CN117069598A - 一种化合物及其应用 - Google Patents
一种化合物及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117069598A CN117069598A CN202311330326.6A CN202311330326A CN117069598A CN 117069598 A CN117069598 A CN 117069598A CN 202311330326 A CN202311330326 A CN 202311330326A CN 117069598 A CN117069598 A CN 117069598A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reaction
- compound
- hole transport
- organic electroluminescent
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 40
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 7
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 7
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 4
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 claims description 4
- -1 dibenzofuranyl Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 2
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 44
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 91
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 29
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 23
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 19
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 12
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 10
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 10
- JNVDPJAUWVJWAB-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1-chloro-2-iodobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Br)C=C1I JNVDPJAUWVJWAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisobutyric acid Chemical compound CC(C)(O)C(O)=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- XPEIJWZLPWNNOK-UHFFFAOYSA-N (4-phenylphenyl)boronic acid Chemical compound C1=CC(B(O)O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 XPEIJWZLPWNNOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- MBHPOBSZPYEADG-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-9,9-dimethylfluorene Chemical compound C1=C(Br)C=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 MBHPOBSZPYEADG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDFQBORIUYODSI-UHFFFAOYSA-N 4-bromoaniline Chemical compound NC1=CC=C(Br)C=C1 WDFQBORIUYODSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000766357 Ruditapes philippinarum Big defensin Proteins 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N pinacol Chemical compound CC(C)(O)C(C)(C)O IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZXQRXJJJUZZAJ-UHFFFAOYSA-N (2,4,6-trimethylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC(C)=C(B(O)O)C(C)=C1 BZXQRXJJJUZZAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJGHSJBYKIQHIK-UHFFFAOYSA-N (3,5-dimethylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC(C)=CC(B(O)O)=C1 DJGHSJBYKIQHIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAYQIZIAYYNFCS-UHFFFAOYSA-N (4-chlorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(Cl)C=C1 CAYQIZIAYYNFCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAEUFBDMVKQCLU-UHFFFAOYSA-N (4-propan-2-ylphenyl)boronic acid Chemical compound CC(C)C1=CC=C(B(O)O)C=C1 IAEUFBDMVKQCLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQONPSCCEXUXTQ-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1Br WQONPSCCEXUXTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMBGOMJNYDJOBM-UHFFFAOYSA-N 1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)=[C-]C(=O)C=CC1=CC=CC=C1 OMBGOMJNYDJOBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRGGUPZKKTVKOV-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Br)=C1 JRGGUPZKKTVKOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKJBWOWQJHHAHG-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-phenylbenzene Chemical group C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC=CC=C1 PKJBWOWQJHHAHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONCCVJKFWKAZAE-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=C(Br)C=C12 ONCCVJKFWKAZAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBOAQSKBNNHMW-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxyphenyl)pyridine Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=NC=CC=2)=C1 HLBOAQSKBNNHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- WMKGGPCROCCUDY-PHEQNACWSA-N dibenzylideneacetone Chemical compound C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WMKGGPCROCCUDY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- XTLNYNMNUCLWEZ-UHFFFAOYSA-N ethanol;propan-2-one Chemical compound CCO.CC(C)=O XTLNYNMNUCLWEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- KPTRDYONBVUWPD-UHFFFAOYSA-N naphthalen-2-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(B(O)O)=CC=C21 KPTRDYONBVUWPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
- C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
- C07C211/61—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton with at least one of the condensed ring systems formed by three or more rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
- C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
- C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
- C07D209/88—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/06—Systems containing only non-condensed rings with a five-membered ring
- C07C2601/08—Systems containing only non-condensed rings with a five-membered ring the ring being saturated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
- C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
- C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
- C07C2603/06—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members
- C07C2603/10—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings
- C07C2603/12—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings only one five-membered ring
