CN116867339A - 显示装置、显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示装置、显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116867339A
CN116867339A CN202310802282.6A CN202310802282A CN116867339A CN 116867339 A CN116867339 A CN 116867339A CN 202310802282 A CN202310802282 A CN 202310802282A CN 116867339 A CN116867339 A CN 116867339A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
anode
substrate
sacrificial layer
film layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310802282.6A
Other languages
English (en)
Inventor
蒲洋
叶利丹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HKC Co Ltd
Original Assignee
HKC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HKC Co Ltd filed Critical HKC Co Ltd
Priority to CN202310802282.6A priority Critical patent/CN116867339A/zh
Publication of CN116867339A publication Critical patent/CN116867339A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供了一种显示装置、显示面板及其制备方法,制备方法包括:在衬底基板一侧的表面上制备形成显示区及阳极部;在衬底基板上制备出包含有膜层部的像素定义层,膜层部位于阳极部背对衬底基板的一侧上;在膜层部背对阳极部的一侧制备出牺牲层,牺牲层在衬底基板上的投影覆盖阳极部;蒸镀形成有机层;去除牺牲层以裸露出膜层部及阳极部;蒸镀形成阴极层,使所形成的阴极层的一部分区域覆盖显示区表面上的有机层,另一部分区域覆盖膜层部及阳极部;本制备方法,可以获得阴极搭接区处阴极层直接覆盖阳极部的显示面板,从而良好地解决了显示面板的阴极搭接不良、搭接区电阻大导致功耗变高等问题。

Description

显示装置、显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域,特别涉及一种显示面板的制备方法、一种显示面板和一种显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)类型的显示面板凭借其高色域、高对比、广视角等优势,在市场上的应用越来越广泛。
OLED的显示区包含发光部分,发光部分一般包含阳极层、发光层、阴极层等,阴极信号一般是在显示面板边缘的阴极搭接区处由阳极传输给阴极。然而,现有的OLED显示面板,其有机层、阴极等膜层一般采用开放式掩膜版蒸镀到整个板面,因此,在显示面板的阴极搭接区往往存在经由开放式掩膜版蒸镀形成的膜层夹在阴极搭接区的阴极与阳极之间,会造成阴极搭接不良或者搭接区电阻较大导致功耗变高等问题。
发明内容
本发明的一个目的在于提出一种显示面板的制备方法,可以获得阴极搭接区处阴极层直接覆盖阳极部的显示面板,从而良好地解决了显示面板的阴极搭接不良、搭接区电阻大导致功耗变高等问题。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
本发明一个方面的技术方案提出了一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:
在衬底基板一侧的表面上制备形成显示区及阳极部,所述阳极部位于所述显示区的外周侧且与所述显示区间隔地设置;
在所述衬底基板上制备出包含有膜层部的像素定义层,其中,所述膜层部位于所述阳极部背对所述衬底基板的一侧上;
