CN202839924U - 一种40GHz高频同轴固定衰减器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种40GHz高频同轴固定衰减器，包括腔体以及设置在腔体两端的2.92阳接头和2.92阴接，所述腔体由外壳、芯腔、接地夹组成；所述2.92阳接头包括螺套、卡环、阳外壳、第一套筒、插针组件、第一弹簧以及第一接触帽；所述2.92阴接头包括阴外壳、第二套筒、插孔组件、第二弹簧以及第二接触帽；所述插针组件包括阳内导体、第一环和聚苯醚浇注料；所述插孔组件包括阴内导体、第二环和聚苯醚浇注料；芯腔内设置一个氧化铝介质基片的衰减片，所述衰减片的两边接地微带线用接地夹卡住固定在与其同宽度的芯腔的槽内，并通过外壳使其安装在2.92阳接头和2.92阴接头之间。本实用新型可以提高衰减器的频率，其具有体积小散热快，机械稳定性好，重复性好等优点。

Description

一种40GHz高频同轴固定衰减器

技术领域

本实用新型涉及到微波无源器件领域，特别涉及一种在通信行业及电子设备和雷达中使用的一种40GHz微波同轴固定衰减器。

背景技术

同轴固定衰减器是微波元件的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中，同轴固定衰减器必须要满足系统的电气和机械性能要求，同时要在批量生产中做到工艺简单、合格率高、生产成本低。同轴固定衰减器是由连接器和衰减片组成，连接器包括阴接头和阳接头两部分。

现有衰减片为氧化铍介质基片的衰减片，现有阴接头为SMA阴接头，现有阳接头为SMA阳接头。

通常情况下，要做到DC-40GHz高频的同轴固定衰减器非常困难，要做成DC-40GHz高频同时能够承受2W功率的同轴固定衰减器就更加困难。

综上所述，针对现有技术的缺陷，特别需要一种40GHz高频同轴固定衰减器，以解决现有技术的不足。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能提高衰减器的频率，且具有体积小散热快，机械稳定性好，重复性好的一种40GHz微波同轴固定衰减器。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种40GHz高频同轴固定衰减器，包括腔体以及设置在腔体两端的2.92阳接头和2.92阴接，所述腔体由外壳、芯腔、接地夹组成；所述2.92阳接头包括螺套、卡环、阳外壳、第一套筒、插针组件、第一弹簧以及第一接触帽；所述2.92阴接头包括阴外壳、第二套筒、插孔组件、第二弹簧以及第二接触帽；所述插针组件包括阳内导体、第一环和聚苯醚浇注料；所述插孔组件包括阴内导体、第二环和聚苯醚浇注料；所述芯腔内设置一个氧化铝介质基片的衰减片，所述衰减片的两边接地微带线用接地夹卡住固定在与其同宽度的芯腔的槽内，并通过外壳使其安装在2.92阳接头和2.92阴接头之间。

在本实用新型的一个实施例中，所述阳内导体其孔内的弹性接触帽顶住衰减片的微带传输线输入端，衰减片的微带传输线输出端被阴内导体其孔内的弹性接触帽顶住。

在本实用新型的一个实施例中，所述衰减片的微带传输线、阳内导体、阴内导体中心轴三轴同心。

在本实用新型的一个实施例中，所述衰减片的特性阻抗为50Ω，频率为40GHz，功率容量为2W。

通过上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过采用新型的氧化铝介质基片的衰减片和2.92阳接头和2.92阴接头，其在使用时能达到驻波小，频带宽的要求；本产品工作频带从直流到40GHz，功率容量2W，具有良好快速的散热能力，机械稳定性好，重复性好。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一种40GHz高频同轴固定衰减器的外部结构示意图；

图2、图3、图4是本实用新型一种40GHz高频同轴固定衰减器的内部结构示意图。

图中标号说明：

1、2.92阳接头  2、腔体  3、2.92阴接头  4、螺套  5、插针组件  6、卡环  7、阳外壳  8、第一套筒  9、第一弹簧  10、第一接触帽  11、外壳  12、芯腔  13、接地夹  14、衰减片  15、支头螺钉  16、插孔组件  17、阴外壳18、阳内导体  19、聚苯醚浇注料  20、第一环  21、阴内导体  22、第二套筒  23、第二弹簧  24、第二环  25、第二接触帽

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

参见图1至图4所示，本实用新型一种40GHz高频同轴固定衰减器包括腔体2以及设置在腔体2两端的2.92阳接头1和2.92阴接3，腔体2由外壳11、芯腔12、接地夹13组成；2.92阳接头1包括螺套4、卡环6、阳外壳17、第一套筒8、插针组件5、第一弹簧9以及第一接触帽10；2.92阴接头3包括阴外壳17、第二套筒22、插孔组件16、第二弹簧23以及第二接触帽25；插针组件5包括阳内导体18、第一环20和聚苯醚浇注料19；插孔组件16包括阴内导体21、第二环24和聚苯醚浇注料19；芯腔12内设置一个氧化铝介质基片的衰减片14。

参见图1至图4所示，衰减片14两边接地微带线用接地夹13卡住且固定在与其同宽度的芯腔12的槽内，通过外壳11使其安装在2.92阳接头1和2.92阴接头3之间。

本实用新型实现传输途径是：阳内导体18其孔内的第一接触帽10通过第一弹簧9的弹性顶住衰减片14的微带传输线输入端，衰减片14的微带传输线输出端被阴内导体21其孔内的第二接触帽25通过第二弹簧23的弹性顶住。

本实用新型整个信号传输途径是：通过第一接触帽10从阳内导体18到衰减片14的微带传输线到阴内导体21。

本实用新型衰减片14的微带传输线的中心线和阳内导体18、阴内导体21的中心轴三轴同心。

参见图2至图4所示，衰减片14两边的接地微带线通过接地夹13可靠保证了与芯腔12的接触，芯腔12一端与第一套筒8通过第一环20与阳外壳7紧密接触；芯腔12的另一端与第二套筒22通过第二环24与阴外壳17紧密接触，使衰减片14可靠接地。

本实用新型组装时，用接地夹13夹住衰减片14上下两边接地微带线上，然后紧紧插入芯腔12内使衰减片14可靠接地待装；将螺套4通过卡环6压入阳外壳7待用；在阳内导体18孔内安装第一弹簧9和第一接触帽10，安装时第一接触帽10头部露阳内导体18孔表面，并施压在露的出的第一接触帽10头部，使其压进阳内导体18孔内，在收复压力时第一接触帽10头部要复出阳内导体18孔表面，保证第一接触帽10在阳内导体18内部的第一弹簧9有弹性效果，然后将装有第一接触帽10的插针组件5插入装有螺套4的阳外壳7内，并装入第一套筒8组成2.92阳接头1待装；用同样的方法将第一弹簧9和第一接触帽10安装在阴内导体21孔内，然后将装有第一接触帽10的插孔组件16插入阴外壳17内，并装入第一套筒8组成2.92阴接头3待装；将组装好的2.92阳接头1安装在外壳3的一端并将装有衰减片14的芯腔12滑入外壳3内，在外壳3的另一端装上组装好的2.92阴接头3；用2个支头螺钉15将腔体3与2.92阳接头1和2.92阴接头3固定完成制备。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.一种40GHz高频同轴固定衰减器，包括腔体以及设置在腔体两端的2.92阳接头和2.92阴接，所述腔体由外壳、芯腔、接地夹组成；所述2.92阳接头包括螺套、卡环、阳外壳、第一套筒、插针组件、第一弹簧以及第一接触帽；所述2.92阴接头包括阴外壳、第二套筒、插孔组件、第二弹簧以及第二接触帽；所述插针组件包括阳内导体、第一环和聚苯醚浇注料；所述插孔组件包括阴内导体、第二环和聚苯醚浇注料；其特征在于，所述芯腔内设置一个氧化铝介质基片的衰减片，所述衰减片的两边接地微带线用接地夹卡住固定在与其同宽度的芯腔的槽内，并通过外壳使其安装在2.92阳接头和2.92阴接头之间。

2.如权利要求1所述的一种40GHz高频同轴固定衰减器，其特征在于，所述阳内导体其孔内的第一接触帽顶住衰减片的微带传输线输入端，衰减片的微带传输线输出端被阴内导体其孔内的第二接触帽顶住。

3.如权利要求1所述的一种40GHz高频同轴固定衰减器，其特征在于，所述衰减片的微带传输线、阳内导体、阴内导体中心轴三轴同心。

4.如权利要求1所述的一种40GHz高频同轴固定衰减器，其特征在于，所述衰减片的特性阻抗为50Ω，频率为40GHz，功率容量为2W。

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