CN116981752A - 氧化铈粒子、其制造方法及其在化学机械研磨中的用途 - Google Patents

氧化铈粒子、其制造方法及其在化学机械研磨中的用途 Download PDF

Info

Publication number
CN116981752A
CN116981752A CN202280021021.4A CN202280021021A CN116981752A CN 116981752 A CN116981752 A CN 116981752A CN 202280021021 A CN202280021021 A CN 202280021021A CN 116981752 A CN116981752 A CN 116981752A
Authority
CN
China
Prior art keywords
particles
cerium oxide
oxide particles
cerium
exhibit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280021021.4A
Other languages
English (en)
Inventor
M·普利松诺
R·托特
L·达朗康
V·布塞特
M·博多特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rhodia Operations SAS
Original Assignee
Rhodia Operations SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rhodia Operations SAS filed Critical Rhodia Operations SAS
Publication of CN116981752A publication Critical patent/CN116981752A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
    • C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
    • C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
    • C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12—Surface area
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Abstract

本发明涉及粗糙度指数(RI)至少为5的氧化铈粒子、其制造方法、以及其在化学机械研磨应用中的用途。

Description

氧化铈粒子、其制造方法及其在化学机械研磨中的用途
技术领域
本发明涉及氧化铈粒子及其作为用于研磨的组合物、特别是化学机械研磨(CMP)组合物的组分的用途。本发明还涉及制备这些氧化铈粒子的方法。
更具体地，本发明提供氧化铈粒子，这些粒子应用于化学机械研磨组合物中时具有良好的研磨特性；以及简单、经济且易于在工业规模上实施的此类粒子的制备方法。
背景技术
二氧化铈常用于研磨应用。电子工业的发展要求渐增地相当大量的使用用于研磨多种部件(如磁盘或电介质化合物)的组合物。这些通常以分散体形式商业化的组合物必须展现出一定数量的特征。例如，它们必须提供材料的高度去除，这反映了它们的研磨能力。它们还必须具有尽可能低的缺陷性(defectuosity)；术语“缺陷性”旨在具体意指一旦用该组合物处理后的基底展现出的划痕的数量。出于稳定性和易于使用的原因，这些分散体通常包含亚微米尺寸(即总体上小于300nm)的粒子。此外，太细的粒子在这些分散体中的存在降低了它们的研磨能力，并且太大的粒子可能造成缺陷性的增加。
因此，现有技术中已知几种专门用于化学机械研磨应用的氧化铈粒子。
WO 2015/197656披露了掺杂金属的氧化铈粒子。
WO 08043703披露了氧化铈粒子在液相中的悬浮液，所述粒子是具有至多200nm的平均尺寸的二次粒子，并且所述二次粒子包含平均尺寸为至多100nm的一次粒子，其中标准偏差为所述一次粒子的所述平均尺寸值的至多30％。
WO 2015/091495披露了铈氧化物粒子在液相中的悬浮液，其中所述粒子包括含有一次粒子的二次粒子，其中所述二次粒子具有包括在105与1000nm之间的平均尺寸D50，其中标准偏差包括在所述二次粒子的所述平均尺寸的值的10％与50％之间；并且所述一次粒子具有包括在100与300nm之间的平均尺寸D50，其中标准偏差包括在所述一次粒子的所述平均尺寸值的10％与30％之间。
我们相信，在提供在化学机械研磨中展现出改进性能的新的氧化铈粒子以及简单、经济且易于在工业规模上实施的此类粒子的制备方法方面，仍有改进的空间。
发明内容
申请人精制了能够解决上述问题的新的氧化铈粒子。
因此，本发明的一个主题是氧化铈粒子，其展现出至少为5的粗糙度指数(RI)。更特别地，粒子的粗糙度指数是通过下式定义的：
其中“TEM尺寸”表示在透射电子显微镜(TEM)图像上测量的粒子的平均尺寸。优选地，为了得到此平均尺寸，在透射电子显微镜图像上测量至少80个粒子。
“SSA指数”表示根据下式的粒子的理论平均尺寸：
其中SSA表示通过氮气吸附测定的粒子的BET比表面积，并且ρ表示氧化铈(IV)的密度且其等于7.22g/cm3。
据本发明人所知，本发明的该主题的粒子达到的粗糙度指数高于现有技术的氧化铈粒子的粗糙度指数。据信，当此类粒子作为磨料粒子用于化学机械研磨组合物或方法中时，有助于实现更高的研磨效率。
本发明还涉及一种用于生产本发明的氧化铈粒子的方法，该方法至少包括以下步骤：
