CN117063127A - 用于修改支撑表面的工具 - Google Patents

Abstract

公开了用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的装置和方法。根据一些实施例，公开了一种装置，所述装置包括：衬底保持器，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件；支撑结构，所述支撑结构被配置成从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器；以及清洁工具，所述清洁工具具有球形主体。所述装置还包括：处理器，所述处理器将所述衬底保持器的受关注的预定区与所述清洁工具的预定部位对准、操纵所述支撑结构的移动使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触、以及启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

Description

用于修改支撑表面的工具

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年3月24日递交的美国临时专利申请号63/165,327的优先权，所述美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于修改保持器的工具、使用该工具修改保持器的方法、以及包括该工具的光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在IC的单独的层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻的目标部分的网格。常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；在扫描器中，在通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时，沿与所述方向平行或反向平行的方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。

一直期望制造具有甚至更小特征的器件，例如集成电路。集成电路和其它微尺度器件通常使用光学光刻来制造，但是其它制造技术(诸如，压印光刻术、电子束光刻术和纳米尺度自组装)是已知的。

在制造过程中，器件被辐照。确保辐照过程尽可能准确是重要的。使辐照过程尽可能准确的一个问题是确保待辐照的器件处于正确的位置。为了控制器件的位置，可以使用衬底保持器。通常，当衬底被辐照时，衬底将由衬底保持器支撑。当衬底被定位在衬底保持器上时，衬底与衬底保持器之间的摩擦可以防止衬底在衬底保持器的表面上变平。为了解决该问题，衬底保持器可以设置有使衬底与衬底保持器之间的接触面积最小化的支撑元件。衬底保持器的表面上的支撑元件也可以被称为突节或突起。支撑元件通常被规则地间隔开(例如，呈均一的阵列)并且具有均一的高度，并且限定了可以在其上定位衬底的非常平坦的整体支撑表面。支撑元件减小了衬底保持器与衬底之间的接触面积，从而减小了摩擦，并允许衬底移动到衬底保持器上的较平坦位置。

支撑元件通常从衬底保持器的表面基本上垂直地延伸。在操作中，衬底的背面在距衬底保持器的主体表面一较小距离处且在基本上垂直于投影束的传播方向的位置上被支撑在支撑元件上。因此，支撑元件的顶部(即支撑表面)，而不是衬底保持器的主体表面，限定了用于衬底的有效支撑表面。

已知的工具和方法仍然可以被改进，以提供具有改进的平整度的支撑元件。为了以不同的方式获得优选的平整度，可能期望额外的或替代的方法和工具。此外，有益的是实现这种平整度的同时，还在支撑元件上提供期望的粗糙度水平，以在支撑元件与衬底之间提供一些摩擦力。

发明内容

对于拥有成本、货物成本和/或重叠质量来说，期望提供一种用于光刻设备的改进的高度调整工具，或者至少提供其替代物。此外，期望提供一种使用这种改进的或替代的高度调整工具的方法、和包括这种改进的或替代的高度调整工具的光刻设备。

根据一些实施例，描述了一种用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的装置，所述装置包括衬底保持器，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件。所述装置还包括支撑结构，所述支撑结构被配置成从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器。所述装置还包括：清洁工具，所述清洁工具具有球形主体；以及处理器，所述处理器将所述衬底保持器的受关注的预定区与所述清洁工具的预定部位对准、操纵所述支撑结构的移动使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触、以及启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

根据一些实施例，所述受关注的预定区包括一个或更多个支撑元件和/或具有支撑表面的一个支撑元件。根据一些实施例，在所述受关注的预定区与预定部位之间产生的接触包括所述支撑表面与所述清洁工具的预定部位之间的接触。根据一些实施例，所述装置包括测量所述支撑表面的物理参数的检测器。所述物理参数可以包括支撑表面的粗糙度。此外，所述物理参数可以包括衬底保持器的一个或更多个支撑元件的高度偏差测量结果，所述高度偏差测量结果是偏离衬底保持器的预定表面平整度的被检测到的高度偏差。根据一些实施例，所述处理器控制所述清洁操作，以与所述支撑元件的所述被检测到的高度偏差相对应地修改所述支撑元件的高度。

根据一些实施例，所述处理器还控制所述对准以使所述支撑结构降低和倾斜，从而将所述受关注的预定区与所述预定部位对准。根据一些实施例，处理器还基于所述清洁工具的凸度测量结果与所述支撑元件的用于进行高度或粗糙度修改的位置之间的所计算的相关性来控制所述对准的性能。根据一些实施例，所述处理器还可以基于所计算的相关性来选择预定部位，并且还可以控制对准操作以使支撑结构绕水平轴线旋转。

根据一些实施例，清洁工具可以由石英(SiO2)制成，并且石英可以涂覆有氮化铬(CrN)、氧化铬(CrOx)、或硼化钽中的任一种。

根据一些实施例，公开了一种用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的方法，所述方法由一个或更多个处理器执行并且包括：将衬底保持器的所述受关注的预定区与清洁工具的预定部位对准，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件，并且所述清洁工具具有球形主体；操纵支撑结构的移动，使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触，所述支撑结构从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器；以及启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

根据一些实施例，可以公开一种光刻设备，所述光刻设备包括用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的材料去除装置。根据一些实施例，所述材料去除装置包括衬底保持器，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件。所述装置还可以包括支撑结构和清洁工具，所述支撑结构被配置成从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器，所述清洁工具具有球形主体。所述装置还可以包括处理器，所述处理器将所述衬底保持器的受关注的预定区与所述清洁工具的预定部位对准、操纵所述支撑结构的移动使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触、以及启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

在下文中参考随附附图详细地描述本公开的另外的特征和优点以及本公开的各个实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本公开描述的具体实施例。本文仅出于说明性的目的来呈现这样的实施例。基于本发明中包含的教导，一个或更多个相关领域技术人员将明白额外的实施例。

附图说明

现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本公开的实施例，在附图中：

图1描绘了光刻设备；

图2A至图2C描绘了根据一些实施例的工具系统的示意图；

图3A至图3C描绘了根据一些实施例的对准操作；

图4A和图4B描绘了图2A至图2C中用于修改衬底保持器的工具的截面；

图5A和图5B图示出根据一些实施例的清洁操作；以及

图6图示出根据一些实施例的清洁方法。

附图提供了包括在本公开的一些实施例中的某些特征的指示。然而，这些附图不是按比例绘制的。在下面的描述中描述了某些特征的尺寸和尺寸的范围的示例。

具体实施方式

为了避免在将经图案化的辐射束投影到衬底上期间的重叠误差即重叠误差，期望衬底的顶表面是平坦的。衬底保持器的支撑表面的不平坦可能导致衬底的不平坦的顶表面。因此，期望避免衬底支撑物中的不平坦。

