CN116762173A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116762173A
CN116762173A CN202180003464.6A CN202180003464A CN116762173A CN 116762173 A CN116762173 A CN 116762173A CN 202180003464 A CN202180003464 A CN 202180003464A CN 116762173 A CN116762173 A CN 116762173A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
light
emitting diode
micro
micro light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180003464.6A
Other languages
English (en)
Inventor
王维
陈小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN116762173A publication Critical patent/CN116762173A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

一种显示面板和显示装置,衬底基板(11)包括:多个发光器件组(20)、多个出光部组(70)和多个光学结构单元(60),多个发光器件组(20)设置在衬底基板(11)上,多个发光器件组(20)中的每个包括多个微发光二级管(21),多个微发光二级管(21)包括第一微发光二级管(21r)和第二微发光二级管(21g),第一微发光二级管(21r)和第二微发光二级管(21g)均用于发射预设颜色的光;多个出光部组(70)中的每个包括多个出光部(71),多个出光部(71)包括第一色转换部(71r)和第二色转换部(71g);多个光学结构单元(60)中的每个用于将第一微发光二级管(21r)发射的光射入第一色转换部(71r),将第二微发光二级管(21g)所发射的光射入第二色转换部(71g),第一色转换部(71r)用于将预设颜色的光转换为第一颜色光,第二色转换部(71g)用于将预设颜色的光转换为第二颜色光。

Description

显示面板和显示装置 技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
微发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)显示技术由于其高色域、高对比度、高响应速度的优势,被视为未来显示发展中极具潜力的方向。
发明内容
本公开提出了一种显示面板和显示装置。
本公开提供一种显示面板,包括:多个发光器件组、多个出光部组和多个光学结构单元,其中,
所述多个发光器件组设置在衬底基板上,所述多个发光器件组中的每个包括多个微发光二级管,所述多个微发光二级管包括第一微发光二级管和第二微发光二级管,所述第一微发光二级管和所述第二微发光二级管均用于发射预设颜色的光;
所述多个出光部组设置在所述多个发光器件组的出光侧,所述多个出光部组中的每个包括多个出光部,所述多个出光部包括第一色转换部和第二色转换部;
所述多个光学结构单元设置在所述多个发光器件组和所述多个出光部组之间,所述多个光学结构单元中的每个在所述衬底基板上的正投影覆盖所述多个发光器件组中的至少一个在所述衬底基板上的正投影,所述多个光学结构组中的每个用于将所述第一微发光二级管发射的光射入所述第一色转换部,将所述第二微发光二级管所发射的光射入所述第二色转换部,所述第一色转换部用于将所述预设颜色的光转换为第一颜色光,所述第二色转换部用于将所述预设颜色的光转换为第二颜色光。
在一些实施例中,所述第一颜色光与所述第二颜色光的波长范围不同。
在一些实施例中,所述发光器件组中的多个发光器件还包括:第三微发光二极管,所述第三微发光二极管用于发射所述预设颜色的光,
所述出光部组中的多个出光部还包括透光部,所述多个光学结构单元中的每个在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述第三微发光二极管在所述衬底基板上的正投影,
所述多个发光结构单元中的每个还用于将所述第三微发光二极管发射的光射入所述透光部。
在一些实施例中,所述预设颜色的光为蓝光,所述第一颜色光为红光,所述第二颜色光为绿光。
在一些实施例中,所述发光器件组中的多个发光器件还包括:第三微发光二极管,所述第三微发光二极管用于发射所述预设颜色的光,
所述出光部组中的多个出光部还包括第三色转换部,所述多个光学结构单元中的每个在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述第三微发光二极管在所述衬底基板上的正投影,
所述多个光学结构单元中的每个还用于将所述第三微发光二极管发射的光射入所述第三色转换部,所述第三色转换部用于将所述预设颜色的光转换为第三颜色光。
在一些实施例中,所述预设颜色的光为紫外光,所述第一颜色光为红光,所述第二颜色光为绿光,所述第三颜色光为蓝光;
或者,所述预设颜色的光为第一波长的蓝光,所述第一颜色光为红光,所述第二颜色光为绿光,所述第三颜色光为第二波长的蓝光,所述第一波长小于所述第二波长。
在一些实施例中,所述显示面板还包括与所述发光器件组一一对应的透光载体,不同所述发光器件组所对应的透光载体间隔设置;
所述透光载体朝向所述衬底基板的一侧设置有阻隔层,所述阻隔层上 设置有多个容纳开口,所述发光器件组中的微发光二极管一一对应地设置在所述容纳开口中。
在一些实施例中,任意相邻两个所述透光载体之间设置有遮光层。
在一些实施例中,所述微发光二极管包括:
第一电极,位于所述透光载体朝向所述衬底基板的一侧;
发光叠层,位于所述第一电极远离所述透光载体的一侧,所述发光叠层包括沿远离所述透光载体的方向依次设置的:第一类型掺杂半导体层、量子阱层和第二类型掺杂半导体层;
第二电极,位于所述发光叠层远离所述透光载体的一侧。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
封装层,位于所述多个发光器件组远离所述衬底基板的一侧;
填充层,位于所述封装层与所述多个光学结构单元之间;
隔垫基板,位于所述多个光学结构单元与所述多个出光部组之间;
其中,所述光学结构单元的折射率大于所述填充层的折射率,所述光学结构单元朝向所述填充层的表面为凸曲面,所述光学结构的凸曲面与所述填充层贴合。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
封装层,位于所述多个发光器件组远离所述衬底基板的一侧,所述光学结构单元设置在所述封装层远离所述衬底基板的表面上;
隔垫基板,位于所述多个光学结构单元与所述多个出光部组之间,所述隔垫基板上设置有与所述光学结构单元一一对应的凹陷;
其中,所述光学结构单元朝向所述隔垫基板的表面为凸曲面,所述光学结构的凸曲面与所述凹陷贴合,所述光学结构单元的折射率大于所述隔垫基板的折射率。
在一些实施例中,所述光学结构单元采用聚光透镜,所述多个微发光二极管到所述光学结构单元之间的距离为所述聚光透镜的焦距的1~2倍。
在一些实施例中,所述第一色转换部在所述衬底基板上的正投影面积大于所述第一微发光二极管在所述衬底基板上的正投影的面积;
所述第二色转换部在所述衬底基板上的正投影面积大于所述第二微发光二极管在所述衬底基板上的正投影的面积。
在一些实施例中,所述第一色转换部和所述第二色转换部的材料均包括量子点材料或荧光粉材料。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:容纳结构层,所述容纳结构层具有多个容纳槽,所述出光部一一对应地设置在所述容纳槽中。
在一些实施例中,每个所述出光部组中的多个出光部沿第一方向依次排列,每个所述发光器件组中的多个微发光二极管沿所述第一方向依次排列;
其中,对于任一所述发光器件组,第i个所述微发光二极管所发射的光线经过所述光学结构单元后,射向相应的出光部组中的第m-i+1个出光部,m为所述出光部组中的出光部的数量,i为整数,且1≤i≤m。
在一些实施例中,所述发光器件组中的多个微发光二极管划分为至少一个重复单元,每个重复单元包括沿第一方向依次排列的:所述第三微发光二极管、所述第二微发光二极管和所述第一微发光二极管。
在一些实施例中,每个所述出光部组中的多个出光部划分为沿第二方向排列的n个第一重复单元,每个所述第一重复单元包括沿第一方向排列的c个所述出光部;每个所述发光器件组中的多个微发光二极管划分为沿所述第二方向排列的n个第二重复单元,每个所述第二重复单元包括沿所述第一方向排列的c个所述微发光二极管;其中,所述第一方向与所述第二方向交叉;
对于任一所述发光器件组,第j个第二重复单元中的第q个微发光二极管所发射的光线经过所述光学结构单元后,射向相应的出光部组中第n-j+1个第一重复单元中的第c-q+1个出光部,n、c均为大于1的整数,q、j均 为整数,且1≤q≤c,1≤j≤n。
在一些实施例中,在每个所述发光器件组中,所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第三微发光二极管、第二微发光二极管、第一微发光二极管、第三微发光二极管、第二微发光二极管、第一微发光二极管;或者,
在每个所述发光器件组中,部分所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管、第一微发光二极管、第三微发光二极管,其余的所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第三微发光二极管、第二微发光二极管、第一微发光二极管;或者,
在每个所述发光器件组中,部分所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管、第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管;其余的所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管、第三微发光二极管、第二微发光二极管和第一微发光二极管。
本公开实施例还提供一种显示装置,其中,包括上述显示面板。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本公开,但并不构成对本公开的限制。在附图中:
图1为本公开的一些实施例中提供的显示面板的平面图。
图2为本公开的一些实施例中提供的沿图1中A-A’线的剖视图。
图3为本公开的一些实施例中提供的发光器件组的结构示意图。
图4为透镜成像原理的示意图。
图5为本公开的一些实施例中提供的发光器件组发射的光线照射至出光部组的示意图。
图6为本公开的另一些实施例中提供的沿图1中A-A’线的剖视图。
图7为本公开的再一些实施例中提供的沿图1中A-A’线的剖视图。
图8为本公开的一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之一。
图9为本公开的一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之二。
图10为本公开的另一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之一。
图11为本公开的另一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之二。
图12为本公开的另一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之三。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开,并不用于限制本公开。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
这里用于描述本公开的实施例的术语并非旨在限制和/或限定本公开的范围。例如,除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。应该理解的是,本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任 何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则所述相对位置关系也可能相应地改变。
在下面的描述中,当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到所述另一元件或层,或者可以存在中间元件或中间层。然而,当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层时,不存在中间元件或中间层。术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
在一些示例中,显示面板包括设置在基底上的多个微发光二极管,多个微发光二极管包括红色微发光二极管、绿色微发光二极管和蓝色微发光二极管。但是,三种微发光二极管的电光转换效率不一致,难以实现白平衡,如果要实现白平衡,则需要增大红色微发光二极管的驱动电流,从而增大功耗。并且,红色微发光二极管的成本更高,三种颜色的微发光二极管混合打件工艺复杂,且比单色微发光二极管的打件良率低,尤其是当微发光二极管的尺寸减小后,微发光二极管的打件良率进一步下降。
图1为本公开的一些实施例中提供的显示面板的平面图,图2为本公开的一些实施例中提供的沿图1中A-A’线的剖视图,如图1所示,显示面板包括:衬底基板11、多个发光器件组20、多个出光部组和 多个光学结构单元。
衬底基板11可以为玻璃衬底,也可以为诸如聚酰亚胺(PI)等柔性材料制作的柔性基底,从而有利于实现柔性显示。
发光器件组20设置在衬底基板11上,每个发光器件组20包括多个微发光二极管21,微发光二极管21用于发射预设颜色的光线。其中,每个发光器件组20中的多个微发光二极管21可以包括第一微发光二极管21r和第二微发光二极管21g。衬底基板11上还可以设置有驱动结构层,该驱动结构层用于为每个微发光二极管21提供驱动信号,以驱动每个微发光二极管21发光。
多个出光部组70设置在发光器件组20的出光侧,每个出光部组70包括多个出光部71,每个出光部组70中的多个出光部71包括第一色转换部71r和第二色转换部71g。第一色转换部71r用于在接收到预设颜色的光线时,将预设颜色的光转换为第一颜色光;第二色转换部71g用于在接收到预设颜色的光时,将预设颜色的光转换为第二颜色光。
多个光学结构单元60设置在多个发光器件组20与多个出光部组70之间,每个光学结构单元60在衬底基板11上的正投影覆盖至少一个发光器件组20在衬底基板11上的正投影,不同的光学结构单元60在衬底基板11上的正投影无重叠。每个光学结构单元60用于将第一微发光二级管21r所发射的光线射入第一色转换部71r,从而使第一色转换部71r将预设颜色的光转换为第一颜色光;并将第二微发光二级管21g所发射的光线射入第二色转换部71g,从而使第二色转换部71g将预设颜色的光转换为第二颜色光。
在本公开实施例中,发光器件组20中的每个发光器件发射预设颜色的光线,发光器件组20与多个出光部组70之间设置有光学结构单元60,第一微发光二极管21r所发射的光线经过光学结构单元60后,可以照射至第一色转换部71r,第二微发光二极管21g所发射的光线经过光学结 构单元60后,可以照射至第二色转换部71g。由于每个发光器件的发光颜色相同,因此,各发光器件的电光转换效率一致,从而可以在不增加功耗的情况下实现白平衡。并且,与采用多种颜色的微发光二极管相比,本公开实施例中的发光器件组20可以采用单色的微发光二极管21,从而简化制作工艺,并提高产品良率。
在一些实施例中,第一颜色光和第二颜色光的波长范围可以不同。例如,第一颜色光为红光,第二颜色光为绿光。
在一些实施例中,如图2所示,发光器件组20中的多个发光器件除了包括第一微发光二极管21r、第二微发光二极管21g之外,还可以包括:第三微发光二极管21b,第三微发光二极管21b用于发射预设颜色的光。每个出光部组70还包括透光部71t,每个光学结构单元在衬底基板11上的正投影还覆盖第三微发光二极管21b在衬底基板11上的正投影,每个发光结构单元还用于将第三微发光二极管21b发射的光线射入透光部71t。其中,预设颜色的光可以为蓝光,第一颜色光可以为红光,第二颜色光可以为绿光。此时,第一色转换部71r接收到第一微发光二极管21r发射的蓝光后,发出红光;第二色转换部71g接收到第二微发光二极管21g发射的蓝光后,发出绿光;透光部71t不改变其接收到的光线颜色。
其中,第一色转换部71r和第二色转换部71g的材料均包括量子点材料,例如,例如,第一色转换部71r的材料包括红色量子点材料,第二色转换部71g的材料包括绿色量子点材料,透光部71t的材料包括散射粒子材料。红色量子点材料用于在预设颜色的光的激发下发射红光;绿色量子点材料用于在预设颜色的光的激发下发射绿光。其中,红色量子点材料和绿色量子点材料均可以为磷化铟(InP)、氧化锌(ZnO)、石墨烯、硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、碲化镉(CdTe)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)或硫化锌(ZnS)中的至少一种。其中,可 以通过控制量子点材料的粒径来控制量子点材料的发光颜色。透光部71t的材料包括散射粒子材料,从而对接收到的蓝光进行散射。
另外,第一色转换部71r和第二色转换部71g中也可以掺杂有散射粒子,从而提高第一色转换部71r和第二色转换部71g的出射角度。
当然,第一色转换部71r和第二色转换部71g中也可以采用荧光粉材料。
如图2所示,显示面板还包括与发光器件组20一一对应的透光载体22,该透光载体22可以为蓝宝石衬底。不同发光器件组20所对应的透光载体22间隔设置。同一个发光器件组20中的多个微发光二极管21设置在同一个透光载体22上。其中,微发光二极管21可以通过转移、固晶等工艺固定在衬底基板11的驱动结构层上,将同一个发光器件组20中的多个微发光二极管21设置在同一个透光载体22上,可以提高转移效率和良率。
图3为本公开的一些实施例中提供的发光器件组的结构示意图,结合图2和图3所示,透光载体22朝向衬底基板11的一侧设置有阻隔层23,阻隔层23上设置有多个容纳开口,阻隔层23上的容纳开口与相应的发光器件组20中的微发光二极管21一一对应,每个微发光二极管21设置在相应的容纳开口中。其中,阻隔层23的绝缘材料可以包括诸如树脂、光致抗蚀剂材料、氧化硅和氮化硅的透明绝缘材料。沿靠近透光载体22的方向,容纳开口的横截面积可以逐渐增大。需要说明的是,图3中是以发光器件组20包括三个微发光二极管21为例进行示意的,实际上,发光器件组20可以包括其他数量的微发光二极管21。
如图3所示,每个微发光二极管21包括:第一电极211、发光叠层213和第二电极212。其中,第一电极211位于透光载体22朝向衬底基板11的一侧。发光叠层213位于第一电极211远离透光载体22的一侧。第二电极212位于发光叠层213远离透光载体22的一侧。发光叠层213 包括沿远离透光载体22依次设置的第一类型掺杂半导体层213a、量子阱层213c和第二类型掺杂半导体层213b。在一些示例中,第一类型掺杂半导体层213a可以为N型掺杂半导体材料,例如N-GaN;第二类型掺杂半导体层213b可以为P型掺杂半导体材料,例如为p-GaN。第一电极211的材料可以与第一类型掺杂半导体层213a的材料相同。
可选地,第一电极211和第一类型掺杂半导体层213a的厚度之和可以在1~3μm之间,量子阱层的厚度可以在0.2~0.5μm之间,第二类型掺杂半导体层213b的厚度可以在0.05~0.3μm之间。
可选地,同一个发光器件组20中的多个微发光二极管21的第一电极211可以连接为一体结构,不同的微发光二极管21的第二电极212相互绝缘。连接为一体的第一电极211可以通过引线25与驱动结构层连接,每个第二电极212可以与驱动结构层连接,驱动结构层可以为每个微发光二极管21的第一电极211提供第一信号,并为每个微发光二极管21的第二电极212提供第二信号,从而驱动多个微发光二极管21发光。
如图3所示,透光载体22与微发光二极管21之间可以设置有缓冲层24,从而可以避免直接在透光载体22上外延生长微发光二极管21各膜层出现的晶格失配的问题。
继续参阅图2,任一相邻两个发光器件组20对应的透光载体22之间设置有遮光层30,用于防止不同发光器件组20的光线发生串扰。遮光层30可以采用黑色吸光材料制成。
显示面板还包括:封装层40、填充层81。其中,封装层40位于多个发光器件组20远离衬底基板11的一侧,用于对多个发光器件组20进行封装。多个光学结构单元60位于封装层40远离衬底基板11的一侧,填充层81位于多个光学结构单元60与封装层40之间。在一些实施例中,光学结构单元60采用聚光透镜,光学结构单元60朝向填充层81的表面为凸曲面,光学结构单元60的凸曲面与填充层81贴合。在这种情况下, 光学结构单元60的折射率需要大于填充层81的折射率。
显示面板还包括:隔垫基板50,隔垫基板50位于多个光学结构单元60与多个出光部组70之间。隔垫基板50可以为玻璃基板,也可以为树脂材料制成的柔性基板。隔垫基板50的设置,使出光部组70与发光器件组20具有一定间距,防止不同的出光部71之间发生串扰,并且可以防止微发光二极管21产生的热量影响出光部71的寿命。其中,光学结构单元60可以与隔垫基板50形成为一体结构。例如,隔垫基板50采用树脂材料制成,可以通过热压、注塑、或光刻等工艺形成光学结构单元60。
需要说明的是,本公开实施例是以光学结构单元60为单曲面的聚光透镜为例进行说明的,当然,光学结构单元60也可以采用双曲面的聚光透镜,或者采用设置在隔垫基板50上的衍射透镜、超表面透镜等光学结构。
隔垫基板50远离衬底基板11的一侧设置有容纳结构层72,容纳结构层72具有多个容纳槽,出光部71一一对应地设置在容纳槽中。容纳结构层72采用不透光材料制成。容纳结构层72远离衬底基板11的一侧还可以设置有保护层80,用于对出光部71进行保护。保护层80可以为玻璃层,也可以为采用树脂材料制成的柔性膜层。
在一些实施例中,光学结构单元60采用聚光透镜。例如凸透镜。图4为透镜成像原理的示意图,如图4所示,标记F为凸透镜91的焦点位置,标记2F为凸透镜91的两倍焦距处。当光源90处于凸透镜91的一侧,并处于凸透镜91的1倍焦距至2倍焦距之间时,可以在凸透镜91的另一侧呈倒立的像。因此,为了使每个第一微发光二极管21r的光线能够照射至第一色转换部71r,第二微发光二极管21g的光线能够照射至第二色转换部71g,在本公开的一些实施例中,光学结构单元60采用聚光透镜,多个微发光二极管21到光学结构单元60之间的距离为聚光 透镜的焦距的1~2倍。
图5为本公开的一些实施例中提供的发光器件组发射的光线照射至出光部组的示意图,如图5所示,当微发光二极管21与光学结构单元60之间的介质、光学结构单元与出光部组70之间的介质为空气层时,微发光二极管21与光学结构单元60之间的距离Lo、光学结构单元60与出光部组70之间的距离Li满足透镜成像公式:1/Lo+1/Li=1/f,聚光透镜的放大倍率M=p’/p=Li/Lo。其中,f为聚光透镜的焦距,第一色转换部71r、第二色转换部71g、透光部71t的尺寸均为p’,微发光二极管的尺寸为p。在实际应用中,可以根据所需要的分辨率,确定p’,当p’确定后,可以根据p、f、聚光透镜的放大倍率公式、透镜成像公式,来确定微发光二极管21与聚光透镜之间的等效空气距离、聚光透镜与出光部组70之间的等效空气距离。
需要说明的是,等效空气距离是指,两个结构之间的介质为空气时,该两个结构之间的距离。由于上述透镜成像公式、聚光透镜的放大倍率公式,均是在解介质为空气的情况下成立的,而在显示面板中,聚光透镜与微发光二极管21之间、聚光透镜与出光部组70之间的介质均不是空气,因此,根据上述公式确定出等效空气距离后,需要根据等效空气距离、以及聚光透镜与微发光二极管21之间的介质的折射率、聚光透镜与出光部组70之间的介质的折射率,来确定各介质层的厚度。
在本公开的一些实施例中,光学结构单元60为放大倍率大于1的聚光透镜,此时,第一色转换部71r在衬底基板11上的正投影面积大于第一微发光二极管21r在衬底基板11上的正投影的面积;第二色转换部71g在衬底基板11上的正投影面积大于第二微发光二极管21g在衬底基板11上的正投影的面积;透光部71t在衬底基板11上的正投影面积大于第二微发光二极管21g在衬底基板11上的正投影面积。
在一个示例中,聚光透镜的放大倍率在大于1且小于5之间。
图6为本公开的另一些实施例中提供的沿图1中A-A’线的剖视图,图6中所示的显示面板与图2中所示的显示面板类似,区别仅在于,在图6中的显示面板中,每个出光部组70不再包括透光部71t,而是包括第三色转换部71b,此时,每个光学结构单元60还用于将所述第三微发光二极管21b发射的光线射入所述第三色转换部71b,所述第三色转换部71b用于将预设颜色的光转换为第三颜色光。
这种情况下,预设颜色的光可以为紫外光,第一颜色光可以为红光,所述第二颜色光可以为绿光,第三颜色光可以为蓝光。或者,预设颜色的光可以为第一波长的蓝光,第一颜色光可以为红光,所述第二颜色光可以为绿光,第三颜色光可以为第二波长的蓝光,第一波长小于第二波长。其中,第三色转换部71b可以采用量子点材料或荧光粉材料。
需要说明的是,在图2和图6中,均是以光学结构单元60包括聚光透镜,且聚光透镜朝向衬底基板11为例进行说明的,在其他实施例中,也可以使得聚光透镜的凸曲面朝向隔垫基板50。图7为本公开的再一些实施例中提供的沿图1中A-A’线的剖视图,图7中的显示面板与图2中的显示面板的区别仅在于,在图7中,隔垫基板50上设置有与光学结构单元60一一对应的凹陷,光学结构单元60的平面可以与封装层40贴合,光学结构单元60的凸曲面与凹陷相贴合,光学结构单元60的折射率大于隔垫基板50的折射率。
图8为本公开的一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之一,图9为本公开的一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之二。如图8和图9所示,多个光学器件组20排成多行多列,每个光学器件组20中的多个微发光二极管21沿第一方向依次排列。相应地,多个出光部组70排成多行多列,每个出光部组70中的多个出光部71沿第一方向依次排列。出光部组70与光学器件组20一一对应,每个光学结构单元60在衬底基板11上的正投影覆盖一个光学器件 组20在衬底基板11上的正投影。例如,光学结构单元60在衬底基板11上的正投影可以与图9中的虚线框重合,或者,与虚线框相切。其中,对于任一所述发光器件组20,第i个微发光二极管21所发射的光线经过光学结构单元60后,射向相应的出光部组70中的第m-i+1个出光部,m为出光部组70的出光部71的数量,i为整数,且1≤i≤m。需要说明的是,“第i个”是指沿第一方向排列的第i个。
例如,在图8中,以(a)图中左上角的出光部组70和(b)图中左上角的发光器件组20为例;在图9中,以(a)图中左上角的出光部组70和(b)图中左上角的发光器件组20为例标有字母标记的任一微发光二极管21所发射的光经过聚光透镜后,射向标有相同字母标记的出光部71。其中,如图8和图9所示,发光器件组20中的多个微发光二极管21划分为至少一个重复单元70a,每个重复单元70a包括沿第一方向依次排列的:第一微发光二极管21r、第二微发光二极管21g和第三微发光二极管21b。
例如,如图8所示,发光器件组20中的多个微发光二极管21构成一个重复单元70a,具体包括:第三微发光二极管21b、第二微发光二极管21g和第一微发光二极管21r。又例如,如图9所示,发光器件组20中的多个微发光二极管21构成两个重复单元70a,具体包括沿第一方向排列的:第三微发光二极管21b、第二微发光二极管21g、第一微发光二极管21r、第三微发光二极管21b、第二微发光二极管21g和第一微发光二极管21r。在图8和图9中,每个微发光二极管21在衬底基板11上的正投影面积可以相同。
图10为本公开的另一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之一,图11为本公开的另一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之二,图12为本公开的另一些实施例中提供的发光器件组和出光部组的分布示意图之三。如图10至图12所示,多个光 学器件组20排成多行多列,相应地,多个出光部组70排成多行多列,出光部组70与光学器件组20一一对应,每个光学结构单元60在衬底基板11上的正投影覆盖一个光学器件组20在衬底基板11上的正投影。例如,当采用图10的排布方式时,光学结构单元60在衬底基板11上的正投影可以与图10的(b)图中的虚线框重合,或者,与虚线框相切;当采用图11的排布方式时,光学结构单元60在衬底基板11上的正投影可以与图11的(b)图中的虚线框重合,或者,与虚线框相切;当采用图12的排布方式时,光学结构单元60在衬底基板11上的正投影可以与图12的(b)图中的虚线框重合,或者,与虚线框相切。
其中,每个出光部组70中的多个出光部71划分为沿第二方向排列的n个第一重复单元701,每个第一重复单元701包括沿第一方向排列的c个出光部;每个发光器件组20中的多个微发光二极管21划分为沿所述第二方向排列的n个第二重复单元201,每个第二重复单元201包括沿第一方向排列的c个微发光二极21管;其中,所述第一方向与所述第二方向交叉。n、c均为大于1的整数。图10至图12中均是以n=2为例进行说明的。
在图10所示的示例中,在每个发光器件组20中,第二重复单元201包括沿第一方向依次排列的:第三微发光二极管21b、第二微发光二极管21g、第一微发光二极管21r、第三微发光二极管21b、第二微发光二极管21g、第一微发光二极管21r。以每个发光器件组20包括两个第二重复单元201为例,两个第二重复单元201的12个微发光二极管21可以排成两行六列。
在图11所示的示例中,部分第二重复单元201包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管21g、第一微发光二极管21r、第三微发光二极管21b,其余的所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第三微发光二极管21b、第二微发光二极管21g、第一微发光二极管21r。以 每个发光器件组20包括两个第二重复单元201为例,两个第二重复单元201的微发光二极管21可以交错设置。
在图12所示的示例中,在每个发光器件组20中,部分第二重复单元201包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管21g、第一微发光二极管21r、第二微发光二极管21g和第三微发光二极管21b;其余的第二重复单元201包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管21g、第三微发光二极管21b、第二微发光二极管21g和第一微发光二极管21r。以每个发光器件组20包括两个第二重复单元201为例,两个重复单元的8个微发光二极管21可以排成两行四列。
在图10至图11中,不同微发光二极管21在衬底基板11上的正投影面积可以相同;在图12中,不同的微发光二极管在衬底基板11上的正投影面积可以不完全相同,例如,第一微发光二极管21r在衬底基板11上的正投影面积和第三微发光二极管21b在衬底基板11上的正投影面积均大于第二微发光二极管21g在衬底基板11上的正投影面积。
在图10至图12中,对于任一发光器件组20,第j个第二重复单元201中的第q个微发光二极管21所发射的光线经过光学结构单元60后,射向相应的出光部组70中第n-j+1个第一重复单元中的第c-q+1个出光部,n、c均为大于1的整数,q、j均为整数,1≤q≤c,1≤j≤n。
需要说明的是,第j个第二重复单元201是指,沿第二方向排列的第j个第二重复单元201;第n-j+1个第一重复单元是指,沿第二方向排列的第n-j+1个第一重复单元701。第q个微发光二极管21是指,沿第一方向排列的q第个微发光二极管21;第c-q+1个出光部是指,沿第一方向排列的第c-q+1个出光部71。
例如,如图10至图12中,标有字母标记的任一微发光二极管21所发射的光经过聚光透镜后,射向标有相同字母标记的出光部71。
本公开实施例还提供一种显示装置,包括上述实施例中的显示面板。 显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式,然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本公开的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (20)

  1. 一种显示面板,包括:多个发光器件组、多个出光部组和多个光学结构单元,其中,
    所述多个发光器件组设置在衬底基板上,所述多个发光器件组中的每个包括多个微发光二级管,所述多个微发光二级管包括第一微发光二级管和第二微发光二级管,所述第一微发光二级管和所述第二微发光二级管均用于发射预设颜色的光;
    所述多个出光部组设置在所述多个发光器件组的出光侧,所述多个出光部组中的每个包括多个出光部,所述多个出光部包括第一色转换部和第二色转换部;
    所述多个光学结构单元设置在所述多个发光器件组和所述多个出光部组之间,所述多个光学结构单元中的每个在所述衬底基板上的正投影覆盖所述多个发光器件组中的至少一个在所述衬底基板上的正投影,所述多个光学结构组中的每个用于将所述第一微发光二级管发射的光射入所述第一色转换部,将所述第二微发光二级管所发射的光射入所述第二色转换部,所述第一色转换部用于将所述预设颜色的光转换为第一颜色光,所述第二色转换部用于将所述预设颜色的光转换为第二颜色光。
  2. 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第一颜色光与所述第二颜色光的波长范围不同。
  3. 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述发光器件组中的多个发光器件还包括:第三微发光二极管,所述第三微发光二极管用于发射所述预设颜色的光,
    所述出光部组中的多个出光部还包括透光部,所述多个光学结构单元中的每个在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述第三微发光二极管在 所述衬底基板上的正投影,
    所述多个发光结构单元中的每个还用于将所述第三微发光二极管发射的光射入所述透光部。
  4. 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述预设颜色的光为蓝光,所述第一颜色光为红光,所述第二颜色光为绿光。
  5. 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述发光器件组中的多个发光器件还包括:第三微发光二极管,所述第三微发光二极管用于发射所述预设颜色的光,
    所述出光部组中的多个出光部还包括第三色转换部,所述多个光学结构单元中的每个在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述第三微发光二极管在所述衬底基板上的正投影,
    所述多个光学结构单元中的每个还用于将所述第三微发光二极管发射的光射入所述第三色转换部,所述第三色转换部用于将所述预设颜色的光转换为第三颜色光。
  6. 根据权利要求5所述的显示面板,其中,所述预设颜色的光为紫外光,所述第一颜色光为红光,所述第二颜色光为绿光,所述第三颜色光为蓝光;
    或者,所述预设颜色的光为第一波长的蓝光,所述第一颜色光为红光,所述第二颜色光为绿光,所述第三颜色光为第二波长的蓝光,所述第一波长小于所述第二波长。
  7. 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括与所述发光器件组一一对应的透光载体,不同所述发光器件组所对应的透 光载体间隔设置;
    所述透光载体朝向所述衬底基板的一侧设置有阻隔层,所述阻隔层上设置有多个容纳开口,所述发光器件组中的微发光二极管一一对应地设置在所述容纳开口中。
  8. 根据权利要求7所述的显示面板,其中,任意相邻两个所述透光载体之间设置有遮光层。
  9. 根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述微发光二极管包括:
    第一电极,位于所述透光载体朝向所述衬底基板的一侧;
    发光叠层,位于所述第一电极远离所述透光载体的一侧,所述发光叠层包括沿远离所述透光载体的方向依次设置的:第一类型掺杂半导体层、量子阱层和第二类型掺杂半导体层;
    第二电极,位于所述发光叠层远离所述透光载体的一侧。
  10. 根据权利要求1至9中任意一项所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:
    封装层,位于所述多个发光器件组远离所述衬底基板的一侧;
    填充层,位于所述封装层与所述多个光学结构单元之间;
    隔垫基板,位于所述多个光学结构单元与所述多个出光部组之间;
    其中,所述光学结构单元的折射率大于所述填充层的折射率,所述光学结构单元朝向所述填充层的表面为凸曲面,所述光学结构的凸曲面与所述填充层贴合。
  11. 根据权利要求1至9中任意一项所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:
    封装层,位于所述多个发光器件组远离所述衬底基板的一侧,所述光学结构单元设置在所述封装层远离所述衬底基板的表面上;
    隔垫基板,位于所述多个光学结构单元与所述多个出光部组之间,所述隔垫基板上设置有与所述光学结构单元一一对应的凹陷;
    其中,所述光学结构单元朝向所述隔垫基板的表面为凸曲面,所述光学结构的凸曲面与所述凹陷贴合,所述光学结构单元的折射率大于所述隔垫基板的折射率。
  12. 根据权利要求1至9中任意一项所述的显示面板,其中,所述光学结构单元采用聚光透镜,所述多个微发光二极管到所述光学结构单元之间的距离为所述聚光透镜的焦距的1~2倍。
  13. 根据权利要求1至9中任意一项所述的显示面板,其中,所述第一色转换部在所述衬底基板上的正投影面积大于所述第一微发光二极管在所述衬底基板上的正投影的面积;
    所述第二色转换部在所述衬底基板上的正投影面积大于所述第二微发光二极管在所述衬底基板上的正投影的面积。
  14. 根据权利要求1至9中任意一项所述的显示面板,其中,所述第一色转换部和所述第二色转换部的材料均包括量子点材料或荧光粉材料。
  15. 根据权利要求1至9中任意一项所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:容纳结构层,所述容纳结构层具有多个容纳槽,所述出光部一一对应地设置在所述容纳槽中。
  16. 根据权利要求1至9中任意一项所述的显示面板,其中,每个所述出光部组中的多个出光部沿第一方向依次排列,每个所述发光器件组中的多个微发光二极管沿所述第一方向依次排列;
    其中,对于任一所述发光器件组,第i个所述微发光二极管所发射的光线经过所述光学结构单元后,射向相应的出光部组中的第m-i+1个出光部,m为所述出光部组中的出光部的数量,i为整数,且1≤i≤m。
  17. 根据权利要求16所述的显示面板,其中,所述发光器件组中的多个微发光二极管划分为至少一个重复单元,每个重复单元包括沿第一方向依次排列的:所述第三微发光二极管、所述第二微发光二极管和所述第一微发光二极管。
  18. 根据权利要求1至9中任意一项所述的显示面板,其中,每个所述出光部组中的多个出光部划分为沿第二方向排列的n个第一重复单元,每个所述第一重复单元包括沿第一方向排列的c个所述出光部;每个所述发光器件组中的多个微发光二极管划分为沿所述第二方向排列的n个第二重复单元,每个所述第二重复单元包括沿所述第一方向排列的c个所述微发光二极管;其中,所述第一方向与所述第二方向交叉;
    对于任一所述发光器件组,第j个第二重复单元中的第q个微发光二极管所发射的光线经过所述光学结构单元后,射向相应的出光部组中第n-j+1个第一重复单元中的第c-q+1个出光部,n、c均为大于1的整数,q、j均为整数,且1≤q≤c,1≤j≤n。
  19. 根据权利要求18所述的显示面板,其中,在每个所述发光器件组中,所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第三微发光二极管、第二微发光二极管、第一微发光二极管、第三微发光二极管、第二 微发光二极管、第一微发光二极管;或者,
    在每个所述发光器件组中,部分所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管、第一微发光二极管、第三微发光二极管,其余的所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第三微发光二极管、第二微发光二极管、第一微发光二极管;或者,
    在每个所述发光器件组中,部分所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管、第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管;其余的所述第二重复单元包括沿第一方向依次排列的:第二微发光二极管、第三微发光二极管、第二微发光二极管和第一微发光二极管。
  20. 一种显示装置,其中,包括权利要求1至19中任意一项所述的显示面板。
CN202180003464.6A 2021-11-19 2021-11-19 显示面板和显示装置 Pending CN116762173A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2021/131769 WO2023087250A1 (zh) 2021-11-19 2021-11-19 显示面板和显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116762173A true CN116762173A (zh) 2023-09-15

Family

ID=86395976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180003464.6A Pending CN116762173A (zh) 2021-11-19 2021-11-19 显示面板和显示装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN116762173A (zh)
WO (1) WO2023087250A1 (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010151880A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Sony Corp カラー液晶表示装置組立体及び光変換装置
CN105097878B (zh) * 2015-07-17 2018-02-13 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
CN108766273A (zh) * 2018-08-15 2018-11-06 南方科技大学 一种微型发光二极管显示面板及显示装置
CN110928021B (zh) * 2019-11-05 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点显示面板增亮膜及透镜阵列
CN214672621U (zh) * 2020-12-11 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN112510076A (zh) * 2020-12-21 2021-03-16 深圳扑浪创新科技有限公司 一种量子点显示装置及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023087250A1 (zh) 2023-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111710770B (zh) 一种显示面板及其制备方法和显示装置
CN111524463B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN108780829B (zh) 半导体器件
KR20190093519A (ko) 발광장치 및 그 제조방법
US11910686B2 (en) Array substrate, method for preparing array substrate, display panel and display apparatus
CN110797369B (zh) 微型发光二极管显示面板
US20220190039A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof and display apparatus
KR20200038853A (ko) 디스플레이 장치
CN112582441A (zh) 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
US10705376B2 (en) Liquid crystal display device
CN114005919A (zh) 微型发光二极管显示面板及其形成方法
CN116762173A (zh) 显示面板和显示装置
KR20160049082A (ko) 액정 표시 장치
US20240222575A1 (en) Display panel and display apparatus
TWI775608B (zh) 發光裝置
CN111129271B (zh) 显示面板以及显示装置
CN115662984A (zh) 封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法
CN112767850B (zh) 显示面板以及显示装置
KR20220073301A (ko) Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
CN117192799B (zh) 显示模组
US20230086071A1 (en) Semiconductor device
US11957022B2 (en) Display panel having intra-substrate filler configuration, method of manufacturing such a display panel, and display device
CN117317103A (zh) 显示装置
KR102317270B1 (ko) 액정 표시 장치
KR20230126190A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination