CN208127387U - 一种300w高频同轴固定衰减器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种300W高频同轴固定衰减器，所述300W高频同轴固定衰减器包括：若干个衰减结构，每个衰减结构包括散热壳、内芯、接地夹和衰减片，所述衰减片两边的接地微带线通过接地夹卡住并紧紧固定在内芯内，所述内芯安置在散热壳内；若干个连接头，每相邻两个衰减结构之间设有连接头，所述连接头分别与两侧的衰减结构上的衰减片连接；阳接头部件，所述阳接头部件与位于最顶端的衰减结构上的衰减片连接；阴接头部件，所述阴接头部件与位于最末端的衰减结构上的衰减片连接。本实用新型可达到驻波小，频带宽的要求，能够将产品工作频带从直流到18GHz，功率容量300W，具有良好快速的散热能力，机械稳定性好，重复性好。

Description

一种300W高频同轴固定衰减器

技术领域

本实用新型涉及一种微波无源器件领域，具体涉及一种在在信行业及电子设备和雷达中使用的微波同轴固定衰减器。

背景技术

同轴固定衰减器是微波元件的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中，同轴固定衰减器必须要满足系统的电气和机械性能要求，同时要在批量生产中做到工艺简单、合格率高、生产成本低。同轴固定衰减器是由连接器和衰减片组成，连接器包括阴接头和阳接头两部分。通常情况下，要做到18-40GHz高频的同轴固定衰减器非常困难，同样要采用氧化铍陶瓷基片做成的T型厚膜电路衰减片，要做成DC-18GHz高频同时能够承受300瓦功率的同轴固定衰减器就更加困难。

综上所述，针对现有技术的缺陷，特别需要一种300W高频同轴固定衰减器，以解决现有技术的不足。

实用新型内容

本实用新型为了解决上述问题，从而提供一种300W高频同轴固定衰减器。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种300W高频同轴固定衰减器，所述300W高频同轴固定衰减器包括：

若干个衰减结构，每个衰减结构包括散热壳、内芯、接地夹和衰减片，所述衰减片两边的接地微带线通过接地夹卡住并紧紧固定在内芯内，所述内芯安置在散热壳内；

若干个连接头，每相邻两个衰减结构之间设有连接头，所述连接头分别与两侧的衰减结构上的衰减片连接；

阳接头部件，所述阳接头部件与位于最顶端的衰减结构上的衰减片连接；

阴接头部件，所述阴接头部件与位于最末端的衰减结构上的衰减片连接。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述散热壳上设有若干个散热板。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述阳接头部件为N型阳接头部件。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述阴接头部件为N型阴接头部件。

在本实用新型的一个优选实施例中，连接头、衰减片、阳接头部件和阴接头部件四轴同心。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述衰减片由氮化钽电阻通过薄膜工艺直接高频溅射在氧化铍介质基片上而成。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型可达到驻波小，频带宽的要求，能够将产品工作频带从直流到18GHz，功率容量300W，具有良好快速的散热能力，机械稳定性好，重复性好。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

参见图1，本实用新型提供的300W高频同轴固定衰减器，其包括若干个衰减结构100、若干个连接头200、阳接头部件300和阴接头部件400。

这些衰减结构100依次匀距设置，信号输入后可依次经过衰减结构100。

每个衰减结构100都包括散热壳110、内芯120、接地夹130和衰减片140。

衰减片140两边的接地微带线通过接地夹130卡住并紧紧固定在内芯120内部的槽体内，而内芯120安置在散热壳110内，这样使得衰减片140可靠接地组成腔体待装。

为了提高散热效率，在散热壳110上可设有若干个散热板111。

另外，本申请中的衰减片140具体由氮化钽电阻通过薄膜工艺直接高频溅射在氧化铍介质基片上而成，这样使得衰减片140的特性阻抗为50Ω，频率高达18GHz。

在每相邻两个衰减结构100之间设有一个连接头200，连接头200是用于实现衰减结构100之间的信号传输。

连接头200的一端具体与一侧的衰减结构100上的衰减片140的微带传输线的输出端连接，另一端与另一侧的衰减结构100上的衰减片140的微带传输线的输入端连接。

阳接头部件300，其与位于最顶端的衰减结构100连接，其是用于将外部的信号输入给衰减结构100。

阳接头部件300具体通过弹性接触帽顶住位于最顶端的衰减结构100上的衰减片140的微带传输线的输入端，并通过M2*3支头螺丝310进行固定，这样可提高信号输入效率。

阴接头部件400，其与位于最末端的衰减结构100连接，其是用于将经过各个衰减结构100的信号进行输出。

阴接头部件400具体通过弹性接触帽顶住位于最末端的衰减结构100上的衰减片140的微带传输线的输出端，并通过M2*3支头螺丝进行固定，这样可提高信号输出效率。

另外，本申请中的阳接头部件300为N型阳接头部件，阴接头部件400为N型阴接头部件，并且本申请中的衰减结构100为八节，这样与由氮化钽电阻通过薄膜工艺直接高频溅射在氧化铍介质基片上而成的衰减片140配合可使得衰减器的频率达到最大。

下面是本申请整个信号传输途径：

阳接头部件300—衰减片140—连接头200—衰减片140—连接头200—衰减片140—连接头200—衰减片140—连接头200—衰减片140—连接头200—衰减片140—连接头200—衰减片140—连接头200—衰减片140—阴接头部件400，其中衰减片140的微带传输线、阳接头部件300、连接头200、阴接头部件400的中心轴四轴同心。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (2)

1.一种300W高频同轴固定衰减器，其特征在于，所述300W高频同轴固定衰减器包括：

八个衰减结构，每个衰减结构包括散热壳、内芯、接地夹和衰减片，所述衰减片两边的接地微带线通过接地夹卡住并紧紧固定在内芯内，所述内芯安置在散热壳内，所述散热壳上设有若干个散热板，所述衰减片由氮化钽电阻通过薄膜工艺直接高频溅射在氧化铍介质基片上而成；

若干个连接头，每相邻两个衰减结构之间设有连接头，所述连接头分别与两侧的衰减结构上的衰减片连接；

阳接头部件，所述阳接头部件为N型阳接头部件，所述阳接头部件与位于最顶端的衰减结构上的衰减片连接，阳接头部件通过弹性接触帽顶住位于最顶端的衰减结构上的衰减片的微带传输线的输入端，并通过M2*3支头螺丝进行固定；

阴接头部件，所述阴接头部件为N型阴接头部件，所述阴接头部件与位于最末端的衰减结构上的衰减片连接，阴接头部件通过弹性接触帽顶住位于最末端的衰减结构上的衰减片的微带传输线的输出端，并通过M2*3支头螺丝进行固定。

2.根据权利要求1所述的一种300W高频同轴固定衰减器，其特征在于，连接头、衰减片、阳接头部件和阴接头部件四轴同心。