在所述膜层部背对所述阳极部的一侧制备出牺牲层,其中,所述牺牲层在所述衬底基板上的投影覆盖所述阳极部;
蒸镀形成有机层,其中,所形成的所述有机层的一部分区域覆盖所述显示区,另一部分区域搭接在所述牺牲层上;
去除所述牺牲层,以裸露出所述膜层部及所述阳极部;
蒸镀形成阴极层,其中,所形成的所述阴极层的一部分区域覆盖所述显示区表面上的所述有机层,另一部分区域覆盖所述膜层部及所述阳极部。
根据本申请的一些技术方案,在所述膜层部背对所述阳极部的一侧制备出牺牲层的步骤具体包括:
在所述衬底基板上制备出光阻层,其中,所述光阻层至少覆盖所述膜层部及所述阳极部;
在所述光阻层上开设缺口,所述缺口与所述膜层部相对,所述缺口的最宽之处在所述衬底基板上的投影覆盖所述阳极部;
涂布形成所述牺牲层,其中,所述牺牲层至少填充所述缺口;
去除所述光阻层。
根据本申请的一些技术方案,所述牺牲层的截面设置成倒梯形,所述牺牲层的上底端比下底端宽,所述牺牲部的下底端与所述膜层部连接,所述牺牲层的下底端的面积小于或等于所述膜层部远离所述阳极部的一端的面积,所述牺牲层的上底端在所述衬底基板上的投影覆盖所述阳极部。
根据本申请的一些技术方案,所述牺牲层的边缘相对所述阳极部的边缘向周侧突出,所述牺牲层在所述衬底基板上的投影与所述显示区间隔地设置。
根据本申请的一些技术方案,所述牺牲层的最宽之处的宽度值比所述阳极部的宽度值大至少0.1um。
根据本申请的一些技术方案,所述牺牲层为光分解材料。
根据本申请的一些技术方案,所述膜层部比所述阳极部窄,所述阳极部远离所述衬底基板的一端的表面包含与所述膜层部相对的第一区域和分布在所述第一区域的外周侧的第二区域,所述第一区域被所述膜层部覆盖,所述第二区域未被所述膜层部覆盖,其中,所述阴极层覆盖所述第二区域。
根据本申请的一些技术方案,所述膜层部的截面设置成梯形,所述膜层部的上底端比所述膜层部的下底端窄,所述膜层部的下底端与所述阳极部相连,所述膜层部的上底端背对所述阳极部,所述膜层部的周侧面为从所述膜层部的上底端向所述膜层部的下底端倾斜延伸的斜面。
本申请另一个方面的技术方案提出了一种显示面板,包括:
衬底基板,所述衬底基板一侧的表面上设置有显示区和阳极部,所述阳极部位于所述显示区的外周侧且与所述显示区间隔地设置;
像素定义层,所述像素定义层包含膜层部,所述膜层部位于所述阳极部背对所述衬底基板的一侧;
有机层,覆盖在所述显示区背对所述衬底基板的一侧;
阴极层,所述阴极层的一部分区域覆盖所述有机层,另一部分区域覆盖所述膜层部及所述阳极部。
本申请另一个方面的技术方案提出了一种显示装置,包括:上述任一技术方案中所述的显示面板;主板,与所述显示面板连接。
本申请中,蒸镀有机层之前,在显示区周围作为阴极搭接区的阳极部的表面上制备包含于像素定义层的膜层部及位于膜层部上的牺牲层,由于牺牲层在衬底基板上的投影覆盖阳极部,这样,在蒸镀有机层时,利用牺牲层的遮挡阳极部以避免有机层蒸镀到阳极部上,此后,通过去除有机层,可以使得阳极部重新裸露,从而可以在后续的蒸镀阴极层的步骤中,将阴极层蒸镀到阳极部上,使得阳极部的至少部分表面被阴极层直接覆盖,这样,阴极层与阳极层之间形成直接接触,阴极层与阳极层之间无须夹设有机层,从而良好地解决了显示面板的阴极搭接不良、搭接区电阻大导致功耗变高等问题。且本设计中,将牺牲层设置到膜层部上,可以更容易地去除牺牲层,并且,去除牺牲层时也不会引起阳极部损伤等问题,不容易引入其他搭接不良风险性。同时,本制备方法的步骤简单,可以良好地兼顾显示面板的制备成本,有利于在领域内推广。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本发明。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施例,本发明的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。
图1是本申请一个实施例所述显示面板的制备方法的流程图。
图2是本申请一个实施例所述显示面板的制备方法的流程图。
图3是本申请一个实施例所述显示面板的第一过程结构示意图。
图4是本申请一个实施例所述显示面板的第二过程结构示意图。
图5是本申请一个实施例所述显示面板的第三过程结构示意图。
图6是本申请一个实施例所述显示面板的第四过程结构示意图。
图7是本申请一个实施例所述显示面板的第五过程结构示意图。
图8是本申请一个实施例所述显示面板的第六过程结构示意图。
图9是本申请一个实施例所述显示面板的结构示意图。
图10是本申请一个实施例所述显示装置的结构示意图。
附图标记如下:
300、衬底基板;310、显示区;320、阳极部;330、膜层部;340、有机层;341、第一有机部;342、第二有机部;350、阴极层;360、光阻层;361、缺口;370、牺牲层;1、显示面板;2、主板。
具体实施方式
尽管本发明可以容易地表现为不同形式的实施方式,但在附图中示出并且在本说明书中将详细说明的仅仅是其中一些具体实施方式,同时可以理解的是本说明书应视为是本发明原理的示范性说明,而并非旨在将本发明限制到在此所说明的那样。
由此,本说明书中所指出的一个特征将用于说明本发明的一个实施方式的其中一个特征,而不是暗示本发明的每个实施方式必须具有所说明的特征。此外,应当注意的是本说明书描述了许多特征。尽管某些特征可以组合在一起以示出可能的系统设计,但是这些特征也可用于其他的未明确说明的组合。由此,除非另有说明,所说明的组合并非旨在限制。
在附图所示的实施方式中,方向的指示(诸如上、下、左、右、前、后等)用于解释本发明的各种元件的结构和运动不是绝对的而是相对的。当这些元件处于附图所示的位置时,这些说明是合适的。如果这些元件的位置的说明发生改变时,则这些方向的指示也相应地改变。
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些示例实施方式使得本发明的描述将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本发明的示意性图解,并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。
如今,OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)类型的显示面板凭借其高色域、高对比、广视角等优势,在市场上的应用越来越广泛。
其中,OLED类型的显示面板大致包含有显示区和位于显示区的周围的阴极搭接区,显示区具体例如包含发光部分,发光部分在领域内也可称之为显示像素,其中,发光部分一般包含阳极层、发光层、阴极层等,显示面板的阴极信号一般是在显示面板边缘的阴极搭接区处由阳极(该阳极与发光部分的阳极层可以是同一膜层)传输给阴极。其中,由于OLED类型的显示面板材料蒸镀时,并不是所有材料都采用精细金属掩膜版将材料精确蒸镀到像素区域,有一些膜层(如有机层、阴极层等),使用的是开放式掩膜版蒸镀到整个板面,由于这些膜层(如有机层、阴极层等)的存在,在现有的显示面板的阴极搭接区,经由开放式掩膜版蒸镀形成的膜层(如有机层、阴极层等)会夹在阴极搭接区的阴极与阳极之间,会造成阴极搭接不良或者搭接区电阻较大导致功耗变高等问题。
基于此,本申请实施例提出一种显示面板的制备方法,可以制备获得阴极搭接区处阴极层直接覆盖阳极部的显示面板,从而良好地解决了显示面板的阴极搭接不良、搭接区电阻大导致功耗变高等问题。
参照图1,图1是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程图,包括但不限于步骤S110至步骤S160。
步骤S110,在衬底基板一侧的表面上制备形成显示区及阳极部,阳极部位于显示区的外周侧且与显示区间隔地设置;
对于此步骤S110,可选地,可以在衬底基板一侧的表面上制备形成驱动电路层,在驱动电路层远离衬底基板的一侧制备出阳极层,在阳极层远离衬底基板的一侧制备出发光层,以此阳极层与发光层的分布区域作为显示区,其中,在显示区的外周侧的阴极搭接区位置处设置与阳极层同层的阳极部,阳极部也可称之为阳极走线,阳极部用于传输阴极信号,可选地,阳极部的材料可选自于Ag(银)、ITO(氧化铟锡)等。如此,实现在衬底基板一侧的表面上制备形成显示区及阳极部,阳极部位于显示区的外周侧且与显示区间隔地设置,且将阳极层与阳极部同层设置,这在工艺流程上具有高效性,也可降低生产成本。
步骤S120,在衬底基板上制备出包含有膜层部的像素定义层,其中,膜层部位于阳极部背对衬底基板的一侧上;(可结合附图3进行理解)
对于此步骤S120,可选地,在制备像素定义层时,可采用半透过掩膜版使膜层部作为像素定义层的一部分与像素定义层同层地制备形成,在工艺流程上具有高效性,也可以降低生产成本。
步骤S130,在膜层部背对阳极部的一侧制备出牺牲层,其中,牺牲层在衬底基板上的投影覆盖阳极部;(可结合附图6进行理解)
对于此步骤S130,牺牲层用于在蒸镀有机层时遮挡阳极部,以防止有机层蒸镀到阳极部上,其中,将牺牲层设置在膜层部上,这样,在去除牺牲层时不会引起阳极部损伤等问题,且也可以避免牺牲层难于去除或去除不完全的不良情况,降低了本方案引入其他搭接不良因素的风险性,从而提升显示面板的阴极搭接精度与可靠性,也更好地保障了显示面板的制备效率。
步骤S140,蒸镀形成有机层,其中,所形成的有机层的一部分区域(如有机层的第一有机部)覆盖显示区,另一部分区域(如有机层的第二有机部)搭接在牺牲层上;(可结合附图7进行理解)
对于此步骤S140,由于在步骤130中设置有牺牲层用于遮挡阳极部,使得有机层在阴极搭接区会蒸镀到牺牲层上,且与其余位置的有机层不连续,具体如图7所示,由于显示区的有机层与阴极搭接区的有机层不连续,因而使得有机层大致分成覆盖在显示区表面的第一有机部和覆盖在牺牲层表面的第二有机部,利用牺牲层的阻挡作用,第二有机部不再搭接在阳极部上,从而避免有机层夹设到阳极部与阴极层之间。且通过此设计,蒸镀形成有机层的具体蒸镀方式可具有更大的选择空间,即可以选择采用开放式掩膜版蒸镀,也可以选择精细金属掩模版,无须仅为了使有机层避开阳极部而局限于精细金属掩模版方式,因此,本制备方法在保障阴极搭接可靠性的同时,具有更高的生产灵活性,可以良好地兼顾显示面板的制备成本和生产效率,有利于在领域内推广。
步骤S150,去除牺牲层,以裸露出膜层部及阳极部;(可结合附图8进行理解)
对于此步骤S150,由于利用了牺牲层进行阻挡,使得蒸镀的有机层搭接到牺牲层上,具体如图7所示,有机层的第二有机部搭接到牺牲层上,而避免有机层蒸镀到阳极部上,这样,通过去除牺牲层,可同时带走搭接在牺牲层表面的有机层,以裸露出膜层部及阳极部,避免有机层夹设到阴极层与阳极部之间产生电阻。
对于此步骤S150,可选地,牺牲层的材料为光分解材料(如紫外线分解材料、激光分解材料等),通过紫外线或激光照射牺牲层使得牺牲层分解,可以高效、充分地去除牺牲层,同时防止阳极部受到损伤。进一步优选地,可通过紫外线或激光照射牺牲层与膜层部的接合位置,以更高效地使得牺牲层从膜层部上分离脱落。
步骤S160,蒸镀形成阴极层,其中,所形成的阴极层的一部分区域覆盖显示区表面上的有机层,另一部分区域覆盖膜层部及阳极部。(可结合附图9进行理解)
对于此步骤S160,由于步骤150后裸露出膜层部及阳极部,因此,蒸镀形成的阴极层可直接覆盖到裸露出的膜层部及阳极部的表面,通过阴极层与阳极部直接接触,阴极层与阳极层之间无须夹设有机层,极大地避免了搭接不良以及电阻较大等问题,降低了显示面板的功耗。
参照图2,图2是本申请实施例提供的在膜层部背对阳极部的一侧制备出牺牲层,其中,牺牲层在衬底基板上的投影覆盖阳极部的步骤流程图,包括但不限于步骤S210至步骤S240。
步骤S210,在衬底基板上制备出光阻层,其中,光阻层至少覆盖膜层部及阳极部;(可结合附图4进行理解)
对于此步骤S210,可选地,可具体以涂布的方式制备形成光阻层,工艺简单、高效性。
步骤S220,在光阻层上开设缺口,缺口与膜层部相对,缺口的最宽之处在衬底基板上的投影覆盖阳极部;(可结合附图4进行理解)
对于此步骤S220,可选地,可具体以光刻的方式制备出该缺口,兼顾效率的同时,也可以获得更稳定的加工精度。当然,其他实施例中,也可以选择蚀刻的方式制备出该缺口。
步骤S230,涂布形成牺牲层,其中,牺牲层至少填充缺口;(可结合附图5进行理解)
步骤S240,去除光阻层。(可结合附图6进行理解)
本实施例中,通过设置光阻层,在光阻层上制备缺口,以填充缺口的形式制备出牺牲层,该工艺流程简单、高效,且可以更好地保障牺牲层的形状、尺寸的精度及均一性,从而提升产品的良品率。
在某些实施例中,如图6所示,优选地,牺牲层370的截面设置成倒梯形,牺牲层370的上底端比下底端宽,牺牲层370的上底端在衬底基板300上的投影覆盖阳极部320,以保障牺牲层370对阳极部320的遮挡面积的充分性。牺牲部的下底端与膜层部330连接,牺牲层370的下底端的面积小于膜层部330远离阳极部320的一端的面积,这样,牺牲层370大致形成底切结构位于膜层部330上,对阳极部320的遮挡效果更好,且该结构中,牺牲层370与膜层部330的连接面积较小,可使得去除牺牲层370时更为高效。
在某些实施例中,如图6所示,牺牲层370的边缘相对阳极部320的边缘向周侧突出,也即如,牺牲层370的边缘相对阳极部320的水平凸出距离L1、L2分别大于0,即牺牲层370的边缘在衬底基板300上的投影位于阳极部320的外侧,这样,牺牲层370可以充分地遮挡阳极部320,避免有机层340蒸镀到阳极部320上。
进一步可选地,牺牲层370的最宽之处的宽度值比阳极部320的宽度值大至少0.1um。也即如,牺牲层370的边缘相对阳极部320的水平凸出距离L1、L2分别大于0.05um。可以充分地遮挡阳极部320,避免有机层340蒸镀到阳极部320上。
在某些实施例中,如图6所示,牺牲层370在衬底基板300上的投影与显示区310间隔地设置。也即如,牺牲层370的边缘与显示区310的边缘的水平距离L3大于0,这样,牺牲层370不会遮挡显示区310,从而不会影响到显示区310蒸镀有机层340的效果。
优选地,阳极部在衬底基板上的投影的至少一部分超出膜层部在衬底基板上的投影。更利于阴极层350垂直地蒸镀覆盖到阳极部上,更简化生产工艺过程,提升良品率。
在某些实施例中,如图8和图9所示,膜层部330比阳极部320窄,阳极部320远离衬底基板300的一端的表面包含与膜层部330相对的第一区域和分布在第一区域的外周侧的第二区域,第一区域被膜层部330覆盖,第二区域未被膜层部330覆盖,其中,阴极层350覆盖第二区域。这样,蒸镀形成阴极层350时,阴极层350可以直接覆盖到第二区域的表面上,使得阴极层350与阴极搭接区的阳极部320可以在膜层部330的周围(也即第二区域的表面上)有效搭接,提升阴极层350与阳极部320之间的阴极信号传输的可靠性。
当然,在其他实施例中,膜层部可设置成与阳极部远离衬底基板的一端等宽,将阳极部设置成由靠近衬底基板的一端向远离衬底基板的一端逐渐变窄的结构,这样,阳极部的两个侧面未被膜层部覆盖,且可在蒸镀形成阴极层时,使得阴极层蒸镀到阳极部的两个侧面上,从而实现可靠、稳定地阴极搭接。
如图8和图9所示,膜层部330的截面设置成梯形,膜层部330的上底端比膜层部330的下底端窄,膜层部330的下底端与阳极部320相连,膜层部330的上底端背对阳极部320,膜层部330的周侧面为从膜层部330的上底端向膜层部330的下底端倾斜延伸的斜面。通过设置膜层部330为上窄下宽的梯形,这样,阴极层350在膜层部330的斜面(即周侧面)上不会发生断线等问题。
如图3至图9所示,本申请另一个方面的实施例提出了一种显示面板,该显示面板通过上述任一实施例中所述的显示面板的制备方法制成,其中,该显示面板包括:衬底基板300、像素定义层、有机层340、阴极层350。
衬底基板300一侧的表面上设置有显示区310和阳极部320,阳极部320位于显示区310的外周侧且与显示区310间隔地设置;像素定义层包含膜层部330,膜层部330位于阳极部320背对衬底基板300的一侧;有机层340覆盖在显示区310背对衬底基板300的一侧;阴极层350的一部分区域覆盖有机层340,另一部分区域覆盖膜层部330及阳极部320。
可选地,有机层340可选自于:公共电子传输层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴阻挡层。
以下,结合附图3至图9,对本实施例所述的显示面板及其制备过程进行详细地举例说明:
如图3所示,提供一衬底基板300,衬底基板300一侧的表面上设置有显示区310及位于显示区310的外周侧的阴极搭接区,其中,阴极搭接区形成阳极部320,该阳极部320与显示区310间隔地设置。对该衬底基板300制备像素定义层时,使用HTM(半透过掩膜版)等方式,在阴极搭接区的阳极部320上形成高度低于阳极层的其余区域的膜层部330,具体可选地,阳极层的其余区域的高度大致为2um,膜层部330的高度大致为0.5um,膜层部330的截面大致呈梯形,膜层部330的上底端的宽度小于膜层部330的下底端的宽度,膜层部330的下底端的面积小于阳极部320远离衬底基板300的一端的面积,膜层部330的中心位置与阳极部320的中心位置重合。
如图6所示,在膜层部330远离阳极部320的一端制备牺牲层370,牺牲层370具体为紫外线分解材料或激光分解材料等,牺牲层370的形状为倒梯形,即牺牲层370的上底端宽而下底端窄,牺牲层370的下底端的面积等于或小于膜层部330的上底端的面积,牺牲层370的上底端的宽度比阳极部320的宽度大0.1um以上,且不影响到显示区310。
具体地,牺牲层370的形成过程可大致参见附图4和图5:
如图4所示,在衬底基板300的一侧涂布形成光阻层360,光阻层360具体位于显示区310、阳极部320及膜层部330远离衬底基板300的一侧,并在光阻层360上光刻出与膜层部330相对的缺口361,其中,缺口361的形状与牺牲层370的形状大致契合。
如图5所示,在衬底基板300的一侧涂布形成牺牲层370,牺牲层370具体位于缺口361内,通过在附图5所示结构的基础上去除光阻层360,可以获得如图6所示具备牺牲层370的显示面板半成品。
如图7所示,蒸镀形成有机层340(优选为电子传输层)时,由于膜层部330上有牺牲层370,牺牲层370为倒梯形,使得有机层340在阴极搭接区会蒸镀到牺牲层370上,且和其余位置不连续,同时不再搭接在阳极部320上。更具体例如,有机层340的一部分蒸镀在牺牲层370上,形成第二有机部342,有机层340的另一部分蒸镀在显示区310上,形成第一有机部341,第一有机部341与第二有机部342之间不连续,通过牺牲层370为倒梯形,可以强化这种不连续,以便于去除牺牲层370时,随牺牲层370一起将第二有机部342一起去除。
如图8所示,完成有机层340的蒸镀后,通过紫外线、激光等使牺牲层370分解,同时带走牺牲层370上面的第二有机部342,露出膜层部330及阳极部320,可以理解的是,为了将牺牲层370全部去除,激光等方式可能使部分膜层部330受损,但是这也不影响后续阴极层350的搭接,但是,若无膜层部330,在去除牺牲层370时,阳极部320就可能受损,或牺牲层370去除不完全,在牺牲层370去除不完全的情况下,由于牺牲层370为倒梯形,后续阴极层350搭接时则可能发生爬坡断线的问题,本设计通过设置膜层部330,将牺牲层370设置在膜层部330上,则良好地避免了阳极部320受损、牺牲层370去除不完全等情形,从而更好地保障了阴极搭接质量。较佳地,紫外线、激光(激光如附图7中的虚线箭头所示)的照射面积优选为牺牲层370的下底端面积,这样,牺牲层370的其余部分也会脱落,同时可防止对阳极走线造成损伤。
如图9所示,去除牺牲层370后,开始蒸镀形成阴极层350,由于去除牺牲层370后,膜层部330及膜层部330周围的阳极部320露出,这样,阴极层350与阳极部320可以在膜层部330周围有效搭接,同时由于膜层部330为正梯形,阴极在膜层部330周侧的坡面不会发生断线等问题。
综上,本显示面板良好地解决了显示面板的阴极搭接不良、搭接区电阻大导致功耗变高等问题。
参见图10所示,本申请还提供了一种显示装置,显示装置包括显示面板1和主板2,主板2与显示面板1连接,用于驱动显示面板1显示画面。显示面板1包括上述任一技术方案中所述的显示面板1。
虽然已参照几个典型实施方式描述了本发明,但应当理解,所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本发明能够以多种形式具体实施而不脱离发明的精神或实质,所以应当理解,上述实施方式不限于任何前述的细节,而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释,因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底基板一侧的表面上制备形成显示区及阳极部,所述阳极部位于所述显示区的外周侧且与所述显示区间隔地设置;
在所述衬底基板上制备出包含有膜层部的像素定义层,其中,所述膜层部位于所述阳极部背对所述衬底基板的一侧上;
在所述膜层部背对所述阳极部的一侧制备出牺牲层,其中,所述牺牲层在所述衬底基板上的投影覆盖所述阳极部;
蒸镀形成有机层,其中,所形成的所述有机层的一部分区域覆盖所述显示区,另一部分区域搭接在所述牺牲层上;
去除所述牺牲层,以裸露出所述膜层部及所述阳极部;
蒸镀形成阴极层,其中,所形成的所述阴极层的一部分区域覆盖所述显示区表面上的所述有机层,另一部分区域覆盖所述膜层部及所述阳极部。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述膜层部背对所述阳极部的一侧制备出牺牲层的步骤具体包括:
在所述衬底基板上制备出光阻层,其中,所述光阻层至少覆盖在所述膜层部与所述阳极部背对所述衬底基板的一侧;
在所述光阻层上开设缺口,所述缺口与所述膜层部相对,所述缺口的最宽之处在所述衬底基板上的投影覆盖所述阳极部;
涂布形成所述牺牲层,其中,所述牺牲层至少填充所述缺口;
去除所述光阻层。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述牺牲层的截面设置成倒梯形,所述牺牲层的上底端比下底端宽,所述牺牲部的下底端与所述膜层部连接,所述牺牲层的下底端的面积小于或等于所述膜层部远离所述阳极部的一端的面积,所述牺牲层的上底端在所述衬底基板上的投影覆盖所述阳极部。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述牺牲层的边缘相对所述阳极部的边缘向周侧突出,所述牺牲层在所述衬底基板上的投影与所述显示区间隔地设置。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述牺牲层的最宽之处的宽度值比所述阳极部的宽度值大至少0.1um。
6.根据权利要求1或2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述牺牲层为光分解材料。
7.根据权利要求1或2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述膜层部比所述阳极部窄,所述阳极部远离所述衬底基板的一端的表面包含与所述膜层部相对的第一区域和分布在所述第一区域的外周侧的第二区域,所述第一区域被所述膜层部覆盖,所述第二区域未被所述膜层部覆盖,其中,所述阴极层覆盖所述第二区域。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述膜层部的截面设置成梯形,所述膜层部的上底端比所述膜层部的下底端窄,所述膜层部的下底端与所述阳极部相连,所述膜层部的上底端背对所述阳极部,所述膜层部的周侧面为从所述膜层部的上底端向所述膜层部的下底端倾斜延伸的斜面。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板一侧的表面上设置有显示区和阳极部,所述阳极部位于所述显示区的外周侧且与所述显示区间隔地设置;
像素定义层,所述像素定义层包含膜层部,所述膜层部位于所述阳极部背对所述衬底基板的一侧;
有机层,覆盖在所述显示区背对所述衬底基板的一侧;
阴极层,所述阴极层的一部分区域覆盖所述有机层,另一部分区域覆盖所述膜层部及所述阳极部。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求9所述的显示面板;
主板,与所述显示面板连接。
CN202310802282.6A 2023-06-30 2023-06-30 显示装置、显示面板及其制备方法 Pending CN116867339A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310802282.6A CN116867339A (zh) 2023-06-30 2023-06-30 显示装置、显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310802282.6A CN116867339A (zh) 2023-06-30 2023-06-30 显示装置、显示面板及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116867339A true CN116867339A (zh) 2023-10-10

Family

ID=88224515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310802282.6A Pending CN116867339A (zh) 2023-06-30 2023-06-30 显示装置、显示面板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116867339A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107565048A (zh) * 2017-08-24 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
CN111403440A (zh) * 2020-03-20 2020-07-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制备方法、显示装置
WO2022174610A1 (zh) * 2021-02-22 2022-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN116322195A (zh) * 2022-12-28 2023-06-23 惠科股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107565048A (zh) * 2017-08-24 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
CN111403440A (zh) * 2020-03-20 2020-07-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制备方法、显示装置
WO2022174610A1 (zh) * 2021-02-22 2022-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN116322195A (zh) * 2022-12-28 2023-06-23 惠科股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN212256800U (zh) 显示面板、显示装置及拼接显示装置
KR101980781B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US11056543B2 (en) Display panel and manufacturing method thereof
CN109884830B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板
US20120138972A1 (en) Array substrate and a method for fabricating the same and an electronic paper display
CN216648312U (zh) 一种显示面板、显示装置
CN110556406A (zh) 一种oled显示面板及其制备方法
US12010885B2 (en) Display substrate and display apparatus
CN110797351B (zh) 一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置
CN111785760A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN113097416A (zh) 显示面板及其制备方法
CN113138504B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US7704648B2 (en) Color filter substrate and fabricating method thereof
JP2006351844A (ja) 電気光学表示装置およびその製造方法
CN113687548B (zh) 阵列基板及其制作方法、以及显示面板
CN116867339A (zh) 显示装置、显示面板及其制备方法
US20230113605A1 (en) Conductive film, manufacturing method of conductive film, and display device
CN210607260U (zh) 一种显示基板、显示装置
US11362155B2 (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display device
KR102418375B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109103144B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109960085B (zh) 一种显示面板及其制备方法
CN114137771B (zh) 阵列基板及其制作方法
CN111029387A (zh) 一种oled基板的制作方法、基板、显示装置和掩模板
US10497725B2 (en) Method of producing display panel board

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination