CN117321170A - 基于铈的核-壳颗粒的液体分散体和粉末、其生产方法及其在抛光中的用途 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 223
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 9
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000007771 core particle Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 42
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 22
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XQTIWNLDFPPCIU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) Chemical class [Ce+3] XQTIWNLDFPPCIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- -1 nitrate ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001848 post-transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910000421 cerium(III) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical compound [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 22
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 19
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 19
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 13
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 12
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical group O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 10
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 8
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010420 shell particle Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 4
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 4
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 4
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 150000000703 Cerium Chemical class 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- ITZXULOAYIAYNU-UHFFFAOYSA-N cerium(4+) Chemical class [Ce+4] ITZXULOAYIAYNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);oxygen(2-) Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Ce+3].[Ce+3] DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- DWHJJLTXBKSHJG-UHFFFAOYSA-N 5-hydroxy-2-methylpent-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)=CCCO DWHJJLTXBKSHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001450 Alpha-Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001116 FEMA 4028 Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHYMLBVGNFVFBT-UHFFFAOYSA-N Picolinic acid N-oxide Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=[N+]1[O-] FHYMLBVGNFVFBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N alpha-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N 0.000 description 1
- 229940043377 alpha-cyclodextrin Drugs 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- PGJHGXFYDZHMAV-UHFFFAOYSA-K azanium;cerium(3+);disulfate Chemical compound [NH4+].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O PGJHGXFYDZHMAV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- HKVFISRIUUGTIB-UHFFFAOYSA-O azanium;cerium;nitrate Chemical compound [NH4+].[Ce].[O-][N+]([O-])=O HKVFISRIUUGTIB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N beta-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N 0.000 description 1
- 235000011175 beta-cyclodextrine Nutrition 0.000 description 1
- 229960004853 betadex Drugs 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- LQCIDLXXSFUYSA-UHFFFAOYSA-N cerium(4+);tetranitrate Chemical group [Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O LQCIDLXXSFUYSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000701 coagulant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229940097362 cyclodextrins Drugs 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002603 lanthanum Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- SHHGHQXPESZCQA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethylsilicon Chemical compound [Si]CC1CO1 SHHGHQXPESZCQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020477 pH reduction Effects 0.000 description 1
