CN117005019B - 一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 claims abstract description 102
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 72
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 40
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 31
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 24
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 21
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 13
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 230000000475 sunscreen effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000516 sunscreening agent Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241001062472 Stokellia anisodon Species 0.000 description 2
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明涉及单晶硅电池片材料制备技术领域，公开了一种Top‑Con单晶硅电池片材料制备设备及其制备方法，包括熔炼支撑座，所述熔炼支撑座之间固定安装有熔炼支撑板，所述熔炼支撑板的顶部固定安装有智能温控熔炼炉。本发明实现了通过熔炼支撑板与熔炼支撑座对智能温控熔炼炉进行支撑，接着利用智能温控熔炼炉进行智能温度调节熔炼，然后利用熔炼炉体对熔炼完成的设备进行下一步处理，接着利用安装顶框架固定安装在熔炼炉体的顶部，然后利用提拉条块与连接柱带动熔炼炉体进行移动使用，接着利用隔热板对熔炼炉体的两侧进行隔热，能够对原料进行同类制作，方便在熔炼时进行稳定调节对硅片的纯度进行控制，从而提升了硅片制作的纯度和硅片的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及单晶硅电池片材料制备技术领域，具体为一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备及其制备方法。
背景技术
随着全球对可再生能源的需求不断增加，光伏行业作为可再生能源的重要组成部分，其发展前景非常广阔。单晶硅电池片作为光伏电池的核心部件，其性能直接影响着光伏系统的发电效率和可靠性,因此，研究和开发一种高效、低成本的单晶硅电池片制备设备具有重要意义，为此提出一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备及其制备方法，但是在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题没有得到解决：1.不方便对原料进行熔炼制作，不方便对硅片的纯度和稳定性进行控制，从而降低了硅片制作的纯度和稳定性；2.不方便在利用磁控溅射技术对硅片的处理时进行调节，在利用磁控溅射技术时溅射器精度较低，从而降低了溅射效率；3.不方便对单晶硅电池加工环境进行密闭，在对单晶硅电池加工时容易因外部环境影响从而导致单晶硅电池加工时安全性降低。为此，本发明设计了一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备及其制备方法。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，如：不方便对原料进行熔炼制作，不方便对硅片的纯度和稳定性进行控制，从而降低了硅片制作的纯度和稳定性，也不方便在利用磁控溅射技术对硅片的处理时进行调节，在利用磁控溅射技术时溅射器精度较低，从而降低了溅射效率，而且不方便对单晶硅电池加工环境进行密闭，在对单晶硅电池加工时容易因外部环境影响从而导致单晶硅电池加工时安全性降低。为此，本发明设计了一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备及其制备方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备及其制备方法，包括熔炼支撑座，所述熔炼支撑座之间固定安装有熔炼支撑板，所述熔炼支撑板的顶部固定安装有智能温控熔炼炉，所述智能温控熔炼炉的内部活动安装有熔炼炉体，所述熔炼炉体的顶部固定安装有安装顶框架，所述安装顶框架的两端皆固定安装有连接柱，所述连接柱的两端皆固定安装有提拉条块，所述熔炼支撑座的两侧皆固定安装有隔热板；
所述熔炼支撑座的一侧固定安装有磁控溅射机本体，所述磁控溅射机本体的底部固定安装有磁控溅射机固定底座，所述磁控溅射机本体的顶部固定安装有拓展安装箱，所述拓展安装箱的内部固定安装有调速器，所述磁控溅射机本体内部的两侧皆固定安装有功能安装板，所述功能安装板的内部皆固定安装有马达，所述马达的输出端皆固定安装有角度调节安装块，所述角度调节安装块的两侧皆固定安装有磁控溅射头；
所述磁控溅射机本体的底部固定安装有制备仓本体，所述制备仓本体的表面固定安装有制备仓上坡条板，所述制备仓本体的内部固定安装有玻璃阻隔墙，所述玻璃阻隔墙的内部通过铰链活动安装有玻璃门，所述玻璃门的表面固定安装有门把手。
优选的，所述制备仓本体的一侧皆贯穿安装有排风箱，所述制备仓本体的另一侧皆贯穿安装有抽风箱，所述制备仓本体的顶部固定安装有顶棚，所述制备仓本体的一侧固定安装有放置箱，所述制备仓本体的另一侧固定安装有材料加工箱，所述制备仓本体内部的顶端固定安装有照明安装板。
优选的，所述抽风箱的内部皆固定安装有抽风扇，抽风扇的另一侧皆固定安装有抽风过滤板。
优选的，所述排风箱的内部皆固定安装有排风扇，排风扇的一侧皆固定安装有排风过滤板。
优选的，所述顶棚采用不锈钢材质，且顶棚的形状为矩形，所述顶棚的顶部固定安装有防晒板。
优选的，所述照明安装板采用塑料材质，所述照明安装板的底部皆固定安装有照明灯。
优选的，所述材料加工箱的内部固定安装有材料储存箱，材料储存箱的内部皆固定安装有材料隔板，材料储存箱的一侧固定安装有加工隔板。
优选的，所述加工隔板的一侧固定安装有配料支撑板，配料支撑板的顶部固定安装有称重台，称重台的顶部活动安装有配料箱本体，配料箱本体的两端皆固定安装有配料箱把手。
优选的，所述放置箱的表面固定安装有放置上坡条板，所述放置箱的内部活动安装有收纳箱，收纳箱的内部皆固定安装有饭放置隔板，收纳箱的两端皆固定安装有放置拉手，收纳箱的底部固定安装有放置连接板，放置连接板的底部皆固定安装有万向轮。
优选的，所述熔炼支撑座的底部固定安装有高频感应加热机，所述熔炼支撑座的另一侧固定安装有预处理支撑座，预处理支撑座的另一侧固定安装有控制台，控制台的顶部固定安装有控制面板，控制面板的表面固定安装有PLC控制器，PLC控制器的底部固定安装有电源插孔。
优选的，所述预处理支撑座内部的顶端固定安装有搅拌箱，搅拌箱的顶部贯穿安装有入料箱口，入料箱口的一侧固定安装有搅拌电机，搅拌箱内部的两端固定安装有转承轴，转承轴内部旋转轴固定安装有旋转辊，旋转辊的外部皆固定安装有搅拌棒，搅拌箱的底部贯穿安装有排料箱口，所述预处理支撑座内部一侧固定安装有副固定支架，所述预处理支撑座内部的另一侧固定安装有主固定支架，主固定支架与副固定支架之间固定安装有研磨箱。
优选的，所述研磨箱的内部皆活动安装有粉碎齿轮，粉碎齿轮的表面皆贯穿安装有旋转电机，所述研磨箱的底部贯穿安装有出料引导箱，出料引导箱的底部活动安装有收料箱本体，收料箱本体的顶部贯穿设置有收料槽口，收料箱本体的一侧皆通过铰链活动安装有排料密封门，排料密封门的一侧皆固定安装有排料门拉手，收料箱本体的一侧固定安装有固定卡栓。
优选的，所述磁控溅射机本体的一侧固定安装有溅射沉积机本体，溅射沉积机本体的底部固定安装有溅射沉积固定底座，溅射沉积机本体的一侧固定安装有CVD气相沉积炉。
一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的使用方法，包括以下步骤：
S1、首先通过材料储存箱对需要用到加工的材料进行存放，接着利用加工隔板进行分隔，然后通过配料箱本体对原材料进行配比放置，接着利用称重台进行称重计算，然后利用配料箱把手进行提拉移动，然后通过制备仓本体对设备进行防护，接着利用玻璃阻隔墙进行密封封闭，然后利用门把手拉动玻璃门进行活动开合方便进入，接着利用制备仓上坡条板方便材料进行移动；
S2、然后通过多个抽风箱贯穿安装在制备仓本体另一侧的内部，接着利用抽风扇进行抽风工作，然后利用抽风过滤板对收入的空气进行过滤，接着通过多个排风箱贯穿安装在制备仓本体一侧的内部，然后利用排风扇进行排风工作，接着利用排风过滤板进行过滤，然后通过顶棚进行防护，接着利用防晒板对顶棚的顶部进行防护，然后通过照明安装板与制备仓本体内部的顶端进行安装，接着利用照明灯在照明安装板的底部进行安装照明；
S3、最后通过入料箱口使原料进入搅拌箱对原料进行搅拌，接着利用搅拌电机带动旋转辊外部的搅拌棒对原料进行搅拌，然后利用排料箱口对搅拌后的原料进行排出，接着通过研磨箱对搅拌后的原材料进行研磨，然后利用多个旋转电机带动多个粉碎齿轮对原材料进行研磨，接着利用收料箱本体对研磨后的原材料进行收集，然后利用排料密封门方便对收集的原材料进行排放，接着通过PLC控制器对电器设备进行编程控制使用，然后利用电源插孔为电器设备提供电能，接着利用熔炼支撑板与熔炼支撑座对智能温控熔炼炉进行支撑，然后利用智能温控熔炼炉进行智能温度调节熔炼，接着利用熔炼炉体对熔炼完成的设备进行下一步处理，然后利用安装顶框架固定安装在熔炼炉体的顶部，接着利用提拉条块与连接柱带动熔炼炉体进行移动使用，然后利用隔热板对熔炼炉体的两侧进行隔热，接着通过磁控溅射机固定底座对磁控溅射机本体进行固定安装，然后利用拓展安装箱对调速器进行安装保护，接着利用调速器对磁控溅射机本体进行效率调节，然后利用马达安装在功能安装板内进行安装使用，接着利用马达的输出端带动角度调节安装块带动磁控溅射头进行角度调节进行溅射，然后利用高频感应加热机对硅片进行退火处理，接着利用溅射沉积机本体对硅片进行溅射沉积，然后利用CVD气相沉积炉制备氧化层，接着通过收纳箱对制备后的电池片进行活动收纳，然后利用放置拉手配合万向轮进行移动。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明通过PLC控制器对电器设备进行编程控制使用，接着利用电源插孔为电器设备提供电能，能够通过熔炼支撑板与熔炼支撑座对智能温控熔炼炉进行支撑，接着利用智能温控熔炼炉进行智能温度调节熔炼，然后利用熔炼炉体对熔炼完成的设备进行下一步处理，接着利用安装顶框架固定安装在熔炼炉体的顶部，然后利用提拉条块与连接柱带动熔炼炉体进行移动使用，接着利用隔热板对熔炼炉体的两侧进行隔热，能够对原料进行同类制作，方便在熔炼时进行稳定调节对硅片的纯度进行控制，从而提升了硅片制作的纯度和硅片的稳定性。
本发明通过磁控溅射机固定底座对磁控溅射机本体进行固定安装，然后通过拓展安装箱对调速器进行安装保护，接着利用调速器对磁控溅射机本体进行效率调节，然后利用马达安装在功能安装板内进行安装使用，接着利用马达的输出端带动角度调节安装块带动磁控溅射头进行角度调节进行溅射，能够使磁控溅射技术在对硅片处理时进行角度调节，使磁控溅射时精密度提升，从而提升了对硅片磁控溅射处理的效果。
本发明通过制备仓本体对设备进行防护，接着通过玻璃阻隔墙进行密封封闭，然后利用门把手拉动玻璃门进行活动开合方便进入，接着利用制备仓上坡条板方便材料进行移动，能够对单晶硅电池片的加工环境进行密封加工处理，从而使单晶硅电池片在加工时不容易受到外部环境影响，提升了单晶硅电池加工的安全性。
附图说明
图1为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的立体图；
图2为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的结构示意图；
图3为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的熔炼支撑座局部结构示意图；
图4为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的熔炼炉体局部结构示意图；
图5为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的磁控溅射机本体局部结构示意图；
图6为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的角度调节安装块局部结构示意图；
图7为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的抽风箱局部结构示意图；
图8为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的放置箱局部立体图；
图9为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的预处理支撑座局部结构示意图；
图10为本发明提出的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的旋转电机局部立体图。
图中：1、制备仓本体；101、制备仓上坡条板；2、玻璃阻隔墙；201、玻璃门；202、门把手；3、顶棚；301、防晒板；4、材料加工箱；401、材料储存箱；402、材料隔板；403、加工隔板；404、配料箱本体；405、配料箱把手；406、配料支撑板；407、称重台；5、放置箱；501、收纳箱；502、放置隔板；503、放置拉手；504、放置连接板；505、万向轮；506、放置上坡条板；6、照明安装板；601、照明灯；7、抽风箱；701、抽风扇；702、抽风过滤板；8、排风箱；801、排风扇；802、排风过滤板；9、控制台；901、控制面板；902、电源插孔；903、PLC控制器；10、预处理支撑座；1001、搅拌箱；1002、入料箱口；1003、搅拌电机；1004、转承轴；1005、旋转辊；1006、搅拌棒；1007、排料箱口；1008、主固定支架；1009、副固定支架；1010、研磨箱；1011、粉碎齿轮；1012、出料引导箱；1013、收料箱本体；1014、收料槽口；1015、排料密封门；1016、排料门拉手；1017、固定卡栓；1018、旋转电机；11、熔炼支撑座；1101、熔炼支撑板；1102、隔热板；1103、智能温控熔炼炉；1104、熔炼炉体；1105、安装顶框架；1106、连接柱；1107、提拉条块；12、磁控溅射机本体；1201、磁控溅射机固定底座；1202、拓展安装箱；1203、调速器；1204、功能安装板；1205、马达；1206、角度调节安装块；1207、磁控溅射头；13、溅射沉积机本体；1301、溅射沉积固定底座；14、CVD气相沉积炉；15、高频感应加热机。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1-10所示，本发明提供一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备及其制备方法，包括熔炼支撑座11，熔炼支撑座11之间固定安装有熔炼支撑板1101，熔炼支撑板1101的顶部固定安装有智能温控熔炼炉1103，智能温控熔炼炉1103的内部活动安装有熔炼炉体1104，熔炼炉体1104的顶部固定安装有安装顶框架1105，安装顶框架1105的两端皆固定安装有连接柱1106，连接柱1106的两端皆固定安装有提拉条块1107，熔炼支撑座11的两侧皆固定安装有隔热板1102；
熔炼支撑座11的一侧固定安装有磁控溅射机本体12，磁控溅射机本体12的底部固定安装有磁控溅射机固定底座1201，磁控溅射机本体12的顶部固定安装有拓展安装箱1202，拓展安装箱1202的内部固定安装有调速器1203，磁控溅射机本体12内部的两侧皆固定安装有功能安装板1204，功能安装板1204的内部皆固定安装有马达1205，马达1205的输出端皆固定安装有角度调节安装块1206，角度调节安装块1206的两侧皆固定安装有磁控溅射头1207；
磁控溅射机本体12的底部固定安装有制备仓本体1，制备仓本体1的表面固定安装有制备仓上坡条板101，制备仓本体1的内部固定安装有玻璃阻隔墙2，玻璃阻隔墙2的内部通过铰链活动安装有玻璃门201，玻璃门201的表面固定安装有门把手202。
当本装置进行工作时，通过PLC控制器903对电器设备进行编程控制使用，接着利用电源插孔902为电器设备提供电能，然后利用熔炼支撑板1101与熔炼支撑座11对智能温控熔炼炉1103进行支撑，接着利用智能温控熔炼炉1103进行智能温度调节熔炼，然后利用熔炼炉体1104对熔炼完成的设备进行下一步处理，接着利用安装顶框架1105固定安装在熔炼炉体1104的顶部，然后利用提拉条块1107与连接柱1106带动熔炼炉体1104进行移动使用，接着利用隔热板1102对熔炼炉体1104的两侧进行隔热，能够对原料进行同类制作，方便在熔炼时进行稳定调节对硅片的纯度进行控制，从而提升了硅片制作的纯度和硅片的稳定性，智能温控熔炼炉1103通过导线与PLC控制器903进行电性连接，搅拌电机1003通过导线与PLC控制器903进行电性连接，旋转电机1018通过导线与PLC控制器903进行电性连接，抽风扇701通过导线与PLC控制器903进行电性连接，排风扇801通过导线与PLC控制器903进行电性连接，照明灯601通过导线与PLC控制器903进行电性连接，PLC控制器903通过导线与电源插孔902进行电性连接，电源插孔902通过导线与外接电源进行电性连接。
通过磁控溅射机固定底座1201对磁控溅射机本体12进行固定安装，然后利用拓展安装箱1202对调速器1203进行安装保护，接着利用调速器1203对磁控溅射机本体12进行效率调节，然后利用马达1205安装在功能安装板1204内进行安装使用，接着利用马达1205的输出端带动角度调节安装块1206带动磁控溅射头1207进行角度调节进行溅射，能够使磁控溅射技术在对硅片处理时进行角度调节，使磁控溅射时精密度提升，从而提升了对硅片磁控溅射处理的效果，接着利用溅射沉积机本体13对硅片进行溅射沉积，然后利用高频感应加热机15对硅片进行退火处理，从而优化结构，提升了硅片的性能，接着利用CVD气相沉积炉14制备氧化层，从而提升了电池片的耐久性和稳定性，磁控溅射机本体12通过导线与PLC控制器903进行电性连接，调速器1203通过导线与磁控溅射机本体12进行电性连接，磁控溅射头1207通过导线与磁控溅射机本体12进行电性连接，马达1205通过导线与PLC控制器903进行电性连接，溅射沉积机本体13通过导线与PLC控制器903进行电性连接，CVD气相沉积炉14通过导线与PLC控制器903进行电性连接，高频感应加热机15通过导线与PLC控制器903进行电性连接；
通过制备仓本体1对设备进行防护，接着利用玻璃阻隔墙2进行密封封闭，然后利用门把手202拉动玻璃门201进行活动开合方便进入，接着利用制备仓上坡条板101方便材料进行移动，能够对单晶硅电池片的加工环境进行密封加工处理，从而使单晶硅电池片在加工时不容易受到外部环境影响，提升了单晶硅电池加工的安全性；
其中，制备仓本体1的一侧皆贯穿安装有排风箱8，制备仓本体1的另一侧皆贯穿安装有抽风箱7，制备仓本体1的顶部固定安装有顶棚3，制备仓本体1的一侧固定安装有放置箱5，制备仓本体1的另一侧固定安装有材料加工箱4，制备仓本体1内部的顶端固定安装有照明安装板6；
需要说明的是，当本装置进行工作时，能够利用制备仓本体1对设备进行防护，接着利用玻璃阻隔墙2进行密封封闭，然后利用门把手202拉动玻璃门201进行活动开合方便进入，接着利用制备仓上坡条板101方便材料进行移动，能够对单晶硅电池片的加工环境进行密封加工处理，从而使单晶硅电池片在加工时不容易受到外部环境影响，提升了单晶硅电池加工的安全性；
其中，抽风箱7的内部皆固定安装有抽风扇701，抽风扇701的另一侧皆固定安装有抽风过滤板702；
需要说明的是，通过多个抽风箱7贯穿安装在制备仓本体1另一侧的内部，接着利用抽风扇701进行抽风工作，然后利用抽风过滤板702对收入的空气进行过滤，从而提升了制备仓本体1内部的空气质量；
其中，排风箱8的内部皆固定安装有排风扇801，排风扇801的一侧皆固定安装有排风过滤板802；
需要说明的是，通过多个排风箱8贯穿安装在制备仓本体1一侧的内部，接着利用排风扇801进行排风工作，然后利用排风过滤板802进行过滤，从而提升了制备仓本体1内部的空气流通性；
其中，顶棚3采用不锈钢材质，且顶棚3的形状为矩形，顶棚3的顶部固定安装有防晒板301；
需要说明的是，通过顶棚3进行防护，接着利用防晒板301对顶棚3的顶部进行防护，从而提升了设备的安全性；
其中，照明安装板6采用塑料材质，照明安装板6的底部皆固定安装有照明灯601；
需要说明的是，通过照明安装板6与制备仓本体1内部的顶端进行安装，接着利用照明灯601在照明安装板6的底部进行安装照明，从而提升了设备内部的可视度。
其中，材料加工箱4的内部固定安装有材料储存箱401，材料储存箱401的内部皆固定安装有材料隔板402，材料储存箱401的一侧固定安装有加工隔板403；
需要说明的是，通过材料储存箱401对需要用到加工的材料进行存放，接着利用加工隔板403进行分隔，提升了对材料收纳的便捷性。
其中，加工隔板403的一侧固定安装有配料支撑板406，配料支撑板406的顶部固定安装有称重台407，称重台407的顶部活动安装有配料箱本体404，配料箱本体404的两端皆固定安装有配料箱把手405。
需要说明的是，通过配料箱本体404对原材料进行配比放置，接着利用称重台407进行称重计算，然后利用配料箱把手405进行提拉移动，从而方便对原材料的数据进行细致配比。
其中，放置箱5的表面固定安装有放置上坡条板506，放置箱5的内部活动安装有收纳箱501，收纳箱501的内部皆固定安装有饭放置隔板502，收纳箱501的两端皆固定安装有放置拉手503，收纳箱501的底部固定安装有放置连接板504，放置连接板504的底部皆固定安装有万向轮505；
需要说明的是，通过收纳箱501对制备后的电池片进行活动收纳，接着利用放置拉手503配合万向轮505进行移动，从而提升了对电池片收纳的便捷性。
其中，熔炼支撑座11的底部固定安装有高频感应加热机15，熔炼支撑座11的另一侧固定安装有预处理支撑座10，预处理支撑座10的另一侧固定安装有控制台9，控制台9的顶部固定安装有控制面板901，控制面板901的表面固定安装有PLC控制器903，PLC控制器903的底部固定安装有电源插孔902；
需要说明的是，通过PLC控制器903对电器设备进行编程控制使用，接着利用电源插孔902为电器设备提供电能，然后利用熔炼支撑板1101与熔炼支撑座11对智能温控熔炼炉1103进行支撑，接着利用智能温控熔炼炉1103进行智能温度调节熔炼，然后利用熔炼炉体1104对熔炼完成的设备进行下一步处理，接着利用安装顶框架1105固定安装在熔炼炉体1104的顶部，然后利用提拉条块1107与连接柱1106带动熔炼炉体1104进行移动使用，接着利用隔热板1102对熔炼炉体1104的两侧进行隔热，能够对原料进行同类制作，方便在熔炼时进行稳定调节对硅片的纯度进行控制，从而提升了硅片制作的纯度和硅片的稳定性。
其中，预处理支撑座10内部的顶端固定安装有搅拌箱1001，搅拌箱1001的顶部贯穿安装有入料箱口1002，入料箱口1002的一侧固定安装有搅拌电机1003，搅拌箱1001内部的两端固定安装有转承轴1004，转承轴1004内部旋转轴固定安装有旋转辊1005，旋转辊1005的外部皆固定安装有搅拌棒1006，搅拌箱1001的底部贯穿安装有排料箱口1007，预处理支撑座10内部一侧固定安装有副固定支架1009，预处理支撑座10内部的另一侧固定安装有主固定支架1008，主固定支架1008与副固定支架1009之间固定安装有研磨箱1010；
需要说明的是，通过入料箱口1002使原料进入搅拌箱1001对原料进行搅拌，接着利用搅拌电机1003带动旋转辊1005外部的搅拌棒1006对原料进行搅拌，然后利用排料箱口1007对搅拌后的原料进行排出，能够对原料进行充分搅拌，从而方便对原料进行下一步处理。
其中，研磨箱1010的内部皆活动安装有粉碎齿轮1011，粉碎齿轮1011的表面皆贯穿安装有旋转电机1018，研磨箱1010的底部贯穿安装有出料引导箱1012，出料引导箱1012的底部活动安装有收料箱本体1013，收料箱本体1013的顶部贯穿设置有收料槽口1014，收料箱本体1013的一侧皆通过铰链活动安装有排料密封门1015，排料密封门1015的一侧皆固定安装有排料门拉手1016，收料箱本体1013的一侧固定安装有固定卡栓1017；
需要说明的是，通过研磨箱1010对搅拌后的原材料进行研磨，接着利用多个旋转电机1018带动多个粉碎齿轮1011对原材料进行研磨，然后利用收料箱本体1013对研磨后的原材料进行收集，接着利用排料密封门1015方便对收集的原材料进行排放，从而方便对研磨后的原材料收集进行下一步工序。
其中，磁控溅射机本体12的一侧固定安装有溅射沉积机本体13，溅射沉积机本体13的底部固定安装有溅射沉积固定底座1301，溅射沉积机本体13的一侧固定安装有CVD气相沉积炉14；
需要说明的是，通过磁控溅射机固定底座1201对磁控溅射机本体12进行固定安装，然后利用拓展安装箱1202对调速器1203进行安装保护，接着利用调速器1203对磁控溅射机本体12进行效率调节，然后利用马达1205安装在功能安装板1204内进行安装使用，接着利用马达1205的输出端带动角度调节安装块1206带动磁控溅射头1207进行角度调节进行溅射，能够使磁控溅射技术在对硅片处理时进行角度调节，使磁控溅射时精密度提升，从而提升了对硅片磁控溅射处理的效果，接着利用溅射沉积机本体13对硅片进行溅射沉积，然后利用高频感应加热机15对硅片进行退火处理，从而优化结构，提升了硅片的性能，接着利用CVD气相沉积炉14制备氧化层，从而提升了电池片的耐久性和稳定性。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (14)
1.一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，包括熔炼支撑座（11），其特征在于，所述熔炼支撑座（11）之间固定安装有熔炼支撑板（1101），所述熔炼支撑板（1101）的顶部固定安装有智能温控熔炼炉（1103），所述智能温控熔炼炉（1103）的内部活动安装有熔炼炉体（1104），所述熔炼炉体（1104）的顶部固定安装有安装顶框架（1105），所述安装顶框架（1105）的两端皆固定安装有连接柱（1106），所述连接柱（1106）的两端皆固定安装有提拉条块（1107），所述熔炼支撑座（11）的两侧皆固定安装有隔热板（1102）；
所述熔炼支撑座（11）的一侧固定安装有磁控溅射机本体（12），所述磁控溅射机本体（12）的底部固定安装有磁控溅射机固定底座（1201），所述磁控溅射机本体（12）的顶部固定安装有拓展安装箱（1202），所述拓展安装箱（1202）的内部固定安装有调速器（1203），所述磁控溅射机本体（12）内部的两侧皆固定安装有功能安装板（1204），所述功能安装板（1204）的内部皆固定安装有马达（1205），所述马达（1205）的输出端皆固定安装有角度调节安装块（1206），所述角度调节安装块（1206）的两侧皆固定安装有磁控溅射头（1207）；
所述磁控溅射机本体（12）的底部固定安装有制备仓本体（1），所述制备仓本体（1）的表面固定安装有制备仓上坡条板（101），所述制备仓本体（1）的内部固定安装有玻璃阻隔墙（2），所述玻璃阻隔墙（2）的内部通过铰链活动安装有玻璃门（201），所述玻璃门（201）的表面固定安装有门把手（202）。
2.根据权利要求1所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述制备仓本体（1）的一侧皆贯穿安装有排风箱（8），所述制备仓本体（1）的另一侧皆贯穿安装有抽风箱（7），所述制备仓本体（1）的顶部固定安装有顶棚（3），所述制备仓本体（1）的一侧固定安装有放置箱（5），所述制备仓本体（1）的另一侧固定安装有材料加工箱（4），所述制备仓本体（1）内部的顶端固定安装有照明安装板（6）。
3.根据权利要求2所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述抽风箱（7）的内部皆固定安装有抽风扇（701），抽风扇（701）的另一侧皆固定安装有抽风过滤板（702）。
4.根据权利要求2所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述排风箱（8）的内部皆固定安装有排风扇（801），排风扇（801）的一侧皆固定安装有排风过滤板（802）。
5.根据权利要求2所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述顶棚（3）采用不锈钢材质，且顶棚（3）的形状为矩形，所述顶棚（3）的顶部固定安装有防晒板（301）。
6.根据权利要求2所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述照明安装板（6）采用塑料材质，所述照明安装板（6）的底部皆固定安装有照明灯（601）。
7.根据权利要求2所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述材料加工箱（4）的内部固定安装有材料储存箱（401），材料储存箱（401）的内部皆固定安装有材料隔板（402），材料储存箱（401）的一侧固定安装有加工隔板（403）。
8.根据权利要求7所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述加工隔板（403）的一侧固定安装有配料支撑板（406），配料支撑板（406）的顶部固定安装有称重台（407），称重台（407）的顶部活动安装有配料箱本体（404），配料箱本体（404）的两端皆固定安装有配料箱把手（405）。
9.根据权利要求2所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述放置箱（5）的表面固定安装有放置上坡条板（506），所述放置箱（5）的内部活动安装有收纳箱（501），收纳箱（501）的内部皆固定安装有放置隔板（502），收纳箱（501）的两端皆固定安装有放置拉手（503），收纳箱（501）的底部固定安装有放置连接板（504），放置连接板（504）的底部皆固定安装有万向轮（505）。
10.根据权利要求1所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述熔炼支撑座（11）的底部固定安装有高频感应加热机（15），所述熔炼支撑座（11）的另一侧固定安装有预处理支撑座（10），预处理支撑座（10）的另一侧固定安装有控制台（9），控制台（9）的顶部固定安装有控制面板（901），控制面板（901）的表面固定安装有PLC控制器（903），PLC控制器（903）的底部固定安装有电源插孔（902）。
11.根据权利要求10所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述预处理支撑座（10）内部的顶端固定安装有搅拌箱（1001），搅拌箱（1001）的顶部贯穿安装有入料箱口（1002），入料箱口（1002）的一侧固定安装有搅拌电机（1003），搅拌箱（1001）内部的两端固定安装有转承轴（1004），转承轴（1004）内部旋转轴固定安装有旋转辊（1005），旋转辊（1005）的外部皆固定安装有搅拌棒（1006），搅拌箱（1001）的底部贯穿安装有排料箱口（1007），所述预处理支撑座（10）内部一侧固定安装有副固定支架（1009），所述预处理支撑座（10）内部的另一侧固定安装有主固定支架（1008），主固定支架（1008）与副固定支架（1009）之间固定安装有研磨箱（1010）。
12.根据权利要求11所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述研磨箱（1010）的内部皆活动安装有粉碎齿轮（1011），粉碎齿轮（1011）的表面皆贯穿安装有旋转电机（1018），所述研磨箱（1010）的底部贯穿安装有出料引导箱（1012），出料引导箱（1012）的底部活动安装有收料箱本体（1013），收料箱本体（1013）的顶部贯穿设置有收料槽口（1014），收料箱本体（1013）的一侧皆通过铰链活动安装有排料密封门（1015），排料密封门（1015）的一侧皆固定安装有排料门拉手（1016），收料箱本体（1013）的一侧固定安装有固定卡栓（1017）。
