CN116895679A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:第一电极,在第一方向上延伸;第二电极,在第一方向上延伸,并且在与第一方向相交的第二方向上与第一电极间隔开;以及多个发光元件,设置在第一电极和第二电极上。第一电极包括通过使第一电极的面对第二电极的一侧部分地凹入而形成的凹部,第二电极包括设置在第二电极的面对第一电极的一侧并且置于凹部中的凸部,并且多个发光元件包括:第一发光元件,设置在第一电极和第二电极的在第一方向上延伸的部分上;以及第二发光元件,设置在第一电极的凹部上,并且设置在第二电极的凸部上。
Description
技术领域
实施例涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展,显示装置的重要性已经稳步增加。诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置已经被用于各种领域。
作为用于显示显示装置的图像的器件,存在包括发光元件的自发光显示器件。自发光显示器件包括由作为发光材料的有机材料形成的有机发光显示器件、由作为发光材料的无机材料形成的无机发光显示器件等作为发光元件。
发明内容
实施例提供了一种具有能够使每单位面积能够发射光的发光元件的数量增加的电极结构的显示装置。
然而,公开的方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面提供的公开的详细描述,公开的上述和其它方面对于公开所属领域的普通技术人员将变得更清楚。
根据实施例,一种显示装置可以包括:第一电极,在第一方向上延伸;第二电极,在第一方向上延伸,并且在与第一方向相交的第二方向上与第一电极间隔开;以及多个发光元件,设置在第一电极和第二电极上,其中,第一电极可以包括通过使第一电极的面对第二电极的一侧部分地凹入而形成的凹部,第二电极可以包括设置在第二电极的面对第一电极的一侧并且置于凹部中的凸部,并且多个发光元件可以包括:第一发光元件,设置在第一电极和第二电极的在第一方向上延伸的部分上;以及第二发光元件,设置在第一电极的凹部上,并且设置在第二电极的凸部上。
第一电极的凹部可以包括:第一凹入部分,在第二方向上凹入;以及第二凹入部分,在与第一方向和第二方向相交的斜线方向上凹入;并且第二电极的凸部可以包括:第一突起部分,在第二方向上突出;以及第二突起部分,在斜线方向上突出。
第二发光元件可以设置在沿斜线方向凹入的第二凹入部分和沿斜线方向突出的第二突起部分上。
第一发光元件和第二发光元件中的每个可以具有在纵向方向上延伸的形状,并且第一发光元件的端部的取向方向可以不同于第二发光元件的端部的取向方向。
第二发光元件可以设置为不与第一发光元件平行。
第二电极可以包括在第二方向上彼此间隔开的第一电极线和第二电极线,第一电极设置在第一电极线与第二电极线之间,第一电极线可以与第一电极的在第二方向上的第一侧相邻,第二电极线可以与第一电极的在第二方向上的第二侧相邻,并且第一电极的凹部可以与第一电极的第一侧相邻,并且第一电极的凹部可以不与第一电极的面对第二电极线的第二侧相邻。
显示装置还可以包括:第一连接电极,设置在第一电极上;以及第二连接电极,包括在第二方向上与第一连接电极间隔开并且设置在第一电极线上的第一接触部、在第一方向上与第一连接电极间隔开并且设置在第一电极上的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的第一连接部,其中,第一连接电极可以与第一发光元件的第一端部接触,第二连接电极的第一接触部可以与第一发光元件的第二端部接触,并且第一连接部可以与第二发光元件的第一端部接触。
多个发光元件还可以包括:第三发光元件,在第一方向上与第一发光元件间隔开,并且设置在第一电极线和第一电极上;第四发光元件,在第二方向上与第三发光元件间隔开,并且设置在第二电极线和第一电极上,并且显示装置还可以包括:第三连接电极,在第一方向上与第二连接电极的第一接触部间隔开,并且设置在第一电极线上;以及第四连接电极,包括在第二方向上与第二接触部间隔开并且设置在第二电极线上的第三接触部、在第一方向上与第二接触部间隔开并且设置在第一电极上的第四接触部以及将第三接触部连接到第四接触部的第二连接部。
第二连接电极的第二接触部可以与第三发光元件的第一端部和第四发光元件的一端部接触,第二连接部可以与第二发光元件的第二端部接触,并且第三连接电极可以与第三发光元件的第二端部接触。
第二连接电极的第二接触部在第二方向上的宽度可以比第四连接电极的第四接触部在第二方向上的宽度大。
多个发光元件还可以包括:第五发光元件,在第一方向上与第四发光元件间隔开,并且设置在第二电极线和第一电极上,并且显示装置还可以包括:共连接电极,与第五发光元件的一端部接触,并且设置在第二电极线上。
第三连接电极可以电连接到共连接电极。
显示装置还可以包括:第一绝缘层,设置在第一电极和第二电极上;第二绝缘层,设置在多个发光元件上;以及第三绝缘层,设置在第二绝缘层上,其中,第一连接电极和第三连接电极可以设置在第三绝缘层上,并且第二连接电极和第四连接电极可以设置在第二绝缘层与第三绝缘层之间。
与第一发光元件的端部接触的第一连接电极和第二连接电极可以设置在不同的层,并且与第二发光元件的端部接触的第二连接电极和第四连接电极可以设置在同一层。
根据公开的实施例,一种显示装置包括:多个子像素,布置在第一方向和与第一方向相交的第二方向上,其中,多个子像素可以包括:第一电极,在第一方向上延伸;第二电极,包括设置在第一电极的在第二方向上的一侧的第一电极线和设置在第一电极的在第二方向上的另一侧的第二电极线;以及多个发光元件,设置在第一电极和第二电极上,第一电极可以包括通过使第一电极的面对第一电极线的一侧部分地凹入而形成的凹部,第二电极的第一电极线可以包括设置在第二电极的面对第一电极的一侧上以置于凹部中的凸部,并且多个发光元件可以包括:第一发光元件,设置在第一电极和第一电极线的在第一方向上延伸的部分上;第二发光元件,设置在第一电极的凹部中,并且设置在第二电极的凸部上;第三发光元件,设置在第一电极和第一电极线的在第一方向上延伸的部分上,并且在第一方向上与第一发光元件间隔开;第四发光元件,设置在第一电极和第二电极线的在第一方向上延伸的部分上,并且在第二方向上与第三发光元件间隔开;以及第五发光元件,设置在第一电极和第二电极线的在第一方向上延伸的部分上,并且在第一方向上与第四发光元件间隔开。
第一电极的凹部可以包括:第一凹入部分,在第二方向上凹入;以及第二凹入部分,在与第一方向和第二方向交叉的斜线方向上凹入;并且第二电极的凸部可以包括:第一突起部分,在第二方向上突出;以及第二突起部分,在斜线方向上突出。
第二发光元件可以设置在沿斜线方向凹入的第二凹入部分和沿斜线方向突出的第二突起部分上。
显示装置还可以包括:第一连接电极,设置在第一电极上;第二连接电极,包括在第二方向上与第一连接电极间隔开并且设置在第一电极线上的第一接触部、在第一方向上与第一连接电极间隔开并且设置在第一电极上的第二接触部以及将第一接触部连接到第二接触部的第一连接部;第三连接电极,在第一方向上与第二连接电极的第一接触部间隔开,并且设置在第一电极线上;第四连接电极,包括在第二方向上与第二接触部间隔开并且设置在第二电极线上的第三接触部、在第一方向上与第二接触部间隔开并且设置在第一电极上的第四接触部以及将第三接触部连接到第四接触部的第二连接部;以及共连接电极,在第二方向上与第四接触部间隔开,并且设置在第二电极线上。
第一发光元件的端部可以与第一连接电极和第二连接电极的第一接触部接触,第二发光元件的端部可以与第二连接电极的第一连接部和第四连接电极的第二连接部接触,第一连接电极和第二连接电极的第一接触部可以设置在不同的层,并且第一连接部和第二连接部可以设置在同一层。
显示装置还可以包括:堤层,围绕发射区域,多个子像素的多个发光元件设置在发射区域中,其中,子像素可以包括:第一子像素,在第一子像素中,第一连接电极设置为与发射区域的在第一方向上的一侧相邻;第二子像素,在第二子像素中,第一连接电极设置为与发射区域的在第一方向上的另一侧相邻。
在根据实施例的显示装置中,彼此面对的电极中的一个电极可以包括凹部,而彼此面对的电极中的另一电极可以包括凸部,使得除了电极之间的路径之外,可以包括其中可以附加布置发光元件的区域。在显示装置中,每单位面积可以设置更多数量的发光元件,因此可以改善每单位面积的亮度。
然而,公开的效果不限于上述效果,并且各种其它效果包括在公开中。
附图说明
通过参照附图来详细地描述公开的实施例,公开的上述以及其它方面和特征将变得更清楚,在附图中:
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图;
图2是示出根据实施例的包括在显示装置中的多条布线的布置的示意性平面图;
图3和图4是根据实施例的显示装置的子像素的等效电路的示意图;
图5是根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图;
图6是示出设置在图5的像素中的堤层和电极的布置的示意性平面图;
图7是示出设置在图5的像素中的第一连接电极层的连接电极的布置的示意性平面图;
图8是示出设置在图5的像素中的第二连接电极层的连接电极的布置的示意性平面图;
图9是沿着图5的线N1-N1'截取的示意性剖视图;
图10是沿着图5的线N2-N2'和N3-N3'截取的示意性剖视图;
图11是图5的部分A的示意性放大图;
图12是示出图11的电极和发光元件的平面图;
图13是沿着图11的线N4-N4'截取的示意性剖视图;
图14是根据实施例的发光元件的示意图;
图15是示出根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图;以及
图16是示出设置在图15的像素中的第二连接电极层的连接电极的布置的示意性平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图来更充分地描述发明,在附图中示出了发明的实施例。然而,该发明可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得该公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。
除非另有说明,否则所示实施例应当被理解为提供发明的特征。因此,在不脱离发明构思的情况下,除非另有说明,否则各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中,单独或统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常在附图中使用交叉影线和/或阴影来阐明相邻的元件之间的边界。如此,除非说明,否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或者指示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外,在附图中,为了清楚和/或描述的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺(处理)顺序。例如,两个连续描述的工艺可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外,同样的附图标记指示同样的元件。
也将理解的是,当层被称为“在”另一层或基底“上”时,它可以直接在另一层或基底上,或者也可以存在居间(中间)层。当元件或层被称为“连接到”或者“结合到”另一元件或层时,它可以直接连接到或者结合到另一元件或层,或者可以存在居间元件或居间层。然而,当元件或层被称为“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时,不存在居间元件或居间层。为此,术语“连接”可以指具有或者不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外,第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3不限于直角坐标系的三个轴(诸如X轴、Y轴和Z轴),并且可以在更广泛的意义上解释。例如,第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以彼此垂直,或者可以代表彼此不垂直的不同方向。此外,X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴),并且可以在更广泛的意义上解释。例如,X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直,或者可以代表彼此不垂直的不同方向。出于该公开的目的,“A和B中的至少一个(种/者)”可以被解释为表示仅A、仅B或者A和B的任何组合。此外,“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如这里使用的,术语“和/或(并且/或者)”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
将理解的是,尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离发明的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地,第二元件也可以被称为第一元件。
