CN116780867A - 一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，适用于UPS电源的储能驱动，包括：驱动输入端、三极管、固定占空比芯、MOS管、变压器和整流滤波电路构成；其中，驱动输入端用于接收电平信号，并通过第一定值电阻与三极管的基极电连接；三极管的集电极与固定占空比芯片的使能端电连接；固定占空比芯片的输出端通过第四定值电阻连接MOS管栅极，固定占空比芯片的限流端通过第五定值电阻连接MOS管栅极；MOS管的漏极通过变压器连接整流滤波电路，整流滤波电路连接储能设备。通过增加变压器次级抽头数量，可增加可控硅的直流隔离输出数量，在需要控制的可控硅数量较多时，仅需要增加变压器次级抽头数量，不需要增加整体电路的数量，具有成本优势。
Description
技术领域
本发明涉及储能驱动技术领域，特别涉及一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路。
背景技术
目前，在UPS电源中，很多电源类产品都会使用多个可控硅，通过可控硅可以控制为储能设备充电配置；而这些可控硅放置在参考地不同的通路且控制共地时，就需要使用隔离驱动，否则不同参考地的电压被控制回路短接而产生电气关系。
现有技术方案，如附图2所示，分合闸信号为控制信号，控制信号通过控制光耦U1的开关进而控制第三MOS管Q3和第七MOS管Q7的开关，最终控制第四MOS管Q4可控硅的开关，当分合闸信号为低电平时，光耦U1不导通，第七MOS管Q7的栅极为高电平，第七MOS管Q7导通，可控硅Q4驱动为低电平，可控硅关断，当分合闸信号为高电平时，光耦U1导通，第三MOS管Q3的栅极为低电平，第三MOS管Q3导通，可控硅Q4驱动为高电平，可控硅开通，因此，每一个可控硅都需要一个配套的电路进行驱动控制。
因此，当产品需要驱动多个可控硅时，需要相应数量的完整驱动电路，且每一个驱动电路需要隔离的供电电源，成本高、体积大，因此，一个可控硅无法实现多路同时驱动，实现多路同步储能。
发明内容
本发明提供一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，用以解决上述背景技术中的情况。
本发明提出一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，适用于UPS电源的储能驱动，包括：驱动输入端、三极管、固定占空比芯、MOS管、变压器和整流滤波电路；其中，
驱动输入端用于接收电平信号，并通过第一定值电阻与三极管的基极电连接；
三极管的集电极与固定占空比芯片的使能端电连接；
固定占空比芯片的输出端通过第四定值电阻连接MOS管栅极，固定占空比芯片的限流端通过第五定值电阻连接MOS管栅极；
MOS管的漏极通过变压器连接整流滤波电路，整流滤波电路连接储能设备；其中，
变压器用于连接多个次级抽头，每个次级抽头连接一个整流滤波电路，进行驱动隔离。
优选的，所述电平信号包括高电平信号和低电平信号；其中，
当驱动输入端为高电平信号时，三极管导通，固定占空比芯片的使能端为低电平，MOS管关断，不产生驱动电压；
当驱动输入端为低电平信号时，三极管截至，固定占空比芯片的使能端为高电平，MOS管导通，产生驱动电压。
优选的，所述固定占空比芯片的使能端为高电平时，还包括：
固定占空比芯片的输出端输出固定占空比方波电平；
MOS管的漏极连接双向TVS二极管构成斩波电路，并被配置为周期斩波开关；
变压器原边被周期斩波开关产生的斩波信号激励。
优选的，所述整流滤波电路包括第一二极管、第六电阻、第三电容、第四电容和第七电阻其中，
第一二极管和第七电阻串联；
第六电阻、第三电容和第四电容并联于次级抽头；
第三电容的一端连接在串联的第一二极管和第七电阻之间。
优选的，所述整流滤波电路并联连接UPS电源旁路逆变器和逆变继电器，并被配置为在进行旁路和逆变互相转换时，进行瞬间导通；其中，
整流滤波电路输入端的次级抽头设置有转换开关，转换开关用于控制次级抽头导通/关闭。
优选的，所述固定占空比芯片还连接有微处理器；其中，
微处理器用于配置驱动模式；其中，
驱动模式包括储能配置模式、振荡抑制模式、储能匹配模式；
微处理器连接次级抽头和阻尼，阻尼为可控阻尼，可控阻尼连接在次级抽头和微处理器之间。
优选的，所述储能配置模式时，微处理器包括如下执行步骤：
步骤1：通过微处理器连接不同储能设备，确定待供电电压和预估储能量；其中，
微处理器通过预估储能量和待供电电压，确定储能预估时间；
步骤2：通过同步整流滤波电路输出端与待充电的储能设备连接，确定对应次级抽头的变压电压；
步骤3：微处理器将待供电电压与变压电压进行对比；其中，
当电压差值在预设差值区间之内时，通过微处理器向固定占空比芯片发出低电平信号，固定占空比芯片U的使能端为高电平；
当电压差值在预设差值区间之内时，通过微处理器向固定占空比芯片发出高电平信号，固定占空比芯片U的使能端为低电平；
步骤4：微处理器通过测量储能设备正极和负极实时监测储能设备的正极和负极之间的储能设备电压值；其中，
当储能设备电压值大于等于预设的断电电压阈值时，且储能时间大于等于储能预估时间时，微处理器向次级抽头发出关断指令，停止对储能设备充电。
优选的，所述振荡抑制模式时，微处理器包括如下执行步骤：
步骤11：通过微处理器判断驱动输出端的电压是否存在低频振荡；其中，
当存在低频振荡时，获取驱动输出端的的电压变化量；其中，
电压变化量包括：角速度变化量和有功功率偏差；
步骤12：根据角速度变化量和有功功率偏差，确定储能设备的输入参数；其中，
输入参数包括输入电压、输入电流和输入功率；
步骤13：根据储能设备的输入参数和储能设备的输入幅值区间；对储能设备的输入功率进行抑制；其中，
抑制的方式为次级抽头连接的阻尼进行调节，以抑制驱动输入端输入电量的有功功率的低频振荡。
优选的，所述储能匹配模式时，微处理器包括如下执行步骤：
步骤21：获取储能设备在充电时的输入电压以及次级抽头的端口输出电压；
步骤22：根据储能设备在充电时的输入电压以及次级抽头的端口输出电压，确定第一占空系数；
步骤23：根据第一占空系数，控制输入电压与端口输出电压匹配。
优选的，所述转换开关与UPS电源旁路逆变器电连接，并被配置为在UPS电源旁路逆变器启动时，处于常闭状态。
本发明的有益效果在于：
本发明的主要作用是对不同的整流滤波电路进行直流隔离，通过增加变压器次级抽头数量，可增加可控硅的直流隔离输出数量，在需要控制的可控硅数量较多时，仅需要增加变压器次级抽头数量，不需要增加整体电路的数量，具有成本优势，而且能够实现在整流滤波输出的时候，可以实现不同的整流滤波电路隔离。
本发明在不明显增加整体电路的基础上，增加次级抽头数量几乎不增加成本，整流滤波电路为贴片二极管、电阻和电容这些器件构成，这些器件价格低，体积小，同时省去了为每一路驱动提供的隔离供电电源，进而可以实现对多个储能设备进行同步储能。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例中一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路的组成结构；
图2为本发明实施例中现有技术中可控硅驱动电路的组成结构；
图3为本发明实施例中变压器次级为两路的电路；
图4为本发明实施例中变压器次级为两路，旁路和逆变切换的电路；
图5为本发明实施例中一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路的组成结构。
图6为本发明实施例中整流滤波电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
如附图1和附图5所示，本发明提出一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，适用于UPS电源的储能驱动，由驱动输入端、三极管Q1、固定占空比芯片U、MOS管Q2、变压器T和整流滤波电路构成；其中，
驱动输入端用于接收电平信号，并通过第一定值电阻R1与三极管Q1的基极电连接；
三极管Q1的集电极与固定占空比芯片U的使能端电连接；
固定占空比芯片U的输出端通过第四定值电阻R4连接MOS管Q2栅极，固定占空比芯片U的限流端通过第五定值电阻R5连接MOS管Q2栅极；
MOS管Q2的漏极通过变压器T连接整流滤波电路，整流滤波电路连接储能设备；其中，
变压器T用于连接多个次级抽头，每个次级抽头连接一个整流滤波电路，进行驱动隔离，例如附图3所示，连接两个次级抽头。
本发明的原理在于：
在实施过程中，通过驱动输入、三极管Q1、固定占空比芯片U、MOS管Q2、变压器T和若干路整流滤波电路组成多路输出直流隔离硅驱动电路，MOS管Q2为可控硅，本电路的作用就是驱动MOS管Q2。固定占空比芯片具备使能端，反馈端，限流端，RT/CT端(为外接振荡器定时电阻和定时电容的引脚端口，该引脚端口与基准电压输出脚(VREF)之间接入基准电阻，该脚与接地脚之间接入基准电容)，接地端，输出端，电源端，参考电压输出端。
当驱动输入为高电平时，三极管Q1导通，固定占空比芯片的使能端使能脚为低电平(不使能)，输出端输出持续低电平，MOS管Q2关断，变压器T原边没有周期激励，变压器次级无输出，Q1～Qn没有电压，可控硅关断，三极管Q1表示第一个整流滤波电路；Qn表示第Nge整流滤波电路；
当驱动输入为低电平时，三极管Q1截至，固定占空比芯片使能端内部上拉为高电平(使能)，输出端脚输出固定占空比方波电平，MOS管2周期斩波开关，变压器T原边被周期激励，变压器次级整流滤波输出，Q1～Qn有电压(Q，表示MOS管对应的可控硅，1～n表示可控硅连接的次级抽头的数量，1～n个次级抽头)，可控硅开通。
n为可控硅数量，例如设备有8个可控硅需要控制，只需要增加T2次级抽头数量到8个，同时每个次级抽头加上整流滤波电路即可。
本发明的有益效果在于：
本发明的主要作用是对不同的整流滤波电路进行直流隔离，通过增加变压器次级抽头数量，可增加可控硅的直流隔离输出数量，在需要控制的可控硅数量较多时，仅需要增加变压器次级抽头数量，不需要增加整体电路的数量，具有成本优势，而且能够实现在整流滤波输出的时候，可以实现不同的整流滤波电路隔离。
本发明在不明显增加整体电路的基础上，增加次级抽头数量几乎不增加成本，整流滤波电路为贴片二极管、电阻和电容，这些器件价格低，体积小，同时省去了为每一路驱动提供的隔离供电电源，进而可以实现对多个储能设备进行同步储能。
具体的，所述电平信号包括高电平信号和低电平信号；其中，
当驱动输入端为高电平信号时，三极管Q1导通，固定占空比芯片U的使能端为低电平，MOS管Q2关断，不产生驱动电压；
当驱动输入端为低电平信号时，三极管Q1截至，固定占空比芯片U的使能端为高电平，MOS管Q2导通，产生驱动电压。
上述技术方案的原理在于：
在实际驱动隔离的过程中，当驱动输入端接收输入的信号，产生驱动电压和关断驱动电压。
在这个过程中，高电平信号用于控制固定占空比芯片的使能端口无使能信号，然后控制MOS管关断，变压器T就没有了周期激励信号，就无法产生驱动电压；低电平信号用于控制固定占空比芯片的使能端口存在使能信号，三极管Q1截至，但是MOS管Q2实现启动，进而产生驱动电压。
上述技术方案的有益效果在于：
本发明通过电平信号控制整个电路的驱动电压的产生和截至，控制了可控硅的前置部分，即控制变压器是否产生电压，而不是直接控制整流滤波电路，因此，可以实现多个整流滤波电路的并联，实现一个可控硅，控制多个整流滤波电路的关断和导通。
具体的，所述固定占空比芯片U的使能端为高电平时，还包括：
固定占空比芯片U的输出端输出固定占空比方波电平；
MOS管Q2的漏极连接双向TVS二极管D1构成斩波电路，MOS管Q2的栅极还连接第五电阻R5，并被配置为周期斩波开关；
变压器T原边被周期斩波开关产生的斩波信号激励。
上述技术方案的原理在于：
方波是一种非正弦曲线的波形，通常会与电子和讯号处理时出现。理想方波只有“高”和“低”这两个值，但是方波有低电平为零与为负之分。而固定占空比的方波电平，可以让本发明的方波只存在高电平和低电平，控制信号更加直接。周期斩波开关用于产生斩波信号激励，斩波的作用是固定直流变成可变直流，而本发明中基于周期斩波，实现将固定交流通过变压器转变为可变交流，从而实现整流滤波。
上述技术方案的有益效果在于：
本发明在进行变压控制、以及产生电平信号上，更加直接清楚，同时将只适用于直流的斩波开关进行转换为交流变压的控制，以直流控制交流，控制的准确性更高。
具体的，如附图6所示，所述整流滤波电路包括第一二极管D1、第六电阻R6、第三电容C3、第四电容C4和第七电阻R7其中，