- 125000002081 peroxide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N polonium atom Chemical compound [Po] HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N silylurea Chemical compound NC(=O)N[SiH3] IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
- C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
- C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
- C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
- C09K3/1445—Composite particles, e.g. coated particles the coating consisting exclusively of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
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- Power Engineering (AREA)
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
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Abstract
本发明涉及基于铈的核‑壳颗粒,其具有任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的核和由任选掺杂有可以与金属(M)相同或不同的至少一种金属(M’)的氧化铈的多个纳米颗粒组成的壳,这些纳米颗粒在核颗粒的表面上形成。本发明还涉及其在液体介质中的分散体、其生产方法以及这些颗粒和分散体在抛光应用如化学机械抛光中的用途。
Description
本申请要求于2021年5月17日在欧洲以Nr 21174022.0提交的优先权,出于所有目的将此申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于生产基于铈的核-壳颗粒的分散体的方法,通过该方法可获得的分散体和粉末,以及它们在抛光领域、尤其是化学机械抛光领域中的用途。
背景技术
氧化铈常用于抛光应用、尤其是化学机械抛光。电子工业的发展要求渐增地相当大量的使用用于抛光多种零件(如磁盘或电介质化合物)的组合物。这些通常以分散体的形式的组合物必须展现出一定数量的特征。例如,它们必须提供材料的高度去除,这反映了它们的研磨能力。它们还必须具有尽可能低的缺陷性(defectuosity);术语“缺陷性”旨在特别意指一旦用该组合物处理后的基底展现出的划痕的数量。出于稳定性和易于使用的原因,这些分散体必须包含亚微米尺寸(即总体上小于300nm)的颗粒。此外,太细的颗粒在这些分散体中的存在降低了它们的研磨能力,并且太大的颗粒可能造成缺陷性的增加。
在此上下文中,我们认为当用于化学机械抛光方法中时,对具有改善的研磨特性的基于铈的颗粒存在需要。对简单且以工业规模易于实现的基于铈的颗粒的制造方法也存在需要。
发明内容
这些问题由本发明解决,本发明尤其提供了新的基于铈的颗粒及其制造方法,这些颗粒由于特定的核-壳形态而具有粗糙的表面。
因此,本发明的一个目的涉及一种用于生产基于铈的核-壳颗粒在液体中的分散体的方法,该方法包括以下步骤:
(a)提供包含任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒的水性分散体;提供包含铈(III)盐的水溶液;提供过氧水溶液(aqueous peroxygen solution);以及任选地提供包含至少一种金属(M’)盐的水溶液;
(b)使步骤(a)中提供的水性分散体与水溶液接触,同时保持温度包括在0℃与80℃之间并且pH低于或等于11,以产生基于铈的核-壳颗粒的分散体;
步骤(a)和(b)中的至少一个是在硝酸根离子的存在下进行。
本发明还涉及通过该方法可获得的或获得的基于铈的核-壳颗粒及其分散体。
本发明的基于铈的核-壳颗粒可被描述为任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的核颗粒和由任选掺杂有至少一种金属(M’)的氧化铈的多个纳米颗粒组成的壳,所述纳米颗粒在该核颗粒的表面上形成,其中通过TEM测量的这些核-壳颗粒的平均尺寸与通过BET测量的这些核-壳颗粒的平均尺寸的比率是至少1.5。
有利地,与不具有根据本发明的壳的光滑的氧化铈颗粒相比,本发明的颗粒的特定核-壳形态增加了它们的表面粗糙度,并且因此增加了它们的表面比表面积。因此,通过增加颗粒与待抛光基底之间的接触表面,本发明的核-壳颗粒的研磨特性得到改善,从而允许在化学机械抛光方法中有利地使用它们。与不具有根据本发明的壳的光滑表面氧化铈颗粒的分散体相比,本发明的核-壳颗粒分散体由于其粗糙的表面而尤其允许更高的去除速率,同时由于等效的尺寸分布而保持相同的缺陷性。
本发明的基于铈的核-壳颗粒的分散体可用于制备基于铈的核-壳颗粒的粉末,以及抛光组合物,如其将在本说明书的下文中详述。
此外,本发明的核-壳颗粒的一个优点是来自壳的纳米颗粒很好地附着到核颗粒上。值得注意的是,已经观察到在应用它们的整个化学机械抛光方法期间,它们保持附着在核上。这是非常重要的,因为在化学机械抛光方法期间颗粒壳承受机械应力。如果壳的纳米颗粒在抛光期间脱落,即使在洗涤步骤后,这些小的氧化铈颗粒可能保持附着在基底上,这是最终用户不能接受的。由于基底损失和反复的抛光组合物更换,它可能导致不可接受的成本。
本发明的核-壳颗粒的另一个优点在于它们具有针对CMP应用适合的尺寸范围并且是它们是单分散的。
附图说明
图1是通过实例1中说明的方法获得的本发明的核-壳颗粒的分散体的TEM照片,其具有氧化铈核和氧化铈壳。
图2是旨在用作实例1中说明的方法中的核颗粒的氧化铈颗粒的分散体的SEM照片。
图3是通过实例2中说明的方法获得的本发明的核-壳颗粒的分散体的TEM照片,其具有镧掺杂的氧化铈核和氧化铈壳。
图4是通过实例3中说明的方法获得的本发明的核-壳颗粒的分散体的TEM照片,其具有氧化铈核和镧掺杂的氧化铈壳。
使用在120kV下操作的装置JEM-1400(日本电子株式会社(JEOL))收集透射电子显微镜(TEM)图像。扫描电子显微镜(SEM)图像是用日立高新技术公司(Hitachi HighTechnologies Corporation)的装置SEM S-5500获得的。
定义
在本披露内容中,表述“包含”应理解为意指“包含至少一个/种”。
当提及本发明的方法的步骤(a)和(b)中提供的水性分散体或溶液时,表述“包含”涵盖其中所述分散体和溶液“由”与其有关进行描述的化合物“组成”的实施例。
表述“包括在…与…之间”应理解为包括极限值。
在整个说明书中,术语“基于铈的”涵盖氧化铈和金属掺杂的氧化铈。氧化铈总体上具有相对于氧化物的重量按重量计至少99.8%的纯度。氧化铈总体上是结晶二氧化铈。术语“掺杂有至少一种金属的氧化铈”意指金属离子部分地替换CeO2晶格中的铈离子。因此,它也表示铈和至少一种金属的混合氧化物。在一些实施例中,它也可以表示固溶体。在该情况下,金属原子紧密地扩散到氧化铈结晶结构中。氧化物中可能存在除所述金属以外的某些杂质。这些杂质可能来源于在制备金属掺杂的氧化物的方法中使用的原料或起始材料。这些杂质的总比例总体上是相对于金属掺杂的氧化物按重量计低于0.2%。在本申请中,残余的硝酸盐不被视为杂质。
与基于铈的颗粒的分散体有关的表述“分散体”表示由稳定地分散在液体介质中的亚微米尺寸的固体细颗粒组成的体系,所述颗粒有可能还任选地含有残留量的结合的或吸附的离子,例如像硝酸根或铵根。
与形成本发明的核-壳颗粒的壳的多个小颗粒有关的术语“纳米颗粒”意指这些小颗粒具有包括在1与100nm之间的平均颗粒尺寸。如下文解释的,它尤其可以通过TEM测定。
可以使用不同的参数表征以下各项的尺寸和尺寸分布:
-本发明的整体的核-壳颗粒;
-核颗粒,值得注意地是通过表征在本发明的方法的步骤(a)的分散体中提供的颗粒;
-来自壳的纳米颗粒。
关于颗粒的分散体:
-n(>100)个颗粒的平均尺寸可以使用通过透射电子显微镜(TEM)获得的其分散体的照片测量;
-本申请中提及的标准偏差也由TEM方法确定。它具有其惯常的数学含义。它是方差的平方根并且由下式表示:
n是测量中考虑的颗粒的数目,
xi是颗粒i的尺寸,
是颗粒尺寸的平均值(1/n∑ixi)。
关于呈粉末形式的颗粒(干燥颗粒):
-颗粒的平均尺寸可以通过X射线衍射(XRD)技术测定。通过XRD测量的值对应于基于两条最强衍射线的宽度并且使用谢乐模型(Scherrer model)计算出的相干范围的大小;
-可以通过布鲁诺-埃梅特-特勒(Brunauer-Emmett-Teller)法(BET法)通过氮气吸附在粉末上测定比表面积。该方法披露于标准ASTM D 3663-03(2015年重新批准)中。该方法也在期刊“The Journal of the American Chemical Society[美国化学会会志],60,309(1938)”中进行了描述。可以使用麦克默瑞提克公司(Micromeritics)的装置TriStar3000根据制造商的指南自动地测定比表面积。在测量之前,将呈粉末形式的样品在静态空气下通过在至多210℃的温度下加热来脱气以去除吸附的物质。
-通过BET估算的颗粒的平均尺寸是从通过BET法测量的比表面积获得的颗粒的理论平均尺寸,并假设颗粒是具有7.2的密度的氧化铈的无孔球形颗粒。
颗粒的尺寸分布可以通过各种参数表征。所述参数是基于按体积计而不是按数量计的分布:
-相当于颗粒的中值直径D50的流体动力学平均直径Dh可以通过动态光散射(DLS)测定。该技术允许测量固体物体的流体动力学平均直径Dh,其值受颗粒聚集体的存在影响。因此,该测量通常在颗粒在水中的分散体上进行。使用马尔文公司(Malvern)的装置Zetasizer Nano-ZS按照制造商的指南来测定Dh。样品通常需要在去离子水中稀释。可以应用x30 000的稀释因子;
-激光衍射也可以用于测定这些颗粒的尺寸分布。可以根据制造商的指南使用激光粒度仪如Horiba LA-910。为了测量,可以使用1.7的相对折射率。从通过激光衍射获得的体积分布,可以推论出统计学中通常使用的各种参数,如D10、D50、D90和分散指数。
D10是由通过激光衍射获得的分布确定的直径,其中10%的颗粒具有小于D10的直径。
D50是由通过激光衍射获得的分布测定的中值直径。
D90是由通过激光衍射获得的分布确定的直径,其中90%的颗粒具有小于D90的直径。
“分散指数”由以下式定义:σ/m=(D90-D10)/2D50。
具体实施方式
本发明涉及一种用于生产基于铈的核-壳颗粒在液体、优选水中的分散体的方法,该方法包括以下步骤:
(a)提供包含任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒的水性分散体;提供包含铈(III)盐的水溶液;提供过氧水溶液;以及任选地提供包含至少一种金属(M’)盐的水溶液;
(b)使步骤(a)中提供的水性分散体与水溶液接触,同时保持温度包括在0℃与80℃之间并且pH低于或等于11,以产生基于铈的核-壳颗粒的分散体;
步骤(a)和(b)中的至少一个是在硝酸根离子的存在下进行。
步骤(a)中提供的水性分散体
提供任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒,用作根据本发明的方法生产的基于铈的核-壳颗粒的核颗粒。
在对步骤(a)的以下详细描述中,这些颗粒将被称为“基于铈的颗粒”,除非另有说明。
步骤(a)中使用的起始分散体可以通过将可商购的基于铈的颗粒的粉末分散在水中制备。可替代地,可以使用可商购的基于铈的颗粒的分散体。如果需要,这些分散体可以通过本身已知的方法浓缩或稀释,和/或从它们最初的有机相转移到水中,以实施步骤(a)。
相对于分散体的总重量,步骤(a)中使用的分散体可以包含至少3wt%、特别是至少5wt%、至少10wt%、至少15wt%、甚至更特别是至少20wt%的基于铈的颗粒。反应的产率将会得到更大的提高。相对于分散体的总重量,步骤(a)中使用的分散体可以包含小于50%wt、特别是小于40%wt、更特别是小于35%wt的基于铈的颗粒。
根据一个实施例,步骤(a)中使用的基于铈的颗粒是氧化铈颗粒,尤其是二氧化铈颗粒。此类颗粒可以有利地通过本申请人在WO 2008/043703、WO 2010/020466和WO 2015/091495中描述的方法之一制造。
此类氧化铈颗粒(以及因此核颗粒)可以展现出:
-通过TEM测量的平均颗粒尺寸是至多250nm、特别是至多200nm、更特别是至多170nm;通过TEM测量的平均颗粒尺寸是至少30nm、特别是至少40nm,更特别是至少50nm。所述平均颗粒尺寸的值的标准偏差可以是至多30%、特别是至多20%、更特别是至多15%;和/或
-由BET表面测量计算的平均颗粒尺寸是至多120nm、特别是至多110nm;由BET表面测量计算的平均颗粒尺寸是至少15nm、特别是至少19nm、特别是至少30nm、特别是至少40nm;和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的中值直径D50包括在60nm与170nm之间、特别是在70nm与160nm之间、更特别是在80nm与150nm之间、甚至更特别是在90nm与150nm之间;和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的分散指数是至多0.5、特别是至多0.4、更特别是至多0.3。
根据另一实施例,步骤(a)中使用的基于铈的颗粒是掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈颗粒。此类颗粒可以有利地通过本申请人在WO 2015/197656和WO 2018/229005中描述的方法之一制造。
根据该实施例,所述金属(M)可以更特别地选自由以下组成的组:来自周期表中的碱金属元素、碱土金属元素、稀土元素、锕系元素、过渡金属元素和后过渡金属元素。
表述“稀土”应理解为意指来自由钇和周期表中具有在57与71(含)之间的原子序数的元素构成的组中的元素。过渡金属元素被定义为在周期表的d区中的任何元素,其包括周期表的第3至12族。后过渡金属元素,也称为贫金属,被定义为在周期表的p区中的金属元素,值得注意地是铝、镓、铟、铊、锡、铅、铋和钋。
优选地,所述至少一种金属(M)选自由以下组成的组:过渡金属元素,如Zr;后过渡金属元素,如Al;稀土元素,如La、Pr、Nd和Y;以及碱土金属元素,如Sr。更优选地,所述至少一种金属(M)选自由以下组成的组:镧、镨、钕和锆。还更优选地,所述至少一种金属(M)选自由以下组成的组:镧、镨和钕。甚至更优选地,所述至少一种金属(M)是镧。
仍然根据该实施例,步骤(a)中使用的金属(M)掺杂的氧化铈颗粒中的摩尔比M/M+Ce可以包括在0.01与0.15之间、更特别是在0.01与0.13之间、特别是在0.01与0.12之间。
此类金属(M)掺杂的氧化铈颗粒可以展现出:
-通过TEM测量的平均颗粒尺寸是至多250nm、特别是至多200nm、更特别是至多170nm;通过TEM测量的平均颗粒尺寸是至少30nm、特别是至少40nm,更特别是至少50nm。所述平均颗粒尺寸的值的标准偏差可以是至多30%、特别是至多20%、更特别是至多15%;和/或
-由BET表面测量计算的平均颗粒尺寸是至多120nm、特别是至多110nm;由BET表面测量计算的平均颗粒尺寸是至少15nm、特别是至少19nm、至少30nm、特别是至少40nm;和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的中值直径D50包括在60nm与700nm之间、特别是在70nm与200nm之间;和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的分散指数是至多0.6、特别是至多0.4、更特别是至多0.3。
根据一个子实施例,步骤(a)中使用的基于铈的颗粒是镧掺杂的氧化铈颗粒。此类颗粒可以展现出:
-由通过DLS获得的分布确定的流体动力学平均直径Dh包括在100nm与1000nm之间、更特别是在100nm与500nm之间、甚至更特别是在100nm与250nm之间、甚至更特别是在150nm与250nm之间。和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的中值直径D50包括在100nm与700nm之间、特别是在100nm与200nm之间;和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的分散指数是至多0.6、特别是至多0.4、更特别是至多0.3。
此类颗粒尤其可以如WO 2018/229005中所述进行制造。
步骤(a)中提供的基于铈的颗粒的分散体的温度可以在步骤(b)之前设定在包括在0℃与80℃之间、优选在10℃与60℃之间、更优选在15℃与45℃之间、特别是在20℃与40℃之间、更特别是在25℃与35℃之间、甚至更特别是在30℃与35℃之间的值。优选在搅拌分散体的同时设定所需的温度。可以在调节温度之前开始搅拌。
同样,步骤(a)中提供的基于铈的颗粒的分散体的pH可以在步骤(b)之前设定在低于或等于11、优选包括在3与11之间、优选在4与11之间、优选在8与11之间、更优选在8与10之间、特别是在8与9之间、更特别是约9的值。在这方面可以使用pH调节剂。取决于分散体的初始pH,pH调节剂可以是酸或碱。作为合适的酸,可以提及的是硝酸、盐酸、磺酸、碳酸、吡啶甲酸、丙酸及其混合物,优选硝酸。作为合适的碱,可以提及的是碱金属氢氧化物和碱土金属氢氧化物以及氨水。还可以使用仲胺、叔胺或季胺。优选氨水。根据优选的实施例,pH调节剂是碱,优选氨水。
步骤(a)中提供的核颗粒的制备
