CN116964734A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板及显示装置。所述阵列基板包括衬底、位于所述衬底上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第一导电层、位于所述第一导电层上的第二绝缘层和位于所述第一导电层上的电子元件。所述第一绝缘层设有多个第一开孔。所述第一导电层包括多个焊盘，每一所述焊盘至少部分位于所述第一开孔内。所述第二绝缘层设有第二开孔，每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影落在所述第二开孔在所述衬底上的正投影内。所述电子元件包括电子元件本体及位于所述电子元件本体朝向所述衬底一侧的多个引脚，所述引脚至少部分位于所述第一开孔和所述第二开孔内，且与所述焊盘焊接。所述显示装置包括所述阵列基板。
Description
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
微型发光二极管，其尺寸大约小于500μm，由于其具有更小的尺寸和超高的亮度、寿命长等优势，因此在显示领域使用趋势明显增大。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及显示装置。
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：
衬底；
位于所述衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层设有多个第一开孔；
位于所述第一绝缘层上的第一导电层，所述第一导电层包括多个焊盘，每一所述焊盘至少部分位于所述第一开孔内；
位于所述第一导电层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层设有第二开孔，每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影落在所述第二开孔在所述衬底上的正投影内；
位于所述第一导电层上的电子元件，所述电子元件包括电子元件本体及位于所述电子元件本体朝向所述衬底一侧的多个引脚，所述引脚至少部分位于所述第一开孔和所述第二开孔内，且与所述焊盘焊接。
在一个实施例中，所述第一绝缘层包括第一有机层。
在一个实施例中，所述阵列基板还包括位于所述第一有机层与所述第一导电层之间的第一无机层。
在一个实施例中，所述焊盘在所述衬底上的正投影落在所述第一无机 层在所述衬底上的正投影内。
在一个实施例中，所述第一无机层的厚度小于所述第一有机层的厚度。
在一个实施例中，所述第二绝缘层包括第一子绝缘层，所述第二开孔包括设置在所述第一子绝缘层的第一子开孔；所述电子元件本体至少部分位于所述第一子开孔内，且所述电子元件本体在所述衬底上的正投影落在一个所述第一子开孔在所述衬底上的正投影内；每一所述第一子开孔在所述衬底上的正投影覆盖多个所述第一开孔在所述衬底上的正投影。
在一个实施例中，所述阵列基板还包括填充在所述电子元件本体与所述第一子开孔的孔壁之间的保护材料。
在一个实施例中，所述保护材料为助焊剂。
在一个实施例中，所述第一子绝缘层包括第二有机层。
在一个实施例中，所述第二绝缘层还包括位于所述第一子绝缘层朝向所述衬底一侧的第二子绝缘层，所述第二开孔包括设置在所述第二子绝缘层的多个第二子开孔；每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影落在一个所述第二子开孔在所述衬底上的正投影内，每一所述第一子开孔在所述衬底上的正投影覆盖多个所述第二子开孔在所述衬底上的正投影。
在一个实施例中，每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影的边缘位于一个所述第二子开孔在所述衬底上的正投影的边缘内侧。
在一个实施例中，所述第二子绝缘层包括第二无机层。
在一个实施例中，所述电子元件包括尺寸在百微米及以下量级的无机发光二极管和/或尺寸在百微米及以下量级的驱动芯片。
在一个实施例中，所述阵列基板还包括位于所述第一绝缘层朝向所述衬底一侧的第三绝缘层、以及位于所述第三绝缘层与所述衬底之间的第二导电层。
在一个实施例中，所述第三绝缘层包括第三有机层。
根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板。
本申请实施例提供的阵列基板及显示装置，焊盘至少部分位于第一开孔内，也即是焊盘的至少部分在第一开孔内向下凹陷；第一开孔在衬底上的正投影落在第二绝缘层的第二开孔在衬底上的正投影内，使得焊盘露出第二绝缘层；在将电子元件的引脚与焊盘焊接的过程中，引脚表面包覆的焊料熔化后向第一开孔流动，带动各引脚向与其进行焊接的焊盘移动，引脚向焊盘的移动可使得电子元件相对于其焊接位置发生的偏移得到改善，使引脚与对应的焊盘有效焊接，避免电子元件的偏移导致引脚与焊盘出现虚焊的问题，提升产品的良率。
图1是本申请一示例性实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2为图1所示的阵列基板中M区的局部放大图；
图3为图2所示的阵列基板沿AA’方向的局部剖视图；
图4是本申请一示例性实施例提供的阵列基板的局部结构示意图；
图5为图4所示的阵列基板的局部结构示意图；
图6为图4所示的阵列基板沿AA’方向的一种局部剖视图；
图7为图4所示的阵列基板沿AA’方向的另一种局部剖视图；
图8为图4所示的阵列基板沿BB’方向的另一种局部剖视图；
图9为本申请一示例性实施例提供的阵列基板的第一中间结构的局部剖视图；
图10为本申请一示例性实施例提供的阵列基板的第二中间结构的局部剖视图；
图11为本申请一示例性实施例提供的阵列基板的第三中间结构的局部剖视图；
图12为本申请一示例性实施例提供的阵列基板的第四中间结构的局部剖视图；
图13为本申请一示例性实施例提供的阵列基板的第五中间结构的局 部剖视图；
图14为本申请一示例性实施例提供的阵列基板的第六中间结构的局部剖视图。
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
本申请实施例提供了一种阵列基板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的阵列基板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例提供一种阵列基板。所述阵列基板包括衬底、位于所述衬底上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第一导电层、位于所述第一导电层上的第二绝缘层、以及位于所述第一导电层上的电子元件。
所述第一导电层包括多个焊盘，每一所述焊盘至少部分位于所述第一开孔内。所述第二绝缘层设有第二开孔，每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影落在所述第二开孔在所述衬底上的正投影内。所述电子元件包括电子元件本体及位于所述电子元件本体朝向所述衬底一侧的多个引脚，所述引脚至少部分位于所述第一开孔和所述第二开孔内，且与所述焊盘焊接。
本申请实施例提供的阵列基板，焊盘至少部分位于第一开孔内，也即是焊盘的至少部分在第一开孔内向下凹陷；第一开孔在衬底上的正投影落在第二绝缘层的第二开孔在衬底上的正投影内，使得焊盘露出第二绝缘层；在将电子元件的引脚与焊盘焊接的过程中，引脚表面包覆的焊料熔化后向第一开孔流动，带动各引脚向与其进行焊接的焊盘移动，引脚向焊盘的移动可使得电子元件相对于其焊接位置发生的偏移得到改善，使引脚与对应的焊盘有效焊接，避免电子元件的偏移导致引脚与焊盘出现虚焊的问题，提升产品的良率。
在一个实施例中，所述电子元件包括尺寸在百微米及以下量级的无机发光二极管，所述电子元件也可包括尺寸在百微米及以下量级的驱动芯片。其中百微米及以下量级的无机发光二极管可以是mini LED，也可以是micro LED。mini LED的尺寸范围约为100μm～500μm，micro LED的尺寸小于100μm。驱动芯片可以是用来向无机发光二极管提供信号使无机发光二极管发光的芯片。
在一个实施例中，所述阵列基板包括发光区和绑定区，发光区的焊盘与无机发光二极管焊接，绑定区的焊盘与驱动芯片绑定，驱动芯片用于驱动无机发光二极管发光。
在一个实施例中，电子元件的引脚外包覆有焊料，例如为金属锡焊料。在将电子元件的引脚与焊盘焊接时，电子元件的引脚外包覆的焊料中的金属与焊盘中的金属发生相互扩散或者反应生成金属间化合物IMC。
