CN116904160A - 一种耐老化、高粘接的uv固化胶黏剂及其制备方法和使用方法 - Google Patents
一种耐老化、高粘接的uv固化胶黏剂及其制备方法和使用方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于粘接剂技术领域，具体保护一种耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，按质量分数计，包括45‑58％的有机硅树脂、22‑35％的环氧树脂、3.5‑9.5％的茂铁盐阳离子光引发剂、2.5‑5.5％的D‑A‑D型荧光染料及13‑17％的活性稀释剂；所述有机硅树脂与所述环氧树脂按重量分数(0.8‑1.6):1的比例，物理共聚形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体，有机硅树脂/环氧树脂预共聚体在茂铁盐阳离子光引发剂、D‑A‑D型荧光染料的光引发下进行聚合，形成物理交联的网络结构。还提供耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂的制备方法和使用方法。本发明可耐老化、粘接强度高，光引发效率高，同时实现了光谱长波红移。
Description
技术领域
本发明属于胶黏剂技术领域，具体涉及一种耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂及其制备方法和使用方法。
背景技术
紫外光固化需要依靠光引发剂产生自由基或阳离子引发聚合，交联反应通过不饱和双键进行，在UV辐射下，液态UV材料中的光引发剂被激发，产生自由基或阳离子，引发材料中带不饱和双键的化合物(聚合物、预聚物和单体)发生聚合反应，交联成网状固化膜。光引发剂受紫外光照射被激发成活性体(自由基或阳离子)，该活性体与预聚物和单体中的C＝C双键反应，形成增长链。该增长链进一步反应，形成更长的聚合物链，若有多官能度聚合物或单体存在，就会产生交联网络结构。最后，活性体的耦合与岐化使反应终止。
阳离子光引发的基本原理是吸收辐射到达激发态引发剂分子发生分解反应产生质子酸或者路易斯酸引发阳离子聚合。酸性的强弱是阳离子聚合能否引发并进行的关键酸性弱则需要对应阴离子有较强的亲核能力容易与碳正离子中心结合。与自由基光引发体系相比，阳离子体系具有引发聚合后可暗反应、不受氧阻、固化相对较慢、固化受潮气影响等特点。阳离子光引发剂芳基重氮盐其缺点在于热稳定性差，光解产生气泡；二芳基碘鎓盐与三芳基硫鎓盐光引发活性高，目前阳离子光引发剂的主流商品，吸光波长短，与LED光源匹配性差，现有技术解决的方法是加入光敏剂，以实现红移；芳茂铁类最大吸收峰波长>360nm，长波光引发剂，但摩尔消光系数低，引发速率慢，工业化产品较少。为了改变光引发剂的吸收波长，使其与可见光波段相匹配有以下两种方式一是扩大分子内的共轭结构，二是引入推拉电子。引入推拉电子一般是使用具有推拉结构的染料作为可见光光引发剂，推拉染料能够将电子供体和受体连接起来，在400-800nm范围内有效地调节光引发剂的吸收波长，形成的D-Π-A结构(D代表电子供体、A代表电子受体、Π代表多烯间隔层)使光引发剂体系的吸收光谱发生红移。
高分子材料耐老化性能包括耐热老化及耐紫外老化性能,具体是指固化后的封装材料经过热老化和紫外辐照老化后的抗黄变能力。由于环氧树脂中存在苯环、酯键、醚键等极性基团,在高温或紫外光照下易产生生色基团,发生黄变。在耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂中采用引发剂实现谱线红移时，需加入光敏剂，而光敏剂的加入随之剂量的增加，会导致光裂解产生更多的自由基，一部分自由基未能参与反应，会通过偶合作用生成醌类结构，进而引起黄变，使得封装材料的透光率降低。
发明内容
本发明提供一种耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂及其制备方法和使用方法，以解决现有技术中耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂存在的长波波段与LED灯光源不相匹配且环氧系封装材料黄化老化的技术问题。
为解决以上技术问题，本发明采用的技术方案是：一种耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，按质量分数计，包括45-58％的有机硅树脂、22-35％的环氧树脂、3.5-9.5％的茂铁盐阳离子光引发剂、2.5-5.5％的D-A-D型荧光染料及13-17％的活性稀释剂。
所述有机硅树脂的环氧基与有机硅组分之间以Si-C键连接，分子量为230-560，为结构式为(R1、R2为烷基、烯基或苯基)：
所述有机硅树脂通过带有S i-H的硅烷和/或聚硅氧烷与含有双键的环氧单体在铂系或铑系金属催化剂催化下进行加成反应形成。
优选的，所述有机硅树脂采用的环氧单体为含有双键的烯丙基缩水甘油醚、4-乙烯基环氧环己烷中的至少一种。
进一步的，所述环氧树脂为六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯、双酚A环氧丙烯酸酯中的至少一种。
所述茂铁盐阳离子光引发剂为芳胺茂铁盐，为三苯胺茂铁盐、N-乙基咔唑茂铁盐中的至少一种。
优选的，三苯胺茂铁盐为[(n6-三苯胺)-铁-(n5-环戊二烯基)六氟磷酸盐]。
优选的，N-乙基咔唑茂铁盐为[(n6-N-乙基咔唑)-铁-(n5-环戊二烯基)六氟磷酸盐]。
所述D-A-D型荧光染料由三苯胺或苯甲醚为电子供体D，以4,7-二溴-5,6-二硝基苯并噻二唑受体A在Pd(PPh3)4催化剂下生成，结构式为：
所述活性稀释剂为N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)、三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)、丙氧基甘油三丙烯酸酯(PLTA)、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(EO-TMPTA)、乙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯(PO-NPGDA)中的至少一种。
所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂为物理交联的网络结构，狭缝固化深度可达9mm，可与365-425nm的光源匹配。
本发明还公开了耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂的制备方法，该方法包括以下步骤：
1)制备有机硅树脂/环氧树脂预共聚体：
S100：按S i-H与双键的摩尔比为2:1的比例称取硅烷或聚硅氧烷(两个S i-H基团)、环氧单体(一个双键)，将硅烷和/或聚硅氧烷与环氧单体溶解在丙酮有机溶剂中，搅拌，在65-85℃的恒温水浴，加入Pd(PPh3)4催化，进行加成反应，后冰水浴，静置1-1.5小时；
S200：按重量分数(0.8-1.6):1的比例，称取已合成的有机硅树脂和环氧树脂，磁力搅拌机搅拌2-3小时，形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体；
2)制备茂铁盐光引发剂：称取二茂铁、三苯胺或N-乙基咔唑、三氯化铝及铝粉在三口烧瓶中，加入有机溶剂十氢萘，加热至125℃，反应1-1.5小时后，冷凝回流5-7小时，冰水浴，缓慢滴加30mL无水甲醇除去三氯化铝，冷却过滤铝粉，分液漏斗分层，有机相用水反复洗涤，最后加入100mL饱和六氟磷酸钾水溶液，不断搅拌，抽滤得固体；
3)制备耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂：按重量分数计，将有机硅树脂/环氧树脂预共聚体、茂铁盐光引发剂、D-A-D型荧光染料和活性稀释剂依次加入三口烧瓶中，开启磁力搅拌机，转速为于700-1200转/分钟，搅拌30-60mi n，低压脱泡，即可得耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂。
本发明还公开了耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂在LED电子封装中的使用方法，具体步骤如下：
S300：提供一电路基板，对电路基板开贯通槽，提供一可剥离离型胶，将LED芯片放置在贯通槽中，LED芯片的电极面朝下，LED芯片的电极的焊盘被可剥离离型胶固定；
S400：灌所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂于贯通槽中，紫外灯预固化，波长315-345nm，光强源0.1-0.3W/cm2，时长3-6秒；
S500：剥离可剥离离型胶，露出LED芯片电极的焊盘，对芯片电极面进行二次固化，增强与焊盘的粘接强度，减少焊盘偏移黄光菲林图像。采用LED二次固化，波长365-425nm，光强源0.1-1.0W/cm2，时长5-9秒。
本发明取得的有益效果有：
1)通过形成有机硅树脂/环氧树脂双组份共聚体，在实现环氧树脂粘接强度高、力学性能好的同时，引入耐热老化及耐紫外老化的有机硅树脂，避免了环氧树脂中苯环、酯键、醚键等极性基团在高温或紫外光照下易产生生色基团，发生黄变；
2)硅树脂材料因硅氧烷的低极性导致粘接强度较低，通过引入极性的环氧基团和物理共聚环氧树脂，可以显著提高固化剂的粘接性能；
3)通过引入芳胺茂铁盐阳离子引发剂，实现长波红移，可适配LED灯源，同时将芳胺类的咔唑与三苯胺与茂铁盐相结合，增加茂铁盐分子整体电子的流动性，从而使得茂铁盐分子更容易受到光激发，提高固化效率；
