CN116963546A - 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。显示面板包括基板；多个具有微腔结构的子像素，包括第一子像素，所述第一子像素包括沿远离所述基板方向依次层叠设置的金属导电层、像素垫层以及透明导电层；在所述第一子像素中，所述金属导电层的侧壁形成有台阶结构，所述台阶结构的台阶面背离所述基板，所述透明导电层覆盖所述像素垫层的背离所述基板的一侧，并经由所述像素垫层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分，所述台阶面配置为所述透明导电层和所述金属导电层进行搭接。

Description

显示面板、显示装置和显示面板的制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此，OLED显示技术的应用越来越广泛。

在相关技术中，OLED产品包括多个子像素，子像素用于发出不同颜色光波，各子像素可以采用微腔结构来增强出光光效。针对出光光效较差的子像素，例如蓝色子像素和绿色子像素，其微腔结构内额外设置有微腔垫层，微腔垫层用于改变光波在微腔结构内的光程，从而满足该子像素对应颜色光的相长干涉条件，提高出光光效。

在相关技术中，微腔垫层的材料通常不具有导电性，为了实现微腔垫层两侧结构的电连接，微腔垫层上设置有金属过孔。但是受工艺限制，金属过孔直径较大，导致各子像素的开口率降低，另外，微腔垫层上层结构在金属过孔处阶梯覆盖较差，且膜层厚度较薄，因此搭接易发生断路，阻抗较大，进而造成显示质量降低。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法，以提高显示质量。具体技术方案如下：

本申请第一方面实施例提供了一种显示面板，显示面板包括基板；多个具有微腔结构的子像素，包括第一子像素，所述第一子像素包括沿远离所述基板方向依次层叠设置的金属导电层、像素垫层以及透明导电层；在所述第一子像素中，所述金属导电层的侧壁形成有台阶结构，所述台阶结构的台阶面背离所述基板，所述透明导电层覆盖所述像素垫层的背离所述基板的一侧，并经由所述像素垫层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分，所述台阶面配置为所述透明导电层和所述金属导电层进行搭接。

在本申请的一些实施例中，所述金属导电层包括沿背离所述基板方向依次层叠设置的第一防护金属层、反射金属层以及第二防护金属层，所述台阶面位于所述第一防护金属层。

在本申请的一些实施例中，所述反射金属层的材料为铝，所述第一防护金属层和所述第二防护金属层的材料为氮化钛。

在本申请的一些实施例中，所述金属导电层还包括钛层，所述钛层位于所述第一防护金属层和所述基板之间。

在本申请的一些实施例中，所述各第一子像素的像素垫层独立设置，所述像素垫层在所述基板的投影位于所述金属导电层在所述基板的投影范围内。

在本申请的一些实施例中，所述第一子像素包括蓝色子像素和绿色子像素；不同颜色第一子像素的像素垫层的材料不同，且所述各第一子像素的像素垫层的折射率与所述各第一子像素对应颜色光相匹配，以使所述各第一子像素的微腔结构满足对应颜色光的相长干涉条件。

在本申请的一些实施例中，所述蓝色子像素中像素垫层的材料为氧化硅，所述绿色子像素中像素垫层的材料为氮化硅。

在本申请的一些实施例中，所述子像素还包括第二子像素，所述第二子像素包括沿远离所述基板方向依次层叠设置的金属导电层、透明导电层以及发光层；在所述第二子像素中，所述金属导电层的侧壁形成有台阶结构，所述台阶结构的台阶面背离所述基板，所述第二子像素的所述透明导电层覆盖所述金属导电层的背离所述基板的一侧，并经由所述金属导电层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分。

在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括像素定义层，所述像素定义层位于所述各子像素的所述透明导电层的背离所述基板的一侧，所述像素定义层设置有多个像素开口，所述像素开口用于暴露出所述各子像素的透明导电层。

在本申请的一些实施例中，所述像素定义层还包括底切结构，所述底切结构位于相邻两个像素开口之间；所述底切结构包括凹槽，所述凹槽的开口朝向背离所述基板的方向，且在所述显示面板的厚度截面上，所述凹槽开口处的水平尺寸小于所述凹槽内部空间的水平尺寸。

在本申请的一些实施例中，所述像素定义层至少包括沿靠近所述基板方向依次层叠设置的第一材料层和第二材料层。

在本申请的一些实施例中，所述第一材料层的材料为氧化硅，所述第二材料层的材料为氮化硅。

在本申请的一些实施例中，所述第一子像素还包括发光层和半透明电极层；所述发光层位于所述透明导电层的背离基板的一侧，所述半透明电极层位于所述发光层的背离所述基板的一侧，所述金属导电层和所述半透明电极层构成所述微腔结构。

在本申请实施例中，第一子像素具有像素垫层，在第一子像素中，像素垫层设置在金属导电层和透明导电层之间，反射电极侧的侧壁还设置有台阶结构，透明导电层经由像素垫层的边缘延伸至台阶面并至少覆盖台阶面的一部分，由此可以实现透明导电层和金属导电层的搭接。与相关技术相比较，在本申请实施例中，透明导电层通过设置在金属导电层侧壁的台阶结构与金属导电层搭接，由此，无需在像素垫层上设置金属过孔并通过金属过孔搭接，避免设置金属过孔所导致的开口率变小，有利于提高子像素的开口率，另外，还可以避免相关技术中通过金属过孔搭接所导致的阻抗大、容易断裂等问题，从而提高显示质量。

本申请第二方面的实施例提供了一种显示装置，包括第一方面任一实施例所述的显示面板，由于其具有第一方面任一实施例中的显示面板，因此其也具有第一方面任一实施例的有益效果，此处不再赘述。

本申请第三方面的实施例提出了一种显示面板的制作方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成多个具有微腔结构的子像素的金属导电层；所述子像素包括第一子像素；所述金属导电层的侧壁形成有台阶结构，所述台阶结构的台阶面背离所述基板；