(a)在惰性气氛下，使(i)碱的水溶液、(ii)包含NO3 -、CeIII、可选地CeIV的水溶液、以及(iii)有机酸或其盐接触以获得混合物，其中该有机酸是取代或未取代的-芳基或-杂芳基羧酸；
(b)使在步骤(a)中获得的该混合物经受热处理；
(c)可选地酸化在步骤(b)中获得的该混合物；
(d)可选地用水洗涤在步骤(b)或(c)结束时获得的固体材料；
(e)可选地使在步骤(d)结束时获得的该固体材料经受机械处理以使这些粒子解附聚。
有利地，此方法使得能够以简单的方式制备本发明的氧化铈粒子。
本发明还涉及通过上述方法可获得的或获得的氧化铈粒子、本发明的氧化铈粒子在液体介质中的分散体、所述分散体或本发明的粒子制备化学机械研磨组合物的用途、包含所述分散体或所述粒子的化学机械研磨组合物、其中所述化学机械研磨组合物被用于除去基底的一部分的研磨方法、以及包含由此研磨的基底的半导体。
附图说明
图1至4是通过透射电子显微镜观察到的本发明的粒子的图像。
图5是通过透射电子显微镜观察到的现有技术的氧化铈粒子的图像。
这些图片是用在120kV下操作的JEM-1400(日本电子株式会社(JEOL))设备获得的。
具体实施方式
在本披露中，表述“包括在…与…之间”应理解为包括极限值。
与本发明的粒子有关的术语“氧化铈”意指氧化铈(IV)，也称为二氧化铈。氧化铈总体上具有相对于氧化物的重量按重量计至少99.8％的纯度。氧化铈总体上是结晶二氧化铈。氧化物中可能存在除铈以外的某些杂质。这些杂质可能来源于在制备氧化铈的方法中使用的原料或起始材料。这些杂质的总比例总体上是相对于氧化铈按重量计低于0.2％。在本申请中，残余的硝酸盐不被视为杂质。
与本发明中的氧化铈粒子的分散体有关的表述“分散体”表示一种由稳定地分散在液体介质中的亚微米尺寸的固体细氧化铈粒子组成的体系，所述粒子有可能还可选地含有残留量的结合的或吸附的离子，例如像硝酸根或铵根。
现在将根据本发明的不同实施例更详细地描述本发明。
如前面所解释的，本发明的一个主题是氧化铈粒子，其展现出至少为5的粗糙度指数(RI)。更特别地，本发明的粒子的粗糙度指数可以在从5至20、具体地从6至17、更具体地从7至14的范围内。
粒子的粗糙度指数(RI)是通过下式定义的：
其中“TEM尺寸”表示在透射电子显微镜图像上测量的粒子的平均尺寸，并且“SSA尺寸”表示根据下式的粒子的理论平均尺寸：
其中SSA表示通过氮气吸附测定的粒子的BET比表面积，并且ρ表示氧化铈(IV)的密度且其等于7.22g/cm3。
TEM尺寸是粒子的有效平均尺寸，如在大量的粒子(至少80个、优选地至少90个、更优选地至少100个)上进行测量以获得统计分析。测量通常是在氧化铈粒子的相同样品的一张或多张照片上完成的。保留的粒子优选地是使得它们的图像在一张或多张照片上是清晰可见的。根据其中粒子具有立方体形状的一个实施例(稍后将详述)，展现出具有基本相同长度的4条边，并且使得这4条边的相邻边形成基本上等于90°的角度的保留的粒子的数目优选地对应于粒子的至少80.0％、更具体地至少90.0％、甚至更具体地至少95.0％。这些粒子中的一些可以在其表面和/或其一个角上展现出一些缺陷。尽管如此，这些粒子仍然可以保留在统计分析中。
可以通过布鲁诺-埃梅特-特勒(Brunauer-Emmett-Teller)法(BET法)通过氮气吸附在氧化铈粒子的粉末上测定比表面积(SSA)。该方法披露于标准ASTM D 3663-03(2015年重新批准)中。该方法也在期刊“The Journal of the American Chemical Society[美国化学会会志],60,309(1938)”中进行了描述。根据构造器的指南，可以使用麦克默瑞提克公司(Micromeritics)的装置TriStar 3000自动地测定比表面积。在测量之前，将呈粉末形式的样品在静态空气下通过在至多210℃的温度下加热来脱气以除去吸附的物质。
BET比表面积的测定能够根据以上给出的公式计算SSA尺寸：对于给定的SSA，该公式给出了氧化铈(IV)粒子的理论尺寸，假设粒子是球形的。因此，TEM尺寸/SSA尺寸的比率是粒子粗糙度的指标：该比率越高，粒子的粗糙度越高。据信，当具有增加的粗糙度指数的氧化铈粒子用于研磨方法如化学机械研磨中时，其具有提高的效率。
根据一个优选实施例，本发明的氧化铈粒子基本上是立方体的。据本发明人所知，与常规的氧化铈粒子(即非立方体的且不展现所需的粗糙度指数)相比，粒子的特定粗糙度指数和其特定的立方体形态的组合有助于在使用其的化学机械研磨中获得增强的结果。
为了确认粒子的立方体形态，可以在通过TEM(透射电子显微镜)获得的照片上观察粒子。必须使用使之可以清楚地鉴别这些粒子的形状的量级和装置对这些照片进行观察。因此，优选地是单独清楚地区分这些粒子。用于观察的量级可以例如在从25K至250K的范围内。可以使用150K的放大率。尤其适合的是来自日本电子株式会社(Jeol)的在120kV下操作的型号JEM 1400。
通过此类“立方体”氧化铈粒子的TEM获得的这些图像展现出具有基本上相同长度的4条边。此外，这些图像可以是使得这4条边的邻边形成基本上等于90°的角。由这4条边的邻边形成的角可以包括在88°与92°之间或在89°与91°之间。
根据一个实施例，本发明的氧化铈粒子可以展现出大于或等于30nm的平均尺寸。通常，粒度大于或等于70nm。本发明的氧化铈粒子可以展现出小于或等于500nm的平均尺寸。通常，粒度小于或等于300nm、具体地小于或等于150nm。在一个方面，本发明的氧化铈粒子可以展现出包括在120与300nm之间、具体地在125与270nm之间、更具体地在130与250nm之间、甚至更具体地在140与240nm之间的平均尺寸。平均尺寸优选地由TEM图像测量。测量优选地在至少80个粒子上进行。
根据一个实施例，本发明的氧化铈粒子可以展现出包括在35与100m2/g之间、更具体地在38与80m2/g之间、更具体地在40与70m2/g之间、甚至更具体地在42与60m2/g之间的比表面积。如前面所解释的，通过布鲁诺-埃梅特-特勒法(BET法)通过氮气吸附在粉末上测定比表面积。
在具体方面，比表面积是从15至100m2/g、更具体地在22与70m2/g之间，
根据一个实施例，本发明的氧化铈粒子可以展现出范围从0.001wt％至5wt％、具体地从0.1wt％至2.5wt％的碳重量比率。碳痕量可以是用于制备粒子的合成方法的足迹，这需要特定的有机酸。元素碳的剂量可以使用碳和硫分析仪如Horiba EMIA 320-V2进行。
在另一方面，本发明涉及氧化铈粒子，其特征在于所述粒子展现出至少2.4、具体地至少3.5的粗糙度指数RI，其中RI由下式定义：
其中“TEM尺寸”表示在透射电子显微镜图像上测量的粒子的平均尺寸并且“SSA尺寸”表示根据下式的粒子的理论平均尺寸：
其中SSA表示通过氮气吸附测定的粒子的BET比表面积，并且ρ表示氧化铈(IV)的密度且其等于7.22g/cm3，并且所述粒子展现出范围从0.001wt％至5wt％、具体地从0.1wt％至2.5wt％的碳重量比率。
在具体实施例中，该方面的粗糙度指数RI低于5。
据本发明人所知，根据该方面的氧化铈粒子中的碳重量比有助于氧化铈粒子与通常用于化学机械研磨应用的分散体和研磨组合物的其他组分的相容性。
根据该方面的氧化铈粒子的特征通常在于所述粒子基本上是立方体的。该方面的立方体形状、粒度和比表面积的表征如上所述。
本发明还涉及一种用于生产本发明的氧化铈粒子的方法，该方法至少包括以下步骤：
(a)在惰性气氛下，使(i)碱的水溶液、(ii)包含NO3 -、CeIII、可选地CeIV的水溶液、以及(iii)有机酸或其盐接触以获得混合物，其中该有机酸是取代或未取代的-芳基或-杂芳基羧酸；
(b)使在步骤(a)中获得的该混合物经受热处理；
(c)可选地酸化在步骤(b)中获得的该混合物；
(d)可选地用水洗涤在步骤(b)或(c)结束时获得的固体材料；
(e)可选地使在步骤(d)结束时获得的该固体材料经受机械处理以使这些粒子解附聚。
有利的是使用高纯度的盐和成分。这些盐的纯度可以是至少99.5wt％、更具体地至少99.9wt％。
在步骤(a)中使用碱的水溶液(i)。氢氧化物类型的产品可以特别用作碱。可以提及的是碱金属氢氧化物或碱土金属氢氧化物和氨水。还可以使用仲胺、叔胺或季胺。碱的水溶液还可以通过使用惰性气体鼓泡来预先脱气。
步骤(a)中使用的碱的量(以摩尔比碱/总Ce表示)优选地包括在4与10之间、优选地在5与8之间。
在步骤(a)中使用包含NO3 -、CeIII、和可选地CeIV的水溶液(ii)。硝酸盐或铈可以特别地用于制备溶液。如果CeIV存在于水溶液中，则CeIV/总Ce摩尔比优选地包括在1/500000与1/4000之间。此摩尔比可以尤其在1/6000与1/4000之间。可以使用实例中使用的CeIV/总Ce摩尔比。
通过硝酸与水合二氧化铈的反应获得的硝酸铈水溶液可以用于制备方法中。二氧化铈常规地通过在过氧化氢水溶液存在下使铈盐溶液和氨水溶液反应以将CeIII阳离子转化为CeIV阳离子来制备。还特别有利的是使用根据FR 2570087中披露的硝酸铈溶液的电解氧化方法获得的硝酸铈溶液。根据FR 2570087的传授内容获得的硝酸铈溶液可以展现出约0.6N的酸度。
CeIV可以由盐提供(如果步骤(a)中存在)该盐可以是硝酸铈IV或硝酸铈铵。
步骤(a)中使用的水溶液中硝酸根离子的量(以NO3 -/CeIII摩尔比表示)通常在1/3与5/1之间。步骤(a)中使用的水溶液的酸度优选地包括在0.8N与12.0N之间。
在步骤(a)中使用特定的有机酸(iii)，其是取代或未取代的-芳基或-杂芳基羧酸或其盐。取代或未取代的芳基优选地是取代或未取代的苯基。取代或未取代的杂芳基优选地是取代或未取代的杂苯基。
根据一个实施例，有机酸是取代的。取代基的实例包括卤素、低级烷基(即具有少于六个碳原子的烷基)、芳基、烷氧基、羟基、氨基、烷基氨基、芳基氨基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基亚磺酰基和芳基磺酰基。优选的取代基是羟基。在-芳基或-杂芳基中可以存在一个或多个取代基。优选地，其中仅存在一个取代基，优选地是羟基。根据另一个替代实施例，有机溶剂是未取代的。
根据一个实施例，有机酸是杂芳基羧酸。作为所述杂芳基的杂原子部分，尤其可以提及S、O和/或N原子。一个或多个杂原子可以是所述杂芳基的一部分。杂芳基优选地具有至少一个N原子、更优选地仅一个N原子。作为本发明的框架中合适的杂芳基，可以提及吡啶基。根据另一个替代实施例，有机酸是芳基羧酸。
根据一个特定实施例，有机酸是未取代的杂芳基羧酸、优选未取代的杂苯基羧酸。作为所述未取代的杂芳基的杂原子部分，尤其可以提及S、O和/或N原子。一个或多个杂原子可以是所述杂芳基的一部分。杂芳基优选地具有至少一个N原子、更优选地仅一个N原子，优选地是吡啶基。作为用于实施本发明方法的合适的未取代的杂芳基羧酸，尤其可以提及2-吡啶甲酸。
根据另一个特定实施例，有机酸是取代的芳基羧酸、优选取代的苯基羧酸。芳基的取代基的实例包括卤素、低级烷基(即具有少于六个碳原子的烷基)、芳基、烷氧基、羟基、氨基、烷基氨基、芳基氨基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基亚磺酰基和芳基磺酰基。芳基的一个或多个优选的取代基是羟基。在-芳基中可以存在一个或多个取代基。优选地，其中仅存在一个取代基，优选地是羟基。作为用于实施本发明方法的合适的取代的芳基羧酸，尤其可以提及4-羟基苯甲酸。
作为上述有机酸的合适的盐，可以提及铵盐。
根据一个实施例，有机酸呈水溶液的形式。水溶液中有机酸的浓度的可以在例如从1至20wt％、具体地从2至10wt％、更具体地从3至7wt％的范围内。根据另一个实施例，使用纯的(即未稀释的)的有机酸。
在步骤(a)中接触以形成混合物的成分(i)、(ii)和(iii)可以以任何顺序接触。尤其根据一个实施例，使碱的水溶液(i)和有机酸(iii)相互接触，并且使所得混合物与含有一种或多种硝酸铈的水溶液(ii)接触。在此情况下，由于碱溶液(i)已经是水溶液的形式，则可以使用纯的(即未稀释的)有机酸(iii)。(i)和(iii)的混合物与(ii)的接触可以包括将(ii)添加到所述混合物中，优选地在搅拌和/或惰性气体鼓泡下。
根据替代实施例，使含有一种或多种硝酸铈的水溶液(ii)与碱的水溶液(i)相互接触，并且使所得混合物与有机酸(iii)接触。在此情况下，有机酸(iii)可以以其水溶液的形式使用。(ii)和(i)的接触可以包括将(ii)添加到(i)中，优选地在搅拌和/或惰性气体鼓泡下。
有机酸(iii)可以在相对于步骤(a)中获得的混合物的总体积范围从0.11至245mmol/L、具体地从0.5至150mmol/L、更具体地从1至100mmol/L、更具体地从2至50mmol/L的浓度下使用。此范围特别适合于形成轮廓分明的粒子。
应仔细控制并最小化混合物中的游离氧的量。为此，可以通过用惰性气体鼓泡来对使用的成分(i)、(ii)和(iii)和/或所得混合物中的一种或多种进行脱气。术语“惰性气体”或“惰性气氛”旨在意指不含氧气的气氛或气体，该气体有可能是，例如，氮气或氩气。
步骤(a)包括使成分(i)、(ii)和(iii)反应。步骤(a)优选地在惰性气氛下进行，值得注意地是在封闭的反应器中或者在半封闭的反应器中使用惰性气体清扫。接触通常是在搅拌式反应器中进行。
步骤(a)通常在包括在5℃与50℃之间的温度下进行。此温度可以是20℃-25℃。
步骤(b)是热处理在前一步骤结束时获得的反应介质。它可以包括(i)加热子步骤和(ii)老化子步骤。
加热子步骤(i)可以包括在通常包括在75℃与95℃之间、更具体地在80℃与90℃之间的温度下加热该介质。
老化子步骤(ii)可以包括将该介质维持在包括在75℃与95℃之间、更具体地在80℃与90℃之间的温度下。该老化子步骤(ii)的持续时间在2小时至20小时之间。根据经验，老化步骤的温度越高，老化子步骤的持续时间越短。例如，当老化子步骤的温度在85℃与90℃之间(例如88℃)时，老化子步骤的持续时间可以是在2小时与15小时之间、更具体地在4小时与15小时之间。当老化子步骤的温度在75℃与85℃之间(例如80℃)时，老化子步骤的持续时间可以是在15小时与30小时之间。
在步骤(b)期间，发生CeIII至CeIV的氧化。此步骤也可以在惰性气氛下进行，对于步骤(a)关于此气氛的描述同样在此适用。类似地该热处理可以在搅拌式反应器中进行。
在步骤(c)中，可以可选地将在步骤(b)结束时获得的混合物酸化。此步骤(c)可以通过使用硝酸来进行。该反应混合物可以通过HNO3酸化至低于3.0、更具体地包括在1.5与2.5之间的pH。
在步骤(d)中，用水、优选去离子水洗涤在步骤(b)或步骤(c)结束时获得的固体材料。此操作使得可以减少分散体中的残余硝酸盐的量并获得目标电导率。此步骤可以通过从混合物中过滤固体并将该固体再分散于水中来进行。必要时可以进行多次过滤和再分散。
在步骤(e)中，可以使在步骤(d)结束时获得的固体材料经受机械处理以使这些粒子解附聚。该步骤可以通过双喷射处理或超声解附聚来进行。此步骤通常导致尖锐的粒度分布并减少大的附聚粒子的数量。根据实施例，氧化铈粒子经受了解附聚机械处理。根据另一个实施例，氧化铈粒子未经受解附聚机械处理。
在步骤(e)之后，可以对固体材料进行干燥以获得呈粉末形式的氧化铈粒子。在步骤(e)之后，还可以添加水或水与可混溶液体有机化合物的混合物以获得氧化铈粒子在液体介质中的分散体。
本发明的另一个目的是通过上文描述的方法可获得的或获得的氧化铈粒子。
本发明还涉及一种氧化铈粒子在液体介质中的分散体。该分散体包含本发明的氧化铈粒子和液体介质。该液体介质可以是水或水与水混溶性有机液体的混合物。水混溶性有机液体不应使粒子沉淀或附聚。水混溶性有机液体可以是例如醇，如异丙醇、乙醇、1-丙醇、甲醇、1-己醇；酮，如丙酮、二丙酮醇、甲基乙基酮；酯，如甲酸乙酯、甲酸丙酯、乙酸乙酯、乙酸甲酯、乳酸甲酯、乳酸丁酯、乳酸乙酯。比例水/有机液体可以在80/20至99/1(wt/wt)之间。
氧化铈粒子在分散体中的比例可以包括在1.0wt％与40.0wt％之间，此比例被表示为氧化铈粒子相对于分散体总重量的重量。此比例可以包括在10.0wt％与35.0wt％之间。
该分散体还可以展现出低于300μS/cm、更具体地低于150μS/cm、甚至更具体地低于100μS/cm或50μS/cm的电导率。用堀场有限公司(HORIBA,Ltd)的电导仪9382-10D来测量电导率。
本发明的氧化铈粒子或本发明的分散体可以用于制备研磨组合物、更具体是化学机械研磨组合物。它们用作研磨组合物、更具体是化学机械研磨组合物的组分。
本发明还涉及一种化学机械研磨组合物。化学机械研磨组合物(或化学-机械研磨组合物)是用于从基底的表面选择性除去材料的研磨组合物。它用于集成电路和其他电子器件领域。实际上，在集成电路和其他电子器件的制造中，将导电材料、半导电材料和介电材料的多个层沉积到基底的表面上或从基底的表面除去。当将材料层顺序地沉积到基底上并且从基底除去时，基底的最上表面可能变得不平坦并且需要平面化。对表面进行平面化(或“研磨”)是从基底表面除去材料以形成大致均匀的平面表面的过程。平面化可用于除去不需要的表面形貌和表面缺陷，如粗糙表面、附聚材料、晶格损伤、划痕和污染层或材料。平面化还可用于通过除去用于填充特征的过量沉积材料并为后续各层级的金属化和加工提供均匀的表面来在基底上形成特征。
可以用研磨组合物或化学机械研磨组合物研磨的基底可以是例如二氧化硅型基底、玻璃、半导体或晶片。
本发明的粒子或本发明的分散体可以用于制备化学机械研磨组合物。因此，本发明还涉及化学机械研磨组合物，其包含如上定义的氧化铈粒子或分散体。
该研磨组合物或化学机械研磨组合物通常含有除氧化铈粒子以外的不同成分。该研磨组合物可以包含以下成分中的一种或多种：
-除本发明的氧化铈粒子或分散体以外的磨料粒子；和/或
-pH调节剂；和/或
-表面活性剂；和/或
-流变控制剂，包括粘度增强剂和凝聚剂；和/或
-选自以下的添加剂：非离子聚合物、阳离子聚合物、阴离子聚合物、季铵、硅烷、磺化的单体、膦化的单体、丙烯酸酯、淀粉、环糊精、及其组合。
该研磨组合物的pH通常在1至6之间。典型地，该研磨组合物具有3.0或更高的pH。此外，该研磨组合物的pH典型地是6.0或更低。
本发明还涉及一种用于除去基底的一部分的方法，该方法包括用如上所述的研磨组合物研磨该基底。
本发明最后涉及一种通过该方法研磨的半导体。
如果通过援引并入本申请的任何专利、专利申请和公开物的披露内容与本申请的说明相冲突到了可能导致术语不清楚的程度，则本说明应优先。
现在将以实例对本发明进一步进行说明，而无意对本发明进行限制。
实例
实例1
通过混合111.3g的2.87M三价硝酸铈、16.80g的68％ HNO3和3.27g的去离子水来制备硝酸铈溶液。将此溶液放入250mL半封闭容器中。随后向该硝酸铈溶液中添加相当于1/5000的铈IV/总铈摩尔比的硝酸铈(IV)。通过混合74.48g的13.35M氨水，620.90g的去离子水来制备氨水溶液。将此溶液放入1L半封闭夹套式反应器中并且通过在搅拌下用流速为210L/h的N2气体鼓泡持续1小时。在大约30min内在相同的搅拌和N2鼓泡条件下，将上述硝酸铈溶液添加到氨水溶液中。通过将1.04g的2-吡啶甲酸添加到23g的去离子水中来制备有机酸溶液，将其用N2气体鼓泡持续1小时并且然后添加到反应器中。将反应混合物的温度在大约1小时内加热至85℃，并且在相同的搅拌和降低的N2鼓泡流速(低于10L/h)的条件下维持大约4小时。将反应混合物冷却并且用68％ HNO3酸化至pH 2。倾析后，除去上层清液并将NH4OH添加到浆料中以达到pH 8。
借助离心将反应混合物用去离子水洗涤。当洗涤溶液的电导率小于0.04mS/cm时重复该洗涤。
通过氮气吸附确定的BET比表面积是53.9m2/g。通过TEM观察悬浮液，对于代表该悬浮液的大约80个粒子，计数并测量每一个粒子。平均粒度是157nm并且标准偏差是23nm(对应于平均粒度的14％)。如本说明书中所述测定的SSA尺寸等于15，得到的如本说明书中所述测定的粗糙度指数RI为10.1。碳的百分比测定为％C＝1.78wt％。所获得的立方体粗糙粒子的TEM图片在图1中报告。
实例2
通过混合113.4g的2.87M三价硝酸铈、16.81g的68％ HNO3和3.29g的去离子水来制备硝酸铈溶液。将此溶液放入250mL半封闭容器中。随后向该硝酸铈溶液中添加相当于1/5000的铈IV/总铈摩尔比的硝酸铈(IV)。通过混合75.58g的13.35M氨水、641.44g的去离子水和1.05g的2-吡啶甲酸来制备氨水溶液。将此溶液放入1L半封闭夹套式反应器中并且通过在搅拌下用流速为210L/h的N2气体鼓泡持续1小时。在大约30min内在相同的搅拌和N2鼓泡条件下，将上述硝酸铈溶液添加到氨水溶液中。将反应混合物的温度在大约1小时内加热至85℃并且在相同的搅拌且降低的N2鼓泡流速(低于10L/h)的条件下维持大约4小时。将反应混合物冷却并且用68％ HNO3酸化至pH 2。倾析后，除去上层清液并将NH4OH添加到浆料中以达到pH 8。
借助离心将反应混合物用去离子水洗涤。当洗涤溶液的电导率小于0.04mS/cm时重复该洗涤。
通过氮气吸附确定的BET比表面积是43.1m2/g。通过TEM观察悬浮液，对于代表该悬浮液的大约80个粒子，计数并测量每一个粒子。平均粒子尺寸是212.6nm并且标准偏差是125nm(对应于平均粒子尺寸的60％)。如本说明书中所述测定的SSA尺寸等于19，得到的如本说明书中所述测定的粗糙度指数RI为11.0。碳的百分比测定为％C＝1.19wt％。
所获得的立方体粗糙粒子的TEM图片在图2中报告。
实例3
通过混合222.4g的2.87M三价硝酸铈、33.9g的68％ HNO3来制备硝酸铈溶液。将此溶液放入250mL半封闭容器中。随后向该硝酸铈溶液中添加相当于1/5000的铈IV/总铈摩尔比的硝酸铈(IV)。通过混合133.3g的15M氨水、1298.5g的去离子水和19.9g的2-吡啶甲酸来制备氨水溶液。将此溶液放入2L半封闭夹套式反应器中并且通过在搅拌下用流速为100L/h的N2气体鼓泡持续1小时。在大约30min内在相同的搅拌和N2鼓泡条件下，将上述硝酸铈溶液添加到氨水溶液中。将反应混合物的温度在大约1小时内加热至80℃，并且在相同的搅拌和降低的N2鼓泡流速(低于10L/h)的条件下维持大约4小时。将反应混合物冷却并且用68％HNO3酸化至pH 2。倾析后，除去上层清液并将NH4OH添加到浆料中以达到pH 8。
借助离心将反应混合物用去离子水洗涤。当洗涤溶液的电导率小于0.04mS/cm时重复该洗涤。
通过氮气吸附测定的BET比表面积为72m2/g。通过TEM观察悬浮液，对于代表该悬浮液的大约200个粒子，计数并测量每一个粒子。平均粒子尺寸是71nm并且标准偏差是19nm(对应于平均粒子尺寸的27％)。如本说明书中所述测定的SSA尺寸等于12，得到的如本说明书中所述测定的粗糙度指数RI为6.1。碳的百分比测定为％C＝4.6wt％。所获得的立方体粗糙粒子的TEM图片在图3中报告。
实例4
通过混合222.4g的2.87M三价硝酸铈、33.9g的68％ HNO3来制备硝酸铈溶液。将此溶液放入250mL半封闭容器中。随后向该硝酸铈溶液中添加相当于1/5000的铈IV/总铈摩尔比的硝酸铈(IV)。通过混合134g的15M氨水、1296.7g的去离子水和1g的2-吡啶甲酸来制备氨水溶液。将此溶液放入2L半封闭夹套式反应器中并且通过在搅拌下用流速为100L/h的N2气体鼓泡持续1小时。在大约30min内在相同的搅拌和N2鼓泡条件下，将上述硝酸铈溶液添加到氨水溶液中。将反应混合物的温度在大约1小时内加热至80℃，并且在相同的搅拌和降低的N2鼓泡流速(低于10L/h)的条件下维持大约4小时。将反应混合物冷却并且用68％HNO3酸化至pH 2。倾析后，除去上层清液并将NH4OH添加到浆料中以达到pH 8。
借助离心将反应混合物用去离子水洗涤。当洗涤溶液的电导率小于0.04mS/cm时重复该洗涤。
通过氮气吸附测定的BET比表面积为25m2/g。通过TEM观察悬浮液，对于代表该悬浮液的大约150个粒子，计数并测量每一个粒子。平均粒子尺寸是108nm并且标准偏差是41nm(对应于平均粒子尺寸的33％)。如本说明书中所述测定的SSA尺寸等于30，得到的如本说明书中所述测定的粗糙度指数RI为3.6。碳的百分比测定为％C＝0.8wt％。所获得的立方体粗糙粒子的TEM图片在图4中报告。
实例5
通过混合224.4g的2.87M三价硝酸铈、33.9g的68％ HNO3来制备硝酸铈溶液。将此溶液放入250mL半封闭容器中。随后向该硝酸铈溶液中添加相当于1/5000的铈IV/总铈摩尔比的硝酸铈(IV)。通过混合132g的15.1M氨水、1298.9g的去离子水和2.2g的4-羟基苯甲酸来制备氨水溶液。将此溶液放入2L半封闭夹套式反应器中并且通过在搅拌下用流速为100L/h的N2气体鼓泡持续1小时。在大约30min内在相同的搅拌和N2鼓泡条件下，将上述硝酸铈溶液添加到氨水溶液中。将反应混合物的温度在大约1小时内加热至80℃，并且在相同的搅拌和降低的N2鼓泡流速(低于10L/h)的条件下维持大约4小时。将反应混合物冷却并且用68％ HNO3酸化至pH 2。倾析后，除去上层清液并将NH4OH添加到浆料中以达到pH 8。
借助离心将反应混合物用去离子水洗涤。当洗涤溶液的电导率小于0.04mS/cm时重复该洗涤。
通过氮气吸附测定的BET比表面积为37m2/g。通过TEM观察悬浮液，对于代表该悬浮液的大约200个粒子，计数并测量每一个粒子。平均粒子尺寸是94nm并且标准偏差是53nm(对应于平均粒子尺寸的56％)。如本说明书中所述测定的SSA尺寸等于23，得到的如本说明书中所述测定的粗糙度指数RI为4.2。碳的百分比测定为％C＝1.12wt％。
对比实例1
通过混合139.1g的2.87M三价硝酸铈、21,1g的68％ HNO3和4g的去离子水来制备硝酸铈溶液。将此溶液放入250mL半封闭容器中。随后向该硝酸铈溶液中添加相当于1/5000的铈IV/总铈摩尔比的硝酸铈(IV)。通过混合100.5g的13.35M氨水和795.5g的去离子水来制备氨水溶液。将此溶液放入1L半封闭夹套式反应器中并且通过在搅拌下用流速为210L/h的N2气体鼓泡持续1小时。在大约30min内在相同的搅拌和N2鼓泡条件下，将上述硝酸铈溶液添加到氨水溶液中。将反应混合物的温度在大约1小时内加热至85℃并且在相同的搅拌且降低的N2鼓泡流速(低于10L/h)的条件下维持大约4小时。将反应混合物冷却并且用68％HNO3酸化至pH 2。倾析后，除去上层清液并将NH4OH添加到浆料中以达到pH 8。
借助离心将反应混合物用去离子水洗涤。当洗涤溶液的电导率小于0.04mS/cm时重复该洗涤。
通过氮气吸附确定的BET比表面积是16.8m2/g。通过TEM观察悬浮液，对于代表该悬浮液的大约150个粒子，计数并测量每一个粒子。平均粒子尺寸是87nm并且标准偏差是21nm(对应于平均粒子尺寸的24％)。如本说明书中所述测定的SSA尺寸等于50，得到的如本说明书中所述测定的粗糙度指数RI为1.7。TEM图片在图5中报告。

Claims (28)

1.一种用于生产氧化铈粒子的方法，该方法包括以下步骤：
(a)在惰性气氛下，使(i)碱的水溶液、(ii)包含NO3 -、CeIII、可选地CeIV的水溶液、以及(iii)有机酸或其盐接触以获得混合物，其中该有机酸是取代或未取代的-芳基或-杂芳基羧酸；
(b)使在步骤(a)中获得的该混合物经受热处理；
(c)可选地酸化在步骤(b)中获得的该混合物；
(d)可选地用水洗涤在步骤(b)或(c)结束时获得的固体材料；
(e)可选地使在步骤(d)结束时获得的该固体材料经受机械处理以使这些粒子解附聚。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，该有机酸是取代或未取代的杂芳基羧酸、优选未取代的杂芳基羧酸、更优选在杂芳基中带有至少一个氮原子的未取代的杂芳基羧酸。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，该有机酸是2-吡啶甲酸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，步骤(b)中的该热处理是在范围从75℃至95℃的温度下进行的。
5.一种氧化铈粒子，其通过根据权利要求1至4中任一项所述的方法可获得。
6.一种氧化铈粒子，其特征在于所述粒子展现出至少为5的粗糙度指数RI，其中RI由下式定义：
其中“TEM尺寸”表示在透射电子显微镜图像上测量的粒子的平均尺寸并且“SSA尺寸”表示根据下式的粒子的理论平均尺寸：
其中SSA表示通过氮气吸附测定的粒子的BET比表面积，并且ρ表示氧化铈(IV)的密度且其等于7.22g/cm3。
7.根据权利要求6所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子基本上是立方体的。
8.根据权利要求6或7所述的氧化铈粒子，其特征在于，通过TEM获得的这些粒子的图像展现出具有基本上相同长度的4条边，并且是使得这4条边的邻边形成基本上等于90°的角。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出范围从0.001wt％至5wt％、具体地从0.1wt％至2.5wt％的碳重量比率。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出包括在15与100m2/g之间、更具体地在38与80m2/g之间、更具体地在40与70m2/g之间、甚至更具体地在42与60m2/g之间的比表面积。
11.根据权利要求10所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出包括在22与70m2/g之间的比表面积。
12.根据权利要求6至11中任一项所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出从30至500nm、具体地从70至300nm的平均尺寸，所述平均尺寸是由TEM图像测量的。
13.根据权利要求12所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出包括在120与300nm之间、具体地在125与270nm之间，更具体地在130与250nm之间、甚至具体地在140与240nm之间的平均尺寸，所述平均尺寸是由TEM图像测量的。
14.根据权利要求6至13中任一项所述的氧化铈粒子，其通过根据权利要求1至4中任一项所述的方法可获得。
15.一种氧化铈粒子，其特征在于所述粒子展现出至少2.4、具体地至少3.5的粗糙度指数RI，其中RI由下式定义：
其中“TEM尺寸”表示在透射电子显微镜图像上测量的粒子的平均尺寸并且“SSA尺寸”表示根据下式的粒子的理论平均尺寸：
其中SSA表示通过氮气吸附测定的粒子的BET比表面积，并且ρ表示氧化铈(IV)的密度且其等于7.22g/cm3，并且所述粒子展现出范围从0.001wt％至5wt％、具体地从0.1wt％至2.5wt％的碳重量比率。
16.根据权利要求15所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子基本上是立方体的。
17.根据权利要求15或16所述的氧化铈粒子，其特征在于，通过TEM获得的这些粒子的图像展现出具有基本上相同长度的4条边，并且是使得这4条边的邻边形成基本上等于90°的角。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出包括在15与100m2/g之间、更具体地在38与80m2/g之间、更具体地在40与70m2/g之间、甚至更具体地在42与60m2/g之间的比表面积。
19.根据权利要求18所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出包括在22与70m2/g之间的比表面积。
20.根据权利要求15至19中任一项所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出从30至500nm、具体地从70至300nm的平均尺寸，所述平均尺寸是由TEM图像测量的。
21.根据权利要求20所述的氧化铈粒子，其特征在于，所述粒子展现出包括在120与300nm之间、具体地在125与270nm之间，更具体地在130与250nm之间、甚至具体地在140与240nm之间的平均尺寸，所述平均尺寸是由TEM图像测量的。
22.根据权利要求15至21中任一项所述的氧化铈粒子，其通过根据权利要求1至4中任一项所述的方法可获得。
23.一种根据权利要求6至22中任一项所述的氧化铈粒子在液体介质中的分散体。
24.根据权利要求23所述的分散体，其展现出低于300μS/cm、更具体地低于150μS/cm、甚至更具体地低于100μS/cm或50μS/cm的电导率。
25.根据权利要求5至22中任一项所述的氧化铈粒子或根据权利要求22或23所述的分散体用于制备研磨组合物、更特别地化学机械研磨组合物的用途。
26.一种研磨组合物，其包含根据权利要求5至22中任一项所述的氧化铈粒子或根据权利要求23或24所述的分散体。
27.根据权利要求26所述的研磨组合物，其进一步包含以下成分中的一种或多种：
-除根据权利要求5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、或18、19、20或21所述的氧化铈粒子，或根据权利要求22或23所述的分散体以外的磨料粒子；和/或
-pH调节剂；和/或
-表面活性剂；和/或
-流变控制剂，包括粘度增强剂和凝聚剂；和/或
-选自以下的添加剂：非离子聚合物、阳离子聚合物、阴离子聚合物、季铵、硅烷、磺化的单体、膦化的单体、丙烯酸酯、淀粉、环糊精、及其组合。
28.一种用于除去基底的一部分的方法，该方法包括用根据权利要求23或24所述的研磨组合物研磨该基底。
CN202280021021.4A 2021-03-12 2022-03-10 氧化铈粒子、其制造方法及其在化学机械研磨中的用途 Pending CN116981752A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP21162225 2021-03-12
EP21162225.3 2021-03-12
PCT/EP2022/056265 WO2022189597A1 (en) 2021-03-12 2022-03-10 Cerium oxide particles, making process thereof and use thereof in chemical mechanical polishing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116981752A true CN116981752A (zh) 2023-10-31

Family

ID=74873532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280021021.4A Pending CN116981752A (zh) 2021-03-12 2022-03-10 氧化铈粒子、其制造方法及其在化学机械研磨中的用途

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP4305121A1 (zh)
JP (1) JP2024513308A (zh)
KR (1) KR20230154254A (zh)
CN (1) CN116981752A (zh)
IL (1) IL305291A (zh)
TW (1) TW202248132A (zh)
WO (1) WO2022189597A1 (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2570087B1 (fr) 1984-09-13 1986-11-21 Rhone Poulenc Spec Chim Procede d'oxydation electrolytique et ensemble d'electrolyse pour sa mise en oeuvre
FR2906800B1 (fr) 2006-10-09 2008-11-28 Rhodia Recherches & Tech Suspension liquide et poudre de particules d'oxyde de cerium, procedes de preparation de celles-ci et utilisation dans le polissage
KR101050136B1 (ko) * 2006-11-20 2011-07-19 주식회사 엘지화학 유기용매를 이용한 산화세륨 분말의 제조방법 및 상기분말을 포함하는ｃｍｐ슬러리
US8366959B2 (en) * 2008-09-26 2013-02-05 Rhodia Operations Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
JP2010083741A (ja) * 2008-10-03 2010-04-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化セリウム及びその製造方法
KR101405334B1 (ko) * 2013-09-12 2014-06-11 유비머트리얼즈주식회사 연마 입자의 제조 방법 및 연마 슬러리의 제조 방법
KR102367577B1 (ko) 2013-12-16 2022-02-25 로디아 오퍼레이션스 세륨 옥사이드 입자의 액체 현탁액
KR102350893B1 (ko) 2014-06-24 2022-01-13 로디아 오퍼레이션스 금속 도핑된 세륨 산화물 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230154254A (ko) 2023-11-07
JP2024513308A (ja) 2024-03-25
EP4305121A1 (en) 2024-01-17
IL305291A (en) 2023-10-01
WO2022189597A1 (en) 2022-09-15
TW202248132A (zh) 2022-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7326166B2 (ja) セリウム系粒子
CN109937187B (zh) 氧化铈系复合微粒分散液、其制造方法和包含氧化铈系复合微粒分散液的研磨用磨粒分散液
JP5586229B2 (ja) 酸化セリウム粒子の液体懸濁物及び粉末、その製造方法並びに研磨におけるその使用
JP6449322B2 (ja) 酸化セリウム粒子の液体懸濁液
TWI461363B (zh) 氧化鈰顆粒粉末及懸浮液，其製造方法及其於拋光上之應用
CN110582465B (zh) 氧化铈系复合微粒分散液、其制造方法及包含氧化铈系复合微粒分散液的研磨用磨粒分散液
CN116981752A (zh) 氧化铈粒子、其制造方法及其在化学机械研磨中的用途
CN116964003A (zh) 氧化铈粒子、其制造方法及其在化学机械研磨中的用途
KR20220104790A (ko) 세륨계 입자, 이를 생성하기 위한 공정 및 폴리싱에서의 이의 용도
US20240158250A1 (en) Cerium oxide particles, making process thereof and use thereof in chemical mechanical polishing
US20240158251A1 (en) Cerium oxide particles, making process thereof and use thereof in chemical mechanical polishing
KR20220103785A (ko) 세륨계 코어-셸 입자의 액체 분산물 및 분말, 이를 생성하기 위한 공정 및 폴리싱에서의 이의 용도
CN117321170A (zh) 基于铈的核-壳颗粒的液体分散体和粉末、其生产方法及其在抛光中的用途

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination