CN116895569A - 基板处理系统及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

提供一种能够将不会在处理液的供给线路的中途产生尺寸大的气泡且包含高浓度的微细气泡的处理液向被处理基板供给的基板处理系统和基板处理方法。提供具备气体溶解水生成箱(51)，药液稀释模块(52)和基板处理模块的基板处理系统(50)。基板处理模块具备向基板(W)供给处理液的处理液供给喷嘴。处理液供给喷嘴具有从稀释药液产生气体的微细气泡的减压开放部。处理液供给喷嘴在对基板(W)进行擦洗处理的工序中供给包含微细气泡的稀释药液。

Description

基板处理系统及基板处理方法

技术领域

本发明涉及一种基板处理系统及基板处理方法，尤其涉及对基板进行研磨处理或清洗处理的基板处理装置。

背景技术

在半导体元件的制造中，在对基板的表面进行平坦化处理的CMP(ChemicalMechanical Polishing)装置，进行清洗处理和干燥处理，该清洗处理使用包括磨粒和研磨助剂的悬浊液(浆料)对基板的表面进行研磨处理后使用清洗液将附着在基板的表面及背面的浆料除去，该干燥处理将由于清洗处理而附着在基板的表面及背面的液滴除去。

在清洗处理不恰当的情况下，会在元件的构造产生缺陷，由此产生元件的特性不良，因此需要选择不会产生元件的破坏、腐蚀，而在短时间确实地将浆料除去的清洗处理方法。

例如如专利文献1记载的基板清洗方法所示，使用通过辊状或笔状的海绵部件进行的擦洗清洗，在其擦洗清洗的过程中供给由各种药液构成的清洗液。

专利文献2记载的基板处理装置被构成为，当对基板进行擦洗清洗时，将含有清洗效果高的纳米气泡的清洗液向清洗部件(海绵部件)的内部供给，使清洗液从清洗部件的表面到达基板上。含有纳米气泡的清洗液的供给部具有清洗液供给源、气体溶解部、过滤器和供给线路。清洗液供给源预先调整规定的浓度且脱气了的清洗液而且与供给线路连接。气体溶解部例如借助膜片将气体对流过供给线路的清洗液加压，使气体溶解于清洗液。此时通过使气体包含在清洗液中达到过饱和状态，从而能够在清洗液中产生纳米气泡。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5866227号公报

专利文献2：日本特开2020－174081号公报

发明要解决的课题

但是，在专利文献2记载的基板处理装置中，气体溶解部借助膜片进行气体的加压从而使气体溶解到过饱和状态，因此清洗液中剩余气体成分作为尺寸大的气泡而产生。尺寸大的气泡存在滞留于供给线路的中途的弯曲部位而显著阻碍清洗液的流动的课题，作为其对策需要在供给线路设置过滤器等而追加将尺寸大的气泡除去的机构。而且，在借助膜片的溶解方法的情况下，需要将清洗液的压力下降到不足规定值，但是另一方面气体的饱和溶解浓度也依存于液体的压力，存在高浓度的气体的溶解及高浓度的气泡的产生困难的课题。

发明内容

于是，本发明的目的是提供一种能够将不会在处理液的供给线路的中途产生尺寸大的气泡并且包含高浓度的微细气泡的处理液向被处理基板供给的基板处理系统及基板处理方法。

用于解决课题的技术手段

在一个形态中，提供一种基板处理系统，具备：气体溶解水生成箱，该气体溶解水生成箱使气体在第一压力下溶解在纯水中；药液稀释模块，该药液稀释模块使药液和在所述气体溶解水生成箱生成的气体溶解水按规定的体积比混合；以及基板处理模块，该基板处理模块对基板进行处理。所述基板处理模块具备：基板保持机构，该基板保持机构保持所述基板；擦洗处理部件，该擦洗处理部件与所述基板接触而对所述基板进行擦洗处理；以及处理液供给喷嘴，该处理液供给喷嘴向所述基板供给处理液，所述处理液供给喷嘴具有减压开放部，该减压开放部通过使在所述药液稀释模块混合出的稀释药液从所述第一压力减压到第二压力，从而从所述稀释药液产生所述气体的微细气泡，所述处理液供给喷嘴在对所述基板进行擦洗处理的工序中供给包含所述微细气泡的稀释药液。

在一个形态中，所述减压开放部由配置在所述处理液供给喷嘴的内部流路或即将到所述处理液供给喷嘴的内部流路之前的流路的至少一个以上的节流孔板构成，所述节流孔板通过自身具有的压力损失作用使所述稀释药液减压到所述第二压力，同时产生所述微细气泡。

在一个形态中，所述基板处理系统具备：配置在所述气体溶解水生成箱的上游侧的流路的气体供给源、纯水供给源及送水泵，所述送水泵以使所述气体溶解水生成箱内的压力成为所述第一压力的方式将纯水向所述气体溶解水生成箱移送。

在一个形态中，所述气体由氮、氢、氧、臭氧、二氧化碳、氖、氩、氙、氪中的至少一个以上的成分构成。

在一个形态中，所述基板处理系统具备配置在所述药液稀释模块的上游侧的流路的送液泵，所述送液泵以成为所述第一压力的方式将所述药液向所述药液稀释模块移送。

在一个形态中，所述基板处理模块具备清洗模块，所述药液为清洗液的原液，所述擦洗处理部件具备海绵清洗部件及抛光清洗部件中的至少一个。

在一个形态中，所述处理液供给喷嘴在所述清洗模块中配置在相对于旋转着的所述基板的半径方向进行摆动的摆动臂，从所述基板的中心部到周缘部一致地供给包含所述微细气泡的清洗液。

在一个形态中，所述处理液供给喷嘴在所述清洗模块中配置在从所述基板的位置离开的自清洗位置，向在所述自清洗位置待机的所述擦洗处理部件供给包含所述微细气泡的清洗液或包含所述微细气泡的气体溶解水。

在一个形态中，所述基板处理模块具备研磨模块，所述药液为浆料的原液，所述擦洗处理部件具备研磨垫。

在一个形态中，所述处理液供给喷嘴在所述研磨模块中配置在旋转着的所述研磨垫的上方，以浸入旋转着的所述基板与所述研磨垫的接触界面的方式供给包含所述微细气泡的所述浆料。

在一个形态中，基板处理系统具备纯水供给喷嘴，该纯水供给喷嘴沿所述研磨垫的半径方向延伸，且具有从所述气体溶解水产生所述微细气泡的减压开放部，在所述基板的研磨结束后，所述纯水供给喷嘴在所述研磨垫的修整中供给包含所述微细气泡的气体溶解水。

在一个形态中，所述基板处理系统具备单个或多个气体溶解水喷嘴，该气体溶解水喷嘴配置于能够沿所述研磨垫的半径方向摆动的喷嘴臂，将包含所述微细气泡的气体溶解水向所述研磨垫上供给，在所述基板的研磨结束后，所述气体溶解水喷嘴在使所述基板与所述研磨垫接触的状态下将包含所述微细气泡的气体溶解水向所述研磨垫上供给。

在一个形态中，提供一种对基板进行处理的基板处理方法。基板处理方法在气体溶解水生成箱中，使气体在第一压力下溶解在纯水中，在药液稀释模块中，使药液和在所述气体溶解水生成箱生成的气体溶解水按规定的体积比混合，使在所述药液稀释模块混合出的稀释药液在配置于处理液供给喷嘴的内部流路或即将到处理液供给喷嘴的内部流路之前的流路的减压开放部通过，通过从所述第一压力减压到第二压力，从而从所述稀释药液产生所述气体的微细气泡，在对所述基板进行擦洗处理的工序中，供给包含所述微细气泡的稀释药液。

在一个形态中，所述气体由氮、氢、氧、臭氧、二氧化碳、氖、氩、氙、氪中的至少一个以上的成分构成。

在一个形态中，所述药液为清洗液的原液，一边使具备海绵清洗部件和抛光清洗部件中的至少一个的擦洗处理部件与所述基板接触，一边供给包含所述微细气泡的稀释药液。

在一个形态中，所述药液为浆料的原液，一边使具备研磨垫的擦洗处理部件与所述基板接触，一边供给包含所述微细气泡的稀释药液。

在一个形态中，在所述基板的研磨结束后，在所述研磨垫的修整中，从纯水供给喷嘴供给包含所述微细气泡的气体溶解水，该纯水供给喷嘴具有从所述气体溶解水产生所述微细气泡的减压开放部。

在一个形态中，在所述基板的研磨结束后，在使所述基板与所述研磨垫接触的状态下，从配置于能够沿所述研磨垫的半径方向摆动的喷嘴臂而将包含所述微细气泡的气体溶解水向所述研磨垫上供给的单个或多个气体溶解水喷嘴，将包含所述微细气泡的气体溶解水向所述研磨垫上供给。

在一个形态中，在对所述基板进行擦洗处理后，将所述擦洗处理部件向从所述基板的位置离开的自清洗位置搬送，向在所述自清洗位置待机的所述擦洗处理部件供给包含所述微细气泡的清洗液或包含所述微细气泡的气体溶解水。

发明效果

处理液供给喷嘴具有产生气体的微细气泡的减压开放部。因此，在供给线路的中途不产生尺寸大的气泡，而在进行基板的处理的使用点附近产生微细气泡。由此，能够将包含高浓度的微细气泡的药液向被处理基板供给。

附图说明

图1是表示基板处理装置的整体结构的俯视图。

图2是表示基板处理系统的图。

图3是表示第一清洗模块的图。

图4是表示第二清洗模块的图。

图5是表示在第一清洗模块中供给包含微细气泡的稀释药液的机构的一个实施方式的图。

图6是表示在第二清洗模块中供给包含微细气泡的稀释药液的机构的一个实施方式的图。

图7是表示基板处理系统的其它实施方式的图。

图8是表示研磨模块的图。

图9是表示在研磨模块中供给包含微细气泡的浆料的机构的一个实施方式的图。

图10是表示基于第一清洗模块的基板的表面及背面的清洗工序的图。

图11是表示基于第二清洗模块的基板的表面及背面的清洗工序的图。

图12是表示基于研磨模块的基板的研磨工序的图。

图13是表示由包含微细气泡的清洗液对基板进行了清洗时的效果的图。

图14是表示由包含微细气泡的浆料对基板进行了研磨时的效果的图。

图15是表示液体供给机构的图。

图16是表示基于控制装置的、基板的处理流程的图。

图17是表示研磨装置的其它实施方式的图。

图18是表示基于控制装置的、基板的处理流程的其它实施方式的图。

图19是表示第一清洗模块的其它实施方式的立体图。

图20是表示图19所示的第一清洗模块的截面图。

图21是表示第二清洗模块的其它实施方式的立体图。

图22是表示图21所示的第二清洗模块的截面图。

符号说明

1基板处理装置

2研磨部

4清洗部

10壳体

12装载端口

14a～14d研磨模块

16第一清洗模块

18第二清洗模块

20干燥模块

22第一搬送机器人

24搬送模块

26第二搬送机器人

28第三搬送机器人

30控制装置

50基板处理系统

51气体溶解水生成箱

52药液稀释模块

53送水泵

54送液泵

55流量控制器

56压力计

57流量控制器

60基板保持机构

61、62擦洗处理部件(清洗部件)

63a、63b旋转机构

64a、64b升降机构

65、66处理液供给喷嘴(药液供给喷嘴)

65a、66a减压开放部

65b、66b阀门

67、68处理液供给喷嘴(纯水供给喷嘴)

67a、68a减压开放部

67b、68b阀门

70基板保持机构

70a～70d卡盘

70e电机

71擦洗处理部件(清洗部件)

72移动式药液供给喷嘴

72a减压开放部

72b阀门

73臂

75、76处理液供给喷嘴(药液供给喷嘴)

75a、76a减压开放部

75b、75b阀门

77、78处理液供给喷嘴(纯水供给喷嘴)

77a、78a减压开放部

77b、78b阀门

79臂摆动机构

79a回旋轴

79b旋转机构

80研磨台

81基板保持机构(顶环)

81a轴

81b支承臂

82处理液供给喷嘴(浆料供给喷嘴)

82a减压开放部

82b阀门

83轴

84研磨垫

84a研磨面

85处理液供给喷嘴(纯水供给喷嘴)

85a减压开放部

85b阀门

104液体供给机构

110修整装置

111修整器臂

112修整器回旋轴

115修整器

120旋转卡盘

121清洗辊

122清洗部件

123清洗液喷嘴

124自清洁部

126心轴

127块

128支承柱

129石英板

130喷嘴臂

130a顶端部分

130b臂部分

132纯水喷嘴

133A～133E气体溶解水供给喷嘴

140自清洁槽

141浆料供给源

142浆料线路

143开闭阀

144纯水供给源

145纯水线路

146开闭阀

151处理液供给喷嘴

151a减压开放部

152气体溶解水供给线路

153A～153E分支线路

154A～154E开闭阀

155开闭阀

156A、156B三通阀

157旁通线路

158超微气泡过滤器

159微米气泡过滤器

160颗粒计数器

170气体溶解水分配线路

171A、171B分配线路

171Ba分支线路

172A、172B、172D清洗喷嘴

180自清洁液喷嘴(处理液供给喷嘴)

180a减压开放部

202旋转卡盘

203清洗部件(擦洗处理部件)

207摆动臂

208清洗液喷嘴

209自清洁部

210旋转轴

214支承板

215石英板

216自清洁液喷嘴(处理液供给喷嘴)

216a减压开放部

220自清洁槽

221排液配管

GS气体供给源

GL气体线路

PS纯水供给源

PL纯水线路

DL气体排出线路

DVL阀门

MS药液供给源

CML药液线路

CL循环线路

SL1～SL4气体溶解水供给线路

SLa药液供给线路

P1压力计

VL1(67b、68b)阀门

VL2(77b、78b)阀门

VLa～VLd阀门

Va、Vb阀门

V1、V2阀门

BL旁通线路

L1、L2连接线路。

具体实施方式

图1是表示基板处理装置的整体结构的俯视图。如图1所示，基板处理装置1具备壳体10，和载置对多个半导体晶片等基板进行储存的基板盒的装载端口12。装载端口12与壳体10相邻配置。

基板处理装置1具备配置在壳体10的内部的研磨部2及清洗部4。研磨部2具备多个(本实施方式中为四个)研磨模块14a～14d。清洗部4具备对研磨的基板进行清洗的第一清洗模块16和第二清洗模块18，以及使清洗了的基板干燥的干燥模块20。

研磨模块14a～14d沿基板处理装置1的长度方向排列。同样，第一清洗模块16、第二清洗模块18、及干燥模块20沿基板处理装置1的长度方向排列。

基板处理装置1具备与装载端口12相邻配置的第一搬送机器人22，和与研磨模块14a～14d相邻配置的搬送模块24。第一搬送机器人22从装载端口12接受研磨前的基板而交接给搬送模块24，而且从干燥模块20接受干燥后的基板而返回装载端口12。搬送模块24搬送从第一搬送机器人22接受的基板，在各研磨模块14a～14d之间进行基板的交接。

基板处理装置1具备配置在第一清洗模块16与第二清洗模块18之间的第二搬送机器人26，和配置在第二清洗模块18与干燥模块20之间的第三搬送机器人28。第二搬送机器人26在搬送模块24与各清洗模块16、18之间进行基板的交接。第三搬送机器人28在各模块18、20之间进行基板的交接。

基板处理装置1具备配置在壳体10的内部的控制装置30。控制装置30构成为对基板处理装置1的各设备的工作状态进行控制。在本实施方式中，控制装置30尤其构成为对后述的基板处理系统50的动作进行控制。

图2是表示基板处理系统的图。基板处理装置1具备基板处理系统50。基板处理系统50具备使气体在第一压力下溶解在纯水中的气体溶解水生成箱51、使药液与气体溶解水按规定的体积比混合的药液稀释模块52，以及对基板进行处理的基板处理模块。在一个实施方式中，药液也可以是被加热的加热药液。

在本实施方式中，基板处理系统50具备对基板进行清洗处理的第一清洗模块16和第二清洗模块18作为基板处理模块，但是在一个实施方式中，基板处理系统50也可以具备第一清洗模块16和第二清洗模块18中的任一个。

图3是表示第一清洗模块的图。如图3所示，第一清洗模块16具备一边保持基板W一边使基板W旋转的基板保持机构60、与基板W接触而对基板W进行擦洗处理的擦洗处理部件(在本实施方式中，为清洗部件)61、62、对基板W的表面及背面供给处理液(在本实施方式中，为稀释药液)的处理液供给喷嘴(在本实施方式中，为药液供给喷嘴)65、66，以及对基板W的表面及背面供给处理液(在本实施方式中，为纯水)的处理液供给喷嘴(在本实施方式中，为纯水供给喷嘴)67、68。

各清洗部件61、62是具有圆筒形状，且长度方向的长度比基板W的直径长的海绵部件。作为海绵部件的材质，优选为亲水性高的材质，例如最好是PU(聚氨基甲酸乙酯)、PVAc(聚乙烯缩醛)等。在一个实施方式中，各清洗部件61、62也可以是抛光清洗部件。

各清洗部件61、62配置成使其中心轴的方向相对于基板W的面(即，表面及背面)平行。以下，有时将清洗部件61称作上侧辊清洗部件61，有时将清洗部件62称作下侧辊清洗部件62。

基板保持机构60具备使基板W的表面朝上地将基板W保持成水平而使基板W旋转的四个辊60a～60d。辊60a～60d构成为能够通过未图示的驱动机构(例如，气缸)向彼此接近和离开的方向移动。在本实施方式中，基板保持机构60作为其构成要素具备辊60a～60d，但是，基板保持机构60只要能够保持基板W的侧面即可，不限于辊。例如也可以取代辊而具备多个夹具(未图示)。夹具构成为能够在保持基板W的周缘部的位置与从基板W离开的位置之间移动。

在一个实施方式中，基板保持机构60也可以构成为沿铅直方向保持基板W。在此情况下，辊60a～60d(或夹具)纵置地配置。第一清洗模块16具备使上侧辊清洗部件61和下侧辊清洗部件62旋转的旋转机构63a、63b。

上侧辊清洗部件61和下侧辊清洗部件62分别支承于升降机构64a、64b，能够通过升降机构64a、64b沿上下方向移动。作为各个升降机构64a、64b的一例，可以列举使用滚珠丝杠的电机驱动机构或气缸。

当基板W搬入搬出时，上侧辊清洗部件61和下侧辊清洗部件62彼此离开。当基板W的清洗时，上侧辊清洗部件61和下侧辊清洗部件62向彼此接近的方向移动，与基板W的表面及背面接触。然后，上侧辊清洗部件61和下侧辊清洗部件62分别通过旋转机构63a、63b旋转，对基板W进行擦洗(擦洗清洗)。