在所述金属导电层的背离所述基板的一侧形成所述第一子像素的像素垫层；

在所述像素垫层上形成所述第一子像素的透明导电层，所述第一子像素的透明导电层覆盖所述像素垫层的背离所述基板的一侧，并经由所述像素垫层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分，所述台阶面配置为所述透明导电层和位于所述像素垫层下方的所述金属导电层进行搭接。

在本申请的一些实施例中，所述金属导电层包括沿背离所述基板方向依次层叠设置的第一防护金属层、反射金属层以及第二防护金属层；所述在所述基底上形成多个具有微腔结构的子像素的金属导电层包括：

在所述第一防护金属层形成所述台阶面。

在本申请的一些实施例中，所述反射金属层的刻蚀速率大于所述第一防护金属层的刻蚀速率。

在本申请的一些实施例中，所述第一子像素包括蓝色子像素和绿色子像素；不同颜色第一子像素的像素垫层的材料不同，且所述各第一子像素的像素垫层的折射率与所述各第一子像素对应颜色光相匹配；

所述在所述金属导电层上形成多个所述第一子像素的像素垫层包括：

按照与所述各第一子像素的像素垫层对应材料的刻蚀速率由小到大的顺序，在所述各第一子像素的金属导电层远离所述基底一侧，依次利用所述各第一子像素对应的材料形成所述各第一子像素的像素垫层。

在本申请的一些实施例中，所述蓝色子像素的像素垫层的材料为氧化硅，所述绿色子像素的像素垫层的材料为氮化硅，所述氧化硅的刻蚀速率小于所述氮化硅的刻蚀速率；

所述按照与所述各第一子像素的像素垫层对应材料的刻蚀速率由小到大的顺序，在所述各第一子像素的金属导电层远离所述基底一侧，依次利用所述各第一子像素对应的材料形成所述各第一子像素的像素垫层包括：

在所述各子像素的金属导电层远离所述基底一侧，利用所述氧化硅形成形成第一材料膜；对所述第一材料膜进行刻蚀，形成所述蓝色子像素的像素垫层；

在所述各子像素的金属导电层远离所述基底一侧，利用所述氮化硅形成第二材料膜；对所述第二材料膜进行刻蚀，形成所述绿色子像素的像素垫层。

在本申请的一些实施例中，所述子像素还包括第二子像素，所述在所述像素垫层上形成所述第一子像素的透明导电层的同时，在所述第二子像素的金属导电层上形成所述第二子像素的透明导电层，所述第二子像素的透明导电层经由所述金属导电层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分。

在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括像素定义层；所述第一子像素还包括发光层和半透明电极层；

所述在所述像素垫层上形成多个所述第一子像素的透明导电层之后，还包括：

在所述第一子像素的透明导电层上形成所述像素定义层，所述像素定义层位于所述透明导电层的背离所述基板的一侧，所述像素定义层设置有多个像素开口，所述像素开口用于暴露出所述各第一子像素的透明导电层；

在相邻两个所述像素开口之间形成底切结构；所述底切结构包括凹槽，所述凹槽的开口朝向背离所述基板的方向，且在所述显示面板的厚度截面上，所述凹槽的开口处的水平尺寸小于所述凹槽内部空间的水平尺寸；

在所述像素开口内形成所述发光层；

在所述发光层上形成所述半透明电极层。

根据本申请实施例的制作方法制作的显示面板，其第一子像素具有像素垫层，在第一子像素中，像素垫层设置在金属导电层和透明导电层之间，金属导电层的侧壁设置有台阶结构，透明导电层经由像素垫层的边缘延伸至台阶面并覆盖台阶面的一部分，由此可以实现透明导电层和金属导电层的搭接。与相关技术相比较，在本申请实施例中，透明导电层通过设置在金属导电层侧壁的台阶结构与金属导电层搭接，由此，无需在像素垫层上设置金属过孔并通过金属过孔搭接，避免设置金属过孔所导致的开口率变小，有利于提高子像素的开口率，另外，还可以避免相关技术中通过金属过孔搭接所导致的阻抗大、容易断裂等问题，从而有利于提高显示质量。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。

图1为微腔效应示意图；

图2为相关技术中一种显示面板子像素的结构示意图；

图3为本申请第一方面实施例一的显示面板的多个子像素的结构示意图；

图4为图3所示其中一个第一子像素的结构示意图；

图5为本申请第三方面实施例中显示面板的制作流程图；

图6为图5所示实施例中金属导电层的制作过程图；

图7为图5所示实施例中像素垫层的制作过程图一；

图8为图5所示实施例中像素垫层的制作过程图二；

图9为图5所示实施例中透明导电层的制作过程图；

图10为图9所示透明导电层制作后的沟道填平以及像素定义层制作流程；

图1-图2中：子像素90；金属导电层901；透明导电层902；发光层903；半透明电极层904；微腔垫层905；金属过孔906；像素定义层907；像素开口908；微腔结构91；全反射面910；半透明面911；光波E；

图3-图10中：显示面板10；基板100；驱动晶体管110；子像素200；第一子像素210；蓝色子像素211；绿色子像素212；第二子像素220；红色子像素221；金属导电层230；第一防护金属层231；反射金属层232；第二防护金属层233；钛层234；台阶结构235；台阶面236；像素垫层240；蓝色子像素的像素垫层241；绿色子像素的像素垫层242；透明导电层250；第一子像素的透明导电层251；第二子像素的透明导电层252；发光层260；像素定义层270；第一材料层271；第二材料层272；第三材料层273；像素开口274；底切结构280；凹槽281；半透明电极层290；光刻胶300；第一材料膜310；第二材料膜320；ITO材料膜330；沟道340；氧化硅膜350。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如背景技术所言，在相关技术中，OLED产品中多利用微腔效应提升出光光效。具体地，参见图1，图1示出了微腔效应示意图。OLED产品包括多个子像素90，子像素90用于发出不同颜色光波，各子像素90可以采用微腔结构91满足光波的相长干涉条件，即微腔结构91的光程为光波半波长的整数倍，此时，由于相长干涉，从而可以增强光波的出光光效。