出于描述的目的,这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……下”、“下(下部)”、“在……上方”、“上(上部)”、“在……之上”、“较高(更高)”、“侧面”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语,由此来描述如附图中所示的一个元件与另一元件(多个元件)的关系。除了附图中描绘的取向(方位)之外,空间相对术语意图涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如,如果附图中的设备被翻转,那么被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此,术语“在……下方”可以包括上方和下方两种取向。此外,装置可以另外定向(例如,旋转90度或者处于其它取向),如此,相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是为了描述特定实施例的目的,并且不意图限制。如这里使用的,除非上下文另有明确说明,否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。此外,当术语“包括”和/或“包含”及其变型在该说明书中使用时,指定存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组,但是不排除存在或者添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组。也注意的是,如这里使用的,术语“基本(基本上)”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语,如此,被用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在下文中,将参照附图来描述实施例。
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1,显示装置10可以显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指具有显示屏幕的任何电子装置。显示装置10的示例可以包括具有显示屏幕的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机、摄像机等。
显示装置10可以包括具有显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下面的描述中,作为示例将描述其中无机发光二极管显示面板用作显示面板的情况,但是实施例不限于此,并且其它显示面板可以应用于实施例。
显示装置10的形状可以各种修改。例如,显示装置10可以具有诸如在水平方向上长的矩形形状、在竖直方向上长的矩形形状、正方形形状、具有倒圆的角(顶点)的四边形形状、其它多边形形状以及圆形形状的形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。图1示出了具有在第二方向DR2上长的矩形形状的显示装置10。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是其中显示图像的区域,非显示区域NDA可以是其中不显示画面的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域,非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DPA可以基本占据显示装置10的中心区域。
显示区域DPA可以包括像素PX。像素PX可以以矩阵形式布置。在平面图中,每个像素PX的形状可以是矩形形状或正方形形状。然而,实施例不限于此,并且它可以是其中每条边相对于一方向倾斜的菱形形状。像素PX可以以条型或岛型布置。例如,像素PX中的每个可以包括发射特定波段的光以显示特定颜色的一个或更多个发光元件。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有矩形形状,并且非显示区域NDA可以设置为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的布线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中,或者外部装置可以安装在非显示区域NDA上。
图2是示出根据实施例的包括在显示装置中的布线的布置的示意性平面图。
参照图2,显示装置10可以包括布线(导线)。显示装置10可以包括扫描线SL(例如,SL1、SL2和SL3)、数据线DTL(例如,DTL1、DTL2和DTL3)、初始化电压线VIL和电压线VL(例如,VL1、VL2、VL3和VL4)。例如,可以在显示装置10中进一步形成其它布线。布线可以包括由第一导电层形成并在第一方向DR1上延伸的布线以及由第三导电层形成并在第二方向DR2上延伸的布线。然而,布线的延伸方向不限于此。
第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以在第一方向DR1上延伸。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以彼此相邻,并且可以在第二方向DR2上与不同的第一扫描线SL1和第二扫描线SL2间隔开。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以连接到与扫描驱动器连接的扫描线垫(pad,也被称为“焊盘”)WPD_SC。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以从设置在非显示区域NDA中的垫区域PDA延伸到显示区域DPA。
第三扫描线SL3可以在第二方向DR2上延伸,并且可以在第一方向DR1上与另一第三扫描线SL3间隔开。第三扫描线SL3可以连接到一条或更多条第一扫描线SL1或者一条或更多条第二扫描线SL2。扫描线SL可以在显示区域DPA的整个表面中具有网格结构,但是实施例不限于此。
数据线DTL可以在第一方向DR1上延伸。数据线DTL可以包括第一数据线DTL1、第二数据线DTL2和第三数据线DTL3,并且第一数据线DTL1、第二数据线DTL2和第三数据线DTL3中的每者可以形成一对并可以设置为彼此相邻。数据线DTL1、DTL2和DTL3中的每条可以从设置在非显示区域NDA中的垫区域PDA延伸到显示区域DPA。然而,实施例不限于此,并且数据线DTL可以在下面将描述的第一电压线VL1与第二电压线VL2之间以相等的间距彼此间隔开。
初始化电压线VIL可以在第一方向DR1上延伸。初始化电压线VIL可以设置在数据线DTL与第一电压线VL1之间。初始化电压线VIL可以从设置在非显示区域NDA中的垫区域PDA延伸到显示区域DPA。
第一电压线VL1和第二电压线VL2可以在第一方向DR1上延伸,第三电压线VL3和第四电压线VL4可以在第二方向DR2上延伸。第一电压线VL1和第二电压线VL2可以在第二方向DR2上交替地设置,第三电压线VL3和第四电压线VL4可以在第一方向DR1上交替地设置。第一电压线VL1和第二电压线VL2可以在第一方向DR1上延伸,以与显示区域DPA交叉。例如,布线(例如,第三电压线VL3和第四电压线VL4)中的一些可以设置在显示区域DPA中,其它布线(例如,第三电压线VL3和第四电压线VL4)可以分别设置在定位在显示区域DPA的在第一方向DR1上的两侧(例如,相对侧)的非显示区域NDA中。电压线VL可以在显示区域DPA的整个表面上具有网状结构。然而,实施例不限于此。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、数据线DTL、初始化电压线VIL、第一电压线VL1和第二电压线VL2可以连接(例如,电连接)到至少一个线垫WPD。例如,第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以连接到设置在垫区域PDA中的扫描线垫WPD_SC,数据线DTL可以分别连接到彼此不同的数据线垫WPD_DT。初始化电压线VIL可以连接到初始化线垫WPD_Vint,第一电压线VL1可以连接到第一电压线垫WPD_VL1,第二电压线VL2可以连接到第二电压线垫WPD_VL2。外部装置可以安装在线垫WPD上。
显示装置10的每个像素PX或子像素SPXn(其中,n是1至3的整数)可以包括像素驱动电路。上述布线可以穿过每个像素PX或每个像素PX的外围,以将驱动信号施加到每个像素驱动电路。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。根据实施例,在显示装置10的每个子像素SPXn中,像素驱动电路可以具有包括三个晶体管和一个电容器的3T-1C结构。在下文中,将描述3T-1C结构的像素驱动电路作为示例,但是实施例不限于此,并且可以应用诸如2T-1C结构、7T-1C结构和6T-1C结构的各种其它修改结构。
图3和图4是根据实施例的显示装置的子像素的等效电路的示意图。
参照图3,除了发光二极管EL之外,根据实施例的显示装置10的每个子像素SPXn可以包括三个晶体管T1、T2和T3以及一个存储电容器Cst。
发光二极管EL可以通过经由第一晶体管T1供应的电流来发射光(发光)。发光二极管EL可以包括第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的至少一个发光元件。发光元件可以通过从第一电极和第二电极传输的电信号来发射特定波段的光。
发光二极管EL的端部可以连接到第一晶体管T1的源电极,发光二极管EL的另一端部可以连接到第二电压线VL2,第二电压线VL2被供应有比第一电压线VL1的高电势电压(在下文中,第一电源电压)低的低电势电压(在下文中,第二电源电压)。
第一晶体管T1可以根据栅电极与源电极之间的电压差来调节(调整)从被供应有第一电源电压的第一电压线VL1流到发光二极管EL的电流。例如,第一晶体管T1可以是用于驱动发光二极管EL的驱动晶体管。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第二晶体管T2的源电极,第一晶体管T1的源电极可以连接到发光二极管EL的第一电极,第一晶体管T1的漏电极可以连接到被施加有第一电源电压的第一电压线VL1。
第二晶体管T2可以通过扫描线SL的扫描信号导通,以将数据线DTL连接到第一晶体管T1的栅电极。第二晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线SL,第二晶体管T2的源电极可以连接到第一晶体管T1的栅电极,第二晶体管T2的漏电极可以连接到数据线DTL。
第三晶体管T3可以通过扫描线SL的扫描信号导通,以将初始化电压线VIL连接到发光二极管EL的端部。第三晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL,第三晶体管T3的漏电极可以连接到初始化电压线VIL,第三晶体管T3的源电极可以连接到发光二极管EL的端部或第一晶体管T1的源电极。
在实施例中,晶体管T1、T2和T3中的每个的源电极和漏电极不限于上述源电极和漏电极,反之亦然。晶体管T1、T2和T3中的每个可以由薄膜晶体管形成。在图3中,晶体管T1、T2和T3中的每个已经被描述为由N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成,但是实施例不限于此。例如,晶体管T1、T2和T3中的每个可以由P型MOSFET形成。在另一示例中,晶体管T1、T2和T3中的一些晶体管可以由N型MOSFET形成,而其它晶体管可以由P型MOSFET形成。
存储电容器Cst可以形成在第一晶体管T1的栅电极与源电极之间。存储电容器Cst可以存储第一晶体管T1的栅极电压与源极电压之间的电压差。
在图3的实施例中,第二晶体管T2的栅电极和第三晶体管T3的栅电极可以连接到同一扫描线SL。第二晶体管T2和第三晶体管T3可以响应于从同一扫描线SL施加的扫描信号而导通。然而,实施例不限于此。
参照图4,第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅电极可以连接到不同的扫描线SL1和SL2。例如,第二晶体管T2的栅电极可以连接(例如,电连接)到第一扫描线SL1,第三晶体管T3的栅电极可以连接(例如,电连接)到第二扫描线SL2。第二晶体管T2和第三晶体管T3可以通过从不同的扫描线施加的扫描信号同时导通。
在下文中,将进一步参照其它附图来详细地描述根据实施例的显示装置10的像素PX的结构。
图5是根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图。图6是示出设置在图5的像素中的堤层和电极的布置的示意性平面图。图7是示出设置在图5的像素中的第一连接电极层的连接电极的布置的示意性平面图。图8是示出设置在图5的像素中的第二连接电极层的连接电极的布置的示意性平面图。
图5示出了设置在显示装置10的像素PX中的电极RME(例如,RME1和RME2)、分隔壁(barrier wall)BP1和BP2以及堤层BNL、发光元件ED(例如,ED1、ED2、ED3、ED4和ED5)以及连接电极CNE(例如,CNE1、CNE2、CNE3、CNE4和CCE)的平面布置。图6至图8示出了电极RME以及发光元件ED和连接电极CNE分别相对于图5的像素PX中所示的堤层BNL的布置。
参照图5至图8,显示装置10的像素PX中的每个可以包括子像素SPXn。例如,像素PX可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1可以发射第一颜色的光,第二子像素SPX2可以发射第二颜色的光,第三子像素SPX3可以发射第三颜色的光。例如,第一颜色可以是蓝色,第二颜色可以是绿色,第三颜色可以是红色。然而,实施例不限于此,并且子像素SPXn可以发射相同颜色的光。在实施例中,子像素SPXn中的每个可以发射蓝光。尽管在附图中示出了像素PX包括三个子像素SPXn,但是实施例不限于此,并且像素PX可以包括更多数量的子像素SPXn。
