CN116814119A - 底部抗反射涂层组合物、图案形成方法 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例提供了一种底部抗反射涂层组合物，底部抗反射涂层组合物包括：树脂聚合物、光酸产生剂、交联剂和本体溶剂；树脂聚合物包括化学式(I)所示的结构；其中，R1为第一吸光基团，R2为第二吸光基团，第一吸光基团和第二吸光基团不同；n和m为聚合度。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种底部抗反射涂层组合物、图案形成方法。
背景技术
在半导体集成电路制作过程中，光刻工艺是非常重要的一道工序。光刻工艺的好坏，对后续制程中蚀刻(Etching)、离子注入(Ion Implantation)等工艺的准确进行至关重要。随着半导体工艺的进一步发展，要求光刻工艺中所能达到的线宽越来越小。然而，光刻胶和基底之间的反射光和曝光光源的入射光会在光刻胶涂层内部因干涉形成驻波，导致光刻胶显影后图案线宽分布不均匀；另外，基底表面凹凸不平，会导致散射光而造成图形缺口，会进一步导致曝光显影后线宽变化；反射光和散射光能量随区域分布变化，也会导致曝光显影后线宽分布不均。
因此，如何进一步在更小线宽下改善光刻胶图形的形貌成为了亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本公开的主要目的在于提供一种底部抗反射涂层组合物、图案形成方法。
为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：
第一方面，本公开实施例提供了一种底部抗反射涂层组合物，底部抗反射涂层组合物包括：树脂聚合物、光酸产生剂、交联剂和本体溶剂；
树脂聚合物包括化学式(I)所示的结构：
其中，R1为第一吸光基团，R2为第二吸光基团，第一吸光基团和第二吸光基团不同；n和m为聚合度。
上述方案中，n的范围为10-5000；m的范围为5-5000。
上述方案中，第一吸光基团为取代或未取代的芳基，第二吸光基团为取代或未取代的卤代烷基；
第一吸光基团的个数与第二吸光基团的个数的比值范围为1:2-1:5。
上述方案中，第一吸光基团包括：间二甲苯基、苯基、萘基以及蒽基中的至少一种；和/或
第二吸光基团包括：卤代甲基、卤代乙基以及卤代丙基中的至少一种。
上述方案中，底部抗反射涂层组合物还包括具有羧基的催化剂。
上述方案中，树脂聚合物的质量占比为10％-30％，光酸产生剂的质量占比为3％-10％，交联剂的质量占比为2-6％，本体溶剂的质量占比为50％-70％，催化剂的质量占比为5％-10％。
上述方案中，光酸产生剂包括叔丁基苯基碘鎓盐全氟辛烷磺酸、三苯基锍全氟丁烷磺酸以及三苯基锍三氟磺酸中的至少之一；和/或
本体溶剂包括丙二醇甲醚、丙二醇甲醚乙酸酯、苯甲酸丁酯以及乙酸乙酯中的至少一种；和/或
交联剂包括四羟甲基甘脲和N，N'-二(2-羟基乙基)-脲中的至少一种；和/或
催化剂包括苯乙酸、2-甲酰胺基苯甲酸以及4，6-二甲酰胺基间苯二甲酸中的至少一种。
第二方面，本公开实施例提供了一种图案形成方法，方法包括：将第一方面的底部抗反射涂层组合物涂覆至基底上，以在基底上形成底部抗反射涂层；
在底部抗反射涂层上形成负性光刻胶；
通过辐射对涂覆有负性光刻胶和底部抗反射涂层的基底进行曝光显影，以形成图案。
上述方案中，底部抗反射涂层的曝光部分不溶于显影剂。
上述方案中，底部抗反射涂层的吸光系数的范围为0.3-0.6。
本公开实施例的底部抗反射涂层组合物包括交联剂以及带有第一吸光基团和第二吸光基团的树脂聚合物，因此底部抗反射涂层组合物既具有吸光性能又具有可交联性能。此外，光酸产生剂在曝光后产生的光酸会促进交联反应的发生，从而使得底部抗反射涂层组合物中曝光部分变成不溶于显影剂，兼具负性光刻胶的特点。如此，底部抗反射涂层组合物用于形成底部抗反射涂层时，既能减少传统光刻工艺中反射、驻波效应等问题以改善光刻胶图形的形貌，又能够与负性光刻胶搭配使用克服显影剂可溶性底部抗反射涂层的底切问题和光敏感底部抗反射涂层的底脚问题。
附图说明
图1为本公开一示例性实施例提供的光刻胶图形的形成示意图；
图2为本公开一实施例提供的光刻胶图形的形成示意图；
图3为本公开一实施例提供的底部抗反射涂层组合物的制备方法的示意图；
图4至图7为本公开一实施例提供的图案的形成过程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本公开的技术方案进一步详细阐述。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方法，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻的理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体的描述本公开。根据下面说明和权利要求书，本公开的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本公开实施例的目的。
应当明白，空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
需要说明的是，本公开实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
图1为本公开一示例性实施例提供的光刻胶图形的形成示意图。如图1所示，以掩模图形103作为掩模对光刻胶进行曝光和显影后形成了光刻胶图形102，由于基底101的几何结构差异导致的散射光造成了图形缺口(如图1中虚线圆圈所示)。另外，反射光和散射光能量随区域分布变化，也会导致曝光显影后的光刻胶图形102的线宽分布不均。在光刻工艺中通常使用的光刻胶包括正性光刻胶(Positive Tone Resist)和负性光刻胶(NegativeTone Resist)。其中，正性光刻胶中曝光的部分变成可溶于光刻胶显影剂，未曝光的部分维持不溶于光刻胶显影剂。负性光刻胶中曝光的部分变成不溶于光刻胶显影剂，未曝光的部分可被光刻胶显影剂溶解。图1和图2中的光刻胶图形102的光刻胶是以正性光刻胶为例进行说明。
如图2所示，底部抗反射涂层(Bottom Anti-Reflective Coatings，BARC)104已经应用于光刻工艺以改善光刻胶图形。底部抗反射涂层104是一种能有效消除光反射形成驻波的抗反射材料，在光刻胶和基底101之间添加底部抗反射涂层104能够增加曝光裕度(Exposure Latitude，EL)和焦距(Depth of Field，DOF)，减少由于基底几何结构差异对线宽的均匀度产生的影响，同时减少散射光造成的图形缺口，从而能够在更小线宽下得到较好的光刻胶图形102。
然而，使用传统的BARC层时在形成光刻胶图形后通常需要蚀刻步骤去除部分BARC层以将光刻胶图形进行转移，该蚀刻步骤容易损坏BARC层下方的基底101，从而影响最终器件的性能。此外，额外的蚀刻步骤还增加了成本以及工艺复杂性。
可以显影的底部抗反射涂层(Developable Bottom Anti-Reflection Coating，DBARC)则无需额外的蚀刻步骤。DBARC包括显影剂可溶性DBARC(Wet DBARC)和光敏感DBARC。其中，显影剂可溶性DBARC在接触显影剂时开始溶解，由于该溶解是对显影剂可溶性DBARC的各向同性刻蚀，显影剂的连续刻蚀将横向移动，将会在显影剂可溶性DBARC中形成底切(undercut)导致不想要的横向损失。光敏感DBARC在暴露于辐射之后才溶于显影剂，如果没有暴露于辐射则不溶于显影剂。然而，到达光敏感DBARC的辐射较弱或者辐射不到的部分将会在光敏感DBARC中形成底脚(footing)导致不想要的残余物。
虽然DBARC已经成功减少光反射问题，并且能够省去额外的蚀刻步骤，但是大多数已知的DBARC仅与正性光刻胶相匹配，并不能应用于负性光刻胶中。但是负性光刻胶因灵敏度高、胶膜收缩低、易于去除等特点在半导体集成电路制造中依然有一定的市场需求，例如离子注入工艺中为了限定离子注入的范围，通常采用图形化的负性光刻胶作为掩蔽层(即离子注入的阻挡层)。
因此，亟需设计一种DBARC既能克服显影剂可溶性DBARC的底切问题和光敏感DBARC的底脚问题且适用于负性光刻胶的应用场景。对此，本公开提出了以下实施方式。
本公开实施例提供了一种底部抗反射涂层组合物，底部抗反射涂层组合物包括：树脂聚合物、光酸产生剂(Photoacid Generators，PAG)、交联剂和本体溶剂；
树脂聚合物包括化学式(I)所示的结构：
其中，R1为第一吸光基团，R2为第二吸光基团，第一吸光基团和第二吸光基团不同；n和m为聚合度。
由于本公开实施例的底部抗反射涂层组合物包括交联剂以及带有第一吸光基团和第二吸光基团的树脂聚合物，因此底部抗反射涂层组合物既具有吸光性能又具有可交联性能。此外，光酸产生剂在曝光后产生的光酸会促进交联反应的发生，从而使得底部抗反射涂层组合物中曝光部分变成不溶于显影剂，兼具负性光刻胶的特点。如此，底部抗反射涂层组合物用于形成底部抗反射涂层时，既能减少传统光刻工艺中反射、驻波效应等问题以改善光刻胶图形的形貌，又能够与负性光刻胶搭配使用并克服显影剂可溶性DBARC的底切问题和光敏感DBARC的底脚问题。
在本公开实施例中，n的范围为10-5000；m的范围为5-5000。示例性地，n的值为10、2500或者5000。m的值为5、2500或者5000。
在一些实施例中，第一吸光基团R1为取代或未取代的芳基，示例性地，第一吸光基团R1选自取代或未取代的C6-C30(例如C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28等)芳基。第二吸光基团R2选自取代或未取代的C1-C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9的等)卤代烷基，其中C1-C10卤代烷基中的卤素包括氯、溴与碘中的一种或多种。
在一些实施例中，第一吸光基团R1包括间二甲苯基、苯基、萘基以及蒽基中的至少一种。在优选实施例中，第一吸光基团R1为间二甲苯基。
在一些实施例中，第二吸光基团R2包括卤代甲基、卤代乙基以及卤代丙基中的至少一种。其中，卤素可以为溴或氯。优选地，选自3-溴代丙基、二溴甲基、氯代甲基中的至少一种。在优选实施例中，第二吸光基团R2为溴代甲基。
在本公开实施例中，第一吸光基团R1的个数与第二吸光基团R2的个数的比值范围为1:2-1:5。
在一些实施例中，第二吸光基团R2相较于第一吸光基团R1更易与交联剂发生反应。因此，在实际使用时，可以通过调节第一吸光基团R1的个数和第二吸光基团R2的个数的比值范围，以促进底部抗反射涂层组合物中的树脂聚合物与交联剂发生交联反应，即提高底部抗反射涂层组合物的可交联性能。
相较于底部抗反射涂层组合物的树脂聚合物中第一吸光基团R1的个数与第二吸光基团R2的个数的比值为1:1的情况，适当增加第二吸光基团R2的个数与第一吸光基团R1的个数的比值能够提高底部抗反射涂层组合物的可交联性能，示例性地，第一吸光基团R1的个数与第二吸光基团R2的个数的比值为1:2、1:3或者1:5。
在本公开实施例中，底部抗反射涂层组合物还包括具有羧基的催化剂以提高交联反应的效率。
在一些实施例中，催化剂包括但不限于甲酸、乙酸、丙烯酸、苯乙酸、2-甲酰胺基苯甲酸以及4，6-二甲酰胺基间苯二甲酸中的至少一种。
在优选实施例中在优选实施例中，催化剂包括苯乙酸、2-甲酰胺基苯甲酸或者4，6-二甲酰胺基间苯二甲酸。
在本公开实施例中，树脂聚合物的质量占比为10％-30％，光酸产生剂的质量占比为3％-10％，交联剂的质量占比为2-6％，本体溶剂的质量占比为50％-70％，催化剂的质量占比为5％-10％。
在一些实施例中，树脂聚合物的质量占比为20％，光酸产生剂的质量占比为10％，交联剂的质量占比为6％，本体溶剂的质量占比为55％，催化剂的质量占比为9％。
当含有光酸产生剂的底部抗反射涂层组合物曝光于辐射时，光酸产生剂产生游离的光酸，游离的光酸可以促进交联反应的进行。如此，底部抗反射涂层组合物的曝光区域和未曝光区域将会在后续的显影中产生在显影剂中溶解性的区别。底部抗反射涂层组合物的曝光区域因发生交联反应而不溶于显影剂，而底部抗反射涂层组合物的未曝光区域因未发生交联反应而溶于显影剂。
在一些实施例中，树脂聚合物包括保护基团时，游离的光酸在后曝光烘烤过程中还会引发底部抗反射涂层组合物未曝光区域中树脂聚合物中的保护基团解离，使得底部抗反射涂层组合物未曝光区域冗余显影剂。
在一些实施例中，光酸产生剂包括碘盐(Iodonium Salts)类和硫盐(SulfoniumSalts)类。示例性地，光酸产生剂叔丁基苯基碘鎓盐全氟辛烷磺酸、三苯基锍全氟丁烷磺酸以及三苯基锍三氟磺酸中的至少之一。
只要能够溶解所有的组分，任何本体溶剂均可以用在本公开的用于形成底部抗反射涂层组合物中。在一些实施例中，本体溶剂包括但不限于乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二乙二醇单甲醚、丙二醇、丙二醇单乙醚、甲苯、二甲苯、环戊酮、环己酮、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、N，N-二甲基甲酰胺、N-N-二甲基乙酰胺、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚乙酸酯、苯甲酸丁酯以及乙酸乙酯。
在优选实施例中，本体溶剂丙二醇甲醚、丙二醇甲醚乙酸酯、苯甲酸丁酯以及乙酸乙酯中的至少一种。
在一些实施例中，交联剂包括四羟甲基甘脲和N，N'-二(2-羟基乙基)-脲中的至少一种。
在一些实施例中，底部抗反射涂层组合物可包含其他组分以改善涂层的性能，例如表面流平剂、粘附促进剂、消泡剂等。
图3为本公开一实施例提供的底部抗反射涂层组合物的制备方法的示意图。如图3所示，将树脂聚合物、光酸产生剂、交联剂、本体溶剂和催化剂混合投放至第一容器201中，得到目标混合物；树脂聚合物包括化学式(I)所示的结构：
其中，R1为第一吸光基团，R2为第二吸光基团，第一吸光基团和第二吸光基团不同；n和m为聚合度。
本公开实施例中，n的范围为10-5000；m的范围为5-5000。示例性地，n的值为10、2500或者5000。m的值为5、2500或者5000。
在一些实施例中，树脂聚合物的质量占比为10％-30％，光酸产生剂的质量占比为3％-10％，交联剂的质量占比为2-6％，本体溶剂的质量占比为50％-70％，催化剂的质量占比为5％-10％。
示例性地，树脂聚合物的质量占比为20％，光酸产生剂的质量占比为10％，交联剂的质量占比为6％，本体溶剂的质量占比为55％，催化剂的质量占比为9％。
在第一容器201中将目标混合物振荡溶解，获得底部抗反射涂层组合物。上述将目标混合物振荡溶解，获得底部抗反射涂层组合物的工艺参数包括：转速范围为：150rpm-200rpm，温度范围为：100℃-200℃，时长范围为：30s-120s，气体排量范围为5m3/min-10m3/min。
优选地，上述工艺参数的转速范围为：150rpm-180rpm，温度范围为：100℃-150℃，时长范围为：30s-60s，气体排量范围为5m3/min-8m3/min。更优选地，上述工艺参数的转速为150rpm，温度为100℃，时长为60s，气体排量为5m3/min。
在一些实施例中，可经由压力控制器203和过滤器204，在过滤压力范围为20kpa-30kpa的条件下，采用聚乙烯制微孔过滤器对振荡溶解后的目标混合物进行过滤；聚乙烯制微孔过滤器的孔径范围为5nm-10nm。
在优选实施例中，过滤压力为20kpa，聚乙烯制微孔过滤器的孔径为10nm。
在一些实施例中，过滤后的目标混合物置于第二容器202中，采用检测装置205对过滤后的目标混合物进行颗粒和金属离子检测。对于检测合格的过滤后的目标混合物，直接装瓶出货。对于检测不合格的过滤后的目标混合物，进行吸附处理后再次进行颗粒和金属离子检测。
本公开实施例还提供了一种图案形成方法，方法包括：将本公开实施例的底部抗反射涂层组合物涂覆至基底上，以在基底上形成底部抗反射涂层；
在底部抗反射涂层上形成负性光刻胶；
通过辐射对涂覆有负性光刻胶和底部抗反射涂层的基底进行曝光显影，以形成图案。
在一些实施例中，如图4所示，采用浸渍、旋涂或者喷涂将本公开实施例的底部抗反射涂层组合物涂覆至基底301上。示例性地，通过匀胶机在基底301上旋涂底部抗反射涂层组合物，并且烘烤基底301，以在基底上形成底部抗反射涂层302。
上述基底301不受限制地包括硅、涂有金属表面的硅基材、覆铜硅晶片、铜、涂有抗反射涂层的基材、铝、聚合物树脂、二氧化硅、金属、掺杂二氧化硅、氮化硅、钽、多晶硅、陶瓷砷化镓及其它这样的第III/V族化合物。
在一些实施例中，旋涂转速为2500rpm-6500rpm，旋涂时间约30s-80s。
在一些实施例中，烘烤基底301的温度范围为100℃-120℃，烘烤基底301的时长范围为40s-60s。
在一些实施例中，底部抗反射涂层302厚度范围为30nm-50nm。示例性地，底部抗反射涂层的厚度位30nm、40nm或者50nm。
在一些实施例中，底部抗反射涂层302的吸光系数的范围为0.3-0.6，以减少反射光线。示例性地，底部抗反射涂层的吸光系数为0.3、0.5或0.6。
如图5所示，在底部抗反射涂层302上涂覆负性光刻胶层组合物以形成负性光刻胶层303。负性光刻胶层303包括但不限于氟化氪(KrF)。
需要说明的是，底部抗反射涂层302不溶于负性光刻胶层组合物的溶剂。如此，在底部抗反射涂层302上方涂覆负性光刻胶层组合物以形成负性光刻胶303层时，可避免底部抗反射涂层302与负性光刻胶层303发生互混。
如图6所示，在掩膜304的作用下，对负性光刻胶层303和底部抗反射涂层302进行曝光(Exposure)及曝光后烘烤(Post Exposure Bake)。光酸产生剂在曝光后产生游离的光酸，在曝光后烘烤时游离的光酸可以促进交联反应的进行，即促进底部抗反射涂层302中曝光区域的树脂聚合物与交联剂发生交联反应。在一些实施例中，树脂聚合物中的第二吸光基团R2为溴代乙基，交联剂为N，N'-二(2-羟基乙基)-脲。底部抗反射涂层302中的树脂聚合物与交联剂发生交联反应，即化合物1-1和化合物2-1发生交联反应生成化合物3-1和化合物4-1，交联反应的反应路线(1)如下：
在其他实施例中，树脂聚合物中的第二吸光基团R2为溴代乙基，交联剂为四羟甲基甘脲。底部抗反射涂层302中的树脂聚合物与交联剂发生交联反应，即如交联反应的反应路线(2)所示，化合物1-1和化合物5-1发生交联反应生成化合物6-1和化合物4-1。
如此，底部抗反射涂层的曝光区域和未曝光区域将会在后续的显影中产生在显影剂中溶解性的区别。底部抗反射涂层的曝光区域因发生交联反应而不溶于显影剂，而底部抗反射涂层的未曝光区域因未发生交联反应而溶于显影剂。
如图7所示，对负性光刻胶层303和底部抗反射涂层302进行曝光后显影以去除负性光刻胶层303和底部抗反射涂层302的未曝光部分，形成图案305。负性光刻胶层303和底部抗反射涂层302的曝光部分不溶于显影剂。对于曝光后使用的显影剂，优选一种碱性化合物，例如氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠和四甲基氢氧化铵(TetramethylammoniumHydroxide，TMHA)
在一些实施例中，显影剂的温度为25℃-35℃，显影的时间为30s-60s。
通过底部抗反射涂层与负性光刻胶的搭配不仅克服了光刻工艺中反射、驻波效应等问题，得到了改善后的光刻胶图形，还拓宽了底部抗反射涂层的应用场景。
在一些实施例中，以图案305作为掩膜继续执行后续工艺，例如离子注入工艺。
由于本公开实施例的底部抗反射涂层组合物包括交联剂以及带有第一吸光基团和第二吸光基团的树脂聚合物，因此底部抗反射涂层组合物既具有吸光性能又具有可交联性能。此外，光酸产生剂在曝光后产生的光酸会促进交联反应的发生，从而使得底部抗反射涂层组合物中曝光部分变成不溶于显影剂，兼具负性光刻胶的特点。如此，底部抗反射涂层组合物用于形成底部抗反射涂层时，既能减少传统光刻工艺中反射、驻波效应等问题以改善光刻胶图形的形貌，又能够与负性光刻胶搭配使用克服显影剂可溶性DBARC的底切问题和光敏感DBARC的底脚问题。
应理解，说明书通篇中提到的“一实施例”或“一些实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本公开的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一实施例中”或“在一些实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本公开的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本公开实施例的实施过程构成任何限定。上述本公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种底部抗反射涂层组合物，其特征在于，所述底部抗反射涂层组合物包括：树脂聚合物、光酸产生剂、交联剂和本体溶剂；
所述树脂聚合物包括化学式(I)所示的结构：
其中，R1为第一吸光基团，R2为第二吸光基团，所述第一吸光基团和所述第二吸光基团不同；n和m为聚合度。
2.根据权利要求1所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，
所述n的范围为10-5000；
所述m的范围为5-5000。
3.根据权利要求1所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，
所述第一吸光基团为取代或未取代的芳基，所述第二吸光基团为取代或未取代的卤代烷基；
所述第一吸光基团的个数与所述第二吸光基团的个数的比值范围为1:2-1:5。
4.根据权利要求3所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，
所述第一吸光基团包括：间二甲苯基、苯基、萘基以及蒽基中的至少一种；和/或
所述第二吸光基团包括：卤代甲基、卤代乙基以及卤代丙基中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，所述底部抗反射涂层组合物还包括具有羧基的催化剂。
6.根据权利要求5所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，所述树脂聚合物的质量占比为10％-30％，所述光酸产生剂的质量占比为3％-10％，所述交联剂的质量占比为2-6％，所述本体溶剂的质量占比为50％-70％，所述催化剂的质量占比为5％-10％。
7.根据权利要求5所述的底部抗反射涂层组合物，其特征在于，
所述光酸产生剂包括叔丁基苯基碘鎓盐全氟辛烷磺酸、三苯基锍全氟丁烷磺酸以及三苯基锍三氟磺酸中的至少之一；和/或
所述本体溶剂包括丙二醇甲醚、丙二醇甲醚乙酸酯、苯甲酸丁酯以及乙酸乙酯中的至少一种；和/或
所述交联剂包括四羟甲基甘脲和N，N'-二(2-羟基乙基)-脲中的至少一种；和/或
所述催化剂包括苯乙酸、2-甲酰胺基苯甲酸以及4，6-二甲酰胺基间苯二甲酸中的至少一种。
8.一种图案形成方法，其特征在于，所述方法包括：
将权利要求1至7中任一项所述的底部抗反射涂层组合物涂覆至基底上，以在所述基底上形成底部抗反射涂层；
在所述底部抗反射涂层上形成负性光刻胶；
通过辐射对涂覆有所述负性光刻胶和所述底部抗反射涂层的基底进行曝光显影，以形成图案。
9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述底部抗反射涂层的曝光部分不溶于显影剂。
10.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述底部抗反射涂层的吸光系数的范围为0.3-0.6。
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