CN116915043A - 开关电源和图像形成装置 - Google Patents

Abstract

公开了开关电源和图像形成装置。一种开关电源装置包括印刷基板、变压器、一次侧电路、二次侧电路和一些组件。半导体元件被安装在印刷基板上。散热器包括连接部分并且使在半导体元件中产生的热消散。连接部分通过焊接连接到印刷基板。导电图案形成在印刷基板上。电感器连接在散热器的连接部分和图案的一部分之间，并且吸收被感应到散热器的电噪声。

Description

开关电源和图像形成装置

技术领域

本公开涉及开关电源和图像形成装置。

背景技术

在开关电源中使用的开关元件具有预定的损耗，并且需要将这些损耗作为热释放。通常，该热被散热设备排出到空气中。这里，被感应(induce)到散热设备的高频噪声成为问题。日本专利公开No.5-328710提出，通过将具有高电阻的电阻器或电容器连接在晶体管的发射极和散热板之间，将被感应到散热板的高频噪声释放到接地侧。

根据日本专利公开No.5-328710的发明，高频噪声被从散热板传递到接地侧的电路。已被传递到接地侧的电路的高频噪声被进一步传递到AC(交流)线并且经由充当天线的AC线被发射到空气中。鉴于此，本发明的目的是减少不需要的高频噪声到空气中的发射以及高频噪声向电路侧的传输。

发明内容

本公开提供了一种开关电源装置，该开关电源装置包括：印刷基板；变压器，所述变压器包括一次绕组和二次绕组；一次侧电路，所述一次侧电路被安装在所述印刷基板上，所述一次侧电路连接到所述变压器的所述一次绕组，并且交流电压被输入到所述一次侧电路；二次侧电路，所述二次侧电路被安装在印刷基板上，连接到变压器的二次绕组，并且输出直流电压；半导体元件，所述半导体元件被安装在印刷基板上；散热器，所述散热器包括连接部分并且使在半导体元件中产生的热消散，所述连接部分通过焊接连接到印刷基板；导电图案，所述导电图案形成在印刷基板上；以及电感器，所述电感器连接在散热器的连接部分和图案的一部分之间，并且吸收被感应到散热器的电噪声。

本公开还提供了一种图像形成装置，该图像形成装置包括：图像形成单元，所述图像形成单元被配置为在片材上形成图像；以及开关电源，所述开关电源被配置为向图像形成单元供应电力，其中，该开关电源包括：印刷基板；变压器，所述变压器包括一次绕组和二次绕组；一次侧电路，所述一次侧电路被安装在所述印刷基板上，所述一次侧电路连接到所述变压器的所述一次绕组，并且交流电压被输入到所述一次侧电路；二次侧电路，所述二次侧电路被安装在印刷基板上，连接到变压器的二次绕组，并且输出直流电压；半导体元件，所述半导体元件被安装在印刷基板上；散热器，所述散热器包括连接部分并且使在半导体元件中产生的热消散，所述连接部分通过焊接连接到印刷基板；导电图案，所述导电图案形成在印刷基板上；以及电感器，所述电感器连接在散热器的连接部分和图案的一部分之间，并且吸收被感应到散热器的电噪声。

根据(参考附图)的示例性实施例的以下描述，本发明的其他特征将变得清楚。

附图说明

图1是开关电源的电路图。

图2A至图2C是用于描述FET和散热板的示图。

图3是用于描述第一实施例的有益效果的示图。

图4是用于描述与噪声吸收组件串联连接的电容元件的示图。

图5A和图5B是用于描述连接到噪声吸收组件的图案的布局的示图。

图6A和图6B是用于描述应用于二次侧二极管的噪声吸收组件的示图。

图7A和图7B是用于描述应用于一次侧二极管的噪声吸收组件的示图。

图8A和图8B是用于描述应用于二次侧FET的噪声吸收组件的示图。

图9是用于描述设置有开关电源的图像形成装置的示图。

具体实施方式

下文中，将参考附图来详细地描述实施例。注意的是，以下实施例不旨在限制要求保护的本发明的范围。在实施例中描述了多个特征，但并不限制需要所有这样的特征的发明，并且可以适当地组合多个这样的特征。此外，在附图中，相同的附图标记被赋予相同或相似的配置，并且省略其冗余描述。

<第一实施例>

[开关电源]