第一二极管D1和第七电阻R7串联；
第六电阻R6、第三电容C3和第四电容C4并联于次级抽头；
第三电容C3的一端连接在串联的第一二极管D1和第七电阻R7之间。
上述技术方案的原理在于：
本发明的整流滤波电路时一个常规的整流滤波电路，主要是为了并联于次级抽头，从而实现将次级抽头的交流电转换为直流电，整流滤波电路结构简单，不需要复杂的整流桥设备，可以自行配置整流滤波电路的整流电压区间，进而可以实现在可控硅驱动的时候，连接多种不同变压等级的整流滤波电路，一次性对多种不同规格的储能设备进行充电。
如附图4所示，
所述整流滤波电路并联连接UPS电源旁路逆变器和逆变继电器，并被配置为在进行旁路和逆变互相转换时，进行瞬间导通；其中，
整流滤波电路输入端的次级抽头设置有转换开关，转换开关用于控制次级抽头导通/关闭。
本发明的设置有UPS电源旁路逆变器(UPS逆变输出)和逆变继电器(UPS旁路输出)，实现旁路和逆变的控制，旁路是将多路输出直流隔离可控硅驱动电路直接作为驱动输出电路，不进行储能；而逆变继电器是用于控制多路输出直流隔离可控硅驱动电路的整流滤波电路的输出端的电压通过UPS电源旁路逆变器进行逆变。
具体的，
所述固定占空比芯片还连接有微处理器；其中，
微处理器用于配置驱动模式；其中，
驱动模式包括储能配置模式、振荡抑制模式、储能匹配模式；
微处理器连接次级抽头和阻尼，阻尼为可控阻尼，可控阻尼连接在次级抽头和维处理器之间。
上述技术方案的原理在于：
本发明的微处理器用于控制固定占空比芯片，实现不同的驱动模式进多模式控制，在这个过程中：
储能配置模式用于判断变压器T的进行变压的电压是否满足储能设备的储能要求，即，判断变压器T进行变压后的电压是低于储能设备的输入电压时，无法进行供电，此时，固定占空比芯片的使能端低电平。
振荡抑制模式主要用于进行储能供电的设备为发电机的时候，此时，可能产生低频振荡现象，进而控制固定占空比芯片对变压器T进行限幅控制；
储能匹配模式用于根据不同次级抽头的占空比系数和储能设备的储能端口进行控制，进而在变压的时候，每个次级抽头可以分配到合理的电压。
可控阻尼用于调节阻尼，实现抑制低频振荡。可控阻尼为低功耗的两段LC阻尼器。
上述技术方案的有益效果在于：
本发明通过三种不同的控制模式，可以在本发明进行储能的时候，保证外部供电和储能设备的输入电压可以完美契合，不会出现储能的时候发现整流滤波电路输出的电压无法符合储能设备的储能需求的问题。
具体的，所述储能配置模式时，微处理器包括如下执行步骤：
步骤1：通过微处理器连接不同储能设备，确定待供电电压和预估储能量；其中，
微处理器通过预估储能量和待供电电压，确定储能预估时间，即通过判断储能设备预估可以储存的电能以及供电的实际电压，确定充满储能设备所需要的时间；
步骤2：通过同步整流滤波电路输出端与待充电的储能设备连接，确定对应次级抽头的变压电压；
步骤3：微处理器将待供电电压与变压电压进行对比；其中，
当电压差值在预设差值区间之内时，通过微处理器向固定占空比芯片发出低电平信号，固定占空比芯片U的使能端为高电平；
当电压差值不在预设差值区间之内时，通过微处理器向固定占空比芯片发出高电平信号，固定占空比芯片U的使能端为低电平；
步骤4：微处理器通过测量储能设备正极和负极实时监测储能设备的正极和负极之间的储能设备电压值；其中，
当储能设备电压值大于等于预设的断电电压阈值时，且储能时间大于等于储能预估时间时，微处理器向次级抽头发出关断指令，停止对储能设备充电。
上述技术方案的原理在于：
本发明可以连接多种储能设备，每种储能设备通过次级抽头和可控硅驱动电路连接，因此通过增加抽头数量实现储能控制；
在具体的储能过程中，判断是否能够进行储能和储能是否完成依靠储能配置模式实现；
在进行是否能够进行储能判定过程中，步骤1能够确定待供电电压和预估储能能量；进而根据供电电压和需要充电的总电量，能够确定储能设备预估的充电时间；
步骤2：用于通过每个次级抽头的变压电压确定整流滤波电路的输出电压，进而确定输入电压和待供电电压的差值，当差值相差不大(预设差值区间)，可以满足充电要求时，实现充电。当整流滤波电路的输入电压特低或者特高时(不在预设差值区间内)，可能烧坏储能设备或者无法满足充电设备的储能需求，就停止进行储能。
在能够进行充电的时候，微处理器会判断储能设备的储能时间和储能设备的电压是否大于预设的断电电压阈值和储能时间，大于和等于时，就进行停止充电，即充电的时间满足预估的充电时间，在充电的这段时间之内，储能设备的电压值，即检测到的电压值，也满足的储能设备充满电时的电压状态。
上述技术方案的有益效果在于：
首先本发明可以在充电充满的时候及时停止供电，也可以在充电前期进行充电判定的时候，实时确定是否满足充电的电压要求，并且本发明的判断过程，相对于现有的自动变压设备以及无法进行直流隔离的可控硅驱动电路，本发明的更加稳定进而可以防止储能设备充电的时候出现储能过溢。
具体的，所述振荡抑制模式时，微处理器包括如下执行步骤：
步骤11：通过微处理器判断驱动输出端的电压是否存在低频振荡；其中，
当存在低频振荡时，获取驱动输入端的的电压变化量；其中，
电压变化量包括：角速度变化量和有功功率偏差；
步骤12：根据角速度变化量和功功率偏差，确定储能设备的输入参数；其中，
输入参数包括输入电压、输入电流和输入功率；
步骤13：根据储能设备的输入参数和储能设备的输入幅值区间；对储能设备的输入功率进行抑制；其中，
抑制的方式为次级抽头连接的阻尼进行调节，以抑制驱动输入端输入电量的有功功率的低频振荡。
上述技术方案的原理在于：
本发明还可以判断储能设备充电的时候是否出现低频振荡，基于微处理器获取驱动输出端的电压和储能设备的输入电压，判断低频振荡现象；
在具备低频振荡现象的时候通过调整次级抽头连接的阻尼，实现低频振荡的自动抑制。
上述技术方案的有益效果在于：
本发明可以抑制低频振荡现象，防止充电的时候出现低频振荡。
具体的，所述储能匹配模式，包括如下配置步骤：
获取储能设备在充电时的输入电压以及次级抽头的预设端口输出电压；
根据储能设备在充电时的输入电压以及次级抽头的预设端口输出电压，确定第一占空系数；
根据第一占空系数，控制输入电压与预设端口输出电压匹配。
上述技术方案的原理在于：
本发明可以在进行储能设备充电的时候，进行储能匹配；
储能匹配的时候基于输入端的电压结合次级抽头的输出电压进行占空系数计算，根据占空系数，判断匹配方式。
根据占空比系数，控制变压器T对次级抽头的变压电压符合第一占空比系数。
上述技术方案的有益效果在于：
本发明在进行储能设备充电的时候，不仅能够实现储能控制，还能实现储能设备匹配，从而稳定输出对应的充电电压，而不是采用稳压电路，节约了成本的同时，不增加更多的设备器材。
具体的，所述转换开关与UPS电源旁路逆变器电连接，并被配置为在UPS电源旁路逆变器启动时，处于常闭状态。常闭状态是为了进行旁路供电的时候，不会出现断电的状态，旁路输出不是直接连接储能设备，所以不能进行断电。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，适用于UPS电源的储能驱动，其特征在于，包括：驱动输入端、三极管(Q1)、固定占空比芯片(U)、MOS管(Q2)、变压器(T)和整流滤波电路；其中，
驱动输入端用于接收电平信号，并通过第一定值电阻(R1)与三极管(Q1)的基极电连接；
三极管(Q1)的集电极与固定占空比芯片(U)的使能端电连接；
固定占空比芯片(U)的输出端通过第四定值电阻(R4)连接MOS管(Q2)栅极，固定占空比芯片(U)的限流端通过第五定值电阻(R5)连接MOS管(Q2)栅极；
MOS管(Q2)的漏极通过变压器(T)连接整流滤波电路，整流滤波电路连接储能设备；其中，
变压器(T)用于连接多个次级抽头，每个次级抽头连接一个整流滤波电路，进行驱动隔离。
2.如权利要求1所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述电平信号包括高电平信号和低电平信号；其中，
当驱动输入端为高电平信号时，三极管(Q1)导通，固定占空比芯片(U)的使能端为低电平，MOS管(Q2)关断，不产生驱动电压；
当驱动输入端为低电平信号时，三极管(Q1)截至，固定占空比芯片(U)的使能端为高电平，MOS管(Q2)导通，产生驱动电压。
3.如权利要求2所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述固定占空比芯片(U)的使能端为高电平时，还包括：
固定占空比芯片(U)的输出端输出固定占空比方波电平；
MOS管(Q2)的漏极连接双向TVS二极管(D1)构成斩波电路，并被配置为周期斩波开关；
变压器(T)原边被周期斩波开关产生的斩波信号激励。
4.如权利要求1所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述整流滤波电路包括第一二极管(D2)、第六电阻(R6)、第三电容(C3)、第四电容(C4)和第七电阻(R7)其中，
第一二极管(D2)和第七电阻(R7)串联；
第六电阻(R6)、第三电容(C3)和第四电容(C4)并联于次级抽头；
第三电容(C3)的一端连接在串联的第一二极管(D1)和第七电阻(R7)之间。
5.如权利要求1所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述整流滤波电路并联连接UPS电源旁路逆变器和逆变继电器，并被配置为在进行旁路和逆变互相转换时，进行瞬间导通；其中，
整流滤波电路输入端的次级抽头设置有转换开关，转换开关用于控制次级抽头导通/关闭。
6.如权利要求1所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述固定占空比芯片还连接有微处理器；其中，
微处理器用于配置驱动模式；其中，
驱动模式包括储能配置模式、振荡抑制模式、储能匹配模式；
微处理器连接次级抽头和阻尼，阻尼为可控阻尼，可控阻尼连接在次级抽头和维处理器之间。
7.如权利要求6所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述储能配置模式时，微处理器包括如下执行步骤：
步骤1：通过微处理器连接不同储能设备，确定待供电电压和预估储能量；其中，
微处理器通过预估储能量和待供电电压，确定储能预估时间；
步骤2：通过同步整流滤波电路输出端与待充电的储能设备连接，确定对应次级抽头的变压电压；
步骤3：微处理器将待供电电压与变压电压进行对比；其中，
当电压差值在预设差值区间之内时，通过微处理器向固定占空比芯片发出低电平信号，固定占空比芯片的使能端为高电平；
当电压差值在预设差值区间之内时，通过微处理器向固定占空比芯片发出高电平信号，固定占空比芯片的使能端为低电平；
步骤4：微处理器通过测量储能设备正极和负极实时监测储能设备的正极和负极之间的储能设备电压值；其中，
当储能设备电压值大于等于预设的断电电压阈值时，且储能时间大于等于储能预估时间时，微处理器向次级抽头发出关断指令，停止对储能设备充电。
8.如权利要求6所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述振荡抑制模式时，微处理器包括如下执行步骤：
步骤11：通过微处理器判断驱动输出端的电压是否存在低频振荡；其中，
当存在低频振荡时，获取驱动输入端的的电压变化量；其中，
电压变化量包括：角速度变化量和有功功率偏差；
步骤12：根据角速度变化量和功功率偏差，确定储能设备的输入参数；其中，
输入参数包括输入电压、输入电流和输入功率；
步骤13：根据储能设备的输入参数和储能设备的输入幅值区间；对储能设备的输入功率进行抑制；其中，
抑制的方式为次级抽头连接的阻尼进行调节，以抑制驱动输入端输入电量的有功功率的低频振荡。
9.如权利要求6所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述储能匹配模式时，微处理器包括如下执行步骤：
步骤21：获取储能设备在充电时的输入电压以及次级抽头的端口输出电压；
步骤22：根据储能设备在充电时的输入电压以及次级抽头的端口输出电压，确定第一占空系数；
步骤23：根据第一占空系数，控制输入电压与端口输出电压匹配。
10.如权利要求5所述的一种多路输出直流隔离可控硅驱动电路，其特征在于，所述转换开关与UPS电源旁路逆变器电连接，并被配置为在UPS电源旁路逆变器启动时，处于常闭状态。
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