CN116909107B - 一种光刻设备照明用光源系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光刻设备照明用光源系统，涉及光刻光源相关领域，包括光源机构、光加强机构、滤波机构和匀光机构，所述光源机构左端固定连接有光加强机构，所述光加强机构顶部固定连接有滤波机构，所述滤波机构左端固定连接有匀光机构，设置光源机构，通过第一柱面聚焦镜将入射光聚焦在一条线上，再通过两组光反射层、两组聚焦层和第一四十五度反射镜使光源反射到垂直方向，防止光源发散，影响后期光处理，然后通过多层防护层对光反射层进行防护，延长光反射层的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及光刻光源相关领域，具体是一种光刻设备照明用光源系统。
背景技术
光刻技术用于制造大规模集成电路、微机电系统等，投影光刻机主要包括照明系统和投影物镜，照明系统均匀照射掩模版，掩模版上的精细图案被投影物镜成像到涂有光刻胶的硅片上，投影光刻机中的照明系统主要实现对激光束的整形、照明均匀化、改变相干因子、偏振控制、视场控制等。
现有一种光刻设备照明用光源系统在使用时，较难对光源进行预处理，且部分设备在对光源进行预处理过程中，可能导致光线亮度减弱，进而影响后期对光源的处理；现有一种光刻设备照明用光源系统在使用时，较难对光源进行滤波，可能导致光斑质量较差，且光刻设备照明用光源在使用时产生的入射光发散角较大，使得入射光在通过光学镜片调制时会产生杂散光，可能会降低有效输出能量。
发明内容
因此，为了解决上述不足，本发明在此提供一种光刻设备照明用光源系统。
本发明是这样实现的，构造一种光刻设备照明用光源系统，该装置包括光源机构，所述光源机构左端固定连接有光加强机构，所述光加强机构顶部固定连接有滤波机构，所述滤波机构左端固定连接有匀光机构；
所述光源机构包括第一安装箱，所述光加强机构右端固定连接有第一安装箱；第一光源，所述第一安装箱内左上端固定连接有第一光源；第一柱面聚焦镜，所述第一安装箱内上端中心处固定连接有第一柱面聚焦镜；环氧树脂层，所述第一安装箱内右上端固定连接有环氧树脂层；黑色聚酰亚胺层，所述环氧树脂层左端固定连接有黑色聚酰亚胺层；光反射层，所述黑色聚酰亚胺层左端固定连接有光反射层；聚焦层，所述光反射层左端固定连接有聚焦层；第一四十五度反射镜，所述第一安装箱内右下端固定连接有第一四十五度反射镜。
优选的，所述光加强机构包括第二安装箱，所述第一安装箱左端固定连接有第二安装箱；安装壳，所述第二安装箱底部固定连接有安装壳；阻尼杆，所述安装壳内底部左右两端均固定连接有阻尼杆；电磁块，所述阻尼杆内弹簧上下两端连接板均固定连接有电磁块，且电磁块与外界电流输出器电性相连；移动板，所述阻尼杆顶部固定连接有移动板；聚光镜，所述移动板顶部左端固定连接有聚光镜；平面镜聚焦电池板，所述移动板顶部等距设有三组平面镜聚焦电池板，且三组平面镜聚焦电池板设于聚光镜右端；其中，所述聚光镜和平面镜聚焦电池板外壁均与第二安装箱底部滑动连接。
优选的，所述光加强机构还包括第一反射镜，所述第二安装箱内底部左端倾斜设置有第一反射镜；光照强度检测仪，所述第二安装箱内顶部右端固定连接有光照强度检测仪。
优选的，所述滤波机构包括第三安装箱，所述第二安装箱顶部固定连接有第三安装箱；光瞳整形器，所述第三安装箱内壁固定连接有光瞳整形器；光学滤波器，所述第三安装箱内壁固定连接有光学滤波器；第二柱面聚焦镜，所述第三安装箱内壁固定连接有第二柱面聚焦镜，且第二柱面聚焦镜设有两组，两组第二柱面聚焦镜呈等距设置；波长调谐模组，所述第三安装箱内壁固定连接有波长调谐模组；其中，所述光瞳整形器、光学滤波器、第二柱面聚焦镜和波长调谐模组呈自下而上分布。
优选的，所述滤波机构还包括第二反射镜，所述第三安装箱内顶部右端倾斜设置有第二反射镜；能量传感器，所述第三安装箱内顶部左端固定连接有能量传感器。
优选的，所述匀光机构包括第四安装箱，所述第三安装箱左端固定连接有第四安装箱；第三反射镜，所述第四安装箱内左端倾斜设有第三反射镜；涂层镜，所述第四安装箱内左右两端均固定连接有涂层镜，且第四安装箱内左端涂层镜设于第四安装箱内右端涂层镜左下方；第二四十五度反射镜，所述第四安装箱内右端固定连接有第二四十五度反射镜；第四反射镜，所述第四安装箱内左端倾斜设置有第四反射镜；第五反射镜，所述第四安装箱内中心处倾斜设置有第五反射镜；第六反射镜，所述第四安装箱内左端倾斜设置有第六反射镜；第二光源，所述第四安装箱内右端倾斜设置有第二光源。