图1至图3所示为本申请一示例性实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。其中，图2为图1中M区的局部放大图，示出了一个发光单元的 结构。图3为图1所示的阵列基板的局部剖视图。该发光单元包括四个串联的无机发光二极管6101，以与驱动电压线VLED电连接的无机发光二极管作为这四个无机发光二极管6101串联的起点，与驱动芯片6102电连接的无机发光二极管6101作为这四个无机发光二极管串联的终点。四个无机发光二极管由一个驱动芯片6102进行驱动。
需要说明的是，本申请的实施例中，每个发光单元中的无机发光二极管的数量不受限制，可以为五个、六个、七个、八个等任意数量，而不限于四个。
本申请实施例中，如图2及图3所示，阵列基板包括衬底900、第一导电层100和第二导电层200。第一导电层100设于衬底900的一侧，包括第一导电部10。第二导电层200设于第一导电层100与衬底900之间，包括第二导电部20，第二导电部20包括镂空部111，无机发光二极管6101和驱动芯片6102在衬底900上的正投影落在镂空部111在衬底900上的正投影中。第一导电层100和第二导电层200之间设有第一绝缘层300和第三绝缘层400，第三绝缘层400位于第一绝缘层300朝向衬底900的一侧，第二导电层200位于第三绝缘层400与衬底900之间；第一导电层100上方设有第二绝缘层500。
在一个实施例中，所述第三绝缘层400包括第三有机层410。第三有机层410的厚度较大，可使得第一导电层100与第二导电层200之间的绝缘层的厚度较大，避免第一导电层100与第二导电层200发生短路。第三有机层410与第一绝缘层300的厚度之和可约为7μm。
在一个实施例中，所述第三绝缘层400还包括位于第三有机层410朝向衬底900一侧的第三无机层420。第三无机层420可防止水汽渗透至第二导电层200对第二导电层200造成腐蚀，有助于提升第二导电层200与第一导电层100之间的绝缘性；并且第三无机层420的硬度和致密性优于第三有机层410，与第二导电层200之间的附着力较好，避免第二导电层200与第三绝缘层400发生分离。第三无机层420的材料可包括氮化硅与 氧化硅中的至少一种。
在一个实施例中，第三无机层420的厚度小于第三有机层410的厚度。
在一个实施例中，第二导电层200通常用于布置各种信号线，即第二导电部20可以为各种信号线，例如公共电压线GND、驱动电压线VLED、源电源线PWR、源地址线DI等。可选的，该第二导电层200的厚度范围约为1.5μm～7μm，其材料包括铜。例如第二导电层200可以通过溅射的方式形成例如MoNb/Cu/MoNb的叠层材料，底层MoNb
用于提高粘附力，中间层Cu用于传递电信号，顶层MoNb
用于防氧化。该膜层还可以通过电镀的方式形成，先形成种子层MoNiTi提高晶粒成核密度，电镀后再制作防氧化层MoNiTi。
第一导电层100包括用于安装电子元件的焊盘，和/或，被配置为起到信号传输作用的引线。可选的，第一导电层100的厚度范围约为
其材料可以为例如MoNb/Cu/CuNi的叠层材料，底层MoNb用于提高粘附力，中间层Cu用于传递电信号，顶层CuNi可兼顾防氧化和固晶牢固性。
在一种实施例中，第一导电部10包括多组焊盘。本实施方式中，焊盘可以是用于安装功能器件的焊盘，功能元件例如为无机发光二极管、传感器等，也可以是用于安装功能器件驱动芯片的焊盘。
参见图3，以用于安装无机发光二极管的一组焊盘为例，该组焊盘包括两个焊盘110，一个为阳极焊盘，另一个为阴极焊盘。
在一个实施例中，用于安装驱动芯片的一组焊盘包括四个焊盘，一个焊盘用于与驱动芯片的地址焊盘焊接，一个焊盘用于与驱动芯片的输出焊盘焊接，一个焊盘用于与驱动芯片的电源焊盘焊接，一个焊盘用于与驱动芯片的公共电压焊盘焊接。
图4至图8所示为本申请一示例性实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。其中，图4为阵列基板的焊盘的布置示意图，图5为阵列基板的局部放大示意图。阵列基板可包括多行多列发光区域，每一行发光区域设有沿行方向排布的多个无机发光二极管，每一列发光区域设有沿列方向排 布的多个无机发光二极管，每一发光区域内可设有一个无机发光二极管；图5仅示意出了第一列发光区域001和第二列发光区域001。
如图4至图8所示，阵列基板包括衬底900、位于衬底900上的第一导电层100，第一导电层100包括第一导电部10和第二导电部20，也即是第一导电部10和第二导电部20位于同一层。第一导电层100上方设有第二绝缘层500。
第一导电部10可包括多条信号线以及连接驱动芯片与无机发光二极管的走线，多条信号线例如包括公共电压线GND、驱动电压线VLED、源电源线PWR、源地址线DI、反馈信号线FBL等。第二导电部20包括多个焊盘，该多个焊盘例如划分为与驱动芯片6102连接的焊盘组和与无机发光二极管连接的焊盘。通过使第一导电部10和第二导电部20位于同一层，单层导电层不仅可以用来制作第二导电部20的多个焊盘以及连接驱动芯片和无机发光二极管的走线，同时还可以用来制作第一导电部10的多条信号线以将相应的电信号传输至驱动芯片和无机发光二极管。
如图4所示，一个驱动芯片6102包括四个引脚，对应四个焊盘，分别为地址焊盘Di、电源焊盘Pwr、公共电压焊盘Gnd、以及输出焊盘Out。一个无机发光二极管包括两个引脚，对应两个焊盘，一个为阳极焊盘，一个为阴极焊盘。驱动芯片的输出焊盘Out至少与一个无机发光二极管的一个焊盘连接；驱动芯片的公共电压焊盘Gnd与公共电压线GND连接，以接收公共电压线GND传输的公共电压(例如接地电压)；驱动芯片的电源焊盘Pwr与源电源线PWR连接。驱动电压线VLED与无机发光二极管的一个焊盘连接。源地址线DI与每列发光区域001内的第一级驱动芯片的地址焊盘Di相连，被配置为向每列发光区域001内的第一级驱动芯片传输地址信号。
在一个实施例中，如图3、图6至图8所示，每一所述焊盘110在衬底900上的正投影的边缘位于一个第一开孔301在衬底900上的正投影的边缘外侧。也即是，所述焊盘110部分位于第一开孔301内，部分位于第 一开孔301外，也即是第一绝缘层300背离衬底900的一侧。
在一个实施例中，如图3、图6至图8所示，所述第一绝缘层300包括第一有机层310。
进一步地，第一有机层310的厚度范围为2μm～4μm。如此设置，既可保证工艺易于实现，也可避免第一有机层310的厚度太大，导致阵列基板的厚度较大。在一些实施例中，第一有机层310的厚度例如为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm等。
在一个实施例中，第一有机层310为单层膜层，或者第一有机层310包括多个子有机层，也即是第一有机层310通过多次涂覆工艺形成。第一有机层310的材料可以为有机树脂。
在一个实施例中，所述第一绝缘层300可仅包括第一有机层310。
在一个实施例中，如图7所示，所述阵列基板还包括位于所述第一有机层310与所述第一导电层100之间的第一无机层820。第一无机层820的硬度和致密性优于第一有机层310的硬度和致密性，通过在第一有机层310与第一导电层100之间设置第一无机层820，可使得第一无机层820与第一导电层100之间的附着力较大，避免第一导电层100与相邻的膜层发生分离。
在一个实施例中，所述第一无机层820的厚度小于所述第一有机层310的厚度。如此设置，第一无机层820的制备简单，易于实现；并且第一无机层820的设置不会使得阵列基板的厚度增大太多，有助于实现阵列基板的轻薄化。所述第一无机层820的材料可包括氮化硅与氧化硅中的至少一种。
在一些实施例中，所述第一无机层820的厚度范围为0.1μm～0.3μm。如此设置，即可避免第一无机层820的厚度太大，导致第一无机层820的制备时间增大，也可避免第一无机层820的厚度太小使得其厚度不均匀，导致第一无机层820不能有效覆盖位于第一导电层100下方的第一有机层310，进而不能有效增大第一导电层100与其下方膜层的粘附性。第一无机 层820的厚度例如为0.1μm、0.15μm、0.2μm、0.25μm、0.3μm等。
在一个实施例中，所述阵列基板为图1至图3所示的阵列基板时，阵列基板也可包括位于所述第一有机层310与所述第一导电层100之间的第一无机层，以使第一导电层100与第一无机层之间的附着力，避免第一导电层100与相邻的膜层发生分离。
在一个实施例中，所述焊盘110在所述衬底900上的正投影落在所述第一无机层820在所述衬底900上的正投影内。如此设置，第一无机层820的设置不会使得焊盘110位于第一开孔301内的部分与位于第一开孔301之外的部分之间的段差增大，可避免焊盘110位于第一开孔301内的部分与位于第一开孔301之外的部分之间的段差大，而导致焊盘110在第一开孔301的侧壁处断开的情形，可在提升第一导电层100与其下方膜层的粘附性的同时，不影响阵列基板的良率。
在一个实施例中，如图3、图6至图8所示，所述第二绝缘层500包括第一子绝缘层510，所述第二绝缘层500设置的第二开孔501包括设置在所述第一子绝缘层510的第一子开孔511。所述电子元件600的电子元件本体610至少部分位于所述第一子开孔511内，且所述电子元件本体610在所述衬底900上的正投影落在一个所述第一子开孔511在所述衬底900上的正投影内。每一所述第一子开孔511在所述衬底900上的正投影覆盖多个所述第一开孔301在所述衬底900上的正投影。
通过在第一子绝缘层510设置第一子开孔511，在将电子元件600与焊盘对位时，电子元件600的电子元件本体610放置于第一子开孔511内，实现电子元件600的初步定位，有助于避免电子元件600的位置发生太大偏移，进而有助于避免电子元件600的引脚与对应的焊盘110发生虚焊；并且电子元件本体610与焊盘之间未设有第一子绝缘层510，电子元件本体610在第一子开孔511内比较平稳，不会向一侧倾斜，可避免电子元件向一侧倾斜而导致位于另一侧的引脚与焊盘110发生虚焊的问题。通过设置每一第一子开孔511在衬底900上的正投影覆盖多个第一开孔301在衬 底900上的正投影，保证电子元件600可与其对应的多个第一开孔301内的焊盘均可焊接。
在一个实施例中，所述第一子绝缘层510包括第二有机层。如此设置，第一子绝缘层510的厚度一般较大，可使得电子元件600在第一子开孔511内定位更牢固；并且第二无机层可保护阵列基板，防止损伤，同时也起到防止水汽入侵的作用。
在一些实施例中，所述第一子绝缘层510可仅包括第二有机层。第二有机层为单层膜层，或者第二有机层包括多个子有机层，也即是第二有机层通过多次涂覆工艺形成。
在一个实施例中，所述第二有机层的厚度范围为2μm～5μm。第二有机层的厚度例如为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm等。第二有机层的材料可以是有机树脂。
在一个实施例中，所述第二绝缘层500还包括位于所述第一子绝缘层510朝向所述衬底一侧的第二子绝缘层520，所述第二绝缘层500设置的第二开孔501还包括设置在所述第二子绝缘层520的多个第二子开孔521。每一所述第一开孔301在所述衬底900上的正投影落在一个所述第二子开孔521在所述衬底900上的正投影内，每一所述第一子开孔511在所述衬底900上的正投影覆盖多个所述第二子开孔521在所述衬底900上的正投影。
在一个实施例中，每一所述第一开孔301在所述衬底900上的正投影的边缘位于一个所述第二子开孔521在所述衬底900上的正投影的边缘内侧。所述第一开孔301与第二子开孔521可一一对应，第二子开孔521的尺寸大于对应的第一开孔301的尺寸。如此设置，第二子开孔521不会影响引脚与焊盘110的接触。
在一个实施例中，每一第一子开孔511与多个第二子开孔521在阵列基板的膜层叠层方向上相对应，所述第一子开孔511在衬底900上的正投影的边缘与其对应的多个第二子开孔521在衬底900上的正投影中的最外 侧的边缘可重合。
在一个实施例中，所述第二子绝缘层520包括第二无机层。由于无机层的表面粗糙度较大，通过在第二有机层与第一导电层100之间设置第二无机层，可使得第二无机层与第一导电层100之间的粘附性较大，避免第一导电层100与第二绝缘层500发生分离；并且第二无机层有助于阻挡水汽，减小水汽入侵至焊盘的量，有助于提升阵列基板的信赖性。
在一个实施例中，第二无机层的材料可包括氮化硅及氧化硅中的至少一种。第二无机层的厚度范围为0.1μm～0.3μm。如此设置，可避免第二有机层的厚度太小，导致工艺制备难度较大，以及第二无机层阻挡水汽的效果不好，也可避免第二无机层的厚度太大而增大阵列基板的厚度。在一些实施例中，第二无机层的厚度例如为0.1μm、0.15μm、0.2μm、0.25μm、0.3μm等。
在一个实施例中，如图3、图6至图8所示，所述阵列基板还包括填充在所述电子元件本体610与所述第一子开孔511的孔壁之间的保护材料830。保护材料830堆积在电子元件本体610与第一子开孔511的孔壁之间，将电子元件本体610与第一子开孔511的孔壁之间的间隙填充，防止水汽入侵至电子元件本体610下方的导电结构造成腐蚀，有助于提升阵列基板的使用寿命及信赖性。
在一个实施例中，所述电子元件本体610与焊盘110之间的间隙也填充有保护材料830。如此可使得电子元件本体610与其下方的结构之间的密封性较好，更有助于防止外部水氧入侵。
在一个实施例中，所述保护材料830为助焊剂。助焊剂比较粘稠，在将电子元件600的引脚与焊盘110对位时，有助于将电子元件600的引脚与焊盘粘附在一起，防止电子元件600发生偏移；并且助焊剂可去除焊盘表面的杂质，有助于引脚与焊盘110的焊接。助焊剂一般包含松香、树脂、活化剂、触变剂等，其中松香及树脂为非挥发物。由于助焊剂的流动性大于金属间化合物IMC流动性，在焊接完成后，未挥发的助焊剂被金属间化 合物IMC挤出而堆积在电子元件600与所述第二开孔501的孔壁之间。如此，不需要额外设置保护材料，焊接过程中使用的助焊剂未挥发的部分充当保护材料，有助于简化制备工艺，节省阵列基板的成本。
在一个实施例中，如图8所示，阵列基板包括一层导电层也即是第一导电层100时，第一导电层100还包括位于相邻焊盘110之间的引线120。
进一步地，所述第一绝缘层300上设有位于相邻第一开孔301之间的凹槽302，引线120至少部分位于凹槽302内。如此设置，可避免相邻焊盘110之间的引线120的设置使得电子元件本体610与引线120之前的膜层厚度较大，使得电子元件600的引脚与对应的焊盘之间不能有效接触，进而导致出现虚焊的问题。
进一步地，凹槽302贯穿第一绝缘层300。如此凹槽302与第一开孔301可在同一工艺步骤中形成，不会增加制备工艺的复杂度。在其他实施例中，凹槽302也可以未贯穿第一绝缘层300。
在一个实施例中，所述阵列基板还包括位于所述衬底900朝向第一导电层100一侧的钝化保护层810，钝化保护层810可与衬底900直接接触。钝化保护层810可保护衬底900，防止在对衬底900上方的膜层进行刻蚀时损伤衬底900。钝化保护层810的材料可以是无机材料，例如为氮化硅或氧化硅。
在一个实施例中，所述衬底900可以是刚性衬底，刚性衬底的材料例如为玻璃、硅等。所述衬底900也可以是柔性衬底，柔性衬底的材料例如可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯及聚碳酸酯中的一种或多种。
本申请实施例还提供了一种阵列基板的制备方法。下面通过阵列示基板的制备过程进行介绍。本申请实施例所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需 构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后可称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
所述阵列基板的制备方法包括如下过程：
首先，提供衬底。
随后，在衬底上形成功能层。
在一个实施例中，所述阵列基板为图4至图8所示的阵列基板时，所述功能层为钝化保护层810。所述在衬底上形成功能层的步骤包括：在衬底上形成钝化保护层810。
在另一实施例中，所述阵列基板为图1至图3所示的阵列基板时，所述功能层包括钝化保护层810、第二导电层200和第三绝缘层400。所述在衬底上形成功能层的步骤包括：先在衬底上形成钝化保护层；之后钝化保护层上沉积第二导电薄膜，通过构图工艺对第二导电薄膜进行构图得到第二导电层；之后依次沉积第三无机层和第三有机层，得到第三绝缘层。
所述阵列基板为图1至图3所示的阵列基板时，通过所述在衬底上形成功能层的步骤得到如图9所示的第一中间结构。如图9所示，第二导电层200位于钝化保护层810与第三绝缘层400之间，第三绝缘层400包括第三无机层420及位于第三无机层420背离衬底900一侧的第三有机层410。需要说明的是，后续的工艺步骤得到的中间结构仅以图1至图3所示的阵列基板为例进行示意。
随后，在功能层上沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图，得到第一绝缘层，第一绝缘层上形成有多个第一开孔。
通过该步骤可得到如图10所示的第二中间结构。如图10所示，第一绝缘层300上设有多个间隔排布的第一开孔301。
随后，在第一绝缘层上沉积第一导电薄膜，通过构图工艺对第一导电薄膜进行构图，得到第一导电层，第一导电层包括多个焊盘，每一所述焊盘至少部分位于所述第一开孔内。
通过该步骤可得到如图11所示的第三中间结构。如图11所示，第一导电层100位于第一绝缘层300上，第一导电层100包括多个焊盘110，每一焊盘110部分位于一个第一开孔301内。
随后，沉积第一无机薄膜，通过构图工艺对第一无机薄膜进行构图，形成多个第二子开孔，得到第二无机层，也即是第二子绝缘层，每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影落在一个所述第二子开孔在所述衬底上的正投影内。
通过该步骤可得到如图12所示的第四中间结构。如图12所示，第二子绝缘层520设有与第一开孔301一一对应的第二子开孔521，每一所述第一开孔301在所述衬底900上的正投影的边缘位于一个所述第二子开孔521在所述衬底900上的正投影的边缘内侧。
随后，沉积第二有机薄膜，通过构图工艺对第二有机薄膜进行构图，形成多个第一子开孔，得到第二有机层，也即是第一子绝缘层，得到包括第一子绝缘层和第二子绝缘层的第二绝缘层；每一所述第一子开孔在所述衬底上的正投影覆盖多个所述第二子开孔在所述衬底上的正投影。
通过该步骤可得到如图13所示的第五中间结构。如图13所示，第一子绝缘层510上设有多个第一子开孔511，每一所述第一子开孔511在所述衬底900上的正投影覆盖多个所述第二子开孔521在所述衬底900上的正投影。
随后，将电子元件设置引脚的一侧浸蘸助焊剂后放置于第一子开孔内，且电子元件的每一引脚位于一个第一开孔内。
通过该步骤可得到如图14所示的第六中间结构。如图14所示，电子元件600包括电子元件本体610及位于电子元件本体610一侧的多个引脚620，引脚620外侧包覆有焊料，焊料可以是金属锡。电子元件本体610部分位于第一子开孔511内，每一引脚620与一个焊盘110相对，助焊剂840填充电子元件600与焊盘110之间的间隙、以及电子元件600与第二绝缘层500之间的间隙。
随后，采用回流焊工艺将电子元件的引脚与对应的焊盘焊接在一起。
通过该步骤可得到如图3、图6、图7或图8所示的阵列基板。在回流焊过程中，电子元件600的引脚620表面包覆的焊料中的金属与焊盘中的金属发生相互扩散或者反应生成金属间化合物IMC，未挥发的助焊剂作为保护材料830堆积在电子元件本体610与第二绝缘层500之间，可起到防止水汽入侵的作用，提升阵列基板的信赖性。
本申请实施例提供的阵列基板的制备方法与阵列基板属于同一发明构思，相关细节及有益效果的描述可互相参见，不再进行赘述。
本申请实施方式还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任一实施例所述的阵列基板。由于该显示装置包括上述阵列基板，因此具有相同的有益效果，本申请在此不再赘述。
在一些实施例中，该显示装置可以为液晶显示装置，其包括液晶面板和设置在该液晶面板的非显示侧的背光源，背光源包括在前面任一个实施例中描述的阵列基板。该液晶显示装置可以具有更均匀的背光亮度，具有更好的显示对比度。
在另一实施例中，所述显示装置中的阵列基板作为显示基板使用。阵列基板作为显示基板使用时，每一无机发光二极管作为一个子像素。
本申请对于显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备、手机、车载显示、导航、电子书、数码相框、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (16)
- 一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底；位于所述衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层设有多个第一开孔；位于所述第一绝缘层上的第一导电层，所述第一导电层包括多个焊盘，每一所述焊盘至少部分位于所述第一开孔内；位于所述第一导电层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层设有第二开孔，每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影落在所述第二开孔在所述衬底上的正投影内；位于所述第一导电层上的电子元件，所述电子元件包括电子元件本体及位于所述电子元件本体朝向所述衬底一侧的多个引脚，所述引脚至少部分位于所述第一开孔和所述第二开孔内，且与所述焊盘焊接。
- 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一有机层。
- 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一有机层与所述第一导电层之间的第一无机层。
- 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述焊盘在所述衬底上的正投影落在所述第一无机层在所述衬底上的正投影内。
- 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机层的厚度小于所述第一有机层的厚度。
- 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层包括第一子绝缘层，所述第二开孔包括设置在所述第一子绝缘层的第一子开孔；所述电子元件本体至少部分位于所述第一子开孔内，且所述电子元件本体在所述衬底上的正投影落在一个所述第一子开孔在所述衬底上的正投影内；每一所述第一子开孔在所述衬底上的正投影覆盖多个所述第一开孔在所述衬底上的正投影。
- 根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括填充在所述电子元件本体与所述第一子开孔的孔壁之间的保护材料。
- 根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述保护材料为助焊剂。
- 根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子绝缘层包括第二有机层。
- 根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层还包括位于所述第一子绝缘层朝向所述衬底一侧的第二子绝缘层，所述第二开孔包括设置在所述第二子绝缘层的多个第二子开孔；每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影落在一个所述第二子开孔在所述衬底上的正投影内，每一所述第一子开孔在所述衬底上的正投影覆盖多个所述第二子开孔在所述衬底上的正投影。
- 根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，每一所述第一开孔在所述衬底上的正投影的边缘位于一个所述第二子开孔在所述衬底上的正投影的边缘内侧。
- 根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子绝缘层包括第二无机层。
- 根据权利要求1至12任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述电子元件包括尺寸在百微米及以下量级的无机发光二极管和/或尺寸在百微米及以下量级的驱动芯片。
- 根据权利要求1至12任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一绝缘层朝向所述衬底一侧的第三绝缘层、以及位于所述第三绝缘层与所述衬底之间的第二导电层。
- 根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，所述第三绝缘层包括第三有机层。
- 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至15任一项所述的阵列基板。
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