CN116699914B - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板包括：多个像素电极；数据线，所述数据线与所述像素电极间隔设置；及导电单元，所述导电单元包括收容件及多个导电粒子，所述收容件位于所述数据线与所述像素电极之间，且所述收容件具有收容腔，所述多个导电粒子、部分像素电极及部分数据线收容于所述收容腔内，所述多个导电粒子可在控制电场的控制下运动；所述导电单元具有第一状态及第二状态，当导电单元处于第一状态时，所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下导通所述数据线及所述像素电极；当导电单元处于第二状态时，多个导电粒子在所述控制电场的控制下断开数据线与像素电极的电连接，从而实现一种新式信号传输的设计。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
现目前显示面板中显示信号的传输主要依靠薄膜场效应晶体管（Thin filmtransistor，TFT）器件进行，TFT器件的传输原理是根据半导体的特性进行的一种结构设计。
然而，显示面板的栅极与薄膜场效应晶体管的源漏极之间会容易产生寄生电容，导致显示面板出现画面残像及显示不良，不利于显示面板进行高性能的提升。
发明内容
鉴于此，本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，从而实现一种新式的信号传输设计。
第一方面，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
多个像素电极；
数据线，所述数据线与所述像素电极间隔设置；及
导电单元，所述导电单元的一端连接于所述像素电极，所述导电单元的另一端连接于所述数据线，所述导电单元包括收容件及多个导电粒子，所述收容件位于所述数据线与所述像素电极之间，且所述收容件具有收容腔，所述多个导电粒子、部分像素电极及部分数据线收容于所述收容腔内，所述多个导电粒子可在控制电场的控制下运动；
所述导电单元具有第一状态及第二状态，当所述导电单元处于第一状态时，所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下导通所述数据线及所述像素电极；当所述导电单元处于第二状态时，所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下断开所述数据线与所述像素电极的电连接。
其中，所述阵列基板还包括：
控制线，所述控制线设置于所述收容件的一侧，所述控制线用于加载控制电场；
当所述导电单元处于第一状态时，所述控制线加载第一控制信号以产生所述控制电场，所述多个导电粒子位于邻近所述控制线的第一位置，所述多个导电粒子导通于所述数据线及所述像素电极；
当所述导电单元处于第二状态时，所述控制线加载第二控制信号以产生所述控制电场，所述多个导电粒子位于背离所述控制线的第二位置，且分别与所述数据线及所述像素电极间隔且绝缘。
其中，所述阵列基板还包括：
栅极传输线，所述栅极传输线作为所述控制线。
其中，所述导电粒子包括电荷层及导电层，所述电荷层带有第一极性的电荷，所述导电层包裹于所述电荷层的外表面；
当所述栅极传输线加载第二极性电压信号以作为第一控制信号时，以使所述多个导电粒子位于邻近所述栅极传输线的第一位置；
当所述栅极传输线加载第一极性电压信号以作为第二控制信号时，以使所述多个导电粒子位于背离所述栅极传输线的第二位置。
其中，当所述栅极传输线加载第一控制信号时，至少部分所述导电粒子抵接于所述数据线，且另外至少部分所述导电粒子抵接于所述像素电极，并传输数据信号至所述像素电极；
当所述栅极传输线加载第二控制信号时，多个所述导电粒子与所述数据线及所述像素电极中的至少一者为间隔设置，并断开所述数据线与所述像素电极的电连接。
其中，所述收容件具有形成所述收容腔的底壁、第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁及顶壁，所述第一侧壁与所述底壁弯折相连，所述第二侧壁与所述底壁弯折相连且与所述第一侧壁相对设置，所述第三侧壁与所述第一侧壁弯折相连且背离所述底壁，所述第四侧壁与所述第二侧壁弯折相连且与所述第三侧壁相对设置，所述顶壁分别与所述第三侧壁及所述第四侧壁弯折相连且与所述底壁相对设置；
所述像素电极部分设置于所述第一侧壁邻近所述第三侧壁的部分，所述数据线设置于所述第二侧壁；
当所述导电单元处于所述第一状态时时，所述多个导电粒子相互抵持且电连接，且所述多个导电粒子部分覆盖且电连接所述像素电极，部分覆盖所述第一侧壁背离所述第三侧壁的一端，部分覆盖所述底壁，且部分覆盖且电连接所述数据线。
其中，当所述导电单元处于第二状态时，所述多个导电粒子部分覆盖所述第三侧壁且与所述像素电极间隔且绝缘，所述多个导电粒子部分覆盖所述第四侧壁且与所述数据线间隔且绝缘，所述多个导电粒子部分覆盖所述顶壁。
其中，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层部分设置于所述控制线与所述像素电极之间，并用于绝缘所述控制线及所述像素电极，所述绝缘层部分设置于所述控制线与所述导电单元之间，并用于绝缘所述控制线及所述导电单元。
其中，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层设置于所述像素电极及所述导电单元背离所述绝缘层的表面，且所述平坦层与所述绝缘层共同围设形成所述收容腔。
第二方面，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括所述阵列基板。
第三方面，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括处理器及所述显示面板；
所述处理器控制所述控制电场，以使所述数据线与所述像素电极之间进行数据信号的导通或切断。所述显示面板包括像素电极、数据线及导电单元。
其中，所述导电单元包括收容件及多个导电粒子，所述收容件位于所述数据线与所述像素电极之间，所述多个导电粒子、部分像素电极及部分数据线收容于所述收容件的收容腔内，所述多个导电粒子可在控制电场的控制下运动。所述导电单元具有第一状态及第二状态，当所述导电单元处于第一状态时，所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下导通所述数据线及所述像素电极。当所述导电单元处于第二状态时，所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下断开所述数据线与所述像素电极的电连接。所述显示面板通过控制所述导电单元中所述多个导电粒子的运动状态可以实现所述数据线及所述像素电极之间的导通或断开，从而实现新式信号传输设计，相较于传统的薄膜场效应晶体管结构而言，所述导电单元的设置可以避免所述显示面板的栅极与薄膜场效应晶体管的源漏极之间产生寄生电容的现象，从而避免所述显示面板出现画面残像不良及画面异常等情形，进而使得所述显示面板具有优良的显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施方式的显示装置及显示面板的结构示意图；
图2是图1中提供的显示面板沿A-A线的截面的部分结构示意图；
图3是图2中提供的显示面板在a处的局部放大结构示意图；
图4是本申请实施例一的显示面板的部分结构示意图；
图5是图4中提供的显示面板在b处的局部放大结构示意图；
图6是本申请实施例二的显示面板沿A-A线的截面的部分结构示意图；
图7是图6中提供的显示面板在c处的局部放大结构示意图；
图8是本申请实施例二的显示面板的部分结构示意图；
图9是图8中提供的显示面板在d处的局部放大结构示意图；
图10是本申请实施方式的导电粒子的结构示意图；
图11是本申请实施例三的显示面板在a处的局部放大结构示意图；
图12是本申请实施例三的显示面板在c处的局部放大结构示意图；
图13是本申请实施方式的显示面板部分结构的俯视示意图。
附图标记说明：
1-显示装置，10-显示面板，20-处理器，30-阵列基板，11-像素电极，12-数据线，13-导电单元，14-控制线，15-栅极传输线，16-绝缘层，17-平坦层，18-基板，19-像素单元，131-收容件，132-导电粒子，1311-收容腔，1312-底壁，1313-第一侧壁，1314-第二侧壁，1315-第三侧壁，1316-第四侧壁，1317-顶壁，1321-电荷层，1322-导电层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
在本文中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参阅图1至图9，图1是本申请实施方式的显示装置及显示面板的结构示意图，图2是图1中提供的显示面板沿A-A线的截面的部分结构示意图，图3是图2中提供的显示面板在a处的局部放大结构示意图，图4是本申请实施例一的显示面板的部分结构示意图，图5是图4中提供的显示面板在b处的局部放大结构示意图，图6是本申请实施例二的显示面板沿A-A线的截面的部分结构示意图，图7是图6中提供的显示面板在c处的局部放大结构示意图，图8是本申请实施例二的显示面板的部分结构示意图，图9是图8中提供的显示面板在d处的局部放大结构示意图。本申请提供一种阵列基板30，所述阵列基板30包括多个像素电极11、数据线12及导电单元13。所述数据线12与所述像素电极11间隔设置。所述导电单元13的一端连接于所述像素电极11，所述导电单元13的另一端连接于所述数据线12。所述导电单元13包括收容件131及多个导电粒子132，所述收容件131位于所述数据线12与所述像素电极11之间，且所述收容件131具有收容腔1311，所述多个导电粒子132、部分像素电极11及部分数据线12收容于所述收容腔1311内，所述多个导电粒子132可在控制电场的控制下运动。所述导电单元13具有第一状态及第二状态，当所述导电单元13处于第一状态时，所述多个导电粒子132在所述控制电场的控制下导通所述数据线12及所述像素电极11。当所述导电单元13处于第二状态时，所述多个导电粒子132在所述控制电场的控制下断开所述数据线12与所述像素电极11的电连接。
可选地，所述阵列基板30可以应用于显示面板10中，并用于传输和控制电信号。
