CN208422943U - 一种双通道电注入式抗光衰炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种双通道电注入式抗光衰炉，包括机体外框，电池片载片盒，上料区，传送装置，预热腔，工艺反应腔，冷却腔，下料区。电池片载片盒位于传送机构上，预热腔和工艺腔之间有可上下移动的隔热门，腔内有加热装置和散热装置，工艺腔内有连接恒流源的电极板，可通过载流子控制参数调节抗光衰效果，包括温度、电流和时间，内部温度采用PID控制。冷却腔采用风冷，腔内有冷却风吹风槽，冷却风冷可调可控。双通道抗光衰退火炉，多个工艺腔可在同一时间连续同时进片，产能大，适用单多晶，设备外形简约，操作简便，设备兼容性好，成本低，适用范围广，热场控制稳定，效率提升明显，光衰率低，光衰一致性好。

Description

一种双通道电注入式抗光衰炉

技术领域

本实用新型涉及抗光衰炉领域，特别是涉及一种双通道电注入式抗光衰炉。

背景技术

目前高效PERC（Passivated Emitter Rear Contact，钝化发射极及背局域接触）电池发展迅速，随之带来的光衰问题亟待解决，目前光伏行业解决光衰问题的方法有改变晶体硅掺杂，降低氧含量，通过光注入或者激光处理，这些方法投资成本大，技术难度大，单多晶适用性差，效率提升不明显，光衰一致性差，和现有产线匹配性差，产能低，很难实现产业化和规模化。

实用新型内容

为了克服上述技术问题，本实用新型提供一种双通道电注入式抗光衰炉。

本实用新型的技术方案是：提供一种双通道电注入式抗光衰炉，所述双通道电注入式抗光衰炉包括：机体外框和两个通道，机体外框顶端设有热排管道，两个通道设置在机体外框内，两个通道上均设有循环输送硅片的传送装置和电池片载片盒，两个通道沿所述传送装置的传送方向均设有上料区、预热腔、工艺反应腔、冷却腔及下料区，载片盒位于所述传送装置上，预热腔内设有加热装置，加热装置设置在预热腔底部，工艺反应腔内部设有采用PID控制的温控单元及连接外部恒流源的上电极板和下电极板，上电极板上下可升降的设置在工艺反应腔的顶部，下电极板上下可升降的设置在工艺反应腔的底部，加热装置与温控单元电性相连，预热腔和工艺反应腔之间设有可上下移动的隔热门，冷却腔设有风冷冷却装置，冷却腔的内壁上设有冷却风吹风槽。所谓PID控制即为比例(proportion)、积分(integration)、微分(differentiation)控制。

优选地，两个相同的通道为独立运行的通道。

优选地，机体外框内部上侧设有多个气缸，包括控制所述电极板上下移动的气缸和控制所述隔热门上下移动的气缸。

优选地，电池片载片盒包括底座和相同的四根陶瓷杆，底座四条边的两端点向内四分之一处均开设有陶瓷杆安装孔，所述四根陶瓷杆分别安装在陶瓷杆安装孔上且相邻陶瓷杆之间间隔一个陶瓷杆安装孔，电池片载片盒同时适用于单多晶硅片，电池载片盒在腔内通过气缸可以控制上下升降，上下电极可通电。

优选地，传送装置包括多个传动电机、多个传动滚轴以及传动机构，多个传动电机在机体外框内的下部，多个传动滚轴并排排列在多个传动电机的正上方，多个传动电机与传动机构相连，传动机构驱动多个传动滚轴。

优选地，预热腔的内部温度范围为140~160℃，其中150℃为最佳。

优选地，上电极板包括上升降杆，下电极板包含下升降杆，上升降杆上由下至上依次设有缓冲机构挡板、压力传感器及散热装置，下升降杆上由上至下依次设有缓冲机构挡板、压力传感器及散热装置，缓冲机构挡板与压力传感器相连，散热装置与温控单元相连接。

优选地，工艺反应腔为多个同时工作的工艺反应腔，工艺反应腔内设有辅助加热装置，辅助加热装置设在工艺反应腔的内部下方，辅助加热装置与温控单元电性相连。

优选地，风冷冷却装置具有调控冷却风冷的控制单元。

与现有技术相比，本实用新型的优点是：本实用新型采用双通道电注入式抗光衰方法，适用单多晶，设备外形简约，操作简便，设备兼容性好，成本低，产能大，适用范围广，热场控制稳定，效率提升明显，光衰率低，光衰一致性好。

附图说明

图1为本实用新型的双通道电注入式抗光衰炉的整体结构示意图。

图2为本实用新型的双通道电注入式抗光衰炉的俯视结构示意图。

图3为本实用新型的双通道电注入式抗光衰炉的电池片载片盒与上电极板结构示意图。

图4为本实用新型的双通道电注入式抗光衰炉的电池片载片盒俯视图。

具体实施方式

为使对本实用新型的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。

如图1、图2、图3和图4所示，本实用新型一实施例的一种双通道电注入式抗光衰炉，双通道电注入式抗光衰炉包括：机体外框15和两个通道21，机体外框15顶端设有热排管道10，两个通道21机体外框15内，两个通道21上均设有循环输送硅片的传送装置22和电池片载片盒6，两个通道21沿传送装置22的传送方向均设有上料区1、预热腔2、工艺反应腔3、冷却腔4及下料区5，电池片载片盒6位于传送装置22上，预热腔2内设有加热装置16，加热装置16在预热腔2底部，工艺反应腔3内部设有采用PID控制的温控单元18及连接外部恒流源的上电极板17和下电极板7，上电极板17上下可升降的设置在工艺反应腔3的顶部，下电极板7上下可升降的设置在工艺反应腔3的底部，，加热装置16与温控单元18电性相连，预热腔2和工艺反应腔3之间设有可上下移动的隔热门19，冷却腔4设有风冷冷却装置23，冷却腔4的内壁上设有冷却风吹风槽11。

优选地，相同的两个通道21为独立运行的通道，两个通道21可同时运行，提高了工作效率。

优选地，机体外框15内部上侧设有多个气缸，这些气缸包括控制电极板17上下移动的气缸8和控制隔热门19上下移动的气缸9。

优选地，电池片载片盒6包括底座61和相同的四根陶瓷杆62，所述底座61四条边的两端点向内四分之一处均开设有陶瓷杆安装孔63，所述四根陶瓷杆62分别安装在所述陶瓷杆安装孔63上且相邻陶瓷杆62之间间隔一个陶瓷杆安装孔63，所述电池片载片盒6同时适用于单多晶硅片。电池片载片盒6可在腔体内停留，电池片载片盒6在工艺反应腔内通过气缸8可以控制其上下升降。

优选地，传送装置22包括多个传动电机14、多个传动滚轴12以及传动机构13，多个传动电机14在所述机体外框15内的下部，多个传动滚轴12并排排列在多个传动电机14的正上方，多个传动电机14与传动机构13相连，传动机构13驱动多个传动滚轴12。

优选地，预热腔2的内部温度范围为140~160℃，其中150℃为最佳。

优选地，上电极板17包括上升降杆171，下电极板7包含下升降杆71，上升降杆171上由下至上依次设有缓冲机构挡板25、压力传感器26及散热装置27，下升降杆71上由上至下依次设有缓冲机构挡板25、压力传感器26及散热装置27，缓冲机构挡板25与压力传感器26相连，散热装置27与所述温控单元18相连接。

优选地，工艺反应腔3为多个同时工作的工艺反应腔，工艺反应腔内设有辅助加热装置28，辅助加热装置28设在工艺反应腔3的内部下方，辅助加热装置28与温控单元18相连接。

优选地，风冷冷却装置23具有调控冷却风冷的控制单元29。

载片盒6通过电机14带动传动滚轴12进入到预热腔2中，先在150℃左右温度下预热，预热腔2与工艺反应腔3两腔体之间通过气缸9控制隔热门19升降，预热好后进入工艺反应腔3，工艺反应腔3设有一对上下可升降的连接外部恒流源的上电极板17和下电极板7，由气缸8控制上下驱动，上升降杆171和下升降杆71有缓冲机构挡板25、压力传感器26和散热装置27，，在驱动装置的驱动下夹紧电池片，对电池片施加电压；PID温控加变频风扇散热，通过载流子控制参数调节抗光衰效果，包括温度、电流和时间。同一时间多个工艺反应腔3可同时进片，工艺腔3出来后进入冷却腔4，冷却腔4采用风冷，腔内有冷却风吹风槽11，冷却风冷可调可控。各个腔产生废热通过热排管道10排出腔外，冷却完成后进入下料区5，整个工艺运行完成。

本实用新型的双通道电注入式抗光衰炉为双通道，适用单多晶，多个工艺反应腔可在同一时间连续同时进片，产能大，温度通过PID精确控温，工艺腔载流子控制参数（温度、电流、时间）可控可调，经过光衰处理后，效率提升明显，光衰率低。连接上下料可以和烧结、分选实现自动化对接，全程实现自动化生产。

本实用新型已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本实用新型的范例。必需指出的是，已揭露的实施例并未限制本实用新型的范围。相反地，在不脱离本实用新型的精神和范围内所作的更动与润饰，均属本实用新型的专利保护范围。

Claims (9)

1.一种双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述双通道电注入式抗光衰炉包括：机体外框和两个通道，所述机体外框顶端设有热排管道，所述两个通道设置在所述机体外框内，所述两个通道上均设有循环输送硅片的传送装置和电池片载片盒，所述两个通道沿所述传送装置的传送方向均设有上料区、预热腔、工艺反应腔、冷却腔及下料区，所述电池片载片盒位于所述传送装置上，所述预热腔内设有加热装置，所述加热装置设置在所述预热腔底部，所述工艺反应腔内部设有采用PID控制的温控单元以及连接外部恒流源的上电极板和下电极板，所述上电极板上下可升降的设置在所述工艺反应腔的顶部，所述下电极板上下可升降的设置在所述工艺反应腔的底部，所述加热装置与所述温控单元电性相连，所述预热腔和所述工艺反应腔之间设有可上下移动的隔热门，所述冷却腔设有风冷冷却装置，所述冷却腔的内壁上设有冷却风吹风槽。

2.如权利要求1所述的双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述两个相同的通道为独立运行的通道。

3.如权利要求1所述的双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述机体外框内部上侧设有多个气缸，所述多个气缸包括控制所述电极板上下移动的气缸和控制所述隔热门上下移动的气缸。

4.如权利要求1所述的双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述电池片载片盒包括底座和相同的四根陶瓷杆，所述底座四条边的两端点向内四分之一处均开设有陶瓷杆安装孔，所述四根陶瓷杆分别安装在所述陶瓷杆安装孔上且相邻陶瓷杆之间间隔一个陶瓷杆安装孔，所述电池片载片盒同时适用于单多晶硅片。

5.如权利要求1所述的双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述传送装置包括多个传动电机、多个传动滚轴以及传动机构，所述多个传动电机在所述机体外框内的下部，所述多个传动滚轴并排排列在所述多个传动电机的正上方，所述多个传动电机与所述传动机构相连，所述传动机构驱动所述多个传动滚轴。

6.如权利要求1所述的双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述预热腔的内部温度范围为140~160℃。

7.如权利要求1所述的双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述上电极板包括上升降杆，所述下电极板包含下升降杆，所述上升降杆上由下至上依次设有缓冲机构挡板、压力传感器及散热装置，所述下升降杆上由上至下依次设有缓冲机构挡板、压力传感器及散热装置，所述缓冲机构挡板与所述压力传感器相连，所述散热装置与所述温控单元相连接。

8.如权利要求1所述的双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述工艺反应腔为多个同时工作的工艺反应腔，所述工艺反应腔内设有辅助加热装置，所述辅助加热装置设在所述工艺反应腔的内部下方，所述辅助加热装置与所述温控单元电性相连。

9.如权利要求1所述的双通道电注入式抗光衰炉，其特征在于所述风冷冷却装置具有调控冷却风冷的控制单元。