CN116798963A - 封装芯片及其加工方法 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
本申请公开了一种封装芯片及其加工方法，涉及半导体技术领域，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：提供待封装芯片模块；对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％‑75％；在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片。本申请解决了现有技术封装芯片上的金属层易脱落的技术问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装芯片及其加工方法。
背景技术
在半导体技术领域，有很多对电磁干扰较为敏感的集成电路芯片，因此需要在使用前对这些芯片做好电磁屏蔽处理。目前，是通过在芯片封装好之后，在封装体外加工金属层的方式，起到电磁屏蔽作用，然而，金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象，不仅会影响封装芯片的电磁屏蔽性能，还可能会损伤产品内部的其他元器件。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种封装芯片及其加工方法，旨在解决现有技术封装芯片上的金属层易脱落的技术问题。
为实现上述目的，本申请提供一种封装芯片的加工方法，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：
提供待封装芯片模块；
对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％；
在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；
在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片。
可选地，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：
对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行二次塑封，形成连接层。
可选地，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：
对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行溅镀，形成连接层。
可选地，所述第一充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种；所述第二充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种。
可选地，所述塑封层包括第一环氧树脂，所述第一环氧树脂在所述塑封层中的重量占比为5％-20％。
可选地，所述塑封层还包括第一固化剂、第一阻燃剂和第一脱模剂中的至少一种，其中，所述第一固化剂在所述塑封层中的重量占比为5％-20％，所述第一阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第一脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％。
可选地，所述连接层包括第二环氧树脂，所述第二环氧树脂在所述连接层中的重量占比小于或等于10％。
可选地，所述连接层还包括第二固化剂、第二阻燃剂和第二脱模剂中的至少一种，其中，所述第二固化剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第二阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第二脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％。
可选地，所述连接层的厚度小于所述塑封层的厚度的五分之一。
本申请还提供一种封装芯片，所述封装芯片采用如上所述的封装芯片的加工方法加工得到，所述封装芯片包括：
待封装芯片模块；
塑封层，所述塑封层包覆于所述待封装芯片模块的外表面，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％；
连接层，所述连接层贴附于所述塑封层的外表面，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；
溅镀层，所述溅镀层贴附于所述连接层的外表面。
本申请提供了一种封装芯片及其加工方法，通过提供待封装芯片模块，对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％，实现了对待封装芯片模块的塑封，随着充填剂重量比的增加，塑封材料的流动性降低，充填性能下降，可能导致充填不足，从而引起锡膏串联短路，因此，将所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比确定为40％-75％，进而通过在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％，实现了在塑封层表面增设高充填剂含量的连接层，充填剂与塑封材料以及与金属材料之间的结合力均较高，进而通过在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片，可以将塑封层与金属溅镀层较为紧固地连接在一起。通过连接层的增设，实现了充填剂的梯度设置，充填剂含量较低的塑封层可以实现对待封装芯片模块的充分充填，降低封装芯片的漏电概率，充填剂含量较高的连接层与塑封层和金属溅镀层均可以紧密结合，从而将塑封层与金属溅镀层紧密连接在一起。因此，克服了金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象的技术缺陷，提高了金属层与封装体之间的结合力，减小了金属层脱落的几率。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中加工金属层的一种可实施方式的场景示意图；
图2为本申请封装芯片的加工方法的一实施例的流程示意图；
图3为本申请实施例中二次塑封的一种可实施方式的场景示意图；
图4为本申请实施例中溅镀连接层的一种可实施方式的场景示意图；
图5为本申请封装芯片的一实施例的剖面图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 10 | 待封装芯片模块 | 20 | 塑封层 |
| 30 | 连接层 | 40 | 金属溅镀层 |
本申请目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
在半导体技术领域，有很多对电磁干扰较为敏感的集成电路芯片，因此需要在使用前对这些芯片做好电磁屏蔽处理。目前，是通过在芯片封装好之后，在封装体外加工金属层的方式，起到电磁屏蔽作用。在一种可实施的方式中，参照图1，对SMT(Surface MountedTechnology，表面贴装技术)贴片进行塑封，进而可以通过溅镀的方式在封装体外加工金属镀层，然而，芯片封装多为塑封，塑封后的封装体外表面通常为塑料、树脂等高分子材料，这些高分子材料与金属材料之间的结合力较差，从而导致封装体表面加工的金属层与封装体之间的结合力较差，在使用过程中，金属层容易出现部分或全部脱落的现象，从而影响封装芯片的产品性能。
塑封材料中的充填剂不论是与高分子材料还是金属材料之间的结合力均较高，因此，增加塑封材料中充填剂的含量可以提高封装体与金属层之间的结合力，然而，随着充填剂含量的增加，塑封材料的流动性降低，充填性能下降，可能导致充填不足，从而引起锡膏串联短路，导致产品性能较差。
因此，本申请通过连接层的增设，实现了充填剂的梯度设置。仍然采用充填剂含量较低的塑封材料加工塑封层，以使得塑封材料具有适宜的流动性，从而可以保证塑封层的充分充填；进而增设充填剂含量较高的连接层，利用高含量的充填剂将塑封层与金属溅镀层紧密连接在一起，因此，克服了金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象的技术缺陷，提高了金属层与封装体之间的结合力，减小了金属层脱落的几率。
本申请实施例提供一种封装芯片的加工方法，在本申请封装芯片的加工方法的一实施例中，参照图2，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：
步骤S10，提供待封装芯片模块；
步骤S20，对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％；
在本实施例中，需要说明的是，所述待封装芯片模块是指需要进行封装的芯片模块，至少包括一个芯片，还可以包括基板、焊线、引线架等。
在一种可实施的方式中，所述提供待封装芯片模块的步骤之前，还可以预先经过切割、贴片、互连等步骤，加工待封装芯片模块，其中，所述切割、贴片、互连等步骤的具体工艺与现有技术相近，本实施例在此不过多赘述。
所述第一充填剂包括硅微粉、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、碳酸钙、碳酸镁、硅酸镁、硅酸铝、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氧化钛、硼酸铝、硼酸锌、硼酸钙、硼酸钠、氮化铝、氮化硼、氮化硅、二氧化硅、二氧化钛中的至少一种，用于提高强度、减小吸水性。由于所述第一充填剂不论是与高分子材料还是金属材料之间的结合力均较高，因此，增加塑封材料中充填剂的含量可以提高封装体与金属层之间的结合力，然而，随着充填剂含量的增加，塑封材料的流动性降低，充填性能下降，可能导致充填不足，从而引起锡膏串联短路，因此，确定所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％，可以使得所述第一塑封材料具有适宜的流动性，提高第一塑封材料的充填性能，避免加工出的封装芯片漏电。
示例性地，提供待封装芯片模块，将所述待封装芯片模块放置于注塑成型设备的第一模具中，向第一模具中注入第一塑封材料，所述第一塑封材料固化后在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述第一塑封材料可以包括第一树脂、第一固化剂、第一充填剂、第一阻燃剂、第一脱模剂、第一消泡剂、第一流平剂等中的至少一种。所述第一树脂与所述第一固化剂发生交联反应形成交联结构，以起到密封和隔离的作用，所述第一树脂包括环氧树脂、聚氨酯和有机硅树脂等中的至少一种，所述第一固化剂包括酸酐类固化剂、胺类固化剂、酚类固化剂中的至少一种；所述第一塑封材料中的其他组分以及添加量可以根据实际需要进行确定，本实施例对此不加以限制。所述第一模具可以根据所述待封装芯片模块的形状规格进行确定，所述注射成型的具体工艺条件可以根据实际需求进行确定和调整，本实施例对此不加以限制。
可选地，所述第一充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种。
可选地，所述塑封层包括第一环氧树脂，所述第一环氧树脂在所述塑封层中的重量占比为5％-20％。
在本实施例中，所述第一树脂可以为第一环氧树脂，从而使得加工后的所述塑封层中的树脂材料为第一环氧树脂。环氧树脂粘接力好，耐高温性能和电气绝缘性能较好，所述第一环氧树脂在所述塑封层中的重量占比为5％-20％，例如50％、10％、15％、20％等。
可选地，所述塑封层还包括第一固化剂、第一阻燃剂和第一脱模剂中的至少一种，其中，所述第一固化剂在所述塑封层中的重量占比为5％-20％，所述第一阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第一脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％。
在本实施例中，所述塑封层还包括第一固化剂、第一阻燃剂和第一脱模剂中的至少一种，其中，所述第一固化剂在所述塑封层中的重量占比为5％-20％，例如5％、10％、15％、20％等，所述第一阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，例如0％、2％、5％、10％等，所述第一脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％，例如0％、0.5％、1％等。
步骤S30，在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；
在本实施例中，需要说明的是，所述第二充填剂包括硅微粉、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、碳酸钙、碳酸镁、硅酸镁、硅酸铝、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氧化钛、硼酸铝、硼酸锌、硼酸钙、硼酸钠、氮化铝、氮化硼、氮化硅、二氧化硅、二氧化钛中的至少一种，用于提高强度、减小吸水性，提高连接层与塑封层以及与金属溅镀层之间的结合力。由于塑封层需要充分充填待封装芯片模块，需要具有一定的流动性，因此，第一充填剂的含量不能太高，然而，在满足流动性要求的情况下，塑封层中的第一充填剂不足以使得塑封层与金属溅镀层紧密结合，从而可能使得封装芯片在使用过程中出现金属溅镀层脱落的现象，金属溅镀层脱落后，不仅会影响封装芯片的电磁屏蔽性能，还可能会损伤产品内部的其他元器件。因此，在塑封层与金属溅镀层之间增设高充填剂含量的连接层，由于连接层无需对待封装芯片模块内进行充填，因此可以无需考虑流动性的问题，因此可以在工艺条件允许的情况下充分增加第二充填剂的含量，利用充填剂与塑封材料以及与金属材料之间的结合力均较高的优势，将塑封层与金属溅镀层较为紧固地连接在一起。为了保证塑封层与金属溅镀层之间的紧密结合，所述连接层至少包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％。
示例性地，在塑封层固化之后，可以通过二次塑封、涂布、溅镀等方式在所述塑封层的外表面的部分或全部区域加工一层连接层，其中，所述连接层可以包括第二树脂、第二固化剂、第二充填剂、第二阻燃剂、第二脱模剂、第二消泡剂、第二流平剂等中的至少一种，所述第二树脂与所述第二固化剂发生交联反应形成交联结构，所述第二树脂包括环氧树脂、聚氨酯和有机硅树脂等中的至少一种，所述第二固化剂包括酸酐类固化剂、胺类固化剂、酚类固化剂中的至少一种；所述连接层的其他组分以及含量可以根据实际需要进行确定，本实施例对此不加以限制。所述连接层中各个组分的类型可以与所述塑封层中各个组分的类型相同或不同，具体可以根据实际情况进行缺陷，本实施例对此不加以限制。所述连接层的具体加工工艺方式以及工艺条件可以根据实际需求进行确定和调整，本实施例对此不加以限制。
可选地，所述第二充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种。
可选地，所述连接层包括第二环氧树脂，所述第二环氧树脂在所述连接层中的重量占比小于或等于10％。
在本实施例中，需要说明的是，所述连接层是利用充填剂与金属材料和非金属材料之间的结合力均较高实现对塑封层与金属溅镀层之间的连接，因此，所述连接层至少包括第二充填剂，但采用不同的工艺使得第二充填剂粘附于塑封层上时，可以根据具体的工艺需要选取或不选取其他原材料与第二充填剂混合得到混合物，进而将混合物加工成连接层。例如，若采用注塑成型加工连接层，则需要第二充填剂在一定的高温下呈液体，具有一定的流动性，且在一定条件下能够固化，因此可以将第二充填剂与第二树脂、第二固化剂等原料一同配置成第二塑封材料，进而将第二塑封材料加入注塑成型设备中，在塑封层表面成型连接层；若采用溅镀工艺加工连接层，则可以直接将第二充填剂作为靶材，在塑封层表面溅镀连接层，在此情况下，加工的连接层中不包含有第二环氧树脂，也即，所述第二环氧树脂在所述连接层中的重量占比为0。
在本实施例中，所述第二环氧树脂在所述连接层中的重量占比小于或等于10％，例如0、2％、5％、10％等。
可选地，所述连接层还包括第二固化剂、第二阻燃剂和第二脱模剂中的至少一种，其中，所述第二固化剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第二阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第二脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％。
在本实施例中，需要说明的是，所述连接层是利用充填剂与金属材料和非金属材料之间的结合力均较高实现对塑封层与金属溅镀层之间的连接，因此，所述连接层至少包括第二充填剂，但采用不同的工艺使得第二充填剂粘附于塑封层上时，可以根据具体的工艺需要选取或不选取其他原材料与第二充填剂混合得到混合物，进而将混合物加工成连接层。例如，若采用注塑成型加工连接层，则需要第二充填剂在一定的高温下呈液体，具有一定的流动性，且在一定条件下能够固化，因此可以将第二充填剂与第二树脂、第二固化剂、第二阻燃剂、第二脱模剂中的至少一种原料一同配置成第二塑封材料，进而将第二塑封材料加入注塑成型设备中，在塑封层表面成型连接层；若采用溅镀工艺加工连接层，则可以直接将第二充填剂作为靶材，在塑封层表面溅镀连接层，在此情况下，加工的连接层中不包含有第二固化剂、第二阻燃剂或第二脱模剂，也即，所述第二固化剂、所述第二阻燃剂和所述第二脱模剂在所述连接层中的重量占比均为0。
在本实施例中，所述连接层还包括第二固化剂、第二阻燃剂和第二脱模剂中的至少一种，其中，所述第二固化剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，例如0、2％、5％、10％等，所述第二阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，例如0、2％、5％、10％等，所述第二脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％，例如0、0.5％、1％等。
可选地，所述连接层的厚度小于所述塑封层的厚度的五分之一。
在本实施例中，随着塑封材料中充填剂的添加量的增加，热膨胀系数降低，因此，随着连接层中第二充填剂含量的增加，连接层与塑封层之间的热膨胀系数差异增加，连接层与塑封层之间容易发生翘曲。连接层较薄时，连接层与塑封层以及与金属溅镀层之间的结合紧密，可以减少翘曲，连接层越厚，越容易发生翘曲，因此确定所述连接层的厚度小于所述塑封层的厚度的五分之一。
可选地，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：
对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行二次塑封，形成连接层。
示例性地，可以预先根据实际需要将所述塑封层外表面的部分或全部区域确定为目标连接区域，例如可以将需要进行电磁屏蔽处理的区域确定为目标连接区域，并选取对应的第二模具，将加工有所述塑封层的待封装芯片模块放入所述第二模具中，向所述第二模具中注入第二塑封材料，所述第二塑封材料固化后在所述待封装芯片模块外的所述塑封层的外表面形成连接层，其中，所述第二塑封材料可以包括第二树脂、第二固化剂、第二充填剂、第二阻燃剂、第二脱模剂、第二消泡剂、第二流平剂等中的至少一种，所述第二塑封材料中各类原料的种类和添加量可以与所述第一塑封材料相同或不同。
在一种可实施的方式中，所述连接层还包括第二树脂，所述第二树脂可以与所述第一树脂的类型相同，相同类型的树脂可以使得所述连接层与所述塑封层之间的连接更紧密。
在本实施例中，参照图3，若直接在第一塑封材料加工的塑封层溅镀金属粒子，金属溅镀层与塑封层之间的结合能力较弱，然而，若直接将第二塑封材料作为塑封层原料加工塑封层，在此情况下，虽然塑封层与溅镀金属层之间的结合能力较好，但是随着充填剂含量的增加，塑封材料的流动性降低，充填性能下降，可能导致充填不足，从而引起锡膏串联短路，导致产品性能较差。因此，本实施例通过二次塑封的方式在塑封层外注射成型连接层，实现了充填剂的梯度设置。仍然采用充填剂含量较低的塑封材料加工塑封层，以使得塑封材料具有适宜的流动性，从而可以保证塑封层的充分充填；进而增设充填剂含量较高的连接层，利用高含量的充填剂将塑封层与金属溅镀层紧密连接在一起，因此，克服了金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象的技术缺陷，提高了金属层与封装体之间的结合力，减小了金属层脱落的几率。
可选地，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：
对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行溅镀，形成连接层。
示例性地，可以预先根据实际需要将所述塑封层外表面的部分或全部区域确定为目标连接区域，例如可以将需要进行电磁屏蔽处理的区域确定为目标连接区域，进而将所述加工有塑封层的待封装芯片模块放入溅镀设备中，可以通过设置掩蔽层、插入模具等方式使得所述目标连接区域暴露，进而将所述第二充填剂作为靶材，通过所述溅镀设备使得所述第二充填剂沉积于所述塑封层外表面上的目标连接区域上，形成连接层。
在一种可实施的方式中，所述第二充填剂包括多种，可以将多种第二充填剂交替或先后作为靶材，在所述目标连接区域上溅镀多种第二充填剂。
在一种可实施的方式中，所述对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行溅镀，形成连接层的步骤之后，还可以对所述连接层的外表面进行表面粗糙处理，在表面粗糙处理之后，在表面粗糙处理之后的连接层的外表面溅镀金属溅镀层。通过表面粗糙处理，可以进一步提高连接层与溅镀金属层之间的结合力。
在本实施例中，参照图4，若直接在第一塑封材料加工的塑封层溅镀金属粒子，金属溅镀层与塑封层之间的结合能力较弱，然而，若直接将第二塑封材料作为塑封层原料加工塑封层，在此情况下，虽然塑封层与溅镀金属层之间的结合能力较好，但是随着充填剂含量的增加，塑封材料的流动性降低，充填性能下降，可能导致充填不足，从而引起锡膏串联短路，导致产品性能较差。因此，本实施例通过在塑封层外沉积第二充填剂，形成连接层，实现了充填剂的梯度设置。仍然采用充填剂含量较低的塑封材料加工塑封层，以使得塑封材料具有适宜的流动性，从而可以保证塑封层的充分充填；进而在塑封层表面沉积充填剂含量较高的连接层，利用高含量的充填剂将塑封层与金属溅镀层紧密连接在一起，因此，克服了金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象的技术缺陷，提高了金属层与封装体之间的结合力，减小了金属层脱落的几率。
步骤S40，在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片。
示例性地，在连接层固化之后，在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片，其中，所述溅镀的具体方式和工艺条件可以根据实际学期进行确定和调整，本实施例对此不加以限制。
在本实施例中，通过提供待封装芯片模块，对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％，实现了对待封装芯片模块的塑封，随着充填剂重量比的增加，塑封材料的流动性降低，充填性能下降，可能导致充填不足，从而引起锡膏串联短路，因此，将所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比确定为40％-75％，进而通过在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％，实现了在塑封层表面增设高充填剂含量的连接层，充填剂与塑封材料以及与金属材料之间的结合力均较高，进而通过在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片，可以将塑封层与金属溅镀层较为紧固地连接在一起。通过连接层的增设，实现了充填剂的梯度设置，充填剂含量较低的塑封层可以实现对待封装芯片模块的充分充填，降低封装芯片的漏电概率，充填剂含量较高的连接层与塑封层和金属溅镀层均可以紧密结合，从而将塑封层与金属溅镀层紧密连接在一起。因此，克服了金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象的技术缺陷，提高了金属层与封装体之间的结合力，减小了金属层脱落的几率。
进一步地，本发明还提供了一种封装芯片，所述封装芯片采用如上所述的封装芯片的加工方法加工得到，参照图5，所述封装芯片包括：
待封装芯片模块10；
塑封层20，所述塑封层包覆于所述待封装芯片模块的外表面，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％；
连接层30，所述连接层贴附于所述塑封层的外表面，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；
金属溅镀层40，所述金属溅镀层贴附于所述连接层的外表面。
本申请提供的封装芯片，解决了现有技术封装芯片上的金属层易脱落的技术问题。与现有技术相比，本发明实施例提供的封装芯片的有益效果与上述实施例的封装芯片的有益效果相同，在此不做赘述。
以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利处理范围内。
Claims (10)
1.一种封装芯片的加工方法，其特征在于，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：
提供待封装芯片模块；
对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％；
在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；
在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片。
2.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：
对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行二次塑封，形成连接层。
3.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：
对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行溅镀，形成连接层。
4.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述第一充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种；所述第二充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种。
5.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述塑封层包括第一环氧树脂，所述第一环氧树脂在所述塑封层中的重量占比为5％-20％。
6.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述塑封层还包括第一固化剂、第一阻燃剂和第一脱模剂中的至少一种，其中，所述第一固化剂在所述塑封层中的重量占比为5％-20％，所述第一阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第一脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％。
7.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述连接层包括第二环氧树脂，所述第二环氧树脂在所述连接层中的重量占比小于或等于10％。
8.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述连接层还包括第二固化剂、第二阻燃剂和第二脱模剂中的至少一种，其中，所述第二固化剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第二阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第二脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％。
9.如权利要求1-8中任一项所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述连接层的厚度小于所述塑封层的厚度的五分之一。
10.一种封装芯片，其特征在于，所述封装芯片采用如权利要求1-9中任一项所述的封装芯片的加工方法加工得到，所述封装芯片包括：
待封装芯片模块；
塑封层，所述塑封层包覆于所述待封装芯片模块的外表面，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％-75％；
连接层，所述连接层贴附于所述塑封层的外表面，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；
金属溅镀层，所述金属溅镀层贴附于所述连接层的外表面。
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