如图1所示，微腔结构91包括全反射面910和半透明面911，微腔结构91中光波E到达半透明面911之后，部分被反射，部分被透射，从而使得微腔结构91中存在不断震荡的光波E，当全反射面910与半透明面911之间的光程为光波E的半波长的整数倍时，由于相长干涉，从而可以增强光波E的出光光效。

参见图2，图2示出了相关技术中一种子像素90的结构示意图。如图2所示，子像素90一般包括金属导电层901、透明导电层902、像素定义层907、发光层903以及半透明电极层904，其中金属导电层901为全反射面910，半透明电极层904为半透明面911，反射电极901和半透明电极层904可以构成一个微腔结构91。

相关技术中，可以针对出光光效较差的子像素90，例如蓝色子像素和绿色子像素，在其金属导电层901和透明导电层902之间设置微腔垫层905，微腔垫层905用于改变光波在金属导电层901与半透明电极层904之间的光程，从而使光程满足该子像素90对应颜色光的相长干涉条件，提高出光光效。

但是，在相关技术中，微腔垫层905的材料通常不具有导电性，为了实现微腔垫层905两侧结构的电连接，也即透明导电层902和金属导电层901的电连接，微腔垫层905上设置有金属过孔906，透明导电层902通过金属过孔906与金属导电层901电连接。受工艺限制，金属过孔906直径较大，导致像素定义层907在覆盖金属过孔906后，其像素开口908尺寸相应减小，造成各子像素90开口率降低，另外，由于透明导电层902在金属过孔906处的阶梯覆盖较差，且膜层厚度较薄，因此，透明导电层902在金属过孔906处易发生断裂，且阻抗较大，进而造成显示质量降低。

鉴于此，本申请第一方面的实施例一提出了一种显示面板10，参见图3和图4，图3示出了本申请第一方面实施例一中显示面板的多个子像素的结构示意图，图4示出了其中一个第一子像素的结构示意图。

如图3和图4所示，显示面板10包括基板100以及多个具有微腔结构的子像素200。

子像素200包括第一子像素210，第一子像素210包括沿远离基板100方向依次层叠设置的金属导电层230、像素垫层240以及透明导电层251。在第一子像素210中，金属导电层230的侧壁形成有台阶结构235，台阶结构235的台阶面236背离基板100，透明导电层251覆盖像素垫层240的背离基板100的一侧，并经由像素垫层240的边缘延伸至台阶面236，且至少覆盖台阶面236的一部分，台阶面236配置为透明导电层251和金属导电层230进行搭接。

在本申请实施例中，第一子像素210具有像素垫层240，在第一子像素210中，像素垫层240设置在金属导电层230和透明导电层251之间，金属导电层230的侧壁设置有台阶结构235，透明导电层251经由像素垫层240的边缘延伸至台阶面236并至少覆盖台阶面236的一部分，由此可以实现透明导电层251和金属导电层230的搭接。与相关技术相比较，在本申请实施例中，透明导电层251通过设置在金属导电层230侧壁的台阶结构235与金属导电层230搭接，由此，无需在像素垫层240上设置金属过孔并通过金属过孔搭接，避免设置金属过孔所导致的开口率变小，有利于提高子像素200的开口率，另外，还可以避免相关技术中通过金属过孔搭接所导致的阻抗大、容易断裂等问题，从而有利于提高显示质量。

在本申请实施例中，显示面板10可以是采用OLED(Organic Light EmittingDiode，有机电致发光二极管)技术的显示面板或Micro-OLED(Micro Organic Light-Emitting Diode，微型有机发光二极管)技术的显示面板等，本发明对此不做具体限定。

在本申请实施例中，基板100可以为刚性基底或柔性基底，其中，刚性基底的制备材料可以包含玻璃、石英或塑料等。柔性基底的制备材料可以包含PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(Polyethylenenaphthalate two formicacid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI(Polyimide，聚酰亚胺)等，本申请对此不做具体限定。

进一步地，基板100内部设置有像素驱动电路，像素驱动电路包括多个驱动晶体管110，驱动晶体管110用于与子像素200一一对应电连接，以驱动子像素200发光。

进一步地，各子像素200可以直接形成于基板100上，或者，各子像素200与基板100之间还存在中间层，本申请对此不做限制。

如图3和图4所示，在本申请实施例一中，金属导电层230包括沿背离基板100方向依次层叠设置的第一防护金属层231、反射金属层232以及第二防护金属层233，台阶面236位于第一防护金属层231。由此，可以实现透明导电层251与金属导电层230的稳定搭接。

在实际应用中，考虑到成本，反射金属层232的材料一般选择铝。考虑到单独使用铝时，铝容易氧化生成氧化铝，导致搭接无法导通或大阻抗，因此在反射金属层232两侧分别设置第一防护金属层231和第二防护金属层233，第一防护金属层231和第二防护金属层233的材料可以是氮化钛。

关于台阶面236的形成位置，发明人主要有以下几点考虑：首先，由于反射金属层232的材料为铝，铝容易氧化生成氧化铝，导致搭接无法导通或者大阻抗，因此，如果将台阶面236形成于反射金属层232，会导致搭接效果较差。其次，第二防护金属层233位于反射金属层232的上方，在实际应用中，为了实现较高透光率，减小对光波反射的影响，第二防护金属层233厚度较薄，因此不适宜形成台阶面236。最后，第一防护金属层231位于反射金属层232的下方，第一防护金属层231的厚度可以用于形成台阶面236，另外，相较于反射金属层232，第一防护金属层231不容易发生氧化，搭接稳定性较好。因此，在本申请实施例中，台阶面236设置在第一防护金属层231上，由此可以实现透明导电层251与金属导电层230的稳定搭接。

可以理解的是，台阶面236位于第一防护金属层231是指，在显示基板100的厚度方向上，台阶面236位于第一防护金属层231的与反射金属层232连接的一侧表面，或者位于第一防护金属层231的中间部分，本申请对此不做限制。

