CN105047673A - 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

薄膜晶体管阵列基板包括基板、第一金属层、第一绝缘保护层、半导体层、第二金属层、第二绝缘保护层、第一导电层、第三绝缘保护层和第二导电层。第一导电层形成在第二绝缘保护层上。第三绝缘保护层覆盖第一导电层以及未被第一导电层覆盖的第二绝缘保护层，第三绝缘保护层具有第一通孔，第三绝缘保护层和第二绝缘层具有第二通孔。第二导电层形成在第三绝缘保护层上，包括第一部分和第二部分，第一部分通过第一通孔与第一导电层接触实现电连接共同形成第一电极，第二部分通过第二通孔与第二金属层接触实现电连接，第二部分是第二电极。薄膜晶体管阵列基板具有高的穿透率。本发明还涉及薄膜晶体管阵列基板的制作方法及液晶显示装置。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，且特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。

背景技术

目前，液晶显示装置(LCD，LiquidCrystalDisplay)的显示屏幕越来越大，而在大尺寸的显示屏幕中，每英寸所拥有的像素数目(PPI，PixelsPerInch)数值越高，即代表显示屏幕能够以越高的密度显示图像，显示密度越高，拟真度就越高，画面的细节就会越丰富。现有的高PPI的液晶显示装置的穿透率低一直是困扰液晶显示模式的一个问题，穿透率是指显示装置的显示区域透过光的效率，即透过透明或半透明的光通量与其入射光通量的百分率。为了提高液晶显示装置的穿透率，一般的方法是使用新材料或者使用新技术如低温多晶硅技术(LTPS，LowTemperaturePoly-silicon)、有机发光二极管技术(OLED，OrganicLightEmittingDiode)等，而新材料和新技术的制程条件苛刻且良率较低。

图1是现有一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图，图2是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅱ-Ⅱ线的剖面结构示意图，请参阅图1和图2，薄膜晶体管阵列基板1包括多条扫描线和多条数据线，且多条扫描线和多条数据线相互交叉限定出多个像素区域，扫描线和数据线交叉位置处设置有薄膜晶体管，图1中所示的是薄膜晶体管阵列基板中的一个像素区域内的示意图。现有的薄膜晶体管阵列基板1包括基板10、栅极11、第一绝缘保护层12、半导体层13、源极14a和漏极14b、第二绝缘保护层15、像素电极16、第三绝缘保护层17和公共电极18。栅极11形成在基板10上。第一绝缘保护层12形成在基板10上并覆盖栅极11。半导体层13形成在第一绝缘保护层12上并位于栅极11上方。源极14a和漏极14b形成在第一绝缘保护层12上，源极14a和漏极14b彼此分隔并分别与半导体层13接触，以使部分的半导体层13从源极14a和漏极14b之间露出。第二绝缘保护层15形成在第一绝缘保护层12上，并覆盖源极14a和漏极14b以及从源极14a和漏极14b之间露出部分的半导体层13，在第二绝缘保护层15上形成通孔15a，以导通漏极14b和像素电极16。像素电极16形成在第二绝缘保护层15上，并通过通孔15a中与漏极14b接触实现电连接。第三绝缘保护层17覆盖像素电极16以及像素电极16未盖住的第二绝缘保护层15的部分。公共电极18形成在第三绝缘保护层17上。

现在的液晶显示装置中，制作薄膜晶体管阵列基板1的过程中一般都先制作像素电极16并使像素电极16与漏极14b电连接，之后在像素电极16上方形成第三绝缘保护层17，再在第三绝缘保护层17上形成公共电极18，像素电极16与公共电极18的中间间隔着第三绝缘保护层17，位于不同的平面上，这样就导致像素电极16与公共电极18之间的电场强度较弱，当背光源的光线穿过薄膜晶体管阵列基板1的显示区域时，光穿透能力比较差，所形成的液晶显示装置的穿透率低。

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其有助于提高液晶显示装置的穿透率。

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其所制作的薄膜晶体管阵列基板有助于提高液晶显示装置的穿透率。

本发明提供了一种液晶显示装置，其具有较高的穿透率。

本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。

一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、第一金属层、第一绝缘保护层、半导体层、第二金属层、第二绝缘保护层、第一导电层、第三绝缘保护层和第二导电层。第一金属层，形成在所述基板上。第一绝缘保护层，形成在基板上并覆盖第一金属层。半导体层，形成在第一绝缘保护层上并位于第一金属层上方。第二金属层，形成在第一绝缘保护层上，包括源极、漏极和数据线，源极和漏极彼此分隔并分别与半导体层接触，部分的半导体层从源极和漏极之间露出。第二绝缘保护层，形成在第一绝缘保护层上，并覆盖源极、漏极、数据线以及覆盖从源极和漏极之间露出部分的半导体层。第一导电层，形成在第二绝缘保护层上，第一导电层未覆盖位于漏极上方的部分第二绝缘保护层。第三绝缘保护层，覆盖第一导电层以及未被第一导电层覆盖的第二绝缘保护层，第三绝缘保护层具有第一通孔以露出部分第一导电层，第三绝缘保护层和第二绝缘层具有第二通孔以露出部分漏极。第二导电层，形成在第三绝缘保护层上，第二导电层包括第一部分和第二部分，第一部分通过第一通孔与第一导电层接触实现电连接，由第一部分与第一导电层共同形成第一电极，第二部分通过第二通孔与漏极接触实现电连接，第二部分是第二电极。

在本发明较佳实施例中，上述第二导电层的第一部分位于数据线所在位置的上方，第一部分与第二部分之间相互不连接。

在本发明较佳实施例中，上述第一通孔位于数据线所在位置的上方，第一通孔贯通第三绝缘保护层，第二通孔位于漏极所在位置的上方，第二通孔贯通第三绝缘保护层和第二绝缘保护层。

在本发明较佳实施例中，上述第一电极是公共电极，第二电极是像素电极。

一种液晶显示装置，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成第一金属层。形成第一绝缘保护层，并覆盖第一金属层，在第一绝缘保护层形成半导体层，使半导体层位于第一金属层上方。在第一绝缘保护层形成第二金属层，第二金属层包括源极、漏极和数据线，源极和漏极彼此分隔并分别与半导体层接触，以使部分半导体层从源极和漏极之间露出。形成第二绝缘保护层，覆盖源极、第漏极、数据线以及从源极和漏极之间露出的部分半导体层。在第二绝缘保护层上形成第一导电层，形成的第一导电层未覆盖位于漏极上方的部分第二绝缘保护层。在第一导电层上形成第三绝缘保护层，覆盖第一导电层以及未被第一导电层覆盖的第二绝缘保护层，形成第一通孔以露出部分第一导电层，形成第二通孔以露出部分漏极。在第三绝缘保护层上形成第二导电层，第二导电层包括第一部分和第二部分，第一部分通过第一通孔与第一导电层接触实现电连接，由第一部分与第一导电层共同形成第一电极，第二部分通过第二通孔与漏极接触实现电连接，第二部分是第二电极。

在本发明较佳实施例中，上述第一通孔和第二通孔在同一制程中完成。

在本发明较佳实施例中，上述第二导电层的第一部分位于数据线所在位置的上方，第一部分与第二部分之间相互不连接。

在本发明较佳实施例中，上述第一通孔位于数据线所在位置的上方，第一通孔贯通第三绝缘保护层，第二通孔位于漏极所在位置的上方，第二通孔贯通第三绝缘保护层和第二绝缘保护层。

在本发明较佳实施例中，上述第一电极是公共电极，第二电极是像素电极。

本发明的有益效果是，本发明的薄膜晶体管阵列基板的第二导电层包括第一部分和第二部分，第一部分通过位于第三绝缘保护层中的第一通孔与第一导电层接触实现电连接，由第一部分与第一导电层共同形成第一电极。第二部分通过位于第三绝缘保护层和第二绝缘保护层的第二通孔与第二金属层接触实现电连接，第二导电层的第二部分是第二电极。薄膜晶体管阵列基板的第一电极和第二电极位于同一个平面，增强了第一电极与第二电极之间的电场强度，使得光线穿过显示区域的穿透能力变强，有效地提高了薄膜晶体管阵列基板的穿透率，进而使得具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的具有较高的穿透率。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述液晶显示装置及其制作方法和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明。

附图说明

图1是现有一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。

图2是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅱ-Ⅱ线的剖面结构示意图。

图3是本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。

图4A至图4F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的制作流程的平面结构示意图。

图5A至图5F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅴ-Ⅴ线的剖面制作流程示意图。

图6是具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置与具有现有的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比图。

图7是具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时与具有现有的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时的穿透率-电压的效果对比图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：

有关本发明的前述及其它技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。

图3是本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图，图4A至图4F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的制作流程的平面结构示意图，图5A至图5F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅴ-Ⅴ线的剖面制作流程示意图，请一并参阅图3、图4A至图4F、图5A至图5F，需要说明的是，薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线和多条数据线，且多条扫描线和多条数据线相互交叉限定出多个像素区域，扫描线和数据线交叉位置处设置有薄膜晶体管，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再赘述。为了图示简洁，图3、图4A至图4F、图5A至图5F仅绘示对应薄膜晶体管阵列基板的一个像素区域的局部结构示意图，并且为了更方便直观地体现像素区域内由不透光材料形成的各元件之间的位置关系，图4A至图4F未绘示出由透明材料形成的基板100、第一绝缘保护层120、第二绝缘保护层150和第三绝缘保护层170，有关基板100、第一绝缘保护层120、第二绝缘保护层150和第三绝缘保护层170的位置关系可参考图5A至图5F。以下将对本实施例的薄膜晶体管阵列基板的制作方法做进一步的详细说明。

步骤S11：请参照图4A和图5A，利用第一道光罩制程在基板100上形成第一金属层110。基板100例如是透明玻璃基板，第一金属层110例如是栅极。

步骤S12：请参照图4B和图5B，在基板100上形成第一绝缘保护层120，并覆盖第一金属层110，第一绝缘保护层120例如是栅极绝缘层。利用第二道光罩制程在第一绝缘保护层120上形成半导体层130，并使半层体层130位于第一金属层110例如栅极的上方。半导体层130例如是非晶硅(a-Si)半导体层，但并不以此为限。

步骤S13：请参照图4C和图5C，在半导体层130形成之后，利用第三道光罩制程在第一绝缘保护层120上形成第二金属层140，第二金属层140例如是源漏极以及数据线。本实施例中第二金属层140包括源极142、漏极144和数据线146，但并不以此为限。源极142和漏极144彼此分隔并分别与半导体层130直接接触而覆盖部分的半导体层130。换句话说，部分半导体层130从源极142和漏极154之间暴露出来。本实施例中，源极142与数据线146连接，但并不以此为限。

步骤S14：请参照图4D和图5D，在第二金属层140形成之后，在第一绝缘保护层120上形成第二绝缘保护层150，并覆盖源极142、漏极144、数据线146以及覆盖从源极142和漏极144之间暴露出来的半导体层130。第二绝缘保护层150例如是由氮化硅(SiNx)形成的钝化层(PV，Passivation)或者是由有机树脂形成的保护层(OC，Overcoat)。然后，利用第四道光罩制程在第二绝缘保护层150上形成第一导电层160。第一导电层160例如是由氧化铟锡(ITO，IndiumTinOxide)等透明导电材料制成，但并不以此为限。第一导电层160未覆盖薄膜晶体管所在位置上方的部分第二绝缘保护层150，即第一导电层160未覆盖位于漏极144上方的部分第二绝缘保护层150，换句话说，第一导电层160在对应漏极144所在位置处具有缺口以露出部分第二绝缘保护层150。

步骤S15：请参照图4E和图5E，在第一导电层160形成之后，形成第三绝缘保护层170，并覆盖第一导电层160以及未被第一导电层160覆盖的第二绝缘保护层150，第三绝缘保护层170例如是由氮化硅(SiNx)形成的钝化层(PV，Passivation)。然后，利用第五道光罩制程在第一导电层160上方的第三绝缘保护层170形成第一通孔172以露出部分第一导电层160，也就是说，第一通孔172的位于第一导电层160的上方，并且，第一通孔172贯通第三绝缘保护层170，优选地，第一通孔172的位置位于数据线146所在位置的上方。利用同一道光罩制程在第二金属层140的漏极144位置上方的第二绝缘保护层150和第三绝缘保护层170中形成第二通孔174以露出部分的第二金属层140的漏极144，也就是说，第二通孔174的位置大致是在漏极144的上方，并且，第二通孔174同时贯通第三绝缘保护层170和第二绝缘保护层150。同时还可利用同一道光罩制程在薄膜晶体管阵列基板的显示区域外围形成第三通孔(图未绘示)用于制作周边连线，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再赘述。

步骤S16：请参照图4F和图5F，利用第六道光罩制程在第三绝缘保护层170形成第二导电层180，第二导电层180例如是由氧化铟锡(ITO，IndiumTinOxide)等透明导电材料制成，但并不以此为限。本实施例中，第二导电层180包括第一部分182和第二部分184，第一部分182大致位于数据线146所在位置的上方，第二部分184大致位于第一部分182位置以外的大部分区域，并且第一部分182与第二部分184之间相互不连接。本实施例中，第一部分182通过第一通孔172与第一导电层160接触，也即是说，第一部分182与第一导电层160接触实现电连接，例如由第一部分182与第一导电层160共同形成第一电极，第一电极例如是公共电极。第二部分184通过第二通孔174与第二金属层140的漏极144接触，也即是说，第二部分184与第二金属层140的漏极144电连接，第二部分184形成第二电极，第二电极例如像素电极。

利用以上六道光罩制程制作的如图3、图4F和图5F所示的薄膜晶体管阵列基板包括基板100、第一金属层110、第一绝缘保护层120、半导体层130、第二金属层140、第二绝缘保护层150、第一导电层160、第三绝缘保护层170和第二导电层180。第一金属层110形成基板100上，基板100例如是透明玻璃基板，第一金属层110例如是栅极。第一绝缘保护层120形成在基板100上并覆盖第一金属层110。半导体层130形成在第一绝缘保护层120上并位于第一金属层110例如栅极上方。第二金属层140形成在第一绝缘保护层120上，包括源极142、漏极144和数据线146，源极142和漏极144彼此分隔并分别与半导体层130接触，以使部分的半导体层130从源极142、漏极144之间露出，本实施例中，源极142与数据线146连接，但并不以此为限。第二绝缘保护层150形成在第一绝缘保护层130上，并覆盖第二金属层150(源极142、漏极144和数据线146)及覆盖从源极142和漏极144之间露出部分的半导体层130。第一电极160形成在第二绝缘保护层150上，且第一导电层160未覆盖位于漏极144上方的部分第二绝缘保护层150，换句话说，第一导电层160在对应漏极144所在位置处具有缺口以露出部分第二绝缘保护层150。第三绝缘保护层170覆盖第一导电层160以及未被第一导电层160覆盖的第二绝缘保护层150，第三绝缘保护层170具有第一通孔172，第一通孔172位于第一导电层160所在位置的上方，第一通孔172贯通第三绝缘保护层170以使部分第一导电层160暴露出来，进一步地，第一通孔172位于数据线146所在位置的上方。第三绝缘保护层170和第二绝缘保护层150具有第二通孔174，第二通孔174位于漏极144所在位置的上方，并且第二通孔174同时贯通第三绝缘保护层170和第二绝缘保护层150以使部分漏极144从第二通孔174暴露出来。第二导电层180形成在第三绝缘保护层170上，第二导电层180包括第一部分182和第二部分184，第一部分182大致位于数据线146所在位置的上方，第二部分184大致位于第一部分182位置以外的大部分区域，并且第一部分182和第二部分184相互不连接。本实施例中，第一部分182通过第一通孔172与第一导电层160接触实现电连接，由第一部分182与第一导电层160共同形成第一电极，第一电极例如是公共电极。第二部分184通过第二通孔174与第二金属层140的漏极144接触实现电连接，第二部分184是第二电极，第二电极例如是像素电极。

本实施例中的薄膜晶体管阵列基板包括基板100、第一金属层110、第一绝缘保护层120、半导体层130、第二金属层140、第二绝缘保护层150、第一导电层160、第三绝缘保护层170和第二导电层180。第二金属层140包括源极142、漏极144和数据线146。第一导电层160与第二导电层180之间设有第三绝缘保护层170，第二导电层180包括第一部分182和第二部分184，第一部分182通过位于第三绝缘保护层170中的第一通孔172与第一导电层160接触实现电连接，由第一部分182与第一导电层160共同形成第一电极。第二部分184通过位于第三绝缘保护层170和第二绝缘保护层150的第二通孔174与第二金属层140的漏极144接触实现电连接，第二导电层180的第二部分是第二电极。薄膜晶体管阵列基板的第一电极和第二电极位于同一个平面，增强了第一电极与第二电极之间的电场强度，使得光线穿过显示区域的穿透能力变强，有效地提高了薄膜晶体管阵列基板的穿透率，进而使得具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的具有较高的穿透率。

可以理解的是，上述的薄膜晶体管阵列基板可作为液晶显示装置的基板，液晶显示装置例如包括相对设置的薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光基板、以及夹设于薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间的液晶层，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再赘述。

图6是具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置与具有现有的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比图。请参阅图6，曲线①为具有现有的薄膜晶体管阵列基板1的液晶显示装置的穿透率与电压的关系曲线，而曲线②为具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板100的液晶显示装置的穿透率与电压的关系曲线。由于薄膜晶体管阵列基板的第一电极和第二电极位于同一个平面，增强了第一电极与第二电极之间的电场强度，有效地提高了薄膜晶体管阵列基板的光线穿透能力。在相同像素区域尺寸(如25μm×75μm)、相同的盒厚(如3.2μm)、相同的液晶(如MJ131496)下，具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置与具有现有的薄膜晶体管阵列基板1的液晶显示装置相比穿透率提升了10.69％。

图7是具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时与具有现有的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时的穿透率-电压的效果对比图，请参阅图7，当液晶显示装置的彩色滤光基板对应数据线位置省略设置了黑矩阵层时，曲线③为具有现有的薄膜晶体管阵列基板1的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时的穿透率与电压的关系曲线，而曲线④为具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板100的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时的穿透率与电压的关系曲线。由于薄膜晶体管阵列基板的第二导电层180包括第一部分182和第二部分184，第二导电层180的第一部分182位于数据线146的上方，且第一部分182属于第一电极，第二部分184是第二电极，因此第一电极与第二电极位于同一平面，当薄膜晶体管阵列基板通电后，第一电极与第二电极之间的电场强度增强，有效地提高了薄膜晶体管阵列基板的数据线146两侧的光线穿透能力，进而提高了液晶显示装置的穿透率。在相同像素区域尺寸(如25μm×75μm)、相同的盒厚(如3.2μm)、相同的液晶(如MJ131496)下，具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时与具有现有的薄膜晶体管阵列基板1的液晶显示装置中对应数据线位置未设置黑矩阵时相比穿透率提升了20.58％。

因此，具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置不管彩色滤光基板对应数据线146所在位置有没有设置黑矩阵，其穿透率均有效地得到了提升。

以上对本发明所提供的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层，形成在所述基板上；

第一绝缘保护层，形成在所述基板上并覆盖所述第一金属层；

半导体层，形成在所述第一绝缘保护层上并位于所述第一金属层上方；

第二金属层，形成在所述第一绝缘保护层上，包括源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极彼此分隔并分别与所述半导体层接触，部分的所述半导体层从所述源极和所述漏极之间露出；

第二绝缘保护层，形成在所述第一绝缘保护层上，并覆盖所述源极、所述漏极、所述数据线以及覆盖从所述源极和所述漏极之间露出部分的所述半导体层；

第一导电层，形成在所述第二绝缘保护层上，所述第一导电层未覆盖位于所述漏极上方的部分所述第二绝缘保护层；

第三绝缘保护层，覆盖所述第一导电层以及未被所述第一导电层覆盖的所述第二绝缘保护层，所述第三绝缘保护层具有第一通孔以露出部分所述第一导电层，所述第三绝缘保护层和所述第二绝缘层具有第二通孔以露出部分所述漏极；以及

第二导电层，形成在所述第三绝缘保护层上，所述第二导电层包括第一部分和第二部分，所述第一部分通过所述第一通孔与所述第一导电层接触实现电连接，由所述第一部分与所述第一导电层共同形成第一电极，所述第二部分通过所述第二通孔与所述漏极接触实现电连接，所述第二部分是第二电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第二导电层的所述第一部分位于所述数据线所在位置的上方，所述第一部分与所述第二部分之间相互不连接。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一通孔位于所述数据线所在位置的上方，所述第一通孔贯通所述第三绝缘保护层，所述第二通孔位于所述漏极所在位置的上方，所述第二通孔贯通所述第三绝缘保护层和所述第二绝缘保护层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一电极是公共电极，所述第二电极是像素电极。

5.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～4任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

6.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一金属层；

形成第一绝缘保护层，并覆盖所述第一金属层，在所述第一绝缘保护层形成半导体层，使所述半导体层位于所述第一金属层上方；

在所述第一绝缘保护层形成第二金属层，所述第二金属层包括源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极彼此分隔并分别与所述半导体层接触，以使部分所述半导体层从所述源极和所述漏极之间露出；

形成第二绝缘保护层，覆盖所述源极、所述漏极、所述数据线以及从所述源极和所述漏极之间露出的部分所述半导体层；

在所述第二绝缘保护层上形成第一导电层，形成的所述第一导电层未覆盖位于所述漏极上方的部分所述第二绝缘保护层；

在所述第一导电层上形成第三绝缘保护层，覆盖所述第一导电层以及未被所述第一导电层覆盖的所述第二绝缘保护层，形成第一通孔以露出部分所述第一导电层，形成第二通孔以露出部分所述漏极；以及

在所述第三绝缘保护层上形成第二导电层，所述第二导电层包括第一部分和第二部分，所述第一部分通过所述第一通孔与所述第一导电层接触实现电连接，由所述第一部分与所述第一导电层共同形成第一电极，所述第二部分通过所述第二通孔与所述漏极接触实现电连接，所述第二部分是第二电极。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔在同一制程中完成。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二导电层的所述第一部分位于所述数据线所在位置的上方，所述第一部分与所述第二部分之间相互不连接。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一通孔位于所述数据线所在位置的上方，所述第一通孔贯通所述第三绝缘保护层，所述第二通孔位于所述漏极所在位置的上方，所述第二通孔贯通所述第三绝缘保护层和所述第二绝缘保护层。

10.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一电极是公共电极，所述第二电极是像素电极。