CN116722334B - 一种射频衰减模块的散热方法 - Google Patents
一种射频衰减模块的散热方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116722334B CN116722334B CN202310851746.2A CN202310851746A CN116722334B CN 116722334 B CN116722334 B CN 116722334B CN 202310851746 A CN202310851746 A CN 202310851746A CN 116722334 B CN116722334 B CN 116722334B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- attenuation
- radio frequency
- thermocouple
- transmission line
- joint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 21
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 5
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/30—Auxiliary devices for compensation of, or protection against, temperature or moisture effects ; for improving power handling capability
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
- H01P1/227—Strip line attenuators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种射频衰减模块的散热方法,衰减模块包括壳体、设于壳体左、右两端的第一接头和第二接头,壳体内具有空腔,空腔内设有带状传输线,传输线的一端与第一接头连接,传输线的另一端与第二接头连接,第一接头上设有射频连接器,传输线上设有热电偶衰减片,热电偶衰减片具有衰减网络,空腔底部设有控制电路,壳体上设有电机风扇,散热方法为包括如下步骤:射频连接器接收到微波信号,并将微波信号传输到传输线上;微波信号被热电偶衰减片上的衰减网络吸收并转换为热能,热能向壳体传递形成热传导,使热电偶衰减片产生温差,温差触发热电偶衰减片产生电流;电流通过控制电路的管理,驱动电机风扇工作,产生风,对衰减模块整体降温。
Description
技术领域
本发明涉及衰减器技术领域,具体涉及一种射频衰减模块的散热方法。
背景技术
射频信号衰减模块或终端负载在微波领域已得到充分运用,信号在衰减或吸收的过程中势必会产生一定的热量。尤其在大功率信号的环境中,热量的累积会导致器件温度急剧上升,高温也会造成器件性能的下降和衰退。一般散热方式为被动散热,但是,被动散热方式散热效率不高,主要受限于衰减模块本身的散热条件,在散热的过程中,热传递效率受限于外部条件。在此过程中产生的热能也称作废热,即不能被利用,又导致衰减模块承受功率的降低。有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种射频衰减模块的散热方法,该方法提高了衰减模块的散热效率。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种射频衰减模块的散热方法,所述衰减模块包括壳体、设于所述壳体左、右两端的第一接头和第二接头,所述壳体内具有空腔,所述空腔内设有传输线,所述传输线两端分别与第一接头和第二接头连接,所述第一接头上设有射频连接器,所述传输线上设有热电偶衰减片,所述热电偶衰减片具有衰减网络,所述空腔底部设有控制电路,所述壳体上端还设有由控制电路驱动的电机风扇,所述散热方法为包括如下步骤:
S1、所述射频连接器接收到微波信号,并将微波信号传输到所述传输线上;
S2、微波信号被所述热电偶衰减片上的衰减网络吸收并将其转换为热能,该热能向所述壳体传递形成热传导,使所述热电偶衰减片的一侧和另一侧产生温差,温差触发所述热电偶衰减片产生电流;
S3、所述控制电路对电流进行管理,驱动所述电机风扇工作;
S4、所述电机风扇工作起来以后,产生风,对衰减模块整体降温。
作为本发明进一步的方案:所述所述热电偶衰减片制作过程包括选用两个氮化铝基片,对上侧的氮化铝基片外侧面高频溅射氮化钽,形成衰减网络,然后两个氮化铝之间键合热电材料,热电材料之间串联,最后封装而成。
作为本发明进一步的方案:所述热电材料为碲化铋。
作为本发明进一步的方案:所述封装为陶瓷封装或导热硅胶封装。
作为本发明进一步的方案:所述第一接头和所述第二接头均为SMA型接头。
作为本发明进一步的方案:所述传输线为带状。
作为本发明进一步的方案:所述壳体的周身上还具有可以起到散热作用的凸缘。
本发明的有益效果:该结构使得被动散热方式转变成主动散热,从而提高了散热效率,而且节能减耗,增强了稳定性、可靠性。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明一种射频衰减模块的散热方法的结构示意图;
图2为是本发明为热电偶衰减片结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示,本发明为一种射频衰减模块的散热方法,包括壳体10、设于壳体10左、右两端的第一接头11和第二接头12。第一接头11和第二接头12与壳体10之间均通过螺钉固定。本实施例中,第一接头11和第二接头12均为SMA型接头。第一接头11上设有射频连接器15。
