CN116685169A - 显示面板、其制备方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示面板、其制备方法及显示装置，显示面板的第一显示区具有OLED像素，第二显示区具有Micro LED像素，Micro LED像素具有发光区和透光区，在第二显示区下方设置摄像头。在第二显示区采用Micro LED像素后，可以设计第一显示区和第二显示区具有同等面积的显示像素，以实现第一显示区和第二显示区的显示效果一致性，由于MicroLED像素的发光尺寸比较小，可以保证Micro LED像素具有较大的透光区，进而可以提高第二显示区的光线透过率。并且，将与Micro LED像素连接的部分信号走线设置为透明走线，可以进一步提高第二显示区的光线透过率。

Description

显示面板、其制备方法及显示装置
技术领域
本申请涉及到显示技术领域，尤其涉及到一种显示面板、其制备方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，高屏占比逐渐成为显示的主流。终端产品尽可能将各种传感器隐藏在屏幕下方，以提高屏占比。由于液晶显示屏需要背光模组，因此在液晶显示屏上无法实现设置屏下摄像头区域同时保证正常显示的全面屏方案。而主动发光的有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)无需背光，可以较容易将屏下摄像头隐藏在屏幕下方。为了提高进入摄像头的进光量，需要减小屏下摄像头区域的OLED像素尺寸，但屏下摄像头区域的透光率仍然不理想，会影响拍照效果。并且，由于减小了OLED像素尺寸，会加速OLED像素老化，在屏下摄像头区域容易出现残影不良，影响显示效果。
因此，目前屏下摄像头方案主要存在两个问题：1、由于OLED像素的阳极为金属，同时OLED的驱动电路走线均为金属，大量的金属导致透过率偏低，从而导致屏下摄像头拍照效果不佳；2、为了提高透过率降低像素尺寸，会加速OLED老化，容易出现残影，影响显示效果。
发明内容
本申请提供了一种显示面板、其制备方法及显示装置，用以同时实现透明区域与正常显示区域的显示效果一致性和提高透明区域的透过率。
第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：具有第一显示区和第二显示区的衬底基板，位于第一显示区的多个OLED像素，固定于第二显示区的多个Micro LED像素。第一显示区可以包围第二显示区，第一显示区也可以半包围第二显示区，第一显示区在显示面板的显示区所占区域较大，第二显示区在显示面板的显示区所占区域较小，第二显示区具有一定的透光特性，可以实现屏下摄像头成像。位于第一显示区的OLED像素可以采用有源驱动方式，即OLED像素可以包括OLED发光器件和像素驱动电路，OLED发光器件的阳极一般与像素驱动电路连接，OLED发光器件的阴极与一固定电位连接。像素驱动电路具体可以由2个薄膜晶体管和一个电容构成即2T1C，或者，像素驱动电路也可以增加薄膜晶体管的数量，例如3T1C、4T1C、5T1C、6T1C、7T1C等。位于第二显示区的各Micro LED像素具有发光区和透光区，透光区可以实现第二显示区的透光特性。在第二显示区采用Micro LED像素替换OLED像素后，可以设计第一显示区和第二显示区具有同等面积的显示像素，以实现第一显示区和第二显示区的显示效果一致性，并且，由于Micro LED像素的发光尺寸比较小，通过降低Micro LED像素发光面积，可以保证Micro LED像素具有较大的透光区，进而可以提高第二显示区的光线透过率，从而可以提高前置摄像头的拍照效果。显示面板还可以包括：位于衬底基板上的多条信号走线，多条信号走线分别与各Micro LED像素连接，用以通过信号走线向Micro LED像素提供驱动信号；其中，多条信号走线中的至少部分信号走线为透明走线，将与Micro LED像素连接的部分信号走线设置为透明走线，可以进一步提高第二显示区的光线透过率。
在本申请一个可能的实现方式中，Micro LED像素可以采用无源驱动方式，即Micro LED像素内无需设置驱动电路，直接在发光区设置Micro LED芯片并通过信号走线引出，这样可以减少第二显示区内的走线数量，提高光线透过率。在每个Micro LED像素的发光区设置的Micro LED芯片可以发出不同颜色单色光，例如可以循环设置发出红光的MicroLED芯片、发出蓝光的Micro LED芯片、发出绿光的Micro LED芯片等。
在本申请一个可能的实现方式中，由于第二显示区内采用无源驱动方式，和第一显示区内的有源驱动方式不同，导致整个显示面板的显示像素连接和控制均不一样，因此第二显示区采用的Micro LED像素配合无源驱动方式需要单独配备一驱动芯片。可以设置与OLED像素连接的第一驱动芯片，以及通过多条信号走线与Micro LED像素连接的第二驱动芯片。并且，为了简化布线的复杂程度，可以将第二驱动芯片设置在邻近第二显示区的边框处，例如第二显示区临近上边框设置，则第二驱动芯片可以设置在上边框处，第一驱动芯片可以设置在下边框处。
在本申请一个可能的实现方式中，当Micro LED像素采用无源驱动方式时，多条信号走线可以包括：与各Micro LED芯片的第一极连接的多条第一信号走线，与各Micro LED芯片的第二极连接的多条第二信号走线。与第一信号走线连接的Micro LED芯片的第一极可以是Micro LED芯片的阳极，对应的，与第二信号走线连接的Micro LED芯片的第二极可以是Micro LED芯片的阴极，或者反之亦可。并且，可以将多条第一信号走线设置为透明走线，透明走线可以提高第二显示区的光线透过率，可以将多条第二信号走线设置为金属走线，金属走线可以降低走线电阻。
