CN116847679A - 显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供了一种显示面板及其制作方法和显示装置，属于显示技术领域。显示面板包括衬底基板、发光功能层、静电防护结构和多个内隔离结构。衬底基板具有显示区、第一隔离区和开孔区。发光功能层位于衬底基板的第一表面且在显示区中阵列布置的多个发光单元，多个发光单元的第一电极相连。多个内隔离结构位于第一表面且位于第一隔离区，多个内隔离结构包括至少一个第一隔离结构，第一隔离结构包括与第一电极同层且绝缘的第一隔离环。静电防护结构位于第一隔离区，且位于多个内隔离结构靠近衬底基板的一侧。本公开实施例可以改善第一隔离环处因电荷积累导致击穿引起的显示不良。

Description

显示面板及其制作方法和显示装置

技术领域

本公开实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。

背景技术

显示装置广泛应用于人们的日常生活中，例如手机、显示器或者平板电脑等设备中。显示面板为显示装置的重要组成部分。

相关技术中，显示面板包括衬底基板、发光功能层和多个内隔离结构。衬底基板具有显示区、第一隔离区和开孔区，显示区围绕开孔区，第一隔离区位于开孔区和显示区之间。发光功能层位于显示区且位于衬底基板的第一表面，发光功能层具有相连的多个第一电极。多个隔离结构位于第一隔离区且位于衬底基板的第一表面，至少一个隔离结构包括第一隔离环，第一隔离环与第一电极同层且绝缘。

然而，第一隔离环处容易因电荷积累导致击穿，进而引起显示不良。

发明内容

本公开提供了一种显示面板及其制作方法和显示装置，可以改善第一隔离环处因电荷积累导致击穿、进而引起的显示不良。

一方面，提供了一种显示面板，包括衬底基板、发光功能层、静电防护结构和多个内隔离结构；所述衬底基板具有显示区、第一隔离区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述第一隔离区位于所述开孔区和所述显示区之间；所述发光功能层位于所述衬底基板的第一表面，且所述发光功能层包括多个发光单元，所述多个发光单元阵列布置在所述显示区中，且所述多个发光单元的第一电极相连；所述多个内隔离结构位于所述第一隔离区，且位于所述第一表面，所述多个内隔离结构均呈环形且围绕所述开孔区，所述多个内隔离结构包括至少一个第一隔离结构，所述第一隔离结构包括第一隔离环，所述第一隔离环与所述第一电极同层且绝缘；所述静电防护结构位于所述第一隔离区，且位于所述多个内隔离结构靠近所述衬底基板的一侧。

可选地，所述静电防护结构为静电屏蔽结构；所述第一隔离结构在所述第一表面上的正投影位于所述静电屏蔽结构在所述第一表面上的正投影内。

可选地，所述静电屏蔽结构包括一层静电屏蔽层，或者所述静电屏蔽结构包括沿垂直于所述第一表面的方向层叠的多层静电屏蔽层；所述静电屏蔽层包括一个静电屏蔽环；或者，所述静电屏蔽层包括多个静电屏蔽环，且所述多个静电屏蔽环为同心环且在所述第一表面上的正投影互不重合。

可选地，所述静电防护结构为静电释放结构，所述第一隔离环与所述静电释放结构电连接。

可选地，所述静电释放结构包括一层静电释放层或者，所述静电释放结构包括多层静电释放层，所述多层静电释放层沿垂直于所述第一表面的方向层叠且相互连接；每层所述静电释放层均与电压信号源电连接。

可选地，所述显示面板还包括驱动电路层，所述驱动电路层位于所述发光功能层和所述衬底基板之间；所述静电防护结构与所述驱动电路层的至少一层非绝缘层同层。

可选地，所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管；所述多个薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，所述非绝缘层包括以下至少一种：遮光层、第一栅极层、第二栅极层和第三栅极层；或者，所述多个薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管，所述非绝缘层包括以下至少一种：第一栅极层和第二栅极层。

可选地，所述第一隔离结构还包括第一隔离柱和第一绝缘结构；所述第一隔离柱具有远离所述衬底基板的顶面、靠近所述衬底基板的底面以及连接所述顶面和所述底面之间的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述开孔区；所述第一绝缘结构包括相连的第一绝缘部分和第二绝缘部分，所述第一绝缘部分位于所述顶面，所述第二绝缘部分位于所述第一侧壁；所述第一隔离环包括依次相连的第一导电部分和第二导电部分，所述第一导电部分位于所述第一绝缘部分远离所述衬底基板的表面，所述第二导电部分位于所述第二绝缘部分朝向所述开孔区的表面。

可选地，所述第一隔离结构还包括第一隔离柱和第一绝缘结构；所述第一隔离柱具有远离所述衬底基板的顶面、靠近所述衬底基板的底面以及连接在所述顶面和所述底面之间的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述开孔区；所述第一绝缘结构包括相连的第一绝缘部分和第二绝缘部分，所述第一绝缘部分位于所述顶面，所述第二绝缘部分位于所述第一侧壁；所述第一隔离环包括依次相连的第一导电部分和第二导电部分，所述第一导电部分位于所述第一绝缘部分远离所述衬底基板的表面，所述第二导电部分位于所述第二绝缘部分朝向所述开孔区的表面，所述第二导电部分与所述静电释放结构电连接。

可选地，所述显示面板还包括隔离坝，所述隔离坝位于所述第一隔离区和所述开孔区之间，且所述隔离坝位于所述第一表面；所述多个内隔离结构中最靠近所述开孔区的内隔离结构为边缘隔离结构；所述边缘隔离结构包括边缘隔离柱、边缘绝缘结构和边缘隔离环，所述边缘隔离柱具有远离所述衬底基板的顶面、靠近所述衬底基板的底面以及连接所述顶面和所述底面之间的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述开孔区，所述边缘绝缘结构包括相连的第一边缘绝缘部分和第二边缘绝缘部分，所述第一边缘绝缘部分位于所述顶面，所述第二边缘绝缘部分位于所述第一侧壁，所述第二边缘绝缘部分与位于所述隔离坝靠近所述衬底基板一侧的绝缘块相连；所述第一边缘隔离环包括依次相连的第一边缘导电部分和第二边缘导电部分，所述第一边缘导电部分位于所述第一边缘绝缘部分远离所述衬底基板的表面，所述第二边缘导电部分位于所述第二边缘绝缘部分朝向所述开孔区的表面，所述第二边缘导电部分的远离所述第一边缘导电部分的一侧与位于所述隔离坝远离衬底基板一侧的电极块相连。