优选的，所述匀光机构还包括透镜，所述第四安装箱内下方固定连接有透镜；匀光杆，所述第四安装箱内下方固定连接有匀光杆。
优选的，所述涂层镜、第二四十五度反射镜、第五反射镜、第六反射镜、第二光源、透镜和匀光杆呈上而下分布。
优选的，所述第一安装箱内左下端自左向右分布有环氧树脂层、黑色聚酰亚胺层、光反射层和聚焦层。
优选的，所述一种光刻设备照明用光源系统包括以下步骤：
步骤一：当需对光源进行预处理时，通过第一柱面聚焦镜将入射光聚焦在一条线上，再通过两组光反射层、两组聚焦层和第一四十五度反射镜使光源反射到垂直方向，防止光源发散，影响后期光处理；
步骤二：当光源受第一四十五度反射镜影响反射到垂直方向时，通过电磁块和阻尼杆的配合使光源通过聚光镜和多层平面镜聚焦电池板加强光照强度，防止光源强度较弱影响后期光源效果；
步骤三：当光源受第一反射镜影响发生反射时，通过光学滤波器和波长调谐模组的配合进行滤波，防止滤波不完全，影响后期匀光效果，再通过能量传感器检测直接引起光量变化的非电物理量，防止光源受其他因素影响发生变化；
步骤四：滤波后的光源受第二反射镜和第三反射镜的影响反射到涂层镜，通过两层涂层镜多次反射净化能谱，获得13.5nm的EUV光，再通过透镜对EUV光进行发散，最后通过匀光杆将光分布均匀，防止分布不均影响光刻设备的使用。
本发明具有如下优点：本发明通过改进在此提供一种光刻设备照明用光源系统，与同类型设备相比，具有如下改进：
本发明所述一种光刻设备照明用光源系统，通过设置光源机构，通过第一柱面聚焦镜将入射光聚焦在一条线上，再通过两组光反射层、两组聚焦层和第一四十五度反射镜使光源反射到垂直方向，防止光源发散，影响后期光处理，然后通过多层防护层对光反射层进行防护，延长光反射层的使用寿命。
本发明所述一种光刻设备照明用光源系统，通过设置光加强机构，通过电磁块和阻尼杆的配合使光源通过聚光镜和多层平面镜聚焦电池板加强光照强度，防止光源强度较弱影响后期光源效果。
本发明所述一种光刻设备照明用光源系统，通过设置滤波机构，通过光学滤波器和波长调谐模组的配合进行滤波，防止滤波不完全，影响后期匀光效果，再通过能量传感器检测直接引起光量变化的非电物理量，防止光源受其他因素影响发生变化。
本发明所述一种光刻设备照明用光源系统，通过设置匀光机构，通过两层涂层镜多次反射净化能谱，获得13.5nm的EUV光，再通过透镜对EUV光进行发散，最后通过匀光杆将光分布均匀，防止分布不均影响光刻设备的使用。
附图说明
图1是本发明步骤流程结构示意图；
图2是本发明光源机构立体结构示意图；
图3是本发明光源机构正视的结构示意图；
图4是本发明光加强机构正视的结构示意图；
图5是本发明图4中A放大的结构示意图；
图6是本发明滤波机构正视的结构示意图；
图7是本发明滤波机构立体结构示意图；
图8是本发明匀光机构正视的结构示意图。
其中：光源机构-1、第一安装箱-11、第一光源-12、第一柱面聚焦镜-13、环氧树脂层-14、黑色聚酰亚胺层-15、光反射层-16、聚焦层-17、第一四十五度反射镜-18、光加强机构-2、第二安装箱-21、安装壳-22、阻尼杆-23、电磁块-24、移动板-25、聚光镜-26、平面镜聚焦电池板-27、第一反射镜-28、光照强度检测仪-29、滤波机构-3、第三安装箱-31、光瞳整形器-32、光学滤波器-33、第二柱面聚焦镜-34、波长调谐模组-35、第二反射镜-36、能量传感器-37、匀光机构-4、第四安装箱-41、第三反射镜-42、涂层镜-43、第二四十五度反射镜-44、第四反射镜-45、第五反射镜-46、第六反射镜-47、第二光源-48、透镜-49、匀光杆-410。
具体实施方式
以下结合附图1～8对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例一：
请参阅图1～图3，本发明的一种光刻设备照明用光源系统，包括光源机构1，光源机构1左端固定连接有光加强机构2，光加强机构2顶部固定连接有滤波机构3，滤波机构3左端固定连接有匀光机构4；
光源机构1包括第一安装箱11，光加强机构2右端固定连接有第一安装箱11，第一安装箱11内左上端固定连接有第一光源12，第一安装箱11内上端中心处固定连接有第一柱面聚焦镜13，第一柱面聚焦镜13便于将入射光聚焦在一条线上；