在本申请的其它实施例中，第一防护金属层231的材料也可以是钼。

在本申请实施例一中，金属导电层230还包括钛层234，钛层234位于第一防护金属层231和基板100之间。考虑到在实际应用中，基板100靠近金属导电层230的一侧表面的材料为氧化硅，钛和氧化硅的粘附性较好，通过设置钛层234，可以提高金属导电层230和基板100之间的粘附性。

如图3所示，在第一子像素210中，像素垫层240覆盖在金属导电层230的背离基板100的一侧，各第一子像素210的像素垫层240独立设置，像素垫层240在基板100的投影位于金属导电层230在基板100的投影范围内。也即，各第一子像素210的像素垫层240彼此之间是断开的，并不相连。由此，每个第一子像素210的透明导电层251可以沿着像素垫层240的周侧边缘延伸至台阶面236。

如图3和图4所示，在实施例一中，透明导电层251覆盖全部的台阶面236，并沿着钛层234的侧壁继续延伸至基板100的靠近子像素200的一侧表面。通过将透明导电层251覆盖全部的台阶面236可以进一步提高搭接的稳定性。通过将透明导电层251沿着钛层234的侧壁继续延伸至基板100的靠近子像素200的一侧表面，方便透明导电层251的制作，降低工艺难度。

在本申请实施例一中，透明导电层251的材料可以是ITO(indium tin oxides，氧化铟锡)。在本申请的其它实施例中，透明导电层251的材料还可以是IZO(Indium ZincOxides，氧化铟锌)。

在本申请实施例中，显示面板10可以包括多种不同颜色子像素200，例如红色(R)子像素221、绿色(G)子像素212和蓝色(B)子像素211等，其中，红色子像素221对应颜色光为红光，波长范围为622～760nm；绿色子像素212对应颜色光为绿光，波长范围为492～577nm；蓝色子像素211对应颜色光为蓝光，波长范围为435～450nm。

可选地，如图3所示，第一子像素210包括蓝色子像素211和绿色子像素212。考虑到蓝色子像素211和绿色子像素212的出光效果弱，因此，可以针对蓝色子像素211和绿色子像素212设置像素垫层240。

进一步地，不同颜色第一子像素210的像素垫层240的材料不同，且各第一子像素210的像素垫层240的折射率与各第一子像素210对应颜色光相匹配，以使各第一子像素210的微腔结构满足对应颜色光的相长干涉条件。也即，蓝色子像素211的像素垫层241和绿色子像素212的像素垫层242的材料不同，且蓝色子像素211的像素垫层241的折射率与蓝光相匹配，绿色子像素212的像素垫层242的折射率与绿光相匹配。由于光程是介质的折射率与厚度的乘积，因此，通过将各第一子像素210的像素垫层240的折射率与各第一子像素210对应颜色光相匹配，可以在不同颜色第一子像素210的像素垫层240的厚度差异较小的情况，实现各第一子像素210在微腔结构内的光程满足对应颜色光的相长干涉条件。

具体地，在第一子像素210中，像素垫层240的折射率与第一子像素210对应颜色光的波长满足以下约束条件：

其中，A为该第一子像素210的微腔结构中除像素垫层240外的光程，且在各第一子像素210的微腔结构中均相同，n为该第一子像素210的微腔结构中像素垫层240的折射率，d为该第一子像素210的微腔结构中像素垫层240的厚度，k为正整数，λ为该第一子像素210对应颜色光的波长。

在实施例一中，第一子像素210包括蓝色子像素211和绿色子像素212，其中：

蓝色子像素211所发出颜色光的波长为λ1，其像素垫层241的折射率为n1，像素垫层241的厚度为d1，则有：

绿色子像素212所发出颜色光的波长为λ2，其像素垫层242的折射率n2，像素垫层242的厚度d2，则有：

对于蓝色子像素211和绿色子像素212而言，其微腔结构中除像素垫层240外的光程均相同，即具有相同的A，因此，可以通过对像素垫层240的折射率和/或厚度的调整，使得蓝色子像素211和绿色子像素212满足上述约束条件。

一个具体的实施例中，蓝色子像素211和绿色子像素212的k取值相同时，蓝色子像素211和绿色子像素212发出的光波在像素垫层240中的光程与各第一子像素210对应颜色光的波长正相关。在k取值相同的情况下，对应颜色光的波长越长，则第一子像素210发出的光波在像素垫层240中的光程越大。光程是介质的折射率n与厚度d的乘积。由于绿光的波长大于蓝光的波长，因此，通过将绿色子像素212的像素垫层242的折射率n2大于蓝色子像素211的像素垫层241的折射率n1，可以在蓝色子像素211的像素垫层241的厚度d1和绿色子像素212的像素垫层242的厚度d2差异较小的情况，实现光波在绿色子像素212的光程大于在蓝色子像素211中的光程，从而满足对应颜色光的相长干涉条件，有利于改善不同颜色第一子像素210中像素垫层240厚度的差异较大所导致的出光效果差异较大的问题。

在本申请实施例一中，可选地，蓝色子像素211的像素垫层241和绿色子像素212的像素垫层242的厚度相同，也即可以仅通过折射率的调整实现光程与波长的匹配，由此，可以最大程度的降低不同颜色第一子像素210的出光光效之间的差异。

在本申请的其它实施例中，不同颜色第一子像素210的像素垫层240也可以厚度不同且材料相同，由此，可以通过调整像素垫层240的厚度，使各子像素200在微腔结构中的光程满足对应颜色光的相长干涉条件，本申请对此不做限制。

在本申请实施例一中，各第一子像素210的像素垫层240的材料为折射率可调的材料。折射率可调的材料包括氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、三氧化二铝(Al₂O₃)中的至少一种，上述各材料可以通过成膜参数的调整，调整其折射率，例如，可以在制备SiO过程中掺杂不同的粒子，实现对SiO折射率的调整。

