CN116918196A - 气体激光装置和电子器件的制造方法 - Google Patents

气体激光装置和电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

气体激光装置具有：激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使光进行谐振；放大器，其包含放大部和放大侧谐振器；分束器，其使来自激光侧谐振器的光的一部分反射；光传感器，其检测被分束器反射的光；以及处理器，其根据光传感器的输出对电压进行控制。放大侧谐振器包含后镜和放大侧输出耦合镜，激光侧谐振器包含光栅和激光侧输出耦合镜。在电压低于电压的阈值的情况下，处理器将电压维持在阈值以上的固定值。

Description

气体激光装置和电子器件的制造方法
技术领域
本公开涉及气体激光装置和电子器件的制造方法。
背景技术
近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248.0nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193.4nm的激光的ArF准分子激光装置。
KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350pm～400pm。因此，在利用使KrF和ArF激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrowing Module：LNM)。下面，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4364757号公报
专利文献2：日本特许第5513653号公报
专利文献3：美国专利第7382816号说明书
发明内容
本公开的一个方式的气体激光装置也可以具有：激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使光进行谐振；放大器，其包含对透过激光侧谐振器的光进行放大的放大部和使由放大部放大的光进行谐振的放大侧谐振器；分束器，其使来自激光侧谐振器的光的一部分反射；光传感器，其检测被分束器反射的光；以及处理器，其根据光传感器的输出对电压进行控制，放大侧谐振器包含：后镜，其使来自激光侧谐振器的光的一部分透过，使来自激光侧谐振器的光的另外一部分朝向激光侧谐振器反射，使由放大部放大的光的一部分朝向激光侧谐振器透过，使由放大部放大的光的另外一部分反射；以及放大侧输出耦合镜，其使由放大部放大的光的一部分反射，使由放大部放大的光的另外一部分透过，激光侧谐振器包含：光栅，其使利用激光气体产生的光反射；以及激光侧输出耦合镜，其使利用激光气体产生的光的一部分反射，使利用激光气体产生的光的另外一部分朝向分束器透过，使来自后镜的光的一部分朝向分束器反射，在电压低于电压的阈值的情况下，处理器将电压维持在阈值以上的固定值。
本公开的一个方式的气体激光装置也可以具有：激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使光进行谐振；放大器，其包含对透过激光侧谐振器的光进行放大的放大部和使由放大部放大的光进行谐振的放大侧谐振器；分束器，其使来自激光侧谐振器的光的一部分反射；光传感器，其检测被分束器反射的光；以及处理器，其根据光传感器的输出对电压进行控制，放大侧谐振器包含：后镜，其使来自激光侧谐振器的光的一部分透过，使来自激光侧谐振器的光的另外一部分朝向激光侧谐振器反射，使由放大部放大的光的一部分朝向激光侧谐振器透过，使由放大部放大的光的另外一部分反射；以及放大侧输出耦合镜，其使由放大部放大的光的一部分反射，使由放大部放大的光的另外一部分透过，激光侧谐振器包含：光栅，其使利用激光气体产生的光反射；以及激光侧输出耦合镜，其使利用激光气体产生的光的一部分反射，使利用激光气体产生的光的另外一部分朝向分束器透过，使来自后镜的光的一部分朝向分束器反射，在电压低于电压的阈值的情况下，处理器将电压提高到比阈值大的规定值。
本公开的一个方式的电子器件的制造方法也可以包含以下步骤：通过气体激光装置生成激光，将激光输出到曝光装置，在曝光装置内在感光基板上曝光激光，以制造电子器件，气体激光装置具有：激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使光进行谐振；放大器，其包含对透过激光侧谐振器的光进行放大的放大部和使由放大部放大的光进行谐振的放大侧谐振器；分束器，其使来自激光侧谐振器的光的一部分反射；光传感器，其检测被分束器反射的光；以及处理器，其根据光传感器的输出对电压进行控制，放大侧谐振器包含：后镜，其使来自激光侧谐振器的光的一部分透过，使来自激光侧谐振器的光的另外一部分朝向激光侧谐振器反射，使由放大部放大的光的一部分朝向激光侧谐振器透过，使由放大部放大的光的另外一部分反射；以及放大侧输出耦合镜，其使由放大部放大的光的一部分反射，使由放大部放大的光的另外一部分透过，激光侧谐振器包含：光栅，其使利用激光气体产生的光反射；以及激光侧输出耦合镜，其使利用激光气体产生的光的一部分反射，使利用激光气体产生的光的另外一部分朝向分束器透过，使来自后镜的光的一部分朝向分束器反射，在电压低于电压的阈值的情况下，处理器将电压维持在阈值以上的固定值。
本公开的一个方式的电子器件的制造方法也可以包含以下步骤：通过气体激光装置生成激光，将激光输出到曝光装置，在曝光装置内在感光基板上曝光激光，以制造电子器件，气体激光装置具有：激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使光进行谐振；放大器，其包含对透过激光侧谐振器的光进行放大的放大部和使由放大部放大的光进行谐振的放大侧谐振器；分束器，其使来自激光侧谐振器的光的一部分反射；光传感器，其检测被分束器反射的光；以及处理器，其根据光传感器的输出对电压进行控制，放大侧谐振器包含：后镜，其使来自激光侧谐振器的光的一部分透过，使来自激光侧谐振器的光的另外一部分朝向激光侧谐振器反射，使由放大部放大的光的一部分朝向激光侧谐振器透过，使由放大部放大的光的另外一部分反射；以及放大侧输出耦合镜，其使由放大部放大的光的一部分反射，使由放大部放大的光的另外一部分透过，激光侧谐振器包含：光栅，其使利用激光气体产生的光反射；以及激光侧输出耦合镜，其使利用激光气体产生的光的一部分反射，使利用激光气体产生的光的另外一部分朝向分束器透过，使来自后镜的光的一部分朝向分束器反射，在电压低于电压的阈值的情况下，处理器将电压提高到比阈值大的规定值。
附图说明
下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。
图1是示出电子器件的制造装置的整体的概略结构例的示意图。
图2是示出比较例的气体激光装置的整体的概略结构例的示意图。
图3是示出比较例的处理器的控制流程图的一例的图。
图4是图3所示的MO振荡控制处理中的处理器的控制流程图。
图5是图3所示的PO振荡控制处理中的处理器的控制流程图。
图6是图3所示的MO能量控制处理中的处理器的控制流程图。
图7是图3所示的PO能量控制处理中的处理器的控制流程图。
图8是示出比较例中的激光振荡器的脉冲功率模块的电压与电压变化的时刻之间的关系的图。
图9是示出实施方式1中的激光振荡器的脉冲功率模块的电压与电压变化的时刻之间的关系的图。
图10是示出实施方式1的处理器的控制流程图的一例的图。
图11是图10所示的MO振荡控制处理中的处理器的控制流程图。
图12是图10所示的退化控制模式转移处理的拉升控制模式中的处理器的控制流程图。
图13是图10所示的退化控制模式转移处理的固定控制模式中的处理器的控制流程图。
图14是图10所示的退化控制模式结束判定处理中的处理器的控制流程图。
图15是示出实施方式2中的激光振荡器的脉冲功率模块的电压与电压变化的时刻之间的关系的图。
图16是实施方式2的振荡控制处理中的处理器的控制流程图。
图17是实施方式2的退化控制模式转移处理中的处理器的控制流程图。
图18是实施方式2的退化控制模式结束判定处理中的处理器的控制流程图。
图19是示出实施方式3中的激光振荡器的脉冲功率模块的电压与电压变化的时刻之间的关系的图。
图20是实施方式3的退化控制模式转移处理中的处理器的控制流程图。
图21是实施方式3的退化控制模式结束判定处理中的处理器的控制流程图。
具体实施方式
1.电子器件的曝光工序中使用的电子器件的制造装置的说明
2.比较例的气体激光装置的说明
2.1 结构
2.2 动作
2.3 课题
3.实施方式1的气体激光装置的说明
3.1 结构
3.2 动作
3.3作用/效果
4.实施方式2的气体激光装置的说明
4.1 结构
4.2 动作
4.3作用/效果
5.实施方式3的气体激光装置的说明
5.1 结构
5.2 动作
5.3作用/效果
下面，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。
以下说明的实施方式示出本公开的几个例子，不限定本公开的内容。此外，各实施方式中说明的结构和动作并不一定全都是本公开的结构和动作所必须的。另外，对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。
1.电子器件的曝光工序中使用的电子器件的制造装置的说明
图1是示出电子器件的曝光工序中使用的电子器件的制造装置的整体的概略结构例的示意图。如图1所示，曝光工序中使用的制造装置包含气体激光装置100和曝光装置200。曝光装置200包含照明光学系统210和投影光学系统220，该照明光学系统210包含多个镜211、212、213。照明光学系统210通过从气体激光装置100入射的激光对掩模版台RT的掩模版图案进行照明。投影光学系统220对透过掩模版的激光进行缩小投影，使其在被配置于工件台WT上的未图示的工件上成像。工件是被涂布了光致抗蚀剂的半导体晶片等感光基板。曝光装置200使掩模版台RT和工件台WT同步地平行移动，由此在工件上曝光反映了掩模版图案的激光。通过以上这种曝光工序在半导体晶片上转印器件图案，由此能够制造作为电子器件的半导体器件。