第一安装箱11内右上端固定连接有环氧树脂层14，环氧树脂层14左端固定连接有黑色聚酰亚胺层15，黑色聚酰亚胺层15左端固定连接有光反射层16，光反射层16左端固定连接有聚焦层17，黑色聚酰亚胺层15便于保护光反射层16底部；
第一安装箱11内右下端固定连接有第一四十五度反射镜18，第一安装箱11内左下端自左向右分布有环氧树脂层14、黑色聚酰亚胺层15、光反射层16和聚焦层17，环氧树脂层14便于增加光反射层16的耐腐蚀性能。
基于实施例1的一种光刻设备照明用光源系统的工作原理是：
第一、使用本设备时，首先将本设备放置在工作区域中，然后将装置与外部电源相连接，即可为本设备提供工作所需的电源。
第二、当需对光源进行预处理时，首先启动第一光源12，使得第一光源12通过第一柱面聚焦镜13将入射光聚焦在一条线上，然后入射光通过两组光反射层16和两组聚焦层17的配合对光源进行聚焦反射，光源聚焦反射后将光源反射到第一四十五度反射镜18，使得光源受第一四十五度反射镜18影响反射到垂直方向，完成对光源的预处理，防止光源发散，影响后期光处理；
第三、光反射层16在使用过程中首先通过黑色聚酰亚胺层15保护光反射层16底部，再通过环氧树脂层14增加光反射层16的耐腐蚀性能，延长光反射层16的使用寿命。
实施例二：
请参阅图5～图6，本发明的一种光刻设备照明用光源系统，相较于实施例一，本实施例还包括：光加强机构2，光加强机构2包括第二安装箱21，第一安装箱11左端固定连接有第二安装箱21，第二安装箱21底部固定连接有安装壳22，安装壳22内底部左右两端均固定连接有阻尼杆23，安装壳22便于对阻尼杆23进行安装；
阻尼杆23内弹簧上下两端连接板均固定连接有电磁块24，且电磁块24与外界电流输出器电性相连，阻尼杆23顶部固定连接有移动板25，移动板25顶部左端固定连接有聚光镜26，聚光镜26便于加强光照强度；
移动板25顶部等距设有三组平面镜聚焦电池板27，且三组平面镜聚焦电池板27设于聚光镜26右端，聚光镜26和平面镜聚焦电池板27外壁均与第二安装箱21底部滑动连接，平面镜聚焦电池板27便于加强光照强度；
第二安装箱21内底部左端倾斜设置有第一反射镜28，第二安装箱21内顶部右端固定连接有光照强度检测仪29，光照强度检测仪29便于检测光照强度。
本实施例中：
当光源受第一四十五度反射镜18影响反射到垂直方向时，通过光照强度检测仪29对光源强度进行检测，当光源强度较弱时，通过外界电源输出器对电磁块24进行断电，使得阻尼杆23受电磁力影响做伸展运动，阻尼杆23带动移动板25向上移动，移动板25带动聚光镜26和平面镜聚焦电池板27向上移动，使得光源通过聚光镜26和多层平面镜聚焦电池板27加强光照强度，光源强度加强后通过第一反射镜28进行再次反射，使得光源朝向滤波机构3，防止光源强度较弱影响后期光源效果。
实施例三：
请参阅图6～图7，本发明的一种光刻设备照明用光源系统，相较于实施例一，本实施例还包括：滤波机构3，滤波机构3包括第三安装箱31，第二安装箱21顶部固定连接有第三安装箱31，第三安装箱31内壁固定连接有光瞳整形器32，光瞳整形器32便于调整入射光的强度以及相位的分布,进而在光瞳面上获取所需的特定光强分布；
第三安装箱31内壁固定连接有光学滤波器33，第三安装箱31内壁固定连接有第二柱面聚焦镜34，且第二柱面聚焦镜34设有两组，两组第二柱面聚焦镜34呈等距设置，第三安装箱31内壁固定连接有波长调谐模组35，光学滤波器33便于从众多的波长中挑选出所需的波长；
光瞳整形器32、光学滤波器33、第二柱面聚焦镜34和波长调谐模组35呈自下而上分布，第三安装箱31内顶部右端倾斜设置有第二反射镜36，第三安装箱31内顶部左端固定连接有能量传感器37，能量传感器37便于检测直接引起光量变化的非电物理量。
本实施例中：
当光源受第一反射镜28影响发生反射时，首先光源通过光瞳整形器32调整入射光的强度以及相位的分布,进而在光瞳面上获取所需的特定光强分布，再通过光学滤波器33从众多的波长中挑选出所需的波长，然后通过两组第二柱面聚焦镜34将入射光聚焦在一条线上，再通过波长调谐模组35动态选择波长，防止滤波不完全，影响后期匀光效果，最后通过能量传感器37检测直接引起光量变化的非电物理量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等，防止光源受其他因素影响发生变化。
实施例四：
请参阅图8，本发明的一种光刻设备照明用光源系统，相较于实施例一，本实施例还包括：匀光机构4，匀光机构4包括第四安装箱41，第三安装箱31左端固定连接有第四安装箱41，第四安装箱41内左端倾斜设有第三反射镜42，第三反射镜42便于将光源反射到涂层镜43；
第四安装箱41内左右两端均固定连接有涂层镜43，且第四安装箱41内左端涂层镜43设于第四安装箱41内右端涂层镜43左下方，第四安装箱41内右端固定连接有第二四十五度反射镜44，第四安装箱41内左端倾斜设置有第四反射镜45，涂层镜43便于多次反射净化能谱；
第四安装箱41内中心处倾斜设置有第五反射镜46，第四安装箱41内左端倾斜设置有第六反射镜47，第四安装箱41内右端倾斜设置有第二光源48，第四安装箱41内下方固定连接有透镜49，透镜49便于对EUV光进行发散；
第四安装箱41内下方固定连接有匀光杆410，涂层镜43、第二四十五度反射镜44、第五反射镜46、第六反射镜47、第二光源48、透镜49和匀光杆410呈上而下分布，匀光杆410便于将光分布均匀。
本实施例中：
第一、滤波后的光源受第二反射镜36和第三反射镜42的影响反射到涂层镜43，通过两层涂层镜43多次反射净化能谱，获得13.5nm的EUV光，EUV光首先通过第二四十五度反射镜44反射到第四反射镜45，然后通过第四反射镜45反射到第五反射镜46，再通过第五反射镜46反射到第六反射镜47，然后通过第六反射镜47反射到透镜49，通过透镜49对EUV光进行发散，最后通过匀光杆410将光分布均匀，防止分布不均影响光刻设备的使用；
第二、当需使用第二光源48时，启动第二光源48，第二光源48将光源照射到第六反射镜47，然后通过第六反射镜47反射到透镜49，通过透镜49对EUV光进行发散，最后通过匀光杆410将光分布均匀。
本发明通过改进提供一种光刻设备照明用光源系统，设置光源机构1，通过第一柱面聚焦镜13将入射光聚焦在一条线上，再通过两组光反射层16、两组聚焦层17和第一四十五度反射镜18使光源反射到垂直方向，防止光源发散，影响后期光处理，然后通过多层防护层对光反射层16进行防护，延长光反射层16的使用寿命；设置光加强机构2，通过电磁块24和阻尼杆23的配合使光源通过聚光镜26和多层平面镜聚焦电池板27加强光照强度，防止光源强度较弱影响后期光源效果；设置滤波机构3，通过光学滤波器33和波长调谐模组35的配合进行滤波，防止滤波不完全，影响后期匀光效果，再通过能量传感器37检测直接引起光量变化的非电物理量，防止光源受其他因素影响发生变化；设置匀光机构4，通过两层涂层镜43多次反射净化能谱，获得13.5nm的EUV光，再通过透镜49对EUV光进行发散，最后通过匀光杆410将光分布均匀，防止分布不均影响光刻设备的使用。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点,并且本发明使用到的标准零件均可以从市场上购买,异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制,各个零件的具体连接方式均采用现有技术中成熟的螺栓铆钉、焊接等常规手段，机械、零件和设备均采用现有技术中,常规的型号,加上电路连接采用现有技术中常规的连接方式,在此不再详述。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种光刻设备照明用光源系统，包括光源机构(1)，所述光源机构(1)左端固定连接有光加强机构(2)，所述光加强机构(2)顶部固定连接有滤波机构(3)，所述滤波机构(3)左端固定连接有匀光机构(4)；
其特征在于：所述光源机构(1)包括：第一安装箱(11)，所述光加强机构(2)右端固定连接有第一安装箱(11)；第一光源(12)，所述第一安装箱(11)内左上端固定连接有第一光源(12)；第一柱面聚焦镜(13)，所述第一安装箱(11)内上端中心处固定连接有第一柱面聚焦镜(13)；环氧树脂层(14)，所述第一安装箱(11)内右上端固定连接有环氧树脂层(14)；黑色聚酰亚胺层(15)，所述环氧树脂层(14)左端固定连接有黑色聚酰亚胺层(15)；光反射层(16)，所述黑色聚酰亚胺层(15)左端固定连接有光反射层(16)；聚焦层(17)，所述光反射层(16)左端固定连接有聚焦层(17)；第一四十五度反射镜(18)，所述第一安装箱(11)内右下端固定连接有第一四十五度反射镜(18)。
2.根据权利要求1所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述光加强机构(2)包括：第二安装箱(21)，所述第一安装箱(11)左端固定连接有第二安装箱(21)；安装壳(22)，所述第二安装箱(21)底部固定连接有安装壳(22)；阻尼杆(23)，所述安装壳(22)内底部左右两端均固定连接有阻尼杆(23)；电磁块(24)，所述阻尼杆(23)内弹簧上下两端连接板均固定连接有电磁块(24)，且电磁块(24)与外界电流输出器电性相连；移动板(25)，所述阻尼杆(23)顶部固定连接有移动板(25)；聚光镜(26)，所述移动板(25)顶部左端固定连接有聚光镜(26)；平面镜聚焦电池板(27)，所述移动板(25)顶部等距设有三组平面镜聚焦电池板(27)，且三组平面镜聚焦电池板(27)设于聚光镜(26)右端；其中，所述聚光镜(26)和平面镜聚焦电池板(27)外壁均与第二安装箱(21)底部滑动连接。
3.根据权利要求2所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述光加强机构(2)还包括：第一反射镜(28)，所述第二安装箱(21)内底部左端倾斜设置有第一反射镜(28)；光照强度检测仪(29)，所述第二安装箱(21)内顶部右端固定连接有光照强度检测仪(29)。
4.根据权利要求3所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述滤波机构(3)包括：第三安装箱(31)，所述第二安装箱(21)顶部固定连接有第三安装箱(31)；光瞳整形器(32)，所述第三安装箱(31)内壁固定连接有光瞳整形器(32)；光学滤波器(33)，所述第三安装箱(31)内壁固定连接有光学滤波器(33)；第二柱面聚焦镜(34)，所述第三安装箱(31)内壁固定连接有第二柱面聚焦镜(34)，且第二柱面聚焦镜(34)设有两组，两组第二柱面聚焦镜(34)呈等距设置；波长调谐模组(35)，所述第三安装箱(31)内壁固定连接有波长调谐模组(35)；其中，所述光瞳整形器(32)、光学滤波器(33)、第二柱面聚焦镜(34)和波长调谐模组(35)呈自下而上分布。
5.根据权利要求4所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述滤波机构(3)还包括：第二反射镜(36)，所述第三安装箱(31)内顶部右端倾斜设置有第二反射镜(36)；能量传感器(37)，所述第三安装箱(31)内顶部左端固定连接有能量传感器(37)。
6.根据权利要求5所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述匀光机构(4)包括：第四安装箱(41)，所述第三安装箱(31)左端固定连接有第四安装箱(41)；第三反射镜(42)，所述第四安装箱(41)内左端倾斜设有第三反射镜(42)；涂层镜(43)，所述第四安装箱(41)内左右两端均固定连接有涂层镜(43)，且第四安装箱(41)内左端涂层镜(43)设于第四安装箱(41)内右端涂层镜(43)左下方；第二四十五度反射镜(44)，所述第四安装箱(41)内右端固定连接有第二四十五度反射镜(44)；第四反射镜(45)，所述第四安装箱(41)内左端倾斜设置有第四反射镜(45)；第五反射镜(46)，所述第四安装箱(41)内中心处倾斜设置有第五反射镜(46)；第六反射镜(47)，所述第四安装箱(41)内左端倾斜设置有第六反射镜(47)；第二光源(48)，所述第四安装箱(41)内右端倾斜设置有第二光源(48)。
7.根据权利要求6所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述匀光机构(4)还包括：透镜(49)，所述第四安装箱(41)内下方固定连接有透镜(49)；匀光杆(410)，所述第四安装箱(41)内下方固定连接有匀光杆(410)。
8.根据权利要求7所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述涂层镜(43)、第二四十五度反射镜(44)、第五反射镜(46)、第六反射镜(47)、第二光源(48)、透镜(49)和匀光杆(410)呈上而下分布。
9.根据权利要求8所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述第一安装箱(11)内左下端自左向右分布有环氧树脂层(14)、黑色聚酰亚胺层(15)、光反射层(16)和聚焦层(17)。
10.根据权利要求9所述一种光刻设备照明用光源系统，其特征在于：所述光源系统的运行方法，包括以下步骤：
步骤一：当需对光源进行预处理时，通过第一柱面聚焦镜(13)将入射光聚焦在一条线上，再通过两组光反射层(16)、两组聚焦层(17)和第一四十五度反射镜(18)使光源反射到垂直方向，防止光源发散，影响后期光处理；
步骤二：当光源受第一四十五度反射镜(18)影响反射到垂直方向时，通过电磁块(24)和阻尼杆(23)的配合使光源通过聚光镜(26)和多层平面镜聚焦电池板(27)加强光照强度，防止光源强度较弱影响后期光源效果；
步骤三：当光源受第一反射镜(28)影响发生反射时，通过光学滤波器(33)和波长调谐模组(35)的配合进行滤波，防止滤波不完全，影响后期匀光效果，再通过能量传感器(37)检测直接引起光量变化的非电物理量，防止光源受其他因素影响发生变化；
步骤四：滤波后的光源受第二反射镜(36)和第三反射镜(42)的影响反射到涂层镜(43)，通过两层涂层镜(43)多次反射净化能谱，获得13.5nm的EUV光，再通过透镜(49)对EUV光进行发散，最后通过匀光杆(410)将光分布均匀，防止分布不均影响光刻设备的使用。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201931671U (zh) * | 2010-09-27 | 2011-08-17 | 台虹科技(昆山)有限公司 | 一种保护胶片 |
| CN102540752A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-04 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻照明系统 |
| CN115903403A (zh) * | 2023-02-16 | 2023-04-04 | 广东科视光学技术股份有限公司 | 一种曝光机光源光学模组 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284227A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JP2003185798A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Nikon Corp | 軟ｘ線光源装置およびｅｕｖ露光装置ならびに照明方法 |
| JP3826047B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2006-09-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| JP5159027B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び露光装置 |
| JP2008016516A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Canon Inc | 露光装置 |
| KR101948363B1 (ko) * | 2011-08-19 | 2019-04-22 | 비쥬얼 피직스 엘엘씨 | 두께가 감소된 선택적으로 전사가능한 광학적 시스템 |
-
2023
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201931671U (zh) * | 2010-09-27 | 2011-08-17 | 台虹科技(昆山)有限公司 | 一种保护胶片 |
| CN102540752A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-04 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻照明系统 |
| CN115903403A (zh) * | 2023-02-16 | 2023-04-04 | 广东科视光学技术股份有限公司 | 一种曝光机光源光学模组 |
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