在一个具体的实施例中，蓝色子像素211的像素垫层241的材料为氧化硅，绿色子像素212的像素垫层242的材料为氮化硅。由于氧化硅和氮化硅的刻蚀速率不同，由此，方便制作不同颜色第一子像素210的像素垫层240，且刻蚀损失较少。

在另外一个具体的实施例中，蓝色子像素211的像素垫层241和绿色子像素212的像素垫层242均使用氧化硅，但是二者的折射率不同，例如，在制备SiO过程中掺杂不同的粒子，实现SiO折射率的不同。

如图3所示，在本申请实施例一中，子像素200还包括第二子像素220，第二子像素220包括沿远离基板100方向依次层叠设置的金属导电层230、透明导电层251以及发光层260。可选地，第二子像素220可以是红色子像素221。

这也就是说，在本申请实施例一的显示面板10中，具有像素垫层240的子像素200为第一子像素210，未设置像素垫层240的子像素200为第二子像素220。考虑到在实际应用中，有些子像素200如红色子像素221的出光效果较好，因此，这些子像素200中可以不设置像素垫层240。

另外，为了方便制作，第二子像素220的金属导电层230可以与第一子像素210的金属导电层230结构相同，也即在第二子像素220中，金属导电层230的侧壁也形成有台阶结构235，台阶结构235的台阶面236背离基板100，第二子像素220的透明导电层252覆盖金属导电层230的背离基板100的一侧，并经由金属导电层230的边缘延伸至台阶面236，且至少覆盖台阶面236的一部分。由此，方便第一子像素210和第二子像素220的金属导电层230的在同一工序中进行制作。

在本申请的其它实施例中，第二子像素220的金属导电层230也可以不设置台阶结构235，在第二子像素220中，透明导电层251可以仅与金属导电层230的背离基板100的一侧表面搭接。

在本申请的其它实施例中，子像素200可以仅包括第一子像素210，不包括第二子像素220，也即显示面板10中的所有子像素200均设置有像素垫层240。

如图3和图4所示，在本申请的实施例一中，显示面板10还包括像素定义层270，像素定义层270位于各子像素200的透明导电层250的背离基板100的一侧，像素定义层270设置有多个像素开口274，像素开口274用于暴露出各子像素200的透明导电层250。

像素定义层270还可以包括底切结构280，底切结构280位于相邻两个像素开口274之间；底切结构280包括凹槽281，凹槽281的开口朝向背离基板100的方向，且在显示面板10的厚度截面上，凹槽281开口处的水平尺寸小于凹槽281内部空间的水平尺寸。由于底切结构280的存在，当需要在底切结构280上形成其它结构层后，该结构层填充于底切结构280的凹槽281内，从而有利于提升结合的稳固性。

进一步地，像素定义层270包括沿靠近基板100方向依次层叠设置的第一材料层271和第二材料层272。第二材料层272的刻蚀速率可以大于第一材料层271，由此，可以在像素定义层270上经过刻蚀工艺形成底切结构280。

像素定义层270还可以包括第三材料层273，第三材料层273位于第二材料层272的靠近基板100的一侧，第三材料层273的刻蚀速率小于第二材料层272。

在一个具体的实施例中，第一材料层271可以与第三材料层273的材料相同，第一材料层271和第三材料层273的材料可以是氧化硅(SiOx)，第二材料层272可以是氮化硅(SiNx)。也即，像素定义层270是由氧化硅、氮化硅以及氧化硅构成的复合膜层。

如图4所示，在实施例一中，各子像素200还可以包括发光层260和半透明电极层290，发光层260位于透明导电层250的背离基板100的一侧且位于像素开口274内，半透明电极层290位于发光层260的背离基板100的一侧。在一个子像素200中，金属导电层230和半透明电极层290构成微腔结构。

本申请第二方面的实施例提供了一种显示装置，包括第一方面任一实施例的显示面板10。

在本申请实施例中，显示装置包括显示面板10，显示面板10包括多个第一子像素210，第一子像素210具有像素垫层240，在第一子像素210中，像素垫层240设置在金属导电层230和透明导电层251之间，金属导电层230的侧壁设置有台阶结构235，透明导电层251经由像素垫层240的边缘延伸至台阶面236并覆盖台阶面236的一部分，由此可以实现透明导电层251和金属导电层230的搭接。与相关技术相比较，在本申请实施例中，透明导电层251通过设置在金属导电层230侧壁的台阶结构235与金属导电层230搭接，由此，无需在像素垫层240上设置金属过孔并通过金属过孔搭接，避免设置金属过孔所导致的开口率变小，有利于提高子像素200的开口率，另外，还可以避免相关技术中通过金属过孔搭接所导致的阻抗大、容易断裂等问题，从而有利于提高显示质量。

本申请第三方面的实施例提供了一种显示面板10的制作方法，具体参见图5，图5示出了本申请第三方面实施例中显示面板10的制作流程图，包括以下步骤：

S1、提供基板100；

S2、在基板100上形成多个具有微腔结构的子像素200的金属导电层230；子像素200包括第一子像素210；金属导电层230的侧壁形成有台阶结构235，台阶结构235的台阶面236背离基板100；

S3、在金属导电层230的背离基板100的一侧形成第一子像素210的像素垫层240；

S4、在像素垫层240上形成第一子像素210的透明导电层251，第一子像素210的透明导电层251覆盖像素垫层240的背离基板100的一侧，并经由像素垫层240的边缘延伸至台阶面236，且至少覆盖台阶面236的一部分，台阶面236配置为透明导电层251和位于像素垫层240下方的金属导电层230进行搭接。

根据本申请实施例的制作方法制作的显示面板10，其第一子像素210具有像素垫层240，像素垫层240设置在金属导电层230和透明导电层251之间，金属导电层230的侧壁设置有台阶结构235，透明导电层251经由像素垫层240的边缘延伸至台阶面236并覆盖台阶面236的一部分，由此可以实现透明导电层251和金属导电层230的搭接。与相关技术相比较，在本申请实施例中，透明导电层251通过设置在金属导电层230侧壁的台阶结构235与金属导电层230搭接，由此，无需在像素垫层240上设置金属过孔并通过金属过孔搭接，避免设置金属过孔所导致的开口率变小，有利于提高子像素200的开口率，另外，还可以避免相关技术中通过金属过孔搭接所导致的阻抗大、容易断裂等问题，从而有利于提高显示质量。

在本申请实施例中，子像素200可以包括第一子像素210和第二子像素220，其中，第一子像素210和第二子像素220的金属导电层230的结构相同。

具体地，金属导电层230包括沿背离基板100方向依次层叠设置的第一防护金属层231、反射金属层232以及第二防护金属层233。

参见图6，图6示出了图5中在基板100上形成子像素200的金属导电层230的具体制作过程图。

如图6所示，步骤S2在基板100上形成多个具有微腔结构的子像素200的金属导电层230具体包括：

S21、在基板100上形成多层金属膜。

在基板100上形成多层金属膜包括：在基板100上依次进行第一防护金属层231成膜、反射金属层232成膜以及第二防护金属层233成膜。第一防护金属层231和第二防护金属层233的材料可以是氮化钛，反射金属层232的材料可以是铝。

金属导电层230还可以包括钛层234，在基板100上形成多层金属膜还包括在进行第一防护金属层231成膜之前，在基板100上进行钛层234成膜。

在第二防护金属层233成膜后，在第二防护金属层233上均匀涂抹光刻胶300。

S22、进行曝光显影，即可以使用特定波长的光对预设的反射电极掩膜版对光刻胶300进行照射，对于反射电极掩膜版上非遮光区而言，其下金属膜上的光刻胶300将接收到光照，进而光刻胶300中的感光剂会发生光化学反应。光照结束后，使用显影液清洗金属层上的光刻胶300，使得多层金属膜上溶于显影液的光刻胶300被溶解，而不溶于显影液的光刻胶300被保留。

在经过显影液清洗，可以进一步对多层金属膜进行刻蚀。根据不同的使用场景和需求，可以采用不同的方式进行刻蚀。在一个具体的实施例中，可以对多层金属膜上未被光刻胶300覆盖的区域进行干法刻蚀。其中，干法刻蚀的方式有多种，例如溅射与离子束铣蚀、等离子刻蚀(Plasma Etching)、高压等离子刻蚀、高密度等离子体刻蚀、反应离子刻蚀等。在另一个具体的实施例中，可以对多层金属膜上未被光刻胶300覆盖的区域进行湿法刻蚀。其中，湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与待刻蚀材料之间的化学反应来去除未被光刻胶300覆盖的区域而达到刻蚀目的。通过步骤S22，得到各子像素200的未设置台阶结构235的金属导电层。

步骤S2在基底上形成多个具有微腔结构的子像素200的金属导电层230还包括：在第一防护金属层231形成台阶面236。

具体地，如图6所示，在经过步骤S22刻蚀得到各子像素200的未设置台阶结构235的金属导电层之后还包括：

S23、用氧气横推保留在第二防护金属层233上的光刻胶300，将光刻胶300的包覆范围向内缩小，此时光刻胶300和第二防护金属层233之间形成台阶形状。

S24、进行刻蚀，刻蚀时抓取终点检测器(EPD)信号，使刻蚀液停留在第一防护金属层231上，避免第一防护金属层231被刻穿。

S25、去掉光刻胶300，形成各子像素200的具有台阶结构235的金属导电层230。

需要注意的是，为了避免刻蚀过程中第一防护金属层231过刻，可以提高反射金属层232对应材料铝和第一防护金属层231对应材料氮化钛的选择比，使反射金属层232的刻蚀速率远大于第一防护金属层231，由此，可以有效避免第一防护金属层231被刻穿。另外，在金属导电层230的厚度不变的情况下，也可以提高第一防护金属层231的厚度，减小钛层234的厚度，从而也有利于改善第一防护金属层231被刻穿的情况，进而保证刻蚀后形成的台阶面236位于第一防护金属层231。

在步骤S2得到各子像素200的金属导电层230之后，可以进行步骤S3在各第一子像素210的金属导电层230远离基底一侧，形成各第一子像素210的微腔垫层。

具体地，第一子像素210包括蓝色子像素211和绿色子像素212；不同颜色第一子像素210的像素垫层240的材料不同，且各第一子像素210的像素垫层240的折射率与各第一子像素210对应颜色光相匹配，以使各第一子像素210的微腔结构满足对应颜色光的相长干涉条件。

在金属导电层230上形成多个第一子像素210的像素垫层240包括：

按照与各第一子像素210的像素垫层240对应材料的刻蚀速率由小到大的顺序，在各第一子像素210的金属导电层230远离基底一侧，依次利用各第一子像素210对应的材料形成各第一子像素210的像素垫层240。

这也就是说，在金属导电层230上，可以首先利用刻蚀速率较小的材料形成对应的第一子像素210的像素垫层240，然后，利用刻蚀速率较大的材料形成对应的另一第一子像素210的像素垫层240。由此可以减小在后形成的像素垫层240的制作过程对在前形成的像素垫层240的影响，避免在先形成的第一子像素210的腔长波动。

在一个具体的实施例中，蓝色子像素211的像素垫层241的材料为氧化硅，绿色子像素212的像素垫层242的材料为氮化硅，氧化硅的刻蚀速率小于氮化硅的刻蚀速率；氧化硅的刻蚀速率与氮化硅的刻蚀速率之比小于等于1:20。

按照与各第一子像素210的像素垫层240对应材料的刻蚀速率由小到大的顺序，在各第一子像素210的金属导电层230远离基底一侧，依次利用各第一子像素210对应的材料形成各第一子像素210的像素垫层240包括：

在各子像素200的金属导电层230远离基底一侧，利用氧化硅形成第一材料膜310；对第一材料膜310进行刻蚀，形成蓝色子像素211的像素垫层241；

具体地，参见图7，图7示出了蓝色子像素211的像素垫层241的制作过程。

如图7所示，蓝色子像素211的像素垫层241的制作步骤包括：

S31、利用氧化硅形成第一材料膜310，

S32、对第一材料膜310进行涂胶曝光显影，显影后保留蓝色子像素211上的光刻胶300，去除其余子像素200上的光刻胶300；

S33、进行刻蚀；刻蚀后，去除蓝色子像素211上的光刻胶300，得到蓝色子像素211的像素垫层241。

在蓝色子像素211的像素垫层241制作完成后，制作绿色子像素212的像素垫层242，包括：在各子像素200的金属导电层230远离基底一侧，利用氮化硅形成第二材料膜320；对第二材料膜320进行刻蚀，形成绿色子像素212的像素垫层242。

具体地，参见图8，图8示出了绿色子像素212的像素垫层242的制作过程。

如图8所示，绿色子像素212的像素垫层242的制作步骤包括：

S34、利用氮化硅形成第二材料膜320；

S35、对第二材料膜320进行涂胶曝光显影，显影后保留绿色子像素212上的光刻胶300，去除其余子像素200上的光刻胶300；

S36、进行刻蚀；刻蚀后去除绿色子像素212上的光刻胶300，得到绿色子像素212的像素垫层242。

由此，可以减少第二材料膜320也即氮化硅刻蚀过程中对蓝色子像素211的像素垫层241也即氧化硅的影响，避免蓝色子像素211的腔长波动。

在步骤S3形成各第一子像素210的像素垫层240之后，进行步骤S4，步骤S4还包括在像素垫层240上形成第一子像素210的透明导电层251的同时，在第二子像素220的金属导电层230上形成第二子像素220的透明导电层252，也即第一子像素210的透明导电层251和第二子像素220的透明导电层252同层且同材料制作。其中，第一子像素210的透明导电层251覆盖像素垫层240的背离基板100的一侧，并经由像素垫层240的边缘延伸至台阶面236，且至少覆盖台阶面236的一部分，台阶面236配置为透明导电层251和金属导电层230进行搭接。第二子像素220的透明导电层252经由金属导电层230的边缘延伸至台阶面236，且至少覆盖台阶面236的一部分。

透明导电层250的材料可以是ITO。

具体地，参见图9，图9示出了透明导电层250的制作过程。

如图9所示，透明导电层250的制作过程包括：

S41、在第一子像素210的像素垫层240以及第二子像素220的金属导电层230上形成ITO材料膜330；

S42、在ITO材料膜330上涂抹光刻胶，然后进行曝光显影；

S43、通过干法刻蚀去除各子像素200之间的ITO材料膜330。

在形成透明导电层250之后，可以在透明导电层251上形成像素定义层270。

可选的，由于在之前的制作过程中，形成了如图9中S43步骤所得到的结构中的沟道340，因此，在形成像素定义层270之前，可以对沟道340进行填充。

参见图10，图10示出了沟道340填充以及像素定义层270的制作流程：

可选的，可以利用氧化硅填充沟道340。

具体的，如图10所示，沟道340填充的过程包括：

S51、在透明导电层250上形成氧化硅膜350，在氧化硅膜350上涂抹光刻胶300；

S52、进行干法刻蚀将沟道340填平，从而减小金属导电层230的断差在半透明电极层290上的转印。

在步骤S52填平沟道340之后，进行步骤S53在透明导电层250的背离基板100的一侧形成像素定义层270。

像素定义层270设置有多个像素开口274，像素开口274用于暴露出各第一子像素210的透明导电层251。在相邻两个像素开口274之间形成底切结构280，底切结构280包括凹槽281，凹槽281的开口朝向背离基板100的方向，且在显示面板10的厚度截面上，凹槽281的开口处的水平尺寸小于凹槽281内部空间的水平尺寸。

具体地，像素定义层270可以包括第一材料层271和第二材料层272，第一材料层271和第二材料层272的刻蚀速率不同，可以首先形成第二材料层272，然后在第二材料层272上形成第一材料层271，通过对第一材料层271和第二材料层272刻蚀形成底切结构280。

像素定义层270还可以包括第三材料层273，在形成第二材料层272之前可以先形成第三材料层273。

在一个具体的实施例中，第一材料层271可以与第三材料层273的材料相同，第一材料层271和第三材料层273的材料可以是氧化硅，第二材料层272可以是氮化硅。也即，像素定义层270是由氧化硅、氮化硅以及氧化硅构成的复合膜层。

在一个具体的实施例中，步骤S53在透明导电层251的背离基板100的一侧形成像素定义层270可以包括：在透明导电层251上进行氧化硅/氮化硅/氧化硅复合膜层镀膜，之后进行涂胶曝光显影，最后采用干法刻蚀制作像素开口274和底切结构280。

其中，制作像素开口274和底切结构280具体分以下四步进行：第一步采用CF4(四氟化碳)打开每个子像素200上方的像素定义层270，形成像素开口274；第二步采用横向退胶方式放大像素开口274的距离；第三步采用CF4按照时间模式打开最上层氧化硅；第四步采用SF6(六氟化硫)进行横向内掏，因SF6可使氧化硅和氮化硅的选择比大于7，从而通过该步骤可以掏出底切结构280，至此形成图10中S53步骤完成后得到的像素定义层270。

在形成像素定义层270之后，可以在像素开口274内形成发光层260，在发光层260上形成半透明电极层290。由此，各子像素200的金属导电层230与半透明电极层290可以构成微腔结构。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上仅为本发明的较佳实施例，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (21)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