- C07C2603/18—Fluorenes; Hydrogenated fluorenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
- C07C2603/93—Spiro compounds
- C07C2603/94—Spiro compounds containing "free" spiro atoms
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及有机发光显示技术领域,特别涉及一种化合物、空穴传输材料、有机电致发光器件及显示装置。本发明提供了一种通式(I)的化合物,其可以用于空穴传输材料。该化合物具有烷基取代芳胺的母体结构,原子间的键能高,具有良好的热稳定性,并有利于分子间的固态堆积,空穴的跃迁能力强,用作空穴传输材料使用能有效降低器件电压,提高材料的寿命。本发明还提供了一种包含通式(Ⅰ)化合物的有机电致发光器件和显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光显示技术领域,特别涉及一种化合物、空穴传输材料、有机电致发光器件及显示装置。
背景技术
电致发光(electroluminescence,EL)是指发光材料在电场作用下,受到电流和电场的激发而发光的现象,它是一个将电能直接转化为光能的一种发光过程。有机电致发光显示器(以下简称 OLED)具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、组成和工艺简单等一系列的优点,与液晶显示器相比,有机电致发光显示器不需要背光源,且视角大、功率低,其响应速度可达液晶显示器的1000倍,其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此,有机电致发光器件具有十分广阔的应用前景。
随着OLED技术在照明和显示两大领域的不断推进,人们对于影响OLED器件性能的高效有机材料的研究更加关注,一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构与各种有机材料的优化搭配的结果,这就为化学家们设计开发各种结构的功能化材料提供了极大的机遇和挑战。
相对于无机发光材料,有机电致发光材料具有很多优点,比如:加工性能好,可以通过蒸镀或者旋涂的方法在任何基板上成膜,可以实现柔性显示和大面积显示;可以通过改变分子的结构,调节材料的光学性能、电学性能和稳定性等,材料的选择具有很大的空间。在最常见的OLED器件结构里,通常包括以下种类的有机材料:空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料,以及各色的发光材料(染料或者掺杂客体材料)和相应的主体材料等。其中,空穴传输材料作为一种重要的功能材料,对空穴的迁移率有着直接的影响,并最终影响OLED的发光效率。但是目前应用于OLED中的空穴传输材料所能达到的空穴迁移速率较低,与相邻层的能级匹配性较差,且对效率和寿命不能兼顾,严重制约了OLED显示装置的显示功能和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种空穴传输材料,实现有机电致发光器件工作效率的提高和使用寿命的延长。
本发明的第一方面提供一种通式(Ⅰ)的化合物:
(I)
其中,
R1,R2彼此独立地选自C1-C4烷烃、C5-C30环烷烃、C6-C30的芳香基或C3-C30的杂芳基,且R1,R2之间能够连接成环;
R3-R7彼此独立地选自氢、氘、C1-C4烷烃、C5-C30环烷烃,且至少一个不为氢;
Ar选自C6-C30的芳香基或C10-C30的杂芳基;
所述杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S或N;
所述芳香基和杂芳基上的氢原子各自独立地被Ra取代,所述Ra选自氘、C1-C4的烷基、C5-C20环烷基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
本发明第二方面提供了一种空穴传输材料,其包含本发明第一方面所提供的化合物中的至少一种。
本发明第三方面提供了一种有机电致发光器件,其包含本发明第二方面提供的空穴传输材料中的至少一种。
本发明第四方面提供了一种显示装置,其包含本发明第三方面的有机电致发光器件。
与现有技术相比,本发明具有如下技术效果:
本发明的化合物,具有烷基取代芳胺的母体结构,原子间的键能高,具有良好的热稳定性,并有利于分子间的固态堆积,空穴的跃迁能力强,用作空穴传输层材料使用能有效降低器件电压,提高材料的寿命;
本发明的化合物,在空穴传输层中应用,与相邻层级间具有合适的能级水平,有利于空穴的注入和迁移,能够有效降低驱动电压,同时较高的空穴迁移速率,能够在器件中实现良好的发光效率;
本发明的化合物,具备较大的共轭平面,有利于分子堆积,表现出良好的热力学稳定性,在器件中表现为长寿命;
同时,本发明的化合物制备工艺简单易行,原料易得,适合于工业化生产。
附图说明
图1为本发明的一种有机电致发光器件的结构示意图。
附图标记:
1、基板;2、反射阳极电极;3、空穴注入层;4、空穴传输层;5、发光层;6、电子传输层;7、电子注入层;8、阴极电极。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合较佳实施例一起介绍,但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反,结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解,以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外,为了避免混乱或模糊本发明的重点,有些具体细节将在描述中被省略。需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本发明的第一方面提供一种通式(Ⅰ)的化合物:
(I)
其中,
R1,R2彼此独立地选自C1-C4烷烃、C5-C30环烷烃、C6-C30的芳香基或C3-C30的杂芳基,且R1,R2之间能够连接成环;
R3-R7彼此独立地选自氢、氘、C1-C4烷烃、C5-C30环烷烃,且至少一个不为氢;