可选地，所述衬底基板还具有第二隔离区，所述第二隔离区位于所述第一隔离区与所述开孔区之间，所述显示面板还包括多个外隔离结构，所述多个外隔离结构位于所述第二隔离区且位于所述第一表面；所述多个外隔离结构包括至少一个第二隔离结构，所述第二隔离结构与所述第一隔离结构的结构相同。

可选地，所述衬底基板还具有第二隔离区，所述第二隔离区位于所述第一隔离区与所述开孔区之间，所述显示面板还包括多个外隔离结构，所述多个外隔离结构位于所述第二隔离区且位于所述第一表面；所述多个外隔离结构的至少部分在所述第一表面的正投影位于所述静电防护结构在所述第一表面的正投影内。

可选地，所述多个外隔离结构还包括第四隔离结构，所述第四隔离结构的高度高于除了所述第四隔离结构之外的其他外隔离柱的高度。

另一方面，提供了一种显示面板的制作方法，所述方法包括：提供衬底基板，所述衬底基板具有显示区、第一隔离区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述第一隔离区位于所述开孔区和所述显示区之间；在所述衬底基板的第一表面形成发光功能层、静电防护结构和多个内隔离结构；其中，所述发光功能层包括多个发光单元，所述多个发光单元阵列布置在所述显示区中，且所述多个发光单元的第一电极相连，所述多个内隔离结构位于所述第一隔离区，所述多个隔离结构均呈环形且围绕所述开孔区，所述多个内隔离结构包括至少一个第一隔离结构，所述第一隔离结构包括第一隔离环，所述第一隔离环与所述第一电极同层且绝缘，所述静电防护结构位于所述第一隔离区，且位于所述多个内隔离结构靠近所述衬底基板的一侧。

又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括供电电路和前述任一种显示面板，所述供电电路为所述显示面板供电。

本公开提供的技术方案带来的有益效果至少包括：通过在衬底基板和第一隔离结构之间设置静电防护结构，可以抑制第一隔离结构的第一隔离环处的电荷积累，从而防止第一隔离环处因积累电荷过多而被击穿，避免击穿引起的显示不良。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图2为图1中显示装置沿AA线的截面结构示意图；

图3是图1中B部分的放大结构示意图；

图4是本公开实施例提供的一种显示面板沿图3中的CC线的截面结构示意图；

图5是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；

图6是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；

图7是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；

图8是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；

图9是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；

图10是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；

图11是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；

图12是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图。

图例说明：

100、显示面板200、壳体300、盖板

400、电路板500、电子器件

103、出光侧104、非出光侧

G1～G4、第一隔离结构～第四隔离结构G1*、边缘隔离结构1、显示区2、第一隔离区3、开孔区

6、第一隔离柱6*、边缘隔离柱7、第二隔离柱

8、第三隔离柱9a、第四隔离柱9b、第五隔离柱

10、驱动电路层11、静电防护结构

111、静电屏蔽结构1111、静电屏蔽层1111a、静电屏蔽环112、静电释放结构1121、静电释放层

12、钝化层121、第一绝缘结构

121*、边缘绝缘结构122、第二绝缘结构

123、第三绝缘结构124、第四绝缘结构

1211、第一绝缘部分1212、第二绝缘部分

1211*、第一边缘绝缘部分1212*、第二边缘绝缘部分

1221、第三绝缘部分1222、第四绝缘部分13、遮光层14、第一栅极层15、第二栅极层16、第三栅极层17、衬底基板D、第一表面

18、缓冲层19、第一有源层

20、发光功能层21、第一电极

211、第一隔离环211*、边缘隔离环212、第二隔离环213、第一底部隔离环215*、边缘底部隔离环

216、第三隔离环217、第四隔离环

22、像素定义层23、发光层

2111、第一导电部分2112、第二导电部分

2111*、第一边缘导电部分2112*、第二边缘导电部分

2121、第三导电部分2122、第四导电部分

30、第一栅极绝缘层31、第一绝缘层32、第二栅极绝缘层

33、第三栅极绝缘层34、层间介电层35、第一源漏极层

36、第一平坦化层37、第二源漏极层38、第二平坦化层

39、第二有源层40、第一无机封装层41、第一有机封装层

42、第二无机封装层43、触控绝缘层44、触控有机保护层

45、第二有机封装层

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

本公开的实施方式部分使用的术语仅用于对本公开的实施例进行解释，而非旨在限定本公开。除非另作定义，本公开的实施方式使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。本公开中所提到的方位用语，例如，“顶”、“底”、“上”、“下”、“左”或者“右”等，仅是参考附图的方向，因此，使用的方位用语是为了更好、更清楚地说明及理解本公开实施例，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开实施例的限制。

本公开实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以为笔记本电脑、手机、平板电脑、电视机、显示器、可穿戴设备、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

图1是本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图1所示，该显示装置包括显示面板100和供电电路(图中未示)，供电电路为显示面板100供电。显示面板100具有显示区1和至少一个开孔区3。

图2为图1中显示装置沿AA线的截面结构示意图。如图1和图2所示，显示面板100包括相对设置的出光侧103和非出光侧104。显示装置还可以包括壳体200、盖板300、电路板400以及电子器件500。

电子器件500位于开孔区3。电子器件500可以是摄像模组、指纹模组或者其他需要接收外界光线的模组。

如图2所示，壳体200的纵截面例如可以呈U型，显示面板100和电路板400设置于壳体200内，盖板300设置于壳体200的开口处。

显示面板100的类型包括多种，可以根据实际需要选择设置。

示例性地，显示面板100可以为：OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)显示面板等，本公开实施例在此不做具体限定。

下面以显示面板100为OLED显示面板为例进行说明。

图3是图1中B部分的放大结构示意图。图4是本公开实施例提供的一种显示面板沿图3中的CC线的截面结构示意图。如图3和图4所示，显示面板100包括衬底基板17、发光功能层20、静电防护结构11和多个内隔离结构。衬底基板具有显示区1、第一隔离区2和开孔区3，显示区1围绕开孔区3，第一隔离区2位于开孔区3和显示区1之间。这里，衬底基板17的显示区1和开孔区3，分别对应图1中显示面板100的显示区1和开孔区3。

