CN212392860U - 一种高功率的氮化镓放大器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开的属于放大器技术领域，具体为一种高功率的氮化镓放大器，包括放大器本体，所述放大器本体左侧安装有无源功率合成芯片，所述放大器本体中侧安装有有源管芯芯片，所述放大器本体右侧安装有驱动芯片，所述驱动芯片输入端电连接有输入连接板，所述无源功率合成芯片输出端电连接有输出连接板，所述驱动芯片输出端与有源管芯芯片输入端连接，所述有源管芯芯片输出端与无源功率合成芯片输出端连接，所述放大器本体安装有散热片，所述无源功率合成芯片、有源管芯芯片和驱动芯片均焊接在散热片上，通过散热风扇的设置，将无源功率合成芯片、有源管芯芯片和驱动芯片传递到散热片上的热量迅速吹走，降低放大器本体内部的温度。
Description
技术领域
本实用新型涉及放大器技术领域，具体为一种高功率的氮化镓放大器。
背景技术
放大器是能把输入讯号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中。增加信号幅度或功率的装置，它是自动化技术工具中处理信号的重要元件。放大器的放大作用是用输入信号控制能源来实现的，放大所需功耗由能源提供。对于线性放大器，输出就是输入信号的复现和增强。对于非线性放大器，输出则与输入信号成一定函数关系。放大器按所处理信号物理量分为机械放大器、机电放大器、电子放大器、液动放大器和气动放大器等。
现有的氮化镓放大器结构复杂，成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高功率的氮化镓放大器，以解决上述背景技术中提出的现有的氮化镓放大器结构复杂，成本较高的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高功率的氮化镓放大器，包括放大器本体，所述放大器本体左侧安装有无源功率合成芯片，所述放大器本体中侧安装有有源管芯芯片，所述放大器本体右侧安装有驱动芯片，所述驱动芯片输入端电连接有输入连接板，所述无源功率合成芯片输出端电连接有输出连接板，所述驱动芯片输出端与有源管芯芯片输入端连接，所述有源管芯芯片输出端与无源功率合成芯片输出端连接，所述放大器本体安装有散热片，所述无源功率合成芯片、有源管芯芯片和驱动芯片均焊接在散热片上。
优选的，所述无源功率合成芯片为氮化镓无源功率合成芯片，所述有源管芯芯片为氮化镓有源管芯芯片，所述驱动芯片为氮化镓驱动芯片。
优选的，所述散热片与放大器本体之间通过螺钉连接。
优选的，所述放大器本体左侧安装有散热风扇。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1)本实用新型结构简单，降低制造成本；
2)通过散热风扇的设置，将无源功率合成芯片、有源管芯芯片和驱动芯片传递到散热片上的热量迅速吹走，降低放大器本体内部的温度。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中：1驱动芯片、2有源管芯芯片、3无源功率合成芯片、4输出连接板、5输入连接板、6散热片、7放大器本体、8散热风扇。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例：
请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种高功率的氮化镓放大器，包括放大器本体7，所述放大器本体7左侧安装有无源功率合成芯片3，所述放大器本体7中侧安装有有源管芯芯片2，所述放大器本体7右侧安装有驱动芯片1，所述驱动芯片1输入端电连接有输入连接板5，通过输入连接板5的设置，用于连接外界输出信号，所述无源功率合成芯片3输出端电连接有输出连接板4，通过输出连接板4的设置，用于连接外界接收装置，将放大后的信号传递出去，所述驱动芯片1输出端与有源管芯芯片2输入端连接，所述有源管芯芯片2输出端与无源功率合成芯片3输出端连接，所述放大器本体7安装有散热片6，所述无源功率合成芯片3、有源管芯芯片2和驱动芯片1均焊接在散热片6上，通过散热片6吸收无源功率合成芯片3、有源管芯芯片2和驱动芯片1上的热量，从而降低无源功率合成芯片3、有源管芯芯片2和驱动芯片1的温度。
所述无源功率合成芯片3为氮化镓无源功率合成芯片，所述有源管芯芯片2为氮化镓有源管芯芯片，所述驱动芯片1为氮化镓驱动芯片。
所述散热片6与放大器本体7之间通过螺钉连接。
所述放大器本体7左侧安装有散热风扇8，通过散热风扇8吹走放大器本体7上的热量。
工作原理：通过输入连接板5连接外接输入装置，将信号传递给驱动芯片1，驱动芯片1依次将信号传递给有源管芯芯片2和无源功率合成芯片3，输出连接板4用于连接外接接收装置，无源功率合成芯片3通过输出连接板4将信号传递出去，通过散热片6的设置，散热片6吸收无源功率合成芯片3、有源管芯芯片2和驱动芯片1上的热量，从而降低无源功率合成芯片3、有源管芯芯片2和驱动芯片1的温度，通过散热风扇8吹走放大器本体7上的热量。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型；因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种高功率的氮化镓放大器，包括放大器本体(7)，其特征在于：所述放大器本体(7)左侧安装有无源功率合成芯片(3)，所述放大器本体(7)中侧安装有有源管芯芯片(2)，所述放大器本体(7)右侧安装有驱动芯片(1)，所述驱动芯片(1)输入端电连接有输入连接板(5)，所述无源功率合成芯片(3)输出端电连接有输出连接板(4)，所述驱动芯片(1)输出端与有源管芯芯片(2)输入端连接，所述有源管芯芯片(2)输出端与无源功率合成芯片(3)输出端连接，所述放大器本体(7)安装有散热片(6)，所述无源功率合成芯片(3)、有源管芯芯片(2)和驱动芯片(1)均焊接在散热片(6)上。
2.根据权利要求1所述的一种高功率的氮化镓放大器，其特征在于：所述无源功率合成芯片(3)为氮化镓无源功率合成芯片，所述有源管芯芯片(2)为氮化镓有源管芯芯片，所述驱动芯片(1)为氮化镓驱动芯片。
3.根据权利要求1所述的一种高功率的氮化镓放大器，其特征在于：所述散热片(6)与放大器本体(7)之间通过螺钉连接。
4.根据权利要求1所述的一种高功率的氮化镓放大器，其特征在于：所述放大器本体(7)左侧安装有散热风扇(8)。
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2020
- 2020-07-15 CN CN202021394083.4U patent/CN212392860U/zh active Active
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Denomination of utility model: A high-power gallium nitride amplifier Granted publication date: 20210122 Pledgee: Bank of Communications Limited Shenzhen Branch Pledgor: SHENZHEN TIMES SUXIN TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2024980024577 |