Ar选自C6-C30的芳香基或C10-C30的杂芳基;
所述杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S或N;
所述芳香基和杂芳基上的氢原子各自独立地被Ra取代,所述Ra选自氘、C1-C4的烷基、C5-C20环烷基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
优选地,所述R1,R2彼此独立地选自未取代或被Ra取代的以下基团:甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环戊基、环己基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、芳胺基、咔唑基。
优选地,所述Ar选自未取代或被Ra取代的以下基团:苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、芳胺基、咔唑基。
优选地,R3-R7彼此独立地选自氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环戊基、环己基。
优选地,所述化合物选自如下A1-A15所示的结构式:
。
本发明第二方面提供了一种空穴传输材料,其包含本发明第一方面所提供的化合物中的至少一种。
本发明第三方面提供了一种有机电致发光器件,其包含本发明第二方面提供的空穴传输材料中的至少一种。
在本发明中,对于有机电致发光器件的种类和结构没有特别限制,只要可以使用本发明提供的空穴传输材料即可。
本发明的有机电致发光器件,可以是顶部发光结构的发光器件,例如,在基板上依次包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、透明或半透明阴极。
本发明的有机电致发光器件,还可以是底部发光结构的发光器件,例如,在基板上依次包含透明或半透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极结构。
本发明的有机电致发光器件,还可以是双侧发光结构的发光器件,例如,在基板上依次包含透明或半透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及透明或半透明阴极结构。
在本发明的有机电致发光器件中,除了所述空穴传输层包含本发明提供的空穴传输材料外,其它层均可以使用现有技术中用于所述层的任何材料。
图1示出了一种典型的有机电致发光器件的示意图,其中,从下到上,依次设置基板1、反射阳极电极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极电极8。
可以理解,图1仅示意性地示出了一种典型的有机电致发光器件的结构,本发明并不限于这种结构,本发明的空穴传输材料可以用于任何类型的有机电致发光器件。例如,有机电致发光器件还可以包括电子阻挡层、空穴阻挡层、光提取层等,实际应用时,可以根据具体情况增加或省略这些层。
为了方便起见,以下参照图1对本发明的有机电致发光器件进行说明,但这不意味着对本发明的保护范围的任何限定。可以理解,所有能够使用本发明的空穴传输材料的有机电致发光器件都在本发明的保护范围内。
在本发明中,所述基板1没有特别限制,可以使用现有技术中有机电致发光器件所用的常规基板,例如,玻璃、聚合物材料以及带有TFT元器件的玻璃和聚合物材料等。
在本发明中,所述反射阳极电极2的材料没有特别限制,可以选自现有技术中已知的铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、低温多晶硅(LTPS)等透明导电材料,也可以是银及其合金、铝及其合金等金属材料,也可以是PEDOT(聚3,4-乙撑二氧噻吩)等有机导电材料,或者是上述材料的多层结构等。
在本发明中,所述空穴注入层3的材料没有特别限制,可以选用本领域公知的空穴注入材料或本发明提供的空穴传输材料作为空穴注入材料。
例如,空穴注入层3的材料可以选自以下HT-1至HT-31化合物中的至少一种:
。
在本发明中,所述空穴注入层3还可以包括p型掺杂剂,所述p型掺杂剂的种类没有特别限制,可以采用本领域已知的各种p型掺杂剂,例如,p型掺杂剂可以选自以下化合物中的至少一种:
。
在本发明中,所述p型掺杂剂用量没有特别限制,可以为本领域技术人员公知的用量。
在本发明中,所述空穴传输层4包含本发明的空穴传输材料中的至少一种。所述空穴传输层4也可以包含本发明的空穴传输材料中的至少一种与已知的空穴传输材料的任意组合。目前已知的空穴传输材料可以选自上述HT-1至HT-31化合物中的至少一种,但不局限于上述列举的化合物。
在本发明中,所述发光层5的发光材料没有特别限制,可以使用本领域技术人员公知的任何发光材料,例如,所述发光材料可以包含主体材料和客体材料。例如,已知的发光层主体材料可以选自以下GPH-1至GPH-80化合物中的至少一种:
。
在本发明的一个优选的实施方案中,发光层5采用磷光电致发光的技术。其发光层5中的客体材料为磷光掺杂剂,所述磷光掺杂剂可以选自但不限于以下化合物的一种或多种的组合:
,
所述磷光掺杂剂的用量没有特别限制,可以为本领域公知的用量。
在本发明中,所述电子传输层6的材料没有特别限制,可以使用本领域公知的电子传输材料制成。例如,所述电子传输层材料可以选自以下ET-1至ET-57化合物中的至少一种:
。
在本发明中,电子传输层6还可以包括n型掺杂剂,所述n型掺杂剂的种类没有特别限制,可以采用本领域已知的各种n型掺杂剂。例如,n型掺杂剂可以是下式所示的化合物:
。
在本发明中,所述n型掺杂剂用量没有特别限制,可以为本领域技术人员公知的用量。
在本发明中,所述电子注入层7的材料没有特别限制,可以使用本领域公知的电子注入材料,例如,可以包括但不限于现有技术中LiQ(8-羟基喹啉锂)、LiF、NaCl、CsF、Li2O、Cs2CO3、BaO、Na、Li、Ca等材料中的至少一种。
在本发明中,所述阴极电极8的材料没有特别限制,例如,可以选自但不限于镁银混合物、LiF/Al、ITO、Al等金属、金属混合物、氧化物等。
本发明第四方面提供一种显示装置,其包含本发明提供的有机电致发光器件。所述显示装置包括但不限于显示器、电视、平板电脑、移动通信终端等。
制备本发明的有机电致发光器件的方法没有特别限制,可以采用本领域公知的任何方法,例如,本发明可以采用如下制备方法制备:
(1)清洗顶发光用OLED器件基板1上的反射阳极电极2,在清洗机中分别通过药洗、水洗、毛刷、高压水洗、风刀等步骤,然后再加热处理;
(2)在反射阳极电极2上真空蒸镀空穴注入材料作为空穴注入层3;
(3)在空穴注入层3上真空蒸镀空穴传输材料作为空穴传输层4;
(4)在空穴传输层4上真空蒸镀发光层5,发光层5中包含主体材料和客体材料;
(5)在发光层5上真空蒸镀电子传输材料作为电子传输层6;
(6)在电子传输层6上真空蒸镀电子注入材料作为电子注入层7,电子注入材料选自LiQ、LiF、NaCl、CsF、Li2O、Cs2CO3、BaO、Na、Li、Ca等材料中一种或几种的组合;
(7)在电子注入层7上真空蒸镀阴极材料作为阴极电极8。
以上仅描述一种典型的有机电致发光器件的结构及其制备方法,应当理解,本发明并不限于这种结构。本发明的空穴传输材料可以用于任何结构的有机电致发光器件,并且可以采用本领域公知的任何制备方法制备所述有机电致发光器件。
本发明的化合物的合成方法没有特别限制,可以采用本领域技术人员公知的任何方法进行合成。以下举例说明本发明化合物的合成过程。
合成例1:化合物A1的合成
在反应瓶中加入100mmol的4-溴-1-氯-2-碘苯、100mmol的3,5-二甲基苯硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M1。其中,Pd(PPh3)4的加入量为4-溴-1-氯-2-碘苯的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M1、100mmol的4-联苯硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M2。其中,Pd(PPh3)4的加入量为M1的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的苯胺、100mmol的2-溴-9,9-二甲基芴、28.83g叔丁醇钠(300mmol)、800ml 二甲苯,并加入1mol%的双二亚苄基丙酮钯(Pd(dba))。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M3。其中,Pd(dba)的加入量为苯胺的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M2、100mmol的M3、28.83g叔丁醇钠(300mmol)、800ml二甲苯,并加入1mol%的双二亚苄基丙酮钯(Pd(dba))。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末A1。其中,Pd(dba)的加入量为M2的1mol%。
1H NMR (400 MHz, Chloroform ) δ 8.01(s, 1H),7.91 (d, J = 7.2 Hz, 1H),7.86 (d, J = 9.2 Hz, 1H), 7.75 (d, J = 7.6 Hz, 2H), 7.68 (s, 2H), 7.64 (d, J= 8.0 Hz, 1H), 7.52 (d, J = 6.4 Hz, 1H), 7.46 (t, J = 8.0 Hz, 3H), 7.43 –7.28 (m, 4H), 7.25-7.20(m, 8H), 7.08 (d, J = 7.2 Hz, 2H), 6.96 (t, J = 8.0Hz, 1H),2.31 (s, 6H), 1.69 (s, 6H).
M/Z:实验值,618.1;理论值,617.3。
合成例2:化合物A5的合成
在反应瓶中加入100mmol的间氯溴苯、800ml 的四氢呋喃(THF),降至0摄氏度。在0℃下滴加100mmol环戊基溴化镁。滴加完毕,升至室温反应12h,反应完毕后停止反应,加水,有机相浓缩,水洗,得到M1。
在反应瓶中加入100mmol的M1、100mmol的联硼酸频那醇酯、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的甲苯,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M2。其中,Pd(PPh3)4的加入量为M1的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的4-溴-1-氯-2-碘苯、100mmol的M2、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M3。其中,Pd(PPh3)4的加入量为4-溴-1-氯-2-碘苯的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M3、100mmol的4-联苯硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M4。其中,Pd(PPh3)4的加入量为M3的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的苯胺、100mmol的2-溴-9,9-二甲基芴、28.83g叔丁醇钠(300mmol)、800ml 二甲苯,并加入1mol%的双二亚苄基丙酮钯(Pd(dba))。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M5。其中,Pd(dba)的加入量为苯胺的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M4、100mmol的M5、28.83g叔丁醇钠(300mmol)、800ml二甲苯,并加入1mol%的双二亚苄基丙酮钯(Pd(dba))。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末A5。其中,Pd(dba)的加入量为M4的1mol%。
1H NMR (400 MHz, Chloroform ) δ 8.02 (s, 1H), 7.94(t,J= 6.8 Hz, 2H),7.86(d,J= 7.6 Hz, 1H),7.75 (d,J= 6.8 Hz, 2H),7.65 (d,J= 6.8 Hz, 1H), 7.56 (d,J= 8.8 Hz, 1H), 7.52 – 7.35 (m, 9H), 7.30-7.20 (m, 8H), 7.08 (d,J= 7.2 Hz,2H), 7.00 (t,J= 6.8 Hz, 1H),2.55-2.40 (m, 1H), 2.10-1.92 (m, 2H), 1.82 – 1.55(m, 12H).
