CN116741244A - 非易失性存储器的擦除方法和装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种非易失性存储器的擦除方法和装置以及电子设备，非易失性存储器的擦除方法，包括多个步骤：对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数；根据每组所述擦除参数分别对未通过擦除校验的扇区进行擦除操作；更新所述擦除操作后扇区的擦除参数，其中，重复所述多个步骤直至所述多个扇区都通过擦除校验。本申请对不同磨损程度的扇区分别进行擦除操作，然后再对所有的扇区进行过擦除修复及擦除校验，减小各扇区的磨损程度以及擦除过程所需的时间。

Description

非易失性存储器的擦除方法和装置以及电子设备

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别涉及非易失性存储器的擦除方法和装置以及电子设备。

背景技术

非易失性存储器(Non-volatileMemory)由于具有可多次进行数据的读取、擦除、编程等操作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此，非易失性存储器被广泛应用于个人电脑和电子设备等电子装置中。

非易失性存储器的存储块(Block)通常包括多个扇区(Sector)，每一个扇区包括多个存储单元，当对存储单元的栅极加负压，衬底加正压时，扇区中存储单元中的数据被擦除且非易失存储器芯片具有擦写10W次可靠性特性，在现有技术中用户通常会对一部分存储区域进行频繁擦写，其他区域擦写较少，导致不同区域的磨损不同。当用户擦除一个存储块(block)且这个存储块拥有磨损差异很大的不同的扇区时，由于磨损较小的扇区会不断的进行过擦除和过擦除修复过程，导致此扇区进行不必要的操作和磨损，擦除的时间会大大增加。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种非易失性存储器的擦除方法和装置以及电子设备，对不同磨损程度的扇区分别进行擦除操作，然后再对所有的扇区进行过擦除修复及擦除校验，减小各扇区的磨损程度以及擦除过程所需的时间。

根据本发明的一方面，提供一种非易失性存储器的擦除方法，包括多个步骤：

对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数；根据每组所述擦除参数分别对未通过擦除校验的扇区进行擦除操作；更新所述擦除操作后扇区的擦除参数；其中，重复所述多个步骤直至所述多个扇区都通过擦除校验。

可选地，所述对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数包括：

对预定地址的扇区进行擦除校验；判断所述预定地址的扇区是否全校验通过，若是，则记录校验通过的扇区预定地址后，判断是否完成所有需要被擦除扇区的校验；若否，则直接判断是否完成所有需要被擦除扇区的校验；若所述判断所述是否完成所有需要被擦除扇区的校验的结果为是，则继续判断是否所有扇区都通过擦除校验；若结果为否，则所述预定地址递增，并返回所述对预定地址的扇区进行擦除校验步骤；若所述判断是否所有扇区都通过擦除校验的结果为是，则所述非易失性存储器的擦除方法结束；若结果为否，则读取需要被擦除扇区的擦除参数。

可选地，所述根据每组所述擦除参数分别对未通过擦除校验的扇区进行擦除操作包括：根据所述擦除参数的排序进行分组，依次判断是否有擦除参数为某组的扇区，若是，则对擦除参数为该组的扇区进行擦除操作后进行下一组擦除参数的判断；若否，则直接进行下一组擦除参数的判断。

可选地，所述擦除参数表征相应扇区的磨损程度，所述擦除参数包括擦除操作电压、时间、电压上升斜率中的至少一个。

可选地，所述擦除参数的组数用所述擦除参数的组数减一比特的存储单元进行存储，且相邻擦除参数组对应存储数据相差一比特数据。

可选地，相邻擦除参数组对应存储数据相差的一比特数据中，排序在前的组为1，排序在后的组为0。

可选地，所述对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数步骤还包括：对所述多个扇区进行擦除预处理。

可选地，还包括：

判断是否存在扇区的擦除参数大于等于下一组擦除参数的起始值，若是，则将该扇区的擦除参数的起始值更新为下一组擦除参数的起始值，各组擦除参数的起始值形成擦除参数的起始值阵列。

可选地，所述擦除参数的起始值阵列用于存储所述每组擦除参数的起始值，所述擦除参数的起始值阵列的数据包括通过出厂测试获得的最优参数和/或用户使用中根据擦除时间反馈更新相对应的擦除参数。

可选地，所述多个步骤还包括还包括：对擦除区域进行过擦除修复。

可选地，所述更新擦除操作后每组扇区的擦除参数步骤中，更新间隔为0.2V，所述更新扇区擦除参数的起始值步骤中，更新间隔为1V。

根据本发明的另一方面，提供一种非易失性存储器的擦除装置，其中所述存储器阵列包括多个扇区；所述擦除装置包括：

擦除校验模块，用于对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数；

选择擦除模块，用于根据每组所述擦除参数分别对未通过擦除校验的每组扇区进行擦除操作；擦除参数更新模块，用于更新所述擦除操作后扇区的擦除参数。

根据本发明的另一方面，提供一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行上述擦除方法中的步骤。

本发明提供的非易失性存储器的擦除方法，本申请方法针对不同的扇区的磨损情况进行监测和记录，在擦除操作中对相同磨损程度的扇区采用统一的操作及操作参数，对不同磨损程度的扇区分别进行擦除操作，然后再对所有的扇区进行过擦除修复及擦除校验，减小各扇区的磨损程度以及擦除过程所需的时间。

在一个优选的实施例中，对于m组不同的擦除参数，采用(m-1)bit存储单元用于存储一个扇区擦除参数的组数，使得每次更新存储阵列中擦除参数的数据时，只需要进行写操作，不会影响其他存储单元数据。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是本发明提供的存储单元阵列的电路结构图。

图2是本发明第一实施例提供的一种非易失性存储器的擦除方法的流程图。

图3是本发明第二实施例提供的擦除方法中具体步骤的流程图。

图4是本发明第三实施例提供的擦除方法中具体步骤的流程图。

图5是本发明第四实施例提供的擦除方法中具体步骤的流程图。

图6是本发明第五实施例提供的非易失性存储器的擦除装置结构示意图。

图7是本发明第六实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件或者模块采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。

应当理解，在以下的描述中，“电路”可包括单个或多个组合的硬件电路、可编程电路、状态机电路和/或能存储由可编程电路执行的指令的元件。当称元件或电路“连接到”另一元件或称元件或电路“连接在”两个节点之间时，它可以直接耦合或连接到另一元件或者可以存在中间元件，元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的，或者其结合。相反，当称元件“直接耦合到”或“直接连接到”另一元件时，意味着两者不存在中间元件。

同时，在本专利说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域普通技术人员应当可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本专利说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。

此外，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

图1是本发明提供的存储单元阵列的电路结构图。

如图1所示，存储单元阵列128包括成阵列排列的多个存储单元，同一行存储单元的控制端均耦接至对应的字线WL1至WLn，同一列存储单依次串列耦接，且每一列首个存储单元的第一端耦接至对应的位线BL1至BL2048。在本实施例中，以每条字线包括2048个存储单元为例。应当理解，存储单元、字线以及位线的数量可以根据需求以及工艺等因素灵活调整，例如每条字线包括1024个存储单元。在非易失性存储器系统中，存储单元的基本结构是浮栅型晶体管。浮栅型晶体管包括半导体衬底、位于半导体衬底中的源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的浮栅结构。浮栅型晶体管的栅结构包括依次堆叠的隧穿介质层、浮栅、栅极介质层以及控制栅极。

以扇区擦除为例，对存储单元阵列128的擦除操作进行说明：字线WL1、WL2的全部存储单元构成扇区201，这些存储单元均在相同的条件下被同时擦除，例如扇区201的全部存储单元的阈值电压大于软编程阈值电压V1，小于擦除阈值电压V2。然而因为制造工艺、使用过程中阈值电压偏移等因素的影响，这些不同扇区的特性并不完全一致，在同样的擦除条件下，各个扇区的擦除速度不同，从而导致每个扇区所需的擦除时间不同。

图2是本发明第一实施例提供的一种非易失性存储器的擦除方法的流程图。

本实施例中的非易失性存储器的存储块(Block)通常包括多个扇区(Sector)，每一个扇区包括多个存储单元，当对存储单元的栅极加负压，衬底加负压时，扇区中存储单元中的数据被擦除，其中擦除参数例如包括擦除操作的电压、时间、电压上升斜率。

如图2所示，本申请提供了一种非易失性存储器的擦除方法包括以下步骤：

S1：对多个扇区进行擦除预处理。

具体地，对需要擦除的目标进行全编程处理，避免扇区中局部存储单元为非编程状态以至于擦除时产生过多的过擦除存储单元，可确保擦除过程整体有序性，同时也利于后续校验。

S2：对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数。

具体的，擦除参数例如包括擦除参数例如包括擦除操作的电压、时间、电压上升斜率。

图3是本发明第二实施例提供的擦除方法中具体步骤的流程图。

如图3所示，在步骤S2中，具体可包括如下步骤：

S201：对预定地址的扇区进行擦除校验。

在步骤S201中，扫描检测预定地址的扇区中的存储单元是否全部成功进行擦除处理，检测该对应扇区中的存储单元数据是否全部为“1”，若数据全部为“1”即表明该扇区已成功完成擦除，若仍存在为“0”的数据即该扇区未成功擦除存储单元，对于初始情况下，扇区都会是擦除校验未通过的状态。

S202：判断预定地址的扇区是否全校验通过。

在步骤S202中，通过判断预定地址的扇区是否全校验通过，如通过，则执行步骤S203后执行步骤S204，如未通过，则直接执行步骤S204。

S203：记录校验通过的扇区预定地址。

S204：判断是否完成所有需要被擦除扇区的校验。

在步骤S204中，判断是否完成所有需要被擦除扇区的校验，若是则进一步判断所有扇区是否都通过了校验，执行步骤S206；若否则执行步骤S205后返回步骤S201。

S205：预定地址递增，使得返回步骤S201时，继续擦除校验下一个地址上的扇区，直至完成所有扇区的擦除校验。

S206：判断是否所有扇区都通过擦除校验。

在判断所有扇区都完成了擦除校验后进一步判断是否都通过了擦除校验，若是，则结束该方法流程；若否，则继续执行步骤S207。

S207：读取需要被擦除扇区的擦除参数。

在步骤S207中，通过上述对多个扇区逐个进行擦除校验的循环后，得到未通过擦除校验的扇区，并读取这些扇区的擦除参数，并进入下一个步骤S3，擦除参数例如包括擦除操作的电压、时间、电压上升斜率。

S3：根据每组擦除参数分别对未通过擦除校验的扇区进行擦除操作。

图4是本发明第三实施例提供的擦除方法中具体步骤的流程图。

在步骤S3中，具体包括如下步骤：

S301：判断是否有擦除参数为第一组擦除参数的扇区。

在步骤S301中，判断是否有擦除参数为第一组参数的扇区，若是，则执行步骤S302后执行步骤S303；若否，则直接执行步骤S303。

S302：对擦除参数为第一组的扇区进行擦除操作。

S303：判断是否有擦除参数为第二组擦除参数的扇区。

在步骤S303中，判断是否有擦除参数为第二组参数的扇区，若是，则执行步骤S304后执行步骤S305；若否，则直接执行步骤S305。

S304：对擦除参数为第二组的扇区进行擦除操作。

S305：是否有擦除参数为第m组擦除参数的扇区。

在步骤S305中，判断是否有擦除参数为第m组参数的扇区，若是，则执行步骤S304后执行步骤S4；若否，则直接执行步骤S4。

S306：对擦除参数为第m组的扇区进行擦除操作。

即，根据每组擦除参数中擦除电压从低到高的顺序进行分组，依次判断是否有擦除参数为某组的扇区，若是，则对擦除参数为该组的扇区进行擦除操作后进行下一组擦除参数的判断；若否，则直接进行下一组擦除参数的判断。

需要额外说明的是，擦除操作的电压会由低到高，第一组到第m组擦除参数里包含的擦除电压会递增，在初始状态下，擦除操作的参数为该组对应的初始参数。在步骤S304至步骤S305之间还会有若干组的参数进行判断，设置的总组数m一般不会是很大的数，一是减少电路参数进而降低开销，二是扇区磨损对电压的敏感度没有这么高，组数减少可以有效利用该特性，合理分布组与组之间的间隔，在一个实施例中第一组参数中的擦除电压的起始值例如为15V，组与组之间间隔例如为1V，此处仅以擦除电压进行举例，还可以以其他擦除参数分组，本申请对此不做限制。

在一个实施例中，假设通过测试得到了m组不同的擦除参数，那么每个扇区在擦除参数的起始值阵列中都有相对应的擦除参数存储单元，然后采用(m-1)bit存储单元用于存储擦除参数的组数；例如当m＝4时，第一组擦除参数对应存储数据为3’b111；第二组擦除参数对应存储数据为3’b110；第三组擦除参数对应存储数据为3’b100；第4组擦除参数对应存储数据为3’b000，不同组扇区的组数用所述多组扇区的组数减一比特的存储单元进行存储，且相邻擦除参数组对应存储数据相差一比特数据，相邻擦除参数组对应存储数据相差的一比特数据中，排序在前的组为1，排序在后的组为0。

使得每次更新存储阵列中擦除参数的数据时，只需要进行写操作(写操作的最小操作区域是bit，所以在写操作过程中不会影响其他存储单元数据)，且假如在写操作过程中(将存储数据由3‘b110写成3‘b100)由于外部因素(掉电等)中断了，那么下次读取阵列中数据时，得到的数据要么是3‘b110(且这次擦除操作流程中会写成3‘b100)，要么是3‘b100(数据正确)，如果没有写入完成，数据还是3‘b110，则进入下一次循环后，再次写入即可，仅有保持原数据和写入成功新数据两种情况，所以不会对当前的擦除操作产生影响。

S4：更新擦除操作后扇区的擦除参数。

在步骤S4中，擦除操作的电压会由低到高随着擦除次数的增加而缓慢增加(比如第一次擦除用15V的压差，第二次用15.2V，...每次增加0.2V)，在步骤S4中，更新的是每个扇区下次操作的参数，比如原第一组参数的扇区会从15V更新为15.2V，原第二组参数的扇区会从16V更新为16.2V，并依此类推直到第m组，示例性的，组内擦除参数的更新间隔为0.2V，但本申请不限于此，所属领域技术人员可以根据实际情况做出调整。

S5：根据更新后扇区的擦除参数判断及更新扇区擦除参数的起始值阵列。

擦除参数的起始值阵列为用于存储每组擦除参数的起始值；在芯片执行擦除指令时会先读取擦除参数的起始值阵列中擦除区域扇区所对应的擦除参数作为第一次擦除操作的参数设置；擦除参数的起始值阵列的数据由两种方式设置：通过出厂测试获得的最优参数；以及用户使用中根据擦除时间反馈更新相对应的擦除参数(事先通过测试得到的)。擦除参数的起始值阵列参数同样包括擦除操作的电压、时间、电压上升斜率等。

在步骤S5中，随着操作次数的增加当某个扇区的电压由15V一直增加到16V都还没有校验通过时，则会更新此扇区擦除参数的起始值由第一更新为第二组，且此更新是在下次擦除指令时有效，即之后的擦除指令，此扇区是从16V开始擦除，并以第二组擦除参数进行更新，具体包括以下步骤：

S501：判断是否存在扇区的擦除参数大于等于下一组擦除参数的起始值。

在步骤S501中，判断是否存在扇区的擦除参数大于等于下一组擦除参数的起始值，若是，则执行步骤S502后返回步骤S2；若否，则直接返回步骤S2。

S502：将该扇区的擦除参数的起始值更新为下一组擦除参数的起始值。

以第一组擦除参数的扇区为例，当该扇区的擦除参数大于等于第二组擦除参数的起始值时，该扇区的擦除参数的起始值更新为下一组擦除参数的起始值，且此更新是在下次擦除指令时有效，即之后的擦除指令，此扇区是从16V开始擦除，并以第二组擦除参数进行更新。

在一个实施例中，在返回步骤S2之前，还包括步骤S503：对擦除区域进行过擦除修复。

在步骤S503中，由于本申请实施例擦除操作以扇区为操作单位，因此单一扇区中仍可能出现过擦除的存储单元，因此需要对所有参与擦除操作的存储单元进行过擦除检测及修复，避免存储单元处于过擦除状态而无法正常使用。

示例性的，以一个擦除参数为第一组擦除参数的扇区为例，在第一次擦除校验中未通过擦除校验，随后进行擦除操作，并更新擦除参数，该扇区的擦除电压从15V更新为15.2V，然后重复擦除校验、擦除操作、更新擦除参数，当该扇区的擦除电压更新到16V时，则触发起始擦除参数的更新，将该扇区的起始擦除电压从15V更新为16V，并在下次擦除时，以第二组的擦除参数进行擦除操作和更新。

本申请方法针对不同的扇区的磨损情况进行监测和记录，在擦除操作中对相同磨损程度的扇区采用统一的操作及操作参数，对不同磨损程度的扇区分别进行擦除操作，然后再对所有的扇区进行过擦除修复及擦除校验，进而提供了一种对不同磨损程度的扇区分别进行擦除操作的擦除方法。

图6是本发明第五实施例提供的非易失性存储器的擦除装置结构示意图。

本申请提供的擦除装置用于执行上述非易失性存储器的擦除装置，具体包括：

存储器阵列101，包括多个扇区以进行擦除操作；

擦除校验模块102，用于对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数；

擦除参数更新模块103，用于更新所述擦除操作后每组扇区的擦除参数。

起始擦除参数更新模块104，用于根据所述擦除校验模块102的结果，判断及更新擦除参数的起始值阵列数据。

选择擦除模块105，用于根据所述擦除参数分别对未通过擦除校验的每组扇区进行擦除操作。

图7是本发明第六实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

本申请提供一种电子设备2，包括：处理器201和存储器202，处理器201和存储器202通过通信总线203和/或其他形式的连接机构(未标出)互连并相互通讯，存储器202存储有处理器201可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器201执行该计算机程序，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。

应当说明，本领域普通技术人员可以理解，本文中使用的与电路运行相关的词语“期间”、“当”和“当……时”不是表示在启动动作开始时立即发生的动作的严格术语，而是在其与启动动作所发起的反应动作(reaction)之间可能存在一些小的但是合理的一个或多个延迟，例如各种传输延迟等。本文中使用词语“大约”或者“基本上”意指要素值(element)具有预期接近所声明的值或位置的参数。然而，如本领域所周知的，总是存在微小的偏差使得该值或位置难以严格为所声明的值。本领域已恰当的确定了，至少百分之十(10％)(对于半导体掺杂浓度，至少百分之二十(20％))的偏差是偏离所描述的准确的理想目标的合理偏差。当结合信号状态使用时，信号的实际电压值或逻辑状态(例如“1”或“0”)取决于使用正逻辑还是负逻辑。

依照本发明的实施例如上文，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明的保护范围应当以本发明权利要求及其等效物所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种非易失性存储器的擦除方法，包括多个步骤：

对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数；

根据每组所述擦除参数分别对未通过擦除校验的扇区进行擦除操作；

更新所述擦除操作后扇区的擦除参数；

其中，重复所述多个步骤直至所述多个扇区都通过擦除校验。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，所述对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数包括：

对预定地址的扇区进行擦除校验；

判断所述预定地址的扇区是否全校验通过，若是，则记录校验通过的扇区预定地址后，判断是否完成所有需要被擦除扇区的校验；若否，则直接判断是否完成所有需要被擦除扇区的校验；

若所述判断所述是否完成所有需要被擦除扇区的校验的结果为是，则继续判断是否所有扇区都通过擦除校验；若结果为否，则所述预定地址递增，并返回所述对预定地址的扇区进行擦除校验步骤；

若所述判断是否所有扇区都通过擦除校验的结果为是，则所述非易失性存储器的擦除方法结束；若结果为否，则读取需要被擦除扇区的擦除参数。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，所述根据每组所述擦除参数分别对未通过擦除校验的扇区进行擦除操作包括：

根据所述擦除参数的排序进行分组，依次判断是否有擦除参数为某组的扇区，若是，则对擦除参数为该组的扇区进行擦除操作后进行下一组擦除参数的判断；若否，则直接进行下一组擦除参数的判断。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器的擦除方法，所述擦除参数表征相应扇区的磨损程度，所述擦除参数包括擦除操作电压、时间、电压上升斜率中的至少一个。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的擦除方法，所述擦除参数的组数用所述擦除参数的组数减一比特的存储单元进行存储，且相邻擦除参数组对应存储数据相差一比特数据。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器的擦除方法，相邻擦除参数组对应存储数据相差的一比特数据中，排序在前的组为1，排序在后的组为0。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，所述对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数步骤还包括：对所述多个扇区进行擦除预处理。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，还包括：

判断是否存在扇区的擦除参数大于等于下一组擦除参数的起始值，若是，则将该扇区的擦除参数的起始值更新为下一组擦除参数的起始值，各组擦除参数的起始值形成擦除参数的起始值阵列。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器的擦除方法，其中，所述擦除参数的起始值阵列用于存储所述每组擦除参数的起始值，所述擦除参数的起始值阵列的数据包括通过出厂测试获得的最优参数和/或用户使用中根据擦除时间反馈更新相对应的擦除参数。

10.根据权利要求7所述的非易失性存储器的擦除方法，所述多个步骤还包括还包括：对擦除区域进行过擦除修复。

11.根据权利要求9所述的非易失性存储器的擦除方法，所述更新擦除操作后每组扇区的擦除参数步骤中，更新间隔为0.2V，所述更新扇区擦除参数的起始值步骤中，更新间隔为1V。

12.一种非易失性存储器的擦除装置，其中所述存储器阵列包括多个扇区；所述擦除装置包括：

擦除校验模块，用于对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数；

选择擦除模块，用于根据每组所述擦除参数分别对未通过擦除校验的每组扇区进行擦除操作；

擦除参数更新模块，用于更新所述擦除操作后扇区的擦除参数。

13.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-11任一所述擦除方法中的步骤。