CN117092785A - 成像镜头、相机模块及电子装置 - Google Patents

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CN117092785A CN202211396293.0A CN202211396293A CN117092785A CN 117092785 A CN117092785 A CN 117092785A CN 202211396293 A CN202211396293 A CN 202211396293A CN 117092785 A CN117092785 A CN 117092785A
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turning
optical axis
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苏恒毅
周明达
蔡温祐
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Abstract

一种成像镜头、相机模块及电子装置，成像镜头包含多个光学元件与光路径转折机构，其中光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次。光路径转折机构包含光线转折元件、遮光结构及纳米结构层。光线转折元件包含反射面、入光面及出光面。反射面用以将光线转折元件的入光光路转折至出光光路。遮光结构设置于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者上，且遮光结构包含主要遮光部。纳米结构层连续分布于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者与主要遮光部上，纳米结构层呈现多个不规则脊状凸起。借此，可保持成像画面清晰。

Description

成像镜头、相机模块及电子装置
技术领域
本揭示内容是关于一种成像镜头与相机模块，且特别是一种应用在可携式电子装置上的成像镜头与相机模块。
背景技术
近年来，可携式电子装置发展快速，例如智能电子装置、平板电脑等，已充斥在现代人的生活中，而装载在可携式电子装置上的相机模块与其成像镜头也随之蓬勃发展。但随着科技愈来愈进步，使用者对于成像镜头的品质要求也愈来愈高。因此，发展一种可减少反射光产生以保持成像画面清晰的成像镜头遂成为产业上重要且急欲解决的问题。
发明内容
本揭示内容提供一种成像镜头、相机模块及电子装置，通过设置遮光结构以减少反射光产生，借以保持成像画面清晰。
依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，其包含多个光学元件与一光路径转折机构，其中一光轴通过光学元件，且光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次。光路径转折机构包含至少一光线转折元件、一遮光结构及一纳米结构层。光线转折元件包含一反射面、一入光面及一出光面。反射面用以将光线转折元件的一入光光路转折至一出光光路。入光面配置于反射面的物侧，且入光光路通过入光面。出光面配置于反射面的像侧，且出光光路通过出光面。遮光结构设置于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者上，且遮光结构包含一主要遮光部，其中主要遮光部位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部。纳米结构层连续分布于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者与遮光结构的主要遮光部上，纳米结构层呈现多个不规则脊状凸起。遮光结构的主要遮光部环绕光轴定义一通光区域。纳米结构层的平均高度介于90nm至350nm。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中遮光结构可同时设置于光线转折元件的入光面和出光面上。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中主要遮光部的边缘厚度可介于0.4um至50um。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中纳米结构层的平均高度可介于125nm至300nm。另外，纳米结构层的平均高度可介于195nm至255nm。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件可还包含一连接结构层，连接结构层设置于纳米结构层与光线转折元件的入光面和出光面中至少一者之间。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中连接结构层可进一步设置于纳米结构层与遮光结构之间。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件的数量可为二，且光路径转折机构用以转折光轴二次。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件的反射面可互相平行。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件的数量可为三，且光路径转折机构用以转折光轴三次。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件的反射面的其中二者可互相垂直。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件可还包含一连接面，连接面连接反射面、入光面及出光面。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件为塑胶光线转折元件。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件为玻璃光线转折元件。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件的阿贝数可介于40至65。
依据本揭示内容一实施方式提供一种相机模块，包含如前述实施方式的成像镜头。
依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含如前述实施方式的相机模块与一电子感光元件，其中电子感光元件设置于相机模块的一成像面。
依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，其包含多个光学元件与一光路径转折机构，其中一光轴通过光学元件，且光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次。光路径转折机构包含一光线转折元件、一遮光结构及一纳米结构层。光线转折元件包含至少二反射面、一入光面及一出光面。反射面用以将光线转折元件的一入光光路转折至一出光光路。入光面配置于反射面的一者的物侧，且入光光路通过入光面。出光面配置于反射面的另一者的像侧，且出光光路通过出光面。遮光结构设置于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者上，且遮光结构包含一主要遮光部，其中主要遮光部位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部。纳米结构层连续分布于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者与遮光结构的主要遮光部上，纳米结构层呈现多个不规则脊状凸起。遮光结构的主要遮光部环绕光轴定义一通光区域。纳米结构层的平均高度介于90nm至350nm。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中遮光结构可同时设置于光线转折元件的入光面和出光面上。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中主要遮光部的边缘厚度可介于0.4um至50um。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中纳米结构层的平均高度可介于125nm至300nm。另外，纳米结构层的平均高度可介于195nm至255nm。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件可还包含一连接结构层，连接结构层设置于纳米结构层与光线转折元件的入光面和出光面中至少一者之间。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中连接结构层可进一步设置于纳米结构层与遮光结构之间。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光路径转折机构可用以转折光轴至少四次。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中反射面的数量可为四，且光线转折元件的反射面的二者互相平行。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件的反射面的另二者可使光轴于光线转折元件内部全反射。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件可还包含一连接面，连接面连接反射面、入光面及出光面。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件的连接面可包含至少一注料痕。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件可还包含一阶差结构。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件为塑胶光线转折元件。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件为玻璃光线转折元件。
依据前段所述实施方式的成像镜头，其中光线转折元件的阿贝数可介于40至65。
附图说明
图1A绘示依照本揭示内容第一实施方式中相机模块的立体图；
图1B绘示依照图1A第一实施方式中相机模块的分解图；
图1C绘示依照图1A第一实施方式中相机模块的另一分解图；
图1D绘示依照图1A第一实施方式中相机模块的俯视图；
图1E绘示依照图1D第一实施方式中相机模块沿剖线1E-1E的剖面图；
图1F绘示依照图1A第一实施方式中相机模块的部分剖视图；
图1G绘示依照图1F第一实施方式中光线转折元件的部分放大图；
图1H绘示依照图1A第一实施方式中相机模块的部分示意图；
图1I绘示依照图1H第一实施方式的第一实施例中光线转折元件的局部放大图；
图1J绘示依照图1I第一实施方式的第一实施例中纳米结构层的扫描式电子显微镜影像；
图1K绘示依照图1I第一实施方式的第一实施例中纳米结构层的另一扫描式电子显微镜影像；
图1L绘示依照图1H第一实施方式的第二实施例中光线转折元件的局部放大图；
图1M绘示依照图1H第一实施方式的第三实施例中光线转折元件的局部放大图；
图1N绘示依照图1M第一实施方式的第三实施例中光线转折元件的剖面的扫描式电子显微镜影像；
图1O绘示依照图1M第一实施方式的第三实施例中光线转折元件的剖面的另一扫描式电子显微镜影像；
图1P绘示依照图1M第一实施方式的第三实施例中光线转折元件的剖面的再一扫描式电子显微镜影像；
图1Q绘示依照图1H第一实施方式的第四实施例中光线转折元件的局部放大图；
图2A绘示依照本揭示内容第二实施方式中相机模块的立体图；
图2B绘示依照图2A第二实施方式中相机模块的部分立体图；
图2C绘示依照图2A第二实施方式中相机模块的俯视图；
图2D绘示依照图2C第二实施方式中相机模块沿剖线2D-2D的剖面图；
图2E绘示依照图2A第二实施方式中光线转折元件的立体图；
图2F绘示依照图2E第二实施方式中光线转折元件的部分剖视图；
图2G绘示依照图2F第二实施方式中光线转折元件的部分放大图；
图2H绘示依照图2A第二实施方式中相机模块的部分示意图；
图2I绘示依照图2H第二实施方式的第一实施例中光线转折元件的局部放大图；
图2J绘示依照图2H第二实施方式的第二实施例中光线转折元件的局部放大图；
图2K绘示依照图2H第二实施方式的第三实施例中光线转折元件的局部放大图；
图2L绘示依照图2H第二实施方式的第四实施例中光线转折元件的局部放大图；
图3A绘示依照本揭示内容第三实施方式中相机模块的立体图；
图3B绘示依照图3A第三实施方式中相机模块的分解图；
图3C绘示依照图3A第三实施方式中相机模块的另一分解图；
图3D绘示依照图3A第三实施方式中相机模块的俯视图；
图3E绘示依照图3D第三实施方式中相机模块沿剖线3E-3E的剖面图；
图3F绘示依照图3A第三实施方式中光线转折元件的部分剖视图；
图3G绘示依照图3F第三实施方式中光线转折元件的部分放大图；
图3H绘示依照图3A第三实施方式中相机模块的部分示意图；
图3I绘示依照图3H第三实施方式的第一实施例中光线转折元件的局部放大图；
图3J绘示依照图3H第三实施方式的第二实施例中光线转折元件的局部放大图；
图3K绘示依照图3H第三实施方式的第三实施例中光线转折元件的局部放大图；
图3L绘示依照图3H第三实施方式的第四实施例中光线转折元件的局部放大图；
图4A绘示依照本揭示内容第四实施方式中光线转折元件的立体图；
图4B绘示依照图4A第四实施方式中光线转折元件的另一立体图；
图4C绘示依照图4A第四实施方式中光线转折元件的俯视图；
图4D绘示依照图4C第四实施方式中光线转折元件沿剖线4D-4D的剖面图；
图4E绘示依照图4A第四实施方式中光线转折元件的示意图；
图4F绘示依照图4E第四实施方式的第一实施例中光线转折元件的局部放大图；
图4G绘示依照图4E第四实施方式的第一实施例中光线转折元件的另一局部放大图；
图4H绘示依照图4E第四实施方式的第二实施例中光线转折元件的局部放大图；
图5A绘示依照本揭示内容第五实施方式中电子装置的示意图；以及
图5B绘示依照图5A第五实施方式中电子装置的方块图。
【符号说明】
10,20,30:相机模块
11:壳体
12:驱动件
13:电路板
14,24,34:载体
15,25,35,53:成像面
111,211,311:光学元件
112:镜筒
120a,120b,220a,220b,220c,320,420:光线转折元件
121a,121b,221a,221b,221c,321,421:反射面
122a,122b,222a,222b,222c,322,422:入光面
123a,123b,223a,223b,223c,323,423:出光面
124a,124b,324:连接面
130,230,330,430:遮光结构
131,231,331,431:主要遮光部
140,240,340,440:纳米结构层
150,250,350,450:连接结构层
32:支撑件
425:阶差结构
426:注料痕
50:电子装置
511:长焦望远镜头
512:超广角镜头
513:超长焦望远镜头
514:广角主镜头
52:镜头盖板
54:使用者界面
55:成像信号处理元件
56:光学防手震组件
57:感测元件
58:闪光灯模块
59:对焦辅助模块
IS,53:电子感光元件
L1:入光光路
L2:出光光路
T:边缘厚度
T1:高度
T2:厚度
具体实施方式
本揭示内容提供一种成像镜头，其包含多个光学元件及一光路径转折机构，其中一光轴通过光学元件，且光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次。光路径转折机构包含一光线转折元件、一遮光结构及一纳米结构层。光线转折元件包含一反射面、一入光面及一出光面，其中反射面用以将光线转折元件的一入光光路转折至一出光光路，入光面配置于反射面的物侧，且入光光路通过入光面，且出光面配置于反射面的像侧，且出光光路通过出光面。遮光结构设置于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者上，且遮光结构包含一主要遮光部，其中主要遮光部位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部。纳米结构层连续分布于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者与遮光结构的主要遮光部上，纳米结构层呈现多个不规则脊状凸起。遮光结构的主要遮光部环绕光轴定义一通光区域。纳米结构层的平均高度介于90nm至350nm。通过纳米结构层设置于遮光结构的主要遮光部上，可减少光线于主要遮光部反射，借以保持成像画面清晰。
具体而言，遮光结构可以是由环氧树脂为基底的速干型墨水形成的黑色涂墨层、化学气相沉积的黑化镀膜层、光阻墨层或者由包含黑色聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)材质的遮光片所构成，但不以此为限。再者，从横截面观察到纳米结构层呈现不规则脊状凸起，其如山脊般呈现下宽上窄的形式，使纳米结构层的等效折射率可自底部向顶部递减，借以破坏反射光并减少反射光产生。
纳米结构层的表面具有多个孔洞结构，而孔洞结构露出部分的光线转折元件或部分的遮光结构，其中露出的部分光线转折元件或部分遮光结构与空气接触。
反射面的数量可为至少二，其中入光面配置于反射面的一者的物侧，且出光面配置于反射面的另一者的像侧。具体而言，光线转折元件可以是由多个光线转折元件粘合或组装后形成，但不以此为限制。通过选用适当折射率的光线转折元件，多个反射面可使成像光线于光线转折元件内部全反射。
光路径转折机构可用以转折光轴至少四次。借此，可对应长焦距的光学设计，以达到镜头微小化的效果。进一步来说，反射面的数量可为四，且光线转折元件的反射面的二者互相平行，其中互相平行的二反射面上皆设置有反射光学膜层，且反射光学膜层可包含银原子层。再者，光线转折元件的反射面的另二者可使光轴于光线转折元件内部全反射。利用单一光线转折元件内部全反射，可等同于多个光线转折元件转折光轴的光学特性，借以降低生产成本。
遮光结构可同时设置于光线转折元件的入光面和出光面上。借此，可得到较佳遮光范围的遮光结构，借以提升杂散光的遮蔽效率。
光线转折元件可还包含一连接结构层，其中连接结构层设置于纳米结构层与光线转折元件的入光面和出光面中至少一者之间。连接结构层可使光线转折元件与纳米结构层之间紧密接合，借以具有较高的结构稳定性。再者，纳米结构层可设置于连接结构层的最顶层，且连接结构层可以是由多个折射率相异且交替堆迭的膜层组成，且连接结构层可包含至少一氧化硅(SiO2)膜层或至少一氧化钛(TiO2)膜层。纳米结构层的表面具有多个孔洞结构，而孔洞结构露出部分的连接结构层，其中露出的部分连接结构层与空气接触。
连接结构层可进一步设置于纳米结构层与遮光结构之间。具体而言，连接结构层可使遮光结构与纳米结构层之间紧密接合，借以具有较高的结构稳定性。
光线转折元件的数量可为二，且光路径转折机构用以转折光轴二次，其中光线转折元件的反射面可互相平行。借此，可对应长焦距的光学设计，以达到镜头微小化的效果。
光线转折元件的数量可为三，且光路径转折机构用以转折光轴三次，其中光线转折元件的反射面的其中二者可互相垂直。借此，可对应长焦距的光学设计，以达到镜头微小化的效果。
光线转折元件可还包含一连接面，其中连接面连接反射面、入光面及出光面。具体而言，除了反射面、入光面及出光面以外的面都可定义为连接面，且连接面可由多个光线转折元件粘合或组装后形成，但并不以此为限。
光线转折元件的连接面可包含至少一注料痕，且光线转折元件还包含一阶差结构。借此，有利于辨识通光区域与遮光区域的交界范围。进一步来说，阶差结构附近的通光区域相较于遮光区域，可以呈凹陷状或是突出状，但不以此为限。
光线转折元件可为塑胶光线转折元件。借此，可减少光线转折元件的重量，进而达到镜头轻量化的目的。或者，光线转折元件可为玻璃光线转折元件。借此，对于温度效应具有更稳定的光学性能。
主要遮光部的边缘厚度可介于0.4um至50um。借此，可对应由不同方式制成的遮光结构厚度条件，以搭配不同的光学设计需求，提升设计裕度。
纳米结构层的平均高度可介于125nm至300nm。通过上述纳米结构层高度设定范围，可于不影响成像品质的前提下兼顾较佳抗反射效果。另外，纳米结构层的平均高度可介于195nm至255nm。当纳米结构层平均高度接近200nm时，对于特定条件的入射光有较佳的抗反射效果，但不以此为限。进一步来说，纳米结构层的材质可包含氧化铝(Al2O3)。
光线转折元件的阿贝数可介于40至65。通过具有低色散光学特性的光线转折元件可减少光学色像差，以提升成像品质。
上述本揭示内容成像镜头中的各技术特征皆可组合配置，而达到对应的功效。
本揭示内容提供一种相机模块，其中相机模块包含前述的成像镜头。
本揭示内容提供一种电子装置，其中电子装置包含前述的相机模块与一电子感光元件。电子感光元件设置于相机模块的一成像面。
根据上述实施方式，以下提出具体实施方式与实施例并配合附图予以详细说明。
＜第一实施方式＞
请参照图1A至图1E，其中图1A绘示依照本揭示内容第一实施方式中相机模块10的立体图，图1B绘示依照图1A第一实施方式中相机模块10的分解图，图1C绘示依照图1A第一实施方式中相机模块10的另一分解图，图1D绘示依照图1A第一实施方式中相机模块10的俯视图，图1E绘示依照图1D第一实施方式中相机模块10沿剖线1E-1E的剖面图。由图1A至图1E可知，相机模块10包含一壳体11、一驱动件12、一电路板13、一载体14及一成像镜头(图未标示)，其中相机模块10可应用于电子装置(图未绘示)，且电子装置的一电子感光元件IS设置于相机模块10的一成像面15。具体而言，壳体11设置于载体14的一侧，成像镜头设置于载体14内，且驱动件12与电路板13设置于载体14的另一侧，其中驱动件12用以驱动成像镜头。
请参照图1F至图1H，其中图1F绘示依照图1A第一实施方式中相机模块10的部分剖视图，图1G绘示依照图1F第一实施方式中光线转折元件120a的部分放大图，图1H绘示依照图1A第一实施方式中相机模块10的部分示意图。由图1A至图1H可知，成像镜头包含多个光学元件111、一镜筒112及一光路径转折机构(图未标示)，其中一光轴(图未标示)通过光学元件111，光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次，且光学元件111设置于镜筒112中。进一步来说，光路径转折机构包含二光线转折元件120a、120b、一遮光结构130及一纳米结构层140，其中光线转折元件120a、120b的数量为二，且光路径转折机构用以转折光轴二次，借以对应长焦距的光学设计以达到镜头微小化的效果。再者，光线转折元件120a、120b可为塑胶光线转折元件，借以减少光线转折元件120a、120b的重量，进而达到镜头轻量化的目的；或者，光线转折元件120a、120b可为玻璃光线转折元件，借以对于温度效应具有更稳定的光学性能。
由图1B、图1C及图1H可知，光线转折元件120a包含一反射面121a、一入光面122a、一出光面123a及一连接面124a，且光线转折元件120b包含一反射面121b、一入光面122b、一出光面123b及一连接面124b，其中反射面121a用以将光线转折元件120a的一入光光路L1转折至一出光光路L2；入光面122a配置于反射面121a的物侧，且入光光路L1通过入光面122a；出光面123a配置于反射面121a的像侧，且出光光路L2通过出光面123a；连接面124a连接反射面121a、入光面122a及出光面123a；反射面121b用以将光线转折元件120b的一入光光路L1转折至一出光光路L2；入光面122b配置于反射面121b的物侧，且入光光路L1通过入光面122b；出光面123b配置于反射面121b的像侧，且出光光路L2通过出光面123b；连接面124b连接反射面121b、入光面122b及出光面123b。再者，光轴与光线转折元件120a的出光光路L2、光线转折元件120b的入光光路L1平行，且光线转折元件120a的反射面121a与光线转折元件120b的反射面121b互相平行。
详细而言，遮光结构130同时设置于光线转折元件120a的入光面122a、出光面123a及光线转折元件120b的入光面122b、出光面123b上，借以得到较佳遮光范围的遮光结构130，进而提升杂散光的遮蔽效率。
再者，光线转折元件120a、120b的阿贝数介于40至65。
请参照图1I，其为依照图1H第一实施方式的第一实施例中光线转折元件120a的局部放大图。由图1I可知，遮光结构130包含一主要遮光部131，其中主要遮光部131位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部，且遮光结构130的主要遮光部131环绕光轴定义一通光区域。具体而言，遮光结构130可以是由环氧树脂为基底的速干型墨水形成的黑色涂墨层、化学气相沉积的黑化镀膜层、光阻墨层或者由包含黑色PET材质的遮光片所构成，但不以此为限。
请参照图1J与图1K，其中图1J绘示依照图1I第一实施方式的第一实施例中纳米结构层140的扫描式电子显微镜影像，图1K绘示依照图1I第一实施方式的第一实施例中纳米结构层140的另一扫描式电子显微镜影像。由图1J与图1K可知，通过扫描式电子显微镜影像俯视观察纳米结构层140于光线转折元件120a的分布情况，纳米结构层140连续分布于光线转折元件120a的入光面122a、出光面123a及遮光结构130的主要遮光部131上，且纳米结构层140呈现多个不规则脊状凸起。通过纳米结构层140设置于遮光结构130的主要遮光部131上，可减少光线于主要遮光部131反射，借以保持成像画面清晰。具体而言，纳米结构层140的材质包含氧化铝，纳米结构层140的表面具有多个孔洞结构，而孔洞结构露出部分的光线转折元件120a或部分的遮光结构130，其中露出的部分光线转折元件120a或部分遮光结构130与空气接触。
由图1I可知，主要遮光部131的边缘厚度T为18um。
请参照图1L，其为依照图1H第一实施方式的第二实施例中光线转折元件120a的局部放大图。由图1L可知，遮光结构130的边缘为圆弧状，且主要遮光部131的边缘厚度T为5um。
请参照图1M，其为依照图1H第一实施方式的第三实施例中光线转折元件120a的局部放大图。由图1M可知，光线转折元件120a可还包含一连接结构层150，其中连接结构层150设置于纳米结构层140与光线转折元件120a的入光面122a之间，且连接结构层150进一步设置于纳米结构层140与遮光结构130之间。具体而言，连接结构层150可使光线转折元件120a与纳米结构层140之间紧密接合，并使遮光结构130与纳米结构层140之间紧密接合，借以具有较高的结构稳定性。再者，纳米结构层140可设置于连接结构层150的最顶层。纳米结构层140的表面的孔洞结构露出部分的连接结构层150，其中露出的部分连接结构层150与空气接触。
由图1M可知，遮光结构130的边缘为圆弧状，且主要遮光部131的边缘厚度T为5um。
请参照图1N至图1P，其中图1N绘示依照图1M第一实施方式的第三实施例中光线转折元件120a的剖面的扫描式电子显微镜影像，图1O绘示依照图1M第一实施方式的第三实施例中光线转折元件120a的剖面的另一扫描式电子显微镜影像，图1P绘示依照图1M第一实施方式的第三实施例中光线转折元件120a的剖面的再一扫描式电子显微镜影像。由图1N至图1P可知，由电子显微镜影像观察光线转折元件120a的剖面，由上至下依序为纳米结构层140、连接结构层150及光线转折元件120a的表面，其中图1N的纳米结构层140的高度T1为200.3nm，连接结构层150的厚度T2为73.68nm；图1O的纳米结构层140的高度T1为232.7nm，连接结构层150的厚度T2为76.62nm；图1P的纳米结构层140的高度T1为247.4nm，连接结构层150的厚度T2为75.15nm，其中纳米结构层140的平均高度为226.8nm。
进一步来说，由图1N至图1P可观察到纳米结构层140呈现不规则脊状凸起，其如山脊般呈现下宽上窄的形式，使纳米结构层140的等效折射率可自底部向顶部递减，借以破坏反射光并减少反射光产生。
请参照图1Q，其为依照图1H第一实施方式的第四实施例中光线转折元件120a的局部放大图。由图1Q可知，主要遮光部131的边缘厚度T为18um。
必须说明的是，图1A至图1I、图1L至图1M及图1Q的十字网底与撒点网底分别用以示意遮光结构130的范围与纳米结构层140的范围。
＜第二实施方式＞
请参照图2A至图2D，其中图2A绘示依照本揭示内容第二实施方式中相机模块20的立体图，图2B绘示依照图2A第二实施方式中相机模块20的部分立体图，图2C绘示依照图2A第二实施方式中相机模块20的俯视图，图2D绘示依照图2C第二实施方式中相机模块20沿剖线2D-2D的剖面图。由图2A至图2D可知，相机模块20包含多个载体24及一成像镜头(图未标示)，其中相机模块20可应用于电子装置(图未绘示)，且电子装置的一电子感光元件IS设置于相机模块20的一成像面25。
请参照图2E至图2H，其中图2E绘示依照图2A第二实施方式中光线转折元件220a、220b、220c的立体图，图2F绘示依照图2E第二实施方式中光线转折元件220a的部分剖视图，图2G绘示依照图2F第二实施方式中光线转折元件220a的部分放大图，图2H绘示依照图2A第二实施方式中相机模块20的部分示意图。由图2A至图2H可知，成像镜头包含多个光学元件211及一光路径转折机构(图未标示)，其中一光轴(图未标示)通过光学元件211，且光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次。进一步来说，光路径转折机构包含三光线转折元件220a、220b、220c、一遮光结构230及一纳米结构层240，且载体24用以容纳光学元件211及光线转折元件220b、220c，其中光线转折元件220a、220b、220c的数量为三，且光路径转折机构用以转折光轴三次，借以对应长焦距的光学设计以达到镜头微小化的效果。
由图2H可知，光线转折元件220a包含一反射面221a、一入光面222a、一出光面223a及一连接面(图未标示)，光线转折元件220b包含一反射面221b、一入光面222b、一出光面223b及一连接面(图未标示)，光线转折元件220c包含一反射面221c、一入光面222c、一出光面223c及一连接面(图未标示)，其中反射面221a用以将光线转折元件220a的一入光光路L1转折至一出光光路L2；入光面222a配置于反射面221a的物侧，且入光光路L1通过入光面222a；出光面223a配置于反射面221a的像侧，且出光光路L2通过出光面223a；连接面连接反射面221a、入光面222a及出光面223a；反射面221b用以将光线转折元件220b的一入光光路L1转折至一出光光路L2；入光面222b配置于反射面221b的物侧，且入光光路L1通过入光面222b；出光面223b配置于反射面221b的像侧，且出光光路L2通过出光面223b；连接面连接反射面221b、入光面222b及出光面223b；反射面221c用以将光线转折元件220c的一入光光路L1转折至一出光光路L2；入光面222c配置于反射面221c的物侧，且入光光路L1通过入光面222c；出光面223c配置于反射面221c的像侧，且出光光路L2通过出光面223c；连接面连接反射面221c、入光面222c及出光面223c。再者，光线转折元件220b的反射面221b与光线转折元件220c的反射面221c互相垂直，且除了反射面221a、221b、221c、入光面222a、222b、222c及出光面223a、223b、223c以外的面都可定义为连接面。
详细而言，遮光结构230同时设置于光线转折元件220a的入光面222a、连接面、光线转折元件220b的连接面、出光面223b及光线转折元件220c的连接面上，借以得到较佳遮光范围的遮光结构230，进而提升杂散光的遮蔽效率。
请参照图2I，其为依照图2H第二实施方式的第一实施例中光线转折元件220b的局部放大图。由图2I可知，遮光结构230包含一主要遮光部231，其中主要遮光部231位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部，且遮光结构230的主要遮光部231环绕光轴定义一通光区域。
进一步来说，纳米结构层240连续分布于光线转折元件220b的入光面222b及遮光结构230的主要遮光部231上，且纳米结构层240呈现多个不规则脊状凸起。通过纳米结构层240设置于遮光结构230的主要遮光部231上，可减少光线于主要遮光部231反射，借以保持成像画面清晰。具体而言，纳米结构层240的表面具有多个孔洞结构，而孔洞结构露出部分的光线转折元件220b或部分的遮光结构230，其中露出的部分光线转折元件220b或部分遮光结构230与空气接触。
由图2I可知，主要遮光部231的边缘厚度T为28um。
请参照图2J，其为依照图2H第二实施方式的第二实施例中光线转折元件220b的局部放大图。由图2J可知，遮光结构230的边缘为圆弧状，且主要遮光部231的边缘厚度T为4um。
请参照图2K，其为依照图2H第二实施方式的第三实施例中光线转折元件220b的局部放大图。由图2K可知，光线转折元件220b可还包含一连接结构层250，其中连接结构层250设置于纳米结构层240与光线转折元件220b的出光面223b之间，且连接结构层250进一步设置于纳米结构层240与遮光结构230之间。具体而言，连接结构层250可使光线转折元件220b与纳米结构层240之间紧密接合，并使遮光结构230与纳米结构层240之间紧密接合，借以具有较高的结构稳定性。再者，纳米结构层240可设置于连接结构层250的最顶层。纳米结构层240的表面的孔洞结构露出部分的连接结构层250，其中露出的部分连接结构层250与空气接触。
由图2K可知，遮光结构230的边缘为圆弧状，且主要遮光部231的边缘厚度T为4um。
请参照图2L，其为依照图2H第二实施方式的第四实施例中光线转折元件220b的局部放大图。由图2L可知，主要遮光部231的边缘厚度T为28um。
必须说明的是，图2A至图2L的十字网底与撒点网底分别用以示意遮光结构230的范围与纳米结构层240的范围。
＜第三实施方式＞
请参照图3A至图3E，其中图3A绘示依照本揭示内容第三实施方式中相机模块30的立体图，图3B绘示依照图3A第三实施方式中相机模块30的分解图，图3C绘示依照图3A第三实施方式中相机模块30的另一分解图，图3D绘示依照图3A第三实施方式中相机模块30的俯视图，图3E绘示依照图3D第三实施方式中相机模块30沿剖线3E-3E的剖面图。由图3A至图3E可知，相机模块30包含一支撑件32、一载体34及一成像镜头(图未标示)，其中相机模块30可应用于电子装置(图未绘示)，且电子装置的一电子感光元件IS设置于相机模块30的一成像面35。具体而言，成像镜头设置于载体34内，且支撑件32设置于载体34的一侧。
请参照图3F至图3H，其中图3F绘示依照图3A第三实施方式中光线转折元件320的部分剖视图，图3G绘示依照图3F第三实施方式中光线转折元件320的部分放大图，图3H绘示依照图3A第三实施方式中相机模块30的部分示意图。由图3A至图3H可知，成像镜头包含多个光学元件311及一光路径转折机构(图未标示)，其中一光轴(图未标示)通过光学元件311，光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次，且光学元件311设置于载体34中。进一步来说，光路径转折机构包含一光线转折元件320、一遮光结构330及一纳米结构层340，其中支撑件32用以支撑光线转折元件320。
由图3H可知，光线转折元件320包含多个反射面321、一入光面322、一出光面323及多个连接面324，其中反射面321用以将光线转折元件320的一入光光路L1转折至一出光光路L2；入光面322配置于反射面321的物侧，且入光光路L1通过入光面322；出光面323配置于反射面321的像侧，且出光光路L2通过出光面323；连接面324连接反射面321、入光面322及出光面323。通过选用适当折射率的光线转折元件320，多个反射面321可使成像光线于光线转折元件320内部全反射。再者，光轴与光线转折元件320的入光光路L1平行。
具体而言，光路径转折机构用以转折光轴至少四次，借以对应长焦距的光学设计，以达到镜头微小化的效果，其中反射面321的数量为四，光线转折元件320的反射面321的二者互相平行，光线转折元件320的反射面321的另二者使光轴于光线转折元件320内部全反射，且光线转折元件320的反射面321的二者分别与入光面322、出光面323共用平面。利用单一光线转折元件320内部全反射，可等同于多个光线转折元件转折光轴的光学特性，借以降低生产成本。进一步来说，互相平行的二反射面321上可皆设置有反射光学膜层(图未绘示)，其中反射光学膜层可包含银原子层。
详细而言，遮光结构330同时设置于光线转折元件320的入光面322、出光面323、与入光面322、出光面323共用平面的反射面321及连接面324上，借以得到较佳遮光范围的遮光结构330，进而提升杂散光的遮蔽效率。
请参照图3I，其为依照图3H第三实施方式的第一实施例中光线转折元件320的局部放大图。由图3I可知，遮光结构330包含一主要遮光部331，其中主要遮光部331位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部，且遮光结构330的主要遮光部331环绕光轴定义一通光区域。
进一步来说，纳米结构层340连续分布于光线转折元件320的入光面322、出光面323及遮光结构330的主要遮光部331上，且纳米结构层340呈现多个不规则脊状凸起。通过纳米结构层340设置于遮光结构330的主要遮光部331上，可减少光线于主要遮光部331反射，借以保持成像画面清晰。具体而言，纳米结构层340的表面具有多个孔洞结构，而孔洞结构露出部分的光线转折元件320或部分的遮光结构330，其中露出的部分光线转折元件320或部分的遮光结构330与空气接触。
由图3I可知，主要遮光部331的边缘厚度T为23um。
请参照图3J，其为依照图3H第三实施方式的第二实施例中光线转折元件320的局部放大图。由图3J可知，遮光结构330的边缘为圆弧状，且主要遮光部331的边缘厚度T为4um。
请参照图3K，其为依照图3H第三实施方式的第三实施例中光线转折元件320的局部放大图。由图3K可知，光线转折元件320可还包含一连接结构层350，其中连接结构层350设置于纳米结构层340与光线转折元件320的入光面322之间，且连接结构层350进一步设置于纳米结构层340与遮光结构330之间。具体而言，连接结构层350可使光线转折元件320与纳米结构层340之间紧密接合，并使遮光结构330与纳米结构层340之间紧密接合，借以具有较高的结构稳定性。再者，纳米结构层340可设置于连接结构层350的最顶层。纳米结构层340的表面的孔洞结构露出部分的连接结构层350，其中露出的部分连接结构层350与空气接触。
由图3K可知，遮光结构330的边缘为圆弧状，且主要遮光部331的边缘厚度T为4um。
请参照图3L，其为依照图3H第三实施方式的第四实施例中光线转折元件320的局部放大图。由图3L可知，主要遮光部331的边缘厚度T为23um。
必须说明的是，图3B至图3C、图3E至图3L的十字网底与撒点网底分别用以示意遮光结构330的范围与纳米结构层340的范围。
＜第四实施方式＞
请参照图4A至图4E，其中图4A绘示依照本揭示内容第四实施方式中光线转折元件420的立体图，图4B绘示依照图4A第四实施方式中光线转折元件420的另一立体图，图4C绘示依照图4A第四实施方式中光线转折元件420的俯视图，图4D绘示依照图4C第四实施方式中光线转折元件420沿剖线4D-4D的剖面图，图4E绘示依照图4A第四实施方式中光线转折元件420的示意图。由图4A至图4E可知，光线转折元件420包含多个反射面421、一入光面422、一出光面423及多个连接面(图未标示)，其中反射面421用以将光线转折元件420的一入光光路L1转折至一出光光路L2；入光面422配置于反射面421的物侧，且入光光路L1通过入光面422；出光面423配置于反射面421的像侧，且出光光路L2通过出光面423；连接面连接反射面421、入光面422及出光面423，且除了反射面421、入光面422及出光面423以外的面都可定义为连接面。
通过选用适当折射率的光线转折元件420，多个反射面421可使成像光线于光线转折元件420内部全反射。再者，光轴与光线转折元件420的入光光路L1平行。必须说明的是，第四实施方式的光线转折元件420可应用于第三实施方式的相机模块30，且一电子感光元件IS设置于一成像面(图未标示)。
详细来说，光线转折元件420可由多个光线转折元件粘合或组装后形成，进一步来说，连接面可以是由多个光线转折元件粘合或组装后形成，但并不以此为限。
由图4A至图4D可知，光线转折元件420可还包含一阶差结构425，且光线转折元件420的连接面包含至少一注料痕426，其中阶差结构425设置于反射面421、入光面422及出光面423上。借此，有利于辨识通光区域与遮光区域的交界范围。进一步来说，阶差结构425附近的通光区域相较于遮光区域，可以呈凹陷状或是突出状，但不以此为限。
请参照图4F与图4G，其中图4F绘示依照图4E第四实施方式的第一实施例中光线转折元件420的局部放大图，图4G绘示依照图4E第四实施方式的第一实施例中光线转折元件420的另一局部放大图。由图4F与图4G可知，遮光结构430包含一主要遮光部431，其中主要遮光部431位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部，且遮光结构430的主要遮光部431环绕光轴定义一通光区域。
进一步来说，纳米结构层440连续分布于光线转折元件420的入光面422、出光面423及遮光结构430的主要遮光部431上，且纳米结构层440呈现多个不规则脊状凸起。通过纳米结构层440设置于遮光结构430的主要遮光部431上，可减少光线于主要遮光部431反射，借以保持成像画面清晰。具体而言，纳米结构层440的表面具有多个孔洞结构，而孔洞结构露出部分的光线转折元件420或部分的遮光结构430，其中露出的部分光线转折元件420或部分的遮光结构430与空气接触。
由图4F可知，主要遮光部431的边缘厚度T为1um。
请参照图4H，其为依照图4E第四实施方式的第二实施例中光线转折元件420的局部放大图。由图4H可知，光线转折元件420可还包含多个连接结构层450，其中连接结构层450设置于光线转折元件420的入光面422，且连接结构层450进一步设置于遮光结构430。具体而言，连接结构层450可于未设置纳米结构层的情况下设置于光线转折元件420的入光面422与遮光结构430。
进一步来说，连接结构层450是由多个折射率相异且交替堆迭的膜层组成，其中连接结构层450可包含至少一氧化硅膜层或至少一氧化钛膜层。
由图4H可知，主要遮光部431的边缘厚度T为1um。
必须说明的是，图4A至图4C及图4F至图4H的十字网底与撒点网底分别用以示意遮光结构430的范围与纳米结构层440的范围。
＜第五实施方式＞
请参照图5A与图5B，其中图5A绘示依照本揭示内容第五实施方式中电子装置50的示意图，图5B绘示依照图5A第五实施方式中电子装置50的方块图。由图5A与图5B可知，第五实施方式中，电子装置50是一智能手机，电子装置50包含四相机模块与一电子感光元件53，其中电子感光元件53设置于相机模块的一成像面，且相机模块分别为长焦望远镜头511、超广角镜头512、超长焦望远镜头513及广角主镜头514。进一步来说，相机模块分别包含成像镜头(图未绘示)，且成像镜头包含多个光学元件(图未绘示)与一光路径转折机构(图未绘示)，其中光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次，且包含至少一光线转折元件(图未绘示)。
详细来说，可通过切换不同视角的相机模块，使电子装置50实现光学变焦的功能。必须说明的是，镜头盖板52仅为示意电子装置50内部的长焦望远镜头511、超广角镜头512、超长焦望远镜头513及广角主镜头514，并不表示镜头盖板52为可拆卸式的。具体而言，第五实施方式的光线转折元件可为前述第一实施方式至第四实施方式的光线转折元件，但并不以此为限。
电子装置50还包含一使用者界面54，其中使用者界面54可为触控屏幕或显示屏幕，并不以此为限。
进一步来说，使用者通过电子装置50的使用者界面54进入拍摄模式。此时长焦望远镜头511、超广角镜头512、超长焦望远镜头513及广角主镜头514汇集成像光线在电子感光元件53上，并输出有关影像的电子信号至成像信号处理元件(Image Signal Processor，ISP)55。
因应电子装置50的相机规格，电子装置50可还包含一光学防手震组件56，是可为OIS防抖回馈装置，进一步地，电子装置50可还包含至少一个辅助光学元件(图未标示)及至少一个感测元件57。第五实施方式中，辅助光学元件为闪光灯模块58与对焦辅助模块59，闪光灯模块58可用以补偿色温，对焦辅助模块59可为红外线测距元件、激光对焦模块等。感测元件57可具有感测物理动量与作动能量的功能，如加速计、陀螺仪、霍尔元件(Hall EffectElement)，以感知使用者的手部或外在环境施加的晃动及抖动，进而有利于电子装置50中相机模块(即长焦望远镜头511、超广角镜头512、超长焦望远镜头513及广角主镜头514)配置的自动对焦功能及光学防手震组件56的发挥，以获得良好的成像品质，有助于依据本发明的电子装置50具备多种模式的拍摄功能，如优化自拍、低光源HDR(High Dynamic Range，高动态范围成像)、高解析4K(4K Resolution)录影等。此外，使用者可由触控屏幕直接目视到相机的拍摄画面，并在触控屏幕上手动操作取景范围，以达成所见即所得的自动对焦功能。
此外，电子装置50可还包含但不限于显示单元(Display)、控制单元(ControlUnit)、储存单元(Storage Unit)、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)或其组合。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。

Claims (33)

1.一种成像镜头，其特征在于，包含：
多个光学元件，一光轴通过所述多个光学元件；以及
一光路径转折机构，配置于该光轴上用以转折该光轴至少一次，且包含：
至少一光线转折元件，包含：
一反射面，用以将该至少一光线转折元件的一入光光路转折至一出光光路；
一入光面，配置于该反射面的物侧，且该入光光路通过该入光面；及
一出光面，配置于该反射面的像侧，且该出光光路通过该出光面；
一遮光结构，设置于该至少一光线转折元件的该入光面和该出光面中至少一者上，且该遮光结构包含：
一主要遮光部，位于通过该光轴的一横截面上最靠近该光轴的一边缘部；及
一纳米结构层，连续分布于该至少一光线转折元件的该入光面和该出光面中至少该者与该遮光结构的该主要遮光部上，该纳米结构层呈现多个不规则脊状凸起；
其中，该遮光结构的该主要遮光部环绕该光轴定义一通光区域；
其中，该纳米结构层的平均高度介于90nm至350nm。
2.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该遮光结构同时设置于该至少一光线转折元件的该入光面和该出光面上。
3.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该主要遮光部的边缘厚度介于0.4um至50um。
4.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该纳米结构层的平均高度介于125nm至300nm。
5.如权利要求4所述的成像镜头，其特征在于，该纳米结构层的平均高度介于195nm至255nm。
6.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该至少一光线转折元件还包含一连接结构层，该连接结构层设置于该纳米结构层与该至少一光线转折元件的该入光面和该出光面中至少该者之间。
7.如权利要求6所述的成像镜头，其特征在于，该连接结构层进一步设置于该纳米结构层与该遮光结构之间。
8.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该至少一光线转折元件的数量为二，且该光路径转折机构用以转折该光轴二次。
9.如权利要求8所述的成像镜头，其特征在于，该二光线转折元件的该二反射面互相平行。
10.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该至少一光线转折元件的数量为三，且该光路径转折机构用以转折该光轴三次。
11.如权利要求10所述的成像镜头，其特征在于，该三光线转折元件的所述多个反射面的其中二者互相垂直。
12.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该至少一光线转折元件还包含一连接面，该连接面连接该反射面、该入光面及该出光面。
13.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该至少一光线转折元件为塑胶光线转折元件。
14.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该至少一光线转折元件为玻璃光线转折元件。
15.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该至少一光线转折元件的阿贝数介于40至65。
16.一种相机模块，其特征在于，包含：
如权利要求1所述的成像镜头。
17.一种电子装置，其特征在于，包含：
如权利要求16所述的相机模块；以及
一电子感光元件，设置于该相机模块的一成像面。
18.一种成像镜头，其特征在于，包含：
多个光学元件，一光轴通过所述多个光学元件；以及
一光路径转折机构，配置于该光轴上用以转折该光轴至少一次，且包含：
一光线转折元件，包含：
至少二反射面，用以将该光线转折元件的一入光光路转折至一出光光路；
一入光面，配置于该至少二反射面的一者的物侧，且该入光光路通过该入光面；及
一出光面，配置于该至少二反射面的另一者的像侧，且该出光光路通过该出光面；
一遮光结构，设置于该光线转折元件的该入光面和该出光面中至少一者上，且该遮光结构包含：
一主要遮光部，位于通过该光轴的一横截面上最靠近该光轴的一边缘部；及
一纳米结构层，连续分布于该光线转折元件的该入光面和该出光面中至少该者与该遮光结构的该主要遮光部上，该纳米结构层呈现多个不规则脊状凸起；
其中，该遮光结构的该主要遮光部环绕该光轴定义一通光区域；
其中，该纳米结构层的平均高度介于90nm至350nm。
19.如权利要求18所述的成像镜头，其特征在于，该遮光结构同时设置于该光线转折元件的该入光面和该出光面上。
20.如权利要求18所述的成像镜头，其特征在于，该主要遮光部的边缘厚度介于0.4um至50um。
21.如权利要求18所述的成像镜头，其特征在于，该纳米结构层的平均高度介于125nm至300nm。
22.如权利要求21所述的成像镜头，其特征在于，该纳米结构层的平均高度介于195nm至255nm。
23.如权利要求18所述的成像镜头，其特征在于，该光线转折元件还包含一连接结构层，该连接结构层设置于该纳米结构层与该光线转折元件的该入光面和该出光面中至少该者之间。
24.如权利要求23所述的成像镜头，其特征在于，该连接结构层进一步设置于该纳米结构层与该遮光结构之间。
25.如权利要求18所述的成像镜头，其特征在于，该光路径转折机构用以转折该光轴至少四次。
26.如权利要求25所述的成像镜头，其特征在于，该至少二反射面的数量为四，且该光线转折元件的该四反射面的二者互相平行。
27.如权利要求26所述的成像镜头，其特征在于，该光线转折元件的该四反射面的另二者使该光轴于该光线转折元件内部全反射。
28.如权利要求18所述的成像镜头，其特征在于，该光线转折元件还包含一连接面，该连接面连接该至少二反射面、该入光面及该出光面。
29.如权利要求28所述的成像镜头，其特征在于，该光线转折元件的该连接面包含至少一注料痕。
30.如权利要求29所述的成像镜头，其特征在于，该光线转折元件还包含一阶差结构。
31.如权利要求30所述的成像镜头，其特征在于，该光线转折元件为塑胶光线转折元件。
32.如权利要求18所述的成像镜头，其特征在于，该光线转折元件为玻璃光线转折元件。
33.如权利要求18所述的成像镜头，其特征在于，该光线转折元件的阿贝数介于40至65。
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