13.根据权利要求1所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，所述磁控溅射机本体（12）的一侧固定安装有溅射沉积机本体（13），溅射沉积机本体（13）的底部固定安装有溅射沉积固定底座（1301），溅射沉积机本体（13）的一侧固定安装有CVD气相沉积炉（14）。
14.一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备的使用方法，基于权利要求1-13任意一项所述的一种Top-Con单晶硅电池片材料制备设备，其特征在于，包括以下步骤：
S1、首先通过材料储存箱（401）对需要用到加工的材料进行存放，接着利用加工隔板（403）进行分隔，然后通过配料箱本体（404）对原材料进行配比放置，接着利用称重台（407）进行称重计算，然后利用配料箱把手（405）进行提拉移动，然后通过制备仓本体（1）对设备进行防护，接着利用玻璃阻隔墙（2）进行密封封闭，然后利用门把手（202）拉动玻璃门（201）进行活动开合方便进入，接着利用制备仓上坡条板（101）方便材料进行移动；
S2、然后通过多个抽风箱（7）贯穿安装在制备仓本体（1）另一侧的内部，接着利用抽风扇（701）进行抽风工作，然后利用抽风过滤板（702）对收入的空气进行过滤，接着通过多个排风箱（8）贯穿安装在制备仓本体（1）一侧的内部，然后利用排风扇（801）进行排风工作，接着利用排风过滤板（802）进行过滤，然后通过顶棚（3）进行防护，接着利用防晒板（301）对顶棚（3）的顶部进行防护，然后通过照明安装板（6）与制备仓本体（1）内部的顶端进行安装，接着利用照明灯（601）在照明安装板（6）的底部进行安装照明；
S3、最后通过入料箱口（1002）使原料进入搅拌箱（1001）对原料进行搅拌，接着利用搅拌电机（1003）带动旋转辊（1005）外部的搅拌棒（1006）对原料进行搅拌，然后利用排料箱口（1007）对搅拌后的原料进行排出，接着通过研磨箱（1010）对搅拌后的原材料进行研磨，然后利用多个旋转电机（1018）带动多个粉碎齿轮（1011）对原材料进行研磨，接着利用收料箱本体（1013）对研磨后的原材料进行收集，然后利用排料密封门（1015）方便对收集的原材料进行排放，接着通过PLC控制器（903）对电器设备进行编程控制使用，然后利用电源插孔（902）为电器设备提供电能，接着利用熔炼支撑板（1101）与熔炼支撑座（11）对智能温控熔炼炉（1103）进行支撑，然后利用智能温控熔炼炉（1103）进行智能温度调节熔炼，接着利用熔炼炉体（1104）对熔炼完成的设备进行下一步处理，然后利用安装顶框架（1105）固定安装在熔炼炉体（1104）的顶部，接着利用提拉条块（1107）与连接柱（1106）带动熔炼炉体（1104）进行移动使用，然后利用隔热板（1102）对熔炼炉体（1104）的两侧进行隔热，接着通过磁控溅射机固定底座（1201）对磁控溅射机本体（12）进行固定安装，然后利用拓展安装箱（1202）对调速器（1203）进行安装保护，接着利用调速器（1203）对磁控溅射机本体（12）进行效率调节，然后利用马达（1205）安装在功能安装板（1204）内进行安装使用，接着利用马达（1205）的输出端带动角度调节安装块（1206）带动磁控溅射头（1207）进行角度调节进行溅射，然后利用高频感应加热机（15）对硅片进行退火处理，接着利用溅射沉积机本体（13）对硅片进行溅射沉积，然后利用CVD气相沉积炉（14）制备氧化层，接着通过收纳箱（501）对制备后的电池片进行活动收纳，然后利用放置拉手（503）配合万向轮（505）进行移动。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN117005019B true CN117005019B (zh) | 2023-12-01 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117005019B (zh) |
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| CN219315145U (zh) * | 2023-01-27 | 2023-07-07 | 中国船舶集团有限公司第七一九研究所 | 一种利用加热法制备块体状10b的装置 |
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| CN117005019A (zh) | 2023-11-07 |
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