2.比较例的气体激光装置的说明
2.1结构
对比较例的气体激光装置100进行说明。另外，本公开的比较例是申请人认识到仅申请人知道的方式，不是申请人自己承认的公知例。
图2是示出本例的气体激光装置100的整体的概略结构例的示意图。气体激光装置100例如是使用包含氩(Ar)、氟(F2)和氖(Ne)的混合气体的ArF准分子激光装置。该情况下，气体激光装置100输出中心波长大约为193.4nm的脉冲激光。气体激光装置100也可以是ArF准分子激光装置以外的气体激光装置，例如也可以是使用包含氪(Kr)、F2和Ne的混合气体的KrF准分子激光装置。该情况下，气体激光装置100出射中心波长大约为248.0nm的脉冲激光。包含作为激光介质的Ar、F2和Ne的混合气体、包含作为激光介质的Kr、F2和Ne的混合气体有时被称为激光气体。
本例的气体激光装置100包含壳体110、作为主振荡器的激光振荡器130、光传输单元141、作为振荡侧的第1检测部的检测部151、作为功率振荡器的放大器160、光传输单元143、作为放大侧的第2检测部的检测部153、显示部180和处理器190作为主要结构。激光振荡器130、光传输单元141、143、检测部151、153、放大器160、显示部180和处理器190被配置于壳体110的内部空间。
激光振荡器130包含腔装置CH、充电器41、脉冲功率模块43、窄带化模块60和作为激光侧输出耦合镜的输出耦合镜70作为主要结构。
在图2中，示出从与激光的行进方向大致垂直的方向观察到的腔装置CH的内部结构。腔装置CH具有壳体30、一对窗口31a、31b、一对电极32a、32b、绝缘部33、馈通孔34和电极保持架部36作为主要结构。
从未图示的激光气体供给装置经由未图示的配管向壳体30的内部空间供给上述的激光气体，壳体30在内部空间中封入激光气体。内部空间是通过激光气体的激励而产生光的空间。
窗口31a和窗口31b被设置于壳体30中的彼此对置的位置。窗口31a位于从气体激光装置100朝向曝光装置200的激光的行进方向上的前侧，窗口31b位于该行进方向上的后侧。窗口31a、31b以相对于激光的行进方向成布儒斯特角的方式倾斜，以抑制激光的P偏振光的反射。窗口31a被配置于壳体30的前侧的壁面的孔，窗口31b被配置于壳体30的后侧的壁面的孔。
电极32a、32b的长度方向沿着激光的行进方向，电极32a、32b在壳体30的内部空间中彼此对置地配置。壳体30中的电极32a与电极32b之间的空间被窗口31a和窗口31b夹着。电极32a、32b是用于通过辉光放电来激励激光介质的放电电极。在本例中，电极32a为阴极，电极32b为阳极。
电极32a被绝缘部33支承。绝缘部33堵住与壳体30连续的开口。绝缘部33包含绝缘体。绝缘体例如可举出与F2气体的反应性低的氧化铝陶瓷。此外，在绝缘部33配置有由导电部件构成的馈通孔34。馈通孔34将从脉冲功率模块43供给的电压施加给电极32a。电极32b被电极保持架部36支承，并且与电极保持架部36电连接。
充电器41是以规定的电压对被设置于脉冲功率模块43中的未图示的电容器进行充电的直流电源装置。充电器41被配置于壳体30的外部，与脉冲功率模块43连接。脉冲功率模块43包含由处理器190控制的未图示的开关。当开关通过处理器190的控制而从断开变成接通时，脉冲功率模块43使从充电器41施加的电压升压，生成脉冲状的高电压，将该高电压施加给电极32a、32b。当被施加高电压时，电极32a与电极32b之间的绝缘被击穿，产生放电。通过该放电的能量，壳体30内的激光气体被激励而向高能级跃迁。然后，被激励的激光气体向低能级跃迁时，发射与该能级差对应的光。被发射的光透过窗口31a、31b向壳体30的外部出射。
窄带化模块60包含棱镜61、光栅63、未图示的旋转台和壳体65。棱镜61、光栅63和旋转台被配置于壳体65的内部空间。开口与壳体65连续，壳体65经由开口与壳体30的后侧连接。
棱镜61使从窗口31b出射的光的射束宽度扩大，使该光入射到光栅63。此外，棱镜61使来自光栅63的反射光的射束宽度缩小，并且使该光经由窗口31b返回到壳体30的内部空间。棱镜61被旋转台支承，通过旋转台而旋转。通过棱镜61的旋转，光相对于光栅63的入射角被变更。因此，通过使棱镜61旋转，能够选择从光栅63经由棱镜61返回到壳体30的光的波长。在图2中，示出配置有1个棱镜61的例子，但是，棱镜配置有至少1个即可。
光栅63的表面由高反射率的材料构成，在表面以规定间隔设置有多个槽。光栅63是色散光学元件。各槽的截面形状例如为直角三角形。从棱镜61入射到光栅63的光被这些槽反射，并且向与光的波长对应的方向衍射。光栅63被进行利特罗配置，以使从棱镜61入射到光栅63的光的入射角和期望波长的衍射光的衍射角一致。由此，期望的波长附近的光经由棱镜61返回到壳体30。
输出耦合镜70与窗口31a对置。在输出耦合镜70涂敷有部分反射膜。输出耦合镜70使经由窗口31a从壳体30出射的激光中的一部分透过，使另外一部分反射而经由窗口31a返回到壳体30的内部空间。例如，输出耦合镜70的反射率也可以大致为40％～60％。输出耦合镜70例如由在氟化钙的基板形成有电介质多层膜的元件构成。此外，输出耦合镜70经由未图示的阻尼器被固定于与壳体30的前侧连接的光路管70a的内部空间。
利用隔着壳体30设置的光栅63和输出耦合镜70构成使从上述的激光气体发射的光进行谐振的激光侧谐振器。壳体30被配置于激光侧谐振器的光路上，从壳体30出射的光在光栅63与输出耦合镜70之间往复。往复的光每当通过电极32a与电极32b之间的激光增益空间时被放大。被放大的光的一部分作为脉冲激光透过输出耦合镜70。
光传输单元141包含壳体141a和高反射镜141b、141c作为主要结构。壳体141a中的与光路管70a连接的连接部形成开口，壳体141a通过该开口与光路管70a连通。此外，壳体141a中的与后述的光路管171a连接的连接部形成开口，壳体141a通过该开口与光路管171a连通。高反射镜141b、141c在各自的倾斜角度被调整的状态下被配置于壳体141a的内部空间。作为高反射镜141b、141c的结构，例如，在由合成石英、氟化钙形成的透明基板的表面涂敷有使脉冲激光高反射的反射膜。高反射镜141b、141c被配置于来自输出耦合镜70的脉冲激光的光路上。该脉冲激光在高反射镜141b、141c反射，向放大器160的后镜171行进。该激光的至少一部分透过后镜171。
检测部151包含壳体151a、分束器151b和光传感器151c作为主要结构。开口与壳体151a连续，以包围与壳体141a连续的开口的方式连接有壳体151a的开口的缘部。因此，壳体151a通过该开口与壳体141a连通。
分束器151b在壳体141a的内部空间中、在高反射镜141b与高反射镜141c之间被配置于脉冲激光的光路上。此外，分束器151b内配置成，跟与壳体151a的内部空间连续的壳体141a的开口相邻。分束器151b使从激光振荡器130的输出耦合镜70侧行进且由高反射镜141b反射的脉冲激光的一部分朝向光传感器151c的受光面反射。此外，分束器151b使该脉冲激光的另外一部分以高透射率透过高反射镜141c。
光传感器151c被配置于壳体151a的内部空间。光传感器151c计测入射到光传感器151c的受光面的脉冲激光的脉冲能量。光传感器151c与处理器190电连接，将表示计测的脉冲能量的信号输出到处理器190。处理器190根据该信号对激光振荡器130的电极32a、32b的电压进行控制。
放大器160是对从激光振荡器130输出的脉冲激光的能量进行放大的放大器。放大器160的基本结构与激光振荡器130相同，具有腔装置CH、充电器41和脉冲功率模块43。放大器160的电极32a、32b是对来自激光振荡器130的脉冲激光进行放大的放大部。
此外，放大器160具有使由放大器160的电极32a、32b放大的脉冲激光进行谐振的法布里-珀罗型的谐振器。该谐振器由作为放大侧输出耦合镜的输出耦合镜170和后镜171构成。后镜171被设置于放大器160的窗口31b和高反射镜141c之间，输出耦合镜170被设置于放大器160的窗口31a和光传输单元143的高反射镜143b之间。例如，输出耦合镜170的反射率大约为10％～30％，后镜171的反射率大约为50％～90％。后镜171使来自激光振荡器130的脉冲激光的一部分朝向电极32a、32b透过，使由电极32a、32b放大的脉冲激光的一部分朝向电极32a、32b之间的空间反射。此外，输出耦合镜170使由电极32a、32b放大的脉冲激光的一部分朝向电极32a、32b之间的空间反射，使该脉冲激光的另外一部分透过。后镜171被配置于光路管171a的内部空间。光路管171a以包围放大器160的窗口31b的方式与放大器160的壳体30连接。输出耦合镜170被配置于光路管170a的内部空间。光路管170a以包围放大器160的窗口31a的方式与放大器160的壳体30连接。
光传输单元143包含壳体143a和高反射镜143b、143c作为主要结构。壳体143a中的与光路管170a连接的连接部形成开口，壳体143a通过该开口与光路管170a连通。此外，壳体143a中的与后述的壳体153a连接的连接部形成开口，壳体143a通过该开口与壳体153a连通。高反射镜143b、143c在各自的倾斜角度被调整的状态下被配置于壳体143a的内部空间。高反射镜143b、143c的结构与高反射镜141b、141c的结构相同。透过输出耦合镜170的激光在高反射镜143b、143c反射，向检测部153行进。
检测部153包含壳体153a、分束器153b和光传感器153c作为主要结构。开口与壳体153a，以包围该开口的方式连接有壳体143a。因此，壳体153a通过该开口与壳体143a连通。在壳体153a的内部空间配置有分束器153b和光传感器153c。
分束器153b被配置于透过输出耦合镜170的脉冲激光的光路上。分束器153b使透过输出耦合镜170的脉冲激光以高透射率向出射窗口173透过，并且使脉冲激光的一部分朝向光传感器153c的受光面反射。
光传感器153c计测入射到光传感器153c的受光面的脉冲激光的脉冲能量。光传感器153c与处理器190电连接，将表示计测的脉冲能量的信号输出到处理器190。处理器190根据该信号对放大器160的电极32a、32b的电压进行控制。