多个具有微腔结构的子像素，包括第一子像素，所述第一子像素包括沿远离所述基板方向依次层叠设置的金属导电层、像素垫层以及透明导电层；

在所述第一子像素中，所述金属导电层的侧壁形成有台阶结构，所述台阶结构的台阶面背离所述基板，所述透明导电层覆盖所述像素垫层的背离所述基板的一侧，并经由所述像素垫层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分，所述台阶面配置为所述透明导电层和所述金属导电层进行搭接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属导电层包括沿背离所述基板方向依次层叠设置的第一防护金属层、反射金属层以及第二防护金属层，所述台阶面位于所述第一防护金属层。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述反射金属层的材料为铝，所述第一防护金属层和所述第二防护金属层的材料为氮化钛。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述金属导电层还包括钛层，所述钛层位于所述第一防护金属层和所述基板之间。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述各第一子像素的像素垫层独立设置，所述像素垫层在所述基板的投影位于所述金属导电层在所述基板的投影范围内。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素包括蓝色子像素和绿色子像素；不同颜色第一子像素的像素垫层的材料不同，且所述各第一子像素的像素垫层的折射率与所述各第一子像素对应颜色光相匹配，以使所述各第一子像素的微腔结构满足对应颜色光的相长干涉条件。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述蓝色子像素中像素垫层的材料为氧化硅，所述绿色子像素中像素垫层的材料为氮化硅。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素还包括第二子像素，所述第二子像素包括沿远离所述基板方向依次层叠设置的金属导电层、透明导电层以及发光层；

在所述第二子像素中，所述金属导电层的侧壁形成有台阶结构，所述台阶结构的台阶面背离所述基板，所述第二子像素的所述透明导电层覆盖所述金属导电层的背离所述基板的一侧，并经由所述金属导电层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分。

9.根据权利要求1或8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素定义层，所述像素定义层位于所述透明导电层的背离所述基板的一侧，所述像素定义层设置有多个像素开口，所述像素开口用于暴露出所述各子像素的透明导电层。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层还包括底切结构，所述底切结构位于相邻两个像素开口之间；所述底切结构包括凹槽，所述凹槽的开口朝向背离所述基板的方向，且在所述显示面板的厚度截面上，所述凹槽开口处的水平尺寸小于所述凹槽内部空间的水平尺寸。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层至少包括沿靠近所述基板方向依次层叠设置的第一材料层和第二材料层。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第一材料层的材料为氧化硅，所述第二材料层的材料为氮化硅。

13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括发光层和半透明电极层；

所述发光层位于所述透明导电层的背离基板的一侧，所述半透明电极层位于所述发光层的背离所述基板的一侧，所述金属导电层和所述半透明电极层构成所述微腔结构。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的显示面板。

15.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成多个具有微腔结构的子像素的金属导电层；所述子像素包括第一子像素；所述金属导电层的侧壁形成有台阶结构，所述台阶结构的台阶面背离所述基板；

在所述金属导电层的背离所述基板的一侧形成所述第一子像素的像素垫层；

在所述像素垫层上形成所述第一子像素的透明导电层，所述第一子像素的透明导电层覆盖所述像素垫层的背离所述基板的一侧，并经由所述像素垫层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分，所述台阶面配置为所述透明导电层和位于所述像素垫层下方的所述金属导电层进行搭接。

16.根据权利要求15所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述金属导电层包括沿背离所述基板方向依次层叠设置的第一防护金属层、反射金属层以及第二防护金属层；

所述在所述基底上形成多个具有微腔结构的子像素的金属导电层包括：

在所述第一防护金属层形成所述台阶面。

17.根据权利要求16所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述反射金属层的刻蚀速率大于所述第一防护金属层的刻蚀速率。

18.根据权利要求15所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一子像素包括蓝色子像素和绿色子像素；不同颜色第一子像素的像素垫层的材料不同，且所述各第一子像素的像素垫层的折射率与所述各第一子像素对应颜色光相匹配，以使所述各第一子像素的微腔结构满足对应颜色光的相长干涉条件；

所述在所述金属导电层上形成多个所述第一子像素的像素垫层包括：

按照与所述各第一子像素的像素垫层对应材料的刻蚀速率由小到大的顺序，在所述各第一子像素的金属导电层远离所述基底一侧，依次利用所述各第一子像素对应的材料形成所述各第一子像素的像素垫层。

19.根据权利要求18所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述蓝色子像素的像素垫层的材料为氧化硅，所述绿色子像素的像素垫层的材料为氮化硅，所述氧化硅的刻蚀速率小于所述氮化硅的刻蚀速率；

所述按照与所述各第一子像素的像素垫层对应材料的刻蚀速率由小到大的顺序，在所述各第一子像素的金属导电层远离所述基底一侧，依次利用所述各第一子像素对应的材料形成所述各第一子像素的像素垫层包括：

在所述各子像素的金属导电层远离所述基底一侧，利用所述氧化硅形成形成第一材料膜；对所述第一材料膜进行刻蚀，形成所述蓝色子像素的像素垫层；

在所述各子像素的金属导电层远离所述基底一侧，利用所述氮化硅形成第二材料膜；对所述第二材料膜进行刻蚀，形成所述绿色子像素的像素垫层。

20.根据权利要求15所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述子像素还包括第二子像素，所述在所述像素垫层上形成所述第一子像素的透明导电层的同时，在所述第二子像素的金属导电层上形成所述第二子像素的透明导电层，所述第二子像素的透明导电层经由所述金属导电层的边缘延伸至所述台阶面，且至少覆盖所述台阶面的一部分。

21.根据权利要求15所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板还包括像素定义层；所述第一子像素还包括发光层和半透明电极层；

所述在所述像素垫层上形成多个所述第一子像素的透明导电层之后，还包括：

在所述第一子像素的透明导电层上形成所述像素定义层，所述像素定义层位于所述透明导电层的背离所述基板的一侧，所述像素定义层设置有多个像素开口，所述像素开口用于暴露出所述各第一子像素的透明导电层；

在相邻两个所述像素开口之间形成底切结构；所述底切结构包括凹槽，所述凹槽的开口朝向背离所述基板的方向，且在所述显示面板的厚度截面上，所述凹槽的开口处的水平尺寸小于所述凹槽内部空间的水平尺寸；

在所述像素开口内形成所述发光层；

在所述发光层上形成所述半透明电极层。