4)D-A-D型荧光染料与通过增大小分子共轭结构进而实现红移的方法相比，具有推拉结构的有机荧光小分子通常具有较大的斯托克斯位移，能更好地实现发光性能的调控。D-A-D型荧光染料推拉电子结构的最大发射光谱在近红外一区和近红外二区(NIR-I/II)，供体和受体两部分通过共轭体系连接而成，光激发导致富电子单元与缺电子片段之间发生分子内电荷转移，这种电子云密度重排通常会引起吸收/发射波段拓宽(紫外扩展到近红外区域)；
5)引入芳胺茂铁盐阳离子引发剂与D-A-D型荧光染料，提高电子的流动性以及光激发导致富电子单元与缺电子片段之间发生分子内电荷转移的效率，通过协同效应，增强了波段的红移，同时避免了单一茂铁盐产生的摩尔消光系数降低的技术问题；
6)本发明耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂在LED电子封装的应用，既实现与425nm的LED光源匹配，又通过二次固化，增强与焊盘的粘接强度，减少焊盘偏移黄光菲林图像，同时狭缝固化深度可达9mm，适用高阶叠层的厚PCB板在机械通孔内埋LED芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；
图1为有机硅树脂/环氧树脂双组份共聚体结构示意图；
图2为耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂结构示意图；
图3为耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂粘接强度数据汇总图；
图4为引发剂UV-vis吸收光谱图；
图5为365um波长耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂Photo-DSC光聚合数据图；
图6为390um波长耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂Photo-DSC光聚合数据图；
图7为425um波长耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂Photo-DSC光聚合数据图；
图8为耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂固化深度示意图；
图9为耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂在LED封装中的使用方法流程图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
本发明提供一种耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，按质量分数计，包括45-58％的有机硅树脂、22-35％的环氧树脂、1.5-3.5％的茂铁盐阳离子光引发剂、2.5-5.5％的D-A-D型荧光染料、23-27％的活性稀释剂。
其中有机硅树脂的制备方法如下：
按Si-H与双键的摩尔比为2:1的比例称取硅烷和烯丙基缩水甘油醚，在三口烧瓶中，将带硅烷或聚硅氧烷与烯丙基缩水甘油醚溶解在丙酮有机溶剂中，开启磁力搅拌机搅拌，转速为500-650转/分钟，同时在65-85℃的恒温水浴，加入Pd(PPh3)4催化，反应1.5-2小时，后冰水浴，静置1-1.5小时，冷却出料制得有机硅树脂。
其中茂铁盐阳离子光引发剂的制备方法如下：
称取1mo l二茂铁，1.2mo l三苯胺，0.3mo l三氯化铝及0.1mo l铝粉在三口烧瓶中，加入有机溶剂十氢萘，加热至125℃，反应1-1.5小时后，冷凝回流5-7小时，冰水浴，缓慢滴加30mL无水甲醇除去三氯化铝，冷却过滤铝粉，分液漏斗分层，有机相用水反复洗涤，最后加入100mL饱和六氟磷酸钾水溶液，不断搅拌，抽滤得固体。
其中D-A-D型荧光染料的制备方法如下：
准确称取117.6g 4,7-二溴苯并噻二唑加入烧瓶中，加入10mL浓硫酸、8mL发烟硝酸、4mL发烟硫酸，在冰水浴下搅拌3h，后缓慢倒入冰水中后静置30mi n，布氏漏斗过滤，取上层滤饼得白色粗产物即为4,7-二溴-5,6-二硝基苯并噻二唑。将86.8g 4-N,N二苯基苯硼酸、0.86g碳酸钾、180mg四三苯基磷钯依次加入圆底烧瓶中，再向烧瓶中加入10mL1,4-二氧六环。对上述反应体系进行无水无氧处理，连续置换气体到待烧瓶中溶剂变为酒红色时，将烧瓶转移至加热反应装置上，110℃-120℃下反应24h。待反应结束后用二氯甲烷和蒸馏水萃取，收集有机相；无水硫酸钠干燥；过滤，收集下层滤液，将其与适量硅胶粉混合，旋干后柱层析进行分离提纯，制得三苯胺D-A-D型荧光染料。
实施例1：
按重量分数0.8:1的比例称取已合成的有机硅树脂和环氧树脂，磁力搅拌机搅拌2-3小时，形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体，结构如图1。按重量份数计，取65％有机硅树脂/环氧树脂预共聚体,加2％茂铁盐光引发剂、3％的D-A-D型荧光染料和30％的活性稀释剂依次加入三口烧瓶中，开启磁力搅拌机，转速为于700-1200转/分钟，搅拌30-60mi n，低压脱泡，即可得耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，物理交联结构如图2。
实施例2：
按重量分数1.0:1的比例，称取已合成的有机硅树脂和环氧树脂，磁力搅拌机搅拌2-3小时，形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体。加入相同剂量的茂铁盐光引发剂、D-A-D型荧光染料和活性稀释剂制得耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂。
实施例3：
按重量分数1.2:1的比例，称取已合成的有机硅树脂和环氧树脂，磁力搅拌机搅拌2-3小时，形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体。加入相同剂量的茂铁盐光引发剂、D-A-D型荧光染料和活性稀释剂制得耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂。
实施例4：
按重量分数1.6:1的比例，称取已合成的有机硅树脂和环氧树脂，磁力搅拌机搅拌2-3小时，形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体。加入相同剂量的茂铁盐光引发剂、D-A-D型荧光染料和活性稀释剂制得耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂。
实施例5：
按重量分数1.2:1的比例，称取已合成的有机硅树脂和环氧树脂，磁力搅拌机搅拌2-3小时，形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体。加入2％胡椒醇引发剂和活性稀释剂制得耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂。
实施例6：
按重量分数1.2:1的比例，称取已合成的有机硅树脂和环氧树脂，磁力搅拌机搅拌2-3小时，形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体。加入2％茂铁盐引发剂和活性稀释剂制得耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂。
实施例7：粘接强度测试
取实施例1-4制得的耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂作为实验组，以硅烷C4H14OSi2和双酚A环氧树脂作为对照组。在23℃、50％相对湿度条件下，进行初始粘接性测试，对铜箔、镍金、电泳板、3003铝、5083铝进行粘接强度测试，剪切强度按照GB/T 7124-2008测试，实验结果如图3。
在粘接强度测试中，随着有机硅树脂含量的增加，在相同测试条件下，固化后的耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂对铜箔、镍金、电泳板、3003铝、5083铝的粘接力均出现下降，而对照组中硅烷的粘接强度则偏低，这是由于硅氧烷极性低，导致粘接强度低，而环氧树脂则因极性的环氧基团，保持良好的粘接强度。在固化后的耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂的有机硅树脂成分中中引入环氧基，粘接强度得到明显提升，但仍低于双酚A环氧树脂。
在粘接强度测试中，在紫外老化500H后，对照组中双酚A环氧树脂的粘接强度均出现显著的降低，而本发明对铜箔、镍金、电泳板、3003铝、5083铝的粘接强度的下降趋势则不显著，其原因是本发明引入硅氧烷的有机硅树脂，减少了固化胶中环氧树脂中苯环、酯键等极性基团的含量，对耐老化性能得到提升。
实施例8：引发剂性能测试
对胡椒醇、茂铁盐光引发剂及茂铁盐光引发剂+D-A-D型荧光染料进行UV-vis吸收光谱测试、取实施例3、实施例5和实施例6进行Photo-DSC光聚合动力学测试，实施例3为茂铁盐光引发剂+D-A-D型荧光染料，实施例5为胡椒醇，实施例6为茂铁盐光引发剂，在365-425nm LED光源，200mw/cm2下进行测试。
如图4为三种光引发剂在2.5x10-5的乙腈溶剂中的UV-vi s吸收光谱图，可以看出胡椒醇的λmax/nm在285nm左右区间，而三苯胺茂铁盐的λmax/nm在410nm左右区间，在加入染料D-A-D型荧光染料后，λmax/nm出现在425nm左右区间，出现了红移现象。这可能是三苯胺茂铁盐阳离子引发剂与三苯胺D-A-D型荧光染料的结合提高电子的流动性以及光激发导致富电子单元与缺电子片段之间发生分子内电荷转移的效率，通过协同效应，增强了波段的红移。
同时，通过对实施例3、实施例5和实施例6进行Photo-DSC光聚合动力学测试在365、390、425nm LED光源，200mw/cm2下进行测试。
三种光引发剂体系在不同波长光源下Photo-DSC聚合放热曲线如图5～7，三苯胺茂铁盐阳离子引发剂与三苯胺D-A-D型荧光染料在不同波段的固化引发效率最高，其次为三苯胺茂铁盐，再次为胡椒醇。在425nm的光源波段，三苯胺茂铁盐、胡椒醇的引发效率下降显著。
实施例9：狭缝固化深度测试
取2-10mm铜箔，分别进行机械钻孔贯通铜箔，将实施例3、实施例5和实施例6制得的耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂对贯通孔进行灌胶，测试在365、390、425nm LED光源，光强1w/cm2，辐射时间9s下进行测试。
如图8，实施例3采用三苯胺茂铁盐阳离子引发剂与三苯胺D-A-D型荧光染作为引发剂，形成的耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂在不同的波段狭缝固化深度均优于三苯胺茂铁盐、胡椒醇固化形成的耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂。在波长为390nm的波段，三苯胺茂铁盐阳离子引发剂与三苯胺D-A-D的协同效应明显，在425nm波段，由于三苯胺茂铁盐阳离子引发剂的引发固化效率降低，在一定的光强和辐射时间下，狭缝固化的深度主要由D-A-D型荧光染料在起固化作用，狭缝固化的深度出现收窄。通过调整光强和辐射时间，在波长为390-425nm的波段可实现狭缝固化深度9mm。
实施例10：耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂在LED电子封装中的使用方法
如图9，提供一电路基板，对电路基板开贯通槽，提供一可剥离离型胶，将LED芯片放置在贯通槽中，LED芯片的电极面朝下，LED芯片的电极的焊盘由可剥离离型胶固定。
灌入所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂于贯通槽中，紫外灯预固化，波长325nm，光强源0.2W/cm2，时长3秒。
剥离可剥离离型胶，露出LED芯片电极的焊盘，对芯片电极面进行二次固化，增强与焊盘的粘接强度，减少焊盘偏移黄光菲林图像。采用LED二次固化，波长425nm，光强源0.5W/cm2，时长5秒。
直接在LED芯片电极的焊盘电镀化镀铜层，菲林图像曝光，蚀刻制作RDL(再分布线)层。
实施例10所制得的耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂在LED电子封装中的应用，1)既可以借助有机硅树脂提高材料的耐老化特性，2)实现与425nm的LED光源匹配；3)又通过二次固化，增强与焊盘的粘接强度，减少焊盘偏移黄光菲林图像，4)同时狭缝固化深度可达9mm，适用高阶叠层的厚PCB板在机械通孔内埋LED芯片；5)直接在电极焊盘对应的层上制作RDL层，免去现有技术中需压接光敏胶进行显影的操作。
本发明制得的耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，1)通过形成有机硅树脂/环氧树脂双组份共聚体，引入耐热老化及耐紫外老化的有机硅树脂，避免了发生黄变；2)硅树脂材料因硅氧烷的低极性导致粘接强度较低，通过引入极性的环氧基团和物理共聚环氧树脂，可以显著提高固化剂的粘接性能；3)通过引入芳胺茂铁盐阳离子引发剂，实现长波红移，可适配LED灯源，同时将芳胺类的咔唑与三苯胺与茂铁盐相结合，增加茂铁盐分子整体电子的流动性，提高固化效率；4)D-A-D型荧光染料推拉电子结构的最大发射光谱在近红外一区和近红外二区(NIR-I/II)，供体和受体两部分通过共轭体系连接而成，实现紫外扩展到近红外区域；5)引入芳胺茂铁盐阳离子引发剂与D-A-D型荧光染料，通过协同效应，增强了波段的红移。
通过上面具体实施方式，技术领域的技术人员可容易的实现本发明。但是应当理解，本发明并不限于上述的具体实施方式。在公开的实施方式的基础上，技术领域的技术人员可任意组合不同的技术特征，从而实现不同的技术方案。
Claims (10)
1.一种耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，其特征在于：按质量分数计，包括45-58％的有机硅树脂、22-35％的环氧树脂、3.5-9.5％的茂铁盐阳离子光引发剂、2.5-5.5％的D-A-D型荧光染料及13-17％的活性稀释剂；
所述有机硅树脂与所述环氧树脂按重量分数(0.8-1.6):1的比例，物理共聚形成有机硅树脂/环氧树脂预共聚体；
所述有机硅树脂的环氧基与有机硅组分之间以Si-C键连接，分子量为230-560，为结构式为：
R1、R2为烷基、烯基或苯基中的至少一种；
所述环氧树脂为六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯、双酚A环氧丙烯酸酯中的至少一种。
2.如权利要求1所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，其特征在于：所述有机硅树脂通过带有Si-H的硅烷和/或聚硅氧烷与含有双键的环氧单体在铂系或铑系金属催化剂催化下进行加成反应制得。
3.如权利要求2所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，其特征在于：所述含有双键的环氧单体为烯丙基缩水甘油醚、4-乙烯基环氧环己烷中的至少一种。
4.如权利要求1所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，其特征在于：所述茂铁盐阳离子光引发剂为芳胺茂铁盐，为三苯胺茂铁盐、N-乙基咔唑茂铁盐中的至少一种。
5.如权利要求1所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，其特征在于：所述D-A-D型荧光染料结构式为：
其中三苯胺或苯甲醚为电子供体D，4,7-二溴-5,6-二硝基苯并噻二唑为受体A。
6.如权利要求1所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，其特征在于：活性稀释剂为N-乙烯基吡咯烷酮、三丙二醇二丙烯酸酯、丙氧基甘油三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯中至少一种。
7.如权利要求1所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂，其特征在于：狭缝固化深度可达9mm，可与365-425nm的光源匹配。
8.一种耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂的制备方法，其特征在于：
1)制备有机硅树脂/环氧树脂预共聚体：
S100：按Si-H与双键的摩尔比为2:1的比例称取硅烷和/或聚硅氧烷、环氧单体，将硅烷和/或聚硅氧烷与环氧单体溶解在丙酮有机溶剂中，搅拌，在65-85℃的恒温水浴，加入Pd(PPh3)4催化，进行加成反应，后冰水浴，静置1-1.5小时，制得有机硅树脂；
S200：按重量分数(0.8-1.6):1的比例，称取已合成的所述有机硅树脂和环氧树脂，磁力搅拌机搅拌2-3小时，形成所述有机硅树脂/环氧树脂预共聚体；
2)制备茂铁盐光引发剂：称取二茂铁、三苯胺或N-乙基咔唑、三氯化铝及铝粉在三口烧瓶中，加入有机溶剂十氢萘，加热至125℃，反应1-1.5小时后，冷凝回流5-7小时，冰水浴，缓慢滴加无水甲醇除去三氯化铝，冷却过滤铝粉，分液漏斗分层，有机相用水反复洗涤，最后加入饱和六氟磷酸钾水溶液，不断搅拌，抽滤得固体；
3)制备所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂：按重量分数计，将所述有机硅树脂/环氧树脂预共聚体、茂铁盐光引发剂、D-A-D型荧光染料和活性稀释剂依次加入三口烧瓶中，开启磁力搅拌机，转速为700-1200转/分钟，搅拌30-60min，脱泡，即可制得所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂。
9.一种如权利要求1-7任意一项所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂的使用方法，其特征在于：
S300：提供一电路基板，对所述电路基板开贯通槽，提供一可剥离离型胶，将LED芯片放置在所述贯通槽中，所述LED芯片的电极面朝下，所述LED芯片的电极焊盘被所述可剥离离型胶固定；
S400：灌所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂于所述贯通槽中，紫外灯预固化，波长315-345nm，光强源0.1-0.3W/cm2，时长3-6秒；
S500：剥离所述可剥离离型胶，露出所述LED芯片电极的焊盘，对芯片电极面进行二次固化，增强与焊盘的粘接强度，减少焊盘偏移黄光菲林图像，采用LED光源二次固化，波长365-425nm，光强源0.1-1.0W/cm2，时长5-9秒。
10.如权利要求9所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂在电子封装的使用方法，其特征在于：
所述耐老化、高粘接的UV固化胶黏剂可粘接铜箔、镍金、3003铝、5083铝中的至少一种金属基材，粘接剪切强度不低于8MPa。
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