显示装置10的每个子像素SPXn可以包括发射区域EMA和非发射区域。发射区域EMA可以是其中设置有发光元件ED以发射特定波段的光的区域。非发射区域可以是其中未设置发光元件ED的区域以及因为从发光元件ED发射的光不能到达而不能从其发射光的区域。
发射区域EMA可以包括其中设置有发光元件ED的区域以及与发光元件ED相邻的从其发射从发光元件ED发射的光的区域。例如,发射区域EMA还可以包括其中从发光元件ED发射的光被另一构件反射或折射并发射的区域。发光元件ED可以设置在每个子像素SPXn中,并且发射区域EMA可以形成为包括其中设置有发光元件ED的区域和与其相邻的区域。
尽管在附图中示出了子像素SPXn具有尺寸基本相同的发射区域EMA,但是实施例不限于此。在一些实施例中,子像素SPXn的发射区域EMA可以根据从设置在每个子像素SPXn中的发光元件ED发射的光的颜色或波段而具有不同的尺寸。
像素PX还可以包括设置在非发射区域中的子区域SA1和SA2。子区域SA1和SA2可以包括设置到发射区域EMA的上侧的第一子区域SA1和设置在发射区域EMA的下侧的第二子区域SA2,所述上侧是发射区域EMA在第一方向DR1上的一侧,所述下侧是发射区域EMA在第一方向DR1上的另一侧。发射区域EMA以及子区域SA1和SA2可以根据像素PX的布置而在第一方向DR1上交替地布置,并且第一子区域SA1或第二子区域SA2可以设置在沿第一方向DR1彼此间隔开的不同的发射区域EMA之间。例如,发射区域EMA可以在第一方向DR1上重复地布置,且第一子区域SA1或第二子区域SA2置于它们之间。发射区域EMA可以在第二方向DR2上重复地设置,并且第一子区域SA1和第二子区域SA2可以在第二方向DR2上延伸。第一子区域SA1和第二子区域SA2可以根据下面将描述的电极接触孔CTD和CTS的布置来限定。然而,实施例不限于此,并且像素PX中的发射区域EMA以及子区域SA1和SA2可以具有与图5的布置不同的布置。
发射区域EMA可以针对每个子像素SPXn设置,子区域SA1和SA2可以跨子像素SPXn设置。如下面将描述的,发射区域EMA以及子区域SA1和SA2可以通过堤层BNL划分,并且堤层BNL可以围绕每个子像素SPXn的发射区域EMA,以包括发射区域EMA,并且子区域SA1和SA2可以设置为在不同的子像素SPXn之间不划分(不区分)。
第一子区域SA1和第二子区域SA2可以被在第一方向DR1上相邻的像素PX共享。在图5中所示的像素PX中,第一子区域SA1可以设置到发射区域EMA的上侧。在与图5中所示的像素PX在第一方向DR1上相邻的像素PX中,第二子区域SA2可以设置到发射区域EMA的上侧。在子区域SA1和SA2中,不会设置发光元件ED,使得光不会从子区域SA1和SA2发射,但是设置在每个子像素SPXn中的电极RME的一部分可以设置在子区域SA1和SA2中。
显示装置10可以包括电极RME1和RME2、分隔壁BP1和BP2、堤层BNL、发光元件ED和连接电极CNE。
分隔壁BP1和BP2可以设置在每个子像素SPXn的发射区域EMA中。分隔壁BP1和BP2可以基本在第一方向DR1上延伸,并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。
例如,分隔壁BP1和BP2可以包括在每个子像素SPXn的发射区域EMA中在第二方向DR2上彼此间隔开的第一分隔壁BP1和第二分隔壁BP2。第一分隔壁BP1可以包括在第一方向DR1上彼此间隔开的第一子分隔壁SBP1和第二子分隔壁SBP2。第一子分隔壁SBP1和第二子分隔壁SBP2可以设置在发射区域EMA的中心区域处,并且第二分隔壁BP2可以设置为使得第一分隔壁BP1置于其之间以与第一分隔壁BP1间隔开。第一分隔壁BP1和第二分隔壁BP2可以沿着第二方向DR2交替地设置,并且可以以岛状图案设置在显示区域DPA中。发光元件ED可以布置在第一分隔壁BP1与第二分隔壁BP2之间。
第二分隔壁BP2在第二方向DR2上测量的宽度可以比第一分隔壁BP1的第一子分隔壁SBP1和第二子分隔壁SBP2在第二方向DR2上测量的宽度大。在第一分隔壁BP1的第一子分隔壁SBP1和第二子分隔壁SBP2设置在每个子像素SPXn的发射区域EMA中的情况下,第二分隔壁BP2可以跨在第二方向DR2上相邻的两个子像素SPXn的发射区域EMA设置。第二分隔壁BP2可以跨在第二方向DR2上相邻的子像素SPXn之间的边界区域设置,并且可以与下面将描述的堤层BNL叠置。然而,实施例不限于此,并且第一分隔壁BP1和第二分隔壁BP2可以具有相同的宽度。
第一分隔壁BP1的第一子分隔壁SBP1和第二子分隔壁SBP2在第一方向DR1上的长度可以比第二分隔壁BP2在第一方向DR1上的长度小,并且第二分隔壁BP2在第一方向DR1上的长度可以比被堤层BNL围绕的发射区域EMA在第一方向DR1上的长度大。第一子分隔壁SBP1和第二子分隔壁SBP2中的每个可以在第一方向DR1上具有比被堤层BNL围绕的发射区域EMA在第一方向DR1上的长度小的长度,并且可以与堤层BNL叠置(例如,部分地叠置)。第二分隔壁BP2可以与在第二方向DR2上延伸的堤层BNL的一部分叠置。然而,实施例不限于此,并且分隔壁BP1和BP2可以与堤层BNL成一体,或者可以与在第二方向DR2上延伸的堤层BNL的一部分间隔开。例如,分隔壁BP1、BP2在第一方向DR1上的长度可以等于或者小于被堤层BNL围绕的发射区域EMA在第一方向DR1上的长度。
电极RME1和RME2在每个子像素SPXn中可以以在一方向上延伸的形状设置。电极RME1和RME2可以均在第一方向DR1上延伸以设置在子像素SPXn的发射区域EMA以及子区域SA1和SA2中,并且它们可以在第二方向DR2上彼此间隔开。电极RME1和RME2可以连接(例如,电连接)到下面将描述的发光元件ED。然而,实施例不限于此,并且电极RME可以不电连接到发光元件ED。
显示装置10可以包括设置在每个子像素SPXn的中心区域处的第一电极RME1和跨不同的子像素SPXn设置的第二电极RME2。第一电极RME1和第二电极RME2可以具有基本在第一方向DR1上延伸的形状,并且第一电极RME1和第二电极RME2的设置在发射区域EMA中的部分可以具有不同的形状。第一电极RME1可以设置在子像素SPXn的中心区域处,并且可以在第一方向DR1上延伸以跨发射区域EMA以及子区域SA1和SA2设置。第二电极RME2可以在发射区域EMA中在第二方向DR2上与第一电极RME1间隔开,并且可以跨在第二方向DR2上相邻的不同的子像素SPXn设置。第二电极RME2也可以在第一方向DR1上延伸,以跨发射区域EMA以及子区域SA1和SA2设置。第一电极RME1和第二电极RME2可以均在显示区域DPA中在第一方向DR1上延伸,以跨像素PX和子像素SPXn设置。
第一电极RME1的设置在发射区域EMA中的部分可以设置在第一分隔壁BP1的第一子分隔壁SBP1和第二子分隔壁SBP2上。第一电极RME1可以具有其中在第二方向DR2上测量的宽度根据位置而变化的形状,并且第一电极RME1的至少在发射区域EMA中与第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1和SBP2叠置的部分可以具有比子分隔壁SBP1和SBP2的宽度大的宽度。第一电极RME1也可以设置在其中第一子分隔壁SBP1和第二子分隔壁SBP2在第一方向DR1上彼此间隔开的部分处。
根据实施例,第一电极RME1可以包括设置在第一子区域SA1中的第一电极接触部CTE1。第一电极RME1可以在第一方向DR1上延伸并可以在第一子区域SA1中部分地弯曲,并且第一电极接触部CTE1可以设置在弯曲部分的端部处。如下面将描述的,第一电极RME1可以通过形成在第一电极接触部CTE1中的第一电极接触孔CTD连接(例如,电连接)到第一电压线VL1。设置在沿第一方向DR1相邻的像素PX中的第一电极RME1可以通过从弯曲部分在第一方向DR1上分支的部分而彼此连接。
第二电极RME2可以具有基本在第一方向DR1上延伸的形状,并且可以包括在发射区域EMA中具有大宽度的延伸部分。第二电极RME2的延伸部分可以跨在第二方向DR2上相邻的两个子像素SPXn设置,并且与堤层BNL叠置。例如,连接到延伸部分并在第一方向DR1上延伸的主干部分可以设置在第一子区域SA1和第二子区域SA2中。在沿第一方向DR1相邻的像素PX中,第二电极RME2的主干部分可以彼此连接。
第二电极RME2的延伸部分可以相对于子像素SPXn的中心区域设置在子像素SPXn的在第二方向DR2上的两侧(例如,相对侧),并且可以设置在第二分隔壁BP2上。第二电极RME2的延伸部分可以跨在第二方向DR2上相邻的子像素SPXn的发射区域EMA设置,并且可以与子像素SPXn之间的区域叠置。
第二电极RME2可以在第一方向DR1上延伸,并且可以设置在沿第二方向DR2相邻的子像素SPXn之间。第二电极RME2可以包括设置到第一电极RME1的在第二方向DR2上的两侧(例如,相对侧)(或与所述两侧相邻)的不同电极线RM1和RM2。第二电极RME2可以包括彼此不同的第一电极线RM1和第二电极线RM2,第一电极线RM1和第二电极线RM2可以在第二方向DR2上交替地设置。例如,关于第一子像素SPX1,设置到第一电极RME1的左侧的第二电极RME2可以是第一电极线RM1,设置到第一电极RME1的右侧的第二电极RME2可以是第二电极线RM2。在第二子像素SPX2中,设置到第一电极RME1的左侧的第二电极RME2可以是第二电极线RM2,设置到第一电极RME1的右侧(或与所述右侧相邻)的第二电极RME2可以是第一电极线RM1。在第三子像素SPX3中,设置到第一电极RME1的左侧的第二电极RME2可以是第一电极线RM1,设置到第一电极RME1的右侧(或与所述右侧相邻)的第二电极RME2可以是第二电极线RM2。
第一电极RME1在第二方向DR2上测量的宽度可以比第二电极RME2的延伸部分的宽度小。第一电极RME1可以具有比第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1和SBP2的宽度大的宽度,并且可以与第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1和SBP2中的每个的两侧(例如,相对侧)叠置。第二电极RME2的延伸部分可以具有比第一电极RME1的宽度大的宽度,并且可以与第二分隔壁BP2的两侧(例如,相对侧)叠置。第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1、SBP2与第二分隔壁BP2之间的距离可以比第一电极RME1与第二电极RME2之间的距离大。
类似于第二分隔壁BP2,第二电极RME2的延伸部分可以跨不同的子像素SPXn设置。在第二电极RME2的延伸部分可以跨相邻的子像素SPXn的发射区域EMA设置的情况下,第一电极RME1可以对应于任何子像素SPXn的发射区域EMA。在第二方向DR2上相邻的子像素SPXn可以共享第二电极RME2的延伸部分。
第二电极RME2可以包括形成在延伸部分中的电极孔RMH。由于第二电极RME2的延伸部分覆盖第二分隔壁BP2,因此在显示装置10的制造工艺中可能需要用于从设置在第二电极RME2下方的层释放的气体的排出路径。第二电极RME2可以包括形成在与堤层BNL叠置的部分中的电极孔RMH,并且在设置在第二电极RME2下方的层中产生的气体可以通过电极孔RMH排出。
根据实施例,第二电极RME2可以包括设置在第二子区域SA2中的第二电极接触部CTE2。第二电极RME2可以在第一方向DR1上延伸以跨像素PX设置,并且第二电极接触部CTE2可以设置在第二子区域SA2中。如下面将描述的,第二电极RME2可以通过形成在第二电极接触部CTE2中的第二电极接触孔CTS连接(例如,电连接)到第二电压线VL2。
第一电极RME1和第二电极RME2可以在发射区域EMA中彼此间隔开,以形成其中布置发光元件ED的路径或对准区域。例如,在第一子像素SPX1中,面对第一电极线RM1的第二电极RME2的第一路径(或第一空间)可以形成到第一电极RME1的左侧,面对第二电极线RM2的第二电极RME2的第二路径(或第二空间)可以形成到第一电极RME1的右侧。下面将描述的发光元件ED可以设置在由第一电极RME1和第二电极RME2形成的纱线路径(例如,空间)中,并且可以连接(例如,电连接)到连接电极CNE。
在根据实施例的显示装置10中,除了由在第二方向DR2上彼此面对的电极RME1和RME2形成的路径(或空间)之外,更多数量的发光元件ED可以布置在包括其中第一电极RME1和第二电极RME2彼此面对的区域的发射区域EMA中。例如,在显示装置10中,第一电极RME1可以包括形成在第一电极RME1的面对第二电极RME2的一侧的凹部C(见图11),第二电极RME2可以包括置于(插入)凹部C中的凸部PE(见图11),并且发光元件ED可以设置在第一电极RME1的凹部C和第二电极RME2的凸部PE上。显示装置10可以具有其中发光元件ED可以布置在由在第二方向DR2上间隔开的电极RME1和RME2形成的纱线路径(例如,空间)之间的电极结构,并且每单位面积设置的发光元件ED的数量和每单位面积的亮度可以得到改善。下面将参照其它附图来提供第一电极RME1和第二电极RME2的结构的更详细描述。
堤层BNL可以围绕子像素SPXn、发射区域EMA以及子区域SA1和SA2。堤层BNL可以设置在沿第一方向DR1和第二方向DR2相邻的子像素SPXn之间的边界区域处,并且也可以设置在发射区域EMA与子区域SA1和SA2之间的边界区域处。显示装置10的子像素SPXn、发射区域EMA以及子区域SA1和SA2可以是通过堤层BNL的布置来区分的区域。子像素SPXn、发射区域EMA以及子区域SA1和SA2之间的间隙可以根据堤层BNL的宽度而变化。
堤层BNL可以包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分,以遍及显示区域DPA的整个表面以网格图案布置。堤层BNL可以沿着子像素SPXn之间的边界区域设置,以界定相邻的子像素SPXn。例如,堤层BNL可以围绕设置在每个子像素SPXn中的发射区域EMA,并且围绕在第二方向DR2上延伸的子区域SA1和SA2。
发光元件ED可以布置在发射区域EMA中。发光元件ED可以设置在分隔壁BP1和BP2之间,并且可以在第一方向DR1或第二方向DR2上彼此间隔开。在实施例中,发光元件ED可以具有在一方向上延伸的形状,并且发光元件ED的端部可以设置在不同的电极RME上。发光元件ED的长度可以比在第二方向DR2上彼此间隔开的电极RME之间的间隙大。发光元件ED的延伸方向可以基本垂直于电极RME沿其延伸的第一方向DR1。然而,实施例不限于此,并且发光元件ED可以在第二方向DR2上或者在相对于第二方向DR2倾斜的方向上延伸。
发光元件ED的端部(例如,相对的端部)可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。发光元件ED可以根据它们在发射区域EMA中的布置位置和与发光元件ED的端部接触的共连接电极CCE而被分类为不同的发光元件ED1、ED2、ED3、ED4和ED5。
例如,在第一子像素SPX1中,发光元件ED可以包括设置在第一电极线RM1的第二电极RME2和第一电极RME1上的第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3以及设置在第二电极线RM2的第二电极RME2和第一电极RME1上的第四发光元件ED4和第五发光元件ED5。第一发光元件ED1和第五发光元件ED5可以设置在发射区域EMA的上侧,第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以设置在发射区域EMA的下侧。第二发光元件ED2可以设置在发射区域EMA的中心区域处,并且可以设置在第一电极RME1的凹部C和第二电极RME2的凸部PE上。
第一发光元件ED1至第五发光元件ED5可以根据它们在发射区域EMA中的布置位置来限定,但是也可以根据与下面将描述的连接电极CNE的布置或接触关系来限定。例如,由于第一发光元件ED1和第二发光元件ED2设置在发射区域EMA中的不同位置处,所以第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以彼此区分。然而,实施例不限于此,并且由于与第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的端部接触的连接电极是不同的,因此第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以彼此区分。
第一发光元件ED1和第五发光元件ED5可以分别设置在第一子分隔壁SBP1与不同的第二分隔壁BP2之间。第二发光元件ED2可以设置在第一子分隔壁SBP1与第二子分隔壁SBP2之间。第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以分别设置在第二子分隔壁SBP2与不同的第二分隔壁BP2之间。第一发光元件ED1和第三发光元件ED3可以设置到第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1和SBP2的左侧,第四发光元件ED4和第五发光元件ED5可以设置到第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1和SBP2的右侧。
连接电极CNE(例如,CNE1、CNE2、CNE3、CNE4和CCE)可以设置在电极RME和分隔壁BP1和BP2上。类似于电极RME,连接电极CNE可以具有至少部分地在一方向上延伸的形状,并且可以彼此间隔开。连接电极CNE可以与发光元件ED接触,并且可以连接(例如,电连接)到其下方的导电层。
连接电极CNE可以包括设置为与每个子像素SPXn对应的第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2、第三连接电极CNE3和第四连接电极CNE4,并且还可以包括跨像素PX或子像素SPXn设置的共连接电极CCE。
第一连接电极CNE1可以具有在第一方向DR1上延伸的形状,并且可以设置在第一电极RME1上。第一连接电极CNE1可以与第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1、SBP2和第一电极RME1叠置,并且可以在第一方向DR1上从发射区域EMA延伸到子区域SA1、SA2。在第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中,第一连接电极CNE1可以在发射区域EMA的上侧与第一电极RME1和第一子分隔壁SBP1叠置,并且可以跨发射区域EMA和第一子区域SA1设置。在第二子像素SPX2中,第一连接电极CNE1可以在发射区域EMA的下侧与第一电极RME1和第二子分隔壁SBP2叠置,并且可以跨发射区域EMA和第二子区域SA2设置。设置在第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中的第一连接电极CNE1可以通过第一子区域SA1中的第一接触孔CT1与其下方的导电层接触,设置在第二子像素SPX2中的第一连接电极CNE1可以通过第二子区域SA2中的第三接触孔CT3与其下方的导电层接触。
连接电极CNE的布置在第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中可以基本相同,但是在第二子像素SPX2中,连接电极CNE的布置可以与其它子像素不同。例如,第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的连接电极CNE的布置可以具有横向对称结构和竖直对称结构。第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中的第一连接电极CNE1的位置可以与第二子像素SPX2中的第一连接电极CNE1的位置不同。在下文中,下面将描述第一子像素SPX1中的其它连接电极CNE的布置,并且下面将描述第二子像素SPX2中的连接电极CNE的布置。
第二连接电极CNE2可以与第一连接电极CNE1间隔开,并且可以跨第一电极线RM1的第二电极RME2和第一电极RME1设置。第二连接电极CNE2可以包括在第二方向DR2上与第一连接电极CNE1间隔开的第一接触部CTP1、在第一方向DR1上与第一连接电极CNE1间隔开的第二接触部CTP2以及将第一接触部CTP1连接到第二接触部CTP2的第一连接部CBP1。第二连接电极CNE2可以基本设置在发射区域EMA中,但是第二连接电极CNE2的一部分可以与堤层BNL叠置。
第二连接电极CNE2的第一接触部CTP1可以包括设置在发射区域EMA中的延伸部分和设置在堤层BNL上的旁路部分(bypass portion)。第一接触部CTP1可以通过包括连接到延伸部分的上侧和下侧的旁路部分来防止由于下台阶部分而导致的断开。
第三连接电极CNE3可以与第二连接电极CNE2间隔开,并且设置在第一电极线RM1的第二电极RME2上。第三连接电极CNE3可以在第二方向DR2上与第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2间隔开,并且可以在第一方向DR1上与第一接触部CTP1间隔开。类似于第一接触部CTP1,第三连接电极CNE3可以包括在发射区域EMA中在第一方向DR1上延伸的延伸部分和在堤层BNL上的旁路部分。第三连接电极CNE3可以通过包括连接到延伸部分的上侧和下侧的旁路部分来防止由于下台阶部分而导致的断开。
第四连接电极CNE4可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2间隔开,并且可以跨第二电极线RM2的第二电极RME2和第一电极RME1设置。第四连接电极CNE4可以包括在第二方向DR2上与第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2间隔开的第三接触部CTP3、在第二方向DR2上与第一连接电极CNE1间隔开的第四接触部CTP4以及将第三接触部CTP3连接到第四接触部CTP4的第二连接部CBP2。第四连接电极CNE4可以基本设置在发射区域EMA中,但是第四连接电极CNE4的一部分可以与堤层BNL叠置。
第四连接电极CNE4的第三接触部CTP3可以包括设置在发射区域EMA中的延伸部分和设置在堤层BNL上的旁路部分。第三接触部CTP3可以通过包括连接到延伸部分的上侧和下侧的旁路部分来防止由于下台阶部分而导致的断开。
第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4可以跨两个不同的电极设置。不同于第一连接电极CNE1和第三连接电极CNE3,第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4可以基本在第一方向DR1上延伸,但是可以在斜线方向上部分地弯曲。因此,第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4可以跨在第二方向DR2上间隔开的第一电极RME1和第二电极RME2设置。
根据实施例,第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2和第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4可以在第二方向DR2上具有不同的宽度。如下面将描述的,在第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4可以与设置在纱线路径(例如,空间)中的发光元件(例如,第五发光元件ED5)接触的情况下,第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2可以与设置在不同的纱线路径(例如,空间)中的发光元件(例如,第三发光元件ED3和第四发光元件ED4)接触。第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4的形状可以基本相同,但是第二接触部CTP2和第四接触部CTP4的宽度可以彼此不同。
第一连接电极至第四连接电极CNE1、CNE2、CNE3和CNE4的上述布置可以对应于第一子像素SPX1和第三子像素SPX3。在第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中,第一连接电极CNE1可以相对于发射区域EMA的中心区域设置在上侧,第三连接电极CNE3可以相对于发射区域EMA的中心区域设置在左下侧。第二连接电极CNE2的第一接触部CTP1可以设置到第一连接电极CNE1的左侧,第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2可以设置到第一连接电极CNE1的下侧。第四连接电极CNE4的第三接触部CTP3可以设置到第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2的右侧,第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4可以设置到第一连接电极CNE1的右侧。
第二子像素SPX2中的第一连接电极至第四连接电极CNE1、CNE2、CNE3和CNE4的布置可以与上述布置不同。在第二子像素SPX2中,第一连接电极CNE1可以相对于发射区域EMA的中心区域设置在下侧,第三连接电极CNE3可以相对于发射区域EMA的中心区域设置在右上侧。第二连接电极CNE2的第一接触部CTP1可以设置到第一连接电极CNE1的右侧,第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2可以设置到第一连接电极CNE1的上侧。第四连接电极CNE4的第三接触部CTP3可以设置到第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2的左侧,第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4可以设置到第一连接电极CNE1的左侧。
共连接电极CCE可以跨子像素SPXn设置。共连接电极CCE可以包括在子像素SPXn中的每个中设置为在第二方向DR2上与第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4相对的接触部,并且可以包括连接接触部的连接部。在第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中,共连接电极CCE的接触部可以设置在发射区域EMA的右上侧,并且在第二子像素SPX2中,共连接电极CCE的接触部可以设置在发射区域EMA的左下侧。例如,类似于第二连接电极CNE2的第一接触部CTP1,共连接电极CCE的接触部可以具有包括旁路部分的形状。
共连接电极CCE的连接部可以绕过其它连接电极CNE1、CNE2、CNE3和CNE4,以将设置在子像素SPXn中的接触部彼此连接。共连接电极CCE可以通过第二子区域SA2中的第二接触孔CT2与其下方的导电层接触。
如下面将描述的,发光元件ED的端部(例如,相对的端部)可以彼此区分,并且可以与不同的连接电极CNE接触。例如,第一发光元件ED1的第一端部可以与第一连接电极CNE1叠置,第一发光元件ED1的第二端部可以与第二连接电极CNE2的第一接触部CTP1叠置。第二发光元件ED2的第一端部可以与第二连接电极CNE2的第一连接部CBP1叠置,第二发光元件ED2的第二端部可以与第四连接电极CNE4的第二连接部CBP2叠置。第三发光元件ED3的第一端部可以与第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2叠置,第三发光元件ED3的第二端部可以与第三连接电极CNE3叠置。第四发光元件ED4的第一端部可以与第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2叠置,第四发光元件ED4的第二端部可以与第四连接电极CNE4的第三接触部CTP3叠置。第五发光元件ED5的第一端部可以与第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4叠置,第五发光元件ED5的第二端部可以与共连接电极CCE的接触部叠置。第一发光元件ED1至第五发光元件ED5可以具有分别与同第一发光元件ED1至第五发光元件ED5叠置的连接电极CNE接触的端部,并且可以彼此连接(例如,电连接)。
例如,第一发光元件ED1可以串联连接到第二发光元件ED2、第三发光元件ED3和第四发光元件ED4。第二发光元件ED2、第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以彼此并联连接。第二发光元件ED2和第四发光元件ED4可以串联连接到第五发光元件ED5。在显示装置10中,设置在每个子像素SPXn中的发光元件ED可以彼此串联连接或并联连接,以使每单位面积发射的光的量增加。
显示装置10还可以包括设置在电极RME1和RME2、发光元件ED和连接电极CNE之间的绝缘层PAS1、PAS2和PAS3。电极RME1和RME2、发光元件ED以及连接电极CNE1、CNE2和CNE3可以彼此叠置,但是可以通过设置在其间的绝缘层PAS1、PAS2和PAS3而仅部分地彼此接触。
图9是沿着图5的线N1-N1'截取的示意性剖视图。图10是沿着图5的线N2-N2'和线N3-N3'截取的示意性剖视图。
图9示出了穿过设置在第一子像素SPX1中的第一发光元件ED1和第五发光元件ED5的端部(例如,相对的端部)的剖面。图10示出穿过电极接触孔CTD、CTS以及接触孔CT1、CT2的剖面。
参照图5至图10,显示装置10可以包括第一基底SUB和设置在第一基底SUB上的半导体层、导电层和绝缘层。例如,显示装置10可以包括电极RME、发光元件ED和连接电极CNE。
第一基底SUB可以是绝缘基底。第一基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。此外,第一基底SUB可以是刚性基底,但是可以是可以弯曲、折叠或卷曲(卷起)的柔性基底。第一基底SUB可以包括显示区域DPA和围绕显示区域DPA的非显示区域NDA,并且显示区域DPA可以包括发射区域EMA和作为非发射区域的部分的子区域SA1和SA2。
第一导电层可以包括下金属层BML、第一电压线VL1和第二电压线VL2。下金属层BML可以与第一晶体管T1的第一有源层ACT1叠置。下金属层BML可以防止光进入(或传输到)第一晶体管T1的第一有源层ACT1,或者可以连接(例如,电连接)到第一有源层ACT1,以稳定第一晶体管T1的电特性。在另一示例中,可以省略下金属层BML。
第一电压线VL1可以被施加有传输到第一电极RME1的高电势电压(或第一电源电压),第二电压线VL2可以被施加有传输到第二电极RME2的低电势电压(或第二电源电压)。第一电压线VL1可以通过第三导电层的导电图案层(例如,第三导电图案层CDP3)连接(例如,电连接)到第一晶体管T1。第二电压线VL2可以通过第三导电层的导电图案层(例如,第二导电图案层CDP2)连接(例如,电连接)到第二电极RME2。
尽管附图示出了第一电压线VL1和第二电压线VL2设置在第一导电层,但是实施例不限于此。在一些实施例中,第一电压线VL1和第二电压线VL2可以设置在第三导电层上,并且可以分别连接(例如,直接电连接)到第一晶体管T1和第二电极RME2。
缓冲层BL可以设置在第一导电层和第一基底SUB上。缓冲层BL可以形成在第一基底SUB上以保护像素PX的晶体管免受渗透通过易受湿气渗透的第一基底SUB的湿气的影响,可以具有平坦的上表面,并且可以执行表面平坦化功能。
半导体层可以设置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的第一有源层ACT1和第二晶体管T2的第二有源层ACT2。第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以分别与下面将描述的第二导电层的第一栅电极G1和第二栅电极G2叠置(例如,部分地叠置)。
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。在实施例中,半导体层可以包括多晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括铟(In)。例如,氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟镓锌锡(IGZTO)中的至少一种。
尽管在附图中示出了第一晶体管T1和第二晶体管T2设置在显示装置10的子像素SPXn中,但是实施例不限于此,并且显示装置10可以包括更多数量的晶体管。
第一栅极绝缘层GI可以设置在半导体层上。第一栅极绝缘层GI可以用作晶体管T1和T2中的每个的栅极绝缘层。尽管在附图中示出了第一栅极绝缘层GI与第二导电层的栅电极G1和G2一起被图案化并且部分地设置在第二导电层与半导体层的有源层ACT1和ACT2之间,但是实施例不限于此。在一些实施例中,第一栅极绝缘层GI可以在覆盖半导体层的情况下设置(例如,完全设置)在缓冲层BL上。
第二导电层可以设置在第一栅极绝缘层GI上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的第一栅电极G1、第二晶体管T2的第二栅电极G2以及第一桥电极CEP1和第二桥电极CEP2。第一栅电极G1可以在第三方向DR3(例如,厚度方向)上与第一有源层ACT1的沟道区叠置,第二栅电极G2可以在第三方向DR3(例如,厚度方向)上与第二有源层ACT2的沟道区叠置。例如,第二导电层还可以包括存储电容器的电极。
第一桥电极CEP1可以连接到第三导电层的第一导电图案层CDP1。第一桥电极CEP1可以通过第一导电图案层CDP1连接(例如,电连接)到第一晶体管T1和第一电压线VL1。每个子像素SPXn的第一连接电极CNE1可以通过第一桥电极CEP1连接(例如,电连接)到第一晶体管T1。第二桥电极CEP2可以连接到第一导电层的第二电压线VL2。共连接电极CCE可以通过第二桥电极CEP2连接(例如,电连接)到第二电压线VL2。
第一层间绝缘层IL1可以设置在第二导电层上。第一层间绝缘层IL1可以用作第二导电层和设置在其上的其它层之间的绝缘膜,并且可以保护第二导电层。
第三导电层可以设置在第一层间绝缘层IL1上。第三导电层可以包括导电图案层CDP1、CDP2和CDP3以及相应的晶体管T1和T2的源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。导电图案层CDP1、CDP2和CDP3中的一些可以将不同层的导电层或半导体层彼此连接(例如,电连接),并且可以用作晶体管T1和T2的源/漏电极。
第一导电图案层CDP1可以通过穿透第一层间绝缘层IL1的接触孔与第一桥电极CEP1和第一晶体管T1的第一有源层ACT1接触。第一导电图案层CDP1可以通过穿透第一层间绝缘层IL1和缓冲层BL的接触孔与下金属层BML接触。第一导电图案层CDP1可以用作第一晶体管T1的第一源电极S1。第一导电图案层CDP1可以连接(例如,电连接)到第一连接电极CNE1。第一晶体管T1可以将从第一电压线VL1施加的第一电源电压传输到第一连接电极CNE1。
第二导电图案层CDP2可以通过穿透第一层间绝缘层IL1和缓冲层BL的接触孔与第二电压线VL2接触。第二导电图案层CDP2可以连接到第二电极RME2,并且第二电压线VL2可以通过第二导电图案层CDP2将第二电源电压传输到第二电极RME2。
第三导电图案层CDP3可以通过穿透第一层间绝缘层IL1和缓冲层BL的接触孔与第一电压线VL1接触。此外,第三导电图案层CDP3可以通过穿透第一层间绝缘层IL1的接触孔与第一晶体管T1的第一有源层ACT1接触。第三导电图案层CDP3可以将第一电压线VL1连接(例如,电连接)到第一晶体管T1,并且可以用作第一晶体管T1的第一漏电极D1。第三导电图案层CDP3可以连接(例如,电连接)到第一电极RME1,并且第一电压线VL1可以通过第三导电图案层CDP3将第一电源电压传输到第一电极RME1。
第二源电极S2和第二漏电极D2可以通过穿透第一层间绝缘层IL1的接触孔与第二晶体管T2的第二有源层ACT2接触。
第一钝化层PV1可以设置在第三导电层上。第一钝化层PV1可以用作第三导电层与其它层之间的绝缘层,并且可以保护第三导电层。
上述缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1可以由以交替方式堆叠的无机层形成。例如,缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1可以形成为通过将包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层堆叠而形成的双层或者通过将包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层交替地堆叠而成的多层。然而,实施例不限于此,并且缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第一钝化层PV1可以形成为包含上述绝缘材料的单个无机层。此外,在一些实施例中,第一层间绝缘层IL1可以由诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料制成。
过孔层VIA可以在显示区域DPA中设置在第三导电层上。过孔层VIA可以包含有机绝缘材料(例如,聚酰亚胺(PI)),并且可以补偿由设置在其下方的导电层形成的台阶部分,以使顶表面(例如,上表面)平坦化。然而,在一些实施例中,可以省略过孔层VIA。
显示装置10可以包括作为设置在过孔层VIA上的显示元件层的分隔壁BP1和BP2、电极RME和堤层BNL以及发光元件ED和连接电极CNE。例如,显示装置10可以包括绝缘层PAS1、PAS2和PAS3。
分隔壁BP1和BP2可以设置在过孔层VIA上。例如,分隔壁BP1和BP2可以设置(例如,直接设置)在过孔层VIA上,并且可以具有其中分隔壁BP1和BP2的至少一部分相对于过孔层VIA的顶表面(例如,上表面)突出的结构。如上所述,第一分隔壁BP1和第二分隔壁BP2可以彼此间隔开,并且第一分隔壁BP1可以设置在第二分隔壁BP2之间。第一分隔壁BP1可以包括在第一方向DR1上彼此间隔开的子分隔壁SBP1和SBP2。图9中所示的第一分隔壁BP1可以是第一子分隔壁SBP1。分隔壁BP1和BP2可以具有以一定曲率倾斜或弯曲的侧表面,并且从发光元件ED1和ED2发射的光可以从设置在分隔壁BP1和BP2上的电极RME反射,以在过孔层VIA的向上方向上发射。在另一示例中,分隔壁BP1和BP2可以具有例如其中外表面在剖视图中以一定曲率弯曲的半圆形或半椭圆形的形状。分隔壁BP1、BP2和BP3可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料,但是实施例不限于此。
电极RME可以设置在分隔壁BP1和BP2以及过孔层VIA上。例如,电极RME中的每个可以至少设置(例如,部分地设置)在分隔壁BP1和BP2的倾斜侧表面上。第一电极RME1可以覆盖第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1和SBP2,第二电极RME2可以覆盖第二分隔壁BP2的侧表面。第一电极RME1的宽度可以比第一分隔壁BP1的子分隔壁SBP1和SBP2的宽度大,第二电极RME2的延伸部分的宽度可以比第二分隔壁BP2的延伸部分的宽度大。在第二方向DR2上彼此间隔开的电极RME之间的距离可以比分隔壁BP1和BP2之间的距离小。电极RME可以均具有设置(例如,直接设置)在过孔层VIA上的至少一部分,使得它们可以设置在同一平面。
设置在分隔壁BP1和BP2之间的发光元件ED可以朝向发光元件ED的端部(例如,相对的端部)发射光,并且发射的光可以被引导为朝向设置在分隔壁BP1和BP2上的电极RME。电极RME可以具有其中设置在分隔壁BP1和BP2上的电极RME的部分可以反射从发光元件ED发射的光的结构。电极RME可以覆盖分隔壁BP1和BP2的至少一个侧表面,以反射从发光元件ED发射的光。
设置在子区域SA1和SA2中的第一电极RME1和第二电极RME2的电极接触部CTE1和CTE2可以通过电极接触孔CTD和CTS与第三导电层直接接触。例如,在第一子区域SA1中,第一电极接触孔CTD可以形成在与第一电极接触部CTE1叠置的区域中,并且第一电极RME1的第一电极接触部CTE1可以通过穿透过孔层VIA和第一钝化层PV1的第一电极接触孔CTD与第三导电图案层CDP3接触。在第二子区域SA2中,第二电极接触孔CTS可以形成在与第二电极接触部CTE2叠置的区域中,并且第二电极RME2的第二电极接触部CTE2可以通过穿透过孔层VIA和第一钝化层PV1的第二电极接触孔CTS与第二导电图案层CDP2接触。第一电极RME1和第二电极RME2可以通过第三导电图案层CDP3和第二导电图案层CDP2分别连接(例如,电连接)到第一电压线VL1和第二电压线VL2。
电极RME可以包括具有高反射率的导电材料。例如,电极RME可以包含诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属,或者可以包含包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。在另一示例中,电极RME可以具有其中堆叠有诸如钛(Ti)、钼(Mo)和铌(Nb)的金属层和合金的结构。在一些实施例中,电极RME可以形成为通过堆叠由包括铝(Al)和钛(Ti)、钼(Mo)和铌(Nb)的合金制成的至少一个金属层而形成的双层或多层。
实施例不限于此,并且每个电极RME还可以包括透明导电材料。例如,每个电极RME可以包括诸如ITO、IZO和ITZO的材料。在一些实施例中,每个电极RME可以具有其中堆叠有至少一个透明导电材料和具有高反射率的至少一个金属层的结构,或者可以形成为包括透明导电材料和金属层的单层。例如,每个电极RME可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、ITO/Ag/ITZO/IZO等的堆叠结构。电极RME可以连接(例如,电连接)到发光元件ED,并且可以将从发光元件ED发射的光中的一些反射到第一基底SUB的向上方向上。
第一绝缘层PAS1可以设置在整个显示区域DPA中,并且可以设置在过孔层VIA和电极RME上。第一绝缘层PAS1可以保护电极RME并且使彼此不同的电极RME绝缘。第一绝缘层PAS1可以在形成堤层BNL之前覆盖电极RME,使得可以保护电极RME在形成堤层BNL的工艺中免受损坏。例如,第一绝缘层PAS1可以防止设置在其上的发光元件ED由于与其它构件直接接触而被损坏。
在实施例中,第一绝缘层PAS1可以具有台阶部分,使得第一绝缘层PAS1的顶表面(例如,上表面)可以在沿第二方向DR2间隔开的电极RME之间部分地凹入(凹陷)。发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1的形成有台阶部分的顶表面(例如,上表面)上,因此空间可以保留在发光元件ED与第一绝缘层PAS1之间。
第一绝缘层PAS1可以包括接触孔CT1、CT2和CT3。第一绝缘层PAS1的接触孔CT1、CT2和CT3可以在子区域SA1和SA2中与不同电极RME叠置。例如,接触孔CT1、CT2和CT3可以包括设置在第一子区域SA1中以与第一子像素SPX1和第三子像素SPX3的第一连接电极CNE1叠置的第一接触孔CT1、设置在第二子区域SA2中以与共连接电极CCE叠置的第二接触孔CT2以及设置在第二子区域SA2中以与第二子像素SPX2的第一连接电极CNE1叠置的第三接触孔CT3。
第一接触孔至第三接触孔CT1、CT2和CT3可以穿透第一绝缘层PAS1、过孔层VIA、第一钝化层PV1和第一层间绝缘层IL1,以暴露其下方的桥电极CEP1和CEP2的顶表面(例如,上表面)的一部分。第一接触孔CT1和第三接触孔CT3可以暴露第一桥电极CEP1的顶表面(例如,上表面)的一部分,第二接触孔CT2可以暴露第二桥电极CEP2的顶表面(例如,上表面)的一部分。第一接触孔至第三接触孔CT1、CT2和CT3也可以穿透下面将描述的第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3。
堤层BNL可以设置在第一绝缘层PAS1上。堤层BNL可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分,并且可以围绕子像素SPXn。堤层BNL可以围绕每个子像素SPXn的发射区域EMA和子区域SA1和SA2以划分它们,并且可以围绕显示区域DPA的最外边缘以将显示区域DPA与非显示区域NDA划分开。堤层BNL的在第一方向DR1上延伸的部分可以对在第二方向DR2上相邻的发射区域EMA进行划分,并且堤层BNL的在第二方向DR2上延伸的部分可以对彼此相邻的发射区域EMA和子区域SA1和SA2进行划分。堤层BNL的在第一方向DR1上延伸的部分可以设置在第二分隔壁BP2上。
类似于分隔壁BP1和BP2,堤层BNL可以具有一定高度。在一些实施例中,堤层BNL的顶表面(例如,上表面)可以比分隔壁BP1和BP2的顶表面(例如,上表面)高,并且堤层BNL的厚度可以等于或者大于分隔壁BP1和BP2的厚度。堤层BNL可以防止墨在显示装置10的制造工艺期间在喷墨印刷工艺中溢出到相邻的子像素SPXn。类似于分隔壁BP1和BP2,堤层BNL可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。然而,实施例不限于此,并且堤层BNL可以包括与分隔壁BP1和BP2的材料不同的材料。
发光元件ED可以布置在发射区域EMA中。发光元件ED可以在分隔壁BP1和BP2之间设置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以设置为使得发光元件ED的延伸方向可以与第一基底SUB的顶表面(例如,上表面)平行。如下面将描述的,发光元件ED可以包括沿着发光元件ED沿其延伸的方向布置的半导体层,并且半导体层可以沿着与第一基底SUB的顶表面(例如,上表面)平行的方向顺序地布置。然而,实施例不限于此,并且在发光元件ED具有另一结构的情况下,半导体层可以布置在与第一基底SUB的顶表面(例如,上表面)垂直的方向上。
设置在每个子像素SPXn中的发光元件ED可以根据构成半导体层的材料而发射不同波段的光。然而,实施例不限于此,并且布置在每个子像素SPXn中的发光元件ED可以包括相同材料的半导体层并发射相同颜色的光。
发光元件ED可以在不同的分隔壁BP1和BP2之间设置在不同的电极RME上。第一发光元件ED1和第五发光元件ED5可以设置在第一分隔壁BP1的第一子分隔壁SBP1与第二分隔壁BP2之间,使得发光元件ED的端部可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。第一发光元件ED1和第五发光元件ED5可以设置在不同的纱线路径(例如,空间)中,并且第一发光元件ED1和第五发光元件ED5的端部可以设置在不同的第二电极RME2上。
例如,第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以设置在第二分隔壁BP2与第一分隔壁BP1的第二子分隔壁SBP2之间,使得第三发光元件ED3和第四发光元件ED4的端部可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以设置在不同的纱线路径(例如,空间)中,并且第三发光元件ED3和第四发光元件ED4的端部可以设置在不同的第二电极RME2上。在发射区域EMA中,第一发光元件ED1和第三发光元件ED3可以设置到第一分隔壁BP1的左侧,第四发光元件ED4和第五发光元件ED5可以设置到第一分隔壁BP1的右侧。第二发光元件ED2可以在第一子分隔壁SBP1与第二子分隔壁SBP2之间设置在第二电极RME2的凸部PE和第一电极RME1上。
发光元件ED可以通过与连接电极CNE接触而连接(例如,电连接)到位于电极RME和过孔层VIA下方的导电层,并且可以通过被施加有电信号来发射特定波段的光。
第二绝缘层PAS2可以设置在发光元件ED、第一绝缘层PAS1和堤层BNL上。第二绝缘层PAS2可以包括设置在发光元件ED上的图案部分,图案部分在分隔壁BP1和BP2之间在第一方向DR1上延伸。图案部分可以围绕(例如,部分地围绕)发光元件ED的外表面,并且可以不覆盖发光元件ED的两侧(例如,相对侧)或端部(例如,相对的端部)。图案部分可以在平面图中在每个子像素SPXn中形成线状图案或岛状图案。在显示装置10的制造工艺中,第二绝缘层PAS2的图案部分可以保护发光元件ED,并且可以固定发光元件ED。此外,第二绝缘层PAS2可以填充发光元件ED与其下方的第二绝缘层PAS2之间的空间。第二绝缘层PAS2的一部分可以设置在堤层BNL上,并且可以设置在子区域SA中。
类似于第一绝缘层PAS1,第二绝缘层PAS2可以包括第一接触孔至第三接触孔CT1、CT2和CT3。第二绝缘层PAS2的描述与上述基本相同。
连接电极CNE可以设置在电极RME和分隔壁BP1和BP2上。连接电极CNE可以被划分为设置在第二绝缘层PAS2与第三绝缘层PAS3之间的第一连接电极层的连接电极以及设置在第三绝缘层PAS3上的第二连接电极层的连接电极。第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4可以是第一连接电极层的连接电极,第一连接电极CNE1、第三连接电极CNE3和共连接电极CCE可以是第二连接电极层的连接电极。
第一连接电极CNE1可以设置在第一分隔壁BP1的第一子分隔壁SBP1和第一电极RME1上。第二连接电极CNE2的第一接触部CTP1可以设置在第二电极RME2和第二分隔壁BP2上,第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2可以设置在第一电极RME1和第二子分隔壁SBP2上。第三连接电极CNE3可以设置在第二电极RME2和第二分隔壁BP2上。第四连接电极CNE4的第三接触部CTP3可以设置在第二电极RME2和第二分隔壁BP2上,第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4可以设置在第一电极RME1和第一子分隔壁SBP1上。共连接电极CCE的设置在发射区域EMA中的接触部可以设置在第二电极RME2和第二分隔壁BP2上,并且将共连接电极CCE的接触部连接的部分可以设置在子区域SA1和SA2中,或者可以设置在堤层BNL上。每个连接电极CNE的平面布置的描述可以与上面参照图5至图8描述的基本相同。
连接电极CNE可以设置在第二绝缘层PAS2上,并且可以与发光元件ED接触。第一连接电极CNE1可以与第一发光元件ED1的第一端部接触。第二连接电极CNE2可以与第一发光元件ED1的第二端部以及第二发光元件ED2、第三发光元件ED3和第四发光元件ED4的第一端部接触。第二连接电极CNE2的第一接触部CTP1可以与第一发光元件ED1的第二端部接触,第二连接电极CNE2的第一连接部CBP1可以与第二发光元件ED2的第一端部接触,第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2可以与第三发光元件ED3和第四发光元件ED4的第一端部接触。
第三连接电极CNE3可以与第三发光元件ED3的第二端部接触。第四连接电极CNE4可以与第二发光元件ED2和第四发光元件ED4的第二端部以及第五发光元件ED5的第一端部接触。第四连接电极CNE4的第三接触部CTP3可以与第四发光元件ED4的第二端部接触,第二连接部CBP2可以与第二发光元件ED2的第二端部接触,第四接触部CTP4可以与第五发光元件ED5的第一端部接触。共连接电极CCE的接触部可以与第五发光元件ED5的第二端部接触。
第一发光元件ED1、第三发光元件ED3、第四发光元件ED4和第五发光元件ED5中的每个的端部(例如,相对的端部)可以与设置在不同层的连接电极接触。第二发光元件ED2的端部(例如,相对的端部)可以与设置在同一层的连接电极接触。在第二发光元件ED2可以在第一子分隔壁SBP1与第二子分隔壁SBP2之间设置在第一电极RME1的凹部C和第二电极RME2的凸部PE上的情况下,第一发光元件ED1、第三发光元件ED3、第四发光元件ED4和第五发光元件ED5可以设置在第一分隔壁BP1与第二分隔壁BP2之间的路径(或空间)中。第二发光元件ED2的布置位置可以不同于其它发光元件ED的布置位置,并且与第二发光元件ED2的端部(例如,相对的端部)接触的连接电极可以设置在同一层。下面将提供其详细描述。
第一连接电极CNE1和共连接电极CCE可以跨发射区域EMA以及子区域SA1和SA2设置,并且可以通过形成在子区域SA1和SA2中的接触孔CT1、CT2和CT3分别与桥电极CEP1和CEP2接触。第一连接电极CNE1可以通过设置在第一子区域SA1中的第一接触孔CT1或第三接触孔CT3与第一桥电极CEP1接触,共连接电极CCE可以通过设置在第二子区域SA2中的第二接触孔CT2与第二桥电极CEP2接触。第二连接电极CNE2、第三连接电极CNE3和第四连接电极CNE4可以不直接连接到其下方的导电层。
第一连接电极CNE1可以通过第一桥电极CEP1连接(例如,电连接)到第一晶体管T1,使得第一电源电压可以传输到第一连接电极CNE1,并且共连接电极CCE可以通过第二桥电极CEP2连接(例如,电连接)到第二电压线VL2,使得第二电源电压可以施加到共连接电极CCE。发光元件ED可以通过经由第一连接电极CNE1和共连接电极CCE传输的电源电压来发射光。
第一连接电极CNE1和共连接电极CCE可以是连接(例如,直接连接)到第二导电层的第一类型连接电极,第二连接电极CNE2、第三连接电极CNE3和第四连接电极CNE4可以是不连接到其下方的导电层的第二类型连接电极。第二类型连接电极可以与发光元件ED接触而不连接到其下方的导电层,并且可以与其它连接电极CNE一起构成发光元件ED的电连接电路。
连接电极CNE可以包括导电材料。例如,连接电极CNE可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。作为示例,连接电极CNE可以包括透明导电材料,并且从发光元件ED发射的光可以穿过连接电极CNE,以发射。
第三绝缘层PAS3可以设置在第二连接电极层的连接电极和第二绝缘层PAS2上。第三绝缘层PAS3可以设置(例如,完全设置)在第二绝缘层PAS2上以覆盖第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4,并且第一连接电极CNE1、第三连接电极CNE3和共连接电极CCE可以设置在第三绝缘层PAS3上。第三绝缘层PAS3可以设置(例如,完全设置)在除了其中设置有第一连接电极CNE1、第三连接电极CNE3和共连接电极CCE的区域之外的过孔层VIA上。第三绝缘层PAS3可以使第一连接电极层的连接电极与第二连接电极层的连接电极绝缘,使得第一连接电极层的连接电极和第二连接电极层的连接电极可以彼此不直接接触。
根据实施例,第三绝缘层PAS3可以包括接触孔CT1、CT2和CT3。其描述与上述基本相同。第一接触孔至第三接触孔CT1、CT2和CT3可以穿透第一绝缘层至第三绝缘层PAS1、PAS2和PAS3。
上述第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如,第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包含无机绝缘材料,或者第一绝缘层PAS1和第三绝缘层PAS3可以包含无机绝缘材料而第二绝缘层PAS2可以包含有机绝缘材料。第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个或至少一个可以具有其中绝缘层交替或重复地堆叠的结构。在实施例中,第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的任何一种。第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3可以由相同的材料或不同的材料制成。在另一示例中,它们中的一些可以由相同的材料制成,并且它们中的一些可以由不同的材料制成。
图11是图5的部分A的示意性放大视图。图12是示出图11的电极和发光元件的平面图。图13是沿着图11的线N4-N4'截取的示意性剖视图。
参照图11至图13,根据实施例,第一电极RME1可以包括通过使第一电极RME1的面对第二电极RME2的一侧凹入而形成的凹部C,第二电极RME2可以包括置于(插入)第一电极RME1的凹部C中的凸部PE。第二电极RME2的凸部PE可以设置在第一电极RME1的凹部C中,以面对第一电极RME1的凹部C的侧壁。
第一电极RME1可以包括形成在设置在发射区域EMA中的部分中的凹部C。凹部C可以设置为与发射区域EMA的中心区域相邻。凹部C可以形成在第一电极RME1的面对第二电极RME2的一侧。第一电极RME1的凹部C可以形成在第一电极RME1的左侧,所述左侧面对设置到第一电极RME1的左侧的第二电极RME2。在第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中,凹部C可以形成在第一电极RME1的面对第一电极线RM1的第二电极RME2的一侧。在第二子像素SPX2中,凹部C可以形成在第一电极RME1的面对第二电极线RM2的第二电极RME2的一侧。凹部C可以在每个子像素SPXn中形成在第一电极RME1的左侧。
第二电极RME2可以包括形成在第二电极RME2的与第一电极RME1的凹部C对应的一侧的凸部PE。第二电极RME2的凸部PE可以置于凹部C中。凸部PE可以在凹部C内面对凹部C的侧面。第一电极RME1的凹部C和第二电极RME2的凸部PE可以彼此面对并可以彼此间隔开,并且第二发光元件ED2可以设置在其上。
在实施例中,第一电极RME1的凹部C可以包括在第二方向DR2上凹入的部分(例如,第一凹入部分)以及从其弯曲并在斜线方向上凹入的部分(例如,第二凹入部分)。第二电极RME2的凸部PE可以包括在第二方向DR2上延伸的部分(例如,第一突起部分)和从其弯曲以在斜线方向上延伸的部分(例如,第二突起部分)。第二发光元件ED2可以设置在第一电极RME1的凹部C的斜凹入部分和第二电极RME2的凸部PE的斜延伸部分上。第一发光元件ED1、第三发光元件ED3、第四发光元件ED4和第五发光元件ED5可以均设置在第一电极RME1和第二电极RME2的在第一方向DR1上延伸的部分上,并且发光元件ED中的每个的延伸方向可以与第二方向DR2基本平行。例如,第二发光元件ED2可以设置在第一电极RME1的凹部C的斜凹入部分和第二电极RME2的凸部PE的斜延伸部分的一侧,并且发光元件ED的延伸方向可以与一斜线方向基本平行。第二发光元件ED2可以具有与其它发光元件ED的取向方向不同的取向方向。
例如,第一发光元件ED1和第三发光元件ED3可以平行布置并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开,第四发光元件ED4和第五发光元件ED5也可以平行布置并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。第一发光元件ED1和第五发光元件ED5可以平行布置并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开,第三发光元件ED3和第四发光元件ED4也可以平行布置并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。例如,第二发光元件ED2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上不平行于其它发光元件。由于第二发光元件ED2设置在第一电极RME1的凹部C中,因此第二发光元件ED2可以布置为在第一方向DR1上不平行于至少第一发光元件ED1、第三发光元件ED3、第四发光元件ED4和第五发光元件ED5。然而,实施例不限于此。在一些情况下,可以形成在第二方向DR2上与第二发光元件ED2平行布置的发光元件。
第二发光元件ED2的端部(例如,相对的端部)可以与第一连接电极层的连接电极接触。第二发光元件ED2的第一端部可以与第二连接电极CNE2的第一连接部CBP1接触,第二发光元件ED2的第二端部可以与第四连接电极CNE4的第二连接部CBP2接触。例如,第二发光元件ED2的端部(例如,相对的端部)可以与设置在同一层的连接电极接触,并且第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4可以在第二发光元件ED2上彼此间隔开。
第一电极RME1的凹部C和第二电极RME2的凸部PE的形状和位置以及第二发光元件ED2的取向方向可以对应于第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4的形状。第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4可以基本在第一方向DR1上延伸,但是可以部分地弯曲,以设置为跨不同的电极RME1和RME2。第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4可以分别包括在斜线方向上延伸的连接部CBP1和CBP2。第一发光元件ED1、第三发光元件ED3、第四发光元件ED4和第五发光元件ED5可以均设置在其中第一电极RME1和第二电极RME2在第二方向DR2上彼此间隔开的路径(或空间)中,并且连接电极CNE的与第一发光元件至第五发光元件ED1、ED2、ED3、ED4和ED5的端部(例如,相对的端部)接触的部分可以具有基本在第一方向DR1上延伸的形状。第一发光元件ED1、第三发光元件ED3、第四发光元件ED4和第五发光元件ED5可以定向(取向)在第二方向DR2上,以与连接电极CNE的在第一方向DR1上延伸的部分接触。例如,第二发光元件ED2可以与第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4的在斜线方向上延伸的连接部CBP1和CBP2接触。第二发光元件ED2可以定向在斜线方向上,以与在斜线方向上延伸的连接部CBP1和CBP2接触。
根据实施例的显示装置10可以包括设置为与构成发光元件ED的串联连接的连接电极CNE的斜延伸部分对应的发光元件(例如,第二发光元件ED2)。可以在发射区域EMA中附加地设置除了设置在沿第二方向DR2间隔开的电极RME1和RME2上的发光元件ED之外的发光元件,使得每个子像素SPXn的每单位面积设置的发光元件ED的数量可以增加,从而改善显示装置10中的亮度。显示装置10的第一电极RME1和第二电极RME2可以包括与附加的发光元件对应的凹部C和凸部PE,使得发光元件ED可以进一步设置在其上。
由于作为附加的发光元件ED的第二发光元件ED2设置在第一电极RME1和第二电极RME2上,因此第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2和第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4可以具有不同的形状。在实施例中,第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2可以在第二方向DR2上具有比第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4的宽度大的宽度,并且可以与设置在不同的纱线路径(例如,不同的空间)中的发光元件ED接触。第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2可以与第三发光元件ED3的第一端部和第四发光元件ED4的第一端部接触,第四连接电极CNE4的第四接触部CTP4可以与第五发光元件ED5的第一端部接触。由于第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4与第二发光元件ED2接触时,因此通过第三发光元件ED3、第三连接电极CNE3和第四发光元件ED4的电连接路径可以改变。
在第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2仅与第三发光元件ED3的第一端部接触并且第三连接电极CNE3可以与第三发光元件ED3和第四发光元件ED4接触的情况下,施加到第二连接电极CNE2的电信号中的多数可以通过第二发光元件ED2流到第四连接电极CNE4。例如,由于第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可能不会发射光(为了防止该问题),因此第二连接电极CNE2的第二接触部CTP2可以与第三发光元件ED3的第一端部和第四发光元件ED4的第一端部两者接触。因此,第二发光元件ED2、第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以彼此并联连接(例如,电连接),并且它们可以串联连接到第一发光元件ED1和第五发光元件ED5。
图14是根据实施例的发光元件的示意图。
参照图14,发光元件ED可以是发光二极管。例如,发光元件ED可以是具有纳米或微米尺寸的无机发光二极管,并且由无机材料制成。在彼此面对的两个电极(例如,相对的电极)之间在特定方向上形成电场的情况下,发光元件ED可以在具有极性的两个电极之间对准。
根据实施例的发光元件ED可以具有在一方向上长(细长)的形状。发光元件ED可以具有圆柱、棒、线、管等的形状。然而,发光元件ED的形状不限于此,并且发光元件ED可以具有诸如正立方体、长方体和六棱柱的多边棱柱形状,或者可以具有各种形状(诸如在一个方向上长并具有部分地倾斜的外表面的形状)。
发光元件ED可以包括掺杂有任何导电类型杂质(例如,p型掺杂剂或n型掺杂剂)的半导体层。半导体层可以通过接收从外部电源施加的电信号而发射特定波段的光。发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。第一半导体层31可以包括具有化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料。例如,第一半导体层31可以是掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。掺杂到第一半导体层31中的n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn、Se等。
第二半导体层32可以设置在第一半导体层31上,且发光层36在第二半导体层32与第一半导体层31之间。第二半导体层32可以是p型半导体,并且第二半导体层32可以包括具有化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料。例如,第二半导体层32可以是掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。掺杂到第二半导体层32中的p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。
尽管在附图中示出了第一半导体层31和第二半导体层32形成为单层,但是实施例不限于此。根据发光层36的材料,第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更多数量的层,诸如覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。例如,发光元件ED还可以包括设置在第一半导体层31与发光层36之间或第二半导体层32与发光层36之间的另一半导体层。设置在第一半导体层31与发光层36之间的半导体层可以是掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和超晶格(Strained-layer Superlattices)中的一种或更多种,并且设置在第二半导体层32与发光层36之间的半导体层可以是掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或更多种。
发光层36可以设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下,量子层和阱层可以交替地堆叠。发光层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号通过电子-空穴对的结合(或复合)来发射光。发光层36可以包括诸如AlGaN、AlGaInN或InGaN的材料。在发光层36具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下,量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料,并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。