开口与检测部153中的壳体153a中的与连接有壳体143a的一侧相反的一侧连续，以包围该开口的方式连接有光路管173a。因此，壳体153a和光路管173a彼此连通。此外，光路管173a与壳体110连接。在壳体110中的被光路管173a包围的位置设置有出射窗口173。透过检测部153的分束器153b的光从出射窗口173向壳体110的外部的曝光装置200出射。
在光路管70a、170a、171a、壳体30、141a、143a、151a、153a的内部空间被填充有吹扫气体。吹扫气体包含氧等杂质少的高纯度氮等非活性气体。吹扫气体从被配置于壳体110的外部的未图示的吹扫气体供给源通过未图示的配管被供给到光路管70a、170a、171a、壳体30、141a、143a、151a、153a的内部空间。
显示部180是根据来自处理器190的信号显示基于处理器190的控制的状态的监视器。
本公开的处理器190是包含存储有控制程序的存储装置和执行控制程序的CPU的处理装置。处理器190是为了执行本公开中包含的各种处理而特别地构成或被编程的。此外，处理器190对气体激光装置100整体进行控制。此外，处理器190与曝光装置200的未图示的曝光处理器电连接，在与曝光处理器之间发送接收各种信号。
2.2动作
接着，对比较例的气体激光装置100的处理器190的动作进行说明。
图3是示出比较例的处理器190的控制流程图的一例的图。如图3所示，本实施方式的控制流程包含步骤SP11～步骤SP15。在图3所示的开始的状态下，处理器190从曝光装置200的曝光处理器接收激光振荡器130和放大器160的振荡指示信号。
(步骤SP11)
在本步骤中，处理器190转移到激光振荡器130的后述的振荡控制处理。下面，有时将该处理称为MO振荡控制处理。当MO振荡控制处理结束后，处理器190使控制流程进入步骤SP12。
(步骤SP12)
在本步骤中，处理器190转移到放大器160的后述的振荡控制处理。下面，有时将该处理称为PO振荡控制处理。当PO振荡控制处理结束后，处理器190使控制流程进入步骤SP13。另外，处理器190也可以使控制流程按照步骤SP12、SP11的顺序进行，还可以同时进行步骤SP11和步骤SP12。
(步骤SP13)
在本步骤中，处理器190转移到激光振荡器130的后述的能量控制处理。下面，有时将该处理称为MO能量控制处理。当MO能量控制处理结束后，处理器190使控制流程进入步骤SP14。
(步骤SP14)
在本步骤中，处理器190转移到放大器160的后述的能量控制处理。下面，有时将该处理称为PO能量控制处理。当PO能量控制处理结束后，处理器190使控制流程进入步骤SP15。另外，处理器190也可以同时进行步骤SP13和步骤SP14。
(步骤SP15)
在本步骤中，处理器190在从曝光装置200的曝光处理器被输入下一个振荡指示信号的情况下，使控制流程返回步骤SP13。此外，处理器190在未从曝光处理器被输入下一个振荡指示信号的情况下，对激光振荡器130和放大器160进行控制以使电压的施加停止，结束控制流程。下一个振荡指示信号是在开始的状态下接收到的振荡指示信号的下一个信号。
图4是步骤SP11的MO振荡控制处理中的处理器190的控制流程图。如图4所示，该控制流程图包含步骤SP21～步骤SP23。
(步骤SP21)
在本步骤中，处理器190设定从激光振荡器130出射的脉冲激光的脉冲能量的初始值EMO0。下面，有时将该光称为MO注入光。处理器190在设定初始值EMO0后，使控制流程进入步骤SP22。
(步骤SP22)
在本步骤中，处理器190设定被施加给激光振荡器130的电极32a、32b的电压VMO的初始值VMO0，以使脉冲能量为初始值EMO0的MO注入光从激光振荡器130出射。处理器190在设定初始值VMO0后，使控制流程进入步骤SP23。
(步骤SP23)
在本步骤中，处理器190将被施加给激光振荡器130的电极32a、32b的电压VMO的目标值VMOt设定为初始值VMO0。处理器190在设定目标值VMOt后，结束MO振荡控制处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP12。
图5是步骤SP12的PO振荡控制处理中的处理器190的控制流程图。如图5所示，该控制流程图包含步骤SP31～步骤SP33。PO振荡控制处理是在放大器160侧也进行MO振荡控制处理的步骤SP21中的初始值EMO0、步骤SP22中的初始值VMO0和步骤SP23中的目标值VMOt各自的设定的处理。下面，对各步骤进行简单说明。
(步骤SP31、SP32、SP33)
在步骤SP31中，处理器190设定从放大器160出射的脉冲激光的脉冲能量的初始值EPO0。下面，有时将该光称为放大激光。在步骤SP32中，处理器190设定被施加给放大器160的电极32a、32b的电压VPO的初始值VPO0，以使脉冲能量为初始值EPO0的放大激光从放大器160出射。在步骤SP33中，处理器190将被施加给放大器160的电极32a、32b的电压VPO的目标值VPOt设定为初始值VPO0。
处理器190在设定目标值VPOt后，结束PO振荡控制处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP13。
图6是步骤SP13的MO能量控制处理中的处理器190的控制流程图。如图6所示，该控制流程图包含步骤SP41～步骤SP49。
(步骤SP41)
在本步骤中，处理器190设定从激光振荡器130出射的MO注入光的脉冲能量的目标值EMOt。处理器190在设定目标值EMOt后，使控制流程进入步骤SP42。
(步骤SP42)
在本步骤中，处理器190接通激光振荡器130的脉冲功率模块43中的开关。在开关成为接通后，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使脉冲能量为目标值EMOt的MO注入光从激光振荡器130出射。具体而言，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得以步骤SP23中设定的目标值VMOt将电压VMO施加给电极32a、32b。目标值VMOt是根据目标值EMOt设定的值。处理器190在被施加成为目标值VMOt的电压VMO后，使控制流程进入步骤SP43。
在被施加成为目标值VMOt的电压VMO后，电极32a与电极32b之间的绝缘被击穿而产生放电。通过该放电的能量，电极32a与电极32b之间的激光气体中包含的激光介质成为激励状态，在返回基态时发射自然发射光。该光的一部分为紫外线，并透过窗口31b。透过的光在透过棱镜61时，在光的行进方向上被扩大。此外，光在透过棱镜61时进行波长色散，并被引导至光栅63。光以规定的角度入射到光栅63并进行衍射，规定波长的光以与入射角度相同的反射角度在光栅63处被反射。在光栅63处被反射的光经由棱镜61再次从窗口31b向壳体30的内部空间传播。向壳体30的内部空间传播的光被窄带化。通过该窄带化后的光，激励状态的激光介质产生受激发射，光被放大。光透过窗口31a，向输出耦合镜70行进。光的一部分透过输出耦合镜70，光的其余的一部分被输出耦合镜70反射而透过窗口31a向壳体30的内部空间传播。向壳体30的内部空间传播的光如上所述透过窗口31b和棱镜61向光栅63行进。这样，规定的波长的光在光栅63与输出耦合镜70之间往复。光每当通过壳体30的内部空间中的放电空间时被放大，产生激光振荡。然后，激光的一部分作为MO注入光从壳体30出射，透过输出耦合镜70，被高反射镜141b反射而向分束器151b行进，该MO注入光是脉冲激光。
向分束器151b行进的MO注入光中的一部分透过分束器151b，被高反射镜141c反射而向后镜171行进。向后镜171行进的MO注入光的上述一部分透过后镜171和放大器160的窗口31b向壳体30的内部行进。此外，向分束器151b行进的MO注入光中的另外一部分被分束器151b反射而向光传感器151c行进。
光传感器151c计测包含MO注入光的脉冲激光的脉冲能量的实测值EMO。光传感器151c将表示实测值EMO的信号输出到处理器190。
(步骤SP43)
在本步骤中，处理器190根据来自光传感器151c的信号取得实测值EMO。处理器190在取得实测值EMO后，使控制流程进入步骤SP44。
(步骤SP44)
在本步骤中，处理器190计算脉冲能量的目标值EMOt与实测值EMO之差即控制量ΔEMO。处理器190在计算控制量ΔEMO后，使控制流程进入步骤SP45。
(步骤SP45)
在本步骤中，处理器190根据控制量ΔEMO计算电压VMO的控制量ΔVMO。处理器190在计算控制量ΔVMO后，使控制流程进入步骤SP46。
(步骤SP46)
在本步骤中，如果实测值EMO小于目标值EMOt，则处理器190使控制流程进入步骤SP47。如果实测值EMO和目标值EMOt相同，则处理器190使控制流程进入步骤SP48。此外，如果实测值EMO大于目标值EMOt，则处理器190使控制流程进入步骤SP49。
(步骤SP47、SP48、SP49)
在步骤SP47中，处理器190将电压VMO的新的目标值VMOt设定为对步骤SP23中的目标值VMOt加上控制量ΔVMO而得到的值。在步骤SP48中，处理器190将电压VMO的新的目标值VMOt设定为步骤SP23中的目标值VMOt。在步骤SP49中，处理器190将电压VMO的新的目标值VMOt设定为从步骤SP23中的目标值VMOt减去控制量ΔVMO而得到的值。
处理器190在步骤SP47、SP48、SP49中设定新的目标值VMOt后，结束MO能量控制处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP14。这里，说明控制流程按照步骤SP14、SP15、SP13、SP14的顺序进行的情况。该情况下，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得在步骤SP42中以在步骤SP47、SP48、SP49中设定的新的目标值VMOt将电压VMO施加给电极32a、32b。因此，处理器190根据实测值EMO对被施加给电极32a、32b的电压VMO进行控制。
图7是步骤SP14的PO能量控制处理中的处理器190的控制流程图。如图7所示，该控制流程图包含步骤SP51～步骤SP59。PO能量控制处理是在放大器160侧也进行MO能量控制处理的步骤SP41～步骤SP49中的控制的处理。在PO能量控制处理的开始的状态下，被高反射镜141c反射的作为MO注入光的脉冲激光的一部分透过后镜171和窗口31b，向放大器160的壳体30的内部空间行进。
(步骤SP51)
在本步骤中，处理器190设定从放大器160出射的放大激光的脉冲能量的目标值EPOt。
(步骤SP52)
在本步骤中，处理器190接通脉冲功率模块43中的开关，以使得在来自激光振荡器130的MO注入光向放大器160的壳体30内的放电空间行进时产生放电。在开关成为接通后，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使脉冲能量为目标值EPOt的放大激光从激光振荡器130出射。具体而言，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得以步骤SP33中的目标值VPOt将电压VPO施加给电极32a、32b。目标值VPOt是根据目标值EPOt设定的值。
在被施加成为目标值VPOt的电压VPO后，入射到放大器160的MO注入光在放大器160中进行放大振荡。此外，向放大器160的壳体30的内部空间传播的MO注入光如上所述透过窗口31a、31b，向后镜171和输出耦合镜170行进。这样，规定的波长的光在后镜171与输出耦合镜70之间往复。光每当通过壳体30的内部空间中的放电空间时被放大，产生激光振荡，光的一部分成为放大激光。
此外，来自放大器160的放大激光的上述一部分透过输出耦合镜170，被高反射镜143b、143c反射而向分束器153b行进。
向分束器153b行进的放大激光中的一部分透过分束器153b和出射窗口173向曝光装置200行进，另外一部分被分束器153b反射而向光传感器153c行进。
光传感器153c计测放大激光的脉冲能量的实测值EPO。光传感器153c将表示实测值EPO的信号输出到处理器190。
(步骤SP53、SP54、SP55)
在步骤SP53中，处理器190根据来自光传感器153c的信号取得实测值EPO。在步骤SP54中，处理器190计算脉冲能量的目标值EPOt与实测值EPO之差即控制量ΔEPO。在步骤SP55中，处理器190根据控制量ΔEPO计算电压VMO的控制量ΔVPO。
(步骤SP56)
在本步骤中，如果实测值EPO小于目标值EPOt，则处理器190使控制流程进入步骤SP57。如果实测值EPO和目标值EPOt相同，则处理器190使控制流程进入步骤SP58。此外，如果实测值EPO大于目标值EPOt，则处理器190使控制流程进入步骤SP59。
(步骤SP57、SP58、SP59)
在步骤SP57中，处理器190将电压VPO的新的目标值VPOt设定为对步骤SP33中的目标值VPOt加上控制量ΔVPO而得到的值。在步骤SP58中，处理器190将电压VPO的新的目标值VPOt设定为步骤SP33中的目标值VPOt。在步骤SP59中，处理器190将电压VPO的新的目标值VPOt设定为从步骤SP33中的目标值VPOt减去控制量ΔVPO而得到的值。
处理器190在步骤SP57、SP58、SP59中设定新的目标值VPOt后，结束PO能量控制处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP15。这里，说明控制流程按照步骤SP15、SP13、SP14的顺序进行的情况。该情况下，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得在步骤SP52中以在步骤SP57、SP58、SP59中设定的新的目标值VPOt将电压VPO施加给电极32a、32b。因此，处理器190根据实测值EPO对被施加给电极32a、32b的电压VPO进行控制。
2.3课题
比较例的气体激光装置100是利用放大器160对从激光振荡器130出射的光进行放大并向曝光装置200出射的MOPA型的激光装置。在这种气体激光装置100中，分别独立地对激光振荡器130和放大器160进行控制，以使从放大器160向曝光装置200行进的放大激光的脉冲能量的实测值EPO收敛于规定范围。下面，有时将这种控制称为曝光量固定控制模式。
此外，在激光振荡器130中，对电压VMO的目标值VMOt进行控制，以使MO注入光的脉冲能量的实测值EMO收敛于规定范围。此外，在放大器160中，也对电压VPO的目标值VPOt进行控制，以使放大激光的脉冲能量的实测值EPO收敛于规定范围。下面，有时将这种控制称为输出变动控制模式。
但是，在以输出变动控制模式实现曝光量固定控制模式的情况下，产生以下的课题。
从激光振荡器130向后镜171行进的MO注入光的一部分被后镜171反射。有时将该光称为MO返回光。此外，由放大器160放大的放大激光的一部分透过后镜171。有时将该光称为PO漏出光。MO返回光和PO漏出光即来自后镜171的光被高反射镜141c反射，透过分束器151b，被高反射镜141b反射而向输出耦合镜70行进。向输出耦合镜70行进的光的一部分透过输出耦合镜70和激光振荡器130的窗口31b向壳体30的内部行进。向壳体30的内部行进的光如上所述在输出耦合镜70与光栅63之间往复，再次透过输出耦合镜70，被高反射镜141b反射，再次向分束器151b行进。此外，向输出耦合镜70行进的光的另外一部分被输出耦合镜70反射，如上所述被高反射镜141b反射，再次向分束器151b行进。再次向分束器151b行进的光的一部分被分束器151b反射，再次向光传感器151c行进。此外，再次向分束器151b行进的光的另外一部分透过分束器151b，经由高反射镜141c再次向后镜171行进。该光的一部分透过后镜171，再次向输出耦合镜170行进，另外一部分被后镜171反射，再次返回到输出耦合镜70。
当放大激光的脉冲能量的实测值EPO低于目标值EPOt时，处理器190对放大器160中的脉冲功率模块43的电压VPO加上控制量ΔVPO，以使该脉冲能量上升。由此，PO漏出光的脉冲能量上升。
如上所述，PO漏出光被分束器151b反射而向光传感器151c行进。当PO漏出光向光传感器151c行进时，与向光传感器151c行进的MO注入光和MO返回光一起被计测，光传感器151c计测包含PO漏出光、MO注入光和MO返回光的脉冲激光的脉冲能量的实测值EMO。与对电压VPO加上控制量ΔVPO之前的实测值EMO相比，该实测值EMO上升。当实测值EMO上升时，有时实测值EMO大于目标值EMOt。该情况下，处理器190从激光振荡器130的脉冲功率模块43的电压VMO的目标值VMOt减去控制量ΔVMO，以使MO注入光的脉冲能量减少。
图8示出上述的处理器190的动作的概念，图8是示出比较例中的激光振荡器130的脉冲功率模块43的电压VMO与电压VMO变化的时刻之间的关系的图。图8所示的实线L1示出目标值VMOt的变化的状况。电压VMO的阈值VMOthmini为初始值VMO0的大约70％。当反复进行上述的动作时，目标值VMOt从初始值VMO0起以控制量ΔVMO逐渐减小，由此，从激光振荡器130出射的MO注入光的光量逐渐减少。当目标值VMOt进一步小于电压VMO的阈值VMOthmini时，MO注入光的光量变得不稳定，基于窄带化模块60的波长控制、线宽度控制变得不稳定。此外，当MO注入光的光量变得不稳定时，放大激光的脉冲能量也变得不稳定。由于上述的不稳定而使放大激光不满足曝光装置200所要求的性能，气体激光装置100的可靠性可能降低。
因此，在以下的实施方式中，例示了能够抑制气体激光装置100的可靠性降低的腔装置CH。
3.实施方式1的气体激光装置的说明
接着，对实施方式的气体激光装置100进行说明。另外，对与上述说明的结构相同的结构标注相同标号，除了特别说明的情况以外，省略重复的说明。
3.1结构
本实施方式的气体激光装置100的结构与比较例的气体激光装置100的结构相同，因此省略说明。
3.2动作
图9是示出本实施方式中的激光振荡器130的脉冲功率模块43的电压VMO与电压VMO变化的时刻之间的关系的图。图9所示的实线L2示出目标值VMOt的变化的状况。在图9中，为了对本实施方式和比较例进行比较，利用单点划线L1示出在图8中利用实线L1示出的目标值VMOt的变化。
本实施方式的动作与比较例的动作的不同之处在于，在电压VMO的目标值VMOt小于阈值VMOth的情况下，处理器190将电压VMO的控制模式转移到退化控制模式。阈值VMOth是大于阈值VMOthmini且小于初始值VMO0的值，被预先设定而存储于处理器190的存储装置中。阈值VMOth被设定为比阈值VMOthmini大的值，以使得在气体激光装置100的可靠性降低的状态下不工作。此外，阈值VMOth也可以被设定为初始值VMO0的70％～80％的范围的值。退化控制模式是如下的控制模式：即使牺牲气体激光装置100的寿命而使寿命比设想短，或者，即使降低从气体激光装置100出射的脉冲激光的稳定性，也能够继续进行曝光装置200的工作。在本实施方式的退化控制模式中，在目标值VMOt小于阈值VMOth的情况下，与由光传感器151c计测的脉冲激光的脉冲能量的实测值EMO的大小无关地，处理器190将目标值VMOt维持在固定值。固定值是阈值VMOth以上的值。退化控制模式可举出拉升控制模式和固定控制模式中的任意一方。在拉升控制模式中，处理器190将目标值VMOt拉升到电压VMOα并且将其维持在电压VMOα，该电压VMOα是比阈值VMOth大相加量ΔVMOα的固定值。此外，在固定控制模式中，处理器190将目标值VMOt维持在作为固定值的阈值VMOth。在退化控制模式中，预先设定进行拉升控制模式和固定控制模式中的哪一方。在退化控制模式中，处理器190与放大器160独立地控制激光振荡器130。在退化控制模式中，曝光装置200也以规定期间进行驱动。
图10是示出本实施方式的处理器190的控制流程图的一例的图。如图10所示，本实施方式的控制流程与比较例的流程图的不同之处在于，在步骤SP13和步骤SP14之间包含步骤SP16和步骤SP17。
(步骤SP16、SP17)
在步骤SP16中，处理器190转移到后述的退化控制模式转移处理。当退化控制模式转移处理结束后，处理器190使控制流程进入步骤SP17。在步骤SP17中，处理器190转移到后述的退化控制模式结束判定处理。当退化控制模式结束判定处理结束后，处理器190使控制流程进入步骤SP14。
退化控制模式转移处理和退化控制模式结束判定处理在激光振荡器130中进行，不在放大器160中进行。这是因为，在放大器160中，仅进行输出变动控制模式。
此外，在本实施方式的控制流程中，步骤SP13的MO能量控制处理与比较例的MO能量控制处理不同。
图11是本实施方式的步骤SP13的MO能量控制处理中的处理器190的控制流程图。本实施方式的控制流程图与比较例的流程图的不同之处在于，在步骤SP43和步骤SP44之间包含步骤SP71。
(步骤SP71)
在本步骤中，如果当前的控制模式不是退化控制模式，则控制模式为输出变动控制模式，处理器190使控制流程进入步骤SP44。此外，如果当前的控制模式是退化控制模式，则处理器190结束MO能量控制处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP16。关于当前的控制模式是否是退化控制模式，在图12和图13所示的退化控制模式转移处理的后述的步骤SP108中进行说明。
图12是步骤SP16的退化控制模式转移处理的拉升控制模式中的处理器190的控制流程图。如图12所示，该控制流程图包含步骤SP101～步骤SP109。
(步骤SP101)
在本步骤中，如果控制模式是退化控制模式，则处理器190结束退化控制模式转移处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP17。此外，如果当前的控制模式不是退化控制模式，则控制模式是输出变动控制模式，处理器190使控制流程进入步骤SP102。关于当前的控制模式是否是退化控制模式，在步骤SP108中进行说明。
(步骤SP102)
在本步骤中，处理器190设定阈值VMOth。处理器190在设定阈值VMOth后，使控制流程进入步骤SP103。另外，阈值VMOth可以根据在更长期间内产生的目标值VMOt之差来定义，也可以根据基于放电次数产生的目标值VMOt之差来定义。
(步骤SP103)
在本步骤中，处理器190计算目标值VMOt的移动平均值VMOtave。移动平均值VMOtave是规定期间内的目标值VMOt的平均值。目标值VMOt有时由于外界干扰而变动为意外的值，为了抑制由于该值而使控制模式意外地成为退化控制模式，处理器190计算移动平均值VMOtave。处理器190在计算移动平均值VMOtave后，使控制流程进入步骤SP104。
(步骤SP104)
在本步骤中，在移动平均值VMOtave为阈值VMOth以上的情况下，控制模式为输出变动控制模式，因此，处理器190结束退化控制模式转移处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP17。此外，在移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，处理器190将控制模式转移到退化控制模式，使控制流程进入步骤SP105。
(步骤SP105)
在本步骤中，处理器190设定在步骤SP44中计算的控制量ΔEMO。处理器190在设定控制量ΔEMO后，使控制流程进入步骤SP106。
(步骤SP106)
在本步骤中，处理器190将脉冲能量的目标值EMOt再次设定为对步骤SP41中的目标值EMOt加上控制量ΔEMO而得到的值。处理器190在再次设定目标值EMOt后，使控制流程进入步骤SP107。
(步骤SP107)
在本步骤中，处理器190根据在步骤SP106中再次设定的目标值EMOt计算电压VMOα。电压VMOα是比初始值VMO0小的值。处理器190在计算电压VMOα后，使控制流程进入步骤SP108。
(步骤SP108)
在本步骤中，处理器190将电压VMO的目标值VMOt设定为作为固定值的电压VMOα。处理器190在设定电压VMOα后，控制模式成为退化控制模式，使控制流程进入步骤SP109。另外，设控制流程按照步骤SP109、SP17、SP14、SP15、SP13的顺序进行。该情况下，在步骤SP42中，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得以在步骤SP108中设定的电压VMOα即新的目标值VMOt将电压VMO施加给电极32a、32b。因此，在移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，处理器190将电压VMO维持在作为固定值的电压VMOα。此外，当控制流程进一步按照步骤SP42、SP43、SP71的顺序进行时，控制模式成为退化控制模式，因此，处理器190结束MO能量控制处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP16。
(步骤SP109)
在本步骤中，处理器190将表示开始将电压VMO维持为作为固定值的电压VMOα、即开始退化控制模式的信号输出到显示部180，显示部180通知退化控制模式的开始。即使显示部180进行通知，曝光装置200也进行驱动。处理器190在将信号输出到显示部180后，结束退化控制模式转移处理的拉升控制模式中的控制流程，使控制流程进入步骤SP17。
例如，图9所示的时刻t1是在步骤SP104中移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的时刻。该情况下，在步骤SP106中，新的目标值EMOt成为对目标值EMOt加上作为规定量的相加量ΔEMOα而得到的值，步骤SP108中的目标值VMOt成为对阈值VMOth加上相加量ΔVMOα而得到的电压VMOα。在图9中，将目标值VMOt成为电压VMOα的时刻表示为t11。此外，时刻t1是在步骤SP109中显示部180通知退化控制模式的开始的时刻。
图13是步骤SP16的退化控制模式转移处理的固定控制模式中的处理器190的控制流程图。如图13所示，该控制流程图与图12中说明的拉升控制模式的不同之处在于，代替步骤SP105～步骤SP108而包含步骤SP111。在步骤SP104中，在移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，处理器190将控制模式转移到退化控制模式，使控制流程进入步骤SP111。
(步骤SP111)
在本步骤中，处理器190将电压VMO的目标值VMOt设定为作为固定值的阈值VMOth。处理器190在设定阈值VMOth后，控制模式成为退化控制模式，使控制流程进入步骤SP109。在固定控制模式的步骤SP109中，处理器190把表示开始将电压VMO维持为作为固定值的阈值VMOth的信号输出到显示部180，显示部180通知退化控制模式的开始。另外，设控制流程按照步骤SP109、SP17、SP14、SP15、SP13的顺序进行。该情况下，在步骤SP42中，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得以在步骤SP108中设定的阈值VMOth即新的目标值VMOt将电压VMO施加给电极32a、32b。因此，在移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，处理器190将电压VMO维持在作为固定值的阈值VMOth。
图14是步骤SP17的退化控制模式结束判定处理中的处理器190的控制流程图。如图14所示，该控制流程图包含步骤SP121～步骤SP127。
(步骤SP121)
在本步骤中，如果控制模式不是退化控制模式，则处理器190结束退化控制模式结束判定处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP14。此外，如果当前的控制模式是退化控制模式，则处理器190使控制流程进入步骤SP122。
(步骤SP122)
在本步骤中，处理器190在从光传感器151c被输入表示脉冲激光的脉冲数PLS的信号后，计测退化控制模式中的脉冲数PLS。计测的期间可以是从退化控制模式的开始起的规定期间、或退化控制模式中的规定期间。处理器190在计测脉冲数PLS后，使控制流程进入步骤SP123。
(步骤SP123)
在本步骤中，在来自曝光装置200的信号表示曝光装置200处于曝光中的情况下，处理器190结束退化控制模式结束判定处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP14。此外，在来自曝光装置200的信号表示曝光装置200未处于曝光中的情况下、或未被输入来自曝光装置200的信号的情况下，处理器190使控制流程进入步骤SP124。另外，在来自曝光装置200的信号表示对从激光振荡器130出射的脉冲激光的特性进行调整的情况下，处理器190也可以使控制流程进入步骤SP14。该信号例如是指示对从未图示的激光气体供给装置朝向壳体30的内部空间的激光气体的供给量进行调整的信号。
(步骤SP124)
在本步骤中，处理器190读入处理器190的存储装置中预先存储的脉冲数阈值PLSth。脉冲数阈值PLSth是在退化控制模式中能够容许气体激光装置100和曝光装置200工作的脉冲数的最大值。处理器190在读入脉冲数阈值PLSth后，使控制流程进入步骤SP125。
(步骤SP125)
在本步骤中，处理器190计算在步骤SP122中计测出的脉冲数PLS的累计值ΣPLS。处理器190在计算累计值ΣPLS后，使控制流程进入步骤SP126。累计值ΣPLS可以是在步骤SP122中说明的规定期间内的累计值，也可以是从计测开始起的累计值。
(步骤SP126)
在本步骤中，如果累计值ΣPLS为脉冲数阈值PLSth以下，则处理器190结束退化控制模式结束判定处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP14。此外，如果累计值ΣPLS大于脉冲数阈值PLSth，则处理器190使控制流程进入步骤SP127。
(步骤SP127)
在本步骤中，处理器190使激光振荡器130中的电压的施加停止，结束退化控制模式，使放大器160中的电压的施加停止。此外，处理器190将表示错误的信号输出到曝光装置200。该错误例如表示工作的停止、维护的通知。在该信号被输入到曝光装置200后，曝光装置200停止。处理器190在使电压的施加停止并且将表示错误的信号输出到曝光装置200后，结束退化控制模式结束判定处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP14。曝光装置200在接收该信号后，不将振荡指示信号输出到气体激光装置100。因此，在控制流程进入步骤SP14、SP15后，处理器190结束控制流程。
3.3作用/效果
在本实施方式的气体激光装置100中，在激光振荡器130中的电压VMO的目标值VMOt低于阈值VMOth的情况下，处理器190将电压VMO的目标值VMOt维持在阈值VMOth以上的固定值。由此，即使来自放大器160的PO漏出光增加而使由光传感器151c检测的脉冲激光的脉冲能量的实测值EMO上升，也能够抑制电压VMO的目标值VMOt低于阈值VMOth。当抑制电压VMO的目标值VMOt降低时，能够抑制MO注入光的光量的不稳定。当抑制该光量的不稳定时，能够抑制放大激光的脉冲能量的不稳定，气体激光装置100能够在满足曝光装置200所要求的性能的状态下持续工作，能够抑制气体激光装置100的可靠性降低。
在本实施方式的气体激光装置100中，固定值是比阈值VMOth大的电压VMOα。该情况下，退化控制模式为拉升控制模式，与固定控制模式相比，从激光振荡器130出射的MO注入光的光量能够增加，能够抑制放大激光的脉冲能量的不稳定。或者，固定值是与阈值VMOth相同的值。该情况下，退化控制模式为固定控制模式，在固定控制模式中，能够不需要用于将拉升控制模式中的阈值VMOth拉升到电压VMOα的相加量ΔVMOα的计算。因此，在上述的结构中，与拉升控制模式相比，能够减轻处理器190的负担。
在本实施方式的气体激光装置100中，在如步骤SP104中说明的那样移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，处理器190如步骤SP108、SP111中说明的那样将电压VMO的目标值VMOt设定为固定值。此外，处理器190将被施加给电极32a、32b的目标值VMOt的电压VMO维持在该固定值。目标值VMOt有时由于外界干扰而变动为意外的值。通过如上所述使用移动平均值VMOtave，能够抑制目标值VMOt由于外界干扰而暂时地低于阈值VMOth所引起的从输出变动控制模式朝向退化控制模式的不必要的转移。另外，处理器190也可以不使用移动平均值VMOtave，在目标值VMOt低于阈值VMOth的情况下，将被施加给电极32a、32b的目标值VMOt的电压VMO维持在固定值。
在本实施方式的气体激光装置100中，如步骤SP109中说明的那样，在移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，显示部180通知开始将电压VMO的目标值VMOt维持为作为固定值的电压VMOα或阈值VMOth。由此，气体激光装置100的用户能够得知该开始。
在本实施方式的气体激光装置100中，如步骤SP127中说明的那样，在脉冲数的累计值ΣPLS大于脉冲数阈值PLSth的情况下，处理器190使电压VMO的施加停止。在曝光装置200在退化控制模式开始的同时停止的情况下，曝光装置200在半导体晶片等工件完成的中途停止制造，工件有时被浪费。在上述的结构中，即使在退化控制模式开始后，曝光装置200也能够以规定期间进行工作，直到累计值ΣPLS大于脉冲数阈值PLSth为止。因此，曝光装置200能够在工件完成后停止，能够抑制工件的浪费。
在本实施方式的气体激光装置100中，如步骤SP127中说明的那样，在脉冲数的累计值ΣPLS大于脉冲数阈值PLSth的情况下，处理器190向曝光装置200输出表示错误的信号。该错误例如表示工作的停止、维护的通知。由此，能够向曝光装置200侧通知例如工作的停止、维护。
分束器151b被配置于从输出耦合镜70出射的脉冲激光的光路上即可。此外，检测部153被配置于从输出耦合镜170出射的脉冲激光的光路上即可。因此，检测部153也可以被配置于曝光装置200的内部。例如，检测部153也可以被配置于投影光学系统220与工件台WT之间。在退化控制模式结束判定处理中，处理器190也可以根据来自光传感器153c的表示脉冲数PLS的信号计测退化控制模式中的脉冲数PLS。在退化控制模式结束判定处理中，处理器190也可以根据从退化控制模式开始后控制流程转移到退化控制模式结束判定处理的次数，将表示错误的信号输出到曝光装置200。在退化控制模式结束判定处理中，处理器190也可以在步骤SP122中计测控制流程进入步骤SP122的次数，在该次数大于阈值的情况下，使控制流程进入步骤SP127。此外，处理器190也可以在该次数为阈值以下的情况下，使控制流程进入步骤SP14。在退化控制模式结束判定处理中，处理器190也可以在步骤SP122中计测从退化控制模式的开始起的时间，在该时间大于阈值的情况下，使控制流程进入步骤SP127。此外，处理器190也可以在该时间为阈值以下的情况下，使控制流程进入步骤SP14。
4.实施方式2的气体激光装置的说明
接着，对实施方式2的气体激光装置100进行说明。另外，对与上述说明的结构相同的结构标注相同标号，除了特别说明的情况以外，省略重复的说明。
4.1结构
本实施方式的气体激光装置100的结构与比较例和实施方式1的气体激光装置100的结构相同，因此省略说明。
4.2动作
图15是示出本实施方式中的激光振荡器130的脉冲功率模块43的电压VMO与电压VMO变化的时刻之间的关系、以及脉冲能量的目标值EMOt与目标值EMOt变化的时刻之间的关系的图。
本实施方式的退化控制模式与实施方式1的退化控制模式的不同之处在于，即使是退化控制模式，也如输出变动控制模式那样，存在电压VMO以控制量ΔVMO逐渐减少的倾向。本实施方式的退化控制模式与实施方式1的退化控制模式的不同之处在于，退化控制模式的结束判定的基准基于脉冲能量的变动的目标值EMOt。
在本实施方式的退化控制模式中，每当目标值VMOt的移动平均值VMOtave低于阈值VMOth时，处理器190将目标值VMOt提高到电压VMOα，该电压VMOα是比阈值VMOth大相加量ΔVMOα的规定值。此外，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使该电压VMOα被施加给电极32a、32b。处理器190反复进行上述设定和施加。
在退化控制模式的结束判定中，在实施方式1中，处理器190根据脉冲激光的脉冲数PLS判定退化控制模式的结束。与此相对，在本实施方式中，处理器190以激光振荡器130的额外设定的脉冲能量的目标值EMOt的上限阈值EMOtth为基准来判定退化控制模式的结束。在本实施方式中，在退化控制模式中，每当目标值VMOt的移动平均值VMOtave低于阈值VMOth时，处理器190设定对目标值EMOt加上相加量ΔEMOα而得到的新的目标值EMOt。接着，在新的目标值EMOt超过阈值EMOtth的时点，处理器190使退化控制模式结束。
图16是本实施方式的步骤SP13的MO能量控制处理中的处理器190的控制流程图。本实施方式的控制流程图与比较例的流程图的不同之处在于，步骤SP71的位置被变更为开始的状态与步骤SP41之间。
(步骤SP71)
在本步骤中，如果当前的控制模式不是退化控制模式，则控制模式是输出变动控制模式，处理器190使控制流程进入步骤SP41。此外，如果当前的控制模式是退化控制模式，则处理器190使控制流程进入步骤SP42。如果是退化控制模式，则如后述的步骤SP133中说明的那样设定新的目标值EMOt。因此，在退化控制模式中，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使脉冲能量为该目标值EMOt的MO注入光出射。具体而言，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得在步骤SP42中以根据该目标值EMOt设定的目标值VMOt将电压VMO施加给激光振荡器130的电极32a、32b。
图17是本实施方式的步骤SP16的退化控制模式转移处理中的处理器190的控制流程图。该控制流程图与图12中说明的拉升控制模式的不同之处在于，代替步骤SP131、步骤SP105～步骤SP108而包含步骤SP132～步骤SP134。
(步骤SP101)
在本步骤中，如果当前的控制模式不是退化控制模式，则处理器190使控制流程进入步骤SP102。此外，如果控制模式是退化控制模式，则处理器190使控制流程进入步骤SP131。
(步骤SP131)
在本步骤中，处理器190计算退化控制模式中的电压VMO的目标值VMOt的移动平均值VMOtave。步骤SP104中的移动平均值VMOtave是退化控制模式前的模式、即输出变动控制模式中的值，但是，本步骤中的移动平均值VMOtave是退化控制模式中的值。本步骤的移动平均值VMOtave例如为50脉冲以上且200脉冲以下。该移动平均值VMOtave是与输出变动控制模式中的步骤SP103中计算的移动平均值VMOtave不同的值。因此，处理器190不利用输出变动控制模式中计算的移动平均值VMOtave作为退化控制模式中的平均值。处理器190在计算移动平均值VMOtave后，使控制流程进入步骤SP104。
(步骤SP104)
在步骤SP104中，在移动平均值VMOtave为阈值VMOth以上的情况下，处理器190结束退化控制模式转移处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP17。此外，在移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，处理器190使控制流程进入步骤SP132。
(步骤SP132)
在本步骤中，处理器190设定相加量ΔEMOα，使控制流程进入步骤SP133。相加量ΔEMOα被预先存储于处理器190的存储装置中。
(步骤SP133)
在本步骤中，处理器190设定对目标值EMOt加上相加量ΔEMOα而得到的新的目标值EMOt。每当控制流程进入步骤SP133时，新的目标值EMOt阶梯状地增加。处理器190将设定的新的目标值EMOt存储于处理器190的存储装置中，使控制流程进入步骤SP134。
但是，设控制流程在退化控制模式转移处理后按照步骤SP17、SP14、SP15、SP13的顺序进行。该情况下，如步骤SP71中说明的那样，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得在步骤SP42中以根据新的目标值EMOt设定的目标值VMOt将电压VMO施加给激光振荡器130的电极32a、32b。例如，图15所示的时刻t1、t2、t3是在步骤SP104中移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的时刻。该情况下，在步骤SP133中，新的目标值EMOt成为对目标值EMOt加上相加量ΔEMOα而得到的值，步骤SP42中的目标值VMOt成为对阈值VMOth加上相加量ΔVMOα而得到的电压VMOα。在图15中，将目标值VMOt成为电压VMOα的时刻表示为t11、t21。在时刻t11与时刻t2之间、以及时刻t21与时刻t3之间，与输出变动控制模式同样，PO漏出光的脉冲能量上升，因此，目标值VMOt存在以控制量ΔVMO逐渐减少的倾向。因此，在提高到作为规定值的电压VMOα的目标值VMOt低于阈值VMOth的情况下，处理器190将目标值VMOt再次提高到电压VMOα。此外，在退化控制模式中，每当移动平均值VMOtave低于阈值VMOth时，在步骤SP133中，处理器190以相加量ΔEMOα提高目标值EMOt。
(步骤SP134)
在本步骤中，如果未如步骤SP109中说明的那样将表示退化控制模式的开始的信号输出到显示部180，则未通知是退化控制模式，处理器190使控制流程进入步骤SP109。此外，如果信号被输出到显示部180而通知了是退化控制模式，则处理器190结束退化控制模式转移处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP17。
图18是本实施方式的步骤SP17的退化控制模式结束判定处理中的处理器190的控制流程图。该控制流程图与图14中说明的退化控制模式结束判定处理的不同之处在于，不需要步骤SP122，以及代替步骤SP124～步骤SP126而包含步骤SP141～步骤SP143。另外，本实施方式的退化控制模式结束判定处理也可以是实施方式1的退化控制模式结束判定处理。
(步骤SP121、SP123)
在步骤SP121中，如果当前的控制模式是退化控制模式，则处理器190使控制流程进入步骤SP123。在步骤SP123中，如果曝光装置200处于曝光中，则处理器190使控制流程进入步骤SP141。
(步骤SP141)
在本步骤中，处理器190读入处理器190的存储装置中预先存储的阈值EMOtth。阈值EMOtth是被预测为脉冲激光不对窄带化模块60造成损伤的电压值。处理器190在读入阈值EMOtth后，使控制流程进入步骤SP142。
(步骤SP142)
在本步骤中，处理器190读入在步骤SP133中存储于处理器190的存储装置中的脉冲能量的目标值EMOt。处理器190在读入目标值EMOt后，使控制流程进入步骤SP143。
(步骤SP143)
在本步骤中，在目标值EMOt为阈值EMOtth以下的情况下，处理器190结束退化控制模式结束判定处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP14。此外，在目标值EMOt大于阈值EMOtth的情况下，处理器190使控制流程进入步骤SP127。另外，在本步骤中，在步骤SP133中的相加量ΔEMOα的相加次数小于规定次数的情况下，处理器190也可以结束控制流程，使控制流程进入步骤SP14。此外，在相加次数为规定次数以上的情况下，处理器190也可以使控制流程进入步骤SP127。
4.3作用/效果
在本实施方式的气体激光装置100中，在激光振荡器130中的电压VMO的目标值VMOt低于阈值VMOth的情况下，处理器190将电压VMO的目标值VMOt提高到电压VMOα，该电压VMOα是比阈值VMOth大的规定值。由此，即使来自放大器160的PO漏出光增加而使由光传感器151c检测的脉冲激光的脉冲能量的实测值EMO上升，也能够抑制电压VMO低于阈值VMOth。当抑制电压VMO降低时，能够抑制MO注入光的光量的不稳定。当光量的不稳定被抑制时，能够抑制放大激光的脉冲能量的不稳定，气体激光装置100能够在满足曝光装置200所要求的性能的状态下持续工作，能够抑制气体激光装置100的可靠性降低。
在本实施方式的气体激光装置100中，在提高到作为规定值的电压VMOα的电压VMO的目标值VMOt低于阈值VMOth的情况下，处理器190将电压VMO的目标值VMOt再次提高到作为规定值的电压VMOα。在电压VMO提高到电压VMOα后，PO漏出光的脉冲能量增加，实测值EMO上升，有时电压VMO的目标值VMOt低于阈值VMOth。在上述的结构中，处理器190将电压VMO的目标值VMOt再次提高到作为规定值的电压VMOα，因此，能够抑制电压VMO的目标值VMOt低于阈值VMOth。当抑制电压VMO的目标值VMOt降低时，能够抑制MO注入光的光量的不稳定。
在本实施方式的气体激光装置100中，每当提高到电压VMOα的电压VMO的目标值VMOt低于阈值VMOth时，处理器190提高脉冲能量的目标值EMOt。此外，在目标值EMOt大于阈值Emotth的情况下，处理器190使电压VMO的施加停止。在上述的结构中，即使在退化控制模式开始后，曝光装置200也能够以规定期间进行工作，直到目标值EMOt大于阈值Emotth为止。因此，曝光装置200能够在工件完成后停止，能够抑制工件的浪费。
在本实施方式的气体激光装置100中，如步骤SP143、SP127中说明的那样，在目标值EMOt大于阈值EMOtth的情况下，处理器190向曝光装置200输出表示错误的信号。由此，能够向曝光装置200侧通知例如工作的停止、维护。
5.实施方式3的气体激光装置的说明
接着，对实施方式3的气体激光装置100进行说明。另外，对与上述说明的结构相同的结构标注相同标号，除了特别说明的情况以外，省略重复的说明。
5.1结构
本实施方式的气体激光装置100的结构与比较例和实施方式1、2的气体激光装置100的结构相同，因此省略说明。
5.2动作
图19是示出本实施方式中的激光振荡器130的脉冲功率模块43的电压VMO与电压VMO变化的时刻之间的关系、以及脉冲能量的目标值EMOt与目标值EMOt变化的时刻之间的关系的图。
在本实施方式的退化控制模式中，在移动平均值VMOtave成为阈值VMOth以下时，处理器190将电压VMO的目标值VMOt设定为作为规定值的电压VMOmax。此外，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使该电压VMOα被施加给激光振荡器130的电极32a、32b。处理器190分别仅进行1次上述设定和施加，这点与反复进行上述设定和施加的实施方式2的退化控制模式不同。电压VMOmax是比阈值VMOth大相加量ΔVMOα、且比初始值VMO0大的值。此外，电压VMOmax是被预测为脉冲激光不对窄带化模块60造成损伤的电压的最大值。
此外，本实施方式的退化控制模式的结束判定与实施方式2的退化控制模式的结束判定的不同之处在于，结束判定的基准基于电压VMO的变动的目标值VMOt。在退化控制模式的结束判定中，在实施方式2中，处理器190根据脉冲能量的目标值EMOt判定退化控制模式的结束。与此相对，在本实施方式中，在退化控制模式中的电压VMO的移动平均值VMOtave低于阈值VMOth时，处理器190结束退化控制模式。除了电压VMO的移动平均值VMOtave以外，也可以根据实施方式1的图14所示的脉冲数、时间经过、它们的组合来进行该判定。
图20是本实施方式的步骤SP16的退化控制模式转移处理中的处理器190的控制流程图。该控制流程图与图17中说明的实施方式2的退化控制模式转移处理的不同之处在于，在步骤SP104与步骤SP132之间包含步骤SP151，以及不需要步骤SP134。
(步骤SP104)
在本步骤中，在移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，处理器190使控制流程进入步骤SP151。
(步骤SP151)
在本步骤中，如果控制模式是退化控制模式，则处理器190结束退化控制模式转移处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP17。此外，如果当前的控制模式不是退化控制模式，则处理器190使控制流程进入步骤SP132。
但是，设控制流程在退化控制模式转移处理后按照步骤SP17、SP14、SP15、SP13的顺序进行。该情况下，如步骤SP71中说明的那样，处理器190对脉冲功率模块43进行控制，以使得在步骤SP42中以根据新的目标值EMOt设定的目标值VMOt将电压VMO施加给激光振荡器130的电极32a、32b。例如，图19所示的时刻t1是在步骤SP104中移动平均值VMOtave小于阈值VMOth的时刻。该情况下，在步骤SP133中，新的目标值EMOt成为对目标值EMOt加上相加量ΔEMOα而得到的EMOmax，步骤SP42中的目标值VMOt成为对阈值VMOth加上相加量ΔVMOα而得到的电压VMOmax。在图19中，将目标值VMOt成为电压VMOmax的时刻表示为t13。在时刻t13以后，与输出变动控制模式同样，PO漏出光的脉冲能量上升，因此，电压VMOα存在以控制量ΔVMO逐渐减少的倾向。
图21是本实施方式的步骤SP17的退化控制模式结束判定处理中的处理器190的控制流程图。该控制流程图与图18中说明的实施方式2的退化控制模式结束判定处理的不同之处在于，不需要步骤SP121，以及代替步骤SP141～步骤SP143而包含步骤SP104。
(步骤SP104)
在本步骤中，在移动平均值VMOtave为阈值VMOth以上的情况下，处理器190结束退化控制模式结束判定处理中的控制流程，使控制流程进入步骤SP17。此外，在移动平均值VMOtave小于阈值VMOth的情况小，处理器190使控制流程进入步骤SP127。
5.3作用/效果
在本实施方式的气体激光装置100中，在提高到作为规定值的电压VMOmax后的电压VMO的目标值VMOt的移动平均值VMOtave低于阈值VMOth的情况下，处理器190使电压VMO的施加停止。在上述的结构中，不需要如实施方式2那样，每当电压VMO的移动平均值VMOtave低于阈值VMOth时，提高脉冲能量的目标值EMOt。因此，在上述的结构中，处理器190的负担能够减少。
上述说明不是限制，而是简单的例示。因此，本领域技术人员明白能够在不脱离权利要求书的情况下对本公开的实施方式施加变更。此外，本领域技术人员还明白组合本公开的实施方式进行使用。
只要没有明确记载，则本说明书和权利要求书整体所使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如，“包含”或“所包含”这样的用语应该解释为“不限于记载为所包含的部分”。“具有”这样的用语应该解释为“不限于记载为所具有的部分”。此外，不定冠词“一个”应该解释为意味着“至少一个”或“一个或一个以上”。此外，“A、B和C中的至少一方”这样的用语应该解释为“A”、“B”、“C”、“A+B”、“A+C”、“B+C”或“A+B+C”。进而，应该解释为还包含它们和“A”、“B”、“C”以外的部分的组合。

Claims (17)

1.一种气体激光装置，其具有：
激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使所述光进行谐振；
放大器，其包含对透过所述激光侧谐振器的所述光进行放大的放大部和使由所述放大部放大的所述光进行谐振的放大侧谐振器；
分束器，其使来自所述激光侧谐振器的所述光的一部分反射；
光传感器，其检测被所述分束器反射的所述光；以及
处理器，其根据所述光传感器的输出对所述电压进行控制，
所述放大侧谐振器包含：
后镜，其使来自所述激光侧谐振器的所述光的一部分透过，使来自所述激光侧谐振器的所述光的另外一部分朝向所述激光侧谐振器反射，使由所述放大部放大的所述光的一部分朝向所述激光侧谐振器透过，使由所述放大部放大的所述光的另外一部分反射；以及
放大侧输出耦合镜，其使由所述放大部放大的所述光的一部分反射，使由所述放大部放大的所述光的另外一部分透过，
所述激光侧谐振器包含：
光栅，其使利用所述激光气体产生的所述光反射；以及
激光侧输出耦合镜，其使利用所述激光气体产生的所述光的一部分反射，使利用所述激光气体产生的所述光的另外一部分朝向所述分束器透过，使来自所述后镜的所述光的一部分朝向所述分束器反射，
在所述电压低于所述电压的阈值的情况下，所述处理器将所述电压维持在所述阈值以上的固定值。
2.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，
所述固定值是比所述阈值大的值。
3.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，
所述固定值是与所述阈值相同的值。
4.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，
在所述电压的移动平均值低于所述阈值的情况下，所述处理器将所述电压维持在所述固定值。
5.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，
所述气体激光装置还具有显示部，所述显示部通知开始将所述电压维持为所述固定值。
6.根据权利要求5所述的气体激光装置，其中，
从所述光传感器向所述处理器输入表示所述光的脉冲数的信号，
在所述通知的开始以后的所述脉冲数的累计值大于所述累计值的阈值即累计阈值的情况下，所述处理器使所述电压的施加停止。
7.根据权利要求6所述的气体激光装置，其中，
在所述累计值大于所述累计阈值的情况下，所述处理器向曝光装置输出表示错误的信号，其中，来自所述放大侧输出耦合镜的所述光入射至该曝光装置。
8.一种气体激光装置，其具有：
激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使所述光进行谐振；
放大器，其包含对透过所述激光侧谐振器的所述光进行放大的放大部和使由所述放大部放大的所述光进行谐振的放大侧谐振器；
分束器，其使来自所述激光侧谐振器的所述光的一部分反射；
光传感器，其检测被所述分束器反射的所述光；以及
处理器，其根据所述光传感器的输出对所述电压进行控制，
所述放大侧谐振器包含：
后镜，其使来自所述激光侧谐振器的所述光的一部分透过，使来自所述激光侧谐振器的所述光的另外一部分朝向所述激光侧谐振器反射，使由所述放大部放大的所述光的一部分朝向所述激光侧谐振器透过，使由所述放大部放大的所述光的另外一部分反射；以及
放大侧输出耦合镜，其使由所述放大部放大的所述光的一部分反射，使由所述放大部放大的所述光的另外一部分透过，
所述激光侧谐振器包含：
光栅，其使利用所述激光气体产生的所述光反射；以及
激光侧输出耦合镜，其使利用所述激光气体产生的所述光的一部分反射，使利用所述激光气体产生的所述光的另外一部分朝向所述分束器透过，使来自所述后镜的所述光的一部分朝向所述分束器反射，
在所述电压低于所述电压的阈值的情况下，所述处理器将所述电压提高到比所述阈值大的规定值。
9.根据权利要求8所述的气体激光装置，其中，
在所述电压的移动平均值低于所述阈值的情况下，所述处理器将所述电压提高到所述规定值。
10.根据权利要求8所述的气体激光装置，其中，
所述气体激光装置还具有显示部，所述显示部通知开始将所述电压提高至所述规定值。
11.根据权利要求8所述的气体激光装置，其中，
在提高到所述规定值的所述电压低于所述阈值的情况下，所述处理器再次将所述电压提高到所述规定值。
12.根据权利要求11所述的气体激光装置，其中，
每当所述电压低于所述阈值时，所述处理器提高所述光的脉冲能量的目标值，在所述目标值大于所述目标值的阈值即目标阈值的情况下，所述处理器使所述电压的施加停止。
13.根据权利要求12所述的气体激光装置，其中，
在所述目标值大于所述目标阈值的情况下，所述处理器向曝光装置输出表示错误的信号，其中，来自所述放大侧输出耦合镜的所述光入射至该曝光装置。
14.根据权利要求8所述的气体激光装置，其中，
在提高到所述规定值后的所述电压的移动平均值低于所述阈值的情况下，所述处理器使所述电压的施加停止。
15.根据权利要求14所述的气体激光装置，其中，
在所述移动平均值低于所述阈值的情况下，所述处理器向曝光装置输出表示错误的信号，其中，来自所述放大侧输出耦合镜的所述光入射至该曝光装置。
16.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：
通过气体激光装置生成激光，
将所述激光输出到曝光装置，
在所述曝光装置内在感光基板上曝光所述激光，以制造电子器件，
所述气体激光装置具有：
激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使所述光进行谐振；
放大器，其包含对透过所述激光侧谐振器的所述光进行放大的放大部和使由所述放大部放大的所述光进行谐振的放大侧谐振器；
分束器，其使来自所述激光侧谐振器的所述光的一部分反射；
光传感器，其检测被所述分束器反射的所述光；以及
处理器，其根据所述光传感器的输出对所述电压进行控制，
所述放大侧谐振器包含：
后镜，其使来自所述激光侧谐振器的所述光的一部分透过，使来自所述激光侧谐振器的所述光的另外一部分朝向所述激光侧谐振器反射，使由所述放大部放大的所述光的一部分朝向所述激光侧谐振器透过，使由所述放大部放大的所述光的另外一部分反射；以及
放大侧输出耦合镜，其使由所述放大部放大的所述光的一部分反射，使由所述放大部放大的所述光的另外一部分透过，
所述激光侧谐振器包含：
光栅，其使利用所述激光气体产生的所述光反射；以及
激光侧输出耦合镜，其使利用所述激光气体产生的所述光的一部分反射，使利用所述激光气体产生的所述光的另外一部分朝向所述分束器透过，使来自所述后镜的所述光的一部分朝向所述分束器反射，
在所述电压低于所述电压的阈值的情况下，所述处理器将所述电压维持在所述阈值以上的固定值。
17.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：
通过气体激光装置生成激光，
将所述激光输出到曝光装置，
在所述曝光装置内在感光基板上曝光所述激光，以制造电子器件，
所述气体激光装置具有：
激光振荡器，其包含一对放电电极和激光侧谐振器，该一对放电电极相互对置地配置且通过施加电压而利用激光气体产生光，该激光侧谐振器使所述光进行谐振；
放大器，其包含对透过所述激光侧谐振器的所述光进行放大的放大部和使由所述放大部放大的所述光进行谐振的放大侧谐振器；
分束器，其使来自所述激光侧谐振器的所述光的一部分反射；
光传感器，其检测被所述分束器反射的所述光；以及
处理器，其根据所述光传感器的输出对所述电压进行控制，
所述放大侧谐振器包含：
后镜，其使来自所述激光侧谐振器的所述光的一部分透过，使来自所述激光侧谐振器的所述光的另外一部分朝向所述激光侧谐振器反射，使由所述放大部放大的所述光的一部分朝向所述激光侧谐振器透过，使由所述放大部放大的所述光的另外一部分反射；以及
放大侧输出耦合镜，其使由所述放大部放大的所述光的一部分反射，使由所述放大部放大的所述光的另外一部分透过，
所述激光侧谐振器包含：
光栅，其使利用所述激光气体产生的所述光反射；以及
激光侧输出耦合镜，其使利用所述激光气体产生的所述光的一部分反射，使利用所述激光气体产生的所述光的另外一部分朝向所述分束器透过，使来自所述后镜的所述光的一部分朝向所述分束器反射，
在所述电压低于所述电压的阈值的情况下，所述处理器将所述电压提高到比所述阈值大的规定值。
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