可选地，所述显示面板10的类型可以为但不仅限于为液晶显示面板（LiquidCrystal Ddisplay，LCD）、或有机发光二极管显示面板（OLED）、或扭曲向列型面板（TwistedNematic，TN）、或垂直排列型（Vertical Alignment，VA）、或面内转换型面板（In-PlaneSwitching，IPS）、或其他类型的显示面板等。可以理解地，所述显示面板10的功能类型不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。
可选地，所述像素电极11的材质可以为但不仅限于为氧化铟锡（Indium TinOxide，ITO）或其他导电材料等。所述像素电极11（Pixel ITO）可以用于控制所述显示面板10的像素单元19的工作运行。
可选地，所述像素电极11的数量可以为但不仅限于为两个、或三个、或四个、或五个、或其他数量等，可以理解地，所述像素电极11的数量不应当成为对本实施方式提供的阵列基板30的限定。
可选地，所述数据线12与所述像素电极11间隔设置，并用于传输数据（data）信号至像素电极11。可选地，在常规显示面板10中，所述数据线12通常通过薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）器件连接于所述像素电极11，并依靠TFT器件进行信号的传输。
在本实施方式中，通过在所述数据线12与所述像素电极11之间设置所述导电单元13取代常规TFT器件。具体地，所述导电单元13包括多个导电粒子132，所述多个导电粒子132可以在控制电场的控制下导通所述数据线12及所述像素电极11，实现所述数据线12及所述像素电极11之间的电连接，且所述多个导电粒子132还可以在控制电场的控制下断开所述数据线12及所述像素电极11的电连接。从而使得所述导电单元13可以取代TFT器件，来实现控制所述数据线12及所述像素电极11之间的导通和断开关系。
可选地，所述导电单元13包括收容件131及多个导电粒子132，所述收容件131还具有收容腔1311，所述导电粒子132收容于所述收容腔1311内。
可选地，所述收容件131可以为单独设置于所述显示面板10内的零部件，也可以为利用所述显示面板10的绝缘层16、平坦层17共同围设形成，可以理解地，所述收容件131的设置方式不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。
可选地，所述收容腔1311可以为密闭空间，也可以为连通于外界环境的腔室。可选地，所述收容腔1311的横截面形状可以为但不仅限于为六边形、或近似于六边形、或球形、或其他多边形、或其他不规则的形状等，可以理解地，所述收容腔1311的横截面形状不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。
可选地，所述导电粒子132的数量可以为但不仅限于为两个、或三个、或四个、或五个、或六个、或其他数量等，可以理解地，所述导电粒子132的数量不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。
可选地，所述收容件131位于所述数据线12与所述像素电极11之间，换言之，所述数据线12与所述像素电极11设置于所述收容件131相背的两侧。
可选地，所述多个导电粒子132、部分像素电极11及部分数据线12收容于所述收容腔1311内。具体地，所述像素电极11可以部分贴合于所述显示面板10的像素单元19设置，所述像素电极11的另外部分可以延伸至所述收容腔1311内。所述数据线12至少部分收容于所述收容腔1311内，且所述多个导电粒子132设置于所述像素电极11与所述数据线12之间。
可选地，所述导电单元13具有第一状态及第二状态。具体地，当所述导电单元13处于第一状态时，所述显示面板10需要通过所述数据线12向所述像素电极11传输数据信号，在该转态下所述控制电场会控制所述多个导电粒子132运动至邻近所述数据线12及所述像素电极11所在的位置，并导通所述数据线12及所述像素电极11。当所述导电单元13处于第二状态时，所述显示面板10需要中断所述数据线12向所述像素电极11传输数据信号，在该状态下所述控制电场会控制所述多个导电粒子132运动至远离所述数据线12及所述像素电极11所在的位置，并断开所述数据线12及所述像素电极11的电连接，即造成数据（data）信号传输通路的断开，从而完成信号的切断。
需要说明的是，所述显示面板10可以包括多个所述导电单元13，且所述显示面板10中的多个所述导电单元13可以分别具有第一状态、或第二状态，即不同的所述导电单元13在相同的时间段内可以具有不同的状态。所述显示面板10通过控制多个所述导电单元13在第一状态与第二状态之间切换，可以达到对像素电极11及像素单元的控制，从而来控制所述显示面板10的画面显示。
可选地，所述控制电场可以为但不仅限于为通过磁场力、或电场力等来控制所述导电粒子132的运动。
综上所述，本实施方式提供的阵列基板30包括像素电极11、数据线12及导电单元13。其中，所述导电单元13包括收容件131及多个导电粒子132，所述收容件131位于所述数据线12与所述像素电极11之间，所述多个导电粒子132、部分像素电极11及部分数据线12收容于所述收容件131的收容腔1311内，所述多个导电粒子132可在控制电场的控制下运动。所述导电单元13具有第一状态及第二状态，当所述导电单元13处于第一状态时，所述多个导电粒子132在所述控制电场的控制下导通所述数据线12及所述像素电极11。当所述导电单元13处于第二状态时，所述多个导电粒子132在所述控制电场的控制下断开所述数据线12与所述像素电极11的电连接。所述显示面板10通过控制所述导电单元13中所述多个导电粒子132的运动状态可以实现所述数据线12及所述像素电极11之间的导通或断开，从而实现新式信号传输设计，相较于传统的薄膜场效应晶体管结构而言，所述导电单元13的设置可以避免显示面板的栅极与薄膜场效应晶体管的源漏极之间产生寄生电容的现象，从而避免所述显示面板10出现画面残像不良及画面异常等情形，进而使得所述显示面板10具有优良的显示品质。
请再次参阅图3、图5、图7及图9。所述阵列基板30还包括控制线14，所述控制线14设置于所述收容件131的一侧，所述控制线14用于加载控制电场。当所述导电单元13处于第一状态时，所述控制线14加载第一控制信号以产生所述控制电场，所述多个导电粒子132位于邻近所述控制线14的第一位置，所述多个导电粒子132导通于所述数据线12及所述像素电极11。当所述导电单元13处于第二状态时，所述控制线14加载第二控制信号以产生所述控制电场，所述多个导电粒子132位于背离所述控制线14的第二位置，且分别与所述数据线12及所述像素电极11间隔且绝缘。
可选地，在本申请一种实施方式中，所述像素电极11及所述数据线12间隔排布于所述收容腔1311的两侧，所述控制线14设置于所述收容件131的一侧，且所述控制线14与所述收容件131的排布方向可以垂直于或大致垂直于所述像素电极11与所述数据线12的排布方向。
可选地，在本申请另一种实施方式中，所述像素电极11及所述数据线12间隔排布于所述收容腔1311的两侧，所述控制线14设置于所述收容件131的一侧，且所述控制线14与所述收容件131的排布方向可以沿着或大致沿着所述像素电极11与所述数据线12的排布方向。
可选地，所述控制线14的数量可以为但不仅限于为一个、或两个、或三个、或四个、或其他数量等，可以理解地，所述控制线14的数量设置不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。
可选地，所述导电粒子132可以带有电荷，所述控制线14可以加载具有与电荷相同极性、或相反极性的信号，并通过同性相斥、异性相吸的原理来控制所述导电粒子132的运动状态。
可选地，在本申请一种实施方式中，以单个所述导电单元13的一侧设置单个所述控制线14为例进行示意，且所述控制线14与所述收容件131的排布方向垂直于或大致垂直于所述像素电极11与所述数据线12的排布方向。从而在所述控制线14加载控制电场时，可以控制所述多个导电粒子132沿着垂直于或大致垂直于所述像素电极11与所述数据线12的排布方向的方向上进行运动。所述控制线14可以设置于所述收容件131邻近所述像素电极11与所述数据线12的一侧。从而当所述导电单元13处于第一状态时，所述控制线14加载第一控制信号，所述第一控制信号产生的控制电场对导电粒子132具有吸引作用，从而使得所述多个导电粒子132运动至邻近所述控制线14的第一位置，并导通于所述数据线12及所述像素电极11。当所述导电单元13处于第二状态时，所述控制线14加载第二控制信号，所述第二控制信号产生的控制电场对导电粒子132具有排斥作用，从而使得所述多个导电粒子132运动至背离所述控制线14的第二位置，且分别与所述数据线12及所述像素电极11间隔且绝缘，从而断开所述数据线12及所述像素电极11之间的电连接，完成信号切断，从而实现新式信号传输设计，进而避免所述显示面板10出现画面残像不良及画面异常等情形，保障了所述显示面板10的光学品味及产品良率。
可以理解地，在本申请其他实施方式中，所述控制线14也可以设置于所述收容件131背离所述像素电极11与所述数据线12的一侧。具体地，当所述导电单元13处于第一状态时，所述控制线14加载第一控制信号，所述第一控制信号产生的控制电场对导电粒子132具有排斥作用。当所述显示面板10处于第二状态时，所述控制线14加载第二控制信号，所述第二控制信号产生的控制电场对导电粒子132具有吸引作用，从而也可以分别实现导通与断开所述数据线12及所述像素电极11的电连接关系。
可以理解地，在本申请其他实施方式中，所述控制线14与所述收容件131的排布方向可以沿着或大致沿着所述像素电极11与所述数据线12的排布方向。所述控制线14的数量可以为多个，且多个所述控制线14可以分别设置于所述收容件131相背的两侧，并通过控制电场对所述导电粒子132的吸引、或排斥作用，使得所述导电粒子132运动至邻近或背离所述数据线12及所述像素电极11所在的位置，从而实现对所述数据线12及所述像素电极11的导通或中断信号的传输。
请再次参阅图3、图5、图7、图9及图13，图13是本申请实施方式的显示面板部分结构的俯视示意图。所述阵列基板30还包括栅极传输线15，所述栅极传输线15作为所述控制线14。
可选地，在本申请一种实施方式中，以所述阵列基板30的栅极传输线15作为所述控制线14为例进行示意。
具体地，所述栅极传输线15可以设置于所述导电单元13的一侧，且所述栅极传输线15即可以在所述阵列基板30中传输栅极（gata）信号，又可以作为所述控制线14产生控制电场来控制所述导电粒子132的运动位置。在本实施方式中，通过对所述栅极传输线15的复用，可以不用在所述显示面板10中额外设置所述控制线14，从而避免所述阵列基板30的制程及成本的增加，使得所述阵列基板30的适用范围更加广泛。
请参阅图3、图7及图10，图10是本申请实施方式的导电粒子的结构示意图。所述导电粒子132包括电荷层1321及导电层1322，所述电荷层1321带有第一极性的电荷，所述导电层1322包裹于所述电荷层1321的外表面。当所述栅极传输线15加载第二极性电压信号以作为第一控制信号时，以使所述多个导电粒子132位于邻近所述栅极传输线15的第一位置。当所述栅极传输线15加载第一极性电压信号以作为第二控制信号时，以使所述多个导电粒子132位于背离所述栅极传输线15的第二位置。
可选地，所述导电粒子132包括电荷层1321及导电层1322，所述导电层1322包裹于所述电荷层1321的外表面。且所述导电粒子132可以由所述电荷层1321及所述导电层1322共同构成，也可以在所述电荷层1321背离所述导电层1322的一侧可以设置有基体材料或中空腔室，本申请对此不做限定。
可选地，所述电荷层1321带有第一极性的电荷，所述第一极性可以为但不仅限于为正极（“+”）或负极（“-”）。
可选地，所述第二极性可以为但不仅限于为负极（“-”）或正极（“+”），所述第二极性可以与所述第一极性相反。
可选地，所述导电层1322的材质可以为但不仅限于为金属、或非金属、或复合材料等导电材料等，例如，所述导电层1322的材质可以选用为金（Au），在所述显示面板10的制程中实现金（Au）的涂覆的工艺较为成熟，且可以使得所述导电层1322具有良好的导电性能。可以理解地，所述导电层1322的材质也可以选用铜、或炭黑、或其他导电性能良好的材料构成，所述导电层1322的材质不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。
需要说明的是，在本实施方式中，由于所述栅极传输线15为通过同性相斥、异性相吸的原理进行控制所述导电粒子132，换言之，所述栅极传输线15给到所述导电粒子132的作用力包括垂直方向的磁场力，因此使得所述电荷层1321不会被所述导电层1322所屏蔽。
进一步可选地，所述导电层1322也可以设置有开口、或设置为金属网络、或碳纤维网络等，从而进一步保障所述栅极传输线15与所述电荷层1321之间的有效作用力。
在本实施方式中，所述电荷的第一极性可以为正极（“+”）或负极（“-”）。当所述电荷的极性为正极时，所述栅极传输线15可以加载具有负极极性的电压信号，以作为第一控制信号。从而所述导电粒子132在所述第一控制信号的作用下，可以将所述多个导电粒子132吸引至邻近所述栅极传输线15的第一位置。所述栅极传输线15还可以加载具有正极极性的电压信号，以作为第二控制信号，从而所述导电粒子132在所述第二控制信号的作用下，可以将所述多个导电粒子132排斥至背离所述栅极传输线15的第二位置。从而分别实现对所述像素电极11及所述数据线12的导通与中断，且所述电荷层1321的设置保障了所述栅极传输线15对所述导电粒子132运动的精准控制，所述导电层1322的设置可以作为信号传输的桥梁渠道，并使得所述像素电极11与所述数据线12导通时可以进行快速的信号传输。
请再次参阅图3及图7。当所述栅极传输线15加载第一控制信号时，至少部分所述导电粒子132抵接于所述数据线12，且另外至少部分所述导电粒子132抵接于所述像素电极11，并传输数据信号至所述像素电极11。当所述栅极传输线15加载第二控制信号时，多个所述导电粒子132与所述数据线12及所述像素电极11中的至少一者为间隔设置，并断开所述数据线12与所述像素电极11的电连接。
可选地，当所述栅极传输线15加载第一控制信号时，至少部分所述导电粒子132抵接于所述数据线12，另外至少部分所述导电粒子132抵接于所述像素电极11，且所述多个导电粒子132可以为依次相互抵接，从而所述数据线12输出的数据信号可以通过所述多个导电粒子132传输至所述像素电极11。
可选地，当所述栅极传输线15加载第二控制信号时，多个所述导电粒子132与所述数据线12及所述像素电极11中的一者为间隔设置，或多个所述导电粒子132均与所述数据线12及所述像素单元19为间隔设置，从而断开所述数据线12与所述像素单元19之间的电连接关系，并中断数据信号的传输。
可选地，所述导电单元13还可以设置于相邻的两个像素单元19之间。可选地，所述导电粒子132还可以为不透光材质，从而使得所述多个导电粒子132在相邻的两个像素单元19之间部分取代、或完全取代常规显示面板10中的黑矩阵（Black Matrix，BM）结构，进而减少所述显示面板10制程中相关材料的使用，且可以减少显示面板10的光罩（mask）工序等，从而有效控制所述显示面板10的生产成本及加工时序。
请参阅图11及图12，图11是本申请实施例三的显示面板在a处的局部放大结构示意图，图12是本申请实施例三的显示面板在c处的局部放大结构示意图。所述收容件131具有形成所述收容腔1311的底壁1312、第一侧壁1313、第二侧壁1314、第三侧壁1315、第四侧壁1316及顶壁1317，所述第一侧壁1313与所述底壁1312弯折相连，所述第二侧壁1314与所述底壁1312弯折相连且与所述第一侧壁1313相对设置，所述第三侧壁1315与所述第一侧壁1313弯折相连且背离所述底壁1312，所述第四侧壁1316与所述第二侧壁1314弯折相连且与所述第三侧壁1315相对设置，所述顶壁1317分别与所述第三侧壁1315及所述第四侧壁1316弯折相连且与所述底壁1312相对设置。所述像素电极11部分设置于所述第一侧壁1313邻近所述第三侧壁1315的部分，所述数据线12设置于所述第二侧壁1314。当所述导电单元13处于所述第一状态时，所述多个导电粒子132相互抵持且电连接，且所述多个导电粒子132部分覆盖且电连接所述像素电极11，部分覆盖所述第一侧壁1313背离所述第三侧壁1315的一端，部分覆盖所述底壁1312，且部分覆盖且电连接所述数据线12。
可选地，在本申请一种实施方式中，以所述收容件131的横截面为六边形或近似于六边形为例进行示意。
具体地，所述收容件131具有形成所述收容腔1311的底壁1312、第一侧壁1313、第二侧壁1314、第三侧壁1315、第四侧壁1316及顶壁1317，且所述第一侧壁1313、所述底壁1312、所述第二侧壁1314、所述第四侧壁1316、所述顶壁1317与所述第三侧壁1315为依次弯折相连，且所述第一侧壁1313、所述底壁1312、所述第二侧壁1314、所述第四侧壁1316、所述顶壁1317与所述第三侧壁1315可以围设成六边形体或近似于六边形体的形状。
可选地，所述第二侧壁1314与所述第一侧壁1313相对设置，即所述第二侧壁1314与所述第一侧壁1313可以关于所述收容件131的中轴线为对称设置或近似于对称设置。
可选地，所述像素电极11部分设置于所述第一侧壁1313邻近所述第三侧壁1315的部分，所述像素电极11的另外部分可以设置于所述显示面板10的像素单元19。
可选地，所述数据线12设置于所述第二侧壁1314，并与所述像素电极11的部分为相对设置。
可选地，当所述显示面板10处于所述第一状态时，所述多个导电粒子132为相互抵持且电连接，且由于所述像素电极11部分设置于所述第一侧壁1313邻近所述第三侧壁1315的部分，所述数据线12设置于所述第二侧壁1314，使得所述多个导电粒子132在邻近于所述底壁1312、所述第一侧壁1313及所述第二侧壁1314设置时，可以便于部分覆盖所述像素电极11的表面并电连接至所述像素电极11，且所述多个导电粒子132便于部分覆盖所述数据线12的表面并电连接至所述数据线12。从而当所述导电单元13处于所述第一状态时，所述多个导电粒子132可以实现快速地导通所述像素电极11及所述数据线12，进而使得所述显示面板10可以进行快速响应并切换显示画面。
请再次参阅图11及图12。当所述导电单元13处于第二状态时，所述多个导电粒子132部分覆盖所述第三侧壁1315且与所述像素电极11间隔且绝缘，所述多个导电粒子132部分覆盖所述第四侧壁1316且与所述数据线12间隔且绝缘，所述多个导电粒子132部分覆盖所述顶壁1317。
可选地，当所述导电单元13处于第二状态时，所述多个导电粒子132在所述控制电场的作用下可以位于所述顶壁1317、所述第三侧壁1315及所述第四侧壁1316所在的位置。由于所述像素电极11为设置于所述第一侧壁1313，所述数据线12为设置于所述第二侧壁1314，使得在所述导电单元13处于第二状态时，所述多个导电粒子132可以与所述像素电极11间隔且绝缘设置，所述多个导电粒子132与所述数据线12间隔且绝缘设置，从而实现对数据信号传输的快速切断，进而使得所述显示面板10可以进行快速地响应。
可选地，当所述导电单元13处于第二状态时，所述多个导电粒子132可以为但不仅限于为相互抵接、或不相互抵接。且所述多个导电粒子132可以部分覆盖、或全面覆盖所述顶壁1317，本申请对此不做限定。
请再次参阅图3及图7。所述阵列基板30还包括绝缘层16，所述绝缘层16部分设置于所述控制线14与所述像素电极11之间，并用于绝缘所述控制线14及所述像素电极11，所述绝缘层16部分设置于所述控制线14与所述导电单元13之间，并用于绝缘所述控制线14及所述导电单元13。
可选地，所述阵列基板30还可以包括基板18。所述控制线14设置于所述基板18上，所述绝缘层16可以覆盖于所述控制线14背离所述基板18的表面设置，从而使得所述控制线14可以与所述像素电极11、及所述导电单元13之间进行绝缘设置，从而对所述控制线14、所述像素电极11及所述导电单元13进行保护，而避免所述阵列基板30出现短路而烧坏所述显示面板10的情形，从而保障了所述显示面板10的安全工作运行。
可选地，所述绝缘层16的材质可以为但不仅限于为氧化硅（SiOx）、或氮化硅（SiNx）、或聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、或聚酰亚胺（P1）、或其他材料等，可以理解地，所述绝缘层16的材质不应当成为对本实施方式提供的阵列基板30的限定。
请再次参阅图3及图7。所述阵列基板30还包括平坦层17，所述平坦层17设置于所述像素电极11及所述导电单元13背离所述绝缘层16的表面，且所述平坦层17与所述绝缘层16共同围设形成所述收容腔1311。
可选地，所述平坦层17（PFA）可以覆盖于所述像素电极11及所述导电单元13背离所述绝缘层16的表面。且所述平坦层17可以与所述绝缘层16共同围设形成所述收容腔1311，从而仅需在所述阵列基板30原有的制程中增加对所述平坦层17、所述绝缘层16的刻蚀或其他工艺，即可得到所述收容腔1311，从而简化所述导电单元13的制备流程。
可选地，所述显示面板10还可以包括像素单元19，所述像素单元19设置于所述基板18上，所述像素电极11设置于所述像素单元19背离所述基板18的一侧。且所述像素单元19的数量为多个，多个所述像素单元19为彼此间隔设置，所述导电单元13设置于相邻的两个所述像素单元19之间的间隔位置。所述平坦层17可以覆盖于所述像素单元19、所述像素电极11及所述导电单元13的表面，从而使得所述像素单元19、所述像素电极11及所述导电单元13之间实现平坦化，进而使得所述显示面板10具有均匀和优良的显示效果。
可选地，在本申请一种实施方式中，所述导电单元13的制备流程可以包括：步骤一，通过沉积工艺或其他工艺等制备所述像素单元19；步骤二，制备所述控制线14；步骤三，通过蒸镀或其他工艺等制备所述绝缘层16；步骤四，刻蚀所述绝缘层16并形成部分所述收容腔1311；步骤五，通过蒸镀或其他工艺等制备所述像素电极11；步骤六，在所述收容腔1311内放入所述多个微球，并在所述收容腔1311内放入透明模具；步骤七，通过蒸镀或其他工艺等制备所述平坦层17。可以理解地，在本申请其他实施方式中，也可以通过其他工艺步骤来得到所述导电单元13，所述导电单元13的制备工艺及制备流程不应当成为对本实施方式提供的显示面板10的限定。
请再次参阅图1及图2。本申请还提供一种显示面板10，所述显示面板10包括所述阵列基板30。
可选地，在本申请一种实施方式中，所述显示面板10可以为液晶显示面板，所述像素单元19可以包括色阻层。在本实施方式中，将所述显示面板10的彩膜（Color Filter，CF）基板与阵列（Araay）基板进行结合在一起，即可以采用COA（Color-filter on Array）技术来制备所述显示面板10，进而使得所述显示面板10的制程得到大幅度的简化，同时避免了显示面板10的色阻层与阵列基板对位不够精准的情形，且可以改善传统色阻层开口率低的问题。
进一步可选地，在本申请另一种实施方式中，所述显示面板10可以为OLED显示面板，所述像素单元19可以包括有机发光层及阳极、阴极，所述有机发光层可以夹设于所述阴极与所述阳极之间，并在所述阴极与所述阳极的共同作用下进行发光。
请再次参阅图1及图2、图3。本申请还提供一种显示装置1，所述显示装置1包括处理器20及所述显示面板10。所述处理器20控制所述控制电场，以使所述数据线12与所述像素电极11之间进行数据信号的导通或切断。
可选地，所述显示装置1可以为但不仅限于为液晶显示装置（Liquid CrystalDisplay，LCD）、或次毫米发光二极管（Mini-Light Emitting Diode，Mini-LED）显示装置、或微发光二极管（Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED）显示装置、或有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示装置等，可以理解地，所述显示装置1也可以为其他功能类型，所述显示装置1的功能类型不应当成为对本实施方式提供的显示装置1的限定。
可选地，所述处理器20可以设置于所述显示装置1内，并用于控制所述控制电场，以使所述数据线12与所述像素电极11之间进行数据信号的导通或切断。具体地，所述显示面板10包括像素电极11、数据线12及导电单元13。其中，所述导电单元13包括收容件131及多个导电粒子132，所述收容件131位于所述数据线12与所述像素电极11之间，所述多个导电粒子132、部分像素电极11及部分数据线12收容于所述收容件131的收容腔1311内，所述多个导电粒子132可在控制电场的控制下运动。所述导电单元13具有第一状态及第二状态，当所述导电单元13处于第一状态时，所述多个导电粒子132在所述控制电场的控制下导通所述数据线12及所述像素电极11。当所述导电单元13处于第二状态时，所述多个导电粒子132在所述控制电场的控制下断开所述数据线12与所述像素电极11的电连接。所述显示面板10通过控制所述导电单元13中所述多个导电粒子132的运动状态可以实现所述数据线12及所述像素电极11之间的导通或断开，从而实现新式信号传输设计，相较于传统的薄膜场效应晶体管结构而言，所述导电单元13的设置可以避免所述显示面板10的栅极与薄膜场效应晶体管的源漏极之间产生寄生电容的现象，且可以减少所述显示面板10的信号线与电极之间的耦合作用，从而避免所述显示面板10出现画面残像不良及画面异常等情形，进而使得所述显示面板10及所述显示装置1具有优良的显示品质。
在本申请中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。此外，还应该理解的是，本申请各实施例所描述的特征、结构或特性，在相互之间不存在矛盾的情况下，可以任意组合，形成又一未脱离本申请技术方案的精神和范围的实施例。
最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。
Claims (8)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
多个像素单元，相邻的两个像素单元之间具有间隙；
多个像素电极；
数据线，所述数据线与所述像素电极间隔设置；及
导电单元，所述导电单元的一端连接于所述像素电极，所述导电单元的另一端连接于所述数据线，所述导电单元设置于所述间隙，并遮挡自所述间隙出射的光线，所述导电单元包括收容件及多个导电粒子，所述收容件位于所述数据线与所述像素电极之间，且所述收容件具有收容腔，所述多个导电粒子、部分像素电极及部分数据线收容于所述收容腔内，所述导电粒子为不透光材质，所述导电粒子包括电荷层及导电层，所述导电层包裹于所述电荷层的外表面，所述电荷层带有第一极性的电荷，且所述电荷层围设形成中空腔室，所述多个导电粒子可在控制电场的控制下运动；
所述导电单元具有第一状态及第二状态，当所述导电单元处于第一状态时，所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下导通所述数据线及所述像素电极；当所述导电单元处于第二状态时，所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下断开所述数据线与所述像素电极的电连接；
其中，所述收容件具有形成所述收容腔的底壁、第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁及顶壁，所述第一侧壁与所述底壁弯折相连，所述第二侧壁与所述底壁弯折相连且与所述第一侧壁相对设置，所述第三侧壁与所述第一侧壁弯折相连且背离所述底壁，所述第四侧壁与所述第二侧壁弯折相连且与所述第三侧壁相对设置，所述顶壁分别与所述第三侧壁及所述第四侧壁弯折相连且与所述底壁相对设置；
所述像素电极部分设置于所述第一侧壁邻近所述第三侧壁的部分，所述数据线设置于所述第二侧壁；
当所述导电单元处于所述第一状态时，所述多个导电粒子相互抵持且电连接，且所述多个导电粒子部分覆盖且电连接所述像素电极，部分覆盖所述第一侧壁背离所述第三侧壁的一端，部分覆盖所述底壁，且部分覆盖且电连接所述数据线；
当所述导电单元处于第二状态时，所述多个导电粒子部分覆盖所述第三侧壁且与所述像素电极间隔且绝缘，所述多个导电粒子部分覆盖所述第四侧壁且与所述数据线间隔且绝缘，所述多个导电粒子部分覆盖所述顶壁。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
控制线，所述控制线设置于所述收容件的一侧，所述控制线用于加载控制电场；
当所述导电单元处于第一状态时，所述控制线加载第一控制信号以产生所述控制电场，所述多个导电粒子位于邻近所述控制线的第一位置，所述多个导电粒子导通于所述数据线及所述像素电极；
当所述导电单元处于第二状态时，所述控制线加载第二控制信号以产生所述控制电场，所述多个导电粒子位于背离所述控制线的第二位置，且分别与所述数据线及所述像素电极间隔且绝缘。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
栅极传输线，所述栅极传输线作为所述控制线。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，当所述栅极传输线加载第二极性电压信号以作为第一控制信号时，所述多个导电粒子位于邻近所述栅极传输线的第一位置；
当所述栅极传输线加载第一极性电压信号以作为第二控制信号时，所述多个导电粒子位于背离所述栅极传输线的第二位置。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
当所述栅极传输线加载第一控制信号时，至少部分所述导电粒子抵接于所述数据线，且另外至少部分所述导电粒子抵接于所述像素电极，并传输数据信号至所述像素电极；
当所述栅极传输线加载第二控制信号时，多个所述导电粒子与所述数据线及所述像素电极中的至少一者为间隔设置，并断开所述数据线与所述像素电极的电连接。
6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
绝缘层，所述绝缘层部分设置于所述控制线与所述像素电极之间，并用于绝缘所述控制线及所述像素电极，所述绝缘层部分设置于所述控制线与所述导电单元之间，并用于绝缘所述控制线及所述导电单元；及
平坦层，所述平坦层设置于所述像素电极及所述导电单元背离所述绝缘层的表面，且所述平坦层与所述绝缘层共同围设形成所述收容腔。
7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1~6任意一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括处理器及如权利要求7所述的显示面板；
所述处理器控制所述控制电场，以使所述数据线与所述像素电极之间进行数据信号的导通或切断。
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