发光层36可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构,并且可以根据发射的光的波段而包括其它III族至V族半导体材料。由发光层36发射的光不限于蓝色波段的光,而是发光层36在一些情况下也可以发射红色波段或绿色波段的光。
电极层37可以是欧姆连接电极。然而,实施例不限于此,并且电极层37可以是肖特基连接电极。发光元件ED可以至少包括电极层37。发光元件ED可以包括一个或更多个电极层37,但是实施例不限于此,并且可以省略电极层37。
在显示装置10中,在发光元件ED连接(例如,电连接)到电极或连接电极的情况下,电极层37可以减小发光元件ED与电极或连接电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属和/或导电金属氧化物。例如,电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。
绝缘膜38可以围绕上述半导体层和电极层的外表面。例如,绝缘膜38可以至少围绕发光层36的外表面,并且可以形成为暴露发光元件ED的在纵向方向上的端部(例如,相对的端部)。此外,在剖视图中,绝缘膜38可以具有在与发光元件ED的至少端部相邻的区域中倒圆的顶表面(例如,上表面)。
绝缘膜38可以包括具有绝缘性质的材料(例如,氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)和氧化钛(TiOx))中的至少一种。在附图中示出了绝缘膜38形成为单层,但是实施例不限于此。在一些实施例中,绝缘膜38可以形成为具有堆叠在其中的(多个)层的多层结构。
绝缘膜38可以执行保护发光元件ED的半导体层和电极层的功能。绝缘膜38可以防止在电信号传输到其的电极与发光元件ED直接接触的情况下而可能在发光层36处发生的电短路。例如,绝缘膜38可以防止发光元件ED的发光效率的降低。
此外,绝缘膜38可以具有被表面处理的外表面。发光元件ED可以以将其中分散有发光元件ED的墨喷射在电极上的方式对准。这里,绝缘膜38的表面可以被处理为具有疏水性或亲水性,以使发光元件ED保持处于分散状态而不与墨中的其它相邻的发光元件ED聚集(团聚)。
在下文中,将参照其它附图来描述显示装置10的各种实施例。
图15是示出根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图。图16是示出设置在图15的像素中的第二连接电极层的连接电极的布置的示意性平面图。
参照图15和图16,在根据实施例的显示装置10中,第二连接电极层的第三连接电极CNE3可以连接(例如,直接连接)到共连接电极CCE。在图5至图8的实施例中,第三连接电极CNE3可以与第三发光元件ED3的第二端部接触,并且可以不与其它连接电极CNE和导电层接触。参照图15,在根据实施例的显示装置10中,第三连接电极CNE3可以一体地连接到共连接电极CCE(或者与共连接电极CCE成一体),因此第三连接电极CNE3可以通过第二接触孔CT2连接(例如,电连接)到第二电压线VL2。
在总结详细描述时,本领域技术人员将理解的是,在基本不脱离发明的原理的情况下,可以对实施例进行许多变化和修改。因此,发明的所公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用,而不是为了限制的目的。
Claims (20)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一电极,在第一方向上延伸;
第二电极,在所述第一方向上延伸,并且在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一电极间隔开;以及
多个发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极上,
其中,所述第一电极包括通过使所述第一电极的面对所述第二电极的一侧部分地凹入而形成的凹部,
所述第二电极包括设置在所述第二电极的面对所述第一电极的一侧并且置于所述凹部中的凸部,并且
所述多个发光元件包括:第一发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极的在所述第一方向上延伸的部分上;以及第二发光元件,设置在所述第一电极的所述凹部上,并且设置在所述第二电极的所述凸部上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一电极的所述凹部包括:第一凹入部分,在所述第二方向上凹入;以及第二凹入部分,在与所述第一方向和所述第二方向交叉的斜线方向上凹入;并且
所述第二电极的所述凸部包括:第一突起部分,在所述第二方向突出;以及第二突起部分,在所述斜线方向上突出。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二发光元件设置在沿所述斜线方向凹入的所述第二凹入部分和沿所述斜线方向突出的所述第二突起部分上。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个具有在纵向方向上延伸的形状,并且
所述第一发光元件的端部的取向方向不同于所述第二发光元件的端部的取向方向。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二发光元件设置为不与所述第一发光元件平行。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二电极包括在所述第二方向上彼此间隔开的第一电极线和第二电极线,所述第一电极设置在所述第一电极线与所述第二电极线之间,
所述第二电极的所述第一电极线与所述第一电极的在所述第二方向上的第一侧相邻,
所述第二电极的所述第二电极线与所述第一电极的在所述第二方向上的第二侧相邻,
所述第一电极的所述凹部与所述第一电极的所述第一侧相邻,并且
所述第一电极的所述凹部不与所述第一电极的所述第二侧相邻。
7.根据权利要求6所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一连接电极,设置在所述第一电极上;以及
第二连接电极,所述第二连接电极包括:第一接触部,在所述第二方向上与所述第一连接电极间隔开,并且设置在所述第一电极线上;第二接触部,在所述第一方向上与所述第一连接电极间隔开,并且设置在所述第一电极上;以及第一连接部,将所述第一接触部连接到所述第二接触部,
其中,所述第一连接电极与所述第一发光元件的第一端部接触,
所述第二连接电极的所述第一接触部与所述第一发光元件的第二端部接触,并且
所述第一连接部与所述第二发光元件的第一端部接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述多个发光元件还包括:
第三发光元件,在所述第一方向上与所述第一发光元件间隔开,并且设置在所述第一电极线和所述第一电极上;以及
第四发光元件,在所述第二方向上与所述第三发光元件间隔开,并且设置在所述第二电极线和所述第一电极上,并且
所述显示装置还包括:
第三连接电极,在所述第一方向上与所述第二连接电极的所述第一接触部间隔开,并且设置在所述第一电极线上;以及
第四连接电极,所述第四连接电极包括:第三接触部,在所述第二方向上与所述第二接触部间隔开,并且设置在所述第二电极线上;第四接触部,在所述第一方向上与所述第二接触部间隔开,并且设置在所述第一电极上;以及第二连接部,将所述第三接触部连接到所述第四接触部。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第二连接电极的所述第二接触部与所述第三发光元件的第一端部和所述第四发光元件的一端部接触,
所述第二连接部与所述第二发光元件的第二端部接触,并且
所述第三连接电极与所述第三发光元件的第二端部接触。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第二连接电极的所述第二接触部在所述第二方向上的宽度比所述第四连接电极的所述第四接触部在所述第二方向上的宽度大。
11.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述多个发光元件还包括:第五发光元件,在所述第一方向上与所述第四发光元件间隔开,并且设置在所述第二电极线和所述第一电极上,并且
所述显示装置还包括:共连接电极,与所述第五发光元件的一端部接触,并且设置在所述第二电极线上。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第三连接电极电连接到所述共连接电极。
13.根据权利要求8所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一绝缘层,设置在所述第一电极和所述第二电极上;
第二绝缘层,设置在所述多个发光元件上;以及
第三绝缘层,设置在所述第二绝缘层上,
其中,所述第一连接电极和所述第三连接电极设置在所述第三绝缘层上,并且
所述第二连接电极和所述第四连接电极设置在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,
与所述第一发光元件的端部接触的所述第一连接电极和所述第二连接电极设置在不同的层,并且
与所述第二发光元件的端部接触的所述第二连接电极和所述第四连接电极设置在同一层。
15.一种显示装置,所述显示装置包括:
多个子像素,布置在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上,
其中,所述多个子像素包括:
第一电极,在所述第一方向上延伸;
第二电极,所述第二电极包括:第一电极线,设置在所述第一电极的在所述第二方向上的一侧;以及第二电极线,设置在所述第一电极的在所述第二方向上的另一侧;以及
多个发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极上,
所述第一电极包括通过使所述第一电极的面对所述第一电极线的一侧部分地凹入而形成的凹部,
所述第二电极的所述第一电极线包括设置在所述第二电极线的面对所述第一电极的一侧并且置于所述凹部中的凸部,并且
所述多个发光元件包括:
第一发光元件,设置在所述第一电极和所述第一电极线的在所述第一方向上延伸的部分上;
第二发光元件,设置在所述第一电极的所述凹部中,并且设置在所述第二电极的所述凸部上;
第三发光元件,设置在所述第一电极和所述第一电极线的在所述第一方向上延伸的部分上,并且在所述第一方向上与所述第一发光元件间隔开;
第四发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极线的在所述第一方向上延伸的部分上,并且在所述第二方向上与所述第三发光元件间隔开;以及
第五发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极线的在所述第一方向上延伸的部分上,并且在所述第一方向上与所述第四发光元件间隔开。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,
所述第一电极的所述凹部包括:第一凹入部分,在所述第二方向凹入;以及第二凹入部分,在与所述第一方向和所述第二方向交叉的斜线方向上凹入;并且
所述第二电极的所述凸部包括:第一突起部分,在所述第二方向上突出;以及第二突起部分,在所述斜线方向上突出。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第二发光元件设置在沿所述斜线方向凹入的所述第二凹入部分和沿所述斜线方向突出的所述第二突起部分上。
18.根据权利要求16所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一连接电极,设置在所述第一电极上;
第二连接电极,所述第二连接电极包括:第一接触部,在所述第二方向上与所述第一连接电极间隔开,并且设置在所述第一电极线上;第二接触部,在所述第一方向上与所述第一连接电极间隔开,并且设置在所述第一电极上;以及第一连接部,将所述第一接触部连接到所述第二接触部;
第三连接电极,在所述第一方向上与所述第二连接电极的所述第一接触部间隔开,并且设置在所述第一电极线上;
第四连接电极,所述第四连接电极包括:第三接触部,在所述第二方向上与所述第二接触部间隔开,并且设置在所述第二电极线上;第四接触部,在所述第一方向上与所述第二接触部间隔开,并且设置在所述第一电极上;以及第二连接部,将所述第三接触部连接到所述第四接触部;以及
共连接电极,在所述第二方向上与所述第四接触部间隔开,并且设置在所述第二电极线上。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件的端部与所述第一连接电极和所述第二连接电极的所述第一接触部接触,
所述第二发光元件的端部与所述第二连接电极的所述第一连接部和所述第四连接电极的所述第二连接部接触,
所述第一连接电极和所述第二连接电极的所述第一接触部设置在不同的层,并且
所述第一连接部和所述第二连接部设置在同一层。
20.根据权利要求18所述的显示装置,所述显示装置还包括:堤层,围绕发射区域,所述多个子像素的所述多个发光元件设置在所述发射区域中,
其中,所述多个子像素包括:第一子像素,在所述第一子像素中,所述第一连接电极设置为与所述发射区域的在所述第一方向上一侧相邻;以及第二子像素,在所述第二子像素中,所述第一连接电极设置为与所述发射区域的在所述第一方向上的另一侧相邻。
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