CN116728293A - 一种cmp修整器制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种CMP修整器制造方法，包括以下步骤：S1:单晶金刚石双面研磨；S2:将单晶金刚石用胶水固定在修整单元表面；S3:将修整单元固定在CMP盘基板上；S4:将CMP盘基板装夹在激光赋形设备上，用激光处理表面高度；S5:将CMP盘基板装夹在激光阵列加工设备上，对若干个修整单元逐一进行表面阵列雕刻；S6:对CMP盘基板进行等离子体清洗，以除去其表面的碳化物。本发明的目的在于提供一种CMP修整器制造方法，其能够提高CMP修整器使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及CMP修整器技术领域，尤其涉及一种CMP修整器制造方法。
背景技术
许多产业使用化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)以抛光某种工作件，特别是电脑制造产业为了抛光以陶材材料、硅材、玻璃、石英、金属及其混合材料所制成的晶圆，皆已大大地仰赖CMP制程。此种抛光制程通常必须将晶圆抵靠着以耐久型有机物质(如聚氨基甲酸酯)所制成的旋转垫。使用含有能够破坏晶圆物质以及一些研磨颗粒(用于物理研磨晶圆表面)的化学研磨液，且该研磨液持续地加在旋转CMP抛光垫上，双重的化学与机械力量施加在晶圆上，以用想要的方式抛光该晶圆。
欲达成的抛光品质特别注重于研磨颗粒在抛光垫上的分布，该抛光垫的顶部通常借由如纤维或小孔洞等机械结构来保持颗粒，该机械结构提供足以防止颗粒因抛光垫旋转的离心力而脱离抛光垫的摩擦力，因此，尽量保持抛光垫顶部的韧性、尽量保持纤维竖立或确保有充足的开口与孔洞能接受新供应的研磨颗粒，这些都是很重要的。
然而，关于维持抛光垫表面的问题是在工作件、研磨液以及抛光垫修整器的研磨碎屑的累积，因为这种累积会造成抛光垫顶部变得“光滑(glazing)”或硬化(hardening)，并且让纤维纠结而摊平，因此使该抛光垫不太能够保持保持该研磨液的研磨颗粒，也因此严重地降低抛光垫整体的抛光效能。再者，很多抛光垫用于保持保持研磨液的孔洞会变得阻塞，且抛光垫抛光表面的整体表面粗糙度下降而无光泽(matted不是无光泽的意思)。一CMP抛光垫修整器可借由“梳理(combing)”或“切削(cutting)”抛光垫表面以试图恢复抛光垫表面。这种流程可为已知的“修整(dressing)”或“调整(conditioning)”CMP抛光垫，多种装置与方法已被使用以达到此目的，其中一种装置是一个具有复数个附着于金属基质表面的超硬结晶颗粒(如钻石颗粒)的圆盘。(以上说明是从其它专利复制而来)
传统修整器是使用电镀金刚石微粉或图层陶瓷/钎焊盘/烧结盘。缺点是使用寿命短，修整过程中容易脱粒造成晶圆报废，或有金属腐蚀对影响晶圆质量。
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发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种CMP修整器制造方法，其能够提高CMP修整器使用寿命。
本发明的目的采用如下技术方案实现：
一种CMP修整器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1:单晶金刚石双面研磨；
S2:将单晶金刚石用胶水固定在修整单元表面；
S3:将修整单元固定在CMP盘基板上；
S4:将CMP盘基板装夹在激光赋形设备上，用激光处理表面高度；
S5:将CMP盘基板装夹在激光阵列加工设备上，对若干个修整单元逐一进行表面阵列雕刻；
S6:对CMP盘基板进行等离子体清洗，以除去其表面的碳化物。
具体地，在S1中，采用研磨板对单晶金刚石进行研磨。
具体地，所述研磨板由钢、钼、铬或钨制成。
具体地，所述研磨板的研磨面的表面粗糙度在1μmRa以下。
具体地，在S1中，确保单晶金刚石四角高度差控制在20微米以内。
具体地，在S4中，用激光处理表面高度，使若干个修整单元的单晶金刚石中的最高点和最低点高度差控制60微米以内。
具体地，完成S6后，进行S7：用酒精对CMP盘基板进行清洗，以除去其表面的有机物。
具体地，完成S7后，进行S8:用真空袋封装CMP盘基板。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
1.增加CMP修整器使用寿命；
2.降低因传统修整器颗粒脱落造成的晶圆损伤几率；
3.新型CMP修整器可重复修整使用；
4.降低停机维护次数；
5.耐腐蚀性能改善；
6.可进行任意形状加工。
附图说明
图1为本发明的CMP修整器制造方法的流程示意图；
图2为本发明的CMP修整器的立体视图；
图3为本发明的CMP修整器的实物视图。
图中：
1、CMP盘基板；2、修整单元；3、单晶金刚石。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
一种CMP修整器制造方法，包括以下步骤：
S1:单晶金刚石3双面研磨；
S2:将单晶金刚石3用胶水固定在修整单元2表面；
S3:将修整单元2固定在CMP盘基板1上；
S4:将CMP盘基板1装夹在激光赋形设备上，用激光处理表面高度；
S5:将CMP盘基板1装夹在激光阵列加工设备上，对若干个修整单元2逐一进行表面阵列雕刻；
S6:对CMP盘基板1进行等离子体清洗，以除去其表面的碳化物；
S7：用酒精对CMP盘基板1进行清洗，以除去其表面的有机物；
S8:用真空袋封装CMP盘基板1。
具体地，在S1中，采用研磨板对单晶金刚石3进行研磨。
具体地，所述研磨板由钢、钼、铬或钨制成。
具体地，所述研磨板的研磨面的表面粗糙度在1μmRa以下。
具体地，在S1中，确保单晶金刚石3四角高度差控制在20微米以内。
具体地，在S4中，用激光处理表面高度，使若干个修整单元2的单晶金刚石3中的最高点和最低点高度差控制60微米以内。
本发明的技术效果为：
1.增加CMP修整器使用寿命；
2.降低因传统修整器颗粒脱落造成的晶圆损伤几率；
3.新型CMP修整器可重复修整使用；
4.降低停机维护次数；
5.耐腐蚀性能改善；
6.可进行任意形状加工。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (8)
1.一种CMP修整器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1:单晶金刚石双面研磨；
S2:将单晶金刚石用胶水固定在修整单元表面；
S3:将修整单元固定在CMP盘基板上；
S4:将CMP盘基板装夹在激光赋形设备上，用激光处理表面高度；
S5:将CMP盘基板装夹在激光阵列加工设备上，对若干个修整单元逐一进行表面阵列雕刻；
S6:对CMP盘基板进行等离子体清洗，以除去其表面的碳化物。
2.根据权利要求1所述的CMP修整器制造方法，其特征在于，在S1中，采用研磨板对单晶金刚石进行研磨。
3.根据权利要求2所述的CMP修整器制造方法，其特征在于，所述研磨板由钢、钼、铬或钨制成。
4.根据权利要求2所述的CMP修整器制造方法，其特征在于，所述研磨板的研磨面的表面粗糙度在1μmRa以下。
5.根据权利要求1所述的CMP修整器制造方法，其特征在于，在S1中，确保单晶金刚石四角高度差控制在20微米以内。
6.根据权利要求1所述的CMP修整器制造方法，其特征在于，在S4中，用激光处理表面高度，使若干个修整单元的单晶金刚石中的最高点和最低点高度差控制60微米以内。
7.根据权利要求1所述的CMP修整器制造方法，其特征在于，完成S6后，进行S7：用酒精对CMP盘基板进行清洗，以除去其表面的有机物。
8.根据权利要求7所述的CMP修整器制造方法，其特征在于，完成S7后，进行S8:用真空袋封装CMP盘基板。
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