壳体10内具有空腔13。空腔13内设有传输线14。传输线14两端分别与第一接头11和第二接头12焊接在一起。该传输线14为带状。壳体10的周身上还具有可以起到散热作用的凸缘101。
传输线14上设有热电偶衰减片16。该热电偶衰减片16上具有衰减网络17。空腔13内底部设有对电流进行存储和管理的控制电路18。壳体10上端还设有由控制电路18驱动的电机风扇19。
散热方法为包括如下步骤:
S1、射频连接器15接收到微波信号,并将微波信号传输到传输线14上;
S2、微波信号被热电偶衰减片16上的衰减网络17吸收并将其转换为热能,该热能向壳体10传递形成热传导,使热电偶衰减片16的一侧和另一侧产生温差,温差触发热电偶衰减片16产生电流;
S3、控制电路18对电流进行管理,驱动电机风扇19工作;
S4、电机风扇19工作起来以后,产生风,对衰减模块整体降温。
结合图2所示,其中,热电偶衰减片16制作过程包括选用两个氮化铝基片161,上侧的氮化铝基片161外侧面高频溅射氮化钽后,形成了衰减网络17,然后两个氮化铝161之间键合碲化铋162,碲化铋162之间通过金丝163串联,最后用陶瓷封装或导热硅胶封装而成。另外,下侧的氮化铝基片161与控制电路18之间通过电线连接。
此处需要说明的是该结构,利用塞贝克效应,将两种不同材料的热电偶(半导体)焊接在一起,形成一个封闭电路,当一侧温度高于另一侧时,就会产生电势差,从而产生电流。
综上所述,本发明使得衰减模块从被动散热方式转变成主动散热,提高了散热效率,而且节能减耗,增强了稳定性、可靠性。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (6)
1.一种射频衰减模块的散热方法,所述衰减模块包括壳体、设于所述壳体左、右两端的第一接头和第二接头,所述壳体内具有空腔,所述空腔内设有传输线,所述传输线为带状,所述传输线的一端与第一接头连接,传输线的另一端与第二接头连接,所述第一接头上设有射频连接器,其特征在于:所述传输线上设有热电偶衰减片,所述热电偶衰减片具有衰减网络,所述空腔底部设有控制电路,所述壳体上端还设有由控制电路驱动的电机风扇,所述散热方法为包括如下步骤:
S1、所述射频连接器接收到微波信号,并将微波信号传输到所述传输线上;
S2、微波信号被所述热电偶衰减片上的衰减网络吸收并将其转换为热能,该热能向所述壳体传递形成热传导,使所述热电偶衰减片的一侧和另一侧产生温差,温差触发所述热电偶衰减片产生电流;
S3、所述控制电路对电流进行管理,驱动所述电机风扇工作;
S4、所述电机风扇工作起来以后,产生风,对衰减模块整体降温。
2.根据权利要求1所述的射频衰减模块的散热方法,其特征在于:所述热电偶衰减片制作过程包括选用两个氮化铝基片,对上侧的氮化铝基片外侧面高频溅射氮化钽,形成衰减网络,然后两个氮化铝之间键合热电材料,热电材料之间串联,最后封装而成。
3.根据权利要求2所述的射频衰减模块的散热方法,其特征在于:所述热电材料为碲化铋。
4.根据权利要求2所述的射频衰减模块的散热方法,其特征在于:所述封装为陶瓷封装或导热硅胶封装。
5.根据权利要求1所述的射频衰减模块的散热方法,其特征在于:所述第一接头和所述第二接头均为SMA型接头。
6.根据权利要求1所述的射频衰减模块的散热方法,其特征在于:所述壳体的周身上还具有可以起到散热作用的凸缘。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310851746.2A CN116722334B (zh) | 2023-07-12 | 2023-07-12 | 一种射频衰减模块的散热方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310851746.2A CN116722334B (zh) | 2023-07-12 | 2023-07-12 | 一种射频衰减模块的散热方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116722334A CN116722334A (zh) | 2023-09-08 |
CN116722334B true CN116722334B (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=87871581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310851746.2A Active CN116722334B (zh) | 2023-07-12 | 2023-07-12 | 一种射频衰减模块的散热方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116722334B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101017956A (zh) * | 2006-02-08 | 2007-08-15 | 中国科学院微电子研究所 | 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法 |
CN208127387U (zh) * | 2017-12-30 | 2018-11-20 | 上海华湘计算机通讯工程有限公司 | 一种300w高频同轴固定衰减器 |
CN211182475U (zh) * | 2019-12-31 | 2020-08-04 | 上海华湘计算机通讯工程有限公司 | 一种65GHz高频同轴固定衰减器 |
CN112640198A (zh) * | 2018-08-28 | 2021-04-09 | 国际商业机器公司 | 用于量子微波电路的低温频散-电阻混合衰减器的封装和热化 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6859470B2 (en) * | 2002-02-27 | 2005-02-22 | Jds Uniphase Corporation | Air trench that limits thermal coupling between laser and laser driver |
-
2023
- 2023-07-12 CN CN202310851746.2A patent/CN116722334B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101017956A (zh) * | 2006-02-08 | 2007-08-15 | 中国科学院微电子研究所 | 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法 |
CN208127387U (zh) * | 2017-12-30 | 2018-11-20 | 上海华湘计算机通讯工程有限公司 | 一种300w高频同轴固定衰减器 |
CN112640198A (zh) * | 2018-08-28 | 2021-04-09 | 国际商业机器公司 | 用于量子微波电路的低温频散-电阻混合衰减器的封装和热化 |
CN211182475U (zh) * | 2019-12-31 | 2020-08-04 | 上海华湘计算机通讯工程有限公司 | 一种65GHz高频同轴固定衰减器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
《基于SiP的大功率T/R组件关键技术研究》;李潇洒;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑 (月刊)》;全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116722334A (zh) | 2023-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102130076B (zh) | 一种热电式计算机芯片散热器 | |
CN102801105A (zh) | 带有热电制冷器的量子级联激光器的封装 | |
CN201904319U (zh) | 一种热电式计算机芯片散热器 | |
CN110931439A (zh) | 一种电子设备散热器 | |
CN113676118A (zh) | 一种具有电压匹配的光伏热电一体化器件及其制备方法 | |
CN116722334B (zh) | 一种射频衰减模块的散热方法 | |
CN220272719U (zh) | 一种热电效应射频衰减模块 | |
CN211605372U (zh) | 一种局部散热能力强的滤波器腔体 | |
CN211182190U (zh) | 绝缘栅双极型晶体管、智能功率模块及空调器 | |
CN209731873U (zh) | 功率开关装置 | |
CN208538834U (zh) | 一种用于计算机中央处理器芯片的半导体制冷散热装置 | |
CN212587489U (zh) | 一种具有良好散热性能的功率模块及电子产品 | |
JP3087813B2 (ja) | 温度制御装置及び方法 | |
CN211088443U (zh) | 一种bms散热结构 | |
JPH0544961A (ja) | 空気調和機 | |
CN104966713A (zh) | 一种igbt模块的新型封装结构 | |
CN212392860U (zh) | 一种高功率的氮化镓放大器 | |
CN207234693U (zh) | 一种带有半导体制冷散热器的超磁致伸缩致动器 | |
CN110828922A (zh) | 一种bms散热结构 | |
CN218731706U (zh) | 一种波导负载 | |
CN219917899U (zh) | 一种激光指示装置的散热结构 | |
CN216795540U (zh) | 一种导热石墨片均热的电机控制器封装散热装置 | |
CN212587490U (zh) | 一种具有良好散热性能的功率模块及电子产品 | |
KR200322613Y1 (ko) | 열전소자를 이용한 냉각 및 발전장치 | |
JP2944010B2 (ja) | ヒートシンク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A Cooling Method for RF Attenuation Module Granted publication date: 20240223 Pledgee: The Bank of Shanghai branch Caohejing Limited by Share Ltd. Pledgor: SHANGHAI HUAXIANG COMPUTER COMMUNICATION ENGINEERING Co.,Ltd. Registration number: Y2024980011676 |
|
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |