CN117082741A - 一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，包括以下步骤：步骤S1：制作具有测试模块的内层芯板；步骤S2：使至少两所述具有测试模块的内层芯板排布在两端置铜箔层之间，且任意相邻的两内层芯板之间、端置铜箔层与相邻的内层芯板之间均通过粘接胶层粘接，以制得叠置板；步骤S3:在其中一端置铜箔层上对应各测试模块分别设有层别标记；步骤S4:借助各层别标记通过膜厚测量仪分别测量出各测试模块与外置表层之间的竖直距离，并根据各目标层的介质层厚度得到背钻至相应目标层的钻孔深度值。本发明使得背钻至相应目标层的钻孔深度值的获取便捷快速，可节省时间，提高效率，并可提高精确度。

Description

一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法
技术领域
本发明涉及一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法。
背景技术
随着电子科技技术的飞跃发展，信号传输速率和传输频率越来越高。影响信号完整性的因子，在更高传输速率或传输频率中放大，如印制电路板中的Stub，随着速率或频率的升高，其产生的寄生电容效应会被放大，造成信号的反射、影响信号完整性。去掉孔壁Stub带来的寄生电容效应，保证信道链路中过孔处的阻抗与走线具有一致性，减少信号反射，从而提高信号完整性。背钻是目前用于Stub去除性价比最高的、提高信道传输性能最有效的一种技术。背钻技术就是利用控深钻孔方法，采用二次钻孔方式钻掉连接器过孔或者信号过孔的Stub孔壁。背钻技术需根据控制钻孔加工的深度及公差，在“不破坏过孔与走线电气连接”的基础上保证“剩余Stub长度尽可能小”，即所谓的“控深钻孔”。为了达到精确深度控制的目的，不仅需要钻机具备较好的控深能力，还需要在钻孔前准确测量出残桩的深度，两者配合方可实现高精度控深。
目前常使用的Stub背钻深度测定方法是根据板厚和深度要求预设钻孔控深深度制作测试模块，然后通过取样、切片制作、切片研磨抛光，再通过显微镜观察的方法测量得出背钻深度值，从而造成测量耗费的时间较长，测量效率较低。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，使得背钻至相应目标层的钻孔深度值的获取便捷快速。
本发明的目的采用以下技术方案实现：
一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，包括以下步骤：
步骤S1：制作具有测试模块的内层芯板；
步骤S2：使至少两所述具有测试模块的内层芯板排布在两端置铜箔层之间，且任意相邻的两内层芯板之间、端置铜箔层与相邻的内层芯板之间均通过粘接胶层粘接，以制得叠置板；
步骤S3:在其中一端置铜箔层上对应各测试模块分别设有层别标记，所述层别标记与对应测试模块位于同一竖直线上；其中，设有层别标记的端置铜箔层形成为外置表层；
步骤S4:借助各层别标记通过膜厚测量仪分别测量出各测试模块与外置表层之间的竖直距离，并由此得出测试模块所在的目标层的介质层厚度，并根据各目标层的介质层厚度得到背钻至相应目标层的钻孔深度值。
在步骤S4中，先通过识别各层别标记，确定各测试模块对应外置表层的水平位置，再通过膜厚测量仪测量出各测试模块与外置表层之间的竖直距离。
所述膜厚测量仪的分辨率为0.05-0.15um。
所述膜厚测量仪的量程为8-12mm。
在步骤S4:根据各目标层的介质层厚度hn得到背钻至相应目标层的钻孔深度值wn为：wn＝hn+p，其中，p为端置铜箔层的厚度。
所述步骤S1包括以下子步骤：
子步骤S11：在基板上覆盖感光膜；
子步骤S12：对覆盖在基板上的感光膜进行显影、曝光处理；
子步骤S13：对基板进行蚀刻、退膜处理，使得基板上余下的铜层部分形成为所述测试模块，基板形成为内层芯板。
所述叠置板上的任意两测试模块之间的水平距离均大于5mm。
所述测试模块呈圆形状；所述测试模块的直径为10mm。
在步骤S2中，还对制得的叠置板进行钻孔、及孔金属化处理。
在完成步骤S4之后还设置有步骤S5:依据背钻至相应目标层的钻孔深度值，对电路板进行背钻钻孔。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
本发明提供的一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其通过采用步骤S1-S4，使得背钻至相应目标层的钻孔深度值的获取便捷快速，可节省时间，提高效率，并可提高获得的背钻至相应目标层的钻孔深度值的精确度，从而可提高背钻的精确度，而且，测量过程中不会损坏叠置板，使得叠置板可重复使用，可起到节省成本的目的，并方便于再现检测过程。
附图说明
图1为本发明的内层芯板的制作流程图；
图2为本发明的叠置板的制作流程示意图；
图3为叠置板的剖视图；
图4为叠置板的立体图；
其中，10、内层芯板；11、测试模块；20、叠置板；30、端置铜箔层；40、粘接胶层；50、感光膜；60、基板。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
如图1-4所示，一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，包括以下步骤：
步骤S1：制作具有测试模块11的内层芯板10；
步骤S2：使至少两所述具有测试模块11的内层芯板10排布在两端置铜箔层30之间，且任意相邻的两内层芯板10之间、端置铜箔层30与相邻的内层芯板10之间均通过粘接胶层40粘接，以制得叠置板20；
步骤S3：在其中一端置铜箔层30上对应各测试模块11分别设有层别标记，所述层别标记与对应测试模块11位于同一竖直线上；其中，设有层别标记的端置铜箔层30形成为外置表层；
步骤S4：借助各层别标记通过膜厚测量仪分别测量出各测试模块11与外置表层之间的竖直距离，并由此得出测试模块11所在的目标层的介质层厚度，并根据各目标层的介质层厚度得到背钻至相应目标层的钻孔深度值。
本发明提供的一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其通过采用步骤S1-S4的结合，通过在步骤S1中制作具有测试模块11的内层芯板10，而且，通过采用具有测试模块11的内层芯板10制得叠置板20，同时，通过在步骤S4中借助各层别标记通过膜厚测量仪分别测量出各测试模块11与外置表层之间的竖直距离，并根据各目标层的介质层厚度得到背钻至相应目标层的钻孔深度值，使得背钻至相应目标层的钻孔深度值的获取便捷快速，可节省时间，提高效率，并可提高获得的背钻至相应目标层的钻孔深度值的精确度，从而可提高背钻的精确度。
在步骤S4中，先通过识别各层别标记，确定测试模块11对应外置表层的水平位置，再通过膜厚测量仪测量出各测试模块11与外置表层之间的竖直距离。
其中，所述膜厚测量仪的分辨率为0.05-0.15um，量程为8-12mm。而作为本发明的优选实施方式，所述膜厚测量仪的分辨率达到0.1um，量程为10mm，以可有效控制成本的同时，并可满足更多不同厚度的测量。其中，所述膜厚测量仪可为涡流膜厚测厚仪等。
在步骤S4：根据各目标层的介质层厚度hn得到背钻至相应目标层的钻孔深度值wn为：wn＝hn+p，其中，p为端置铜箔层30的厚度。
在本实施例中，在步骤S2中，制得的叠置板20在目标层L2、L3、L4、L5均具有检测模块11，在步骤S3中，在其中一端置铜箔层30上对应各测试模块11分别设有层别标记L2a、L3a、L4 a、L5 a，在步骤S4中，通过膜厚测量仪分别测量出目标层L2的测试模块11与外置表层之间的竖直距离h2(也就是目标层L2的介质层厚度)，则背钻至相应目标层L2的钻孔深度值wn为：wn＝h2+p；通过膜厚测量仪分别测量出目标层L3的测试模块11与外置表层之间的竖直距离h3(也就是目标层L2的介质层厚度)，则背钻至相应目标层L3的钻孔深度值wn为：wn＝h3+p；通过膜厚测量仪分别测量出目标层L4的测试模块11与外置表层之间的竖直距离h4(也就是目标层L4的介质层厚度)，则背钻至相应目标层L4的钻孔深度值wn为：wn＝h4+p；通过膜厚测量仪分别测量出目标层L5的测试模块11与外置表层之间的竖直距离h5(也就是目标层L2的介质层厚度)，则背钻至相应目标层L5的钻孔深度值wn为：wn＝h5+p。
具体的，在步骤S3中，在其中一端置铜箔层30上通过蚀刻开窗设置得到测试点位和对应层别标记。
其中，测试模块11按照背钻目标层次顺序依次线性排列，交错排列亦可，排列方式不限。其中，测试模块11的形状、大小和间距设计基于膜厚测量仪的实际感应范围和精度可适当调整。作为本发明的优选实施方式，所述叠置板20上的任意两测试模块11之间的水平距离均大于5mm。
其中，所述层别标记、测量焊盘的形状可依据实际需求而设置，只要可供膜厚测量仪测量感应识别即可。作为本发明的最优选实施方式，所述测试模块11呈圆形状；所述测试模块11的直径为10mm。
在步骤S2中，还对制得的叠置板20进行钻孔、及孔金属化处理。
在完成步骤S4之后还设置有步骤S5：依据背钻至相应目标层的钻孔深度值，对电路板进行背钻钻孔。在电路板生产过程中，通过依据得到的背钻至相应目标层的钻孔深度值，对各电路板进行背钻钻孔，可提高各电路板背钻的精确度。
如图1所示，作为本发明的优选实施方式，所述步骤S1包括以下子步骤：
子步骤S11：在基板60上覆盖感光膜50；
子步骤S12：对覆盖在基板60上的感光膜50进行显影、曝光处理；
子步骤S13：对基板60进行蚀刻、退膜处理，使得基板60上余下的铜层部分形成为所述测试模块11，基板60形成为内层芯板10。
而通过将步骤S1采用子步骤S11-子步骤S13的结合，使得外置表层到目标层之间其他所有层导体全部掏空，即在外置表层与目标层间没有任何金属导体。且测量过程中不会损坏叠置板20，使得叠置板20可重复使用，可起到节省成本的目的。
所述粘接胶层40为半固化片。如图2、3所示，在步骤S2中，将至少两内层芯板10、两端置铜箔层30及半固化片进行叠置后，并压合锣边得到叠置板20，以方便于叠置板20的制作形成。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。

Claims (10)

1.一种提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1：制作具有测试模块的内层芯板；
步骤S2：使至少两所述具有测试模块的内层芯板排布在两端置铜箔层之间，且任意相邻的两内层芯板之间、端置铜箔层与相邻的内层芯板之间均通过粘接胶层粘接，以制得叠置板；
步骤S3:在其中一端置铜箔层上对应各测试模块分别设有层别标记，所述层别标记与对应测试模块位于同一竖直线上；其中，设有层别标记的端置铜箔层形成为外置表层；
步骤S4:借助各层别标记通过膜厚测量仪分别测量出各测试模块与外置表层之间的竖直距离，并由此得出测试模块所在的目标层的介质层厚度，并根据各目标层的介质层厚度得到背钻至相应目标层的钻孔深度值。
2.如权利要求1所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：在步骤S4中，先通过识别各层别标记，确定各测试模块对应外置表层的水平位置，再通过膜厚测量仪测量出各测试模块与外置表层之间的竖直距离。
3.如权利要求2所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：所述膜厚测量仪的分辨率为0.05-0.15um。
4.如权利要求2所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：所述膜厚测量仪的量程为8-12mm。
5.如权利要求1所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：在步骤S4:根据各目标层的介质层厚度hn得到背钻至相应目标层的钻孔深度值wn为：wn＝hn+p，其中，p为端置铜箔层的厚度。
6.如权利要求1所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：所述步骤S1包括以下子步骤：
子步骤S11：在基板上覆盖感光膜；
子步骤S12：对覆盖在基板上的感光膜进行显影、曝光处理；
子步骤S13：对基板进行蚀刻、退膜处理，使得基板上余下的铜层部分形成为所述测试模块，基板形成为内层芯板。
7.如权利要求1所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：所述叠置板上的任意两测试模块之间的水平距离均大于5mm。
8.如权利要求1所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：所述测试模块呈圆形状；所述测试模块的直径为10mm。
9.如权利要求1所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：在步骤S2中，还对制得的叠置板进行钻孔、及孔金属化处理。
10.如权利要求1所述的提高Stub控制精度的背钻深度获取方法，其特征在于：在完成步骤S4之后还设置有步骤S5:依据背钻至相应目标层的钻孔深度值，对电路板进行背钻钻孔。
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