CN117015168A - 一种印制电路板及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 177
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 177
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 98
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000037452 priming Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 15
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 10
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PDYXSJSAMVACOH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Zn].[Sn] Chemical compound [Cu].[Zn].[Sn] PDYXSJSAMVACOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YWIHFOITAUYZBJ-UHFFFAOYSA-N [P].[Cu].[Sn] Chemical compound [P].[Cu].[Sn] YWIHFOITAUYZBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QBOMBCGAEZXOSM-UHFFFAOYSA-N [Si].[Zn].[Cu] Chemical compound [Si].[Zn].[Cu] QBOMBCGAEZXOSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- ZSVHLJKHZPBGHP-UHFFFAOYSA-N copper iron titanium Chemical compound [Fe][Ti][Cu] ZSVHLJKHZPBGHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical class [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 238000004880 explosion Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 253
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 10
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- -1 bismaleimide triazines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
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Abstract
本发明公开了一种印制电路板及其制备方法，其中，印制电路板的增层方法包括：获取到待增层板件以及记忆金属层；依次对记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层；将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层；其中，预处理包括物理粗化处理和/或电镀打底层处理。通过上述方式，本发明能够提高记忆金属层与介电层之间的结合力，减少印制电路板出现分层、爆板的现象，提高印制电路板的结构稳定性与可靠性。
Description
技术领域
本发明应用于印制电路板的技术领域，特别是一种印制电路板及其制备方法。
背景技术
PCB(Printed Circuit Board)，又被称为印刷线路板或印刷电路板，是应用广泛的重要电子部件，是电子元器件的支撑体，同样也是电子元器件电气连接的载体。
在多层印制电路板中，导电金属层之间通过介质层绝缘，需要保证金属层和绝缘介层之间的结合力，在印制电路板制作过程中，会进行金属层表面粗化处理，以增强金属层和绝缘介层之间的结合力，防止使用中出现分层/爆板等。
由于记忆金属具有“耐腐蚀”特性，目前使用的粗化方式，难以满足表面粗化要求，部分场景下会出现记忆金属与绝缘介层之间结合力不达标的情况。
发明内容
本发明提供了一种印制电路板及其制备方法，以解决印制电路板中记忆金属与绝缘介层之间结合力不足的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种印制电路板的增层方法，包括：获取到待增层板件以及记忆金属层；依次对记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层；将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层；其中，预处理包括物理粗化处理和/或电镀打底层处理。
其中，依次对记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层的步骤包括：对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理；在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层；对记忆金属层的目标侧的打底层进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
其中，在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层的步骤包括：对物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧进行闪镀，以在目标侧镀上一层打底层；其中，打底层的厚度范围为3-9微米。
其中，对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：对记忆金属层的目标侧进行磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理；其中，磨刷或陶瓷刷板的深度范围为5-15微米，喷砂的深度范围为2-15微米，且磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理的深度小于记忆金属层的厚度的五分之一。
其中，对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：对记忆金属层的目标侧进行激光钻处理，以在目标侧均匀形成阵列孔痕；其中，激光钻处理的孔径范围为25-65微米，深度范围为1.5-15微米，且激光钻处理的深度小于记忆金属层的厚度的五分之一。
其中，对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：对记忆金属层的目标侧进行激光控深处理和/或水刀控深处理，以在目标侧均匀形成控深痕，控深痕包括波浪痕、斜形痕或网格痕；其中，激光控深处理和/或水刀控深处理的宽度范围为25-75微米，深度范围为3-15微米，且激光控深处理和/或水刀控深处理的深度小于记忆金属层的厚度的五分之一。
其中，对记忆金属层的目标侧的打底层进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层的步骤包括：利用过硫酸钠、双氧水、盐酸、氢氧化钠、或氨水体系的蚀刻液对记忆金属层的目标侧的打底层进行微蚀、棕化或黑化处理，以进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
其中，将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层的步骤包括：当增层后的待增层板件满足印制电路板的层数需求，将增层后的待增层板件作为印制电路板；当增层后的待增层板件未满足印制电路板的层数需求，将增层后的待增层板件作为新的待增层板件，继续对新的待增层板件进行增层，直至满足印制电路板的层数需求，以得到印制电路板。
其中，记忆金属层包括铜钛合金、铜钛铁合金、铜锡磷合金、铜锌锡合金、铜锌硅合金、铜锡合金中的一种或多种。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种印制电路板，印制电路板由上述任一项的印制电路板的增层方法制备得到。
为解决上述技术问题，本发明的印制电路板的增层方法能够利用物理粗化处理，以先使目标侧粗糙化，提高目标侧的表面积以及表面立体度，并破坏目标侧表面，再对粗糙化且破坏了表面的目标侧进行化学粗化处理，从而扩大化学粗化的面积，并降低化学粗化处理的难度，提高化学粗化的深度，进而提高化学粗化的效果，以及通过预先在记忆金属层的目标侧电镀上一层金属的打底层，从而给使得后续的化学粗化处理能够直接对打底层进行粗化，进而规避掉记忆金属层具有的“耐腐蚀”的特性，利用提高打底层的粗糙度提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力。通过上述预处理方式，进行辅助作业，提高化学粗化处理的粗化效果，减少印制电路板出现分层、爆板的现象，提高印制电路板的结构稳定性与可靠性。
附图说明
图1是本发明提供的印制电路板的增层方法一实施例的流程示意图；
图2是本发明提供的印制电路板的增层方法另一实施例的流程示意图；
图3是图2实施例中印制电路板增层流程示意图；
图4是记忆金属层的目标侧磨刷或陶瓷刷板后一实施例的效果示意图；
图5是记忆金属层的目标侧喷砂处理后一实施例的效果示意图；
图6是记忆金属层的目标侧激光钻处理后一实施例的效果示意图；
图7是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第一实施例的效果示意图；
图8是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第二实施例的效果示意图；
图9是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第三实施例的效果示意图；
图10是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第四实施例的效果示意图；
图11是记忆金属层的目标侧激光钻处理、激光控深处理和/或水刀控深处理后一实施例的效果示意图；
图12是本发明提供的印制电路板一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
请参阅图1，图1是本发明提供的印制电路板的增层方法一实施例的流程示意图。
步骤S11：获取到待增层板件以及记忆金属层。
待增层板件可以包括单层板件或已增层但仍需增层的多层板件。即本实施例的印制电路板的增层方法可以应用于印制电路板制备过程中任意一增层步骤。
记忆金属层具有耐腐蚀性、力学性能强、热非均匀性、高灵敏度、耐高温等特性。使用记忆金属层作为印制电路板的导电线路，能够提高导电线路的结构稳定性与可靠性，提高印制电路板的可靠性。
步骤S12：依次对记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
记忆金属层的目标侧为记忆金属需要与介电层贴合设置的侧面，其可以为记忆金属层的一侧或相对两侧，具体基于实际需求进行设置。
其中，预处理包括物理粗化处理和/或电镀打底层处理。
在一个具体的应用场景中，可以依次对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
物理粗化处理可以通过磨刷、陶瓷刷板、喷砂、激光钻、激光控深处理以及水刀控深等物理方式中的一种或多种。化学粗化处理可以包括通过蚀刻药水进行蚀刻处理。
通过先对记忆金属层进行物理粗化处理，以先使目标侧粗糙化，提高目标侧的表面积以及表面立体度，并破坏目标侧表面，再对粗糙化且破坏了表面的目标侧进行化学粗化处理，从而扩大化学粗化的面积，并降低化学粗化处理的难度，提高化学粗化的深度，进而提高化学粗化的效果，本实施例通过对记忆金属层的目标侧复合使用物理粗化处理以及化学粗化处理，使化学粗化处理借助物理粗化的结果，提高自身粗化效果，以提高记忆金属层与介电层之间的结合力，且本实施例对记忆金属进行的双重粗化处理，能够进一步提高记忆金属层与介电层之间的结合力。
在一个具体的应用场景中，依次对记忆金属层的目标侧进行电镀打底层处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
电镀打底层处理为预先在记忆金属层的目标侧电镀上一层金属的打底层，从而给使得后续的化学粗化处理能够直接对打底层进行粗化，进而规避掉记忆金属层具有的“耐腐蚀”的特性，利用提高打底层的粗糙度提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力。
在一个具体的应用场景中，还可以依次对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理、电镀打底层处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。从而结合上述两种预处理的优势提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力。即可以通过物理粗化处理提高记忆金属层与打底层之间的结合力以及化学粗化处理提高打底层与介电层之间的结合力来进行，进而规避掉记忆金属层具有的“耐腐蚀”的特性，利用提高打底层的粗糙度提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力。
本步骤在化学粗化处理之前，通过上述预处理方式，进行辅助作业，提高化学粗化处理的粗化效果。
步骤S13：将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层。
介电层可以包括半固化片、环氧树脂类、涤纶树脂(PET)、聚酰亚胺、聚酰亚胺类、聚碳酸脂(PC)、双马来酰亚胺三嗪(Bismaleimide Triazine，BT)类、陶瓷基类等绝缘材料中的一种或多种。
将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧。其中，若待增层板件靠近介电层的一侧也为记忆金属层，则也对待增层板件靠近介电层的一侧的记忆金属层进行上述粗化处理，以提高待增层板件与介电层之间的结合力。
将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层，增层后，若增层后的板件仍需增层，继续按照本实施例的增层方法对板件进行增层，直至满足印制电路板的层数需求。
通过上述步骤，本实施例的印制电路板的增层方法通过获取到待增层板件以及记忆金属层；依次对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理和/或电镀打底层处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层；将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层，从而利用物理粗化处理，以先使目标侧粗糙化，提高目标侧的表面积以及表面立体度，并破坏目标侧表面，再对粗糙化且破坏了表面的目标侧进行化学粗化处理，从而扩大化学粗化的面积，并降低化学粗化处理的难度，提高化学粗化的深度，进而提高化学粗化的效果，以及通过预先在记忆金属层的目标侧电镀上一层金属的打底层，从而给使得后续的化学粗化处理能够直接对打底层进行粗化，进而规避掉记忆金属层具有的“耐腐蚀”的特性，利用提高打底层的粗糙度提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力。通过上述预处理方式，进行辅助作业，提高化学粗化处理的粗化效果，减少印制电路板出现分层、爆板的现象，提高印制电路板的结构稳定性与可靠性。
请参阅图2-3，图2是本发明提供的印制电路板的增层方法另一实施例的流程示意图。图3是图2实施例中印制电路板增层流程示意图。
步骤S21：获取到待增层板件以及记忆金属层。
本步骤与前述实施例步骤S11相同，请参阅前文。
记忆金属层包括铜钛合金、铜钛铁合金、铜锡磷合金、铜锌锡合金、铜锌硅合金、铜锡合金等铜基记忆合金或其他以及金属合金中的一种或多种。
铜基记忆合金，具有耐腐蚀性、力学性能强、热非均匀性、高灵敏度、耐高温等特性。
请参阅图3a，本实施例以待增层板件为基础芯板为例进行说明，当待增层板件为其他板件时，其增层方法与本实施例类似，不再赘述。
本实施例的待增层板件13包括基层12以及分别贴合设置在基层12相对两侧的导电线路层11。
本实施例以待增层板件13进行双面增层为例进行说明，当待增层板件13进行单面增层时，其步骤类似，不再赘述。
步骤S22：对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理。
在一个具体的应用场景中，物理粗化处理可以包括磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理。则对记忆金属层的目标侧进行磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理。
其中，磨刷、陶瓷刷板的深度范围为5-15微米，具体可以为5微米、6微米、7微米、8微米、9微米、10微米、11微米、12微米、13微米、14微米或15微米等。喷砂的深度范围为2-15微米，具体可以为2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、8微米、9微米、10微米、11微米、12微米、13微米、14微米或15微米等。且磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理的深度在满足上述深度范围之前还需要小于记忆金属层的厚度的五分之一。
在上述深度范围内的磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理，既能够提高记忆金属层的目标侧的粗糙度，又能够避免粗化处理影响记忆金属层的结构稳定性以及导电性，以保障记忆金属层的可靠性。
请参阅图4，图4是记忆金属层的目标侧磨刷或陶瓷刷板后一实施例的效果示意图。
磨刷或陶瓷刷板在记忆金属层的目标侧20上形成磨痕/刷痕21。磨痕/刷痕21均匀分布在目标侧20上，以均匀提高目标侧20的粗糙度。
请参阅图5，图5是记忆金属层的目标侧喷砂处理后一实施例的效果示意图。
喷砂在记忆金属层的目标侧20上形成喷痕22。喷痕22均匀分布在目标侧20上，以均匀提高目标侧20的粗糙度。
在一个具体的应用场景中，物理粗化处理可以包括激光钻处理。则对记忆金属层的目标侧进行激光钻处理，以在目标侧均匀形成阵列孔痕。
其中，激光钻处理的孔径范围为25-65微米，深度范围为1.5-15微米，孔径具体可以为25微米、28微米、30微米、32微米、35微米、37微米、39微米、40微米、42微米、44微米、46微米、48微米、50微米、51微米、53微米、57微米、59微米、60微米、62微米或65微米等。深度具体可以为1.5微米、2.0微米、4.5微米、5.6微米、7.8微米、8.5微米、9.2微米、10微米、10.5微米、11.2微米、12.5微米、13.9微米、14.5微米或15微米等。且激光钻处理的深度小于记忆金属层的厚度的五分之一。
在上述深度范围内的激光钻处理，既能够提高记忆金属层的目标侧的粗糙度，又能够避免粗化处理影响记忆金属层的结构稳定性以及导电性，以保障记忆金属层的可靠性。
请参阅图6，图6是记忆金属层的目标侧激光钻处理后一实施例的效果示意图。
激光钻在记忆金属层的目标侧20上形成钻痕23。钻痕23均匀分布在目标侧20上，以均匀提高目标侧20的粗糙度。
在一个具体的应用场景中，物理粗化处理可以包括激光控深处理和/或水刀控深处理。则对记忆金属层的目标侧进行激光控深处理和/或水刀控深处理，以在目标侧均匀形成控深痕，控深痕包括波浪痕、斜形痕或网格痕。
其中，激光控深处理和/或水刀控深处理的宽度范围为25-75微米，具体可以为25微米、28微米、30微米、32微米、35微米、37微米、39微米、40微米、42微米、44微米、46微米、48微米、50微米、51微米、53微米、57微米、59微米、60微米、62微米、65微米、69微米、71微米、73微米或75微米等。激光控深处理和/或水刀控深处理的深度范围为3-15微米，具体可以为3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、8微米、9微米、10微米、11微米、12微米、13微米、14微米或15微米等。且激光控深处理和/或水刀控深处理的深度小于记忆金属层的厚度的五分之一。
在上述深度范围内的激光控深处理和/或水刀控深处理，既能够提高记忆金属层的目标侧的粗糙度，又能够避免粗化处理影响记忆金属层的结构稳定性以及导电性，以保障记忆金属层的可靠性。
请参阅图7，图7是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第一实施例的效果示意图。
激光钻在记忆金属层的目标侧20上形成斜形痕24。斜形痕24均匀分布在目标侧20上，以均匀提高目标侧20的粗糙度。
请参阅图8，图8是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第二实施例的效果示意图。
激光钻在记忆金属层的目标侧20上形成波浪痕25。波浪痕25均匀分布在目标侧20上，以均匀提高目标侧20的粗糙度。
请参阅图9，图9是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第三实施例的效果示意图。
激光钻在记忆金属层的目标侧20上形成第一网格痕26。第一网格痕26均匀分布在目标侧20上，以均匀提高目标侧20的粗糙度。
请参阅图10，图10是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第四实施例的效果示意图。
激光钻在记忆金属层的目标侧20上形成第二网格痕27。第二网格痕27均匀分布在目标侧20上，以均匀提高目标侧20的粗糙度。
请参阅图11，图11是记忆金属层的目标侧激光钻处理、激光控深处理和/或水刀控深处理后一实施例的效果示意图。
激光钻在记忆金属层的目标侧20上形成阵列V型痕28。阵列V型痕28均匀分布在目标侧20上，以均匀提高目标侧20的粗糙度。
在其他应用场景中，上述物理粗化处理还可以在记忆金属层的目标侧上均匀地形成其他痕迹，具体在此不做限定。
通过先对记忆金属层进行物理粗化处理，以先使目标侧粗糙化，提高目标侧的表面积以及表面立体度，并破坏目标侧表面，再对粗糙化且破坏了表面的目标侧进行化学粗化处理，从而扩大化学粗化的面积，并降低化学粗化处理的难度，提高化学粗化的深度，进而提高化学粗化的效果，本实施例通过对记忆金属层的目标侧复合使用物理粗化处理以及化学粗化处理，使化学粗化处理借助物理粗化的结果，提高自身粗化效果，以提高记忆金属层与介电层之间的结合力，且本实施例对记忆金属进行的双重粗化处理，能够进一步提高记忆金属层与介电层之间的结合力。
且本步骤增大记忆金属层表面粗糙度，有利于增强后续步骤中打底层与记忆金属层之间的结合力。
步骤S23：在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层。
在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧上电镀薄铜，以镀上一层打底层。具体地，可以对物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧进行闪镀，以在目标侧镀上一层打底层。
由于目标侧已被物理粗化处理，则闪镀形成的打底层与记忆金属层的目标侧之间的结合力良好，结合稳固。
打底层的厚度范围为3-9微米。具体可以为3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、8微米或9微米等。
请进一步参阅图3b，在物理粗化处理后的记忆金属层14的目标侧(图中未标注)镀上一层打底层15。本实施例以记忆金属层14的目标侧为单侧为例进行说明，当记忆金属层14的目标侧为相对两侧时，打底层17的设置类似，不再赘述。
步骤S24：对记忆金属层的目标侧的打底层进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
可以利用过硫酸钠、双氧水、盐酸、氢氧化钠、氨水体系或其他蚀刻体系的蚀刻液对记忆金属层的目标侧的打底层进行微蚀、棕化或黑化处理，以进行化学粗化处理，提高打底层靠近介电层一侧的粗糙度，得到处理后的记忆金属层。
化学粗化处理能够直接对打底层进行粗化，进而规避掉记忆金属层具有的“耐腐蚀”的特性，提高打底层的粗糙度，进而打底层与介电层之间的结合力。则本实施例的记忆金属层与介电层之间的结合可以通过物理粗化处理提高记忆金属层与打底层之间的结合力以及化学粗化处理提高打底层与介电层之间的结合力来进行，进而规避掉记忆金属层具有的“耐腐蚀”的特性，利用提高打底层的粗糙度提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力。
步骤S25：将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层。
请进一步参阅图3c，将2层介电层16层叠放置在待增层板件13的相对两侧，并将记忆金属层14的目标侧放置在介电层16远离待增层板件13的一侧，使得打底层15靠近对应的介电层16设置，随后进行压合处理，以对待增层板件13进行增层，从而完成本次增层处理。
在一个具体的应用场景中，当本次增层处理后的待增层板件满足印制电路板的层数需求，则将本次增层处理后的待增层板件作为印制电路板。在另一个具体的应用场景中，当本次增层处理后的待增层板件未满足印制电路板的层数需求，将增层后的待增层板件作为新的待增层板件，继续对新的待增层板件进行增层，直至满足印制电路板的层数需求，以得到印制电路板。
通过上述步骤，本实施例的印制电路板的增层方法通过结合物理粗化处理、电镀打底层以及化学粗化处理，提高记忆金属层与介电层之间的结合力。具体地，先在记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理后，再电镀打底层，能够先使目标侧粗糙化，提高目标侧的表面积以及表面立体度，并破坏目标侧表面，提高与打底层之间的接触面积，提高与打底层之间的结合力，再对打底层进行化学粗化处理，以提高打底层靠近介电层一侧的粗糙度，来提高打底层与介电层之间的结合力，进而规避掉记忆金属层具有的“耐腐蚀”的特性，利用提高打底层的粗糙度提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力，减少印制电路板出现分层、爆板的现象，提高印制电路板的结构稳定性与可靠性。
请参阅图12，图12是本发明提供的印制电路板一实施例的结构示意图。本实施例的结构仅做示意，不做限定。
本实施例的印制电路板30包括芯板33、两层打底层35以及两层记忆金属层34。其中，芯板33的相对两侧分别与打底层35贴合设置，各打底层35远离芯板33的一侧分别与对应的记忆金属层34贴合设置。
芯板33包括依次层叠且贴合设置的至少一层导电层31以及至少一层介电层32。
本实施例的印制电路板30由上述任一实施例的印制电路板的制备方法制备得到，因此，本实施例的印制电路板能够提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力，减少印制电路板出现分层、爆板的现象，提高印制电路板的结构稳定性与可靠性。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种印制电路板的增层方法，其特征在于，所述印制电路板的增层方法包括：