图1是开关电源100的电路图。开关电源100包括AC线101。设置在AC线101的顶端处的AC插头连接到外部电源(例如，商用交流电源)的插座，并且接收向其供应的交流电压(AC电压)。AC是交流的缩写。滤波器电路102是减少AC电压中包括的噪声的线滤波器。桥式二极管103是连接到滤波器电路102、对交流电压施加全波整流并且输出脉冲电流的整流器电路(半导体整流器元件)。一次侧平滑电容器104是通过对脉冲电流进行平滑而产生直流电压(DC电压)的平滑电路或平滑元件。绝缘变压器105是提供一次侧电路151和二次侧电路152之间的绝缘并且还将一次侧能量变换为二次侧能量的变压器元件。绝缘变压器105的一次绕组106的一端连接到平滑电容器104的高电位侧的端子。一次绕组106的另一端经由FET108连接到平滑电容器104的低电位侧的端子。FET是场效应晶体管的缩写。二次绕组107连接到由二极管110和二次侧平滑电容器111构成的二次侧电路152。在本实施例中，由于开关电源100包含了回扫方法，因此二次绕组107的卷绕开始的位置在方向上与一次绕组106的卷绕开始的位置(在图中被示出为点)相反。

FET 108是执行施加到一次绕组106的DC电压的开关的开关元件。控制单元109是用于控制FET 108的开关操作的诸如CPU(中央计算处理装置)之类的控制电路。当控制单元109向FET 108的栅极端子施加高电平信号时，在FET 108的漏极端子和源极端子之间建立电传导。结果，电流从一次侧平滑电容器104流到一次绕组106，并且与电传导的时段对应的能量被存储在绝缘变压器105中。此时，以在二次绕组107的两端当中卷绕开始的一端变为正而卷绕完成的一端变为负这样的方式产生电压。在这种情况下，二次侧二极管110的阳极电压变得低于其阴极电压，并且没有电流从二次绕组107流过。另一方面，当低电平信号被施加到FET 108的栅极端子时，在FET 108的漏极端子和源极端子之间建立开路状态。结果，以二次绕组107的卷绕开始的一端变为负而其卷绕完成的一端变为正这样的方式产生电压。因此，二次侧二极管110的阳极电压变得高于其阴极电压，并且电流经由二次侧二极管110从二次绕组107流过。以这种方式，与FET 108的开关操作相协调地，在二次绕组107中产生脉冲电压。二次侧二极管110通过对该脉冲电压进行整流来产生脉冲电流。二次侧平滑电容器111通过对脉冲电流进行平滑来产生直流电压。该直流电压被用作输出电压Vo。

由桥式二极管103、FET 108和二次侧二极管110分别表示的半导体由于内部损耗而产生热。为了将该热排出到空气中，每个半导体可以连接到由铁、铝等制成的散热板。在从控制单元109传输到FET 108的栅极端子的脉冲信号的电平被从高电平切换到低电平的定时，在FET 108的漏极端子中产生高的浪涌电压。

[散热设备]

图2A至图2C示出了FET 108和散热板202彼此附接的状态作为半导体与散热板之间的连接的示例。图2A示出了FET 108与散热板202之间的物理连接。图2B示出了FET 108与散热板202之间的电连接。图2C示出了图案布局。

在图2A中，FET 108和散热板202通过螺钉203彼此紧固，并且散热板202将由FET108的内部损耗产生的热排出到空气中。FET 108被绘制为被塑料覆盖的全模封装类型的组件。

印刷基板204是安装有开关电源100的电子组件的基板。FET 108包括与源极端子S、漏极端子D和栅极端子G对应的三条引线205。三条引线205各自被焊接到印刷基板204。散热板202包括用于紧固目的的端子206a和206b。端子206a和206b也被焊接到印刷基板204。

在图2B中，在FET 108被置于开路状态(OFF)的定时，在FET 108的漏极端子D中产生高的浪涌电压。这取决于一次绕组106的漏电感、主要由FET 108的结电容构成的电容成分、以及紧接在FET 108被置于开路状态之前流动的漏极电流之间的关系。FET 108是被塑料覆盖的全模类型，并且散热板202是金属。因此，FET 108和散热板202被隔离，以便没有DC电流流动。然而，存在于FET 108内部的半导体芯片和散热板202经由小的寄生电容207在高频率下彼此连接。因此，在FET 108的漏极端子D中产生的高频噪声被传递到散热板202。

这里，假定不存在噪声吸收组件208，并且散热板202不连接到一次侧电路151。在这种情况下，被传递到散热板202的高频噪声在某一定时被发射到空气中。结果，从开关电源100排出更多的噪声。

散热板202的端子206a和206b直接连接到FET 108的源极线(图案209)的配置，以及散热板202的端子206a和206b经由电容器连接到图案209的配置是可能的。利用这些配置，被传递到散热板202的高频噪声可以经由图案209被传递到开关电源100的一次侧电路151的内部，并且最终经由充当天线的AC线101发射到空气中。

散热板202的端子206a和206b经由电阻器连接到FET 108的图案209的配置也是可能的。利用这种配置，在低电阻值的情况下，电阻器产生显著的损耗，由此增大了散热板202等的大小并且导致了成本增加。在高电阻值的情况下，难以抑制被传递到散热板202的噪声，并且大的高频噪声被发射到空气中。

因此，需要设计用于抑制高频噪声从散热板202到空气中的发射并且还抑制高频噪声向一次侧电路151的传递的方式。在本实施例中，被设计用于减少高频噪声的噪声吸收组件208连接在一次绕组106和散热板202之间。例如，噪声吸收组件208是诸如铁氧体磁珠、线圈等之类的电感器。

噪声吸收组件208连接在散热板202的端子206a和206b所连接的图案和低阻抗图案之间就足够了。在图2C中，低阻抗图案是连接一次绕组106和平滑电容器104的图案210。也就是说，噪声吸收组件208连接在散热板202的端子206a和图案210之间。

从FET 108的漏极端子D经由寄生电容207传递到散热板202的高频噪声被噪声吸收组件208迅速衰减。这减少了从散热板202发射到空气中的高频噪声。此外，还减少了被传递到一次侧电路151的内部的高频噪声。

图2C是为了有助于理解作为主要组件的平滑电容器104、绝缘变压器105、一次绕组106、FET 108、散热板202和噪声吸收组件208的图案布局。平滑电容器104的高电位侧的端子211a以及绝缘变压器105中的一次绕组106的一个端子连接到图案210。一次绕组106的另一端子以及FET 108的漏极端子D连接到图案212。FET 108的源极端子S和一次侧平滑电容器104的低电位侧的端子211b通过图案209彼此连接。这些图案209、210和212形成了高电流流动的回路。增加图案209、210和212的厚度以便使该回路最小化并且保持阻抗低是至关重要的。

另一方面，由多个组件构成的控制单元109连接到FET 108的栅极端子G。如果控制单元109布设在回路内部，则控制单元109由于归因于高电流的电磁效应而故障。为此原因，控制单元109布设在回路外侧。

由于这种图案布局是需要的，因此散热板202的端子206a和206b被放置在远离高电流回路和控制单元109的区域中。具有与平滑电容器104的低电位侧的图案209相同的电位的图案也存在于控制单元109内部。因此，还可以连接噪声吸收组件208和控制单元109内部的该图案。然而，如果除了控制单元109外的电路连接到控制单元109内部的低电位侧的图案，则控制单元109的地电位可能波动，从而可能造成控制单元109故障。为此原因，没有实现噪声吸收组件208与控制单元109内部的低电位侧的图案的连接。

另一方面，在噪声吸收组件208连接到平滑电容器104的高电位侧的端子211a的情况下，散热板202的端子206a被自然地放置在高电位侧的图案210的附近。结果，实现了理想的图案布局。

(第一实施例的有益效果)

图3是用于描述第一实施例的有益效果的示图。水平轴指示频率。垂直轴指示噪声电平(noise level)。由交替的两个虚线和一个点构成的线指示在不设置噪声吸收组件208的情况下的噪声电平N0。实线指示在噪声吸收组件208连接在散热板202和平滑电容器104的高电位侧的端子211a之间的情况下的噪声电平N1。将两个噪声电平N0和N1彼此比较，清楚的是，在从60MHz至300MHz的宽范围内，噪声电平N1低于噪声电平N0。尤其是，在设置噪声吸收组件208的第一实施例中，在200MHz附近，噪声显著减少。40MHz的附近是在λ/4的波长下相当于大约2m的频率。因此，认为40MHz的附近的噪声被从AC线101发射。

通过将噪声吸收组件208放置在散热板202和一次侧平滑电容器104的高电位侧的端子211a之间来减少噪声。具体地，减少了已从FET 108经由寄生电容207传递到散热板202然后从散热板202发射到空气中的噪声。此外，也减少了经由充当天线的AC线101发射的噪声。