支撑表面的不平坦可能由构成支撑元件本身的材料的高度之间的不同引起。这通常是已经制造了新的衬底保持器时的情况。磨损和污染也可能导致不平坦。在已知实施例中，衬底保持器包含衬底台WT(也称为卡盘)，具有支撑元件的衬底保持器被支撑在衬底台WT上。在替代实施例中，衬底台WT和衬底保持器可以被集成在单个单元中。不平坦可能是支撑元件的高度之间的差异的结果，或者是衬底保持器的背面或衬底台WT中的高度之间的差异的结果。因此，这些元件被精心地制作成水平的。然而，已经发现，当组装或安装衬底台WT和衬底保持器(以及任何其它元件)时，也可能导致不平坦。对于必须在穿过束路径的明确定义的平面中支撑的其它物品的支撑台或保持器，诸如反射型图案形成装置或透射型图案形成装置，也可能遇到类似的问题。

US 2005/0061995 A1(US 2005/0061995 A1的内容通过引用整体并入本文中)提供了一种光刻投影设备，所述光刻投影设备包括：检测器，所述检测器用于检测影响物品的表面平整度的支撑元件的高度偏差；高度调整装置，所述高度调整装置被布置成当支撑台能够在设备中操作时，独立地修改单独的支撑元件的支撑元件材料的高度；以及控制器(或控制处理器)，所述控制器被联接在检测器与高度调整装置之间，并被布置成控制高度调整装置，以与所述支撑元件的影响物品的表面平整度的被检测到的高度偏差相对应地调整支撑元件的高度。可以理解，控制器可以是中央处理单元(CPU)、数字信号处理器(DSP)、或包括可以执行处理的电路系统的装置。控制器可以实现硬件、软件、固件、以及待在控制器或可读介质上执行的计算机可读代码的组合。控制器和/或计算机可读介质可以被分布在网络联接的计算机系统上，使得计算机可读代码以分布式方式被存储和执行。

当支撑台处于光刻投影设备中的可操作位置时，原位高度调整装置可以被用于改变材料的高度，至少单独的支撑元件的顶部由所述材料整体地构成。“可操作或能够操作”是指支撑保持器可以从可操作位置移动到设备中的图案投影位置，而不会引起比正常使用期间对支撑台组件造成更大破坏的移动。“整体地构成”是指用于制造支撑保持器或涂层、或支撑元件上的其它材料层的材料，但不包括意外的异物，诸如污染。通过调整光刻设备中的经组装的支撑保持器中的支撑元件的高度，在这样的可操作位置，可以实现可靠的局部和全局高度调整。

检测器可以确定哪个支撑元件具有高度偏差，并且控制单元控制高度调整装置，例如，以去除具有过量的高度的所选支撑元件的一部分材料，但不从没有过量的高度或低于阈值的过量的高度的其它支撑元件去除。这种检测器和高度偏差调整工具在本文中的图1中被进一步描述。

图1示意性地描绘了根据本公开的一个实施例的光刻设备100。所述设备包括照射系统(照射器)IL，所述照射系统配置成调节辐射束B(例如，UV辐射束或任何其它合适的辐射束)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，所述图案形成装置支撑件或支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并与被配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。所述光刻设备还包括衬底台(例如，晶片台)WT或“衬底支撑件”，所述衬底台或“衬底支撑件”被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与被配置成根据某些参数准确地定位衬底的第二定位装置PW相连。衬底保持器可以包括衬底台WT(也称为卡盘)，衬底保持器被支撑在所述衬底台上。所述衬底台可以被配置成支撑所述衬底W。所述设备还包括投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

所述照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任何组合。

所述图案形成装置以依赖于所述图案形成装置MA的定向、所述光刻设备的设计和诸如例如所述图案形成装置MA是否被保持在真空环境中之类的其它条件的方式保持所述图案形成装置MA。所述图案形成装置支撑件可以采用机械技术、真空技术、静电技术、或其它夹持技术来保持所述图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以是框架或台，例如，所述框架或台可以根据需要而是固定的或者可移动的。所述图案形成装置支撑件可以确保所述图案形成装置MA(例如，相对于所述投影系统PS)位于期望的位置。本文中使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以被认为与更上位的术语“图案形成装置”是同义的。

本文中使用的术语“图案形成装置”可以指可以被用于在辐射束的截面中赋予所述辐射束图案以便在所述衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应该注意，例如，如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则被赋予至所述辐射束B的图案可以不与所述衬底W的目标部分中的期望的图案精确地对应。通常，被赋予至所述辐射束B的图案将与在所述目标部分中产生的器件(诸如集成电路)中的特定功能层相对应。

所述图案形成装置MA可以是透射型或反射型的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，包括诸如二元掩模、交替相移掩模、和衰减相移掩模、以及各种混合掩模类型的掩膜类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用较小反射镜的矩阵布置，每个较小反射镜可以单独地被倾斜以便在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

在本文中所使用的术语“投影系统”可以被解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型以及静电型光学系统或者它们的任意组合，如对于所使用的曝光辐射或者诸如使用浸没液体或使用真空之类的其它因素所适合的。本文中使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”是同义的。

如这里描绘的，所述设备是透射型的(，例如，采用透射型掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上文所提及类型的可编程反射镜阵列，或采用反射型掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多衬底台或“衬底支撑件”(和/或两个或更多的掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台或支撑件，或可以在一个或更多个台或支撑件上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台或支撑件用于曝光。

所述光刻设备还可以是如下类型：其中衬底W的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统PS与衬底W之间的空间。浸没液体也可以被施加至所述光刻设备中的其它空间，例如所述图案形成装置(例如，掩模)MA与所述投影系统PS之间的空间。浸没技术可以用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底之类的结构必须浸没在液体中，而是“浸没”仅意味着在曝光期间液体位于所述投影系统PS与所述衬底W之间。

参考图1，所述照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束B。例如当所述源是准分子激光器时，所述源和所述光刻设备可以是分立的实体。在这样的情况下，所述源并不被认为构成所述光刻设备的一部分，并且所述辐射束B被借助于包括例如适合的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD而从所述源SO传递至所述照射器IL。在其它情况下，例如，当所述源是汞灯时，所述源可以是所述光刻设备的组成部分。可以将所述源SO和照射器IL以及需要时的束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括被配置成调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常地，至少可以调整所述照射器的光瞳平面中的强度分布的外部径向范围及/或内部径向范围(通常分别被称为s-外部和s-内部)。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调整所述辐射束，以便在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。

辐射束B入射到被保持在掩模支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由图案形成装置进行图案化。在已经横穿所述图案形成装置(例如，掩模)MA的情况下，所述辐射束B穿过所述投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至所述衬底W的目标部分C上。借助第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉装置、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间，可以将第一定位装置PM和另一位置传感器(图1中未明确示出另一位置传感器)用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。通常，可以借助于形成第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT的移动。类似地，可以采用构成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT或“衬底支撑件”的移动。在步进器的情况下(与扫描器相反)，图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。虽然图示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是图示的衬底对准标记可以位于多个目标部分(这些被称为划线对准标记)之间的空间中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如，掩模)MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于这些管芯之间。