根据一个实施例,步骤(a)中使用的基于铈的颗粒通过基于铈(III)盐和铈(IV)盐的沉淀的方法制备。此方法包括以下步骤:
(a’)在惰性气氛下,使碱的水溶液和包含NO3 -、Ce(III)、Ce(IV)和任选地至少一种金属(M)的水溶液接触;
(b’)在惰性气氛下使步骤(a’)中获得的混合物经受热处理;
(c’)可以任选地将在步骤(b’)结束时获得的混合物酸化;
(d’)可以任选地用水洗涤在步骤(b’)或步骤(c’)结束时获得的固体材料;
(e’)可以使在步骤(d’)结束时获得的固体材料任选地经受机械处理以使这些颗粒解附聚。
步骤(a’)中的Ce(IV)/总Ce摩尔比可以包括在1/500 000与1/4000之间。它通常可以在1/90 000与1/100 000之间。
如果在步骤(a’)中提供至少一种金属(M),则确定其合适的量,以获得包括在0.01与0.15之间、更特别是在0.01与0.12之间的根据该实施例生产的金属(M)掺杂的氧化铈颗粒中的摩尔比M/M+Ce。
如果存在于步骤(a’)的水溶液中,金属(M)由盐提供,该盐可以是金属(M)的硝酸盐、氯化物、硫酸盐、磷酸盐、乙酸盐或碳酸盐,以及还有这些盐的混合物,如混合硝酸盐/氯化物。它优选是金属(M)的硝酸盐。金属(M)如在以上关于本发明的方法的步骤(a)的描述中定义。
步骤(a’)中使用的水溶液中硝酸根离子的量(以NO3 -/Ce(III)摩尔比表示)通常在1/3与5/1之间。
选择步骤(a’)中使用的水溶液的酸度,以使铈(III)完全存在于溶液中。它优选地包括在0.8N与12.0N之间。
铈(IV)在步骤(a’)中可以由盐提供,该盐可以是铈(IV)的硝酸盐、硫酸盐,硝酸铈铵,硫酸铈铵。它优选地是硝酸铈(IV)。根据FR 2570087中披露的硝酸铈溶液的电解氧化方法,可以有利地获得硝酸铈溶液。根据FR2570087的传授内容获得的硝酸铈溶液可以展现出约0.6N的酸度。
铈(III)在步骤(a’)中可以由盐提供,该盐可以是铈(III)的硝酸盐、氯化物、硫酸盐、磷酸盐、乙酸盐或碳酸盐,以及还有这些盐的混合物,如混合硝酸盐/氯化物。它优选地是硝酸铈(III)。
应仔细控制并最小化步骤(a’)中起始溶液中的游离氧的量。为此,该起始溶液可以通过使用惰性气体鼓泡来脱气。术语“惰性气体”或“惰性气氛”旨在意指不含氧气的气氛或气体,该气体有可能是,例如,氮气或氩气。
作为步骤(a’)中使用的碱,可以特别使用氢氧化物类型的产品。可以提及的是碱金属氢氧化物或碱土金属氢氧化物和氨水。还可以使用仲胺、叔胺或季胺。碱的水溶液还可以通过使用惰性气体鼓泡来预先脱气。步骤(a’)中使用的碱的量(以摩尔比碱/(Ce+任选的M)表示)优选地包括在8.0与30.0之间。此比率可以优选高于9.0。
步骤(a’)通常可以在包括在5℃与50℃之间的温度下进行。该温度可以是20℃-25℃。
步骤(b’)是热处理在前一步骤结束时获得的反应介质。它包括(i)加热子步骤和(ii)老化子步骤。加热子步骤(i)包括在通常包括在75℃与95℃之间、更特别是在80℃与90℃之间、甚至更特别是在85℃与90℃之间的温度下加热该介质。
老化子步骤(ii)包括将该介质维持在包括在75℃与95℃之间、更特别是在80℃与90℃之间、甚至更特别是在85℃与90℃之间的温度下。老化子步骤(ii)的持续时间在2小时至20小时之间。老化步骤的温度越高,老化子步骤的持续时间越短。例如,当老化子步骤的温度在85℃与90℃之间(例如88℃)时,老化子步骤的持续时间可以是在2小时与15小时之间、更特别是在4小时与15小时之间。当老化子步骤的温度在75℃与85℃之间(例如80℃)时,老化子步骤的持续时间可以是在15小时与30小时之间。
在步骤(b’)期间,发生Ce(III)至Ce(IV)的氧化。此步骤还可以在惰性气氛下进行。关于用于步骤(a’)的气氛的描述在此适用。
在步骤(c’)中,可以任选地将在步骤(b’)结束时获得的混合物酸化。此步骤(c’)可以通过使用硝酸进行。反应混合物可以通过HNO3酸化至低于3.0、更特别是包括在1.5与2.5之间的pH。
在步骤(d’)中,可以用水、优选去离子水洗涤在步骤(b’)或步骤(c’)结束时获得的固体材料。该操作使得可以减少分散体中的残余阴离子、尤其硝酸根的量并获得目标电导率。该步骤可以通过从混合物中过滤固体并将该固体再分散于水中来进行。必要时可以进行多次过滤和再分散。
在步骤(e’)中,可以使在步骤(d)结束时获得的固体材料经受机械处理以使这些颗粒解附聚。该步骤可以通过双喷射处理或超声解附聚来进行。该步骤通常导致尖锐的粒度分布并减少大的附聚颗粒的数量。根据一个实施例,使基于铈的颗粒经受解附聚的机械处理。根据另一个实施例,基于铈的颗粒未经受解附聚的机械处理。
在步骤(e’)之后,可以将固体材料干燥以获得呈粉末形式的步骤(a)中提供的基于铈的颗粒。在步骤(e’)之后,还可以添加水以直接获得步骤(a)中提供的基于铈的颗粒的水性分散体。
步骤(a)中提供的一种或多种水溶液
包含铈(III)盐的水溶液、过氧化物溶液和任选的包含至少一种金属(M’)盐的水溶液的目的是形成待生产的基于铈的核-壳颗粒的壳的纳米颗粒。
铈(III)盐可以是铈(III)的硝酸盐、氯化物、硫酸盐、磷酸盐或碳酸盐,以及还有这些盐的混合物,如混合硝酸盐/氯化物。它优选地是硝酸铈(III)。
硝酸根离子可以在步骤(a)或(b)的任何一个中提供。硝酸根离子的量(以NO3 -/Ce(III)摩尔比表示)通常在1/3与5/1之间。
选择步骤(a)中提供的包含铈(III)盐的水溶液的酸度,以使铈(III)完全存在于溶液中。它优选地包括在0.8N与12.0N之间。在这方面可以使用合适的酸,如硝酸、盐酸、磺酸、碳酸、吡啶甲酸、丙酸及其混合物,优选硝酸。
有利的是使用高纯度的盐和成分。盐的纯度可以是至少99.5%wt、更特别是至少99.9%wt。
根据其中希望获得金属(M’)掺杂的氧化铈的壳的一个实施例,在步骤(a)中还提供包含至少一种金属(M’)盐的水溶液。金属(M’)盐可以是金属(M’)的硝酸盐、氯化物、硫酸盐、磷酸盐、乙酸盐或碳酸盐,以及还有这些盐的混合物,如混合硝酸盐/氯化物。它优选地是金属(M’)的硝酸盐。当希望生产其中核和壳都被掺杂的基于铈的核-壳颗粒时,金属(M’)可以与上述金属(M)相同或不同。金属(M’)可以更特别地选自由以下组成的组:来自周期表中的碱金属元素、碱土金属元素、稀土元素、锕系元素、过渡金属元素和后过渡金属元素。关于金属(M)给出的这些元素组的定义同样适用。优选地,所述至少一种金属(M’)选自由以下组成的组:过渡金属元素,如Zr;后过渡金属元素,如Al;稀土元素,如La、Pr、Nd和Y;以及碱土金属元素,如Sr。更优选地,所述至少一种金属(M’)选自由以下组成的组:镧、镨、钕和锆。还更优选地,所述至少一种金属(M’)选自由以下组成的组:镧、镨和钕。甚至更优选地,所述至少一种金属(M’)是镧。
根据该实施例,可以确定金属(M’)的盐的量,以获得包括在0.01与0.15之间、更特别是在0.01与0.12之间的核-壳颗粒的壳中的摩尔比M’/M’+Ce。
步骤(a)中还提供过氧水溶液。本发明中使用过氧化物作为氧化剂以将Ce3+离子变成Ce4+离子。
本发明中使用的过氧化物可以选自过氧化氢、水溶性过酸和任何其他含有式-O-O-的过氧化物基团的水溶性分子。过氧化氢是优选的。
所使用的过氧水溶液中的过氧化物的量的范围可以是相对于过氧水溶液的总重量从5至70wt%、尤其是从20至50wt%、更特别是从30至40wt%。
步骤(b)
步骤(b)包括使步骤(a)中提供的包含任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒的水性分散体、包含铈(III)盐的水溶液、过氧水溶液以及任选地包含至少一种金属(M’)盐的水溶液反应,同时保持温度包括在0℃与80℃之间并且pH低于或等于11,以产生基于铈的核-壳颗粒的分散体。
水性分散体和水溶液可以按任何顺序或任何组合同时或依次接触。
尤其地,包含任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒的水性分散体可以与包含铈(III)盐的水溶液接触。所得溶液可以与过氧水溶液接触。
当两者都提供时,包含铈(III)盐的水溶液和包含至少一种金属(M’)盐的水溶液尤其可以在步骤(b)之前彼此接触,以便形成包含铈(III)盐和至少一种金属(M’)盐的水溶液。包含任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒的分散体可以与该溶液接触。并且所得溶液可以与过氧水溶液接触。
接触步骤(b)可以包括接触子步骤(i),随后是老化子步骤(ii)。在接触子步骤(i)期间,使分散体和溶液彼此接触,同时保持所需的温度和pH。在老化子步骤(ii)期间,将由接触子步骤(i)得到的介质在所需的温度和pH下保持一定的时间段。
接触子步骤(i)可以通过将溶液引入、优选逐渐引入和/或顺序引入步骤(a)中提供的分散体中来进行。
在开始步骤(b)之前的摩尔比氧化铈/铈(III)可以包括在1/1与100/1之间、特别是在3/1与30/1之间、更特别是在5/1与15/1之间。