虽然在本实施例中假定FET 108是全模封装，但这仅仅是示例。在FET 108的由螺钉紧固的部分由金属制成的封装件的情况下，也实现了类似的有益效果。

如图4中所示，当电容器C1和C2与噪声吸收组件208串联连接以便确保绝缘或耐压时，也实现了类似的有益效果。也就是说，电容器C1可以连接在端子206a和噪声吸收组件208之间。可替换地，电容器C2可以连接在噪声吸收组件208和图案210之间。可以装入两个电容器C1和C2中的一个，或者可以装入它们二者。

<第二实施例>

在第一实施例中，噪声吸收组件208被放置在散热板202和一次侧平滑电容器104的高电位侧的端子211a之间。因此，减少了从散热板202排出的噪声和从AC线101发射的噪声。如图5A中所示，在第二实施例中，噪声吸收组件208被放置在散热板202和一次侧平滑电容器104的低电位侧的端子211b之间。

第二实施例与第一实施例的不同之处在于，噪声吸收组件208连接到一次侧平滑电容器104在低电位侧的端子211b。从散热板202的端子206b到一次侧平滑电容器104的低电位侧的端子211b的距离变得相对长。也就是说，连接端子211b和噪声吸收组件208的图案501a以及连接噪声吸收组件208和端子206b的图案501b可能变长。然而，第二实施例的噪声抑制效果与第一实施例的噪声抑制效果类似。

尽管连接到噪声吸收组件208的图案501a和501b变长，但这仅仅表示与噪声吸收组件208串联连接的以毫欧为单位的微小电阻。因此，维持了高噪声抑制效果。

如图5B中所示，散热板202的形状可以改变。当散热板202为L形时，图案501a和501b变短。结果，可以减小用于安装在印刷基板204上的面积。

根据第二实施例，噪声吸收组件208被放置在散热板202和一次侧平滑电容器104的低电位侧的端子211b之间。因此，减少了从散热板202发射的噪声和从AC线101发射的噪声。

<第三实施例>

已结合抑制由于FET 108的开关操作而从散热板202发射的噪声的方法描述了第一实施例和第二实施例。将结合抑制从二次侧二极管110的散热板发射的噪声的方法描述第三实施例。

图6A是用于描述涉及使二次侧二极管110的热扩散的散热板601的电连接的示图。如上所述，在二次绕组107中产生的脉冲电压被二次侧二极管110整流并且被二次侧平滑电容器111平滑，并且获得预定的输出电压Vo。二次侧二极管110具有以下的性质：在从在正向方向上施加电压并且电流在正向方向上流动的导通(ON)状态到在相反方向上施加电压并且没有电流流动的截止(OFF)状态的时段期间，电流暂时在相反方向上流动。由于这种性质，产生了高频噪声。存在不具有相反方向性质的肖特基势垒二极管。然而，这种类型的二极管具有归因于结电容的类似性质。因此，在这种类型的二极管中也产生高频噪声。

存在于二极管110内部的半导体芯片和散热板601经由小的寄生电容602在高频率下彼此耦接。因此，高频噪声从二极管110传递到散热板601。

散热板601的旨在用于附接的端子通常连接到地线603。在这种情况下，高频噪声从散热板601传递到地线603。此外，高频噪声经由连接到地线603并且充当天线的电压供应线缆发射。对于散热板601的旨在用于附接的端子连接到用于向外部供应输出电压Vo的输出端子或图案的情况，同样如此。

与此相反，噪声吸收组件208连接在散热板601和电源线604之间，该电源线是输出电压Vo被施加的图案。因此，减少了从散热板601发射的噪声。也减少了从连接到地线603的线缆发射的噪声。

如图6B中所示，噪声吸收组件208可以连接到作为图案的一部分的地线603。在这种情况下，也减小了从散热板601发射的噪声和从连接到地线603的线缆发射的噪声。

FET 108和二次侧二极管110可以是表面安装组件。在这种情况下，可以在we表面安装组件周围形成印刷图案来代替散热板202和601。在这种情况下，噪声吸收组件208连接到印刷图案。

图7A示出了噪声吸收组件208连接到散热板702，该散热板702使一次侧桥式二极管103的热消散。因为电流的电传导和阻断在桥式二极管103中重复进行，所以它也是噪声源。在桥式二极管103和散热板702之间存在寄生电容707。因此，噪声从桥式二极管103经由寄生电容707传播到散热板702。此外，从散热板702发射噪声。鉴于此，噪声吸收组件208连接在散热板702和高电位侧的端子211a之间。因此，减少了噪声。

如图7B中所示，噪声吸收组件208可以连接在散热板702和低电位侧的端子211b之间。可以以这种方式减少噪声。

注意的是，在图7A和图7B中，在噪声吸收组件208与端子211a和211b之间的连接、以及在噪声吸收组件208与散热板702的端子之间的连接中，使用具有大厚度的图案。因此，进一步减少了噪声。

在图6A和图6B中，可以用FET代替二次侧二极管110。图8A和图8B示出了已用FET808代替图6A和图6B中示出的二次侧二极管110。FET 808是诸如MOS-FET之类的整流器元件的示例。FET 808可以用作根据施加到栅极端子的控制信号而导通/截止的整流器元件。

FET 808包括寄生二极管809。因此，寄生二极管809可以用作整流器元件。以这种方式，噪声吸收组件208可以应用于使FET 808的热消散的散热板601。

FET 808可以是表面安装组件。在这种情况下，可以在表面安装组件周围形成印刷图案来代替散热板601。在这种情况下，噪声吸收组件208连接到印刷图案。

<第四实施例>

如图9中所示，第四实施例涉及装入已在第一实施例至第三实施例中描述的开关电源100的图像形成装置900。然而，开关电源100可以作为与图像形成装置900不同的电子设备的电源装置被装入。

图像形成装置900是电子照相方法的激光束打印机。感光鼓901是在一个方向上旋转并且静电潜像被形成的图像载体。充电器902对感光鼓901均匀地充电。曝光装置908通过根据图像信号利用激光束照射感光鼓901的表面来形成静电潜像。显影装置903包括存储有调色剂的调色剂盒、以及承载调色剂的显影套筒；其通过使用调色剂将静电潜像显影来形成调色剂图像。注意的是，感光鼓901、充电器902、显影装置903和转印辊905形成图像形成单元。

多个传送辊909传送存储在存储部904中的片材P。转印辊905将调色剂图像从感光鼓901转印到片材P。定影设备906对片材P和调色剂图像施加热和压力，由此将调色剂图像定影在片材P上。此后，片材P被排出到片材托盘907。

开关电源100向驱动感光鼓901、曝光装置908、传送辊909等的马达M1和控制器910供应电力。从图像形成装置900发射的噪声的发射源可能是部署图像的控制器910和开关电源100。因此，由于图像形成装置900装入已在第一实施例至第三实施例中描述的开关电源100，因此实现了具有少量的噪声发射的图像形成装置900。

<源自实施例的技术思路>

[第一方面]

如图1中所示，一次侧电路151是安装在印刷基板204上并且输入有交流电压的一次侧电路的一个示例。绝缘变压器105是连接到一次侧电路151的变压器的一个示例。二次侧电路152是安装在印刷基板204上、连接到绝缘变压器105并且输出直流电压(输出电压Vo)的二次侧电路的一个示例。FET 108和808、桥式二极管103、二极管110等是安装在印刷基板204上的半导体元件的示例。散热板202、601和702包括通过焊接连接到印刷基板204的连接部分(例如，端子206a和206b)，并且用作使半导体元件中产生的热消散的散热器(散热单元)。图案210、209、501a、501b等是形成在印刷基板204上的导电图案的示例。噪声吸收组件208是连接在散热器的连接部分和设置在该连接部分附近的作为低阻抗电路的图案的一部分之间并且吸收电噪声的噪声吸收材料的一个示例。以这种方式，可以使图案布局简单，同时减少了不需要的高频噪声到空气中的发射以及高频噪声朝向电路的传递。

[第二方面]

桥式二极管103是对交流电压进行整流并且输出脉冲电流的整流器元件的一个示例。平滑电容器104是包括高电位侧的第一端子(例如，端子211a)和低电位侧的第二端子(例如，端子211b)并且通过对脉冲电流进行平滑来产生直流电压的平滑元件的一个示例。FET 108是执行直流电压的开关的开关元件的一个示例。如图5A和图5B中所示，低阻抗电路可以是连接到第二端子的图案的一部分(例如，图案209)。

[第三方面]

如图2C中所示，低阻抗电路可以是连接到第一端子的图案的一部分(例如，图案210)。

[第四方面]

如图6A和图6B中所示，半导体元件可以是二次侧电路中包括的半导体元件(例如，二极管110)。在这种情况下，低阻抗电路可以是在二次侧电路中供应地电位的图案的一部分(例如，地线603)。

[第五方面]

如图6A和图6B中所示，半导体元件可以是二次侧电路中包括的半导体元件(例如，二极管110)。在这种情况下，低阻抗电路可以是供应来自二次侧电路的输出电压的图案的一部分(例如，电源线604)。

[第六方面和第七方面]

半导体元件可以是整流器元件(例如，二极管110和FET 808)。整流器元件可以是二极管(例如，二极管110和FET 808的寄生二极管809)。

[第八方面]

根据第七方面的二极管(例如，二极管110)可以是被表面安装在印刷基板204上的表面安装组件。

[第九方面]

根据第八方面的散热器可以是在作为表面安装组件的二极管周围形成的用于散热的印刷图案。

[第十方面]

如已针对图8A和图8B描述的，整流器元件可以是场效应晶体管(例如，FET 808和寄生二极管809)。

[第十一方面]

如已针对图8A和图8B描述的，场效应晶体管(例如，FET 808)可以是被表面安装在印刷基板204上的表面安装组件。

[第十二方面]

如已针对图8A和图8B描述的，散热器(例如，散热板601)可以是在作为表面安装组件的场效应晶体管周围形成的用于散热的印刷图案。

[第十三方面和第十四方面]

如图7A和图7B中所示，桥式二极管103是对交流电压进行整流并且输出脉冲电流的半导体元件的一个示例。也就是说，散热板702可以应用于桥式二极管103。在这种情况下，连接在散热板702的连接部分和设置在该连接部分附近的作为低阻抗电路的图案的一部分(例如，图案209)之间并且吸收电噪声的噪声吸收组件208被放置。平滑电容器104是包括高电位侧的第一端子(例如，端子211a)和低电位侧的第二端子(例如，端子211b)并且通过对脉冲电流进行平滑来产生直流电压的平滑元件的一个示例。在这种情况下，低阻抗电路可以是连接到第二端子的图案的一部分(例如，图案209)。可替换地，低阻抗电路可以是连接到第一端子的图案的一部分(例如，图案210)。

[第十五方面]

如图7A和图7B中所示，半导体元件可以是桥式二极管103。

[第十六方面和第十七方面]

如已针对图4描述的，噪声吸收材料可以包括噪声吸收组件208和与噪声吸收组件208串联连接的电容元件(例如，电容器C1)。噪声吸收组件208可以是被设计用于减少被感应到散热器的电噪声的电感器。该电感器可以是铁氧体磁珠或线圈。

[第十八方面]

如图9中所示，包括开关电源100的图像形成装置900被提供。开关电源100可以提供在另一电子设备中。

其他实施例

本发明的(一个或多个)实施例还可以通过读出并执行记录在存储介质(也可以被更完整地称为“非瞬态计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或包括用于执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能一个或多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或装置的计算机来实现，以及通过例如从存储介质读出并执行计算机可执行指令以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或控制一个或多个电路以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能而通过由系统或装置的计算机执行的方法来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))，并且可以包括单独计算机或单独处理器的网络，以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供到计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储装置、光盘(诸如紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)^TM)、闪存设备、存储卡等中的一个或多个。

其他实施例

本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。

虽然已参考示例性实施例描述了本发明，但要理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。随附权利要求的范围将被赋予最宽泛的解释，以包含所有这样的修改形式以及等同的结构和功能。

Claims (18)

1.一种开关电源装置，包括：

印刷基板；

变压器，所述变压器包括一次绕组和二次绕组；

一次侧电路，所述一次侧电路被安装在所述印刷基板上，所述一次侧电路连接到所述变压器的所述一次绕组，并且交流电压被输入到所述一次侧电路；

二次侧电路，所述二次侧电路被安装在所述印刷基板上，连接到所述变压器的所述二次绕组，并且输出直流电压；

半导体元件，所述半导体元件被安装在所述印刷基板上；

散热器，所述散热器包括连接部分并且使在所述半导体元件中产生的热消散，所述连接部分通过焊接连接到所述印刷基板；

导电图案，所述导电图案形成在所述印刷基板上；以及

电感器，所述电感器连接在所述散热器的所述连接部分和所述图案的一部分之间，并且吸收被感应到所述散热器的电噪声。

2.根据权利要求1所述的开关电源装置，其中，

所述一次侧电路包括

整流器元件，所述整流器元件对所述交流电压进行整流并且输出脉冲电流，以及

平滑元件，所述平滑元件包括高电位侧的第一端子和低电位侧的第二端子，并且通过对所述脉冲电流进行平滑来产生直流电压，

所述半导体元件包括执行所述直流电压的开关的开关元件，并且

所述图案的所述一部分连接到所述第二端子。

3.根据权利要求1所述的开关电源装置，其中，

所述一次侧电路包括

整流器元件，所述整流器元件对所述交流电压进行整流并且输出脉冲电流，以及

平滑元件，所述平滑元件包括高电位侧的第一端子和低电位侧的第二端子，并且通过对所述脉冲电流进行平滑来产生直流电压，

所述半导体元件包括执行所述直流电压的开关的开关元件，并且

所述图案的所述一部分连接到所述第一端子。

4.根据权利要求1所述的开关电源装置，其中，

所述半导体元件是所述二次侧电路中包括的半导体元件，并且

所述图案的所述一部分在所述二次侧电路中供应地电位。

5.根据权利要求1所述的开关电源装置，其中，

所述半导体元件是所述二次侧电路中包括的半导体元件，并且

所述图案的所述一部分供应来自所述二次侧电路的输出电压。

6.根据权利要求4所述的开关电源装置，其中，

所述半导体元件是整流器元件。

7.根据权利要求6所述的开关电源装置，其中，

所述整流器元件是二极管。

8.根据权利要求7所述的开关电源装置，其中，

所述二极管是被表面安装在所述印刷基板上的表面安装组件。

9.根据权利要求8所述的开关电源装置，其中，

所述散热器是在作为表面安装组件的所述二极管周围形成的用于散热的印刷图案。

10.根据权利要求6所述的开关电源装置，其中，

所述整流器元件是场效应晶体管。

11.根据权利要求10所述的开关电源装置，其中，

所述场效应晶体管是被表面安装在所述印刷基板上的表面安装组件。

12.根据权利要求11所述的开关电源装置，其中，

所述散热器是在作为表面安装组件的所述场效应晶体管周围形成的用于散热的印刷图案。

13.根据权利要求1所述的开关电源装置，其中，

所述一次侧电路包括

对所述交流电压进行整流并且输出脉冲电流的所述半导体元件，以及

平滑元件，所述平滑元件包括高电位侧的第一端子和低电位侧的第二端子，并且通过对所述脉冲电流进行平滑来产生直流电压，以及

所述图案的所述一部分连接到所述第二端子。

14.根据权利要求1所述的开关电源装置，其中，

所述一次侧电路包括

对所述交流电压进行整流并且输出脉冲电流的所述半导体元件，以及

平滑元件，所述平滑元件包括高电位侧的第一端子和低电位侧的第二端子，并且通过对所述脉冲电流进行平滑来产生直流电压，以及

所述图案的所述一部分连接到所述第一端子。

15.根据权利要求13所述的开关电源装置，其中，

所述半导体元件是桥式二极管。

16.根据权利要求1所述的开关电源装置，还包括：

电容元件，所述电容元件与所述电感器串联连接。

17.根据权利要求1所述的开关电源装置，其中，

所述电感器是铁氧体磁珠或线圈。

18.一种图像形成装置，包括：

图像形成单元，所述图像形成单元被配置为在片材上形成图像；以及

开关电源，所述开关电源被配置为向所述图像形成单元供应电力，其中，所述开关电源包括：

印刷基板；

变压器，所述变压器包括一次绕组和二次绕组；

一次侧电路，所述一次侧电路被安装在所述印刷基板上，所述一次侧电路连接到所述变压器的所述一次绕组，并且交流电压被输入到所述一次侧电路；

二次侧电路，所述二次侧电路被安装在所述印刷基板上，连接到所述变压器的所述二次绕组，并且输出直流电压；

半导体元件，所述半导体元件被安装在所述印刷基板上；

散热器，所述散热器包括连接部分并且使在所述半导体元件中产生的热消散，所述连接部分通过焊接连接到所述印刷基板；

导电图案，所述导电图案形成在所述印刷基板上；以及

电感器，所述电感器连接在所述散热器的所述连接部分和所述图案的一部分之间，并且吸收被感应到所述散热器的电噪声。