所描绘的设备可以在以下模式中的至少一种中使用：

1.在步进模式，图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT或“掩模支撑件”、和衬底台WT或“衬底支撑件”基本上保持静止，而赋予到辐射束B的整个图案被一次投射到目标部分C上(即，一次静态曝光)。然后，衬底台WT或“衬底支撑件”在X和/或Y方向上移动，使得可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，所述曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中被成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在将被赋予至辐射束B的图案投影至目标部分C上的同时，同步地扫描图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT或“掩模支撑件”、和衬底台WT或“衬底支撑件”(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT或“衬底支撑件”相对于图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT或“掩模支撑件”的速度和方向。在扫描模式中，所述曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中的所述目标部分(沿非扫描方向)的宽度，而所述扫描运动的长度决定了所述目标部分C(沿扫描方向)的高度。

3.在另一模式，图案形成装置(例如，掩模台)MT或“掩模支撑件”保持基本静止，以保持可编程图案形成装置，并且在赋予辐射束的图案被投射到目标部分C上的同时，衬底台WT或“衬底支撑件”被移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT或“衬底支撑件”的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于被应用于利用可编程图案形成装置(诸如上述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。

也可以采用上文描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

如图1中示出的，光刻设备可以包括原位材料去除装置(MRD)，所述原位材料去除装置被配置成从光刻设备的衬底保持器的一个或更多个支撑元件去除材料。该MR被配置成从衬底保持器的一个或更多个支撑元件去除材料，以便获得对支撑在衬底保持器上的衬底W的更均匀的支撑。MRD可以位于基本静止的部位，并且包括材料去除工具MRT，所述材料去除工具将与一个或更多个支撑元件接触以去除一个或更多个支撑元件的材料。根据一些示例，MRT还可以位于基本静止的部位，并且一个或更多个支撑元件可以相对于MRT以一运动(例如，圆周运动等)方式移动，以便从一个或更多个支撑元件去除材料。根据一些示例，MRT可以相对于支撑元件移动，使得MRT可以相对于支撑元件以一运动(例如，圆周运动等)方式移动。参考下面的图2至图6进一步描述根据本公开的材料去除操作的各方面。

光刻设备还可以包括检测器HDD，所述检测器被配置成检测影响支撑在衬底保持器上的衬底W的表面平整度的支撑元件的高度偏差。检测器HDD例如可以是水平传感器，所述水平传感器被配置成测量支撑在衬底保持器上的衬底W的上表面。这种水平传感器例如在美国专利号5，191，200中公开，所述美国专利的全部内容通过引用并入本文中。检测器HDD可以被用于测量多个衬底的顶表面，以确定所述表面中的哪些误差是由衬底本身引起的，所述表面中的哪些误差是由衬底支撑件(即支撑元件)引起的。根据一些实施例，检测器HDD可以是一个或更多个部件的组合，这些部件包括例如光检测器、和/或具有对准标记的掩模版、光源、以及一个或更多个WS TIS传感器。

检测器HDD可以被连接到联接在检测器HDD与MRD之间的控制器MRC。控制器可以被配置成控制MRD，以与影响衬底的表面平整度的突起4的被检测到的高度偏差相对应地调整支撑元件的高度。控制器MRC可以是适于通过去除衬底保持器的支撑元件的材料来产生平坦表面的单独的控制器，或者所述控制器MRC可以被集成在被配置成在光刻设备中执行多个控制任务的控制器中。

关于MRD的一般操作的另外的细节在US2005/0061995Al中公开，US2005/0061995Al的全部内容通过引用并入本文中。

根据一些实施例，从一个或更多个支撑元件去除材料可以通过材料去除工具MRT与一个或更多个支撑元件之间的相对移动来执行。该相对移动可以通过相对于材料去除工具MRT平移一个或更多个支撑元件和/或相对于一个或更多个支撑元件平移材料去除工具MRT来执行。材料去除工具MRT可以被旋转以增强支撑元件的材料的去除。根据一些示例，如本文中将另外描述的，材料去除工具MRT可以被竖直地移动并绕轴线旋转，以便一次针对特定的支撑元件。

图2A至图2C描述了MRT系统200，所述MRT系统可以被用于修改衬底保持器以改善衬底保持器(例如，夹具)的支撑元件(例如，突节)的平整度。MRT系统200可以对应于如上文描述的材料去除工具MRT。MRT系统200也可以被称为高度调整工具。MRT系统200可以包括可以被制造成不同形状的部件，以便最适合于单独到达每个支撑元件。根据一个实施例，MRT系统200可以包括被制造成具有球形表面的清洁工具。如本文中将另外描述的，清洁工具的球形表面使得系统能够一次与衬底保持器的一个支撑元件接触。这使得能够进行更具体的目标选择和更具有定制性的清洁操作。

根据一个实施例，提供了包括用于修改衬底保持器的工具的MRT系统200。更具体地，所述工具可以被用于修改衬底保持器的衬底支撑元件。支撑元件也可以被称为突节。MRT系统200的示例在图2A至图2C中被示出。如图2A至图2C中图示的，MRT系统200可以包括具有支撑元件206的衬底保持器204。衬底保持器204可以由支撑元件202固定并由支撑元件202控制其移动。虽然图2A至图2C中描述的实施例图示出支撑衬底保持器204的支撑元件202，但是可以理解，支撑元件202可以被配置成支撑MRT系统200内的不同部件。在一个这样的实施例中，支撑元件202可以被配置成支撑清洁工具208。这可以是在清洁工具与衬底保持器之间的相对移动由工具的移动而不是衬底保持器的移动驱动的情况(如图2A至图2C中图示的)。

支撑元件202可以控制衬底保持器204在X轴方向(侧向移动)、Y轴(纵向移动)和Z轴(绕轴线旋转)上的移动。以这种方式，支撑元件202可以将衬底保持器204移动到清洁工具208的表面与特定的支撑元件206对准的位置，以准备清洁操作。这可以包括移动、倾斜和降低操作，如本文将另外论述的。

根据一些实施例，图2B和图2C示出了在不同的支撑元件部位(不同的突节)处接触衬底保持器204的清洁工具208的表面。图2A至图2C中示出的清洁工具208的表面可以是凸表面，其中衬底保持器可以被降低(如图2B中示出的)和/或以不同的角度旋转(如图2C中示出的)，以便与工具1的凸表面的某些点接触，如本文中将另外描述的。

图2A至图2C图示出具有支撑元件206的衬底保持器204的示例，其中，清洁工具208可以被用于修改衬底保持器204的支撑元件206。换句话说，清洁工具2081可以被用于从支撑元件206去除材料。这可以改变至少一个支撑元件206a的总高度和/或改变至少一个支撑元件206a的粗糙度。支撑元件206可以具有支撑表面。支撑表面可以被用于接触衬底W的底侧。理想地，支撑表面提供平坦的平面，衬底W可以如上文描述的那样被支撑在所述平坦的平面上。这使得衬底W在被辐照时是相对平坦的，以减少误差。

如本文中描述的，清洁工具208可以是MRD和/或材料去除工具MRT的一部分。清洁工具208可以由基部210固定，其中，清洁工具208可以是可移除的以用于维修/清洁，并且可以被放置在基部210内的装配位置处。

衬底保持器204可以是衬底保持器的一部分，所述衬底保持器被配置成在图像在衬底W上投影期间支撑衬底W。衬底保持器204可以被设置在衬底台WT上。例如，可以使用真空系统(未示出)将衬底保持器204保持在衬底台WT上。类似地，在清洁操作期间，衬底保持器204可以使用真空系统(未示出)被保持在支撑元件202上。

多个支撑元件206的配置被设计成获得对支撑在其上的衬底W的改进的支撑。在图2A至图2C中以截面形式示出了衬底保持器204的一部分，其中，一些支撑元件206位于截面的平面中，并且一些支撑元件206位于该平面后面。

如所描述的，由于多种原因，衬底保持器204可以不为衬底W提供平坦的支撑表面。随着支撑元件206由于与各种衬底的相互作用而磨损，衬底保持器204可能随时间劣化。支撑元件206的磨损导致在整个衬底保持器204上的支撑元件的高度的变化。

当衬底W被定位在衬底保持器204上时，衬底W与衬底保持器204之间的摩擦有助于衬底W的形状。由于由磨损导致支撑元件206的污染和平滑化，该摩擦随时间变化。这可能导致支撑元件206的粗糙度和高度在衬底保持器204的寿命期间变化。当前的校正方法(对准、APC、基线)不能总是限制对重叠误差的影响，所述重叠误差可能导致经图案化的衬底的产率降低。摩擦可以随着支撑元件208的磨损而改变，所述支撑元件的磨损可以增加衬底W与衬底保持器204之间的接触面积。

根据一些实施例，较大的接触面积产生较大的范德华力，这导致衬底W“粘附”在衬底保持器204上。在支撑元件206的支撑表面上提供较低程度的粗糙度可以减小总接触面积，并有助于减少或避免这种粘附。

通常，用于接触衬底W的底侧的支撑元件206的支撑表面具有期望的粗糙度水平。如果支撑表面的粗糙度太低，则这会导致衬底保持器具有增加的摩擦力，所述增加的摩擦力可以导致粘附和重叠误差。因此，通过增加支撑元件的支撑表面的粗糙度来减少摩擦力是有益的。因此，希望将粗糙度保持在期望的水平。

支撑表面的粗糙度通常在nm尺度。换句话说，支撑元件208的支撑表面通常具有几纳米或几十纳米的量级的结构。例如，衬底台WT可以具有至少12nm的接触粗糙度。原子力显微镜(AFM)可以被用于表征接触粗糙度。

另外地或替代地，白光干涉仪可以被用于测量粗糙度。白光测量结果可以大致匹配原子力显微镜(AFM)的测量结果。如果接触粗糙度低于大约12nm，则范德华键合通常可以增大接触压力并有效地增大摩擦力。

根据一些实施例，当衬底W被定位在衬底保持器204上时，衬底W将停留在支撑元件208的支撑表面中的每个支撑表面的峰结构的顶部上。虽然未示出，但应理解，在这些情形下，衬底保持器204可以被定位在支撑元件206面向上方以接收和支撑衬底W的位置。因此，可以通过降低支撑表面上的粗糙度峰值来改善整个衬底保持器204的平整度，所述支撑表面可以具有高于其它支撑表面的峰值。

可以通过观察接触垫以了解接触垫接触支撑元件的位置来确定所述支撑表面的粗糙度。与一个支撑元件(例如，206a)的支撑表面接触的接触垫的表面积的量可以指示该支撑元件206的粗糙度。

根据一些实施例，衬底保持器204被修改以使用清洁工具208去除材料。否则这可以被称为抛光。清洁工具208的材料和粗糙度可以被选择(或形成)，使得衬底W在衬底保持器204上的所得到的粗糙度和粘附被保持在期望的水平处。清洁工具208可以被定期地使用，也许是每天使用，这可以减少或避免系统漂移。理想地，清洁工具208的粗糙度将实现支撑表面的平整度、期望的粗糙度、以及改进的范德华力。

根据一些实施例，清洁工具208可以与支撑元件206接触，并且可以使其相对位置相对于支撑元件206移动。根据本文中图示的一些实施例，可以通过操纵衬底保持器204相对于清洁工具208的定位来产生相对运动，例如如图2A至图2C中图示的。可以理解，根据光刻设备的设置，替代地，一些配置可以依赖于通过操纵清洁工具208相对于衬底保持器204的位置而产生的相对运动。根据一个实施例，清洁工具208可以被用于刮擦支撑元件206的支撑表面，以改变支撑表面的粗糙度，这会影响支撑表面与衬底W之间的摩擦力。另外地或替代地，清洁工具208可以被用于磨掉所述支撑表面中的至少一个支撑表面，以便使由支撑表面提供的整个支撑平面变平或平坦化。清洁工具208可以被用于使衬底台WT更平坦的同时，还实现期望的粗糙度水平。以改善平整度而不影响粗糙度(粗糙度可以处于优选水平)的方式使用清洁工具208可能是有益的。替代地，以改善粗糙度而不影响平整度(平整度可以处于优选水平)的方式使用工具208可能是有益的。修改所述支撑表面通常可以指，改变支撑表面的平整度和/或粗糙度。

可以使用多种工具。例如，第一工具可以被用于通常改善衬底保持器204的平整度，而不会过多地影响粗糙度，并且第二工具可以被用于产生优选的粗糙度，而不会过多地影响整体平整度(或反之亦然)。例如，第一工具和第二工具可以具有更适合于影响衬底台WT的平整度和/或粗糙度的不同配置(即，以不同形式布置的突起)。

清洁工具208的设计可以改变清洁工具208如何影响衬底保持器204(例如，工作台WT)的粗糙度和平整度。因此，例如，清洁工具208的组成和凸度可以改变工具对清洁操作的影响。清洁工具的凸表面的期望半径依赖于衬底保持器的平整度、支撑元件206之间的距离、凸表面与支撑元件之间的期望的接触面积、以及支撑件202的角度移动范围。增加表面的半径(即，减小曲率)将导致更大的接触面积。