在开始步骤(b)之前的摩尔比过氧化物/铈(III)优选低于0.50、特别是等于或低于0.40、更特别是等于或低于0.38。其优选等于或高于0.01、特别是等于或高于0.10、更特别是等于或高于0.20。
老化子步骤(ii)的持续时间可以是从2小时至24小时、特别是从2小时至10小时、更特别是从2小时至5小时。
在步骤(b)的持续时间内,介质的温度保持在包括在0℃与80℃之间、优选在10℃与60℃之间、更优选在15℃与45℃之间、特别是在20℃与40℃之间、更特别是在25℃与35℃之间、甚至更特别是在30℃与35℃之间的值。足够值得注意的是,该方法可以在低温下操作。因此可以实现节能。
在步骤(b)的持续时间内,介质的pH保持在低于或等于11、优选在3与11之间、优选在4与11之间、优选在8与11之间、更优选在8与10之间、特别是在8与9之间、更特别是约8的值。取决于介质的初始pH,pH调节剂可以是酸或碱。作为合适的酸,可以提及的是硝酸、盐酸、磺酸、碳酸、吡啶甲酸、丙酸及其混合物,优选硝酸。作为合适的碱,可以提及的是碱金属氢氧化物和碱土金属氢氧化物以及氨水。还可以使用仲胺、叔胺或季胺。优选氨水。根据优选的实施例,pH调节剂是碱,优选氨水。
步骤(b)可以有利地在大气压下(即在约1,013.25毫巴下)进行。
步骤(b)可以在惰性气氛下或不在惰性气氛下进行。术语“惰性气氛”具有与以上解释的相同的含义。根据一个实施例,反应是在氧化气氛下进行的。“氧化气氛”具有对于本领域技术人员来说通常的含义,即包含游离氧的气氛。它可以是空气或任何含氧气氛,例如像富含分子氧的气氛。
可以在步骤(b)的持续时间内进行介质的搅拌。
根据一个实施例,在步骤(a)或(b)中不引入Ce(IV)的盐。在常规的基于铈沉淀的方法中,铈(IV)离子被用作晶种来促进溶液中的成核。然而,在本发明的方法中,由步骤(a)的分散体提供的并旨在成为核颗粒的基于铈的颗粒已经起到了这种作用。附加的Ce(IV)盐的存在可能导致独立于核-壳颗粒形成氧化铈的小颗粒,并因此增加所获得的颗粒的分散体的分散指数,这对于目标抛光应用是不希望的。
任选步骤(c)
在步骤(c)中,可以任选地将在步骤(b)或下文详述的步骤(d)结束时获得的混合物酸化。该步骤(c)可通过使用合适的酸如硝酸、吡啶甲酸、丙酸、盐酸、磺酸、碳酸、及其混合物,优选硝酸进行。可将该反应混合物酸化至低于3.0、更特别地包括在1.5与2.5之间的pH。
任选步骤(d)
在步骤(d)中,可以用水、优选去离子水洗涤在步骤(b)或步骤(c)结束时获得的固体材料。当二者均进行时,步骤(c)和(d)可以以任何顺序进行。此操作使得能够减少分散体中的残余阴离子、尤其是硝酸根的量并获得目标电导率。此步骤可以通过从介质中过滤固体并将该固体再分散于水中来进行。必要时可以进行多次过滤和再分散。
任选步骤(e)
在步骤(e)中,可以使在步骤(b)、(c)或(d)结束时获得的固体材料经受机械处理以使核-壳颗粒解附聚。该步骤可以通过双喷射处理或超声解附聚来进行。该步骤通常导致尖锐的粒度分布并减少大的附聚颗粒的数量。根据一个实施例,使基于铈的核-壳颗粒经受解附聚的机械处理。根据另一个实施例,基于铈的核-壳颗粒未经受解附聚的机械处理。
在步骤(e)之后,固体材料可以在步骤(f)中干燥,以获得呈粉末形式的本发明的基于铈的核-壳颗粒。在步骤(e)之后,还可以添加水以获得根据本发明的基于铈的核-壳颗粒的水性分散体。除水之外的其他液体可以用于制备根据本发明的分散体,如水/水混溶性溶剂混合物或有机溶剂。此类分散体可以通过本身已知的方法由通过本发明的方法获得的水性分散体制备。还可将该分散体的pH调节为典型地包括在4与6之间的值。
根据一个实施例,生产具有氧化铈的核和由La掺杂的氧化铈的纳米颗粒组成的壳的基于铈的核-壳颗粒。为此,在步骤(a)中提供氧化铈的颗粒的水性分散体、包含铈(III)盐(优选硝酸铈(III))的水溶液和包含镧盐(优选硝酸镧)的水溶液,以实施上述方法。
根据另一个实施例,生产具有氧化铈的核和由氧化铈的纳米颗粒组成的壳的氧化铈核-壳颗粒。为此,在步骤(a)中提供氧化铈的颗粒的水性分散体和包含铈(III)盐(优选硝酸铈(III))的水溶液,以实施上述方法。
颗粒
本发明涉及通过上述方法可获得的或获得的基于铈的核-壳颗粒。
本发明尤其涉及基于铈的核-壳颗粒,其中每个基于铈的核-壳颗粒具有由任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈制成的核颗粒和由任选掺杂有至少一种金属(M’)的氧化铈的多个纳米颗粒组成的壳,所述纳米颗粒在该核颗粒的表面上形成,其中通过TEM测量的这些核-壳颗粒的平均尺寸与通过BET测量的这些核-壳颗粒的平均尺寸的比率是至少1.5。
此类基于铈的核-壳颗粒可以另外展现出:
-通过TEM测量的平均核-壳颗粒尺寸是至多200nm、特别是至多190nm;它也可以是至多180nm、特别是至多150nm、至多140nm、至多130nm、甚至至多120nm。氧化铈颗粒可以展现出至少30nm、特别是至少40nm、更特别是至少50nm的通过TEM测量的平均颗粒尺寸。所述平均颗粒尺寸的值的标准偏差可以是至多30%、特别是至多25%、特别是至多20%、更特别是至多15%;和/或
-由BET表面测量计算的平均核-壳颗粒尺寸是至多120nm、特别是至多100nm、至多85nm。氧化铈颗粒可以展现出至少15nm、特别是至少19nm、特别是至少20nm、特别是至少30nm的由BET表面测量计算的平均颗粒尺寸;和/或
-通过TEM测量的核壳颗粒的平均尺寸与通过BET测量的核壳颗粒的平均尺寸的比率特别是至少1.7、至少1.9、更特别是至少2.0;和/或
-通过DLS测定的流体动力学平均直径Dh包括在50nm与300nm之间、特别是在70nm与280nm之间、特别是在80nm与250nm之间、特别是在90nm与230nm之间。
-由通过激光衍射获得的分布确定的中值直径D50包括在30nm与180nm之间、特别是在60nm与160nm之间、更特别是在80nm与150nm之间、甚至更特别是在90nm与145nm之间;和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的中值直径D10包括在10nm与160nm之间、特别是在40nm与130nm之间、更特别是在60nm与120nm之间、甚至更特别是在70nm与110nm之间;和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的中值直径D90包括在45nm与250nm之间、特别是在90nm与220nm之间、更特别是在100nm与210nm之间、甚至更特别是在110nm与200nm之间;和/或
-由通过激光衍射获得的分布确定的分散指数是至多0.5、特别是至多0.4、至多0.3;和/或
-通过TEM测量的来自壳的纳米颗粒的平均尺寸与通过TEM测量的核颗粒的平均尺寸的比率是至多1/2、特别是至多1/3、特别是至多1/4;和/或
-通过BET测定的比表面积包括在8与60m2/g之间、特别是包括在8与45m2/g之间、特别是包括在8与30m2/g之间、特别是在10与28m2/g之间、特别是在14与25m2/g之间、更特别是在15与22m2/g之间;和/或
-平均微晶尺寸包括在60与120nm之间、特别是在60与80nm之间。它是通过应用谢乐常数等于0.94的谢乐模型根据(111)面的FWHM计算的。
D10、D50、D90的最小值可以各自在本专利申请的实例中选择。D10、D50、D90的最大值可以各自在本专利申请的实例中选择。
任选存在于本发明的核-壳颗粒中的金属(M)和/或(M’)可以选自以上关于生产方法所述的金属。
当核颗粒掺杂有至少一种金属(M)时,核颗粒中的摩尔比M/M+Ce可以包括在0.01与0.15之间、更特别是在0.01与0.13之间、特别是在0.01与0.12之间。
当壳纳米颗粒掺杂有至少一种金属(M’)时,壳颗粒中的摩尔比M’/M’+Ce可以包括在0.01与0.15之间、更特别是在0.01与0.13之间、特别是在0.01与0.12之间。
根据本发明的具体实施例:
-核和壳颗粒都由氧化铈制成;或者
-核颗粒由氧化铈制成,并且壳颗粒由镧掺杂的氧化铈制成;或者
-核颗粒由镧掺杂的氧化铈制成,并且壳颗粒由氧化铈制成;或者
-核颗粒由镧掺杂的氧化铈制成,并且壳颗粒由镧掺杂的氧化铈制成。
分散体
本发明还涉及本发明的基于铈的核-壳颗粒在液体介质中的分散体。
本发明的分散体中包含的基于铈的核-壳颗粒的ζ电势有利地为正。它可以在包括在4与9.5之间的分散体的pH值下测量。ζ电势可以用来自康塔公司(Quantachrome)的zeta电位仪DT300在按重量计1%的分散体上测量。
本发明的分散体可以有利地展现出低于600μS/cm、低于300μS/cm、更特别是低于150μS/cm、甚至更特别是低于100μS/cm的电导率。
该液体介质可以是水或水与水混溶性有机液体的混合物。水混溶性有机液体不应使颗粒沉淀或附聚。水混溶性有机液体可以是例如醇,如异丙醇、乙醇、1-丙醇、甲醇、1-己醇;酮,如丙酮、二丙酮醇、甲基乙基酮;酯,如甲酸乙酯、甲酸丙酯、乙酸乙酯、乙酸甲酯、乳酸甲酯、乳酸丁酯、乳酸乙酯。比例水/有机液体可以在80/20至99/1(wt/wt)之间。
基于铈的核-壳颗粒在分散体中的比例可以包括在0.5wt%与40.0wt%之间,此比例被表示为基于铈的核-壳颗粒相对于分散体总重量的重量。此比例可以包括在10.0wt%与35.0wt%之间。
基于铈的核-壳颗粒或分散体的用途
本发明的基于铈的核-壳颗粒或本发明的分散体可以用于制备抛光组合物、更特别是CMP组合物。它们用作抛光组合物、更特别是CMP组合物的组分。
CMP组合物(或化学-机械抛光组合物)是用于从基底的表面选择性去除材料的抛光组合物。它用于集成电路和其他电子器件领域。实际上,在集成电路和其他电子器件的制造中,将导电材料、半导电材料和介电材料的多个层沉积到基底的表面上或从基底的表面去除。当将材料层顺序地沉积到基底上并且从基底去除时,基底的最上表面可能变得不平坦并且需要平坦化。对表面进行平坦化(或“抛光”)表面是从基底表面去除材料以形成大致均匀的、平坦的表面的过程。平坦化可用于去除不需要的表面形貌和表面缺陷,如粗糙表面、附聚材料、晶格损伤、划痕和被污染的层或材料。平坦化还可用于通过除去用于填充特征并为后续各层级的金属化和加工提供均匀的表面的过量沉积材料在基底上形成特征。
可以用抛光组合物或CMP组合物抛光的基底可以是例如二氧化硅型基底、玻璃、半导体或晶片。
抛光组合物或CMP组合物通常含有除基于铈的核-壳颗粒以外的不同成分。该抛光组合物可以包含以下成分中的一种或多种:
-除基于铈的颗粒以外的磨料颗粒(在此称为“附加磨料颗粒”);和/或
-pH调节剂;和/或
-表面活性剂;和/或
-流变控制剂,包括粘度增强剂和凝聚剂;和/或
-选自羧酸单体、磺化单体或膦酸化单体以及丙烯酸酯、聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇的阴离子共聚物的添加剂(例如,2-羟乙基甲基丙烯酸和甲基丙烯酸的共聚物);非离子聚合物,其中该非离子聚合物是聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇;硅烷,其中该硅烷是氨基硅烷、脲基硅烷或缩水甘油基硅烷;官能化吡啶的N-氧化物(例如吡啶甲酸N-氧化物);淀粉;环糊精(例如,α-环糊精或β-环糊精)及其组合。
该抛光组合物的pH通常包括在1与6之间。典型地,该抛光组合物具有3.0或更高的pH。此外,该抛光组合物的pH典型地是6.0或更低。
本发明的基于铈的核-壳颗粒可以用于以下文献中披露的抛光组合物中:WO2013/067696;WO 2016/140968;WO 2016/141259;WO 2016/141260;WO 2016/047725;WO2016/006553。
本发明还涉及一种去除基底的一部分的方法,该方法包括用抛光组合物抛光基底,该抛光组合物由包含根据本发明的基于铈的核-壳颗粒的分散体制备。
本发明最后涉及一种包括通过该方法抛光的基底的半导体。
如果通过援引并入本文的任何专利、专利申请和公开物的披露内容与本申请的说明相冲突到了可能导致术语不清楚的程度,则本说明应优先。
实例
现在将通过以下实例对本发明进行进一步说明,而无意对本发明进行限制。
实例1:颗粒核CeO2壳CeO2-浓度20wt%
通过在504.3g去离子水中添加895.7g的按重量计31.3%的从索尔维公司(Solvay)可商购的CeO2水性分散体(由BET测量计算的平均一次颗粒尺寸=60nm)制备按重量计20%的氧化铈颗粒在水中的分散体。通过在664.9g去离子水中添加135.1g的28%氨水制备稀释氨溶液。通过在21.2g去离子水中添加153.4g的2.87M的三价硝酸铈溶液制备三价硝酸铈溶液的溶液。
将按重量计20%的氧化铈水性分散体引入半封闭的2L夹套反应器中,并且然后搅拌(以600rpm的具有四个倾斜叶片的搅拌器)。然后在同样的搅拌下将反应混合物升温至35℃。通过添加2.5M的氨溶液,将分散体的初始pH增加至8。然后通过蠕动泵以每分钟7g添加三价硝酸铈溶液。在此步骤期间,通过控制添加2.5M的氨溶液将pH保持在8。添加结束后,将反应混合物在相同的温度和相同的搅拌下保持3分钟,然后在6分钟内添加10.74g的按重量计30.9%的市售H2O2溶液。然后将反应混合物在相同的温度和搅拌下保持2h47。在此期间,通过控制添加2.5M的氨溶液来保持pH。然后停止反应,并且通过离心、去除离心上清液并将滤饼再分散在去离子水中将分散体洗涤若干次。最后,将分散体调节至按重量计10%-15%,其中pH约为5并且离子电导率低于0.1mS.cm-1。分散体通过连续通过双冲击射流均化器而解附聚。
通过TEM观察获得的分散体(图1)。观察到铈盐沉淀在掺杂的氧化铈颗粒上,使得形成具有粗糙表面的壳。在对TEM图像上的150个颗粒计数后测定平均颗粒尺寸,由此获得109nm的平均颗粒尺寸。
将部分分散体在200℃的烘箱中干燥,从而获得用于BET表面测量的粉末。通过氮吸附测定的起始颗粒的BET比表面积是13m2/g并且核-壳颗粒的是20m2/g,分别得出64nm和42nm的平均一次颗粒尺寸(得出平均尺寸TEM/尺寸BET的比率是2.6)。二次颗粒尺寸也在水中相对折射率为1.7的CeO2下通过动态光散射(DLS)进行测量。对于核-壳颗粒的流体动力学直径是158nm。
实例2:颗粒核镧掺杂的氧化铈-壳氧化铈
通过在459.5g去离子水中添加940.5g的按重量计29.8%的CeO2:La水性分散体,(由BET测量计算的平均一次颗粒尺寸=74nm,La/La+Ce摩尔比是0.025,根据WO 2018/229005实例1合成)制备按重量计20%的镧掺杂的氧化铈颗粒在水中的分散体。通过在667.3g去离子水中添加132.7g的28%氨水制备稀释氨溶液。通过在41.3g去离子水中添加70.5g的2.87M的三价硝酸铈溶液制备三价硝酸铈溶液的溶液。
将按重量计20%的氧化铈水性分散体引入半封闭的2L夹套反应器中,并且然后搅拌(以600rpm的具有四个倾斜叶片的搅拌器)。然后在同样的搅拌下将反应混合物升温至35℃。通过添加2.5M的氨溶液,将分散体的初始pH增加至8。然后通过蠕动泵以每分钟3.2g添加三价硝酸铈溶液。在此步骤期间,通过控制添加2.5M的氨溶液将pH保持在8。添加结束后,将反应混合物在相同的温度和相同的搅拌下保持3分钟,然后在3分钟又20秒内添加4.88g的按重量计30.9%的市售H2O2溶液。然后将反应混合物在相同的温度和搅拌下保持2h46。在此期间,通过控制添加2.5M的氨溶液来保持pH。然后停止反应,并且通过离心、去除离心上清液并将滤饼再分散在去离子水中将分散体洗涤若干次。最后,将分散体调节至按重量计10%-15%,其中pH约为5并且离子电导率低于0.1mS.cm-1。分散体通过连续通过双冲击射流均化器而解附聚。
通过TEM观察获得的分散体(图3)。观察到铈盐沉淀在掺杂的氧化铈颗粒上,使得形成具有粗糙表面的壳。在对TEM图像上的150个颗粒计数后测定平均颗粒尺寸,由此获得137nm的平均颗粒尺寸。
将部分分散体在200℃的烘箱中干燥,从而获得用于BET表面测量的粉末。通过氮吸附测定的BET比表面积对于起始颗粒是11.3m2/g,并且对于核-壳颗粒是12.9m2/g,分别得出74nm和65nm的平均一次颗粒尺寸(得出平均尺寸TEM/尺寸BET的比率是2.1)。二次颗粒尺寸也在水中相对折射率为1.7的CeO2下通过动态光散射(DLS)进行测量。对于核-壳颗粒的流体动力学直径是200nm。
实例3:颗粒核氧化铈;壳镧掺杂的氧化铈
通过在1153.3g去离子水中添加246.7g的按重量计28.4%的从索尔维公司可商购的CeO2水性分散体(由BET测量计算的平均一次颗粒尺寸=60nm)制备按重量计5%的氧化铈颗粒在水中的分散体。通过在667.3g去离子水中添加132.7g的28%氨水制备稀释氨溶液。在87.5g去离子水中添加22.8g的2.87mol/L Ce3+的三价硝酸铈溶液和2.6g的2.87mol/L La3+的硝酸镧溶液制备三价硝酸铈和硝酸镧的溶液。
将按重量计5%的氧化铈水性分散体引入半封闭的2L夹套反应器中,并且然后搅拌(以600rpm的具有四个倾斜叶片的搅拌器)。然后在同样的搅拌下将反应混合物升温至35℃。通过添加2.5M的氨溶液,将分散体的初始pH增加至8。然后通过蠕动泵以每分钟4.2g添加三价硝酸铈和硝酸镧溶液。在此步骤期间,通过控制添加2.5M的氨溶液将pH保持在8。添加结束后,将反应混合物在相同的温度和相同的搅拌下保持3分钟,然后在3分钟又20秒内添加1.58g的按重量计30.9%的市售H2O2溶液。然后将反应混合物在相同的温度和搅拌下保持2h23。在此期间,通过控制添加2.5M的氨溶液来保持pH。然后停止反应,并且通过离心、去除离心上清液并将滤饼再分散在去离子水中将分散体洗涤若干次。最后,将分散体调节至按重量计10%-15%,其中pH约为5并且离子电导率低于0.1mS.cm-1。分散体通过连续通过双冲击射流均化器而解附聚。
通过TEM观察获得的分散体(图4)。观察到铈盐沉淀在掺杂的氧化铈颗粒上,使得形成具有粗糙表面的壳。在对TEM图像上的150个颗粒计数后测定平均颗粒尺寸,由此获得109nm的平均颗粒尺寸。
将部分分散体在200℃的烘箱中干燥,从而获得用于BET表面测量的粉末。通过氮吸附测定的BET比表面积对于起始颗粒是13m2/g,并且对于核-壳颗粒是16.7m2/g,分别得出64nm和50nm的平均一次颗粒尺寸(得出平均尺寸TEM/尺寸BET的比率是2.2)。二次颗粒尺寸也在水中相对折射率为1.7的CeO2下通过动态光散射(DLS)进行测量。对于核-壳颗粒的流体动力学直径是154nm。
对比实例1:
除了施加的温度是85℃而不是35℃外,重复实例1。
通过TEM观察分散体。注意到起始颗粒未被小微晶覆盖(没有核-壳结构)。
对比实例2:
除了pH是12而不是8外,重复实例1。
通过TEM观察分散体。注意到起始颗粒附聚并且未被小微晶覆盖(没有核-壳结构)。
对比实例3:水热合成
通过在208.4g去离子水中添加41.6g的按重量计30%的从索尔维公司可商购的氧化铈水性分散体(由BET测量计算的平均一次颗粒尺寸=60nm)制备按重量计5%的氧化铈颗粒在水中的分散体。通过在771g去离子水中添加28g的28%氨水制备1N氨溶液。通过在249.25g去离子水中添加0.75g的2.87M的三价硝酸铈溶液制备三价硝酸铈溶液的溶液。
将按重量计5%的氧化铈悬浮液和三价硝酸铈溶液引入半封闭的2L夹套反应器中,并且然后搅拌(以300rpm的具有四个倾斜叶片的搅拌器)。通过添加适量的1N氨溶液将混合物的pH调节至11,并搅拌两小时。然后将溶液转移到特氟隆瓶中,并置于170℃的不锈钢高压釜中维持12h。
通过TEM观察分散体(图3)。注意到起始颗粒未被小微晶覆盖(没有核-壳结构)。
抛光性能的评估
使用的抛光机是Struers Tegramin。待抛光表面由无定形二氧化硅制成。在以下条件下测试核-壳颗粒在水中的分散体:
·在头部上施加的压力:50N;
·转速:150rpm;
·垫:氯丁橡胶(MD-Chem)-用于每个序列的新的垫;
·分散体的流速:15mL/min;
·分散体:核-壳颗粒的量是1wt%;
·分散体的pH包括在6.0与6.1之间,通过添加稀释的NH4OH获得;
·抛光时间:10分钟。
作为参考,使用1%wt并且pH=6.0的从索尔维公司可商购的颗粒氧化铈水性分散体(由BET测量计算的平均CeO2一次颗粒尺寸=60nm)。
抛光序列如下:
1)测试参考分散体,
2)测试样品,
3)第二次测试样品。
在序列的每个步骤之间,用去离子水清洗垫,并且在受控的流速下将待测试的分散体引入到待抛光的表面上。
记录基底的重量损失。然后将以nm/min表示的去除速率(RR)计算为:
其中:
·Δm是基底的重量损失;
·R是基底的半径;
·ρ是基底的密度;
·Δt是抛光时间;
去除速率效率比是针对每个序列的用测试分散体实现的平均去除速率与用参考分散体实现的去除速率的比率。实例1的颗粒为1.28并且实例2的颗粒为1.38,这反映了与所使用的参考相比去除速率的提高(去除速率效率比高于1)。
在抛光测试结束时,目视检查基底和核-壳颗粒:证实了来自本发明的核-壳颗粒的壳的纳米颗粒被充分固定以在抛光期间保持附着在核上。
Claims (22)
1.一种用于生产基于铈的核-壳颗粒在液体中的分散体的方法,该方法包括以下步骤:
(a)提供包含任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒的水性分散体;提供包含铈(III)盐的水溶液;提供过氧水溶液;以及任选地提供包含至少一种金属(M’)盐的水溶液;
(b)使步骤(a)中提供的该水性分散体与这些水溶液接触,同时保持温度包括在0℃与80℃之间并且pH低于或等于11,以产生该基于铈的核-壳颗粒的分散体;
步骤(a)和(b)中的至少一个是在硝酸根离子的存在下进行。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,相对于该水性分散体的总重量,步骤(a)中的该水性分散体包含至少3wt%、特别是至少5wt%、特别是至少10wt%、特别是至少15wt%、更特别是至少20wt%的任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,步骤(a)中的该水性分散体中提供的这些颗粒是氧化铈的颗粒。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中,步骤(a)中的该水性分散体中提供的这些颗粒是掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈的颗粒,该至少一种金属选自由以下组成的组:来自周期表中的碱金属元素、碱土金属元素、稀土元素、锕系元素、过渡金属元素和后过渡金属元素。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,该金属(M)选自由以下组成的组:Zr、Al、La、Pr、Nd、Y和Sr。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其中,步骤(a)中的该水性分散体中提供的这些颗粒中的摩尔比M/(M+Ce)包括在0.01与0.15之间、优选在0.01与0.12之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中,步骤(a)中提供的该过氧水溶液是过氧化氢溶液。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,在步骤(a)中提供该包含该至少一种金属(M’)盐的水溶液,并且其中该金属(M’)选自由以下组成的组:来自周期表中的碱金属元素、碱土金属元素、稀土元素、锕系元素、过渡金属元素和后过渡金属元素。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,该金属(M’)选自由以下组成的组:Zr、Al、La、Pr、Nd、Y和Sr。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中,所生产的这些核-壳颗粒的壳中的摩尔比M’/(M’+Ce)包括在0.01与0.15之间、优选在0.01与0.12之间。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法,其中,步骤(b)中的该温度保持在10℃与60℃之间、更优选在15℃与45℃之间、特别是在20℃与40℃之间、更特别是在25℃与35℃之间、甚至更特别是在30℃与35℃之间。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法,其中,步骤(b)中的该pH保持在3与11之间、特别是在4与11之间、特别是在8与11之间、特别是在8与10之间、更特别是在8与9之间。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法,其中,在开始步骤(b)之前的摩尔比氧化铈/铈(III)包括在1/1与100/1之间、优选在3/1与30/1之间、优选在5/1与15/1之间。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法,该方法进一步包括,以任何顺序,酸化该基于铈的核-壳颗粒的分散体的步骤(c)和/或洗涤该基于铈的核-壳颗粒的分散体的步骤(d)。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法,该方法进一步包括这些基于铈的核-壳颗粒的解附聚的步骤(e)。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法,该方法进一步包括干燥这些基于铈的核-壳颗粒的步骤(f)。
17.一种通过根据权利要求1至15中任一项所述的方法可获得的基于铈的核-壳颗粒在液体中的分散体,其中,每个基于铈的核-壳颗粒具有由任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈制成的核颗粒和由任选掺杂有至少一种金属(M’)的氧化铈的多个纳米颗粒组成的壳,所述纳米颗粒在该核颗粒的表面上形成,其中通过TEM测量的这些核-壳颗粒的平均尺寸与通过BET测量的这些核-壳颗粒的平均尺寸的比率是至少1.5。
18.一种通过根据权利要求16所述的方法可获得的基于铈的核-壳颗粒粉末,其中,每个基于铈的核-壳颗粒具有由任选掺杂有至少一种金属(M)的氧化铈制成的核颗粒和由任选掺杂有至少一种金属(M’)的氧化铈的多个纳米颗粒组成的壳,所述纳米颗粒在该核颗粒的表面上形成,其中通过TEM测量的这些核-壳颗粒的平均尺寸与通过BET测量的这些核-壳颗粒的平均尺寸的比率是至少1.5。
19.一种抛光组合物,其包含根据权利要求17所述的基于铈的核-壳颗粒的分散体或根据权利要求18所述的基于铈的核-壳颗粒粉末。
20.根据权利要求17所述的基于铈的核-壳颗粒的分散体或根据权利要求18所述的基于铈的核-壳颗粒粉末用于制备抛光组合物、更特别是化学机械抛光组合物的用途。