M/Z:实验值,658.4;理论值,657.3。
合成例3:化合物A8的合成
在反应瓶中加入100mmol的4-溴-1-氯-2-碘苯、100mmol的2,4,6-三甲基苯硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M1。其中,Pd(PPh3)4的加入量为4-溴-1-氯-2-碘苯的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M1、100mmol的4-联苯硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M2。其中,Pd(PPh3)4的加入量为M1的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的4-溴联苯、800ml 的四氢呋喃(THF),降至-78摄氏度,滴加110mmol丁基锂。滴加完毕控温30min,加入100mmol乙腈,升至室温反应12h,反应完毕后停止反应,加水,有机相浓缩,水洗,得到M3。
在反应瓶中加入100mmol的邻二溴苯、100mmol的对氯苯硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M4。其中,Pd(PPh3)4的加入量为4-溴-1-氯-2-碘苯的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M4、800ml 的四氢呋喃(THF),降至-78摄氏度,滴加110mmol丁基锂。滴加完毕控温30min,加入100mmol M3,升至室温反应12h,反应完毕后停止反应,加水,有机相浓缩,水洗,得到M5。
在反应瓶中加入100mmol的M5, 200ml冰醋酸,加热回流下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有固体析出,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M6。
在反应瓶中加入100mmol的苯胺、100mmol的M6、28.83g叔丁醇钠(300mmol)、800ml二甲苯,并加入1mol%的双二亚苄基丙酮钯(Pd(dba))。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M7。其中,Pd(dba)的加入量为苯胺的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M2、100mmol的M7、28.83g叔丁醇钠(300mmol)、800ml二甲苯,并加入1mol%的双二亚苄基丙酮钯(Pd(dba))。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末A8。其中,Pd(dba)的加入量为M2的1mol%。
1H NMR (400 MHz, Chloroform ) δ 7.96 (s, 1H),7.91(d,J= 7.2 Hz, 1H),7.85(d,J= 9.2 Hz, 1H), 7.75 (d,J= 7.6 Hz, 4H), 7.64 (d,J= 7.2 Hz, 1H), 7.60(d,J= 7.2 Hz, 1H), 7.56 (d,J= 7.6 Hz, 1H),7.50 7.64 (d,J= 7.6 Hz, 4H), 7.45 –7.38 (m, 6H), 7.35 (t,J= 6.8 Hz, 1H),7.28-7.20 (m, 9H), 7.08 (d,J= 7.2 Hz,2H), 7.05-6.98(m, 3H), 2.92 (s, 6H), 2.48 (s, 3H), 2.28 (s, 3H).
M/Z:实验值,670.3;理论值,769.4。
合成例4:化合物A14的合成
在反应瓶中加入100mmol的4-溴-1-氯-2-碘苯、100mmol的4-异丙基苯硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M1。其中,Pd(PPh3)4的加入量为4-溴-1-氯-2-碘苯的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M1、100mmol的4-联苯硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M2。其中,Pd(PPh3)4的加入量为M1的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的4-溴苯胺、100mmol的2-萘硼酸、41.4g碳酸钾(300mmol)、800ml 的四氢呋喃(THF)和200ml水,并加入1mol%的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)。在60℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,有机相浓缩得到白色固体,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M3。其中,Pd(PPh3)4的加入量为4-溴苯胺的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M3、100mmol的2-溴-螺二芴、28.83g叔丁醇钠(300mmol)、800ml 二甲苯,并加入1mol%的双二亚苄基丙酮钯(Pd(dba))。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末M4。其中,Pd(dba)的加入量为M3的1mol%。
在反应瓶中加入100mmol的M2、100mmol的M4、28.83g叔丁醇钠(300mmol)、800ml二甲苯,并加入1mol%的双二亚苄基丙酮钯(Pd(dba))。在120℃下反应12h。反应完毕后停止反应,并将反应物冷却至室温,加水,过滤,水洗,所得到的固体用甲苯进行重结晶纯化,得到白色粉末A14。其中,Pd(dba)的加入量为M2的1mol%。
1H NMR (400 MHz, Chloroform ) δ 8.09 (t,J= 7.2 Hz, 2H), 8.04 (d,J=6.8 Hz, 1H), 8.01 (d,J= 7.2 Hz, 1H), 7.95 – 7.86 (m, 3H), 7.84(d,J= 10.4 Hz,1H), 7.78 – 7.70 (m, 3H), 7.62 – 7.50 (m, 12H), 7.48 – 7.30 (m, 8H), 7.27 –7.18 (m, 9H), 6.55(d,J= 6.8 Hz, 2H), 2.87-2.84 (m, 1H), 1.20 (s, 6H).
M/Z:实验值,880.1;理论值,879.4。
本发明的其他化合物均可按照上述合成例1-4的思路选择合适的原料进行合成,也可以选择任何其他合适的方法和原料进行合成。
实施例1
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水分,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子束轰击表面;
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内,抽真空至小于10-5乇,在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-11作为空穴注入层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为10nm;
在空穴注入层之上真空蒸镀A1材料作为空穴传输层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为80nm;
在空穴传输层之上真空蒸镀发光层,发光层包括主体材料GPH-16和染料材料RPD-1,利用多源共蒸的方法进行蒸镀,调节主体材料GPH-16的蒸镀速率为0.1nm/s,染料RPD-1蒸镀速率为主体材料蒸镀速率的3%,蒸镀总膜厚为30nm;
在发光层之上真空蒸镀电子传输层(ETL),选用材料ET-30作为电子传输材料,其蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为30nm;
在电子传输层上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层,蒸镀速率为0.1nm/s;
最后,在电子注入层上蒸镀厚度为150 nm的铝层作为有机电致发光器件的阴极,蒸镀速率为0.1nm/s。
实施例2-4
除了分别用A5、A8、A14代替A1以外,其余与实施例1相同。测试结果见表1。
对比例1
除了用HT-17代替A1以外,其余与实施例1相同,测试结果见表1。
HT-17
对由上述过程制备的有机电致发光器件进行如下性能测定:
在同样亮度下,使用数字源表及亮度计测定实施例以及对比例制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命,具体而言,以每秒0.1V的速率提升电压,测定当有机电致发光器件的亮度达到5000cd/m2时的电压即驱动电压,同时测出此时的电流密度;亮度与电流密度的比值即为电流效率;LT95的寿命测试如下:使用亮度计在5000cd/m2亮度下,保持恒定的电流,测量有机电致发光器件的亮度降为4750cd/m2的时间,单位为小时。
表1有机电致发光器件性能结果
从上表数据可知,本发明制得的化合物用于有机电致发光器件空穴传输材料,可以有效的降低驱动电压,提高电流效率,延长器件寿命,是性能良好的空穴传输材料。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种化合物,其特征在于,具有式(I)所示结构通式:
(I)
其中,
R1,R2彼此独立地选自C1-C4烷烃、C5-C30环烷烃、C6-C30的芳香基或C3-C30的杂芳基,且R1,R2之间能够连接成环;
R3-R7彼此独立地选自氢、氘、C1-C4烷烃、C5-C30环烷烃,且至少一个不为氢;
Ar选自C6-C30的芳香基或C10-C30的杂芳基;
所述杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S或N;
所述芳香基和杂芳基上的氢原子各自独立地被Ra取代,所述Ra选自氘、C1-C4的烷基、C5-C20环烷基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述R1,R2彼此独立地选自未取代或被Ra取代的以下基团:甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环戊基、环己基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、芳胺基、咔唑基。
3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述Ar选自未取代或被Ra取代的以下基团:苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、芳胺基、咔唑基。
4.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述R3-R7彼此独立地选自氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环戊基、环己基。
5.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物选自如下A1-A15所示的结构式:
。
6.一种空穴传输材料,其特征在于,包含权利要求1-5中任一项所述的化合物中的至少一种。
7.一种有机电致发光器件,其特征在于,包含权利要求6所述的空穴传输材料中的至少一种。
8.一种显示装置,其特征在于,包含权利要求7所述的有机电致发光器件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311330326.6A CN117069598A (zh) | 2023-10-16 | 2023-10-16 | 一种化合物及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311330326.6A CN117069598A (zh) | 2023-10-16 | 2023-10-16 | 一种化合物及其应用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117069598A true CN117069598A (zh) | 2023-11-17 |
Family
ID=88717494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311330326.6A Pending CN117069598A (zh) | 2023-10-16 | 2023-10-16 | 一种化合物及其应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117069598A (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110511151A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-11-29 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物、包含其的有机电致发光器件及其应用 |
CN111825558A (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-27 | 乐金显示有限公司 | 新的化合物和有机发光装置 |
CN111848415A (zh) * | 2019-04-30 | 2020-10-30 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物、包含其的有机电子发光器件及其应用 |
CN112125813A (zh) * | 2020-09-21 | 2020-12-25 | 烟台显华化工科技有限公司 | 一种化合物、空穴传输材料和有机电致发光器件 |
KR20210068935A (ko) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 엘티소재주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
CN115304492A (zh) * | 2021-05-06 | 2022-11-08 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物及其应用 |
CN115304494A (zh) * | 2021-05-06 | 2022-11-08 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物及其应用 |
CN115636755A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-01-24 | 烟台显华科技集团股份有限公司 | 一种萘基取代双芳胺化合物及其应用 |
CN116621799A (zh) * | 2022-02-10 | 2023-08-22 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件 |
-
2023
- 2023-10-16 CN CN202311330326.6A patent/CN117069598A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111825558A (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-27 | 乐金显示有限公司 | 新的化合物和有机发光装置 |
CN110511151A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-11-29 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物、包含其的有机电致发光器件及其应用 |
CN111848415A (zh) * | 2019-04-30 | 2020-10-30 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物、包含其的有机电子发光器件及其应用 |
KR20210068935A (ko) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 엘티소재주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
CN112125813A (zh) * | 2020-09-21 | 2020-12-25 | 烟台显华化工科技有限公司 | 一种化合物、空穴传输材料和有机电致发光器件 |
CN115304492A (zh) * | 2021-05-06 | 2022-11-08 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物及其应用 |
CN115304494A (zh) * | 2021-05-06 | 2022-11-08 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物及其应用 |
CN116621799A (zh) * | 2022-02-10 | 2023-08-22 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件 |
CN115636755A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-01-24 | 烟台显华科技集团股份有限公司 | 一种萘基取代双芳胺化合物及其应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112174918B (zh) | 一种化合物、空穴传输材料、有机电致发光器件和显示装置 | |
CN110526901A (zh) | 一种有机发光材料及其制备有机电致发光器件的应用 | |
CN113264911A (zh) | 一种化合物、有机发光材料和有机电致发光器件 | |
CN112125892B (zh) | 一种化合物、电子传输材料和有机电致发光器件 | |
CN112159361A (zh) | 一种电子传输材料、有机电致发光器件和显示装置 | |
CN110734446A (zh) | 一类有机化合物及其应用 | |
CN107021925B (zh) | 一种以氮杂二苯并环庚酮为核心的化合物及其在oled上的应用 | |
CN111187273A (zh) | 一类有机化合物及其应用 | |
CN112125813B (zh) | 一种化合物、空穴传输材料和有机电致发光器件 | |
CN112159326A (zh) | 一种化合物、发光层染料材料和有机电致发光器件 | |
CN115636755A (zh) | 一种萘基取代双芳胺化合物及其应用 | |
CN113321649B (zh) | 一种化合物、电子传输材料和有机电致发光器件 | |
CN117143030A (zh) | 萘基取代吸电片段化合物、电子传输材料及应用 | |
CN112110885B (zh) | 一种空穴传输材料、有机电致发光器件和显示装置 | |
CN112125861B (zh) | 一种化合物、电子传输材料和有机电致发光器件 | |
CN117069597B (zh) | 一种化合物及其应用 | |
CN111377943A (zh) | 一种并五元杂环类有机化合物及其应用 | |
CN115594599B (zh) | 一类双联萘化合物及其应用 | |
CN117069598A (zh) | 一种化合物及其应用 | |
CN113307764B (zh) | 一种化合物、电子传输材料、有机电致发光器件和显示装置 | |
CN115521253B (zh) | 一种双联喹啉衍生物化合物及其应用 | |
CN113321641B (zh) | 一种化合物、电子传输材料、有机电致发光器件和显示装置 | |
CN115521292B (zh) | 一种喹啉取代吡啶化合物及其应用 | |
CN115611891B (zh) | 一种喹啉取代菲啰啉化合物及其应用 | |
CN118724901A (zh) | 一种吖啶稠环取代芳胺化合物及应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20231117 |