在本申请一个可能的实现方式中，多条第二信号走线可以相互连接构成公共电极，使各Micro LED芯片的第二极连接在一起，加载同一电位信号，例如可以是公共电位信号。多条第一信号走线之间可以相互独立，使各Micro LED芯片的第一极通过各自的第一信号走线连接至第二驱动芯片，加载驱动信号进行显示。
在本申请一个可能的实现方式中，相互连接的第二信号走线可以设置在同一金属层，以简化布线的复杂程度，并且，第二信号走线可以和OLED像素的像素驱动电路中的金属元件在同一金属层制备，例如可以与薄膜晶体管的栅极在同一金属层制备，以节省膜层布置。相互独立的第一信号走线可以设置在至少一层透明电极层，并且，第一信号走线可以在OLED像素的像素驱动电路制备完介电层或平坦化层之后制备，例如可以与OLED发光器件的阳极在同一透明电极层制备。由于透明电极层在金属层之后完成制备，因此可以认为，金属层与透明电极层之间具有第一绝缘介质层。
在本申请一个可能的实现方式中，为了提高第二显示区的光线透过率和简化各膜层的布线复杂程度，可以尽可能的采用埋线方式在垂直空间上布线，因此可以将多条第一信号线设置在至少两层透明电极层，埋线方式需要介电层作为电学隔离，因此各透明电极层之间可以设置第二绝缘介质层。具体地，第一绝缘介质层和第二绝缘介质层可以复用OLED像素制备过程中的介电层，例如在第一显示区形成薄膜晶体管的栅极并同时在第二显示区形成第二信号走线以完成金属层的制备后，制备第一介电层作为第一绝缘介质层，在第一介电层上的第一显示区制备薄膜晶体管的源漏极，并在第一介电层上的第二显示区制备第一层透明电极层内的各条第一信号走线，之后制备第二介电层作为第二绝缘介质层，在第二介质层上的第一显示区制备电容的一个电极，并在第二介电层上的第二显示区制备第二层透明电极层内的各条第一信号走线，之后制备平坦化层作为第二绝缘介质层，在平坦化层上的第一显示区制备OLED发光器件的阳极，并在平坦化层上的第二显示区制备第三层(顶层的)透明电极层内的各条第一信号走线。
在本申请一个可能的实现方式中，当设置多层透明电极层制备第一信号走线时，为了提高第二显示区的光线透过率，在垂直空间上可以尽可能叠加第一信号走线，即在垂直空间上位于不同透明电极层的第一信号走线之间尽可能具有交叠区域。并且，为了最大限度的提高第二显示区的光线透过率。在本申请一个可能的实现方式中，可以将位于不同透明电极层的第一信号走线之间完全重叠设置。
在本申请一个可能的实现方式中，Micro LED芯片可以采用倒装芯片，即MicroLED芯片的第一极和第二极可以位于同一平面且朝向衬底基板，以便Micro LED芯片的第一极和第二极可以通过焊球直接焊接在对应的信号走线上。具体地，由于部分第一信号走线和全部第二信号走线设置在顶层的透明电极层下方，为了方便焊球与信号走线接触，可以设置与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚和第二信号引脚，将设置在顶层的透明电极层下方的第一信号走线和第二信号走线分别通过第一信号引脚和第二信号引脚引至与顶层的透明电极层位于同一平面。第二信号走线可以通过填充在贯穿第一绝缘介质层和第二绝缘介质层的第一连接孔内的导电材料与第一信号引脚连接，位于非顶层的透明电极层的第一信号走线可以通过填充在贯穿第二绝缘介质层的第二连接孔内的导电材料与第二信号引脚连接。
在本申请一个可能的实现方式中，显示面板还可以包括：位于衬底基板上的像素定义层，像素定义层具有多个开口和多个开槽，各开口在垂直方向上贯穿像素定义层且位于第一显示区，用于限定OLED发光器件的位置，各OLED发光器件位于各开口内，各开槽位于第二显示区，用于限定Micro LED芯片的位置，各开槽可以暴露出Micro LED芯片的发光面。由于像素定义层的材料具有一定的阻光作用，因此像素定义层可以对第一显示区的OLED发光器件进行电学隔断，以及对第二显示区的各Micro LED芯片的发光进行光学隔离，因此，像素定义层的高度应高于各Micro LED芯片的发光面。
在本申请一个可能的实现方式中，显示面板还可以包括：位于衬底基板上的薄膜封装层，薄膜封装层覆盖OLED发光器件、Micro LED芯片和像素定义层，薄膜封装层可以保护OLED发光器件不受水汽和氧气的破坏，提高使用可靠性，同时薄膜封装层亦可以保护Micro LED芯片，同样提高Micro LED芯片的使用可靠性。
第二方面，本申请还提供了一种显示装置，包括：本申请第一方面的各实现施方式提供的显示面板，以及设置于显示面板的第一显示区下方的摄像头。
第三方面，本申请还提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供一具有第一显示区和第二显示区的衬底基板；之后，在衬底基板上形成多条信号走线，多条信号走线中的至少部分信号走线为透明走线；然后，在衬底基板上的第二显示区形成多个Micro LED像素，各Micro LED像素具有发光区和透光区，各Micro LED像素分别与多条信号走线连接；最后，在衬底基板上的第一显示区形成多个OLED像素。