图4是表示第二清洗模块图的。如图4所示，第二清洗模块18具备：一边保持基板W一边使基板W旋转的基板保持机构70、与基板W接触而对基板W进行擦洗处理的擦洗处理部件(在本实施方式中，为清洗部件)71、与清洗部件71连结的臂(更具体而言，摆动臂)73、使臂73沿水平方向摆动的臂摆动机构79、朝向基板W的表面及背面供给处理液(在本实施方式中，为稀释药液)的处理液供给喷嘴(在本实施方式中，为药液供给喷嘴)75、76，以及朝向基板W的表面及背面供给处理液(在本实施方式中，为纯水)的处理液供给喷嘴(在本实施方式中，为纯水供给喷嘴)77、78。

基板保持机构70具备保持基板W的周缘部的卡盘70a～70d，和与卡盘70a～70d连结的电机70e。卡盘70a～70d对基板W进行保持，通过驱动电机70e，基板W以其轴心为中心旋转。

清洗部件71是具有笔形状，且一边绕清洗部件71的中心轴旋转一边与基板W的表面接触，对基板W进行擦洗的海绵部件。以下，有时将清洗部件71称作笔清洗部件71。

臂73配置在基板W的上方，与臂摆动机构79连结。臂摆动机构79具备回旋轴79a和旋转机构79b。臂73的一端与回旋轴79a连结，臂73的另一端与笔清洗部件71连结。笔清洗部件71的中心轴的方向相对于基板W的表面(或背面)垂直。

使臂73回旋的旋转机构79b与回旋轴79a连结。旋转机构79b构成为，通过使回旋轴79a旋转规定的角度旋转，从而使臂73在与基板W平行的平面内回旋。笔清洗部件71通过臂73的回旋而沿基板W的半径方向移动。回旋轴79a能够通过升降机构(未图示)沿上下方向移动，将笔清洗部件71以规定的压力按压在基板W的表面而对基板W进行擦洗(擦洗清洗)。作为升降机构的一例，可列举使用滚珠丝杠的电机驱动机构或气缸。

如上所述，当辊清洗部件61和下侧辊清洗部件62对基板W进行擦洗时，第一清洗模块16通过药液供给喷嘴65、66向基板W的表面及背面供给药液。同样，当笔清洗部件71对基板W进行擦洗时，第二清洗模块18通过药液供给喷嘴75、76向基板W的表面及背面供给药液。

如图2所示，基板处理系统50具备配置在气体溶解水生成箱51的上游侧的流路的气体供给源GS和纯水供给源PS，以及送水泵53。送水泵53构成为，以使气体溶解水生成箱51内的压力成为规定的压力(即，第一压力)的方式将纯水向气体溶解水生成箱51移送。换言之，送水泵53的排出压力相当于第一压力。气体由氮、氢、氧、臭氧、二氧化碳、稀有气体(氖、氩、氙、氪)中的至少一个以上的成分构成。

基板处理系统50具备连接气体供给源GS及气体溶解水生成箱51的气体线路GL，和连接纯水供给源PS及气体溶解水生成箱51的纯水线路PL。送水泵53与纯水线路PL连接。

当气体及纯水各自分别通过气体线路GL及纯水线路PL向气体溶解水生成箱51供给时，气体及纯水在气体溶解水生成箱51在第一压力下被混合。作为气体及纯水的混合液的气体溶解水在气体溶解水生成箱51被贮存。

将剩余气体排出的气体排出线路DL与气体溶解水生成箱51的上部连接。气体排出线路DL与阀门DVL连接。当打开阀门DVL时，气体溶解水生成箱51内的剩余气体通过气体排出线路DL向外部排出。

基板处理系统50具备使气体溶解水生成箱51内的气体溶解水循环的循环线路CL、将在循环线路CL流动的气体溶解水向纯水供给喷嘴67、68供给的气体溶解水供给线路SL1，以及将在循环线路CL流动的气体溶解水向纯水供给喷嘴77、78供给的气体溶解水供给线路SL2。循环线路CL与压力计P1连接。

阀门VL1与气体溶解水供给线路SL1连接，阀门VL2与气体溶解水供给线路SL2连接。阀门VL1相当于后述的阀门67b、68b(参照图5)，阀门VL2相当于后述的阀门77b、78b(参照图6)。

气体溶解水生成箱51内的气体溶解水在循环线路CL循环。当气体溶解水在循环线路CL循环时，气体溶解水中包含的气体的气泡浓度及/或气体溶解水的流量稳定。

如图2所示，基板处理系统50具备配置在供给线路SL2的、与循环线路CL的连接部分的下游侧的阀门Va、连接阀门Va的下游侧的循环线路CL与供给线路SL1的旁通线路BL、以及与旁通线路BL连接的阀门Vb。阀门Va与循环线路CL连接。

当控制装置30关闭阀门Va、Vb、打开阀门VL1、VL2时，在循环线路CL流动的气体溶解水分别通过纯水供给喷嘴67、68、77、78向基板W供给。

在一个实施方式中，基板处理系统50也可以设置与循环线路CL连接的气泡浓度计及/或流量计。通过这样的结构，控制装置30能够根据由气泡浓度计及/或流量计检测的信号对阀门VL1、VL2的开闭动作进行控制。

旁通线路BL配置用来使循环线路CL的循环流路缩短。通过关闭阀门VL1、VL2、Va、打开阀门Vb，气体溶解水在循环线路CL的一部分与旁通线路BL之间循环。

基板处理系统50具备用来将在循环线路CL流动的气体溶解水向药液稀释模块52移送的连接线路L1、L2，和与连接线路L1、L2连接的阀门V1、V2。

连接线路L1是将气体溶解水向药液稀释模块52移送的配管。连接线路L1连接循环线路CL及药液稀释模块52，在沿循环线路CL流动的气体溶解水的流动方向上，配置在连接线路L2的上游侧。连接线路L2与循环线路CL及连接线路L1连接。连接线路L2，是用来在不将气体溶解水向药液稀释模块52移送的情况下借助循环线路CL使气体溶解水返回气体溶解水生成箱51的配管。

当打开阀门V1且关闭阀门V2时，在循环线路CL流动的气体溶解水通过连接线路L1向药液稀释模块52移送。当关闭阀门V1且打开阀门V2时，在循环线路CL流动的气体溶解水通过连接线路L2(及连接线路L1)返回气体溶解水生成箱51。

基板处理系统50具备配置在药液稀释模块52的上游侧的流路的药液供给源MS、连接药液稀释模块52及药液供给源MS的药液线路CML，以及与药液线路CML连接的送液泵54。送液泵54是配置在药液稀释模块52的上游侧的流路，被构成为，以成为规定的压力(即，第一压力)的方式，将药液向药液稀释模块52移送。在本实施方式中，药液为清洗液的原液。

如图2所示，基板处理系统50具备与药液线路CML连接的流量控制器55，和与连接线路L1连接的流量控制器57。控制装置30根据由流量控制器55、57检测的信号，对在药液线路CML流动的药液的流量，和在连接线路L1流动的气体溶解水的流量进行测定，控制向药液稀释模块52供给的药液的流量及气体溶解水的流量。这样，控制装置30能够在药液稀释模块52中将药液与气体溶解水按规定的体积比混合。

基板处理系统50具备将在药液稀释模块52混合出的稀释药液向药液喷嘴65、66及药液喷嘴75、76供给的药液供给线路SLa、与药液供给线路SLa连接的压力计56，和与药液供给线路SLa连接的阀门VLa及阀门VLb。阀门VLa相当于后述的阀门65b、66b(参照图5)，阀门VLb相当于后述的阀门75b、76b(参照图6)。以下，对向基板W供给包含微细气泡的药液的机构进行说明。

图5是表示在第一清洗模块中供给包含微细气泡的稀释药液的机构的一个实施方式的图。第一清洗模块16具备朝向基板W的表面W1及背面W2供给稀释药液的药液供给喷嘴65、66。药液供给喷嘴65、66分别与药液供给线路SLa连接。

如图5所示，药液供给喷嘴65、66分别具有配置在其内部流路的、使从药液稀释模块52供给的稀释药液的压力降低的减压开放部65a、66a。

减压开放部65a、66a是取得高压力损失的机构，作为一例列举节流孔板。减压开放部65a、66a分别构成为，通过使在药液稀释模块52混合出的稀释药液从第一压力(例如，0.4～0.5MPa)减压到第二压力(例如，流体静压(约0.1MPa))，从而从稀释药液产生气体的微细气泡。第二压力是小于第一压力的压力。微细气泡是包括超微气泡(即，纳米气泡)、微米气泡的上位概念。

更具体而言，减压开放部65a、66a分别通过加压溶解方式从稀释药液产生气体的微细气泡，该加压溶解方式通过由气体溶解水生成箱51混合成饱和状态的气体溶解水(即，饱和溶液)的急减压来产生微细气泡。在气体溶解水生成箱51内未溶解的剩余气体通过气体排出线路DL向外部排出。

当稀释药液通过减压开放部65a、66a时，稀释药液的压力急剧地降低，到那时为止由高压力作用而溶解在药液中的高浓度的气体作为微细气泡来产生。由此，高浓度的包含微细气泡的稀释药液向清洗处理中(即，基板进行擦洗处理的工序中)的基板供给。

在本实施方式中，减压开放部65a、66a配置在药液供给喷嘴65、66的内部，但是在一个实施方式中，减压开放部65a、66a也可以设置在即将到药液供给喷嘴65、66之前的流路(即，比阀门65b、66b更接近药液供给喷嘴65、66的药液供给线路SLa)。本实施方式中也同样，能够生成高浓度的包含微细气泡的稀释药液。

减压开放部65a、66a是药液供给喷嘴65、66的构成要素的一部分，在减压开放部65a、66a配置在药液供给线路SLa的情况下，药液供给喷嘴65、66也具有减压开放部65a、66a。

如图5所示，纯水供给喷嘴67、68也可以具有配置在其内部流路、或即将到纯水供给喷嘴67、68之前的流路(即，比阀门67b、68b更接近药液供给喷嘴67、68的药液供给线路SL1)的减压开放部67a、68a。通过这样的结构，能够将高浓度的包含微细气泡的纯水向清洗处理中的基板供给。

图6是表示第二清洗模块中供给包含微细气泡的稀释药液的机构的一个实施方式图。第二清洗模块18具备从固定的位置朝向基板W的表面W1及背面W2供给稀释药液的药液供给喷嘴75、76，和从臂73的下表面朝向基板W的表面W1供给稀释药液的移动式药液供给喷嘴72。

移动式药液供给喷嘴72与笔清洗部件71同样地通过臂73的回旋而沿旋转着的基板W的半径方向。移动式药液供给喷嘴72在笔清洗部件71从基板W的中心部向周缘部移动的过程中位于比笔清洗部件71更靠前方。换言之，移动式药液供给喷嘴72在基板W的旋转方向上配置在比笔清洗部件71更靠前方侧。

药液供给喷嘴72、75、76分别具有配置在其内部流路的、使从药液稀释模块52供给的稀释药液的压力降低的各个减压开放部72a、75a、76a。当稀释药液在减压开放部72a、75a、76a通过时，溶解在稀释药液中的高浓度的气体作为微细气泡产生。在一个实施方式中，减压开放部72a、75a、76a也可以配置在即将到药液供给喷嘴72、75、76之前的流路。

纯水供给喷嘴77、78也可以分别具有配置在其内部流路的、或配置在即将到各个纯水供给喷嘴77、78之前的流路的各个减压开放部77a、78a。减压开放部72a、75a、76a、77a、78a的结构与减压开放部65a、66a、67a、68a的结构相同，因此省略详细说明。

根据本实施方式，高浓度的气体以高浓度溶解在气体溶解水生成箱51中，在维持其高压力的状态下在药液稀释模块52中对稀释药液进行调整。进而在基板处理模块具备的处理液供给机构附近的减压开放部中产生微细气泡。因此，在供给线路SLa、SL1的中途不产生尺寸大的气泡，在基板进行处理的使用点附近产生微细气泡。结果是，基板处理系统50能够将高浓度的包含微细气泡的药液(及气体溶解水)向被处理基板供给。

图7是表示基板处理系统的其它实施方式的图。在本实施方式中，对于与上述实施方式相同的构造赋予相同的符号，省略重复的说明。

如图7所示，基板处理系统50具备使气体在第一压力下溶解在纯水中的气体溶解水生成箱51、使药液(在本实施方式中，为浆料的原液)和气体溶解水以规定的体积比混合的药液稀释模块52，以及作为基板处理模块对基板进行研磨处理的研磨模块14a～14d。在本实施方式中，基板处理系统50具备四台研磨模块14a～14d，但是在一个实施方式中，基板处理系统50也可以具备至少一台研磨模块14。

在本实施方式中，基板处理系统50具有数量与研磨模块14a～14d的数量对应的阀门82b(即，图7所示的VLa、VLb、VLc、VLd)(参照后述的图8)。阀门82b与药液供给线路SLa连接。

同样，基板处理系统50具备数量与研磨模块14a～14d的数量对应的气体溶解水供给线路SL1、SL2、SL3、SL4及阀门85b(即，图7所示的VL1、VL2、VL3、VL4)(参照后述的图8)。阀门85b与气体溶解水供给线路SL1～SL4分别连接。旁通线路BL与气体溶解水供给线路SL1～SL3分别连接。

图8是表示研磨模块的图。在以下所示的实施方式中，有时将研磨模块14a～14d统称为研磨模块14，有时将气体溶解水供给线路SL1～SL4统称为气体溶解水供给线路SL。

研磨模块14作为擦洗处理部件，以能够使用具有研磨面84a的研磨垫84对基板W进行研磨的方式构成。如图8所示，研磨模块14具备支承研磨垫84的研磨台80、将基板W保持着推碰到研磨面84a的基板保持机构(顶环)81、向研磨面84a的表面供给浆料的处理液供给喷嘴(在本实施方式中，为浆料供给喷嘴)82，以及供给用来将附着在研磨面84a的表面的浆料除去的纯水(即，气体溶解水)的处理液供给喷嘴(在本实施方式中，为纯水供给喷嘴)85。纯水供给喷嘴85换言之为雾化器。因此，以下，有时将纯水供给喷嘴85称作雾化器85。

研磨模块14还具备用来修整研磨垫84的修整装置110。修整装置110具备与研磨垫84的研磨面84a滑动接触的修整器115、支承修整器115的修整器臂111，和使修整器臂111回旋的修整器回旋轴112。修整器回旋轴112配置在研磨垫84的外侧。

伴随修整器臂111的回旋，修整器115在研磨面84a上摆动。修整器115的下表面构成由金刚石颗粒等多个磨粒构成的修整面。修整器115一边在研磨面上摆动一边旋转，通过稍稍切削研磨垫84来修整研磨面。

如图7及图8所示，浆料供给喷嘴82与药液供给线路SLa连接，雾化器85(即，纯水供给喷嘴)与气体溶解水供给线路SL连接。因此，浆料供给喷嘴82通过药液供给线路SLa将包含微细气泡的稀释浆料向研磨垫84上供给，雾化器85通过气体溶解水供给线路SL将包含微细气泡的气体溶解水向研磨垫84上供给。在一个实施方式中，雾化器85也可以供给由超声波振动激发的气体溶解水(超声波水)。

研磨台80形成为圆盘状，构成为能够以其中心轴作为旋转轴线进行旋转。在研磨台80的上表面粘贴了研磨垫84。通过由未图示的电机使研磨台80旋转，从而研磨垫84与研磨台80一体地旋转。

顶环81通过真空吸附等而将基板W保持在其下表面。顶环81构成为能够通过来自未图示的电机的动力与基板W一起旋转。顶环81的上部通过轴81a与支承臂81b连接。顶环81能够通过未图示的气缸沿上下方向移动，调节与研磨台80的距离。由此，顶环81能够将保持着的基板W推碰到研磨垫84的研磨面84a。

支承臂81b构成为能够通过未图示的电机摆动，使顶环81沿着与研磨面84a平行的方向移动。在本实施方式中，顶环81构成为能够在未图示的基板W的接受位置与研磨垫84的上方位置移动，而且构成为能够改变基板W对于研磨垫84的推碰位置。

浆料供给喷嘴82设置在研磨台80的上方，将包含微细气泡的浆料供给到支承于研磨台80的研磨垫84上。浆料供给喷嘴82由轴83支承。轴83构成为能够通过未图示的电机移动，浆料供给喷嘴82能够在研磨处理中改变浆料的滴下位置。这样，浆料供给喷嘴82以浸入旋转着的基板W与研磨垫84的接触界面的方式供给包含微细气泡的浆料。

雾化器85设于研磨台80的上方，配置成沿研磨台80的径向延伸。雾化器85在由浆料进行的基板W的研磨处理工序之后，紧接着以规定的流量朝向研磨垫84喷射包含微细气泡的气体溶解水，冲洗掉附着在研磨面84a和基板W上的一部分的浆料。

此外，控制装置30构成为对研磨模块14的动作全面进行控制。控制装置30具备CPU，和存储器等构成要素，可以作为使用软件实现所要的功能的微型计算机来构成，也可以作为执行专用的运算处理的硬件电路来构成。

控制装置30也可以构成为，将过去实施的研磨处理中的浆料的型号、研磨垫84的型号、各种传感器输出值、研磨处理方法、实际的研磨速度的相关关系预先进行机器学习，使用人工智能来推定研磨处理中的研磨速度。

图9是表示研磨模块中供给包含微细气泡的浆料的机构的一个实施方式的图。研磨模块14具备朝向研磨垫84的研磨面84a供给浆料的浆料供给喷嘴82。浆料供给喷嘴82具有配置在其内部流路的、使从药液稀释模块52供给的浆料的压力降低的减压开放部82a。当浆料在减压开放部82a通过时，浆料的压力急剧地降低，溶解在浆料中的高浓度的气体作为微细气泡来产生。由此，将高浓度的包含微细气泡的浆料向研磨处理中的研磨面84a与基板W的界面供给。

减压开放部82a也可以设置在即将到浆料供给喷嘴82之前的流路(即，比阀门82b更接近浆料供给喷嘴82的药液供给线路SLa)。本实施方式中也同样，能够生成高浓度的包含微细气泡的稀释药液。减压开放部82a是浆料供给喷嘴82的构成要素的一部分，在减压开放部82a配置在药液供给线路SLa的情况下，浆料供给喷嘴82也具有减压开放部82a。

如图9所示，雾化器85也可以具有配置在其内部流路、或即将到雾化器85之前的流路(即，比阀门85b更接近雾化器85的气体溶解水供给线路SL)的减压开放部85a。通过这样的结构，能够将高浓度的包含微细气泡的纯水(即，气体溶解水)向紧接着由浆料进行的研磨工序后的研磨面84a与基板W的界面供给。减压开放部85a是雾化器85的构成要素的一部分，在减压开放部85a配置在气体溶解水供给线路SL的情况下，雾化器85也具有减压开放部85a。

图10是表示由第一清洗模块进行的基板的表面及背面的清洗工序的图。首先，将在搬送模块24(参照图1)待机着的基板W向第一清洗模块16搬送。以下，对于一系列工序参照图5进行说明。

基板保持机构60对搬送到第一清洗模块16的基板W进行保持，在此状态下，开始基板W的旋转(参照步骤S101)。然后，控制装置30打开阀门65b、66b，开始对基板W的表面W1及背面W2供给高浓度的包含微细气泡的稀释药液(参照步骤S102)。高浓度的包含微细气泡的稀释药液的供给开始后，控制装置30使清洗部件61、62从规定的待机位置移动到规定的处理位置，使清洗部件61、62与基板W的两面接触(参照步骤S103)。

然后，控制装置30开始进行清洗部件61、62对基板W的擦洗(参照步骤S104)、执行基板W的擦洗清洗。基板W的擦洗清洗结束后，使清洗部件61、62从基板W离开(参照步骤S105)，使清洗部件61、62向待机位置移动(参照步骤S106)。

然后，控制装置30关闭阀门65b、66b，停止高浓度的包含微细气泡的稀释药液的供给(参照步骤S107)。然后，控制装置30打开阀门67b、68b，开始高浓度的包含微细气泡的纯水的供给(参照步骤S108)，执行基板W的冲洗清洗。当经过规定时间时，控制装置30关闭阀门67b、68b，停止高浓度的包含微细气泡的纯水的供给(参照步骤S109)。

步骤S106、步骤S107、及步骤S108可以依次进行，或者也可以同时进行。在同时进行这些步骤的情况下，基板处理系统50能够实现一系列清洗程序的时间缩短。

在从步骤S102到步骤S107中，也可以使用纯水来取代稀释药液。在此情况下，在对基板W的表面W1及背面W2供给高浓度的包含微细气泡的纯水的状态下，执行基板W的擦洗清洗。为此，由于能够省略用来除去残留在基板W的表面W1及背面W2的稀释药液的步骤S108，所以基板处理系统50能够实现一系列清洗程序的时间缩短。而且，基板处理系统50能够降低一系列清洗程序的药液使用量，实现环境负荷的降低。

图11是表示由第二清洗模块进行的基板的表面及背面的清洗工序的图。首先，将在第一清洗模块16(参照图1)完成清洗处理的基板W向第二清洗模块18搬送。以下，对于一系列工序参照图6进行说明。

基板保持机构70对搬送到第一清洗模块18的基板W进行保持，在此状态下，开始基板W的旋转(参照步骤S201)。然后，控制装置30打开阀门75b、76b，开始对基板W的表面W1及背面W2供给高浓度的包含微细气泡的稀释药液(参照步骤S202)。高浓度的包含微细气泡的稀释药液的供给开始后，笔清洗部件71通过臂73的回旋从待机位置移动到处理位置，与基板W的表面1接触(参照步骤S203)。

然后，控制装置30关闭阀门75b，而且打开药液供给喷嘴72的阀门72b(参照图6)(参照步骤S204)，切换供给高浓度的包含微细气泡的稀释药液的供给喷嘴。然后，控制装置30通过使臂73回旋而沿基板W的半径方向移动，从而开始对旋转着的基板W的表面W1进行基于清洗部件71的擦洗(参照步骤S205)，执行基板W的擦洗清洗。

基板W的擦洗清洗结束后，控制装置30使清洗部件71从基板W离开(参照步骤S206)，关闭药液供给喷嘴72的阀门72b，而且打开阀门75b(参照步骤S207)，再次切换供给高浓度的包含微细气泡的稀释药液的供给喷嘴。

然后，笔清洗部件71通过臂73的回旋向待机位置移动(参照步骤S208)。然后，控制装置30关闭阀门75b、76b，停止高浓度的包含微细气泡的稀释药液的供给(参照步骤S209)。然后，控制装置30打开阀门77b、78b，开始高浓度的包含微细气泡的纯水的供给(参照步骤S210)，执行基板W的冲洗清洗。当经过规定时间时，控制装置30关闭阀门77b、78b，停止高浓度的包含微细气泡的纯水的供给(参照步骤S211)。

步骤S208、步骤S209、及步骤S210可以依次进行，或者也可以同时进行。在同时进行这些步骤的情况下，基板处理系统50能够实现一系列清洗程序的时间缩短。

在从步骤S202到步骤S209中也可以使用纯水来取代稀释药液。在此情况下，在对基板W的表面W1及背面W2供给高浓度的包含微细气泡的纯水的状态下，执行基板W的擦洗清洗。为此，由于能够省略用来除去残留在基板W的表面W1及背面W2的稀释药液的步骤S210，因此基板处理系统50能够实现一系列清洗程序的时间缩短。而且，基板处理系统50能够降低一系列清洗程序的药液使用量，实现环境负荷的降低。

图12是表示由研磨模块进行的基板的研磨工序的图。首先，将收容在装载端口12的研磨前的基板通过第一搬送机器人22及搬送模块24搬送到研磨模块14。以下，对于一系列工序参照图9进行说明。

研磨台80开始旋转(参照步骤S301)，保持基板W的顶环81使基板W开始旋转(参照步骤S302)。然后，控制装置30打开阀门82b，开始供给包含微细气泡的浆料(参照步骤S303)

在步骤S303之后，控制装置30使顶环81下降，使基板W与研磨垫84的研磨面84a接触(参照步骤S304)，使从顶环81施加到基板W的按压力增加，开始浆料研磨(参照步骤S305)。

在经过规定时间后，控制装置30关闭阀门82b，结束浆料的供给(参照步骤S306)。然后，控制装置30使从顶环81施加到基板W的按压力减少，结束基板W的浆料研磨(参照步骤S307)。

然后，控制装置30在使基板W与研磨垫84接触的状态下(更具体而言，以正的压力将基板W按压在研磨垫84的状态，或以零压力使基板W与研磨垫84接触的状态)，打开阀门85b，供给包含微细气泡的气体溶解水，开始基板W的水研磨和研磨垫84的清洗(参照步骤S308)。然后，控制装置30使顶环81上升，使基板W从研磨垫84离开，结束基板W的水研磨(参照步骤S309)。

在步骤S309之后，控制装置30结束基于顶环81进行的基板W的旋转(参照步骤S310)，关闭阀门85b，结束研磨垫84的清洗(参照步骤S311)。在步骤S311之后，控制装置30结束研磨台80的旋转(参照步骤S312)。

如图8所示，研磨模块14具备修整装置110。因此，基板W的水研磨结束后，控制装置30也可以一边使修整器115移动到研磨垫84上一边打开阀门85b，将包含微细气泡的气体溶解水供给到研磨垫84上。这样，雾化器85在基板W的研磨结束后，在研磨垫84的修整中，也可以将包含微细气泡的气体溶解水供给到研磨垫84上。

图13是表示由包含微细气泡的清洗液对基板进行清洗时的效果的图。由图13表明，用包含微细气泡的清洗液对基板W进行清洗时的缺陷数量显著少于用以往的清洗液(即，不包含微细气泡的清洗液)对基板W进行清洗时的缺陷数量。根据本实施方式，清洗模块中，在供给高浓度的包含微细气泡的清洗液的状态下对基板进行擦洗清洗处理。因此，基板处理系统能够取得高的颗粒除去性能。

图14是表示用包含微细气泡的浆料对基板进行了研磨时的效果的图。由图14表明，用包含微细气泡的浆料对基板W进行研磨时的研磨率显著高于用以往的浆料(即，不包含微细气泡的浆料)对基板W进行研磨时的研磨率。根据本实施方式，在研磨模块中，在供给高浓度的包含微细气泡的浆料的状态下对基板W进行研磨处理。因此，基板处理系统50能够取得高的研磨率。

进而，根据本实施方式，将高浓度的氮气体或氢气体的包含微细气泡的药液(清洗液、浆料)向基板W供给。包含微细气泡的药液能够在基板W的处理中抑制大气成分的溶入。因此，由溶存氧浓度低的药液执行研磨处理和清洗处理，所以能够抑制在基板W上形成的金属膜的腐蚀。

图15是表示液体供给机构的图。以下对控制气泡的尺寸分布的情况下的实施方式进行说明。如图15所示，基板处理系统50也可以具备液体供给机构104。液体供给机构104具备能够沿研磨台80的半径方向移动的喷嘴臂130、配置在喷嘴臂130的顶端部分130a的浆料供给喷嘴82、以及配置在喷嘴臂130的臂部分130b的纯水喷嘴132和气体溶解水喷嘴133A、133B、133C、133D、133E。

喷嘴臂130与使喷嘴臂130回旋的喷嘴回旋轴(未图示)连结。喷嘴回旋轴配置在研磨垫84的外侧。喷嘴臂130构成为，能够通过喷嘴回旋轴的驱动(更具体而言，与喷嘴回旋轴连结的电机)，而在处于研磨垫84的外侧的避让位置与处于研磨垫84的上方的处理位置之间移动。

如图15所示，当喷嘴臂130处于处理位置时，喷嘴臂130的顶端部分130a配置在研磨垫84的中心的上方。因此，配置在喷嘴臂130的顶端部分130a的浆料供给喷嘴82以其喷射口对着研磨垫84的中心的方式配置在研磨垫84的中心的上方。

当喷嘴臂130处于处理位置时，气体溶解水喷嘴133A～133E分别以其喷射口与研磨垫84的中心和研磨垫84的外周部之间的区域相对的方式配置在此区域的上方。纯水喷嘴132与浆料供给喷嘴82相邻配置，气体溶解水喷嘴133A与纯水喷嘴132相邻配置。

气体溶解水喷嘴133A～133E从喷嘴臂130的顶端侧(即，顶端部分130a)朝向基端侧按此顺序进行配置。气体溶解水喷嘴133A～133E可以分别具有单管形状，也可以分别具有喷射喷嘴形状。

在图15所示的实施方式中，液体供给机构104具备多个(更具体而言，五个)气体溶解水喷嘴，但是气体溶解水喷嘴的数量不限于本实施方式。在一个实施方式中，液体供给机构104可以具备一个气体溶解水喷嘴，也可以具备两个以上的气体溶解水喷嘴。

液体供给机构104具备与浆料供给喷嘴82连接的浆料线路142、对浆料线路142进行开闭的开闭阀143、以及通过浆料线路142向浆料供给喷嘴82供给浆料的浆料供给源141。同样，液体供给机构104具备与纯水喷嘴132连接的纯水线路145、对纯水线路145进行开闭的开闭阀146、以及通过纯水线路145向纯水喷嘴132供给纯水的纯水供给源144。

开闭阀143、146与控制装置30电连接。当控制装置30打开开闭阀143时，浆料通过浆料线路142从浆料供给源141向浆料供给喷嘴82供给。同样，当控制装置30打开开闭阀146时，纯水通过纯水线路145从纯水供给源144向纯水喷嘴132供给。

基板处理系统50具备与循环线路CL和气体溶解水喷嘴133A连接的气体溶解水供给线路152、与气体溶解水供给线路152连接的旁通线路157、与气体溶解水供给线路152连接的微米气泡过滤器159、以及与旁通线路157连接的超微气泡过滤器158。

基板处理系统50具备与循环线路CL连接的处理液供给喷嘴151。处理液供给喷嘴151具有减压开放部151a，该减压开放部151a通过使在循环线路CL流动的气体溶解水从第一压力减压到第二压力而从气体溶解水产生气体的微细气泡。

基板处理系统50具备将旁通线路157与气体溶解水供给线路152连接的三通阀156A、156B。三通阀156A、156B分别与控制装置30电连接。控制装置30通过使各个三通阀156A、156B动作，从而能够将气体溶解水的流动在通过微米气泡过滤器159的流动与通过超微气泡过滤器158的流动之间切换。

微米气泡过滤器159容许具有1微米～100微米以下的气泡直径的微米气泡的通过，捕捉(除去)尺寸比微米气泡大的气泡。因此，当气体溶解水在微米气泡过滤器159通过时，供给包含具有1微米～100微米以下的气泡直径的微米气泡的气体溶解水。

超微气泡过滤器158容许具有1微米以下的气泡直径的超微气泡(即，纳米气泡)的通过，捕捉(除去)尺寸比超微气泡大的气泡。因此，当气体溶解水在超微气泡过滤器158通过时，供给包含具有1微米以下的气泡直径的超微气泡的气体溶解水。这样，基板处理系统50能够供给包含微米气泡的气体溶解水，和包含超微气泡的气体溶解水。

基板处理系统50还可以在气体溶解水的流动方向上具备配置在三通阀156A的下游侧的颗粒计数器160。颗粒计数器160构成为对气体溶解水中包含的气泡数量进行测量。因此，基板处理系统50也可以根据由颗粒计数器160测量的气泡数量，当气体溶解水中包含的气泡数量达到规定的基准数量后，将气体溶解水分别从气体溶解水喷嘴133A～133E进行供给。具有满足规定的基准数量的气泡的气体溶解水能够充分发挥其性质。在一个实施方式中，颗粒计数器160也可以是激光回析/散乱方式的气泡浓度计。

图1至图14所示的实施方式涉及的基板处理系统50也可以具备上述颗粒计数器160。在此情况下，颗粒计数器160也配置在减压开放部的下游侧。

如图15所示，超微气泡过滤器158和微米气泡过滤器159与喷嘴臂130(更具体而言，气体溶解水喷嘴133A～133E)相邻配置。过滤器158、159与气体溶解水喷嘴133A～133E之间的距离越大，在气体溶解水向气体溶解水喷嘴133A～133E移动的期间，气体溶解水中包含的气泡越可能会消失。在本实施方式中，通过这样的配置，能够确实地防止气体溶解水中包含的气泡的消失。

基板处理系统50具备与气体溶解水喷嘴133A～133E连接的分支线路153A、153B、153C、153D、153E。基板处理系统50具备与分支线路153A、153B、153C、153D、153E连接的开闭阀154A、154B、154C、154D、154E，和与气体溶解水供给线路152连接的开闭阀155。开闭阀154A、154B、154C、154D、154E及开闭阀155与控制装置30电连接。控制装置30能够控制开闭阀154A、154B、154C、154D、154E各自的动作，和开闭阀155的动作。

在将气体溶解水从气体溶解水喷嘴133A～133E进行供给的情况下，控制装置30打开开闭阀154A～154E，且关闭开闭阀155。通过此动作，在气体溶解水供给线路152流动的气体溶解水从气体溶解水喷嘴133A～133E进行供给。

开闭阀154A～154E与气体溶解水喷嘴133A～133E对应。因此，控制装置30通过对开闭阀154A～154E分别进行控制，从而能够任意选择要供给气体溶解水的气体溶解水喷嘴133A～133E。

例如，通过控制装置30打开开闭阀154A，关闭开闭阀154B、154C、154D、154E及开闭阀155，从而，气体溶解水仅从气体溶解水喷嘴133A进行供给。通过控制装置30打开开闭阀155，关闭开闭阀154A、154B、154C、154D、154E，从而，气体溶解水从气体溶解水喷嘴133A～133E中的任一个都不进行供给，而是通过气体溶解水供给线路152向循环线路CL排出。

图16是表示通过控制装置进行的基板的处理流程的图。控制装置30使喷嘴臂130动作，使喷嘴臂130的顶端部分130a配置在研磨垫84的中心的上方。控制装置30一边使研磨台80旋转一边打开开闭阀143，向研磨垫84上供给浆料(参照图16的步骤S401)。

在一个实施方式中，如在上述实施方式中说明了的那样，也可以供给包含微细气泡的浆料。供给包含微细气泡的浆料的结构，可以是图7所示的实施方式涉及的结构，也可以具有图15所示的实施方式涉及的液体供给机构104供给包含微细气泡的浆料的结构。

在此状态下，控制装置30一边使由顶环81保持的基板W旋转一边将该基板W按压到研磨垫84，对基板W进行浆料研磨(参照步骤S402)。在步骤S402中，控制装置30使研磨垫84和顶环81向同一方向旋转，对基板W进行研磨。

此时，控制装置30将用来使气体溶解水稳定地供给的供给准备与基板W的研磨动作(即，步骤S402)并行地执行(参照步骤S403)。更具体而言，控制装置30为了供给气体溶解水，而操作三通阀156A、156B，打开旁通线路157。于是，气体溶解水不通过微米气泡过滤器159，而通过超微气泡过滤器158，结果是，基板处理系统50供给包含超微气泡的气体溶解水。

通过控制装置30关闭开闭阀154A～154E、打开开闭阀155，从而气体溶解水不从气体溶解水喷嘴133A～133E供给，而是通过气体溶解水供给线路152返回循环线路CL。控制装置30根据由颗粒计数器160测量的气泡数量来判断气体溶解水的气泡数量是否稳定。

然后，控制装置30关闭开闭阀143，结束基板W的浆料研磨。在基板W的浆料研磨结束后，控制装置30开始基板W的水研磨(在本实施方式中，为气体溶解水研磨)(参照步骤S404)。更具体而言，控制装置30在打开开闭阀154A～154E中的至少一个，且关闭开闭阀155而使基板W与研磨垫84接触的状态下，使气体溶解水从气体溶解水喷嘴133A～133E中的至少一个向研磨垫84上供给。

当气体溶解水供给到研磨垫84上时，气体溶解水中包含的气泡破裂。通过破裂的气泡的冲击，而局部地释放能量(发光、高温高圧、冲击波等)，通过此能量将附着在基板W的表面的研磨屑、研磨液的磨粒除去。而且，由于气体溶解水的气液界面带负电位，因此气体溶解水将带正电位的电解质离子、污物吸附除去。

气泡的冲击的大小依存于气泡直径。因此，在供给到研磨垫84上的气体溶解水为包含微米气泡的气体溶解水的情况下，起因于气体溶解水中包含的气泡的破裂的冲击大于起因于包含超微气泡的气体溶解水中包含的气泡的破裂的冲击。

在本实施方式中，基板W由气体溶解水研磨。因此，起因于气泡的破裂而对基板W赋予的冲击小。基板W有时具有微细的构造，因此通过由气体溶解水对基板W进行研磨，能够减小基板W受到的损坏。结果是，能够防止在基板W产生缺陷。进而，通过这样的结构，不需要延长基板W的处理时间，而能够提高基板W的生产量。

基板W的气体溶解水研磨结束后，控制装置30一边关闭开闭阀154A～154E一边打开开闭阀146，将纯水向研磨垫84上供给。然后，控制装置30一边使研磨台80及顶环81旋转一边使基板W吸附于顶环81(参照步骤S405)。在此状态下，控制装置30使顶环81上升，使顶环81位于研磨垫84的上方。

控制装置30将用来使气体溶解水稳定地供给的供给准备，与基板W的搬送动作(即，步骤S405及后述的步骤S407)并行地执行(参照步骤S406)。更具体而言，控制装置30为了供给气体溶解水，对三通阀156A、156B进行操作，一边关闭旁通线路157一边打开气体溶解水供给线路152的一部分(更具体而言，三通阀156A的上游侧及三通阀156B的下游侧)。于是，气体溶解水在微米气泡过滤器159通过，结果是，基板处理系统50供给包含微米气泡的气体溶解水。

通过控制装置30关闭开闭阀154A～154E、打开开闭阀155，从而气体溶解水不从气体溶解水喷嘴133A～133E供给，而是通过气体溶解水供给线路152返回循环线路CL。控制装置30根据由颗粒计数器160测量的气泡数量判断气体溶解水的气泡数量是否稳定。

在步骤S405之后，控制装置30使吸附了基板W的顶环81向研磨垫84的外部移动，将基板W向下一个工序搬送(参照步骤S407)。在步骤S407之后，控制装置30一边使修整器115向研磨垫84上移动一边将气体溶解水向研磨垫84上供给，对研磨垫84进行修整(参照步骤S408)。

在研磨垫84的修整时，控制装置30也可以从配置在研磨垫84的上方的雾化器85将大流量的清洗液向研磨垫84的表面喷射。在一个实施方式中，从喷嘴臂130供给的气体溶解水的流量为1L/min，从雾化器85供给的气体溶解水的流量为10L/min。

在本实施方式中，基板处理系统50构成为通过喷嘴臂130供给气体溶解水。在一个实施方式中，基板处理系统50也可以构成为通过雾化器85供给气体溶解水。通过这样的结构，基板处理系统50不仅能够通过喷嘴臂130供给气体溶解水，而且能够通过雾化器85将大流量的气体溶解水向研磨垫84上供给。对于从雾化器85供给气体溶解水的构造，由于与从喷嘴臂130供给气体溶解水的构造(或上述实施方式(参照图1至图14)涉及的构造)相同，因此省略说明。

在研磨垫84的修整中，基板处理系统50将气体溶解水向研磨垫84上供给。更具体而言，控制装置30打开开闭阀154A～154E中的至少一个，且关闭开闭阀155，使包含微米气泡的气体溶解水从气体溶解水喷嘴133A～133E中的至少一个向研磨垫84上供给。

如上所述，起因于包含微米气泡的气体溶解水中包含的气泡的破裂的冲击大于起因于包含超微气泡的气体溶解水中包含的气泡的破裂的冲击。因此，基板处理系统50能够起因于气泡的破裂而对研磨垫84的表面(研磨面)赋予大的冲击。

通过这样的结构，能够更加确实地消除研磨垫84的气孔堵塞。因此，研磨垫84的修整时，能够减小研磨垫84的切削量。结果是，能够实现研磨垫84的长寿命化，不会对研磨率、基板W的轮廓产生不良影响。进而，能够缩短修整时间，提高生产量。

根据本实施方式，通过基板处理系统50在基板W的研磨结束后将具有高的清洗力的气体溶解水(即，包含微米气泡的气体溶解水、包含超微气泡的气体溶解水)向研磨垫84上供给，从而能够实现基板W的研磨过程的稳定化。

图17是表示研磨装置的其它实施方式的图。如图17所示，基板处理系统50也可以具备将气体溶解水分配到研磨模块14的构成要素(在本实施方式中，为顶环81、液体供给机构104、及修整装置110)的气体溶解水分配装置170。

气体溶解水分配装置170具备与气体溶解水供给线路152连接的分配线路171A、与分配线路171A连接的清洗喷嘴172A、以及与分配线路171A连接的开闭阀173A。

清洗喷嘴172A与配置在避让位置的顶环81相邻配置，基板处理系统50从顶环81的下方向顶环81喷射气体溶解水。通过具有高的清洗力的气体溶解水的喷射能够更有效地清洗顶环81。

如图16的步骤S409所示，控制装置30在搬送基板W后使顶环81向位于研磨垫84的外部的避让位置移动，将气体溶解水向配置在避让位置的顶环81，对顶环81进行清洗。基板处理系统50在顶环81配置在避让位置的状态下对顶环81进行清洗，因此能够防止清洗顶环81的气体溶解水落到研磨垫84上。

开闭阀173A与控制装置30电连接。控制装置30一边关闭开闭阀154A～154E一边打开开闭阀155(参照图15)及开闭阀173A，将气体溶解水向顶环81供给。在步骤S408中，基板处理系统50供给气体溶解水，因此在步骤S409中，基板处理系统50也向顶环81供给气体溶解水。

如图17所示，气体溶解水分配装置170也可以具备与气体溶解水供给线路152连接的分配线路171B，和与分配线路171B连接的清洗喷嘴172B、172D。

清洗喷嘴172B与配置在避让位置的喷嘴臂130相邻配置。从分配线路171B分支的分支线路171Ba与清洗喷嘴172B连接，开闭阀173B与分支线路171Ba连接。

清洗喷嘴172D与配置在避让位置的修整器115相邻配置。与清洗喷嘴172D相邻地配置有与分配线路171B连接的开闭阀1173D。

控制装置30能够一边关闭开闭阀154A～154E一边打开开闭阀155及开闭阀173B、173D，将气体溶解水向喷嘴臂130及修整器115供给。例如，在图16的步骤S409中，控制装置30也可以不仅清洗顶环81，还对喷嘴臂130及修整器115中的至少一个进行清洗。

图18是表示通过控制装置进行的基板的处理流程的其它实施方式的图。如图18所示，控制装置30向研磨垫84上供给浆料，对基板W进行浆料研磨(参照步骤S501、S502)。控制装置30将用来使气体溶解水稳定地供给的供给准备，与基板W的研磨动作(即，步骤S502)并行地执行，(参照步骤S503)，也可以通过气体溶解水分配装置170将气体溶解水向修整器115供给(参照步骤S504)。在一个实施方式中，控制装置30可以不仅清洗修整器115，也对雾化器85进行清洗。

然后，控制装置30开始基板W的气体溶解水研磨(参照步骤S505)，在步骤S505结束后，控制装置30使基板W吸附于顶环81(参照步骤S506)。

如步骤S507所示，控制装置30将用来使气体溶解水稳定地供给的供给准备，与基板W的搬送动作(即，步骤S506及后述的步骤S508)并行地执行，将基板W搬送到下一个工序后(参照步骤S508)，将气体溶解水向研磨垫84上供给，对研磨垫84进行修整(参照步骤S509)。

控制装置30在搬送基板W后将气体溶解水向配置在避让位置的顶环81供给，对顶环81进行清洗(参照步骤S510)。在图18所示的实施方式中，基板处理系统50在步骤S504中对修整器115进行了清洗，因此在步骤S510中不需要对修整器115进行清洗。

虽然未图示，但是也可以将图1至图14所示的实施方式与图15至图18所示的实施方式适当组合。

图19是表示第一清洗模块的其它实施方式的立体图。如图19所示，第一清洗模块16具备一边保持基板W一边使基板W旋转的旋转卡盘120、比基板W的直径长的清洗辊121、卷绕在清洗辊121上的清洗部件122、向基板W的表面供给清洗液的清洗液喷嘴123、以及将清洗辊121支承为能够移动的支承柱128。

在图19所示的实施方式中，清洗辊121及清洗部件122具有与上述清洗部件61、62(参照图3)相当的结构。旋转卡盘120具备保持基板W的周缘部的块127，和将块127保持为能够旋转的心轴126。

在本实施方式中，旋转卡盘120具备多个心轴126，和数量与心轴126的数量对应的块127。当保持在心轴126的上端的块127旋转时，块127的旋转力传递到基板W，基板W也与块127一起旋转。

第一清洗模块16具备配置在从清洗的基板W的位置离开的自清洗位置(清洗辊121及清洗部件122的待机位置)的自清洁部124，和配置在自清洁部124的处理液供给喷嘴(自清洁液喷嘴)180。

自清洁部124与旋转卡盘120相邻配置。支承柱128能够向图19的X方向、Y方向、及Z方向移动。因此，支承柱128被构成为，使清洗辊121在配置旋转卡盘120的基板清洗位置与配置自清洁部124的自清洗位置之间移动。

清洗液喷嘴123向由旋转卡盘120保持的基板W的表面供给清洗液，配置在基板W上的清洗部件122(及清洗辊121)对旋转的基板W的表面进行擦洗清洗(例如，参照图10的步骤S104)。通过基板W的擦洗清洗，从清洗液喷嘴123供给的清洗液中包含的颗粒附着于清洗部件122。

于是，在基板W的擦洗清洗结束后，支承柱128使清洗辊121从基板清洗位置向自清洗位置移动(参照图19的箭头)。移动到自清洗位置的清洗辊121(及清洗部件122)通过从自清洁液喷嘴180供给的清洗液由自清洁部124进行清洗。

图20是表示图19所示的第一清洗模块的截面图。如图20所示，自清洁部124具备接受从自清洁液喷嘴180供给的清洗液的自清洁槽140、排出被供给到自清洁槽140的清洗液的排液配管181、以及配置于自清洁槽140的石英板129。

自清洁液喷嘴180具有使从药液稀释模块52供给的清洗液的压力降低的减压开放部180a。减压开放部180a具有与上述减压开放部(例如，减压开放部65a、66a、67a、68a)相同的结构。

自清洁液喷嘴(即，处理液供给喷嘴)180朝向在自清洗位置待机的清洗部件122(即，擦洗处理部件)供给包含微细气泡的清洗液或包含微细气泡的气体溶解水。微细气泡由减压开放部180a产生。这样，自清洁液喷嘴180将附着在清洗部件122的颗粒除去。在清洗部件122的清洗中，也可以将清洗部件122推压到石英板129，促进颗粒从清洗部件122的除去。

图21是表示第二清洗模块的其它实施方式的立体图。如图21所示，第二清洗模块18具备一边保持基板W一边使基板W旋转的旋转卡盘202、对基板W进行擦洗处理的清洗部件203(即，擦洗处理部件)、将清洗部件203支承为能够旋转的旋转轴210、借助旋转轴210使清洗部件203摆动的摆动臂207、以及向基板W的表面供给清洗液的清洗液喷嘴208。

在基板W保持于旋转卡盘202的状态下，当旋转卡盘202旋转时，基板W与旋转卡盘202一起旋转。清洗液喷嘴208向保持于旋转卡盘202的基板W的表面供给清洗液，配置在基板W上的清洗部件203对基板W的表面进行擦洗清洗(例如，参照图10的步骤S104)。通过基板W的擦洗清洗，从清洗液喷嘴208供给的清洗液中包含的颗粒附着于清洗部件203。

第二清洗模块18具备配置在从清洗的基板W的位置离开的自清洗位置(清洗部件203的待机位置)的自清洁部209，和配置在自清洁部209的处理液供给喷嘴(自清洁液喷嘴)216。

自清洁部209与旋转卡盘202相邻配置。摆动臂207被构成为，使清洗部件203在配置旋转卡盘202的基板清洗位置与配置自清洁部209的自清洗位置之间移动。

基板W的擦洗清洗结束后，摆动臂207使清洗部件203从基板清洗位置移动到自清洗位置。移动到自清洗位置的清洗部件203由自清洁部209进行清洗。

图22是表示图21所示的第二清洗模块的截面图。如图22所示，自清洁液喷嘴216具有使从药液稀释模块52供给的清洗液的压力降低的减压开放部216a。减压开放部216a具有与上述减压开放部(例如，减压开放部65a、66a、67a、68a)相同的结构。

如图22所示，自清洁部209具备接受从自清洁液喷嘴216供给的清洗液的自清洁槽220、排出被供给到自清洁槽220的清洗液的排液配管221、配置于自清洁槽220的石英板215、以及支承石英板215的支承板214。支承板214固定于未图示的支承轴。

自清洁液喷嘴216(即，处理液供给喷嘴)向在自清洗位置待机的清洗部件203(即，擦洗处理部件)供给包含微细气泡的清洗液或包含微细气泡的气体溶解水。微细气泡由减压开放部216a产生。这样，自清洁液喷嘴216通过基板W的擦洗清洗将附着在清洗部件203的颗粒除去。在清洗部件203的清洗中，也可以将清洗部件203推压到石英板215。

虽然未图示，但是也可以将图19至图22适当地适用于图1至图18。例如，参照图19及图20进行了说明的自清洁部124及处理液供给喷嘴180也可以被适用于参照图3进行了说明的第一清洗模块16。同样，参照图21及图22进行了说明的自清洁部209及处理液供给喷嘴216也可以被适用于参照图4进行了说明的第二清洗模块18。

上述实施方式是以具有本发明所属技术领域的通常的知识的人能够实施本发明为目的而记载的。本领域人员当然能够完成上述实施方式的各种变形例，本发明的技术思想也可以适用于其它实施方式。因此，本发明不限于记载的实施方式，应该是按照请求保护的范围所定义的技术思想的最宽的范围。

Claims (19)

1.一种基板处理系统，其特征在于，具备：

气体溶解水生成箱，该气体溶解水生成箱使气体在第一压力下溶解在纯水中；

药液稀释模块，该药液稀释模块使药液和在所述气体溶解水生成箱生成的气体溶解水按规定的体积比混合；以及

基板处理模块，该基板处理模块对基板进行处理，

所述基板处理模块具备：

基板保持机构，该基板保持机构保持所述基板；

擦洗处理部件，该擦洗处理部件与所述基板接触而对所述基板进行擦洗处理；以及

处理液供给喷嘴，该处理液供给喷嘴向所述基板供给处理液，

所述处理液供给喷嘴具有减压开放部，该减压开放部通过使在所述药液稀释模块混合出的稀释药液从所述第一压力减压到第二压力，从而从所述稀释药液产生所述气体的微细气泡，

所述处理液供给喷嘴在对所述基板进行擦洗处理的工序中供给包含所述微细气泡的稀释药液。

2.如权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述减压开放部由配置在所述处理液供给喷嘴的内部流路或即将到所述处理液供给喷嘴的内部流路之前的流路的至少一个以上的节流孔板构成，

所述节流孔板通过自身具有的压力损失作用使所述稀释药液减压到所述第二压力，同时产生所述微细气泡。

3.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板处理系统具备：配置在所述气体溶解水生成箱的上游侧的流路的气体供给源、纯水供给源及送水泵，

所述送水泵以使所述气体溶解水生成箱内的压力成为所述第一压力的方式将纯水向所述气体溶解水生成箱移送。

4.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，

所述气体由氮、氢、氧、臭氧、二氧化碳、氖、氩、氙、氪中的至少一个以上的成分构成。

5.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板处理系统具备配置在所述药液稀释模块的上游侧的流路的送液泵，

所述送液泵以成为所述第一压力的方式将所述药液向所述药液稀释模块移送。

6.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板处理模块具备清洗模块，

所述药液为清洗液的原液，

所述擦洗处理部件具备海绵清洗部件及抛光清洗部件中的至少一个。

7.如权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，

所述处理液供给喷嘴在所述清洗模块中配置在相对于旋转着的所述基板的半径方向进行摆动的摆动臂，从所述基板的中心部到周缘部一致地供给包含所述微细气泡的清洗液。

8.如权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，

所述处理液供给喷嘴在所述清洗模块中配置在从所述基板的位置离开的自清洗位置，向在所述自清洗位置待机的所述擦洗处理部件供给包含所述微细气泡的清洗液或包含所述微细气泡的气体溶解水。

9.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板处理模块具备研磨模块，

所述药液为浆料的原液，

所述擦洗处理部件具备研磨垫。

10.如权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，

所述处理液供给喷嘴在所述研磨模块中配置在旋转着的所述研磨垫的上方，以浸入旋转着的所述基板与所述研磨垫的接触界面的方式供给包含所述微细气泡的所述浆料。

11.如权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，

基板处理系统具备纯水供给喷嘴，该纯水供给喷嘴沿所述研磨垫的半径方向延伸，且具有从所述气体溶解水产生所述微细气泡的减压开放部，

在所述基板的研磨结束后，所述纯水供给喷嘴在所述研磨垫的修整中供给包含所述微细气泡的气体溶解水。

12.如权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板处理系统具备单个或多个气体溶解水喷嘴，该气体溶解水喷嘴配置于能够沿所述研磨垫的半径方向摆动的喷嘴臂，将包含所述微细气泡的气体溶解水向所述研磨垫上供给，

在所述基板的研磨结束后，所述气体溶解水喷嘴在使所述基板与所述研磨垫接触的状态下将包含所述微细气泡的气体溶解水向所述研磨垫上供给。

13.一种基板处理方法，对基板进行处理，其特征在于：

在气体溶解水生成箱中，使气体在第一压力下溶解在纯水中，

在药液稀释模块中，使药液和在所述气体溶解水生成箱生成的气体溶解水按规定的体积比混合，

使在所述药液稀释模块混合出的稀释药液在配置于处理液供给喷嘴的内部流路或即将到处理液供给喷嘴的内部流路之前的流路的减压开放部通过，通过从所述第一压力减压到第二压力，从而从所述稀释药液产生所述气体的微细气泡，

在对所述基板进行擦洗处理的工序中，供给包含所述微细气泡的稀释药液。

14.如权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，

所述气体由氮、氢、氧、臭氧、二氧化碳、氖、氩、氙、氪中的至少一个以上的成分构成。

15.如权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，

所述药液为清洗液的原液，

一边使具备海绵清洗部件和抛光清洗部件中的至少一个的擦洗处理部件与所述基板接触，一边供给包含所述微细气泡的稀释药液。

16.如权利要求13或14所述的基板处理方法，其特征在于，

所述药液为浆料的原液，

一边使具备研磨垫的擦洗处理部件与所述基板接触，一边供给包含所述微细气泡的稀释药液。

17.如权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述基板的研磨结束后，在所述研磨垫的修整中，从纯水供给喷嘴供给包含所述微细气泡的气体溶解水，该纯水供给喷嘴具有从所述气体溶解水产生所述微细气泡的减压开放部。

18.如权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述基板的研磨结束后，在使所述基板与所述研磨垫接触的状态下，从配置于能够沿所述研磨垫的半径方向摆动的喷嘴臂的单个或多个气体溶解水喷嘴，将包含所述微细气泡的气体溶解水向所述研磨垫上供给。

19.如权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，

在对所述基板进行擦洗处理后，将所述擦洗处理部件向从所述基板的位置离开的自清洗位置搬送，

向在所述自清洗位置待机的所述擦洗处理部件供给包含所述微细气泡的清洗液或包含所述微细气泡的气体溶解水。