获取到待增层板件以及记忆金属层；
依次对所述记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层；
将至少一层介电层层叠放置在所述待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在所述介电层远离所述待增层板件的一侧，进行压合处理，以对所述待增层板件进行增层；
其中，所述预处理包括物理粗化处理和/或电镀打底层处理。
2.根据权利要求1所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述依次对所述记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层的步骤包括：
对所述记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理；
在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层；
对所述记忆金属层的目标侧的打底层进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
3.根据权利要求2所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层的步骤包括：
对物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧进行闪镀，以在所述目标侧镀上一层打底层；
其中，所述打底层的厚度范围为3-9微米。
4.根据权利要求2所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述对所述记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：
对所述记忆金属层的目标侧进行磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理；
其中，所述磨刷或陶瓷刷板的深度范围为5-15微米，所述喷砂的深度范围为2-15微米，且所述磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理的深度小于所述记忆金属层的厚度的五分之一。
5.根据权利要求2所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述对所述记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：
对所述记忆金属层的目标侧进行激光钻处理，以在所述目标侧均匀形成阵列孔痕；
其中，所述激光钻处理的孔径范围为25-65微米，深度范围为1.5-15微米，且所述激光钻处理的深度小于所述记忆金属层的厚度的五分之一。
6.根据权利要求2所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述对所述记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：
对所述记忆金属层的目标侧进行激光控深处理和/或水刀控深处理，以在所述目标侧均匀形成控深痕，所述控深痕包括波浪痕、斜形痕或网格痕；
其中，所述激光控深处理和/或水刀控深处理的宽度范围为25-75微米，深度范围为3-15微米，且所述激光控深处理和/或水刀控深处理的深度小于所述记忆金属层的厚度的五分之一。
7.根据权利要求2所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述对所述记忆金属层的目标侧的打底层进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层的步骤包括：
利用过硫酸钠、双氧水、盐酸、氢氧化钠、或氨水体系的蚀刻液对所述记忆金属层的目标侧的打底层进行微蚀、棕化或黑化处理，以进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
8.根据权利要求1所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述将至少一层介电层层叠放置在所述待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在所述介电层远离所述待增层板件的一侧，进行压合处理，以对所述待增层板件进行增层的步骤包括：
当增层后的待增层板件满足印制电路板的层数需求，将增层后的待增层板件作为印制电路板；
当增层后的待增层板件未满足印制电路板的层数需求，将增层后的所述待增层板件作为新的待增层板件，继续对新的待增层板件进行增层，直至满足印制电路板的层数需求，以得到印制电路板。
9.根据权利要求1所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述记忆金属层包括铜钛合金、铜钛铁合金、铜锡磷合金、铜锌锡合金、铜锌硅合金、铜锡合金中的一种或多种。
10.一种印制电路板，其特征在于，所述印制电路板由上述权利要求1-9任一项所述的印制电路板的增层方法制备得到。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=88573536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117015168A (zh) |
-
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