203A CN202311382235.7A CN202311382235A CN117118203A CN 117118203 A CN117118203 A CN 117118203A CN 202311382235 A CN202311382235 A CN 202311382235A CN 117118203 A CN117118203 A CN 117118203A
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxide semiconductor
metal oxide
field effect
effect transistor
semiconductor field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202311382235.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117118203B (zh
Inventor
陈涌楠
付玮
刘杰
宋健
于利民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Zhanxin Semiconductor Technology Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Zhanxin Semiconductor Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Zhanxin Semiconductor Technology Co ltd filed Critical Jiangsu Zhanxin Semiconductor Technology Co ltd
Priority to CN202311382235.7A priority Critical patent/CN117118203B/zh
Publication of CN117118203A publication Critical patent/CN117118203A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117118203B publication Critical patent/CN117118203B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0009—Devices or circuits for detecting current in a converter
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0025—Arrangements for modifying reference values, feedback values or error values in the control loop of a converter
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

本发明公开了一种降压转换器，属于电能变换技术领域，包括降压转换电路与控制电路，降压转换电路与控制电路连接，降压转换电路包括第一开关、第二开关、第一电感与第一电容，第一开关、第二开关、第一电感与第一电容的连接方式为Buck连接，控制电路包括分压单元、误差放大单元、电压比较单元、谷值电流检测单元、恒定导通时间控制单元与逻辑控制单元。本发明一种降压转换器，提供了对N型MOSFET的谷值电流检测，相比于其他检测方式，功耗低且精度高。

Description

一种降压转换器
技术领域
本发明涉及电能变换技术领域，且特别是有关于一种降压转换器。
背景技术
近年来，DC/DC变换器的电流控制模式受到广泛关注并迅速发展。电流控制模式具有频率补偿电路简单、负载调整率好和线性调整率好等优势。其中，电流控制模式中的谷值电流控制因其瞬态响应性能好而得到了广泛的应用。
在采用电流控制模式的降压变换器（Buck变换器）中，电流检测电路是整个系统反馈回路的重要组成部分。目前被广泛应用的电流检测方式有串联采样电阻、MOSFET自身导通电阻采样和MOSFET电流检测等。其中，串联采样电阻的功耗较大；MOSFET自身导通电阻采样易受温度、工艺、电压等因素的影响，精度较低。与串联采样电阻和MOSFET自身导通电阻采样相比，MOSFET电流检测的功耗较小，对工艺、电压、温度（PVT）的变化不敏感。
一般的MOSFET电流检测是对降压变换器中的功率开关管，即P型MOSFET的电流进行检测，流过功率开关管的电流为正值。谷值电流控制需要在电感电流下降时进行电流采样，采用MOSFET电流检测面临的挑战是在这一阶段需要对续流开关管，即N型MOSFET进行电流检测，而续流开关管此时的电流为负值，一般的MOSFET电流检测在此时不再适用。因此，在降压变换器中如何进行N型MOSFET电流检测是一个需要解决的问题。
发明内容
本发明旨在提供一种降压转换器，能够对N型MOSFET进行电流检测。
为达到上述目的，本发明技术方案是：
一种降压转换器，包括降压转换电路与控制电路，所述降压转换电路与所述控制电路连接，所述降压转换电路包括第一开关、第二开关、第一电感与第一电容，所述第一开关的源极为所述降压转换电路的输入正端，所述第一开关的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端接地，所述第二开关的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第二开关的源极为所述降压转换电路的输入负端，所述第二开关的源极接地。
所述控制电路包括谷值电流检测单元，所述谷值电流检测单元的输入连接所述第二开关的漏极，所述谷值电流检测单元输出第一电压，所述谷值电流检测单元包括第三开关、多个金属氧化物半导体型场效应管、第一电阻与第一运算放大模块，所述第二开关的栅极连接所述第三开关的栅极，所述第三开关的漏极连接所述第二开关的漏极，第一电源连接第一金属氧化物半导体型场效应管的源极与第二金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第一金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第二金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第二金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第二金属氧化物半导体型场效应管的漏极与第三金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第三金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接所述第三开关的源极，所述第一运算放大模块的输出端连接所述第三金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第一运算放大模块的输入正端连接所述第三金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第一运算放大模块的输入负端接地，所述第一金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地，所述第一电阻两端的电压为所述第一电压。
在一具体实施例中，上述第一运算放大模块包括多个金属氧化物半导体型场效应管，第二电源连接第四金属氧化物半导体型场效应管的源极与第五金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第四金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第五金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第五金属氧化物半导体型场效应管的栅极与漏极连接第十五金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第二电源连接第六金属氧化物半导体型场效应管的源极与第七金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第六金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第七金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第七金属氧化物半导体型场效应管的栅极与漏极连接第十二金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第六金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第八金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第八金属氧化物半导体型场效应管的源极接地，所述第四金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第九金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第八金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第九金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第九金属氧化物半导体型场效应管的源极接地，所述第二电源连接第十金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第十金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第十三金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第十三金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十二金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第二电源连接第十一金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第十一金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第十四金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第十四金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十五金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第十二金属氧化物半导体型场效应管的源极连接所述第十四金属氧化物半导体型场效应管的源极为所述第一运算放大模块的输入正端，所述第十三金属氧化物半导体型场效应管的源极连接所述第十五金属氧化物半导体型场效应管的源极所述第一运算放大模块的输入负端，所述第十金属氧化物半导体型场效应管的栅极与所述第十一金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接第三电源，所述第九金属氧化物半导体型场效应管的漏极为所述第一运算放大模块的输出端。
上述一种降压转换器，还包括恒定导通时间控制单元，所述恒定导通时间控制单元包括第一电压比较器、第二电压比较器、第二电阻、第二电容、电流源与多个金属氧化物半导体型场效应管，所述第一电压比较器的输入正端连接第一参考电压，所述第一电压比较器的输入负端连接第十八金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第一电压比较器的输出端连接所述第十八金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第十八金属氧化物半导体型场效应管的源极经过所述第二电阻接地，第三电源连接第十六金属氧化物半导体型场效应管与第十七金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第十六金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十七金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第十六金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十六金属氧化物半导体型场效应管的漏极与所述第十八金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第十七金属氧化物半导体型场效应管的漏极经过所述第二电容接地，所述第三电源经过电流源连接第十九金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第十九金属氧化物半导体型场效应管的源极接地，所述第十九金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第二开关的栅极，所述第十七金属氧化物半导体型场效应管的漏极与所述第十九金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接所述第二电压比较器的输入正端，所述第二电压比较器的输入负端连接第二参考电压，所述第二电压比较器的输出端输出第二电压。
在一具体实施例中，所述第一参考电压为零温度系数电压，所述电流源产生正温度系数电流，零温度系数电流给所述第二电容充电。
上述一种降压转换器，还包括分压单元，所述分压单元包括第三电阻与第四电阻，所述第三电阻的第一端连接所述第一电容的第一端，所述第三电阻的第二端连接所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地。
上述一种降压转换器，还包括误差放大单元，所述误差放大单元包括一误差放大器，所述误差放大器的输入负端连接所述第三电阻的第二端，所述误差放大器的输入正端连接第三参考电压，所述误差放大器的输出端输出第三电压。
上述一种降压转换器，还包括电压比较单元，所述电压比较单元包括第三电压比较器，所述第三电压比较器的输入正端连接所述误差放大器的输出端，所述电压比较器的输入负端连接所述第一电压，所述电压比较器的输出端输出第四电压。
上述一种降压转换器，还包括逻辑控制单元，所述逻辑控制单元的输入连接所述第四电压与所述第二电压，所述逻辑控制单元的输出连接所述第一开关的栅极与所述第二开关的栅极。
进一步地，所述第一电压小于所述第三电压时，所述第一开关导通，所述第二开关关断，所述第二电容被充电，当所述第二电容两端的电压达到所述第二参考电压时，所述第二电压由低变为高，所述逻辑控制单元驱动所述第一开关关断，驱动所述第二开关导通，所述谷值电流检测单元开始工作，所述第一电压与所述第三电压比较，当所述第一电压下降到所述第三电压时，所述逻辑控制单元重新驱动所述第一开关导通，驱动所述第二开关关断。
进一步地，所述降压转换电路的输入正端与输入负端之间并联电源。
有益效果，本发明一种降压转换器，提供了谷值电流检测，相比于其他检测方式，功耗低且精度高；本发明提供的交叉耦合运算放大器包括两个共栅输入部以及一个电流整合部，电流整合部的输出级为推挽输出，使运算放大器具有较强的驱动能力；本发明提供的恒定导通时间控制单元通过构建零温度系数电流对电容充电，从而设定恒定的功率管导通时间，能够有效避免温度对恒定导通时间的影响，提高系统的精度；本发明在电流采样的过程中没有额外引入采样电阻，减小应用过程中的系统损耗，有利于系统效率的提高；本发明提出的谷值电流检测单元可以得到关断阶段的电感电流信息，从而可以被方便地用于多种电流模控制。
为让发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一种降压转换器的电路示意图。
图2为图1中谷值电流检测单元一具体实施例的示意图。
图3为图2中交叉耦合运算放大模块的电路示意图。
图4为图1中恒定导通时间控制单元一具体实施例的示意图。
图5为本发明一种降压转换器的开关时序和波形图。
图6为本发明一种降压转换器的仿真波形示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的和技术方案更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明一种降压转换器的电路示意图。如图1所示，本发明一种降压转换器1包括降压转换电路11与控制电路12，降压转换电路11与控制电路12连接，降压转换电路11还连接电源Vin。进一步地，降压转换电路11包括开关S1、开关S2、电感L1、电容C1与电阻R1，开关S1、开关S2、电感L1与电容C1的连接方式为Buck连接，电阻R1为负载电阻。更具体地，开关S1的源极连接电源Vin的正极，开关S1的漏极连接电感L1的第一端，电感L1的第二端连接电容C1的第一端，电容C1的第二端连接电源Vin的负极，开关S2的漏极连接电感L1的第一端，开关S2的源极连接电源Vin的负极，电源Vin的负极接地，电阻R1的第一端连接电容C1的第一端，电阻R1的第二端接地，电阻R1两端的电压为降压转换电路11的输出电压Vo。
其中，开关S1为功率开关管，开关S2为续流开关管。
在一具体实施例中，开关S1为P型金属氧化物半导体型场效应管（MOSFET），开关S2为N型MOSFET。
进一步地，控制电路12包括分压单元121、误差放大单元122、电压比较单元123、谷值电流检测单元124、恒定导通时间控制单元125与逻辑控制单元126，分压单元121的输入连接降压转换电路11的输出，分压单元121的输出连接误差放大单元122的输入，误差放大单元122的输出连接电压比较单元123的输入，谷值电流检测单元124的输入连接开关S2的漏极，谷值电流检测单元124的输出连接电压比较单元123的输入，电压比较单元123的输出连接逻辑控制单元126的输入，恒定导通时间控制单元125的输入连接电压参考值Vref2与电压参考值Vref3，恒定导通时间控制单元125的输出连接逻辑控制单元126的输入，逻辑控制单元126的输出连接开关S1与开关S2的栅极，控制开关S1与开关S2的开通、关断。
更具体地，分压单元121采样输出电压Vo并输出给误差放大单元122，误差放大单元122将输出电压Vo的采样值Vo1与电压参考值Vref1比较后输出电压Vc给电压比较单元123，谷值电流检测单元124检测流过开关S2的电流并将其转换为电压Vsen输出给电压比较单元123，电压比较单元123比较电压Vc与电压Vsen后输出电压VA给逻辑控制单元126，电压比较单元123的输出电压VA变为高时，即电压Vsen小于电压Vc时，逻辑控制单元126输出的驱动信号VS1变为高电平，驱动信号VS2变为低电平，开关S1导通，开关S2关断，恒定导通时间控制单元125开始工作，当恒定导通时间控制单元125输出的电压VCOT由低变为高时，逻辑控制单元126输出的驱动信号VS1变为低电平，驱动信号VS2变为高电平，开关S1关断，开关S2导通，此时，电压Vsen大于电压Vc。其中，恒定导通时间控制单元125的功能是控制开关S1与开关S2的导通时间和关断时间恒定。
在一具体实施例中，分压单元121包括电阻R2与电阻R3，电阻R2的第一端连接电阻R1的第一端，电阻R2的第二端连接电阻R3的第一端，电阻R3的第二端接地。
在一具体实施例中，误差放大单元122包括一误差放大器A1，误差放大器A1的输入负端连接电阻R2的第二端，误差放大器A1的输入正端连接参考电压Vref1。
在一具体实施例中，电压比较单元123包括一电压比较器COMP1，电压比较器COMP1的输入正端连接误差放大器A1的输出端，电压比较器COMP1的输入负端连接电压Vsen，电压比较器COMP1的输出端输出电压VA给逻辑控制单元126。
在一具体实施例中，控制电路12还包括滤波单元127，滤波单元127包括电阻R4与电容C2，电阻R4的第一端连接误差放大器A1的输出端，电阻R4的第二端经过电容C2接地。
图2为图1中谷值电流检测单元124一具体实施例的示意图。如图2所示，开关S2的栅极连接开关S3的栅极，开关S3的漏极连接开关S2的漏极，电源V1连接金属氧化物半导体型场效应管M1的源极与金属氧化物半导体型场效应管M2的源极，金属氧化物半导体型场效应管M1的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M2的栅极，金属氧化物半导体型场效应管M2的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M2的漏极，金属氧化物半导体型场效应管M2的漏极连接金属氧化物半导体型场效应管M3的源极，金属氧化物半导体型场效应管M3的漏极连接开关S3的源极，运算放大模块1241的输出端输出电压VOP给金属氧化物半导体型场效应管M3的栅极，运算放大模块1241的输入正端连接金属氧化物半导体型场效应管M3的漏极，运算放大模块1241的输入负端接地，开关S2的源极接地，金属氧化物半导体型场效应管M1的漏极连接电阻R5的第一端，电阻R5的第二端接地，电阻R5两端的电压为电压Vsen，运算放大模块1241的输入正端为端点A，运算放大模块1241的输入负端为端点B。其中，金属氧化物半导体型场效应管M1与金属氧化物半导体型场效应管M2构成电流镜。
在一具体实施例中，开关S3为N型MOSFET，金属氧化物半导体型场效应管M1为P型MOSFET，金属氧化物半导体型场效应管M2为P型MOSFET，金属氧化物半导体型场效应管M3为P型MOSFET。
在开关S2导通的时段，谷值电流检测单元124利用开关S3、金属氧化物半导体型场效应管M3、金属氧化物半导体型场效应管M2构成的支路来检测流过开关S2的反向电流I2。金属氧化物半导体型场效应管M2和运算放大模块1241构成负反馈环路，使端点A与地之间的电压等于开关S2的源极与地之间的电压，由于开关S2的栅极与源极之间的电压等于开关S3的栅极与源极之间的电压，流过开关S2的电流I2和流过开关S3的电流I2 *成一定比例，这个比例等于开关S2的宽长比除以开关S3的宽长比，关系式如下：
，
其中，W为MOSFET的栅宽，L为MOSFET的栅长。
进一步地，金属氧化物半导体型场效应管M3与运算放大模块1241组成一电压保持电路，将端点A处的电压保持为运算放大模块1241输入负端的电压，并经由金属氧化物半导体型场效应管M3的源极向金属氧化物半导体型场效应管M1与金属氧化物半导体型场效应管M2构成的电流镜传递流过开关S3的电流I2 *。金属氧化物半导体型场效应管M1与金属氧化物半导体型场效应管M2构成的电流镜根据电流I2 *产生流过电阻R5的电流IR5，且电流IR5等于电流I2 *，由此在电阻R5的两端产生一个代表电流I2的电压Vsen，从而实现对流过开关S2的电流的检测。
在一具体实施例中，运算放大模块1241为一交叉耦合运算放大模块，图3示出了交叉耦合运算放大模块的电路示意图。运算放大模块1241包括共栅输入部12411、共栅输入部12412与电流整合部12413，共栅输入部12411包括金属氧化物半导体型场效应管M10、金属氧化物半导体型场效应管M12与金属氧化物半导体型场效应管M13，共栅输入部12412包括金属氧化物半导体型场效应管M11、金属氧化物半导体型场效应管M14与金属氧化物半导体型场效应管M15，电流整合部12413包括金属氧化物半导体型场效应管M4、金属氧化物半导体型场效应管M5、金属氧化物半导体型场效应管M6、金属氧化物半导体型场效应管M7、金属氧化物半导体型场效应管M8与金属氧化物半导体型场效应管M9。更具体地，电源V2连接金属氧化物半导体型场效应管M10的源极，金属氧化物半导体型场效应管M10的漏极连接金属氧化物半导体型场效应管M13的漏极与栅极，金属氧化物半导体型场效应管M13的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M12的栅极，电源V2连接金属氧化物半导体型场效应管M11的源极，金属氧化物半导体型场效应管M11的漏极连接金属氧化物半导体型场效应管M14的漏极与栅极，金属氧化物半导体型场效应管M14的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M15的栅极，金属氧化物半导体型场效应管M12的源极连接金属氧化物半导体型场效应管M14的源极为端点A，金属氧化物半导体型场效应管M13的源极连接金属氧化物半导体型场效应管M15的源极为端点B，金属氧化物半导体型场效应管M10的栅极与金属氧化物半导体型场效应管M11的栅极连接基准电源VS，电源V2连接金属氧化物半导体型场效应管M4的源极与金属氧化物半导体型场效应管M5的源极，金属氧化物半导体型场效应管M4的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M5的栅极，金属氧化物半导体型场效应管M5的栅极与漏极连接金属氧化物半导体型场效应管M15的漏极，电源V2连接金属氧化物半导体型场效应管M6的源极与金属氧化物半导体型场效应管M7的源极，金属氧化物半导体型场效应管M6的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M7的栅极，金属氧化物半导体型场效应管M7的栅极与漏极连接金属氧化物半导体型场效应管M12的漏极，金属氧化物半导体型场效应管M6的漏极连接金属氧化物半导体型场效应管M8的漏极与栅极，金属氧化物半导体型场效应管M8的源极接地，金属氧化物半导体型场效应管M4的漏极连接金属氧化物半导体型场效应管M9的漏极，金属氧化物半导体型场效应管M8的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M9的栅极，金属氧化物半导体型场效应管M9的源极接地，金属氧化物半导体型场效应管M9的漏极为运算放大模块1241的输出端输出电压VOP。
更具体地，电流整合部12413包括三个电流镜，金属氧化物半导体型场效应管M8与金属氧化物半导体型场效应管M9组成一个电流镜，金属氧化物半导体型场效应管M6与金属氧化物半导体型场效应管M7组成一个电流镜，金属氧化物半导体型场效应管M4与金属氧化物半导体型场效应管M5组成一个电流镜。金属氧化物半导体型场效应管M4与金属氧化物半导体型场效应管M9组成的推挽输出极使运算放大器1241具有较强的驱动能力。
在一具体实施例中，金属氧化物半导体型场效应管M4、金属氧化物半导体型场效应管M5、金属氧化物半导体型场效应管M6、金属氧化物半导体型场效应管M7、金属氧化物半导体型场效应管M10与金属氧化物半导体型场效应管M11为P型MOSFET，金属氧化物半导体型场效应管M8、金属氧化物半导体型场效应管M9、金属氧化物半导体型场效应管M12、金属氧化物半导体型场效应管M13、金属氧化物半导体型场效应管M14、金属氧化物半导体型场效应管M15为N型MOSFET。
共栅输入部12411与共栅输入部12412的作用是对端点A和端点B之间的电压进行放大，转化为电流并经由金属氧化物半导体型场效应管M7的漏极和金属氧化物半导体型场效应管M5的漏极向电流整合部12413传递电流，电流整合部12413将传递的电流进行整合并将其转换为电压VOP输出。
进一步地，金属氧化物半导体型场效应管M10与金属氧化物半导体型场效应管M11的作用是分别为共栅输入部12411与共栅输入部12412提供稳定的电流。
进一步地，使用公共质心方法放置运算放大器1241中的MOSFET或以较大的栅极宽度设计MOSFET可以减小输入之间的失配。
图4为图1中恒定导通时间控制单元125一具体实施例的示意图，如图4所示，电压比较器COMP2的输入正端连接参考电压Vref2，电压比较器COMP2的输入负端连接金属氧化物半导体型场效应管M18的源极，电压比较器COMP2的输出端连接金属氧化物半导体型场效应管M18的栅极，金属氧化物半导体型场效应管M18的源极经过电阻R6接地，电源V3连接金属氧化物半导体型场效应管M16与金属氧化物半导体型场效应管M17的源极，金属氧化物半导体型场效应管M16的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M17的栅极，金属氧化物半导体型场效应管M16的栅极连接金属氧化物半导体型场效应管M16的漏极与金属氧化物半导体型场效应管M18的漏极，金属氧化物半导体型场效应管M17的漏极经过电容C3接地，电源V3经过电流源IS连接金属氧化物半导体型场效应管M19的漏极，金属氧化物半导体型场效应管M19的源极接地，金属氧化物半导体型场效应管M17的漏极与金属氧化物半导体型场效应管M19的漏极连接电压比较器COMP3的输入正端，电压比较器COMP3的输入负端连接参考电压Vref3，电压比较器COMP3的输出端输出电压VCOT，金属氧化物半导体型场效应管M19的栅极与开关S2的栅极连接。其中，金属氧化物半导体型场效应管M16与金属氧化物半导体型场效应管M17组成电流镜。
在一具体实施例中，金属氧化物半导体型场效应管M18为N型MOSFET，金属氧化物半导体型场效应管M16为P型MOSFET，金属氧化物半导体型场效应管M17为P型MOSFET，金属氧化物半导体型场效应管M19为N型MOSFET。
更具体地，电压比较器COMP2与金属氧化物半导体型场效应管M18组成一电压保持电路，将电压比较器COMP2输入负端的电压保持为输入正端的参考电压Vref2，并通过金属氧化物半导体型场效应管M18的漏极向金属氧化物半导体型场效应管M16与金属氧化物半导体型场效应管M17组成的电流镜传递流过电阻R6的电流IR6。金属氧化物半导体型场效应管M16与金属氧化物半导体型场效应管M17组成的电流镜根据电流IR6生成电流I-并向电容C3充电。其中，参考电压Vref2为零温度系数电压，参考电压Vref2产生流过电阻R6的电流IR6，由于电阻R6为正温度系数电阻，则电流IR6为负温度系数电流，电流IR6=Vref2/R6。因此，电流I-也为负温度系数电流，电流I-=电流IR6=Vref2/R6。电流源IS产生的电流为正温度系数电流I+，将负温度系数电流I-并上正温度系数电流I+，再通过控制温度系数的比例关系，可以得到给电容C3充电的零温度系数电流Isum= I++ I-。
在开关S1导通且开关S2关断时，零温度系数电流Isum给电容C3充电，电容C3的电压VPWL线性上升，当电容C3被充电到电压Vref3时，电压VCOT由低变为高，进入开关S2导通且开关S1关断的阶段。根据电容充电公式，可以得到开关S1的导通时间Ton=Vref3*C3/Isum，导通时间Ton是一个定值，由此实现对开关的恒定导通时间控制。
图5为本发明一种降压转换器的开关时序和波形图，VS1为开关S1的驱动信号，VS2为开关S2的驱动信号，IL为流过电感L1的电流，VPWL为电容C3两端的电压，Vsen为谷值电流检测单元124输出的电压。在一个开关周期的第一阶段，电压Vsen小于电压Vc，逻辑控制单元126输出的驱动信号VS1变为高电平，驱动信号VS2变为低电平，开关S1导通，开关S2关断，输出电压Vo和电感电流IL上升，在这一阶段，恒定导通时间控制单元125开始工作，通过零温度系数电流给电容C3充电，当电容C3两端的电压VPWL达到参考电压Vref3时，恒定导通时间控制单元125输出的电压VCOT由低变为高，逻辑控制单元126输出的驱动信号VS1变为低电平，驱动信号VS2变为高电平，开关S1关断，开关S2导通，进入第二阶段。在第二阶段，输出电压Vo和电感电流IL下降，谷值电流检测单元124开始工作，此时谷值电流检测单元124输出的电压Vsen与电压Vc比较，当电压Vsen下降到电压Vc时，降压转换器回到开关周期的开始，重新进入第一阶段。其中，D1为开关S1的占空比，D2为开关S2的占空比，T为开关周期。
图6是本发明一种降压转换器的仿真波形示意图，从图6可以看出，当降压转换电路11工作在第二阶段时，谷值电流检测单元124开始工作，其输出的电压Vsen与电感电流IL均呈现下降趋势。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种降压转换器，其特征在于，包括降压转换电路与控制电路，所述降压转换电路与所述控制电路连接，所述降压转换电路包括第一开关、第二开关、第一电感与第一电容，所述第一开关的源极为所述降压转换电路的输入正端，所述第一开关的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端接地，所述第二开关的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第二开关的源极为所述降压转换电路的输入负端，所述第二开关的源极接地；
所述控制电路包括谷值电流检测单元，所述谷值电流检测单元的输入连接所述第二开关的漏极，所述谷值电流检测单元输出第一电压，所述谷值电流检测单元包括第三开关、多个金属氧化物半导体型场效应管、第一电阻与第一运算放大模块，所述第二开关的栅极连接所述第三开关的栅极，所述第三开关的漏极连接所述第二开关的漏极，第一电源连接第一金属氧化物半导体型场效应管的源极与第二金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第一金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第二金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第二金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第二金属氧化物半导体型场效应管的漏极与第三金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第三金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接所述第三开关的源极，所述第一运算放大模块的输出端连接所述第三金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第一运算放大模块的输入正端连接所述第三金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第一运算放大模块的输入负端接地，所述第一金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地，所述第一电阻两端的电压为所述第一电压。
2.如权利要求1所述一种降压转换器，其特征在于，所述第一运算放大模块包括多个金属氧化物半导体型场效应管，第二电源连接第四金属氧化物半导体型场效应管的源极与第五金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第四金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第五金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第五金属氧化物半导体型场效应管的栅极与漏极连接第十五金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第二电源连接第六金属氧化物半导体型场效应管的源极与第七金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第六金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第七金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第七金属氧化物半导体型场效应管的栅极与漏极连接第十二金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第六金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第八金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第八金属氧化物半导体型场效应管的源极接地，所述第四金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第九金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第八金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第九金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第九金属氧化物半导体型场效应管的源极接地，所述第二电源连接第十金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第十金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第十三金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第十三金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十二金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第二电源连接第十一金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第十一金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第十四金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第十四金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十五金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第十二金属氧化物半导体型场效应管的源极连接所述第十四金属氧化物半导体型场效应管的源极为所述第一运算放大模块的输入正端，所述第十三金属氧化物半导体型场效应管的源极连接所述第十五金属氧化物半导体型场效应管的源极所述第一运算放大模块的输入负端，所述第十金属氧化物半导体型场效应管的栅极与所述第十一金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接第三电源，所述第九金属氧化物半导体型场效应管的漏极为所述第一运算放大模块的输出端。
3.如权利要求2所述一种降压转换器，其特征在于，还包括恒定导通时间控制单元，所述恒定导通时间控制单元包括第一电压比较器、第二电压比较器、第二电阻、第二电容、电流源与多个金属氧化物半导体型场效应管，所述第一电压比较器的输入正端连接第一参考电压，所述第一电压比较器的输入负端连接第十八金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第一电压比较器的输出端连接所述第十八金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第十八金属氧化物半导体型场效应管的源极经过所述第二电阻接地，第三电源连接第十六金属氧化物半导体型场效应管与第十七金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第十六金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十七金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第十六金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十六金属氧化物半导体型场效应管的漏极与所述第十八金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第十七金属氧化物半导体型场效应管的漏极经过所述第二电容接地，所述第三电源经过电流源连接第十九金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第十九金属氧化物半导体型场效应管的源极接地，所述第十九金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第二开关的栅极，所述第十七金属氧化物半导体型场效应管的漏极与所述第十九金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接所述第二电压比较器的输入正端，所述第二电压比较器的输入负端连接第二参考电压，所述第二电压比较器的输出端输出第二电压。
4.如权利要求3所述一种降压转换器，其特征在于，所述第一参考电压为零温度系数电压，所述电流源产生正温度系数电流，零温度系数电流给所述第二电容充电。
5.如权利要求3所述一种降压转换器，其特征在于，还包括分压单元，所述分压单元包括第三电阻与第四电阻，所述第三电阻的第一端连接所述第一电容的第一端，所述第三电阻的第二端连接所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地。
6.如权利要求5所述一种降压转换器，其特征在于，还包括误差放大单元，所述误差放大单元包括一误差放大器，所述误差放大器的输入负端连接所述第三电阻的第二端，所述误差放大器的输入正端连接第三参考电压，所述误差放大器的输出端输出第三电压。
7.如权利要求6所述一种降压转换器，其特征在于，还包括电压比较单元，所述电压比较单元包括第三电压比较器，所述第三电压比较器的输入正端连接所述误差放大器的输出端，所述电压比较器的输入负端连接所述第一电压，所述电压比较器的输出端输出第四电压。
8.如权利要求7所述一种降压转换器，其特征在于，还包括逻辑控制单元，所述逻辑控制单元的输入连接所述第四电压与所述第二电压，所述逻辑控制单元的输出连接所述第一开关的栅极与所述第二开关的栅极。
9.如权利要求8所述一种降压转换器，其特征在于，所述第一电压小于所述第三电压时，所述第一开关导通，所述第二开关关断，所述第二电容被充电，当所述第二电容两端的电压达到所述第二参考电压时，所述第二电压由低变为高，所述逻辑控制单元驱动所述第一开关关断，驱动所述第二开关导通，所述谷值电流检测单元开始工作，所述第一电压与所述第三电压比较，当所述第一电压下降到所述第三电压时，所述逻辑控制单元重新驱动所述第一开关导通，驱动所述第二开关关断。
10.如权利要求1所述一种降压转换器，其特征在于，所述降压转换电路的输入正端与输入负端之间并联电源。
CN202311382235.7A 2023-10-24 2023-10-24 一种降压转换器 Active CN117118203B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311382235.7A CN117118203B (zh) 2023-10-24 2023-10-24 一种降压转换器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311382235.7A CN117118203B (zh) 2023-10-24 2023-10-24 一种降压转换器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117118203A true CN117118203A (zh) 2023-11-24
CN117118203B CN117118203B (zh) 2024-01-23

Family

ID=88809618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311382235.7A Active CN117118203B (zh) 2023-10-24 2023-10-24 一种降压转换器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117118203B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117833637A (zh) * 2024-02-23 2024-04-05 江苏展芯半导体技术股份有限公司 一种减小开关节点频率抖动的方法及电路

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0750391A2 (en) * 1995-06-22 1996-12-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wide-band amplifier
US20040108910A1 (en) * 2001-05-31 2004-06-10 Klaus-Jurgen Feilkas Voltage-controlled oscillator circuit
US7193447B1 (en) * 2004-05-06 2007-03-20 Sun Microsystems, Inc. Differential sense amplifier latch for high common mode input
CN101777906A (zh) * 2009-12-31 2010-07-14 成都成电硅海科技股份有限公司 推挽放大器的电平转换电路
CN102331807A (zh) * 2011-09-30 2012-01-25 电子科技大学 一种集成摆率增强电路的低压差线性稳压器
CN102624362A (zh) * 2012-02-09 2012-08-01 东南大学 全差分高速低功耗比较器
US20160248390A1 (en) * 2015-02-24 2016-08-25 Intel IP Corporation High Linearity Push-Pull Common-Gate Amplifier
CN106788295A (zh) * 2017-01-06 2017-05-31 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种多级放大器
CN107070206A (zh) * 2017-05-22 2017-08-18 电子科技大学 一种基于谷值检测的准谐振开关变换器
CN107134920A (zh) * 2016-05-20 2017-09-05 成都芯源系统有限公司 集成电路以及控制集成电路的方法
CN108512422A (zh) * 2018-05-18 2018-09-07 西北工业大学 一种固定导通时间控制的降压型dc-dc转换器
CN111277235A (zh) * 2020-02-26 2020-06-12 华南理工大学 一种增益可调的交叉耦合运算放大电路
CN111693758A (zh) * 2019-03-15 2020-09-22 英飞凌科技股份有限公司 用于监测降压功率转换器中负载电流的电流感测
CN111725996A (zh) * 2020-07-13 2020-09-29 上海南芯半导体科技有限公司 恒定关断时间控制模式伪定频提高精度的控制电路及方法
CN112398452A (zh) * 2020-10-29 2021-02-23 北京时代民芯科技有限公司 一种应用于流水线模数转换器的运算放大电路
CN113162407A (zh) * 2021-03-26 2021-07-23 西安电子科技大学 一种超低静态功耗的降压型dc-dc转换器
CN115833560A (zh) * 2022-11-24 2023-03-21 华南理工大学 一种SenseFET型全波电感电流传感器
CN116317553A (zh) * 2023-03-07 2023-06-23 电子科技大学 一种ACOT控制型Buck变换器的谷值电流限产生电路
CN116470741A (zh) * 2023-03-24 2023-07-21 重庆邮电大学 一种基于谷值电流检测的过流保护电路

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0750391A2 (en) * 1995-06-22 1996-12-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wide-band amplifier
US20040108910A1 (en) * 2001-05-31 2004-06-10 Klaus-Jurgen Feilkas Voltage-controlled oscillator circuit
US7193447B1 (en) * 2004-05-06 2007-03-20 Sun Microsystems, Inc. Differential sense amplifier latch for high common mode input
CN101777906A (zh) * 2009-12-31 2010-07-14 成都成电硅海科技股份有限公司 推挽放大器的电平转换电路
CN102331807A (zh) * 2011-09-30 2012-01-25 电子科技大学 一种集成摆率增强电路的低压差线性稳压器
CN102624362A (zh) * 2012-02-09 2012-08-01 东南大学 全差分高速低功耗比较器
US20160248390A1 (en) * 2015-02-24 2016-08-25 Intel IP Corporation High Linearity Push-Pull Common-Gate Amplifier
CN107134920A (zh) * 2016-05-20 2017-09-05 成都芯源系统有限公司 集成电路以及控制集成电路的方法
CN106788295A (zh) * 2017-01-06 2017-05-31 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种多级放大器
CN107070206A (zh) * 2017-05-22 2017-08-18 电子科技大学 一种基于谷值检测的准谐振开关变换器
CN108512422A (zh) * 2018-05-18 2018-09-07 西北工业大学 一种固定导通时间控制的降压型dc-dc转换器
CN111693758A (zh) * 2019-03-15 2020-09-22 英飞凌科技股份有限公司 用于监测降压功率转换器中负载电流的电流感测
CN111277235A (zh) * 2020-02-26 2020-06-12 华南理工大学 一种增益可调的交叉耦合运算放大电路
CN111725996A (zh) * 2020-07-13 2020-09-29 上海南芯半导体科技有限公司 恒定关断时间控制模式伪定频提高精度的控制电路及方法
CN112398452A (zh) * 2020-10-29 2021-02-23 北京时代民芯科技有限公司 一种应用于流水线模数转换器的运算放大电路
CN113162407A (zh) * 2021-03-26 2021-07-23 西安电子科技大学 一种超低静态功耗的降压型dc-dc转换器
CN115833560A (zh) * 2022-11-24 2023-03-21 华南理工大学 一种SenseFET型全波电感电流传感器
CN116317553A (zh) * 2023-03-07 2023-06-23 电子科技大学 一种ACOT控制型Buck变换器的谷值电流限产生电路
CN116470741A (zh) * 2023-03-24 2023-07-21 重庆邮电大学 一种基于谷值电流检测的过流保护电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117833637A (zh) * 2024-02-23 2024-04-05 江苏展芯半导体技术股份有限公司 一种减小开关节点频率抖动的方法及电路
CN117833637B (zh) * 2024-02-23 2024-05-03 江苏展芯半导体技术股份有限公司 一种减小开关节点频率抖动的方法及电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN117118203B (zh) 2024-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111262435B (zh) 一种四开关升降压型变换器的控制电路及控制方法
CN117118203B (zh) 一种降压转换器
WO2021022582A1 (zh) 一种单电感多输出dc-dc降压变换器
CN114079303A (zh) 用于充电电路的限流控制电路及包括其的充电器
CN111725996B (zh) 恒定关断时间控制模式伪定频提高精度的控制电路及方法
CN111786661B (zh) 一种自校准过零比较器及直流变换电路
CN111555615B (zh) 一种适用于升降压变换器的频率调节电路
CN113691133B (zh) 一种带有高精度低纹波轻载工作模式的buck-boost
CN113708626B (zh) 一种适用于cot电压变换器的百分百占空比产生电路
CN109842301B (zh) 一种电流控制电路及其控制方法
CN205377666U (zh) 一种直流-直流转换器电路
CN114744869A (zh) 一种三电平降压直流变换器
CN114865913A (zh) 具有低功耗功能的导通时间产生器
CN104052279A (zh) 一种基于MOSFET的自激式Sepic变换器
CN216672860U (zh) 一种四开关控制电路
CN114257066A (zh) 开关变换器及其控制电路
CN114726208B (zh) 一种峰值电流模降压变换器pwm控制电路
CN113422512B (zh) 一种四开关控制电路
CN114944748B (zh) 一种恒定导通时间控制模式转换器的定频控制电路及方法
CN114938129B (zh) 一种自适应高线性度的斜波补偿电路
CN115459558A (zh) 多相功率转换电路的控制电路、控制方法以及多相电源
CN115395778A (zh) 一种dc-dc转换器
CN112821733B (zh) 脉冲宽度调制控制电路、驱动电路和直流变换器
CN110299843B (zh) 一种复合dcdc电路
CN114421756A (zh) 用于消除斜坡补偿对带载能力影响的电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: Room 1501-1504, Building 1, Yunmicheng, 19 Ningshuang Road, Yuhuatai District, Nanjing, Jiangsu Province, 210012

Patentee after: Jiangsu Zhanxin Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: Room 1501-1504, Building 1, Yunmicheng, 19 Ningshuang Road, Yuhuatai District, Nanjing, Jiangsu Province, 210012

Patentee before: JIANGSU ZHANXIN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Country or region before: China