本公开实施例中，如图4所示，发光功能层20位于衬底基板17的第一表面D，且发光功能层20包括多个发光单元，多个发光单元阵列布置在显示区1中，且多个发光单元的第一电极21相连。多个内隔离结构位于第一隔离区2，且位于第一表面D，每个内隔离结构均呈环形且围绕开孔区3。多个内隔离结构包括至少一个第一隔离结构G1，第一隔离结构G1包括第一隔离环211，第一隔离环211与第一电极21同层且绝缘。静电防护结构11位于第一隔离区2，且位于多个隔离结构靠近衬底基板17的一侧，静电防护结构11用于防止第一隔离环211积累电荷。

在本公开实施例中，同层是指通过同一构图工艺形成，或者，与同一膜层的同一表面接触，或者，位于同一膜层的同一侧等。不同层是指通过不同的构图工艺形成，或者，分别与不同膜层的表面接触，或者，位于同一膜层的不同侧等。

第一隔离区2中，若无静电防护结构11，在工艺制程(如贴膜、撕膜等)中，开孔区3附近的第一隔离环211易产生电荷积累，从而在第一隔离环211处发生击穿，这里，“第一隔离环211处发生击穿”，是指第一隔离环211与导体(例如下文中的第一隔离柱6)之间的绝缘层(例如下文中的发光层23)被击穿。击穿瞬间释放的热能可能会导致封装膜层因热胀冷缩的突变而发生破裂损伤，进而引起封装失效，外界水氧沿着封装膜层的缝隙入侵至发光功能层中的发光层导致发光层发光异常，从而导致显示不良，显示不良可能表现为显示不均甚至显示黑斑等现象。静电防护结构11的设置可以防止第一隔离环211积累过多电荷发生静电击穿，避免击穿引起的显示不良。

本公开实施例中，如图4所示，静电防护结构11为静电屏蔽结构111。第一隔离结构G1在第一表面D上的正投影位于静电屏蔽结构111在第一表面D上的正投影内。即，静电屏蔽层1111覆盖多个第一隔离结构G1，静电屏蔽结构111的设置可以对第一隔离环211处起到静电屏蔽的作用，防止第一隔离环211处因电荷积累过多而发生击穿。

可选地，静电屏蔽结构111包括一层静电屏蔽层1111，或者静电屏蔽结构111包括垂直于第一表面D的方向层叠的多层静电屏蔽层1111。静电屏蔽层1111包括一个静电屏蔽环1111a。

图4所示实施例中，静电屏蔽结构111包括四层静电屏蔽层1111，且每层静电屏蔽层1111包括一个静电屏蔽环1111a。静电屏蔽环1111a为完整环状结构。该静电屏蔽环1111a围绕开孔区3。一个静电屏蔽环1111a，即整块的静电屏蔽层，不仅覆盖第一隔离结构G1，还覆盖相邻两个第一隔离结构G1之间的区域。这种全部覆盖的设计方式屏蔽区域更加全面，阻挡外界静电的干扰效果更好，而且对静电屏蔽结构111所在膜层的上方膜层(例如后文中的层间介质层34、第一源漏极层35、钝化层12等)的均一性更有利。这里，“上方”是指静电屏蔽结构111远离衬底基板17的一侧。

图5是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图。与图4所示实施例的区别在于静电屏蔽层1111的结构不同。如图5所示，静电屏蔽层1111包括多个静电屏蔽环1111a，且每一层静电屏蔽层1111上的多个静电屏蔽环1111a在第一表面D上的正投影互不重合，即将第一隔离区2具有第一隔离结构G1的区域分段覆盖。可选地，静电屏蔽层1111可以如图5所示，仅覆盖第一隔离结构G1、不覆盖第一隔离结构G1之间的区域。可选地，静电屏蔽层1111也可覆盖第一隔离结构G1、并覆盖部分相邻的两个第一隔离结构G1之间的区域，即相邻两个静电屏蔽环1111a之间的距离小于对应覆盖的相邻的两个第一隔离结构G1之间的距离。分段覆盖可以针对性达到防护目的；且不存在较大面积的金属(即径宽较大的圆环状金属)，较大面积的金属会对所在区域附近的其它金属走线的曝光和蚀刻等工艺带来loading(负载)，工艺复杂，可能会导致其它金属走线达不成预期线宽线距的问题，最终导致显示不良，而分段覆盖中较小面积的金属能够尽可能避免上述问题。

本公开实施例中，如图4所示，显示面板100还包括驱动电路层10，驱动电路层10位于发光功能层20和衬底基板17之间。静电防护结构11与驱动电路层10的至少一层非绝缘层同层。静电防护结构11与显示面板100已有的结构同层设置，节省工艺成本。

示例性地，驱动电路层10包括多个TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)。

在一些示例中，多个TFT包括低温多晶硅TFT和金属氧化物TFT。也即是，驱动电路层10和衬底基板17组成的驱动背板为LTPO(Low-temperature Polycrystalline oxide，低温多晶硅氧化物)背板。对于LTPO背板，非绝缘层包括以下至少一种：遮光层13、第一栅极层14、第二栅极层15和第三栅极层16。

遮光层13、第一栅极层14、第二栅极层15和第三栅极层16均为第一隔离结构6远离第一电极层21一侧的膜层，因此可以用来同步制作静电防护结构。

例如图4所示实施例中，四层静电屏蔽层1111分别与遮光层13、第一栅极层14、第二栅极层15和第三栅极层16同层。

示例性地，如图4所示，LTPO背板包括依次层叠的衬底基板17、遮光层13、缓冲层18、第一有源层19、第一栅极绝缘层30、第一栅极层14、第一绝缘层31、第二栅极层15、第二栅极绝缘层32、第二有源层39、第三栅极绝缘层33、第三栅极层16、层间介电层34、第一源漏极层35、钝化层12、第一平坦化层36、第二源漏极层37和第二平坦化层38。发光功能层20包括在驱动背板10的第一表面D上依次层叠的第二电极层(图未示)、像素定义层22、发光层23和第一电极层21。可选地，第一电极层21为阴极层，第二电极层为阳极层。显示面板100包括驱动背板10、发光功能层20、以及在发光功能层20远离第一表面D的一侧依次层叠的第一无机封装层40、第一有机封装层41、第二无机封装层42、触控层、触控绝缘层43、触控有机保护层44和第二有机封装层45。

其中，触控层可以为自容式触控结构或者互容式触控结构，本公开对此不做限制。触控层可以根据需要设置，当显示面板不需要触控功能时，无需设置该触控层。

本公开实施例中，如图4所示，第一隔离结构G1还包括第一隔离柱6和第一绝缘结构121。第一隔离柱6具有远离衬底基板17的顶面、靠近衬底基板17的底面以及连接顶面和底面之间的第一侧壁，第一侧壁朝向开孔区3。第一绝缘结构121包括相连的第一绝缘部分1211和第二绝缘部分1212，第一绝缘部分1211位于顶面，第二绝缘部分1212位于第一侧壁。第一隔离环211包括依次相连的第一导电部分2111和第二导电部分2112，第一导电部分2111位于第一绝缘部分1211远离衬底基板17的表面，第二导电部分2112位于第二绝缘部分1212朝向开孔区3的表面。第一隔离柱6呈环形且具有相对较高的高度，可以防止水氧从开孔区3进入显示区1中。

可选地，如图4所示，第一隔离柱6与第一源漏极层35同层。第一隔离柱6具有向远离衬底基板17方向上依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层。在从开孔区3指向显示区1的方向上，相比于第一子层和第三子层，第二子层的两侧均内缩，使得第一隔离柱6的截面呈“工”字形。这是为了在制作第一隔离柱6远离衬底基板17一侧的膜层时，例如钝化层12和第一电极层21时，工字型结构中第三子层相较第二子层凸出的两侧可以将这些膜层自然地分开，节省工艺成本。

可选地，第一源漏极层35和第二源漏极层37包括依次层叠的钼层、铝层和钼层，相应的，第一子层和第三子层为钼层，第二子层为铝层。或者第一源漏极层35和第二源漏极层37包括依次层叠的钛层、铝层和钛层等多层金属薄膜，相应的，第一子层和第三子层为钛层，第二子层为铝层。

可选地，第一绝缘结构121与钝化层12同层。将第一绝缘结构121设置在导电的第一隔离柱6与第一隔离环211之间，可以避免第一隔离环211和第一隔离柱6电连接。同时，对于相邻的两个第一隔离结构G1，这种设置方式可以避免这两个第一隔离结构G1中的两个第一隔离环211搭接，从而使第一隔离环211处于浮空(floating)状态，即未加载电源的状态，以便于采用静电防护结构11保护第一隔离环211。

本公开实施例中，衬底基板10可以为任意呈透明的基板，例如玻璃基板、石英基板、塑胶基板、其他透明的硬质基板或者其他透明的可挠式基板，其可以是单层或多层结构。以多层结构为例，衬底基板1包括由下至上依次层叠设置的第一PI(聚酰亚胺)层、第一保护层、第二PI(聚酰亚胺)层、第二保护层，两个保护层用于保护PI层，防止后续工艺对PI层的破坏。第二保护层上还覆盖有缓冲层，可以阻挡水氧和阻隔碱性离子。

示例性地，遮光层13的制作材料可以为金属材料，包括但不限于钼、铝、钛、铜等材料，遮光层13可以减少TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)受到的光照，同时还能够导电。遮光层13也可以称为BSM(bottom shield metal，底部遮挡金属)层。

示例性地，第一有源层19采用低温多晶硅材料制成，第二有源层39采用IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)等金属氧化物半导体材料制成。

示例性地，第一栅极绝缘层30、第一绝缘层31、第二栅极绝缘层32、第三栅极绝缘层33、层间介电层34和触控绝缘层43的制作材料可以是硅氧化物或硅氮化物，硅氮氧化物等。

示例性地，第一栅极层14和第二栅极层15的制作材料为金属材料，例如钼、铜、铝中的一种或者多种。

示例性地，第三栅极层16包括层叠的第一子栅极层和第二子栅极层。第一子栅极层采用透明导电材料制成，例如ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)；第二子栅极层采用金属材料制成，可以为单层金属层或者包括依次层叠的多层金属层。第二子栅极层中的金属层采用的金属材料可以为钛、铝、钛等。

示例性地，钝化层12的制作材料可以为氧化硅层、氮化硅层或者氧化硅层。

示例性地，第一平坦化层36和第二平坦化38层采用有机绝缘材料制成，如树脂等。

示例性地，像素定义层22的制作材料包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、氧化硅、氮化硅等中的一种或多种。

示例性地，第二电极层可以采用金属材料制成，例如金等，或者，第二电极层可以采用透明导电材料制成，例如ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)等。

示例性地，发光层23可以包括空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)、电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)、空穴阻挡层(Hole Block Layer，HBL)、电子阻挡层(Electron Blocking Layer，EBL)和发光材料层。

示例性地，第一电极层21采用镁银合金等金属材料制成；或者采用透明导电材料制成，例如ITO等。

示例性地，第一无机封装层40和第二无机封装层42的制作材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅材料。第一有机封装层41和第二有机封装层45采用有机绝缘材料制成，这里，有机绝缘材料包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、酚醛树脂等材料。

示例性地，触控有机保护层44的制作材料为丙烯酸酯类、环氧树脂类等可热固化或光固化的有机材料。触控有机保护层44也可以称为TOC(Touch Organic Coating)层。

本公开实施例中，如图4所示，衬底基板17还具有第二隔离区4，第二隔离区4位于第一隔离区2与开孔区3之间。显示面板100还包括位于第二隔离区4且位于第一表面D的多个外隔离结构。位于第二隔离区4的多个外隔离结构包括至少一个第二隔离结构G2，第二隔离结构G2与第一隔离结构G1的结构相同。第二隔离区4的设置可以进一步防止水氧入侵显示区，同时第二隔离区4的设置便于制造开孔区3。

第二隔离结构G2包括第二隔离环212、第二绝缘结构122和第二隔离柱7，第二隔离环212与第一电极21和第一隔离环211同层且绝缘，第二隔离柱7具有远离衬底基板17的顶面、靠近衬底基板17的底面以及连接在顶面和底面之间的第二侧壁，第二侧壁朝向开孔区3。第二绝缘结构122包括相连的第三绝缘部分1221和第四绝缘部分1222，第三绝缘部分1221位于第二隔离柱7的顶面，第四绝缘部分1222位于第二侧壁。第二隔离环212包括依次相连的第三导电部分2121和第四导电部分2122，第三导电部分2121位于第三绝缘部分1221远离衬底基板17的表面，第四导电部分2122位于第四绝缘部分1222朝向开孔区3的表面。

本公开实施例中，如图4所示，第一隔离区2中的多个内隔离结构还包括第三隔离结构G3，第三隔离结构G3包括自靠近衬底基板17至远离衬底基板17方向上依次布置的第三绝缘结构133、第三隔离柱8和第三隔离环216，第三隔离环216与第一电极21和第一隔离环211均同层且绝缘，第三隔离柱8与第二源漏极层37同层。第三隔离结构G3也能够起到防止水氧进入的作用。

需要说明的是，在其他实施例中，第一隔离区2中也可以不包括第三隔离结构G3，而是所有的内隔离结构均为第一隔离结构6。

此外，还需要说明的是，在其他实施例中，第二隔离结构G2的结构也可以与第三隔离结构G3的结构相同。

本公开实施例中，如图4所示，第二隔离区4中的多个外隔离结构还包括第四隔离结构G4。第四隔离结构G4的高度大于第二隔离区4中其他外隔离柱的高度。第四隔离结构G4相较其它外隔离结构高度更高，能更好的防止水氧进入显示区。也因此，通常第四隔离结构G4设置在第二隔离区4靠近开孔区3的位置。

示例性地，第四隔离结构G4包括自靠近衬底基板17至远离衬底基板17方向上依次布置的第四绝缘结构124、第四隔离柱9a、第五隔离柱9b和第四隔离环217，第四隔离环217与第一电极21和第一隔离环211均同层且绝缘。第四隔离结构G4包括两个隔离柱，所以相较其它外隔离结构高度更高，能更好的防止水氧进入显示区。可选地，第四隔离柱9a与第一源漏极层35同层，第五隔离柱9b与第二源漏极层37同层。可选地，在制造开孔区3之前，开孔区3对应的区域为实体结构且具有多个环状隔离结构，第二隔离区4与该实体结构相连。可将第二隔离区4中最靠近实体结构的隔离结构、与实体结构中的最靠近第二个隔离区4的隔离结构之间的距离设计的较大，比如比第二隔离区中相邻的两个隔离结构的距离大，从而便于在这两个隔离结构中进行分割，得到开孔区3。

可选地，如图4所示，静电防护结构11还可以覆盖第二隔离区4中的外隔离柱。也即是，外隔离柱在第一表面D的正投影也位于静电防护结构11在第一表面D的正投影内。

可选地，位于第二隔离区4中的静电防护结构和位于第一隔离区2中的静电防护结构连为一体。例如，图4中，每个静电屏蔽环1111a同时覆盖第一隔离区2和第二隔离区4。

或者，位于第二隔离区4中的静电防护结构和位于第一隔离区2中的静电防护结构也可以分段设置。例如，图5中，每层静电屏蔽层1111包括多个静电屏蔽环1111a，每个静电屏蔽环1111a对应一个隔离结构。

可选地，显示面板100还包括隔离坝5，隔离坝5位于第一隔离区2和第二隔离区4之间，且隔离坝5位于所述第一表面D。隔离坝5的设置可进一步防止水氧进入显示区，造成显示不良。

图4所示实施例中，第一隔离区2中相邻两个隔离结构之间的距离小于第二隔离区4中相邻两个隔离结构之间的距离。隔离环在径向上的尺寸比隔离柱在径向上的尺寸大约500μm。在其他可能的实施例中，第一隔离区2中相邻两个隔离结构之间的距离小于第二隔离区4中相邻两个隔离结构之间的距离。例如，第一隔离区2中相邻的两个隔离结构之间的间距约为7.5μm，第二隔离区4中相邻的两个隔离结构之间的间距约为9.0μm。

图6是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图。与图4所示实施例相比，区别在于，静电防护结构11的结构不同。图6所示实施例中，每一层静电屏蔽层111具有多个静电屏蔽环1111a，连续覆盖位于第一隔离区2的多个第一隔离结构G1，间断覆盖位于第二隔离区4的多个隔离结构。既重点保护了第一隔离区6易被击穿的第一隔离环211处，也在尽可能节省了成本的前提下保护了第二隔离区4的第二隔离环212。

图7和图8分别是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图。图7和图8中的显示面板采用的是LTPS背板，也即是，在图7和图8中，驱动电路层10包括的多个TFT为低温多晶硅TFT。对于LTPS背板，非绝缘层包括以下至少一种：第一栅极层14和第二栅极层15。静电防护结构11与至少一层非绝缘层同层。第一栅极层14和第二栅极层15均为第一隔离结构6远离第一电极层21一侧的膜层，因此可以用来同步制作静电防护结构。

示例性地，LTPS背板包括依次层叠的的衬底基板17、第一栅极层14、缓冲层18、第一有源层19、第一栅极绝缘层30、第二栅极层15、层间介电层34、第一源漏极层35、钝化层12和第一平坦化层36。发光功能层20包括在驱动背板10的第一表面D上依次层叠的第二电极层、像素定义层22、发光层23、第一电极层21。显示面板100包括驱动背板10、发光功能层20、以及在发光功能层20远离第一表面D的一侧依次层叠的第一无机封装层40、第一有机封装层41、第二无机封装层42、触控绝缘层43、第二有机封装层44、触控层45。

示例性地，第一有源层19采用多晶硅材料制成。

示例性地，第一栅极层14的制作材料为金属材料，例如钼、铜、铝中的一种或者多种。

可选地，第一栅极层14和第二栅极层15也可均位于第一有源层远离衬底基板的一侧。

图7和图8所示实施例中，其它各层的制作材料参见上述图4所示实施例部分，在此不再赘述。

图7所示实施例中，静电防护结构11包括两层静电屏蔽层111，每层静电屏蔽层111分别与第一栅极层14和第二栅极层15同层，且每层静电屏蔽层111包括一个静电屏蔽环1111a，对第一隔离区2和第二隔离区4的多个隔离结构进行了全覆盖。

图8所示实施例中，静电防护结构11包括两层静电屏蔽层111，两层静电屏蔽层111分别与第一栅极层14和第二栅极层15同层，且每层静电屏蔽层111包括多个静电屏蔽环1111a。静电屏蔽层111对第一隔离区2的多个第一隔离结构6进行了全覆盖(即第一隔离区2中静电屏蔽层1111仅包括一个静电屏蔽环1111a)、对第二隔离区4的多个隔离结构进行了分段覆盖(即第二隔离区4中静电屏蔽层1111包括多个同心布置的静电屏蔽环1111a)。

图9是本公开实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图。与图4所示实施例相比，区别在于，图9所示实施例中，静电防护结构11为静电释放结构112，第一隔离环211与静电释放结构112电连接。将第一隔离环211与静电释放结构112进行电连接释放静电，从而防止第一隔离环211处发生击穿。

示例性地，静电释放结构112包括一层静电释放1121层，或者静电释放结构112包括多层静电释放层1121，多层静电释放层1121沿垂直于第一表面D的方向层叠且相互连接。可以根据需要设计静电释放层1121的层数，且第一隔离环211上过多的电荷可通过静电释放层1121释放至信号源。静电释放层1121为完整环状结构。

每层静电释放层1121均与电压信号源电连接。示例性地，静电释放结构112可以通过显示区的信号线与电压信号源电连接。

可选地，电压信号源用于提供第一电压信号VDD或者第二电压信号VSS，其中，第一电压信号VDD大于第二电压信号VSS。可选地，发光单元包括阳极和阴极，第一电压信号VDD用于输入到阳极，第二电压信号VSS用于输入到阴极，第一电压信号和第二电压信号之间的电压差用于驱动发光单元发光。

示例性地，第一隔离结构G1在第一表面D上的正投影位于静电释放层1121在第一表面D上的正投影内。静电释放层1121不仅与第一隔离环211电连接，将第一隔离环211上多余的电荷导出，起到保护第一隔离环211的作用；静电释放层112也覆盖导电的第一隔离柱6，可起到防止第一隔离柱6上积累过多电荷、保护第一隔离柱6的作用。

示例性地，如图9所示，静电释放结构112包括四层静电释放层1121，离第一表面D最远的静电释放层1121分别通过过孔与其他静电释放层1121连接。

在该实施例中，离第一表面D最远的静电释放层1121在第一表面的正投影包括其他静电释放层1121在第一表面D的正投影。且沿着从第一隔离区2的隔离柱到衬底基板17的方向，相邻的两层静电释放层1121中，远离衬底基板17的静电释放层1121在第一表面D的正投影在靠近衬底基板17的静电释放层1121在第一表面D的正投影内部。即不同层的静电释放层1121的面积大小不同，方便设置过孔电连接不同的静电释放层1121，且不同层上与其它层相连的过孔相互错开。

本公开实施例中，如图9所示，显示面板100还包括第一底部隔离环213，第一底部隔离环213位于相邻两个第一隔离结构G1之间且与靠近显示区1的第一隔离结构G1的第二导电部分2112相连接。至少部分第一底部隔离环213在第二表面上的正投影位于第一隔离环211在第二表面上的正投影靠近衬底基板17的一侧，第二表面垂直于第一表面。第一底部隔离环213到下方静电释放层1121的距离相较第一隔离环211到下方静电释放层1121的距离更近，便于第一隔离结构G1的第一隔离环211通过第一底部隔离环213与静电释放结构112电连接。

在一些示例中，触控绝缘层43中具有多个环形凹槽，该环形凹槽贯穿触控绝缘层43，第一底部隔离环213位于对应的环形凹槽中，从而与静电释放结构112连接。

可选地，如图9所示，第二隔离区4没有类似第一底部隔离环213的结构。

可选地，如图9所示，显示面板100还包括隔离坝5，隔离坝5位于第一隔离区2和第二隔离区4之间，且隔离坝5位于所述第一表面。隔离坝5的设置可进一步防止水氧进入显示区，造成显示不良。

示例性地，位于第一隔离区2的多个内隔离结构中最靠近开孔区3的为边缘隔离结构G1*。边缘隔离结构G*包括边缘隔离柱6*、边缘绝缘结构121*和边缘隔离环211*，边缘隔离柱6*具有远离衬底基板17的顶面、靠近衬底基板17的底面以及连接顶面和底面之间的第一侧壁，第一侧壁朝向开孔区3，边缘绝缘结构121*包括相连的第一边缘绝缘部分1211*和第二边缘绝缘部分1212*，第一边缘绝缘部分1211*位于顶面，第二边缘绝缘部分1212*位于第一侧壁，第二边缘绝缘部分1212*与位于隔离坝5靠近衬底基板17一侧的绝缘块相连。边缘隔离环211*包括依次相连的第一边缘导电部分2111*和第二边缘导电部分2112*，第一边缘导电部分2111*位于第一边缘绝缘部分1211*远离衬底基板17的表面，第二边缘导电部分2112*位于第二边缘绝缘部分1212*朝向开孔区3的表面，第二边缘导电部分2112*的远离第一边缘导电部分2111*的一侧与位于隔离坝5远离衬底基板17一侧的电极块相连。

显示面板100还包括边缘底部隔离环215*，边缘底部隔离环215*位于边缘隔离结构靠近开孔区3的一侧，边缘底部隔离环215*与边缘隔离结构G1*的第二导电部分2112*相连且向开孔区3*的方向延伸。边缘底部隔离环215*在第二表面上的正投影位于边缘隔离结构G1*的第一边缘隔离环211*在第二表面上的正投影内。与第一底部隔离环213相比，边缘底部隔离环215*所在平面可以与第一表面D平行。在从开孔区3指向显示区1的方向上，边缘底部隔离环215*的尺寸可以比第一底部隔离环213的尺寸更小。即边缘底部隔离环215*的这种设计，可以压缩边缘隔离结构G1*到隔离坝5之间的距离，达到窄边框的效果。

与图9所示实施例相比，图10所示实施例中，静电防护结构11包括四层静电释放层112，且四层静电释放层112同时对第一隔离区2的多个内隔离结构和第二隔离区4中的多个外隔离结构进行覆盖。

图11所示实施例中，驱动背板为LTPS背板，静电防护结构11包括二层静电释放层112。

可选地，显示面板100可以同时包括静电屏蔽层111和静电释放层112，例如静电释放层112覆盖第一隔离区2，静电屏蔽层111对第二隔离区4进行全覆盖或者分段覆盖。

可选地，位于第一隔离区2的静电释放层的层数与位于第二隔离区4的静电屏蔽层的层数可以相同或者不同。

本公开实施例还提供了一种显示面板的制作方法。图12是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图。如图12所示，该制作方法包括：

在步骤S1中，提供衬底基板。

衬底基板具有显示区、第一隔离区和开孔区，显示区围绕开孔区，第一隔离区位于开孔区和显示区之间。

在步骤S2中，在衬底基板的第一表面形成静电防护结构、发光功能层和多个内隔离结构。

其中，发光功能层包括多个发光单元，多个发光单元阵列布置在显示区中，且多个发光单元的第一电极相连，多个内隔离结构位于第一隔离区，多个隔离结构均呈环形且围绕开孔区，多个内隔离结构包括至少一个第一隔离结构，第一隔离结构包括第一隔离环，第一隔离环与第一电极同层且绝缘，静电防护结构位于第一隔离区，且位于多个内隔离结构靠近衬底基板的一侧，静电防护结构用于防止第一隔离环积累电荷。

下面以图4所示结构为例，对步骤S2进行示例性说明。示例性地，该步骤S2可以包括：

第一步，在衬底基板上沉积遮光金属层，然后通过光刻胶涂覆、曝光、显影等工艺得到光刻胶结构，并以该光刻胶结构为掩膜对遮光金属层进行刻蚀，得到遮光图案层，遮光图案层包括位于显示区的遮光层和位于第一隔离区、第二隔离区的一层静电屏蔽层。

第二步、在遮光图案层上形成缓冲层，例如，通过沉积的方式在遮光图案层上形成缓冲层。然后，在缓冲层上形成第一有源层。例如，可以先在在缓冲层上沉积形成初始第一有源层，通过光刻胶涂覆、曝光、显影等工艺得到光刻胶结构，并以该光刻胶结构为掩膜对初始第一有源层进行刻蚀，以形成第一有源层。

第三步，在第一有源层上依次通过例如沉积的方式形成初始第一栅极绝缘层和初始第一栅极层。初始第一栅极绝缘层覆盖第一有源层。在初始第一栅极层上通过光刻胶涂覆、曝光、显影等工艺得到光刻胶结构，并以该光刻胶结构为掩膜对初始第一栅极层进行刻蚀，形成第一栅极图案层。第一栅极图案层包括位于第一隔离区的第一栅极层和位于第一隔离区、第二隔离区的一层静电屏蔽层。可选地，对于未被第一栅极层覆盖的部分第一有源层进行导体化，以保证第一有源层与后续形成的第一源漏极层之间具有良好的欧姆接触。

第四步、在第一栅极图案层上依次通过例如沉积的方式形成初始第一绝缘层和初始第二栅极层。在初始第二栅极层上通过光刻胶涂覆、曝光、显影等工艺得到光刻胶结构，并以该光刻胶结构为掩膜对初始第二栅极层进行刻蚀，形成第二栅极图案层。第二栅极图案层包括位于第一隔离区的第二栅极层和位于第一隔离区、第二隔离区的一层静电屏蔽层。

第五步、在第二栅极图案层上依次通过例如沉积的方式形成初始第二栅极绝缘层和初始第二有源层，然后通过光刻胶涂覆、曝光、显影等工艺得到光刻胶结构，并以该光刻胶结构为掩膜对初始第二有源层进行刻蚀，得到第二有源层。

第六步、在第二有源层上依次通过例如沉积的方式形成初始第三栅极绝缘层和初始第三栅极层。初始第三栅极绝缘层覆盖第二有源层。在初始第三栅极层上通过光刻胶涂覆、曝光、显影等工艺得到光刻胶结构，并以该光刻胶结构为掩膜对初始第三栅极层进行刻蚀，形成第三栅极图案层。第三栅极图案层包括位于第一隔离区的第三栅极层和位于第一隔离区、第二隔离区的一层静电屏蔽层。可选地，对于未被第三栅极层覆盖的部分第二有源层进行导体化，以保证第二有源层与后续形成的第二源漏极层之间具有良好的欧姆接触。

第七步、在第三栅极层上通过例如沉积的方式形成初始层间介电层。通过光刻胶涂覆、曝光、刻蚀、剥离等一系列工序，形成多个暴露出遮光层的过孔，同时由初始第一栅极绝缘层得到第一栅极绝缘层；再通过光刻胶涂覆、曝光、刻蚀、剥离等一系列工序，形成多个暴露出第一有源层的过孔，同时由初始第一绝缘层得到第一绝缘层、由初始第二栅极绝缘层得到第二栅极绝缘层。同时得到层间介电层。

第八步、在第七步刻蚀得到的暴露遮光层和第一有源层的过孔内，通过采用例如沉积、光刻胶涂覆、曝光、刻蚀、剥离等一系列工序形成第一源漏极图案层，第一源漏极图案层包括位于显示区的第一源漏极层，以及位于第一隔离区的第一隔离柱和位于第二隔离区的第二隔离柱。

第九步、在第一源漏极图案层上通过例如沉积的方式因此形成初始钝化层和初始第一平坦化层。通过光刻胶涂覆、曝光、刻蚀、剥离等一系列工序，形成多个暴露出第二有源层的过孔，同时由初始第三栅极绝缘层得到第三栅极绝缘层，由初始钝化层得到位于显示区的钝化层、位于第一隔离区的第一绝缘结构和位于第二隔离区的第二绝缘结构，由初始第一平坦化层得到第一平坦化层。

第十步、在第九步刻蚀得到的暴露第二有源层的过孔内，通过采用例如沉积、光刻胶涂覆、曝光、刻蚀、剥离等一系列工序形成第二源漏极图案层，第二源漏极图案层包括位于显示区的第二源漏极层，以及部分位于第一隔离区和第二隔离区中除第一隔离结构和第二隔离结构以外的隔离结构。

第十一步、在第二源漏极图案层上通过例如沉积的方式形成第二平坦化层。

各层材料参见前述实施例，在此不再赘述。

以上仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板(17)、发光功能层(20)、静电防护结构(11)和多个内隔离结构；

所述衬底基板具有显示区(1)、第一隔离区(2)和开孔区(3)，所述显示区(1)围绕所述开孔区(3)，所述第一隔离区(2)位于所述开孔区(3)和所述显示区(1)之间；

所述发光功能层(20)位于所述衬底基板(17)的第一表面，且所述发光功能层(20)包括多个发光单元，所述多个发光单元阵列布置在所述显示区(1)中，且所述多个发光单元的第一电极(21)相连；

所述多个内隔离结构位于所述第一隔离区(2)，且位于所述第一表面，所述多个内隔离结构均呈环形且围绕所述开孔区(3)，所述多个内隔离结构包括至少一个第一隔离结构，所述第一隔离结构包括第一隔离环(211)，所述第一隔离环(211)与所述第一电极(21)同层且绝缘；

所述静电防护结构(11)至少位于所述第一隔离区(2)，且位于所述多个内隔离结构靠近所述衬底基板(17)的一侧。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电防护结构(11)为静电屏蔽结构(111)；

所述第一隔离结构在所述第一表面上的正投影位于所述静电屏蔽结构(111)在所述第一表面上的正投影内。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述静电屏蔽结构(111)包括一层静电屏蔽层(1111)，或者所述静电屏蔽结构(111)包括沿垂直于所述第一表面的方向层叠的多层静电屏蔽层(1111)；

所述静电屏蔽层(1111)包括一个静电屏蔽环(1111a)；或者，

所述静电屏蔽层(1111)包括多个静电屏蔽环(1111a)，且所述多个静电屏蔽环(1111a)为同心环且在所述第一表面上的正投影互不重合。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电防护结构(11)为静电释放结构(112)，所述第一隔离环(211)与所述静电释放结构(112)电连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述静电释放结构(112)包括一层静电释放层或者，所述静电释放结构(112)包括多层静电释放层(1121)，所述多层静电释放层(1121)沿垂直于所述第一表面的方向层叠且相互连接；

每层所述静电释放层(1121)均与电压信号源电连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(100)还包括驱动电路层(10)，所述驱动电路层(10)位于所述发光功能层(20)和所述衬底基板(17)之间；

所述静电防护结构(112)与所述驱动电路层(10)的至少一层非绝缘层同层。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层(10)包括多个薄膜晶体管；

所述多个薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，所述非绝缘层包括以下至少一种：遮光层(13)、第一栅极层(14)、第二栅极层(15)和第三栅极层(16)；或者，

所述多个薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管，所述非绝缘层包括以下至少一种：第一栅极层(14)和第二栅极层(15)。

8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一隔离结构还包括第一隔离柱(6)和第一绝缘结构(121)；

所述第一隔离柱(6)具有远离所述衬底基板(17)的顶面、靠近所述衬底基板(17)的底面以及连接所述顶面和所述底面之间的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述开孔区(3)；

所述第一绝缘结构(121)包括相连的第一绝缘部分(1211)和第二绝缘部分(1212)，所述第一绝缘部分(1211)位于所述顶面，所述第二绝缘部分(1212)位于所述第一侧壁；

所述第一隔离环(211)包括依次相连的第一导电部分(2111)和第二导电部分(2112)，所述第一导电部分(2111)位于所述第一绝缘部分(1211)远离所述衬底基板(17)的表面，所述第二导电部分(2112)位于所述第二绝缘部分(1212)朝向所述开孔区(3)的表面。

9.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一隔离结构还包括第一隔离柱(6)和第一绝缘结构(121)；

所述第一隔离柱(6)具有远离所述衬底基板(17)的顶面、靠近所述衬底基板(17)的底面以及连接在所述顶面和所述底面之间的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述开孔区(3)；

所述第一绝缘结构(121)包括相连的第一绝缘部分(1211)和第二绝缘部分(1212)，所述第一绝缘部分(1211)位于所述顶面，所述第二绝缘部分(1212)位于所述第一侧壁；

所述第一隔离环(211)包括依次相连的第一导电部分(2111)和第二导电部分(2112)，所述第一导电部分(2111)位于所述第一绝缘部分(1211)远离所述衬底基板(17)的表面，所述第二导电部分(2112)位于所述第二绝缘部分(1212)朝向所述开孔区(3)的表面，所述第二导电部分(2112)与所述静电释放结构(112)电连接。

10.根据权利要求8或9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(100)还包括隔离坝(5)，所述隔离坝(5)位于所述第一隔离区(2)和所述开孔区(3)之间，且所述隔离坝(5)位于所述第一表面；

所述多个内隔离结构中最靠近所述开孔区(3)的内隔离结构为边缘隔离结构；

所述边缘隔离结构包括边缘隔离柱、边缘绝缘结构和边缘隔离环，所述边缘隔离柱具有远离所述衬底基板(17)的顶面、靠近所述衬底基板(17)的底面以及连接所述顶面和所述底面之间的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述开孔区(3)，所述边缘绝缘结构包括相连的第一边缘绝缘部分和第二边缘绝缘部分，所述第一边缘绝缘部分位于所述顶面，所述第二边缘绝缘部分位于所述第一侧壁，所述第二边缘绝缘部分与位于所述隔离坝(5)靠近所述衬底基板(17)一侧的绝缘块相连；

所述边缘隔离环包括依次相连的第一边缘导电部分和第二边缘导电部分，所述第一边缘导电部分位于所述第一边缘绝缘部分远离所述衬底基板(17)的表面，所述第二边缘导电部分位于所述第二边缘绝缘部分朝向所述开孔区(3)的表面，所述第二边缘导电部分的远离所述第一边缘导电部分的一侧与位于所述隔离坝(5)远离衬底基板(13)一侧的电极块相连。

11.根据权利要求8或9所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板(17)还具有第二隔离区(4)，所述第二隔离区(4)位于所述第一隔离区(2)与所述开孔区(3)之间，所述显示面板(100)还包括多个外隔离结构，所述多个外隔离结构位于所述第二隔离区(4)且位于所述第一表面；

所述多个外隔离结构包括至少一个第二隔离结构，所述第二隔离结构与所述第一隔离结构的结构相同。

12.根据权利要求1至5和权利要求7至9中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板(17)还具有第二隔离区(4)，所述第二隔离区(4)位于所述第一隔离区(2)与所述开孔区(3)之间，所述显示面板(100)还包括多个外隔离结构，所述多个外隔离结构位于所述第二隔离区(4)且位于所述第一表面；

所述多个外隔离结构的至少部分在所述第一表面的正投影位于所述静电防护结构(11)在所述第一表面的正投影内。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述多个外隔离结构还包括第四隔离结构，所述第四隔离结构的高度高于除了所述第四隔离结构之外的其他外隔离柱的高度。

14.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板，所述衬底基板具有显示区、第一隔离区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述第一隔离区位于所述开孔区和所述显示区之间；

在所述衬底基板的第一表面形成发光功能层、静电防护结构和多个内隔离结构；

其中，所述发光功能层包括多个发光单元，所述多个发光单元阵列布置在所述显示区中，且所述多个发光单元的第一电极相连，所述多个内隔离结构位于所述第一隔离区，所述多个隔离结构均呈环形且围绕所述开孔区，所述多个内隔离结构包括至少一个第一隔离结构，所述第一隔离结构包括第一隔离环，所述第一隔离环与所述第一电极同层且绝缘，所述静电防护结构位于所述第一隔离区，且位于所述多个内隔离结构靠近所述衬底基板的一侧。

15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括供电电路和如权利要求1至13任一项所述的显示面板(100)，所述供电电路为所述显示面板(100)供电。