根据一些实施例，清洁工具208可以具有均一的外表面。可选地，清洁工具208可以具有不同的小块，所述不同的小块关于其表面具有不同的粗糙度水平，以在与衬底保持器204接触时产生不同的冲击结果。例如，一些小块在具有较高特殊频率的清洁工具上可能具有较高的粗糙度程度(例如，在每支撑元件几个凹槽的量级上)。这提供了收集从表面重修操作中产生的碎屑的能力。

在衬底支撑元件206的磨损和修改期间，可能产生碎屑。碎屑通常指任何污染材料，但特别是从衬底支撑元件206以及从清洁工具208本身去除的任何材料。碎屑可能影响衬底保持器204的粗糙度和整体平整度。

根据一些实施例，清洁工具208内的不同部位与支撑元件206之间的接触有助于减少碎屑在一个指定部位的积聚，该积聚可能使清洁工具208的性能劣化。此外，清洁工具208可以在预定部位处具有突起，从而为清洁工具208内的碎屑创建储存空间(例如，允许碎屑积聚在多个突起之间的间隙中)。因此，碎屑不太可能残留在衬底支撑元件206的支撑表面的顶部上。这减少或防止了支撑表面上的污染。

清洁工具208的凸度可以提供几个好处。例如，可以控制清洁工具208的与衬底保持器204接触的表面积，以在衬底保持器204的整体平整度中平均出较小的空间频率。

此外，凸度意味着清洁工具208的较小区域在使用时与衬底保持器204接触。这允许发生刮擦，以向支撑表面提供期望的粗糙度水平，这改善了“粘附”问题。较小的接触区域还提供了一次针对一个支撑元件执行清洁操作的能力。这可以提供靶向更强的清洁操作，从而加快清洁过程。将参考下面的图3至图6进一步论述靶向清洁操作。

清洁工具208可以由各种材料制成。根据一些实施例，清洁工具208的硬度具有与支撑元件206的支撑表面的硬度相同或更高的硬度。有利地，如果清洁工具208的硬度比支撑元件206更硬，则清洁工具208与支撑元件206的支撑表面之间的相互作用将磨损衬底保持器204而不是清洁工具208。有利地，如果清洁工具208的硬度类似于支撑表面的硬度，则由于清洁工具208与支撑表面之间的相互作用，这可能导致支撑表面的较高粗糙度。

优选地，清洁工具208由相对硬且坚韧的材料制成。清洁工具208可以包括石英(SiO2)，并且还可以涂覆有氮化铬(CrN)、氧化铬(CrOx)、或硼化钽中的任一种。清洁工具208可以由单片材料形成。因此，清洁工具208可以由这些材料中的一种材料形成。可选地，清洁工具208可以由包括这些材料中的至少一种材料的材料组合而形成。特别地，所选材料可以是碳增强碳化硅、碳化硅、氧化铝和/或类金刚石碳中的至少一种。额外地或替代地，清洁工具208可以具有由这些材料中的至少一种材料形成的层或涂层。

清洁工具208的背表面8可以设置成各种形状，使得清洁工具208更容易和/或牢固地保持在基部210内的适当位置。清洁工具208可以被连接或可连接到基部210(未示出)内的工具支撑件，或者可以根据配置而能够连接到支撑元件202。如先前提到的，由支撑元件202驱动的相对移动可以通过操纵衬底保持器204的移动来提供，如图2A至图2C中示出的，或替代地，可以通过操纵清洁工具208的移动来提供。清洁工具208的背表面8可以包括至少一个凹痕以与支撑件210配合。

在使用期间，清洁工具208可以优选地相对于衬底保持器204保持基本平坦。换句话说，优选地，保持清洁工具208的主体/基部基本上平行于衬底保持器204的表面。然而，清洁工具208的定向的变化可以允许不平坦的支撑表面被更有效地磨损或变平。此外，清洁工具支撑件202可以以允许定向的变化的方式被连接。

清洁工具208可以是包括多个工具的较大系统的一部分。基于待清洁的表面积和其它参数，多个工具可以具有相同或不同的凸度。清洁工具208可以被用于在整个衬底保持器204上清洁。换句话说，清洁工具208可以被用于接触每个支撑元件206至少一次。

可以提供一种使用上文描述的清洁工具208的方法。更具体地，所述方法可以用于修改衬底保持器204的衬底支撑元件206。衬底支撑元件206可以包括用于支撑衬底W的支撑表面。所述方法可以包括提供如上文描述的清洁工具208。所述方法还可以包括使衬底保持器204的支撑表面中的至少一些支撑表面与清洁工具208的远端凸起部分接触，和使用清洁工具208修改支撑表面。

衬底保持器204可以沿清洁工具208移动，以便从清洁工具208所接触的衬底支撑元件206的顶部去除材料。替代地，例如当衬底保持器204保持静止时，清洁工具208可以相对于衬底保持器204移动。例如，MRD可以被配置成使清洁工具208在衬底支撑元件22上移动的同时，衬底保持器204不被移动，或反之亦然。可选地，衬底保持器204和清洁工具208可以被同时地移动。根据一些实施例，期望一相对运动程度以实现期望的清洁结果，而与清洁工具208或衬底保持器204是否移动无关。

用于获得研磨效果的清洁工具208与衬底支撑元件206之间的z方向上的压力可以由衬底保持器204或清洁工具208(或更具体地MRD)或这两者施加。优选地，使用支撑件202(交替地支撑清洁工具208或衬底保持器204)可以被准确地控制，因为如果由清洁工具208施加的力太大，则这会对衬底保持器204的平整度产生负面影响。

清洁工具208可以以多种方式被使用。例如，清洁工具208可以被用于修改整个衬底保持器204，即一次性处理整个衬底保持器204。替代地，清洁工具208可以被用于修改局部区域，即整个衬底保持器204的一部分。清洁工具208的凸形性质使得能够有策略地清洁局部区域。在一些示例中，局部区域包括一个或更多个支撑元件206。在一些示例中，局部区域可以包括一个支撑元件206。使用清洁工具208的频率可以变化。例如，衬底保持器208的特定部分的局部清洁可以一天进行几次，例如每天4至5次。整个衬底保持器204的较大清洁可以较不频繁地进行，例如每天或每周进行。修改的频率和类型可以基于例如指示衬底W和/或衬底保持器204的平整度的测量结果来确定。衬底保持器204的平整度被认为是其上定位有衬底W的支撑元件206(及其各自的支撑表面)的平整度。

可以提供包括如上文描述的清洁工具208的光刻设备。含有清洁系统200的光刻设备可以被配置成使用清洁工具208来修改衬底保持器202的衬底支撑元件206。光刻设备可以包括衬底保持器204，所述衬底保持器具有被配置成支撑衬底的多个支撑元件206。

包括清洁工具208的光刻设备可以是上面关于图1描述的光刻设备的全部或一部分。包括清洁工具208的光刻设备可以是量测装置和/或检查装置(电子束)的至少一部分。包括清洁工具208的光刻设备可以与图1中描述的光刻设备结合使用。包括清洁工具208的光刻设备更一般地可以被称为被配置成修改衬底保持器的衬底支撑元件206的设备。

包括清洁工具208的光刻设备还可以包括检测器，所述检测器被配置成检测影响支撑在衬底保持器上的衬底的表面平整度的支撑元件中的一个或更多个支撑元件的高度偏差。检测器可以对应于前面描述的检测器HDD。清洁工具208可以被配置成与所述一个或更多个支撑元件的被检测到的高度偏差相对应地修改所述一个或更多个支撑元件的高度。

根据一些实施例，图2B和图2C分别图示出降低操作和旋转操作。这些操作在下文中关于其余图被进一步描述。

图3A至图3C图示出根据一些实施例的降低和旋转操作300。例如，图3A描绘了清洁系统200的降低部分。具体地，降低部分可以包括支撑结构302、衬底保持器304、以及衬底支撑元件306。可以理解，关于图2A至图2C更详细地描述了元件302、304、306和308，并且图3A至图3C的描述说明了清洁工具308与元件302、304和306(具体地，衬底保持器304)的组合之间的移动和对准。

根据一些实施例，图3A图示出将衬底保持器304的受关注的预定区(例如，区314)与清洁工具308的预定部位(例如，部位312)对准的操作。这种对准可以基于由检测器执行的一个或更多个测量来执行，所述检测器可以被配置成检测支撑元件的高度偏差，如下文另外描述的。在检测读数时，检测器可以被配置成向控制器发送提供支撑元件的所测量的参数的读数信号。在一个示例中，所测量的参数可以包括支撑元件的高度偏差。高度偏差可以被理解为偏离衬底保持器304的所有支撑元件的平均高度，这将被认为是针对衬底保持器304创建容纳衬底的平坦表面。换句话说，偏差可以被理解为超过该平均值的支撑元件的长度，这导致衬底保持器不能提供平坦表面。检测器还可以检测支撑元件306的支撑表面的粗糙度水平。这使得控制器能够确定是否期望/需要额外的清洁和/或碎屑去除。

图3B和图3C图示出清洁工具308与支撑元件302、衬底保持器304和支撑元件306的组合之间的相对移动。根据一些实施例，在从支撑元件306中检测到第二支撑元件时，控制器可以将新的关注的区314与新部位316对准。可以理解，关注的区314可以对应于一个或更多个支撑元件。例如，清洁工具308如何与元件302、304和306的组合对准可以依赖于清洁工具308的凸度和关注的区314的尺寸。根据一些示例，清洁工具308的凸度可以在整个清洁工具308中是均一的。根据又一实施例，在检测到可以作为去除操作的候选部件的又一支撑元件时，控制器可以将新的关注的区314(对应于一个或更多个支撑元件)与预定部位318对准。可以理解，对准操作可以包括沿X、Y和Z方向的一系列移动，所述一系列移动包括支撑元件302的侧向移动、纵向移动、倾斜移动和旋转移动。

图4表示示例性清洁操作的截面图。例如，根据一些实施例，通过使支撑元件404在使一个或更多个支撑元件406更接近清洁工具的方向上倾斜，依赖于支撑元件404与清洁工具408之间的初始对准的清洁操作可以开始。在第二步骤中，可以将支撑元件402降低达足以在一个或更多个支撑元件之间建立接触水平的距离。根据一些实施例，可以由控制器基于待执行的清洁类型来确定接触水平和接触压力。例如，表面重修操作可能需要由支撑元件402向清洁工具408施加的更高水平的压力。

图5A和图5B图示出根据示例性实施例的清洁操作。图5A图示出在尺寸520和530内具有多个支撑元件506的衬底保持器的平面图。图5B图示出衬底保持器的放大图。图5B图示出根据一些实施例的示例性靶向清洁操作。在一个示例中，靶向清洁可以是被确定为具有不期望的物理参数(例如，高度偏差测量结果等)的几个靶向支撑元件506的清洁操作。在又一示例中，可以在一系列光栅扫描运动中对整个衬底保持器执行清洁操作，这些光栅扫描运动在单独的支撑元件的基础上执行靶向清洁操作。根据一些实施例，清洁操作可以包括由MRT系统200在预定持续时间和预定半径内执行的圆周运动。例如，预定持续时间可以依赖于诸如支撑表面的粗糙度和/或所测量的高度偏差等因素。换句话说，预定持续时间可以依赖于将支撑元件(例如，支撑元件206a)表面重修/清洁到期望的高度、平整度和/或粗糙度水平所需的时间。

根据一些实施例，支撑元件506的每个靶向清洁操作可以包括支撑元件以针对预定支撑元件506的方式倾斜、移动和对准的操作。接下来，在支撑元件与清洁工具的表面之间接触时，支撑元件可以在较小的直径的圆中移动，以执行预定支撑元件的清洁操作。根据一些实施例，清洁操作可以包括擦洗操作。根据一些实施例，较小的直径可以是1mm的直径。根据一些实施例，支撑元件可以在整个清洁工具上移动，以便与下一期望的支撑元件接触。如图5B中图示的，基于支撑元件的部位和正在执行的扫描类型(例如，光栅扫描模式)，这种移动可以是向右、向左、向上或向下的移动。根据一些实施例，对于更方便的清洁操作，支撑元件之间的移动(例如，从清洁一个支撑元件到下一个支撑元件的过渡)可以通过衬底保持器202的倾斜操作来实现。

图6图示出根据一些实施例的用于修改衬底保持器204的衬底支撑元件206的示例性方法600。方法600可以包括将衬底保持器的受关注的预定区(例如，区314)与清洁工具的预定部位(例如，部位312)对准，如步骤602中图示的。此外，方法600还可以包括操纵支撑结构(例如，302)的移动，使得对准在受关注的预定区与预定部位之间产生接触，如步骤604中图示的。此外，方法600还可以包括启动对受关注的预定区的清洁操作，如步骤606中图示的。

可以理解，方法600可以包括基于测量结果和所涉及的结构部件的额外的修改步骤。例如，根据一些实施例，受关注的预定区可以包括一个或更多个支撑元件。根据一些实施例，受关注的预定区包括具有支撑表面的一个支撑元件。在一个示例中，在受关注的预定区与预定部位之间产生的接触包括支撑表面与清洁工具的预定部位之间的接触。

根据一些实施例，方法600还可以包括用检测器测量与支撑表面相关联的物理参数。在一个示例中，物理参数包括支撑表面的一定程度的粗糙度。此外，物理参数可以包括衬底保持器的一个或更多个支撑元件的高度偏差测量结果，所述高度偏差测量结果是偏离衬底保持器的预定程度的表面平整度的被检测到的高度偏差。方法600的清洁操作还可以包括与支撑元件的被检测到的高度偏差相对应地修改支撑元件的高度。

根据一些实施例，方法600的对准操作还可以包括支撑结构的用于将受关注的预定区与预定部位对准的降低操作和倾斜操作。方法600还可以包括计算清洁工具的凸度测量结果与支撑元件的用于进行高度或粗糙度修改的位置之间的相关性，并基于所计算的相关性将受关注的预定区与预定部位对准。根据一些实施例，这种相关性测量结果可以使控制器能够根据预期的支撑元件的部位来确定清洁工具的哪一部分最适合与预期进行修改的支撑元件接触。

根据一些实施例，方法600还可以包括基于所计算的相关性选择预定部位，其中，对准包括支撑结构绕竖直轴线(例如，Y轴)的旋转操作。在方法600中，被使用的清洁工具可以由包括硅渗透碳化硅、碳化硅、氧化铝或类金刚石碳的材料组成。

上文描述了使用清洁系统来去除支撑保持器204的一个或更多个衬底支撑元件206的材料，以为其上的衬底支撑件提供更均匀的支撑。类似的清洁系统也可以被用于其它物品支撑系统，诸如图案形成装置支撑件。因此，清洁工具208可以更一般地用于接触支撑表面。例如，在一个实施例中提供了一种光刻设备。在该实施例中，光刻设备被配置成修改物品保持器的支撑元件。

包括清洁工具208的光刻设备可以是上面关于图1描述的光刻设备的全部或一部分。包括清洁工具208的光刻设备可以是量测装置和/或检查装置(电子束)的至少一部分。包括清洁工具208的光刻设备可以与图1中描述的光刻设备结合使用。包括清洁工具208的光刻设备可以被更一般地称为被配置成修改物品保持器的支撑元件的设备。

根据一些实施例，包括清洁工具208的光刻设备还可以包括检测器，所述检测器检测影响被支撑在物品保持器上的物品的表面平整度的支撑元件中的一个或更多个支撑元件的高度偏差。检测器可以对应于前面描述的检测器HDD。检测器可以类似于检测器HDD，但是可以用于检测物品而不是衬底的表面平整度。清洁工具208可以被配置成与所述一个或更多个支撑元件的被检测到的高度偏差相对应地修改所述一个或更多个支撑元件的高度。

在该实施例中用于修改物品的工具可以具有上文针对专门用于修改衬底保持器204的清洁工具208所描述的任何或所有变化。

在光刻设备中的根据本公开的实施例的清洁工具208的设置提供了优于现有系统的许多优点。第一个优点是，衬底台/保持器(或其它支撑表面)可以以较小的平整度被安装在光刻设备中，并且因而成本较低，这些因为可以通过使用清洁工具208使衬底保持器在光刻设备中变平坦。此外，衬底保持器的磨损不再是非常重要的，这是因为可以校正由于磨损引起的不平整度。结果，可以使用对晶片台/衬底保持器204的材料的不太严格的限制。此外，通过使用清洁工具208，可以随着时间的推移而改善支撑表面的平整度，从而改善光刻设备的重叠性能。

可以使用下方面进一步描述这些实施例：

1.一种用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的装置，所述装置包括：

衬底保持器，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件；

支撑结构，所述支撑结构被配置成从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器；

清洁工具，所述清洁工具具有球形主体；以及

处理器，所述处理器被配置成

将所述衬底保持器的受关注的预定区与所述清洁工具的预定部位对准，

操纵所述支撑结构的移动，使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触，以及

启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

2.根据方面1所述的装置，其中，所述受关注的预定区包括一个或更多个支撑元件。

3.根据方面1所述的装置，其中，所述受关注的预定区包括具有支撑表面的一个支撑元件。

4.根据方面3所述的装置，其中，在所述受关注的预定区与预定部位之间产生的接触包括支撑表面与清洁工具的预定部位之间的接触。

5.根据方面4所述的装置，还包括检测器，所述检测器被配置成测量所述支撑表面的物理参数。

6.根据方面5所述的装置，其中，所述物理参数包括所述支撑表面的粗糙度。

7.根据方面5所述的装置，其中，所述物理参数包括所述衬底保持器的一个或更多个支撑元件的高度偏差测量结果，所述高度偏差测量结果是偏离所述衬底保持器的预定表面平整度的被检测到的高度偏差。

8.根据方面7所述的装置，其中，所述处理器还被配置成控制所述清洁操作，以与所述支撑元件的所述被检测到的高度偏差相对应地修改所述支撑元件的高度。

9.根据方面1所述的装置，其中，所述处理器还被配置成控制所述对准以使所述支撑结构降低和倾斜，从而将所述受关注的预定区与所述预定部位对准。

10.根据方面9所述的装置，其中，所述处理器还被配置成基于所述清洁工具的凸度测量结果与所述支撑元件的用于进行高度或粗糙度修改的位置之间的所计算的相关性来控制所述对准的性能。

11.根据方面10所述的装置，其中，所述处理器还被配置成基于所计算的相关性来选择所述预定部位。

12.根据方面9所述的装置，其中，所述处理器还被配置成控制所述对准操作以使所述支撑结构围绕水平轴线旋转。

13.根据方面1所述的装置，其中，所述清洁工具由石英(SiO2)组成，并且其中，所述石英涂覆有氮化铬(CrN)、氧化铬(CrOx)、或硼化钽中的任一种。

14.一种用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的方法，所述方法由处理器执行，所述方法包括：

将衬底保持器的受关注的预定区与清洁工具的预定部位对准，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件，并且所述清洁工具具有球形主体；

操纵支撑结构的移动，使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触，所述支撑结构从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器；以及

启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

15.根据方面14所述的方法，其中，所述受关注的预定区包括一个或更多个支撑元件。

16.根据方面14所述的方法，其中，所述受关注的预定区包括具有支撑表面的一个支撑元件。

17.根据方面16所述的方法，其中，在所述受关注的预定区与预定部位之间产生的接触包括支撑表面与清洁工具的预定部位之间的接触。

18.根据方面17所述的方法，还包括用检测器测量与所述支撑表面相关联的物理参数。

19.根据方面18所述的方法，其中，所述物理参数包括所述支撑表面的粗糙度。

20.根据方面18所述的方法，其中，所述物理参数包括所述衬底保持器的一个或更多个支撑元件的高度偏差测量结果，所述高度偏差测量结果是偏离所述衬底保持器的预定表面平整度的被检测到的高度偏差。

21.根据方面20所述的方法，其中，所述清洁操作还包括与所述支撑元件的被检测到的高度偏差相对应地修改所述支撑元件的高度。

22.根据方面14所述的方法，其中，所述对准还包括所述支撑结构的用于将所述受关注的预定区与所述预定部位对准的降低操作和倾斜操作。

23.根据方面22所述的方法，还包括：

计算所述清洁工具的凸度测量结果与所述支撑元件的用于进行高度或粗糙度修改的位置之间的相关性；和

基于所计算的相关性来将所述受关注的预定区与所述预定部位对准。

24.根据方面23所述的方法，还包括基于所计算的相关性来选择所述预定部位。

25.根据方面22所述的方法，其中，所述对准还包括所述支撑结构围绕水平轴线的旋转操作。

26.根据方面14所述的方法，其中，所述清洁工具由石英(SiO2)组成，并且其中，所述石英涂覆有氮化铬(CrN)、氧化铬(CrOx)、或硼化钽中的任一种。

27.一种光刻设备，包括：

材料去除装置，所述材料去除装置用于修改衬底保持器的衬底支撑元件，所述材料去除装置包括：

衬底保持器，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件；

支撑结构，所述支撑结构被配置成从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器；

清洁工具，所述清洁工具具有球形主体；以及

处理器，所述处理器被配置成

将所述衬底保持器的受关注的预定区与所述清洁工具的预定部位对准，

操纵所述支撑结构的移动，使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触，以及

启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

虽然本文具体提及的是光刻设备用于集成电路的制造中，但是，应该理解，这里所述的光刻设备可以具有其它应用，例如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的上下文中，这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”是同义的。可以在曝光之前或之后在例如涂覆显影系统或轨道(通常将抗蚀剂层施加至衬底且显影经曝光的抗蚀剂的工具)、量测工具和/或检查工具中处理本文中提到的衬底。在适用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得本文中所使用的术语“衬底”也可以指已经包含多个处理后的层的衬底。

虽然上文已经在光学光刻术的情境下使用本公开的实施例进行具体参考，但是将理解，本公开可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在情境允许的情况下，不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了产生在衬底上的图案。图案形成装置的形貌可以被压印到供给至所述衬底的抗蚀剂层中，由此所述抗蚀剂通过应用电磁辐射、热、压力或其组合而被固化。在抗蚀剂被固化之后所述图案形成装置被移出所述抗蚀剂，从而在其中留下图案。

在本文中所使用的术语“辐射”和“束”包括全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如，具有或约为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5nm至20nm的范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

在情境允许的情况下，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件。

虽然上文已经描述了本公开的具体实施例，但是将理解，可以以与所描述的不同的方式来实践本公开。上文的描述旨在是示例性的而非限制性的。因而，本领域的技术人员将明白，在不背离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的公开内容进行修改。

上文的描述旨在是示例性的而非限制性的。因而，本领域的技术人员将明白，在不背离下面阐述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的公开内容进行修改。

Claims (15)

1.一种用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的装置，所述装置包括：

衬底保持器，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件；

支撑结构，所述支撑结构被配置成从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器；

清洁工具，所述清洁工具具有球形主体；以及

处理器，所述处理器被配置成

将所述衬底保持器的受关注的预定区与所述清洁工具的预定部位对准，

操纵所述支撑结构的移动，使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触，以及

启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述受关注的预定区包括一个或更多个支撑元件。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述受关注的预定区包括具有支撑表面的一个支撑元件；

在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生的接触包括所述支撑表面与所述清洁工具的所述预定部位之间的接触；

所述装置还包括检测器，所述检测器被配置成测量所述支撑表面的物理参数；

所述物理参数包括所述支撑表面的粗糙度；并且

所述物理参数包括所述衬底保持器的一个或更多个支撑元件的高度偏差测量结果，所述高度偏差测量结果是偏离所述衬底保持器的预定表面平整度的被检测到的高度偏差。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述处理器还被配置成控制所述清洁操作，以与所述支撑元件的所述被检测到的高度偏差相对应地修改所述支撑元件的高度。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述处理器还被配置成控制所述对准以使所述支撑结构降低和倾斜，以将所述受关注的预定区与所述预定部位对准。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述处理器还被配置成：

基于所述清洁工具的凸度测量结果与所述支撑元件的用于进行高度或粗糙度修改的位置之间的所计算的相关性来控制所述对准的性能；以及

基于所计算的相关性来选择所述预定部位。

7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述处理器还被配置成控制所述对准操作以使所述支撑结构绕水平轴线旋转。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述清洁工具由石英(SiO2)组成，并且其中，所述石英涂覆有氮化铬(CrN)、氧化铬(CrOx)、或硼化钽中的任一种。

9.一种用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的方法，所述方法由处理器执行，所述方法包括：

将衬底保持器的受关注的预定区与清洁工具的预定部位对准，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件，并且所述清洁工具具有球形主体；

操纵支撑结构的移动，使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触，所述支撑结构从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器；以及

启动对所述受关注的预定区的清洁操作。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述受关注的预定区包括一个或更多个支撑元件。

11.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述受关注的预定区包括具有支撑表面的一个支撑元件；

在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生的接触包括所述支撑表面与所述清洁工具的所述预定部位之间的接触；

所述方法还包括用检测器测量与所述支撑表面相关联的物理参数；

所述物理参数包括所述支撑表面的粗糙度；并且

所述物理参数包括所述衬底保持器的一个或更多个支撑元件的高度偏差测量结果，所述高度偏差测量结果是偏离所述衬底保持器的预定表面平整度的被检测到的高度偏差。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述清洁操作还包括与所述支撑元件的所述被检测到的高度偏差相对应地修改所述支撑元件的高度。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述对准还包括所述支撑结构的用于将所述受关注的预定区与所述预定部位对准的降低操作和倾斜操作，并且所述方法还包括：

计算所述清洁工具的凸度测量结果与所述支撑元件的用于进行高度或粗糙度修改的位置之间的相关性；

基于所计算的相关性来将所述受关注的预定区与所述预定部位对准；以及

基于所计算的相关性来选择所述预定部位，其中，所述对准还包括所述支撑结构绕水平轴线的旋转操作。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述清洁工具由石英(SiO₂)组成，并且其中，所述石英涂覆有氮化铬(CrN)、氧化铬(CrOx)、或硼化钽中的任一种。

15.一种光刻设备，包括：

用于修改衬底保持器的衬底支撑元件的材料去除装置，所述材料去除装置包括：

衬底保持器，所述衬底保持器具有从所述衬底保持器的第一侧突出的多个支撑元件；

支撑结构，所述支撑结构被配置成从所述衬底保持器的第二侧以横切方式保持所述衬底保持器；

清洁工具，所述清洁工具具有球形主体；以及

处理器，所述处理器被配置成

将所述衬底保持器的受关注的预定区与所述清洁工具的预定部位对准，

操纵所述支撑结构的移动，使得所述对准在所述受关注的预定区与所述预定部位之间产生接触，以及

启动对所述受关注的预定区的清洁操作。