21.一种去除基底的一部分的方法,该方法包括用抛光组合物抛光该基底,该抛光组合物由根据权利要求16所述的分散体或由根据权利要求18所述的核-壳氧化铈颗粒粉末制备的分散体制备。
22.一种半导体,其包括通过根据权利要求21所述的方法抛光的基底。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP21174022 | 2021-05-17 | ||
EP21174022.0 | 2021-05-17 | ||
PCT/EP2022/063259 WO2022243280A1 (en) | 2021-05-17 | 2022-05-17 | Liquid dispersion and powder of cerium based core-shell particles, process for producing the same and uses thereof in polishing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117321170A true CN117321170A (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=76250043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280035906.XA Pending CN117321170A (zh) | 2021-05-17 | 2022-05-17 | 基于铈的核-壳颗粒的液体分散体和粉末、其生产方法及其在抛光中的用途 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240247169A1 (zh) |
EP (1) | EP4341358A1 (zh) |
JP (1) | JP2024519796A (zh) |
KR (1) | KR20240008895A (zh) |
CN (1) | CN117321170A (zh) |
IL (1) | IL308442A (zh) |
TW (1) | TW202302460A (zh) |
WO (1) | WO2022243280A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021105169A1 (en) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | Rhodia Operations | Liquid dispersion and powder of cerium based core-shell particles, process for producing the same and uses thereof in polishing |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2570087B1 (fr) | 1984-09-13 | 1986-11-21 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede d'oxydation electrolytique et ensemble d'electrolyse pour sa mise en oeuvre |
FR2906800B1 (fr) | 2006-10-09 | 2008-11-28 | Rhodia Recherches & Tech | Suspension liquide et poudre de particules d'oxyde de cerium, procedes de preparation de celles-ci et utilisation dans le polissage |
FR2935145B1 (fr) | 2008-08-22 | 2010-09-03 | Rhodia Operations | Suspension liquide et poudre de particules d'oxyde de cerium, procedes de preparation de celles-ci et utlisation dans le polissage |
EP2776523B1 (en) | 2011-11-09 | 2016-07-20 | Rhodia Operations | Additive mixture and composition and method for polishing glass substrates |
US10344183B2 (en) | 2013-12-16 | 2019-07-09 | Rhodia Operations | Liquid suspension of cerium oxide particles |
EP3160905B1 (en) | 2014-06-24 | 2021-02-24 | Rhodia Operations | Metal doped cerium oxide compositions |
CN106471090A (zh) | 2014-07-09 | 2017-03-01 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液和研磨方法 |
JP5893700B1 (ja) | 2014-09-26 | 2016-03-23 | 花王株式会社 | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |
US9758697B2 (en) | 2015-03-05 | 2017-09-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing cationic polymer additive |
US9505952B2 (en) | 2015-03-05 | 2016-11-29 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing ceria abrasive |
US10414947B2 (en) | 2015-03-05 | 2019-09-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing ceria particles and method of use |
KR101823083B1 (ko) * | 2016-09-07 | 2018-01-30 | 주식회사 케이씨텍 | 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물 |
US11578235B2 (en) | 2017-06-15 | 2023-02-14 | Rhodia Operations | Cerium based particles |
-
2022
- 2022-05-17 KR KR1020237043042A patent/KR20240008895A/ko unknown
- 2022-05-17 CN CN202280035906.XA patent/CN117321170A/zh active Pending
- 2022-05-17 US US18/560,852 patent/US20240247169A1/en active Pending
- 2022-05-17 IL IL308442A patent/IL308442A/en unknown
- 2022-05-17 TW TW111118391A patent/TW202302460A/zh unknown
- 2022-05-17 EP EP22729215.8A patent/EP4341358A1/en active Pending
- 2022-05-17 JP JP2023570448A patent/JP2024519796A/ja active Pending
- 2022-05-17 WO PCT/EP2022/063259 patent/WO2022243280A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024519796A (ja) | 2024-05-21 |
IL308442A (en) | 2024-01-01 |
EP4341358A1 (en) | 2024-03-27 |
WO2022243280A1 (en) | 2022-11-24 |
US20240247169A1 (en) | 2024-07-25 |
KR20240008895A (ko) | 2024-01-19 |
TW202302460A (zh) | 2023-01-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |