CN114079303A - 用于充电电路的限流控制电路及包括其的充电器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于具有串联的第一开关晶体管和采样电阻的充电电路的限流控制电路，限流控制电路包括：对采样电阻两端的电压进行滤波并输出采样电压的采样滤波电路；输出基准电压的基准电压电路；脉宽调制控制电路，其用于根据采样电压和基准电压输出占空比可调的第一脉宽调制信号；电平转换电路，其用于输出与第一脉宽调制信号反相的第二脉宽调制信号；以及驱动电路，基于所述第二脉宽调制信号产生并输出脉宽调制驱动信号至第一开关晶体管的控制端。根据本发明的限流控制电路能够限制可充电电池的充电电流，且缩短充电时间、提高充电效率、降低开关损耗和电磁干扰。

Description

用于充电电路的限流控制电路及包括其的充电器

技术领域

本发明涉及电子线路领域，具体涉及一种用于充电电路的限流控制电路及包括其的充电器。

背景技术

不间断电源包括电池组、充电电路和控制装置，控制装置用于控制充电电路工作以对电池组进行充电。为了增加不间断电源在电池模式下的供电时间，不间断电源中的电池组通常采用多个并联的可充电电池，由此电池组具有较低的电压和较低的内阻。当控制装置控制充电电路工作时，例如给充电电路提供脉宽调制驱动信号使得充电电路以脉宽调制方式工作，可能会产生非常大的充电电流，从而对电池组造成损伤，降低电池组的循环寿命。

另外，现有的控制装置输出的脉宽调制驱动信号的占空比通常小于100％，例如控制装置中的型号为TL494CDR的脉宽调制控制芯片输出的脉宽调制信号的占空比为0～87％。当充电电路的充电功率小于电池组的额定充电功率时，由于受限于脉宽调制控制芯片，控制装置也仅仅只能输出最大占空比(例如87％)的脉宽调制驱动信号给充电电路。但是这样增加了充电时间，增加了开关损耗和器件温升，降低了充电效率。

发明内容

针对现有技术存在的上述技术问题，本发明的一方面提供了一种用于充电电路的限流控制电路，该充电电路包括串联的第一开关晶体管和采样电阻，其特征在于，所述限流控制电路包括：采样滤波电路，其输入连接至所述采样电阻的两端，用于对所述采样电阻两端的电压进行滤波并输出采样电压；

基准电压电路，其用于输出基准电压；脉宽调制控制电路，其输入端连接至所述采样滤波电路和基准电压电路的输出端，且用于根据所述采样电压和基准电压输出占空比可调的第一脉宽调制信号；电平转换电路，其输入端连接至所述脉宽调制控制电路的输出端，其用于输出与所述第一脉宽调制信号反相的第二脉宽调制信号；以及驱动电路，其输入端连接至所述电平转换电路的输出端，基于所述第二脉宽调制信号产生并输出脉宽调制驱动信号至所述第一开关晶体管的控制端。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述脉宽调制控制电路包括：误差放大器，其同相输入端连接至所述采样滤波电路的输出端，其反相输入端连接至所述基准电压电路的输出端，其输出端用于输出误差电压；以及脉宽调制产生电路，其输入端连接至所述误差放大器的输出端，其用于根据所述误差电压和脉宽调制载波信号产生所述第一脉宽调制信号。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述脉宽调制控制电路还包括连接在所述误差放大器的同相输入端和输出端之间的正反馈回路。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述正反馈回路包括：串联的第一电阻和第一电容，其连接在所述误差放大器的同相输入端和输出端之间；以及第二电容，其与所述串联的第一电阻和第一电容并联连接。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述脉宽调制控制电路还包括：第二电阻，其连接在所述误差放大器的同相输入端和所述采样滤波电路的输出端之间；以及第三电阻，其连接在所述误差放大器的反相输入端和所述基准电压电路的输出端之间。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述电平转换电路包括：第二开关晶体管，其包括控制极、第一电极和第二电极，所述第二开关晶体管的控制级电连接至所述脉宽调制控制电路的输出端，所述第一电极与所述电平转换电路的输出端连接，所述第二电极电连接至地；第四电阻，其连接在所述第二开关晶体管的控制级和第二电极之间；以及第五电阻，其连接在第一直流电源和所述第二开关晶体管的第一电极之间。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述电平转换电路还包括第六电阻，其连接在所述第二开关晶体管的控制级和所述脉宽调制控制电路的输出端之间。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述驱动电路包括NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管和PNP型三极管的集电极分别连接至所述第一直流电源和地，所述NPN型三极管和PNP型三极管的基极相连接形成的第一节点连接至所述电平转换电路的输出端，且发射极相连接形成的第二节点作为所述驱动电路的输出端。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述驱动电路还包括：第七电阻，其连接在所述第一节点和所述电平转换电路的输出端之间；以及第八电阻，其连接在所述第一直流电源和所述NPN型三极管的集电极之间。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述采样滤波电路包括串联的第九电阻和第三电容，所述第九电阻和第三电容的一端作为所述采样滤波电路的输入端，所述第九电阻和第三电容的另一端相连接并且作为采样滤波电路的输出端。

根据本发明的限流控制电路，优选地，所述基准电压电路包括：第十电阻，其一端连接至第二直流电源；第十一电阻，其一端连接至地，其另一端与所述第十电阻的另一端相连接形成的第三节点作为所述基准电压电路的输出端；以及第四电容，其与所述第十一电阻并联连接。

本发明的另一方面还提供了一种充电器，包括：充电电路，其包括：DC-DC变换器，其包括串联的第一开关晶体管和采样电阻,以及二极管和电感；连接在所述DC-DC变换器的输入端的第五电容；以及连接在所述DC-DC变换器的输出端的第六电容；根据本发明如前所述的限流控制电路，所述限流控制电路中的采样滤波电路的输入端连接至所述采样电阻的两端，且所述限流控制电路中的驱动电路的输出端连接至所述第一开关晶体管的控制端。

根据本发明的充电器，优选地，所述第一开关晶体管包括第一电极和第二电极，所述二极管的正极和所述电感的一端连接至所述第一开关晶体管的第一电极，所述采样电阻连接在所述第一开关晶体管的第二电极和地之间，所述第五电容连接在所述二极管的负极和地之间，所述第六电容连接在所述二极管的负极和所述电感的另一端。

根据本发明的充电器，优选地，所述DC-DC变换器还包括：第十二电阻，其连接在所述第一开关晶体管的第二电极和控制端之间；以及第十三电阻，其连接在所述第一开关晶体管的控制端和所述驱动电路的输出端之间。

根据本发明的限流控制电路能够限制可充电电池的充电电流，且充电功率小于电池组的额定充电功率时可达到100％的最大占空比，缩短充电时间、提高充电效率、降低开关损耗和电磁干扰、抑制温度升高。

附图说明

以下参照附图对本发明实施例作进一步说明，其中：

图1是根据本发明较佳实施例的充电器的方框图。

图2是根据本发明较佳实施例的限流控制电路的具体电路图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图通过具体实施例对本发明进一步详细说明。

图1是根据本发明较佳实施例的充电器的方框图。如图1所示，充电器1’包括充电电路1和限流控制电路2’。充电电路1包括一个降压斩波电路，其包括金氧半场效应晶体管MOS、二极管D1、电感L1、电阻R9和电阻R10，其中二极管D1的正极和电感L1的一端连接至金氧半场效应晶体管MOS的漏极，电阻R10连接在金氧半场效应晶体管MOS的栅极和源极之间，电阻R9的一端连接至金氧半场效应晶体管MOS的栅极，其另一端用于接收限流控制电路2’输出的脉宽调制驱动信号DRI。充电电路1还包括连接在降压斩波电路的输入端的电容C1，连接在降压斩波电路的输出端的电容C3，以及采样电阻Rs。。采样电阻Rs与金氧半场效应晶体管MOS串联连接，其一端连接至地G。电容C1连接在二极管D1的负极和地G之间，且电容C1的两端作为充电电路1的输入端。电容C3连接在二极管D1的负极和电感L1的另一端之间，且电容C3的两端作为充电电路1的输出端，其用于对可充电电池B进行充电。

当电阻R9的另一端接收高电平时，金氧半场效应晶体管MOS导通，形成的电流路径如下：电容C1的正极端子、电容C3的正极端子、电感L1、金氧半场效应晶体管MOS、采样电阻Rs到电容C1的负极端子(即地G)，此时电感L1储能，且电感L1和电阻Rs中的电流逐渐增加。当电阻R9的另一端接收低电平时，金氧半场效应晶体管MOS截止，电阻Rs中的电流为零，由于电感L1中的电流不能突变，形成的电流路径如下：电容C3的负极端子、电感L1、二极管D1到电容C3的正极端子，其中电感L1释放能量，电感L1中的电流逐渐降低。

限流控制电路2’包括采样滤波电路21’、基准电压电路25’、脉宽调制控制电路22’、电平转换电路23’和驱动电路24’。

采样滤波电路21’的输入端连接至采样电阻Rs的两端，其用于对电阻Rs两端的电压进行滤波，从而输出平滑、稳定、直流的采样电压Vs。

基准电压电路25’用于输出直流的基准电压Vreff。

脉宽调制控制电路22’的输入端连接至采样滤波电路21’的输出端和基准电压电路25’的输出端，其用于根据采样电压Vs和基准电压Vreff的大小输出占空比可调的第一脉宽调制信号PWM1。其中当采样电压Vs大于基准电压Vreff，且采样电压Vs与基准电压Vreff的差值越大时，脉宽调制控制电路22’输出的第一脉宽调制信号PWM1的占空比越大，当采样电压Vs小于基准电压Vreff，且基准电压Vreff与采样电压Vs的差值越大时，脉宽调制控制电路22’输出的第一脉宽调制信号PWM1的占空比越小。

电平转换电路23’的输入端连接至脉宽调制控制电路22’的输出端，其用于将第一脉宽调制信号PWM1进行反相，即将第一脉宽调制信号PWM1的高电平和低电平分别转换为低电平和高电平，从而输出第二脉宽调制信号PWM2。

驱动电路24’的输入端连接至电平转换电路23’的输出端，其用于将电平转换电路23’输出的第二脉宽调制信号PWM2进行功率放大，从而输出脉宽调制驱动信号DRI，以控制金氧半场效应晶体管MOS导通和截止。

当可充电电池B中的充电电流大于预定的充电电流时，采样滤波电路21’输出的采样电压Vs大于预定的采样电压(其大于基准电压Vreff)。脉宽调制控制电路22’输出预定时间段的高电平，电平转换电路23’输出该预定时间段的低电平，驱动电路24’输出的脉宽调制驱动信号DRI用于控制金氧半场效应晶体管MOS在预定时间段内截止。在此过程中，采样电阻Rs中的电流为零，且可充电电池B中的充电电流降低。经过预定的时间段后，由于采样滤波电路21’输出的采样电压Vs为零，由此脉宽调制控制电路22’输出第一脉宽调制信号PWM1，电平转换电路23’输出与第一脉宽调制信号PWM1反相的第二脉宽调制信号PWM2，驱动电路24’控制充电电路1以对可充电电池B进行充电。当可充电电池B中的充电电流再次大于预定的充电电流时，重复上述控制过程。由此可知，限流控制电路2’能够有效限制可充电电池B中的充电电流，使其小于预定的充电电流。

当充电电路1的充电功率小于可充电电池B的额定充电功率时，即可充电电池B中的充电电流小于额定的充电电流时，采样滤波电路21’输出的采样电压Vs小于基准电压Vreff。脉宽调制控制电路22’输出预定时间段的低电平(即相当于第一脉宽调制信号PWM1的占空比为零)。电平转换电路23’将第一脉宽调制信号PWM1进行反相后，从而输出预定时间段的高电平(即相当于占空比为100％的第二脉宽调制信号PWM2)。驱动电路24’根据占空比为100％的第二脉宽调制信号PWM2输出预定时间段的高电平驱动信号，以控制金氧半场效应晶体管MOS在预定的时间段内保持导通，从而使得提高充电效率、缩短充电时间，减小开关损耗和器件温升，并降低了电磁干扰。

图2是根据本发明一个较佳实施例的限流控制电路的电路图。如图2所示，限流控制电路2包括采样滤波电路21、基准电压电路25、脉宽调制控制电路22、电平转换电路23和驱动电路24。

采样滤波电路21包括串联的电阻R1和电容C5，其中电阻R1的一端和电容C5的一端作为采样滤波电路21的输入端，且连接至采样电阻Rs的两端，电阻R1的另一端和电容C5的另一端相连接形成的节点作为采样滤波电路21的输出端。采样滤波电路21用于过滤采样电阻Rs两端的电压中的高频分量，从而输出采样电压Vs，其中采样电压Vs等于或约等于采样电阻Rs的电阻值乘以其电流值。

基准电压电路25包括电阻R13、电阻R12和电容C10，其中电阻R13和电阻R12串联连接在直流电源V1和地G之间，电容C10与电阻R12并联连接，且电阻R13和电阻R12相连接形成的节点作为基准电压电路25的输出端。基准电压电路25输出的基准电压Vreff等于V1’*R12’/(R13’+R12’),其中V1’为直流电压V1的电压值，R12’和R13’分别是电阻R12和R13的电阻值。

脉宽调制控制电路22包括误差放大器U1、电阻R11、电阻R2、正反馈回路222和脉宽调制产生电路221。其中电阻R2连接在采样滤波电路21的输出端和误差放大器U1的同相输入端。电阻R11连接在基准电压电路25的输出端和误差放大器U1的反相输入端之间。正反馈回路222连接在误差放大器U1的同相输入端和输出端之间，其包括串联的电容C6和电阻R3，以及与电容C6和电阻R3并联的电容C7。脉宽调制产生电路221的一个输入端子连接至误差放大器U1的输出端，其另一个输入端子用于接收脉宽调制载波信号PWMC。

误差放大器U1根据采样电压Vs和基准电压Vreff的大小，输出误差电压Vd，其中误差电压Vd等于采样电压Vs与基准电压Vreff的差值的放大倍数。

脉宽调制产生电路221用于将误差电压Vd和脉宽调制载波信号PWMC进行比较，从而输出与误差电压Vd的电压值相对应的占空比的第一脉宽调制信号PWM1。例如，当误差电压Vd大于脉宽调制载波信号PWMC时，脉宽调制产生电路221输出高电平，且当误差电压Vd小于脉宽调制载波信号PWMC时，脉宽调制产生电路221输出低电平。由此脉宽调制产生电路221基于采样电压Vs输出占空比可调的第一脉宽调制信号PWM1。

电平转换电路23包括金氧半场效应晶体管Q1、电阻R4、电阻R5和电阻R6，其中电阻R4连接在金氧半场效应晶体管Q1的栅极和脉宽调制控制电路22的输出端之间。电阻R5连接在金氧半场效应晶体管Q1的栅极和源极之间，且其源极连接至地G。电阻R6连接在金氧半场效应晶体管Q1的漏极和直流电源V2之间，且金氧半场效应晶体管Q1的漏极作为电平转换电路23的输出端。

当脉宽调制控制电路22输出高电平时，电阻R5两端的电压大于金氧半场效应晶体管Q1的阈值电压(即开启电压)，金氧半场效应晶体管Q1导通，电平转换电路23输出低电平。当脉宽调制控制电路22输出低电平时，电阻R5两端的电压小于金氧半场效应晶体管Q1的阈值电压，金氧半场效应晶体管Q1截止，电平转换电路23输出高电平。由此电平转换电路23将其输入端的第一脉宽调制信号PWM1进行反相后输出第二脉宽调制信号PWM2。

驱动电路24包括NPN型三极管Q2和PNP型三极管Q3，电阻R7以及电阻R8。其中，电阻R7的一端连接至电平转换电路23的输出端并作为驱动电路24的输入端，其另一端连接至NPN型三极管Q2的基极和PNP型三极管Q3的基极，NPN型三极管Q2与PNP型三极管Q3的发射集相连接并作为驱动模块24的输出端，电阻R8连接在直流电源V2和NPN型三极管Q2的集电极，PNP型三极管Q3的集电极连接到地。

当电平转换电路23输出高电平(即大于三极管的开启电压)时，NPN型三极管Q2导通，PNP型三极管Q3截止，此时驱动模块24输出的脉宽调制驱动信号DRI的电压等于或略小于直流电源V2的电压。当电平转换电路23输出低电平(例如小于三极管的开启电压)时，NPN型三极管Q2截止，PNP型三极管Q3导通，此时驱动模块24输出的脉宽调制驱动信号DRI的电压为零伏特。驱动模块24用于将其输入端的第二脉宽调制信号PWM2进行放大，并输出用于驱动金氧半场效应晶体管MOS等开关晶体管的脉宽调制驱动信号DRI。

脉宽调制驱动信号DRI输出至充电电路1中的金氧半场效应晶体管MOS的栅极(即控制端)，用于控制金氧半场效应晶体管MOS以脉宽调制方式工作从而将电容C1两端的电压转换为降低的直流电压，以对可充电电池B进行充电。

下面简述限流控制电路2的工作原理。

当限流控制电路2输出的脉宽调制驱动信号DRI为高电平时，金氧半场效应晶体管MOS接收高电平的脉宽调制驱动信号DRI后处于导通状态，电容C1上的电能通过充电电路1对可充电电池B进行充电，同时电感L1储能，且电感L1和采样电阻Rs中的电流逐渐增加。一旦采样电阻Rs两端的电压较高，即采样滤波电路21输出的采样电压Vs大于基准电压Vreff(其等于采样电阻Rs的电阻值乘以预定的充电电流)时，脉宽调制控制电路22输出预定时间段的高电平，电平转换电路23输出预定时间段的低电平，且驱动电路24输出该预定时间段的低电平，由此控制金氧半场效应晶体管MOS处于截止状态，此时电感L1在该预定的时间段内释放存储的能量，充电电流逐渐下降且采样电阻Rs中的电流为零。经过预定的时间段后，由于采样滤波电路21输出的采样电压Vs为零，其小于基准电压Vreff，脉宽调制控制电路22输出第一脉宽调制信号PWM1，电平转换电路23输出第二脉宽调制信号PWM2，驱动电路24控制充电电路1以对可充电电池B进行充电。当可充电电池B中的充电电流再次大于预定的充电电流时，重复上述控制过程。综上可知，本发明的限流控制电路2能够通过控制充电电路1从而限制可充电电池B中的充电电流，使其小于预定的充电电流。

当充电电路1的充电功率小于可充电电池B的额定充电功率时，即可充电电池B中的充电电流小于额定的充电电流，此时采样电阻Rs两端的电压较小，即采样滤波电路21输出的采样电压Vs小于基准电压电路输出的基准电压Vreff，误差放大器U1输出的误差电压Vd为低电平，且误差电压Vd小于脉宽调制载波信号PWMC，此时脉宽调制产生电路221持续输出低电平(即相当于第一脉宽调制信号的占空比为0)。电平转换电路23持续输出高电平(即相当于第二脉宽调制信号PWM2的占空比为100％)，且驱动电路24输出高电平，从而控制金氧半场效应晶体管MOS持续导通。在下一个采样时刻，如果充电电池B中的充电电流大于额定的充电电流且小于预定的充电电流，脉宽调制控制电路22输出占空比可调(例如占空比大于0且小于87％)第一脉宽调制信号PWM1，电平转换电路23输出占空比大于13％且小于100％的第二脉宽调制信号PWM2，驱动电路24输出的脉宽调制驱动信号DRI控制金氧半场效应晶体管MOS以开关频率交替地导通和截止，从而对可充电电池B进行降压充电。综上可知，当充电电池B中的充电电流小于额定的充电电流时，电平转换电路23输出的第二脉宽调制信号PWM2的占空比为100％，由此充电电路1中的金氧半场效应晶体管MOS一直处于导通状态，减小了开关损耗和器件温升，并且降低了电磁干扰，提高了充电效率，缩短了充电时间。

采样滤波电路21用于过滤采样电阻Rs两端的电压中的高频成分，从而得平滑、稳定的采样电压Vs。

基准电压电路25中的电容C10用于过滤直流电压V1中的高频成分或脉冲尖峰，避免造成干扰。

脉宽调制控制电路22中的电阻R2和电阻R11用于限流，避免采样电压Vs和基准电压Vreff过大，导致损坏误差放大器U1。

正反馈回路222用于使得误差放大器U1输出的误差电压Vd给误差放大器U1的同相输入端提供正反馈，增加额外的环路补偿，增加相位裕度以及合适的带宽，有效地调节输出的稳定性并且提高了动态响应，避免因不期望的相位差引起的振荡。

电平转换电路23中的电阻R4作为限流电阻，用于防止金氧半场效应晶体管Q1的栅极电流过大而损坏。电阻R5作为分压电阻，其电阻值可远大于电阻R4的电阻值，用于使得金氧半场效应晶体管Q1的栅极和源极之间的电压大于其开启电压。电阻R6作为限流电阻，用于防止金氧半场效应晶体管Q1导通时，其漏极和源极之间的电流过大而损坏。

驱动模块24中的电阻R7作为基极限流电阻，能够防止基极电流过大损坏三极管。当NPN型三极管Q2导通时，电阻R8能够避免NPN型三极管Q2中的导通电流(集电极电流)过大而损坏。

充电电路1中的电阻R9用于限流，能够防止金氧半场效应晶体管MOS的栅极电流过大而损坏，电阻R10用于分压，确保脉宽调制驱动信号DRI为高电平时使得金氧半场效应晶体管MOS的栅极和源极之间的电压大于其开启电压。

在本发明的其他实施例中，采样滤波电路可以采用两级或多级的RC滤波电路，只要能够过滤采样电阻Rs中的高频分量(成份)以得到平滑、稳定的直流电压即可。

在本发明的其他实施例中，还可以采用RCπ型滤波电路、LC滤波电路、LCπ型滤波电路等其他的低通滤波电路代替上述实施例中的RC滤波电路21。

在本发明的其他实施例中，还可以采用能够提供所需基准电压Vreff的直流电源代替基准电压电路25。

在本发明的其他实施例中，还可以采用连接在误差放大器U1的同相输入端和输出端之间的电容或串联的电容和电阻代替图2中的正反馈回路222。

在本发明的其他实施例中，还可以采用绝缘栅双极型晶体管等其他的开关晶体管代替上述实施例中的金氧半场效应晶体管Q1。

在本发明的其他实施例中，还可以采用绝缘栅双极型晶体管、继电器等开关器件代替上述实施例中的金氧半场效应晶体管MOS。

本发明的充电电路1并不限于采用降压斩波电路，在其他的实施例中，还可以采用升压斩波电路等其他的DC/DC变换器。

虽然本发明已经通过优选实施例进行了描述，然而本发明并非局限于这里所描述的实施例，在不脱离本发明范围的情况下还包括所作出的各种改变以及变化。

Claims (14)

1.一种用于充电电路的限流控制电路，所述充电电路包括串联的第一开关晶体管和采样电阻，其特征在于，所述限流控制电路包括：

采样滤波电路，其输入连接至所述采样电阻的两端，用于对所述采样电阻两端的电压进行采样并输出采样电压；

基准电压电路，其用于输出基准电压；

脉宽调制控制电路，其输入端连接至所述采样滤波电路和基准电压电路的输出端，用于根据所述采样电压和基准电压输出占空比可调的第一脉宽调制信号；

电平转换电路，其输入端连接至所述脉宽调制控制电路的输出端，其用于输出与所述第一脉宽调制信号反相的第二脉宽调制信号；以及

驱动电路，其输入端连接至所述电平转换电路的输出端，基于所述第二脉宽调制信号产生并输出脉宽调制驱动信号至所述第一开关晶体管的控制端。

2.根据权利要求1所述的限流控制电路，其特征在于，所述脉宽调制控制电路包括：

误差放大器，其同相输入端连接至所述采样滤波电路的输出端，其反相输入端连接至所述基准电压电路的输出端，其输出端用于输出误差电压；以及

脉宽调制产生电路，其输入端连接至所述误差放大器的输出端，根据所述误差电压和脉宽调制载波信号产生所述第一脉宽调制信号。

3.根据权利要求2所述的限流控制电路，其特征在于，所述脉宽调制控制电路还包括连接在所述误差放大器的同相输入端和输出端之间的正反馈回路。

4.根据权利要求3所述的限流控制电路，其特征在于，所述正反馈回路包括：

串联的第一电阻和第一电容，其连接在所述误差放大器的同相输入端和输出端之间；以及

第二电容，其与所述串联的第一电阻和第一电容并联连接。

5.根据权利要求2所述的限流控制电路，其特征在于，所述脉宽调制控制电路还包括：

第二电阻，其连接在所述误差放大器的同相输入端和所述采样滤波电路的输出端之间；以及

第三电阻，其连接在所述误差放大器的反相输入端和所述基准电压电路的输出端之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的限流控制电路，其特征在于，所述电平转换电路包括：

第二开关晶体管，其包括控制极、第一电极和第二电极，所述第二开关晶体管的控制级电连接至所述脉宽调制控制电路的输出端，所述第一电极与所述电平转换电路的输出端连接，所述第二电极电连接至地；

第四电阻，其连接在所述第二开关晶体管的控制级和第二电极之间；以及

第五电阻，其连接在第一直流电源和所述第二开关晶体管的第一电极之间。

7.根据权利要求6所述的限流控制电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括第六电阻，其连接在所述第二开关晶体管的控制级和所述脉宽调制控制电路的输出端之间。

8.根据权利要求6所述的限流控制电路，其特征在于，所述驱动电路包括NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管和PNP型三极管的集电极分别连接至所述第一直流电源和地，所述NPN型三极管和PNP型三极管的基极相连接形成的第一节点连接至所述电平转换电路的输出端，且发射极相连接形成的第二节点作为所述驱动电路的输出端。

9.根据权利要求8所述的限流控制电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：

第七电阻，其连接在所述第一节点和所述电平转换电路的输出端之间；以及

第八电阻，其连接在所述第一直流电源和所述NPN型三极管的集电极之间。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的限流控制电路，其特征在于，所述采样滤波电路包括串联的第九电阻和第三电容，所述第九电阻和第三电容的一端作为所述采样滤波电路的输入端，所述第九电阻和第三电容的另一端相连接并且作为采样滤波电路的输出端。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的限流控制电路，其特征在于，所述基准电压电路包括：

第十电阻，其一端连接至第二直流电源；

第十一电阻，其一端连接至地，其另一端与所述第十电阻的另一端相连接形成的第三节点作为所述基准电压电路的输出端；以及

第四电容，其与所述第十一电阻并联连接。

12.一种充电器，其特征在于，包括：

充电电路，其包括：

DC-DC变换器，其包括串联的第一开关晶体管和采样电阻,以及二极管和电感；

连接在所述DC-DC变换器的输入端的第五电容；以及

连接在所述DC-DC变换器的输出端的第六电容；以及

权利要求1至11中任一项所述的限流控制电路，所述限流控制电路中的采样滤波电路的输入端连接至所述采样电阻的两端，且所述限流控制电路中的驱动电路的输出端连接至所述第一开关晶体管的控制端。

13.根据权利要求12所述的充电器，其特征在于，所述第一开关晶体管包括第一电极和第二电极，所述二极管的正极和所述电感的一端连接至所述第一开关晶体管的第一电极，所述采样电阻连接在所述第一开关晶体管的第二电极和地之间，所述第五电容连接在所述二极管的负极和地之间，所述第六电容连接在所述二极管的负极和所述电感的另一端。

14.根据权利要求13所述的充电器，其特征在于，所述DC-DC变换器还包括：

第十二电阻，其连接在所述第一开关晶体管的第二电极和控制端之间；以及

第十三电阻，其连接在所述第一开关晶体管的控制端和所述驱动电路的输出端之间。

Images