CN116766504A - 人工晶体的制造方法和人工晶体 - Google Patents

Abstract

为了能高效地将成形的人工晶体与外延余料分离，降低破损率，本发明提供了一种人工晶体的制造方法，包括以下步骤：准备步骤S1：提供注入人工晶体原材料的模具；切割步骤S2：对人工晶体原材料进行切割，形成人工晶体和环绕人工晶体的外延余料；人工晶体分离步骤S3：按压或敲击模具背面中心部分，以使人工晶体落入第一指定位置，外延余料落在与第一指定位置不同的第二指定位置，从而人工晶体与外延余料不发生接触。

Description

人工晶体的制造方法和人工晶体

技术领域

本发明涉及人工晶体技术领域，具体地，本发明涉及人工晶体的制造方法以及根据该制造方法而制成的一种人工晶体。

背景技术

人工晶体是一种能植入眼内的人造透镜，作为一种精密光学部件，现有技术的制备过程主要包括以下步骤：将人工晶体原材料注入模具中，并将其中的人工晶体原材料切割加工成人工晶体所需要的形状。由于人工晶体原材料大多含有丙烯酸酯类、硅材料类，其表面具有粘性，经过切割形成所需形状的人工晶体，与切割后剩余的外延余料会出现粘合在一起从而难以剥离的情况。

在现有技术中，若要将粘合在一起的人工晶体与外延余料分离，需要操作人员通过镊子小心地进行剥离操作。若操作人员的操作不适当，就很容易损坏形成已经切割形成所需形状的人工晶体。

因此，在人工晶体的制造过程往往需要消耗大量的时间成本和人力成本。故，如何提供一种人工晶体制造方法，能高效地将切割形成所需形状的人工晶体与切割后剩余的外延余料分离，降低破损率的同时，提高生产制造效率，是现有技术所面临的课题。

发明内容

为了能高效地将成形的人工晶体与外延余料分离，降低破损率，本发明提供了一种人工晶体的制造方法，包括以下步骤：

准备步骤S1：提供注入人工晶体原材料的模具；

切割步骤S2：对人工晶体原材料进行切割，形成人工晶体和环绕人工晶体的外延余料；

人工晶体分离步骤S3：按压或敲击模具背面中心部分，以使人工晶体落在第一指定位置，外延余料落在第二指定位置，其中，落在第一指定位置的人工晶体，与落在第二指定位置的外延余料不发生接触。

根据本发明提供的技术方案，在经过切割步骤S2之后，人工晶体原材料已经被切割为人工晶体和环绕人工晶体的外延余料，但两者并未完全分离。根据本发明提供的技术方案，因为模具背面中心部分受到按压或敲击，使模具中的仍未完全分离的人工晶体受力下落。此时模具中的外延余料因为与人工晶体有一定程度的粘黏，也有伴随人工晶体一同下落。但是，由于人工晶体分离步骤S3中，通过按压或敲击模具背面中心部分，使切割后的人工晶体落在第一指定位置，切割后的外延余料落在不同于第一指定位置的第二指定位置，该第一指定位置和第二指定位置，满足落在第一指定位置的人工晶体，与落在第二指定位置的外延余料之间不发生接触的条件即可。

其中，作为优选的本发明的技术方案，准备步骤S1中，人工晶体原材料在模具中注塑成型,形成人工晶体原材料片，该人工晶体原材料片的形状和尺寸与第一指定位置和第二指定位置的设置相互匹配，以起到辅助人工晶体与外延余料不发生接触的作用。

在本发明较优的技术方案中，在切割步骤S2执行完毕后，还包括模具按压步骤S21。在模具按压步骤S21中，通过按压模具背面中心部分，使模具背面发生弯曲。根据该优选的技术方案，因为人工晶体位于人工晶体原材料片的居中位置，而外延余料环绕其周围，因此，按压模具背面中心部分，可以使模具内的人工晶体及外延余料也随着模具的形变而具有相似的弯曲弧度，并且，人工晶体部分发生的弯曲，不同于外延余料部分，以使切割后但仍未完全分离的人工晶体和外延余料之间的切割线更加易于分开，便于人工晶体分离步骤S3中，人工晶体和外延余料顺畅地落入各自的第一指定位置和第二指定位置。

其中，优选地，模具还可以包括模具主体周围的模具外沿部。使模具背面发生弯曲的方法具体来说可以是：对模具主体的背面施加向下、即通过模具主体的背面而朝向人工晶体原材料方向的按压力，对模具外沿部的两端施加向上的力、即通过模具外延部并与上述按压力的方向相反的力，以此使模具发生指定程度的弯曲。

另外，可以是使人工晶体和外延余料向下的形式，即人工晶体和外延余料朝向第一指定位置和第二指定位置方向放置模具，并对模具执行模具按压步骤S21，但也可以是使人工晶体和外延余料向上的形式放置模具并执行模具按压步骤S21，并无特别限制。后者只要在执行完毕模具按压步骤S21后，将模具翻转使得人工晶体和外延余料朝向第一指定位置和第二指定位置方向即可。

在本发明较优的技术方案中，第一指定位置是设置在托盘上的凹槽，第二指定位置是设置在该凹槽周边的垫圈。

根据该优选的技术方案，因为第一指定位置是设置在托盘上的凹槽，而第二指定位置是环绕该凹槽周边设置的垫圈，所以第一指定位置与第二指定位置之间具有高度差，人工晶体落入凹槽，而外延余料落在凹槽周边的垫圈部分，换言之外延余料被垫圈所阻挡而不会落入凹槽。以此实现人工晶体与外延余料的顺利分离。

其中，优选地，人工晶体分离步骤S3中的凹槽可以容纳整个垫圈，垫圈是与凹槽内壁接触的环状结构。通过上述结构，当垫圈放入凹槽中时，凹槽的内壁会对垫圈起到限位的作用，垫圈所处的位置与凹槽的底部因此具有高度差，工艺简单实用。另外，由于现有技术中也有使用具有凹槽的托盘来进行人工晶体的分离步骤的情况，并且凹槽的大小与人工晶体原材料片的大小相互匹配，为了能够继续使用现有的托盘，而将垫圈设置为与凹槽内壁接触的环状结构，以起到阻挡外延余料下落的作用，这样低成本的方案被认为是更优选的。

在本发明较优的技术方案中，人工晶体包括光学部与从光学部延伸的两个支承部，垫圈的内径大于两个支承部最外端的端点之间的距离、且小于人工晶体原材料的直径。

根据该较优技术方案，由于人工晶体包括光学部与从光学部延伸的两个支承部，人工晶体在植入眼内后需要在眼内固定以保证成像的稳定性，所以在光学部边缘设置有从光学部延伸的两个支承部，从而使得人工晶体后续植入眼内后可以更好地与眼内组织固定。垫圈的内径大于两个支承部最外端的端点之间的距离，从而使得垫圈可以容纳包含支撑部在内的整个人工晶体，确保人工晶体可以穿过垫圈，落入凹槽内；而垫圈的内径小于人工晶体原材料的直径，从而使得外延余料可以确保被垫圈所阻挡，提高了人工晶体与外延余料顺利分离工序的可靠性。

在本发明较优的技术方案中，垫圈为硅胶圈，硅胶圈以粘合的方式设置在凹槽周边。

根据该较优技术方案，垫圈的材质为硅胶，由于硅胶不会与人工晶体原材料粘黏，可以避免外延余料黏贴在垫圈上难以除下，而因此影响下一道工序的进行。同时，硅胶圈以粘合的方式设置在凹槽周边，这种硅胶圈的安装方式增强了本发明中提供的人工晶体的制造方法的通用性，只要在现有的托盘的凹槽部分，粘合一个硅胶圈即可，工艺简单实用。

根据本发明的较优技术方案，准备步骤S1还包括：模具以使人工晶体原材料向下、朝向设置在托盘上的凹槽的形式被放置在托盘上；

切割步骤S2还包括：在对人工晶体原材料进行切割前，将模具移动到切割腔室，并翻转模具使人工晶体原材料向上的步骤。

根据该较优的技术方案，模具以使人工晶体原材料向下、朝向设置在托盘上的凹槽的形式被放置在托盘上，如此，人工晶体原材料因为被模具覆盖而不与外部空气接触，降低了人工晶体原材料在被移动到切割腔室前被污染的可能性。

同时，切割步骤S2中的切割工艺，在特定的切割腔室中进行，不会因为切割步骤S2而产生的碎屑，影响到其他步骤例如准备步骤S1或人工晶体分离步骤S3进行时的环境，确保了整个人工晶体制造工艺流程符合要求。

在本发明较优的技术方案中，切割步骤S2还包括：在对人工晶体原材料进行切割时，将规定温度的冷空气吹送至切割腔室的步骤。

根据该较优的技术方案，将规定温度的冷空气吹送至切割腔室，可以降低人工晶体原材料的黏性，有利于切割的进行。特别优选的是将冷空气吹向切割刀的刀片所在的位置。因为高速切割时，刀片与人工晶体原材料接触会产生温度上升，而为避免温度升高带来的人工晶体原材料黏性升高，而将冷空气吹向刀片，以利于切割时的散热。在本发明较优的技术方案中，切割步骤S2还包括：在对人工晶体原材料进行切割时，采用抽真空系统抽取切割腔室内的切割碎渣。

根据该较优的技术方案，切割碎渣可以被抽真空系统即时处理，确保了切割后人工晶体不被污染。并且，由于切割的过程中温度较低，人工晶体原材料的黏性小，此时处理切割碎渣被认为是优选的。

在本发明较优的技术方案中，执行完毕切割步骤S2与开始执行模具按压步骤S3之间间隔的时间，不超过规定时间。

根据该较优的技术方案，切割步骤S2中，使人工晶体原材料片处于低温的环境下，故切割后的人工晶体与外延余料也将在一段时间内保持较低的温度，并且随着时间逐渐接近室温。由于人工晶体原材料在低温时的黏性较低，随着温度上升黏性增大，人工晶体与外延余料的粘黏程度增大，将不利于切割后的人工晶体与外延余料的分离。因此，在切割步骤S2后不超过规定时间内，人工晶体和外延余料温度还较低的时候，开始执行人工晶体分离步骤S3，被认为是优选的。

在本发明较优的技术方案中，规定时间小于30秒。

根据该较优的技术方案，人工晶体原材料在切割步骤S2完成后的30S之内的黏性变化不明显，因此在30S内尽快进行人工晶体分离步骤S3能进一步保证人工晶体与外延余料的高效分离。

本发明还提供了一种人工晶体，采用了以上任一技术方案的中的人工晶体的制造方法制造而成。

根据本发明提供的技术方案，因人工晶体的制造方法缩短了生产人工晶体所需的时间，提高了质量，并减少人力的投入，使得人工晶体的成本降低，生产效率提升。

附图说明

图1是本发明第一实施方式中提供的人工晶体的制造方法的流程示意图；

图2是本发明实施方式中提供的模具的结构示意图；

图3是本发明实施方式中提供的人工晶体及外延余料的结构示意图；

图4是本发明实施方式中提供的装有垫圈的托盘的主视图；

图5是本发明实施方式中提供的托盘的剖视图；

图6是本发明第二实施方式中提供的人工晶体的制造方法的流程示意图；

图7是本发明实施方式中提供的人工晶体与垫圈尺寸关系的示意图。

附图标记说明：

模具10，模具主体11，模具外沿部12，人工晶体20，外延余料30，托盘50，凹槽51，凹槽的外周区域A，托盘的表面B，垫圈60，光学部21，支承部22。

具体实施方式

下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非旨在限制本发明的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其做出调整，以便适应具体的应用场合。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

【第一实施方式】

参考图1，本实施方式中提供了一种人工晶体的制造方法，包括以下步骤：

准备步骤S1：提供注入人工晶体原材料的模具10；

切割步骤S2：对人工晶体原材料进行切割，形成人工晶体20和环绕人工晶体20的外延余料30；

人工晶体分离步骤S3：按压或敲击模具10背面中心部分，以使人工晶体20落在第一指定位置，外延余料30落在第二指定位置，其中，落在第一指定位置的人工晶体，与落在第二指定位置的外延余料之间不发生接触。

具体地，参考图2，人工晶体原材料在模具10中注塑成型，形成圆形人工晶体原材料片。参考图3，切割后，圆形人工晶体原材料片在中间形成人工晶体20。为了将中间的人工晶体20取出，并同时与外延余料30分离，操作人员对容纳有人工晶体20以及外延余料30的模具10的背面进行按压，或是使用小锤子等工具进行敲打。因为模具10背面中心部分受到按压或敲击，使模具10中的人工晶体20受力下落在第一指定位置。此时模具10中的外延余料30因为与人工晶体20有一定程度的粘黏，也有下落的趋势，但会落在不同于第一指定位置的第二指定位置。该第一指定位置和第二指定位置，满足落在第一指定位置的人工晶体20，与落在第二指定位置的外延余料30之间不发生接触的条件。

可以理解，人工晶体20和外延余料30在下落的过程中停留在了不同的位置上，最终实现两者的分离。例如，参考图4，可以是将托盘50上的凹槽51设置为较小于人工晶体原料片的尺寸大小，如此，外延余料30在下落时，将会停留在托盘50的表面，而人工晶体20会下落至凹槽51的底部。

切割的方式、按压或敲打的形式，本领域技术人员可以根据实际需求进行选择，只要在人工晶体分离步骤S3中，人工晶体20与外延余料30在下落的过程中停留在了不同的位置上，呈现上下分离的状态，即可实现高效地将成形的人工晶体20与外延余料30分离，降低破损率的技术效果。

【第二实施方式】

参考图6，本实施方式中提供的人工晶体的制造方法中，包括以下步骤：

准备步骤S1：提供注入人工晶体原材料的模具10，模具10以使人工晶体原材料向下、朝向设置在托盘50上的凹槽51的形式被放置在托盘50上；

切割步骤S2：将模具10移动到切割腔室，并翻转所述模具使人工晶体原材料向上，对人工晶体原材料进行切割。在切割时，将规定温度的冷空气吹送至切割腔室，并采用抽真空系统抽取切割腔室内的切割碎渣。切割完成后，人工晶体原材料形成人工晶体20和环绕人工晶体20的外延余料30。

其中，人工晶体20包括光学部21与从光学部21延伸的两个支承部22。

模具按压步骤S21：按压模具10背面中心部分，使模具10背面发生弯曲。

人工晶体分离步骤S3：按压或敲击模具10背面中心部分，以使人工晶体20落入设置在托盘50上的凹槽51内，外延余料30落在设置在凹槽51周边的垫圈60上，从而人工晶体20与外延余料30不发生接触，其中垫圈60为硅胶圈，垫圈60以粘合的方式设置在凹槽51周边。

其中，垫圈60的内径大于两个支承部22最外端的端点之间的距离、且小于人工晶体原材料的直径。

进一步，执行完毕切割步骤S2后30S内，依次执行模具按压步骤S21和人工晶体分离步骤S3。

接下来，将对本实施方式中的每一步骤进行详细说明。

准备步骤S1中，参考图2，人工晶体原材料在模具主体11内注塑成型，形成圆形人工晶体原材料片。此外，模具10还包括模具主体11周围的模具外沿部12。参考图4中模具10的主视图以及图5中模具10的剖视图，当模具10倒扣在托盘50上时，位于模具主体11内的圆形人工晶体原材料片面向托盘50上的凹槽51，模具外沿部12位于凹槽51的外周区域A，由于凹槽51的外周区域A与托盘50的表面B具有高度差，放置在托盘50上的模具10因此被限位在凹槽的外周区域A内。

参考图4,托盘50上排列设置有多个圆盘状的凹槽51，在准备步骤S1中，将多个注入有人工晶体原材料的模具10依次倒扣放在托盘50上的圆盘状凹槽51内，以避免人工晶体原材料与外部空气接触而被污染。

虽然本实施方式中，是通过凹槽51的外周区域A与托盘50的表面B具有高度差与模具外沿部12的配合来限制固定模具10在托盘50上所在的位置。但在另一些实施方式中，也可以是通过在托盘50表面环绕凹槽51设置几个限位块来实现同样的目的。

切割步骤S2中，将承载有多个注入有人工晶体原材料的模具10的托盘50放入机械臂的工作范围内。机械臂将从托盘50上抓取一个注入有人工晶体原材料的模具10，并将其移动到切割腔室。机械臂翻转模具10，使人工晶体原材料向上，切割刀对人工晶体原材料进行切割。在切割时，将-30℃的冷空气吹送向切割刀所在的位置，以降低人工晶体原材料的黏度，同时避免高速切割时带来的高温改变人工晶体原材料的物化性质。切割时，采用抽真空系统抽取切割腔室内的切割碎渣，由于切割的过程中温度较低，人工晶体原材料的黏性小，切割碎渣更容易被处理。参考图3，切割完成后，人工晶体原材料形成人工晶体20和环绕人工晶体20的外延余料30。

参考图7，人工晶体20包括光学部21与从光学部21延伸的两个支承部22，光学部21在植入眼内后需要在眼内固定以保证成像的稳定性，所以在其边缘设置从光学部21延伸的两个支承部22，从而使得人工晶体20后续植入眼内后可以更好地与眼内组织固定。

模具按压步骤S21中，机械臂抓取切割完毕后的、容纳有人工晶体20和外延余料30的模具10，并将其翻转后移至按压位置。参考图2，对模具主体11的背面施加向下的力，对模具外沿部12的两端施加向上的力，以此使模具10发生指定程度的弯曲,从而位于模具10内的人工晶体20及外延余料30也随着模具10的形变而具有相似的弯曲弧度，促进人工晶体20和外延余料30分离。最后，将容纳有人工晶体20和外延余料30的模具10放回托盘50，其切割前所处的位置上。

另外，可以是使人工晶体20和外延余料30向下的形式，即人工晶体20和外延余料30朝向托盘50方向放置模具10，并对模具10执行模具按压步骤S21，但也可以是使人工晶体20和外延余料30向上的形式放置模具10并执行模具按压步骤S21，并无特别限制。后者只要在执行完毕模具按压步骤S21后，将模具10翻转使得人工晶体20和外延余料30朝向托盘50的方向即可。

人工晶体分离步骤S3中，容纳有人工晶体20和外延余料30的模具10倒扣放置在托盘50上。使用小锤子击打模具10背面的中心部分，或是向下按压模具10背面中心部分，模具10中的人工晶体20受力下落至设置在托盘50上的凹槽51内。模具10中的外延余料30因为与人工晶体20有一定程度的粘黏，也有下落的趋势，但是鉴于凹槽51周边垫圈60的阻挡，外延余料30未能与人工晶体20一同下落，而是停留在垫圈60之上。参考图7，其中，垫圈60的内径大于两个支承部22最外端的端点之间的距离L、且小于圆形人工晶体原材料片的直径(圆形人工晶体原材料片的直径相当于模具主体11的直径)。如此，垫圈60的内径不会太小，以至于将人工晶体20也阻挡在垫圈60之上；垫圈60的内径也不会太大，以至于无法起到阻挡外延余料30的作用，使外延余料30与人工晶体20一同穿过垫圈60落入凹槽51内。

其中，垫圈60的材质选用硅胶，由于硅胶不会与人工晶体原材料粘黏，可以避免外延余料30黏贴在垫圈60上难以除下，而因此影响下一道工序的进行。当然，除了硅胶外，其它不会与人工晶体原材料粘黏的材质均可以用于制造垫圈60。

硅胶圈以粘合的方式设置在凹槽51周边，这种硅胶圈的安装方式增强了本实施方式中提供的人工晶体的制造方法的通用性，只要在现有的托盘50上粘合一个硅胶圈即可。

可以理解，在执行人工晶体分离步骤S3时，距离切割步骤S2仅仅只有30S不到的时间，此时人工晶体20与外延余料30的温度较低，两者之间的黏性较小，按压或敲击力度配合垫圈60的介入，足以抵抗人工晶体20与外延余料30之间的黏性，而实现将两者分离。加之，为了确保本实施方式中人工晶体制造方法的可靠性，还增加了按压步骤S21，以使模具10在被放回托盘50前，就因为经历过一次弯曲而有一定程度的分离。

本实施方式还提供了一种人工晶体20，采用了本实施方式提供的人工晶体的制造方法制造而成。因人工晶体的制造方法缩短了生产人工晶体所需的时间，减少人力的投入，使得人工晶体20的成本降低，产量升高，更具市场竞争力。

以下操作性对比实验可以用于说明本实施方式中的人工晶体制造方法所带来的技术效果。

实验过程：准备20件注入人工晶体原材料的模具10，并对其执行切割步骤S2。将切割后、容纳有人工晶体20和外延余料30的20件模具中的10件放入装有垫圈60的凹槽51中，将另外10件放入未装有垫圈60的凹槽51中。进行同样的敲击动作后，比对两者在人工晶体分离步骤S3上的所使用的时间差异。

实验结果：在装有垫圈60的凹槽51中，人工晶体20和外延余料30已分离，整个人工晶体分离步骤S3用时平均为5秒。在未装有垫圈60的凹槽51中，人工晶体20和外延余料30粘黏，需要手动使用镊子将外延余料30与人工晶体20拉扯分离，且10件中出现了1件人工晶体20被拉扯损坏的情况，整个人工晶体分离步骤S3用时平均为12秒。

实验结论：在人工晶体分离步骤S3中借助装有垫圈60的凹槽51，可以将人工晶体分离步骤S3的用时缩短大约7秒，同时也提高了人工晶体20的成品率。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。本领域技术人员可以在本申请的教导下对上述实施方式做出各种变型和改变，而不脱离本申请的范围。

(a)例如，虽然实施方式中仅描写了使人工晶体和外延余料向下的形式，对模具执行模具按压步骤S21，但也可以是使人工晶体和外延余料向上的形式放置模具并执行模具按压步骤S21，并无特别限制。

(b)例如，虽然实施方式中模具的结构如图2所示，包括模具主体11和模具外沿部12，但其他的结构的模具也可以实现本发明的技术方案，比如将外沿部12替换为主体两侧的凸耳等。

(c)例如，虽然实施方式中的托盘结构如图4所示，但用于限位模具的A区域并非必要的。

(d)例如，虽然实施方式中的凹槽是圆形的，但方形的凹槽也是可以实现本发明的技术效果的，并无特别限制。

(e)例如，虽然实施方式中人工晶体原材料在模具10中注塑成型，形成圆形人工晶体原材料片,但人工晶体原材料片的形状并没有特别的要求，只要可以在原材料片上切割出需要的人工晶体即可。

Claims (11)

1.一种人工晶体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

准备步骤S1：提供注入人工晶体原材料的模具；

切割步骤S2：对所述人工晶体原材料进行切割，形成人工晶体和环绕所述人工晶体的外延余料；

人工晶体分离步骤S3：按压或敲击所述模具背面中心部分，以使所述人工晶体落在第一指定位置，所述外延余料落在第二指定位置，其中，落在所述第一指定位置的所述人工晶体，与落在所述第二指定位置的所述外延余料之间不发生接触。

2.根据权利要求1所述的人工晶体的制造方法，其特征在于，在所述切割步骤S2执行完毕后，还包括模具按压步骤S21，

所述模具按压步骤S21：按压所述模具背面中心部分，使所述模具背面发生弯曲。

3.根据权利要求1或2所述人工晶体的制造方法，其特征在于，所述第一指定位置是设置在托盘上的凹槽，所述第二指定位置是设置在所述凹槽周边的垫圈。

4.根据权利要求3所述的人工晶体的制造方法，其特征在于，所述人工晶体包括光学部与从所述光学部延伸的两个支承部，所述垫圈的内径大于两个所述支承部最外端的端点之间的距离、且小于所述人工晶体原材料的直径。

5.根据权利要求4所述的人工晶体的制造方法，其特征在于，所述垫圈为硅胶圈，所述硅胶圈以粘合的方式设置在所述凹槽周边。

6.根据权利要求3所述的人工晶体的制造方法，其特征在于，

所述准备步骤S1还包括：所述模具以使所述人工晶体原材料向下、朝向设置在所述托盘上的凹槽的形式被放置在所述托盘上；

切割步骤S2还包括：在对所述人工晶体原材料进行切割前，将所述模具移动到切割腔室，并翻转所述模具使所述人工晶体原材料向上的步骤。

7.根据权利要求6所述的人工晶体的制造方法，其特征在于，切割步骤S2还包括：在对所述人工晶体原材料进行切割时，将规定温度的冷空气吹送至所述切割腔室的步骤。

8.据权利要求6或7所述的人工晶体的制造方法，其特征在于，切割步骤S2还包括：在对所述人工晶体原材料进行切割时，采用抽真空系统抽取所述切割腔室内的切割碎渣。

9.根据权利要求8所述的人工晶体的制造方法，其特征在于，执行完毕所述切割步骤S2与开始执行所述人工晶体分离步骤S3之间间隔的时间，不超过规定时间。

10.根据权利要求9所述的人工晶体的制造方法，其特征在于，所述规定时间小于30秒。

11.一种人工晶体，其特征在于，采用了权利要求1-10中任一权利要求所述的人工晶体的制造方法制造而成。