具体地，通过上述制备方法制备出的显示面板在第二显示区采用Micro LED像素替换OLED像素后，可以设计第一显示区和第二显示区具有同等面积的显示像素，以实现第一显示区和第二显示区的显示效果一致性，由于Micro LED像素的发光尺寸比较小，可以保证Micro LED像素具有较大的透光区，进而可以提高第二显示区的光线透过率。并且，将与Micro LED像素连接的部分信号走线设置为透明走线，可以进一步提高第二显示区的光线透过率。
在本申请一个可能的实现方式中，Micro LED像素可以采用无源驱动方式，即Micro LED像素内无需设置驱动电路，直接在发光区设置Micro LED芯片并通过信号走线引出，这样可以减少第二显示区内的走线数量，提高光线透过率。多条信号走线可以包括：与各Micro LED芯片的第一极连接的多条第一信号走线，与各Micro LED芯片的第二极连接的多条第二信号走线。并且，可以将多条第一信号走线设置为透明走线，透明走线可以提高第二显示区的光线透过率，可以将多条第二信号走线设置为金属走线，金属走线可以降低走线电阻。进一步地，多条第二信号走线可以相互连接构成公共电极，使各Micro LED芯片的第二极连接在一起，加载同一电位信号，例如可以是公共电位信号。多条第一信号走线之间可以相互独立，使各Micro LED芯片的第一极通过各自的第一信号走线连接至第二驱动芯片，加载驱动信号进行显示。
相比于第一显示区的OLED像素的制备，第二显示区内的Micro LED像素由于采用无源驱动方式，因此在第二显示区内无需制备TFT等器件，只需要制备信号走线。具体地，可以在制备OLED像素的像素驱动电路过程中，完成第二显示区的信号走线的制备。
在本申请一个可能的实现方式中，相互连接的第二信号走线可以设置在同一金属层，以简化布线的复杂程度，并且，第二信号走线可以和OLED像素的像素驱动电路中的金属元件在同一金属层制备，例如可以与薄膜晶体管的栅极在同一金属层制备，以节省膜层布置。相互独立的第一信号走线可以设置在至少一层透明电极层，并且，第一信号走线可以在OLED像素的像素驱动电路制备完介电层或平坦化层之后制备，例如可以与OLED发光器件的阳极在同一透明电极层制备。由于透明电极层在金属层之后完成制备，因此可以认为，金属层与透明电极层之间具有第一绝缘介质层。
在本申请一个可能的实现方式中，为了提高第二显示区的光线透过率和简化各膜层的布线复杂程度，可以尽可能的采用埋线方式在垂直空间上布线，因此可以将多条第一信号线设置在至少两层透明电极层，埋线方式需要介电层作为电学隔离，因此各透明电极层之间可以设置第二绝缘介质层。具体地，第一绝缘介质层和第二绝缘介质层可以复用OLED像素制备过程中的介电层，例如在第一显示区形成薄膜晶体管的栅极并同时在第二显示区形成第二信号走线以完成金属层的制备后，制备第一介电层作为第一绝缘介质层，在第一介电层上的第一显示区制备薄膜晶体管的源漏极，并在第一介电层上的第二显示区制备第一层透明电极层内的各条第一信号走线，之后制备第二介电层作为第二绝缘介质层，在第二介质层上的第一显示区制备电容的一个电极，并在第二介电层上的第二显示区制备第二层透明电极层内的各条第一信号走线，之后制备平坦化层作为第二绝缘介质层，在平坦化层上的第一显示区制备OLED发光器件的阳极，并在平坦化层上的第二显示区制备第三层(顶层的)透明电极层内的各条第一信号走线。
在本申请一个可能的实现方式中，当设置多层透明电极层制备第一信号走线时，为了提高第二显示区的光线透过率，在垂直空间上可以尽可能叠加第一信号走线，即在垂直空间上位于不同透明电极层的第一信号走线之间尽可能具有交叠区域。并且，为了最大限度的提高第二显示区的光线透过率，可以将位于不同透明电极层的第一信号走线之间完全重叠设置。
在本申请一个可能的实现方式中，由于部分第一信号走线和全部第二信号走线设置在顶层的透明电极层下方，为了方便焊球与信号走线接触，可以设置与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚和第二信号引脚，将设置在顶层的透明电极层下方的第一信号走线和第二信号走线分别通过第一信号引脚和第二信号引脚引至与顶层的透明电极层位于同一平面。第二信号走线可以通过填充在贯穿第一绝缘介质层和第二绝缘介质层的第一连接孔内的导电材料与第一信号引脚连接，位于非顶层的透明电极层的第一信号走线可以通过填充在贯穿第二绝缘介质层的第二连接孔内的导电材料与第二信号引脚连接。在制备过程中，在顶层的透明电极层制备完成后，可以通过刻蚀工艺形成贯穿第一绝缘介质层和第二绝缘介质层(即贯穿第一介电层、第二介电层、平坦化层)的第一连接孔，以及形成贯穿第二绝缘介质层(即贯穿第二介电层和平坦化层，或贯穿平坦化层)的第二连接孔，并在第一连接孔和第二连接孔内填充导电材料，以便形成与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚和第二信号引脚。之后，可以在第一信号引脚、第二信号引脚和位于顶层的透明电极层的第一信号走线上分别形成焊球。
在本申请一个可能的实现方式中，Micro LED芯片可以采用倒装芯片，即MicroLED芯片的第一极和第二极可以位于同一平面且朝向衬底基板，以便将Micro LED芯片巨量转移至焊球上，使Micro LED芯片的第一极和第二极可以通过焊球直接采用键合工艺焊接在对应的信号走线上。
在本申请一个可能的实现方式中，在完成第二显示区的Micro LED芯片的固定后，可以在衬底基板上进行像素定义层的制备，由于像素定义层的材料具有一定的阻光作用，因此像素定义层可以对第一显示区的OLED发光器件进行电学隔断，以及对第二显示区的各Micro LED芯片的发光进行光学隔离，因此，像素定义层的高度应高于各Micro LED芯片的发光面。为了提高第二显示区的光线透过率，像素定义层需要在Micro LED像素的透光区进行挖孔，以避免阻挡光线的透过，而像素定义层在Micro LED像素的发光区可以挖槽，暴露出Micro LED芯片的发光面即可。
在本申请一个可能的实现方式中，在制备完成像素定义层之后，可以在第一显示区蒸镀OLED发光器件的各有机发光功能(例如空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层等)和阴极，完成第一显示区的OLED像素制备。
在本申请一个可能的实现方式中，在完成像素定义层的制备之后，还可以形成覆盖OLED发光器件、Micro LED芯片和像素定义层的薄膜封装层，薄膜封装层可以保护OLED发光器件不受水汽和氧气的破坏，提高使用可靠性，同时薄膜封装层亦可以保护Micro LED芯片，同样提高Micro LED芯片的使用可靠性。
第二方面及第三方面中任一方面中的任一可能设计可以达到的技术效果，请参照上述第一方面中的任一可能设计可以达到的技术效果，这里不再重复赘述。本申请的这些方面或其它方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种显示装置的截面结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种显示面板中第二显示区的俯视结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种显示面板中第二显示区的具体结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；
图7为本申请实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；
图8为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图9a至图9e分别为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法中各步骤完成后的截面结构示意图。
附图标记：
01-显示面板，02-摄像头，03-第一光学胶，04-圆偏光片，05-第二光学胶，06-盖板，10-衬底基板，11-第一显示区，12-第二显示区，21-Micro LED像素，21a-发光区，21b-透光区，211-Micro LED芯片，22-OLED像素，221-栅极，222-源漏极，223-阳极，224-有机发光功能层，225-OLED发光器件，31-第一信号走线，32-第二信号走线，41-第一驱动芯片，42-第二驱动芯片，51-第一绝缘介质层，52-第二绝缘介质层，60-焊球,71-第一信号引脚，72-第二信号引脚，81-第一连接孔，82-第二连接孔，90-像素定义层，91-开口，92-开槽，93-薄膜封装层。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。
以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的，而并非旨在作为对本申请的限制。如在本申请的说明书和所附权利要求书中所使用的那样，单数表达形式“一个”、“一种”、“所述”、“上述”、“该”和“这一”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式，除非其上下文中明确地有相反指示。
在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
另外，在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本申请中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本申请保护范围内。本申请的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
本申请实施例提出的显示面板、其制备方法及显示装置可以应用于各种终端设备中，例如可以应用于智能手机、平板电脑、掌上电脑(personal digital assistant，PDA)等具有摄像功能的电子设备中。应注意，本申请实施例提出的显示面板和显示装置旨在包括但不限于应用在这些和任意其它适合类型的终端设备中。
下面结合附图对本申请提供的显示面板、其制备方法及显示装置进行详细说明。
图1示例性示出了本申请实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图，图2示例性示出了本申请实施例提供的一种显示装置的截面结构示意图。参照图1和图2，在本申请一个实施例中，为了实现全面屏显示功能，显示装置包括：具有第一显示区11和第二显示区12的显示面板01，以及设置于显示面板01的第二显示区12下方的摄像头02。第一显示区11可以包围第二显示区12，第一显示区11也可以半包围第二显示区，第二显示区12在显示面板01的显示区所占区域较小，可以称为副屏幕，副屏幕具有一定的透光特性，可以实现屏下摄像头成像。第一显示区11在显示面板01的显示区所占区域较大，可以称为主屏幕，具有实现常规显示功能的显示像素。同时，副屏幕包含多个实现常规显示功能的显示像素，可以实现与主屏幕同步的显示画面。
在本申请该实施例中，副屏幕(第二显示区12)具有与现有的主屏幕(第一显示区11)完全不同的显示像素和布线设计，可以提高屏下摄像头区域的透过率和显示效果，从而提升屏下摄像头的成像效果。具体地，本申请实施例中，第一显示区11具有的显示像素可以采用有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)像素，第二显示区12具有的显示像素可以采用微型发光二极管(micro light emitting diode，Micro LED)像素，Micro LED像素具有发光区和透光区，透光区可以实现第二显示区12的透光特性。在第二显示区12采用Micro LED像素替换OLED像素后，可以设计第一显示区11和第二显示区12具有同等面积的显示像素，以实现第一显示区11和第二显示区12的显示效果一致性，由于MicroLED像素的发光尺寸比较小，可以保证Micro LED像素具有较大的透光区，进而可以提高第二显示区12的光线透过率。并且，还可以将与Micro LED像素连接的部分信号走线设置为透明走线，以进一步提高第二显示区12的光线透过率。Micro LED像素的详细排布方式以及布线设计在下述本申请提供的显示面板中进行详细介绍。
参照图2，在本申请该实施例中，显示装置一般会在显示面板01的表面通过第一光学胶03贴附圆偏光片04(circular-polarizing filters，c-Pol)，以减少环境光的反射。并且，在圆偏光片上通过第二光学胶05贴附盖板06，起到保护作用。具体盖板06可以是玻璃盖板，也可是树脂盖板，在此不限定盖板的材质。对于显示装置包括的其他部件在此也不作详述。
下面对本申请实施例提供的显示面板的像素排布方式和走线设计进行详细描述。
图3示例性示出了本申请实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图4示例性示出了本申请实施例提供的一种显示面板中第二显示区的俯视结构示意图，图5示例性示出了本申请实施例提供的一种显示面板中第二显示区的具体结构示意图。
参照图3，在本申请一个实施例中，显示面板01包括：具有第一显示区11和第二显示区12的衬底基板10，位于第一显示区11的多个OLED像素22，固定于第二显示区12的多个Micro LED像素21。第一显示区11可以包围第二显示区12，第一显示区11也可以半包围第二显示区，第一显示区11在显示面板01的显示区所占区域较大，第二显示区12在显示面板01的显示区所占区域较小，第二显示区12具有一定的透光特性，可以实现屏下摄像头成像。位于第一显示区11的OLED像素22可以采用有源驱动(active matrix，AM)方式，即OLED像素22可以包括OLED发光器件和像素驱动电路，OLED发光器件的阳极一般与像素驱动电路连接，OLED发光器件的阴极与一固定电位连接。像素驱动电路具体可以由2个薄膜晶体管(thinfilm transistor，TFT)和一个电容(Cst)构成即2T1C，或者，像素驱动电路也可以增加薄膜晶体管的数量，例如3T1C、4T1C、5T1C、6T1C、7T1C等。图3中是以第一显示区11的OLED像素22采用2T1C结构为例作为示意，每行OLED像素22中的各OLED像素22同时与一条扫描信号线S连接，每列OLED像素22中的各OLED像素22同时与一条数据信号线D连接，有源驱动方式为信号逐行扫描打开，即从上往下依次对各条扫描信号线S提供扫描信号，从左往右依次对各条数据信号线D写入数据信号。由于OLED发光器件是电流驱动器件，因此可以通过像素驱动电路向OLED发光器件的阳极提供高电压信号ELVDD，向OLED发光器件的阴极提供低电压信号ELVSS。参照图4，位于第二显示区12的各Micro LED像素21具有发光区21a和透光区21b，透光区21b可以实现第二显示区12的透光特性。在第二显示区12采用Micro LED像素21替换OLED像素后，可以设计第一显示区11和第二显示区12具有同等面积的显示像素，以实现第一显示区11和第二显示区12的显示效果一致性，并且，由于Micro LED像素21的发光尺寸比较小，通过降低Micro LED像素21发光面积，可以保证Micro LED像素21具有较大的透光区21b，进而可以提高第二显示区12的光线透过率，从而可以提高前置摄像头的拍照效果。参照图5，显示面板01还可以包括：位于衬底基板10上的多条信号走线，多条信号走线分别与各Micro LED像素21连接，用以通过信号走线向Micro LED像素提供驱动信号；其中，多条信号走线中的至少部分信号走线为透明走线，将与Micro LED像素21连接的部分信号走线设置为透明走线，可以进一步提高第二显示区12的光线透过率。具体地，透明走线可以采用氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铝锌(alumina zinc oxide，AZO)、氧化铟锌(indiumzinc oxide，IZO)、碳纳米管、石墨烯、银纳米线等材料制备。
参照图5，在一个实施例中，Micro LED像素21可以采用无源驱动(passivemative，PM)方式，即Micro LED像素21内无需设置驱动电路，直接在发光区21a设置MicroLED芯片并通过信号走线引出，这样可以减少第二显示区12内的走线数量，提高光线透过率。在每个Micro LED像素21的发光区21a设置的Micro LED芯片可以发出不同颜色单色光，例如可以循环设置发出红光的Micro LED芯片、发出蓝光的Micro LED芯片、发出绿光的Micro LED芯片等，在图5中，以不同填充图案表示发出不同颜色单色光的Micro LED芯片。
由于第二显示区12内采用无源驱动方式，和第一显示区11内的有源驱动方式不同，导致整个显示面板01的显示像素连接和控制均不一样，因此第二显示区12采用的MicroLED像素21配合无源驱动方式需要单独配备一驱动芯片。参照图3，可以设置与OLED像素22连接的第一驱动芯片41，以及通过多条信号走线与Micro LED像素21连接的第二驱动芯片42。并且，为了简化布线的复杂程度，可以将第二驱动芯片42设置在邻近第二显示区12的边框处，例如图3所示，第二显示区12临近上边框设置，则第二驱动芯片42可以设置在上边框处，第一驱动芯片41可以设置在下边框处。
参照图5，在一个实施例中，当Micro LED像素21采用无源驱动方式时，多条信号走线可以包括：与各Micro LED芯片的第一极连接的多条第一信号走线31，与各Micro LED芯片的第二极连接的多条第二信号走线32。与第一信号走线31连接的Micro LED芯片的第一极可以是Micro LED芯片的阳极，对应的，与第二信号走线32连接的Micro LED芯片的第二极可以是Micro LED芯片的阴极，或者反之亦可。并且，可以将多条第一信号走线31设置为透明走线，透明走线可以提高第二显示区12的光线透过率，可以将多条第二信号走线32设置为金属走线，金属走线可以降低走线电阻。
参照图5，在一个实施例中，多条第二信号走线32可以相互连接构成公共电极，使各Micro LED芯片的第二极连接在一起，加载同一电位信号，例如可以是公共电位信号。多条第一信号走线31之间可以相互独立，使各Micro LED芯片的第一极通过各自的第一信号走线31连接至第二驱动芯片42，加载驱动信号进行显示。
由于Micro LED像素21和OLED像素22制备工艺存在较大差异，在同一个衬底基板10上制备Micro LED像素21和OLED像素22需要特殊设计。第一显示区11内的OLED发光器件通常采用真空蒸镀的方式制备，第二显示区12内的Micro LED芯片通常采用键合工艺固定。相比于第一显示区11的OLED像素22的制备，第二显示区12内的Micro LED像素21由于采用无源驱动方式，因此在第二显示区12内无需制备TFT等器件，只需要制备信号走线。具体地，可以在制备OLED像素22的像素驱动电路过程中，完成第二显示区12的信号走线的制备。
图6示例性示出了本申请实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图。
参照图6，在一个实施例中，相互连接的第二信号走线32可以设置在同一金属层，以简化布线的复杂程度，并且，第二信号走线32可以和OLED像素22的像素驱动电路中的金属元件在同一金属层制备，例如可以与薄膜晶体管的栅极221在同一金属层制备，以节省膜层布置。相互独立的第一信号走线31可以设置在至少一层透明电极层，并且，第一信号走线31可以在OLED像素22的像素驱动电路制备完介电层或平坦化层之后制备，例如可以与OLED发光器件的阳极在同一透明电极层制备。由于透明电极层在金属层之后完成制备，因此可以认为，金属层与透明电极层之间具有第一绝缘介质层51。
参照图6，在一个实施例中，为了提高第二显示区12的光线透过率和简化各膜层的布线复杂程度，可以尽可能的采用埋线方式在垂直空间上布线，因此可以将多条第一信号线31设置在至少两层透明电极层，埋线方式需要介电层作为电学隔离，因此各透明电极层之间可以设置第二绝缘介质层52。具体地，第一绝缘介质层51和第二绝缘介质层52可以复用OLED像素22制备过程中的介电层，例如在第一显示区11形成薄膜晶体管的栅极221并同时在第二显示区12形成第二信号走线32以完成金属层的制备后，制备第一介电层作为第一绝缘介质层51，在第一介电层上的第一显示区11制备薄膜晶体管的源漏极222，并在第一介电层上的第二显示区12制备第一层透明电极层内的各条第一信号走线31，之后制备第二介电层作为第二绝缘介质层52，在第二介质层上的第一显示区11制备电容的一个电极(图6中未示出)，并在第二介电层上的第二显示区12制备第二层透明电极层内的各条第一信号走线31，之后制备平坦化层作为第二绝缘介质层52，在平坦化层上的第一显示区11制备OLED发光器件的阳极223，并在平坦化层上的第二显示区12制备第三层(顶层的)透明电极层内的各条第一信号走线31。
参照图6，在一个实施例中，当设置多层透明电极层制备第一信号走线31时，为了提高第二显示区12的光线透过率，在垂直空间上可以尽可能叠加第一信号走线31，即在垂直空间上位于不同透明电极层的第一信号走线31之间尽可能具有交叠区域。并且，为了最大限度的提高第二显示区12的光线透过率，参照图6，在一个实施例中，可以将位于不同透明电极层的第一信号走线31之间完全重叠设置。
参照图6，在一个实施例中，Micro LED芯片211可以采用倒装芯片，即Micro LED芯片211的第一极和第二极可以位于同一平面且朝向衬底基板10，以便Micro LED芯片211的第一极和第二极可以通过焊球60直接焊接在对应的信号走线上。具体地，由于部分第一信号走线31和全部第二信号走线32设置在顶层的透明电极层下方，为了方便焊球60与信号走线接触，可以设置与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚71和第二信号引脚72，将设置在顶层的透明电极层下方的第一信号走线31和第二信号走线32分别通过第一信号引脚71和第二信号引脚72引至与顶层的透明电极层位于同一平面。第二信号走线32可以通过填充在贯穿第一绝缘介质层51和第二绝缘介质层52的第一连接孔81内的导电材料与第一信号引脚71连接，位于非顶层的透明电极层的第一信号走线31可以通过填充在贯穿第二绝缘介质层52的第二连接孔82内的导电材料与第二信号引脚72连接。在制备过程中，在顶层的透明电极层制备完成后，可以通过刻蚀工艺形成贯穿第一绝缘介质层51和第二绝缘介质层52(即贯穿第一介电层、第二介电层、平坦化层)的第一连接孔81，以及形成贯穿第二绝缘介质层52(即贯穿第二介电层和平坦化层，或贯穿平坦化层)的第二连接孔82，并在第一连接孔81和第二连接孔82内填充导电材料，以便形成与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚71和第二信号引脚72。之后，可以在第一信号引脚71、第二信号引脚72和位于顶层的透明电极层的第一信号走线31上分别形成焊球60，将Micro LED芯片211巨量转移至焊球60上，之后通过键合工艺固定。
参照图6，在一个实施例中，显示面板还可以包括：位于衬底基板10上的像素定义层90，像素定义层90具有多个开口91和多个开槽92，各开口91在垂直方向上贯穿像素定义层90且位于第一显示区11，用于限定OLED发光器件的位置，各OLED发光器件位于各开口91内，各开槽92位于第二显示区12，用于限定Micro LED芯片211的位置，各开槽92可以暴露出Micro LED芯片211的发光面。具体地，在制备过程中，在完成第二显示区12的Micro LED芯片211的固定后，可以在衬底基板10上进行像素定义层90的制备，由于像素定义层90的材料具有一定的阻光作用，因此像素定义层90可以对第一显示区11的OLED发光器件进行电学隔断，以及对第二显示区12的各Micro LED芯片211的发光进行光学隔离，因此，像素定义层90的高度应高于各Micro LED芯片211的发光面。
图7示例性示出了本申请实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图。
参照图7，为了提高第二显示区12的光线透过率，像素定义层90需要在Micro LED像素21的透光区21b进行挖孔，以避免阻挡光线的透过，而像素定义层90在Micro LED像素21的发光区21a可以挖槽，暴露出Micro LED芯片211的发光面即可。参照图6，在制备完成像素定义层90之后，可以在第一显示区11蒸镀OLED发光器件的各有机发光功能层224(例如空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层等)和阴极(图中未示出)，完成第一显示区11的OLED像素22制备。
参照图6和图7，在一个实施例中，显示面板01还可以包括：位于衬底基板10上的薄膜封装层93，薄膜封装层93覆盖OLED发光器件225、Micro LED芯片211和像素定义层90，薄膜封装层93可以保护OLED发光器件225不受水汽和氧气的破坏，提高使用可靠性，同时薄膜封装层93亦可以保护Micro LED芯片211，同样提高Micro LED芯片211的使用可靠性。
图8示例性示出了本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，参见图8，制备方法可以包括以下步骤：
S1、提供一衬底基板，衬底基板具有第一显示区和第二显示区；
S2、在衬底基板上形成多条信号走线，多条信号走线中的至少部分信号走线为透明走线；
S3、在衬底基板上的第二显示区形成多个Micro LED像素，各Micro LED像素具有发光区和透光区，各Micro LED像素分别与多条信号走线连接；
S4、在衬底基板上的第一显示区形成多个OLED像素。
具体地，通过上述制备方法制备出的显示面板在第二显示区采用Micro LED像素替换OLED像素后，可以设计第一显示区和第二显示区具有同等面积的显示像素，以实现第一显示区和第二显示区的显示效果一致性，由于Micro LED像素的发光尺寸比较小，可以保证Micro LED像素具有较大的透光区，进而可以提高第二显示区的光线透过率。并且，将与Micro LED像素连接的部分信号走线设置为透明走线，可以进一步提高第二显示区的光线透过率。
图9a至图9e分别示例性示出了本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法中各步骤完成后的截面结构示意图。
参照图9a，在一个实施例中，Micro LED像素可以采用无源驱动方式，即Micro LED像素内无需设置驱动电路，直接在发光区设置Micro LED芯片并通过信号走线引出，这样可以减少第二显示区内的走线数量，提高光线透过率。多条信号走线可以包括：与各MicroLED芯片的第一极连接的多条第一信号走线31，与各Micro LED芯片的第二极连接的多条第二信号走线32。与第一信号走线31连接的Micro LED芯片的第一极可以是Micro LED芯片的阳极，对应的，与第二信号走线32连接的Micro LED芯片的第二极可以是Micro LED芯片的阴极，或者反之亦可。并且，可以将多条第一信号走线31设置为透明走线，透明走线可以提高第二显示区12的光线透过率，可以将多条第二信号走线32设置为金属走线，金属走线可以降低走线电阻。进一步地，多条第二信号走线32可以相互连接构成公共电极，使各MicroLED芯片的第二极连接在一起，加载同一电位信号，例如可以是公共电位信号。多条第一信号走线31之间可以相互独立，使各Micro LED芯片的第一极通过各自的第一信号走线31连接至第二驱动芯片42，加载驱动信号进行显示。
相比于第一显示区11的OLED像素22的制备，第二显示区12内的Micro LED像素21由于采用无源驱动方式，因此在第二显示区12内无需制备TFT等器件，只需要制备信号走线。具体地，可以在制备OLED像素22的像素驱动电路过程中，完成第二显示区12的信号走线的制备。
参照图9a，在一个实施例中，相互连接的第二信号走线32可以设置在同一金属层，以简化布线的复杂程度，并且，第二信号走线32可以和OLED像素22的像素驱动电路中的金属元件在同一金属层制备，例如可以与薄膜晶体管的栅极221在同一金属层制备，以节省膜层布置。相互独立的第一信号走线31可以设置在至少一层透明电极层，并且，第一信号走线31可以在OLED像素22的像素驱动电路制备完介电层或平坦化层之后制备，例如可以与OLED发光器件的阳极在同一透明电极层制备。由于透明电极层在金属层之后完成制备，因此可以认为，金属层与透明电极层之间具有第一绝缘介质层51。
参照图9a，在一个实施例中，为了提高第二显示区12的光线透过率和简化各膜层的布线复杂程度，可以尽可能的采用埋线方式在垂直空间上布线，因此可以将多条第一信号线31设置在至少两层透明电极层，埋线方式需要介电层作为电学隔离，因此各透明电极层之间可以设置第二绝缘介质层52。具体地，第一绝缘介质层51和第二绝缘介质层52可以复用OLED像素22制备过程中的介电层，例如在第一显示区11形成薄膜晶体管的栅极221并同时在第二显示区12形成第二信号走线32以完成金属层的制备后，制备第一介电层作为第一绝缘介质层51，在第一介电层上的第一显示区11制备薄膜晶体管的源漏极222，并在第一介电层上的第二显示区12制备第一层透明电极层内的各条第一信号走线31，之后制备第二介电层作为第二绝缘介质层52，在第二介质层上的第一显示区11制备电容的一个电极(图9a中未示出)，并在第二介电层上的第二显示区12制备第二层透明电极层内的各条第一信号走线31，之后制备平坦化层作为第二绝缘介质层52，在平坦化层上的第一显示区11制备OLED发光器件的阳极223，并在平坦化层上的第二显示区12制备第三层(顶层的)透明电极层内的各条第一信号走线31。
参照图9a，在一个实施例中，当设置多层透明电极层制备第一信号走线31时，为了提高第二显示区12的光线透过率，在垂直空间上可以尽可能叠加第一信号走线31，即在垂直空间上位于不同透明电极层的第一信号走线31之间尽可能具有交叠区域。并且，为了最大限度的提高第二显示区12的光线透过率，参照图9a，在一个实施例中，可以将位于不同透明电极层的第一信号走线31之间完全重叠设置。
参照图9b，在一个实施例中，由于部分第一信号走线31和全部第二信号走线32设置在顶层的透明电极层下方，为了方便焊球60与信号走线接触，可以设置与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚71和第二信号引脚72，将设置在顶层的透明电极层下方的第一信号走线31和第二信号走线32分别通过第一信号引脚71和第二信号引脚72引至与顶层的透明电极层位于同一平面。第二信号走线32可以通过填充在贯穿第一绝缘介质层51和第二绝缘介质层52的第一连接孔81内的导电材料与第一信号引脚71连接，位于非顶层的透明电极层的第一信号走线31可以通过填充在贯穿第二绝缘介质层52的第二连接孔82内的导电材料与第二信号引脚72连接。在制备过程中，在顶层的透明电极层制备完成后，可以通过刻蚀工艺形成贯穿第一绝缘介质层51和第二绝缘介质层52(即贯穿第一介电层、第二介电层、平坦化层)的第一连接孔81，以及形成贯穿第二绝缘介质层52(即贯穿第二介电层和平坦化层，或贯穿平坦化层)的第二连接孔82，并在第一连接孔81和第二连接孔82内填充导电材料，以便形成与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚71和第二信号引脚72。之后，可以在第一信号引脚71、第二信号引脚72和位于顶层的透明电极层的第一信号走线31上分别形成焊球60。
参照图9c，在一个实施例中，Micro LED芯片211可以采用倒装芯片，即Micro LED芯片211的第一极和第二极可以位于同一平面且朝向衬底基板10，以便将Micro LED芯片211巨量转移至焊球60上，使Micro LED芯片211的第一极和第二极可以通过焊球60直接采用键合工艺焊接在对应的信号走线上。
参照图9d，在一个实施例中，在完成第二显示区12的Micro LED芯片211的固定后，可以在衬底基板10上进行像素定义层90的制备，由于像素定义层90的材料具有一定的阻光作用，因此像素定义层90可以对第一显示区11的OLED发光器件进行电学隔断，以及对第二显示区12的各Micro LED芯片211的发光进行光学隔离，因此，像素定义层90的高度应高于各Micro LED芯片211的发光面。为了提高第二显示区12的光线透过率，像素定义层90需要在Micro LED像素21的透光区21b进行挖孔，以避免阻挡光线的透过，而像素定义层90在Micro LED像素21的发光区21a可以挖槽，暴露出Micro LED芯片211的发光面即可。
参照图9e，在一个实施例中，在制备完成像素定义层90之后，可以在第一显示区11蒸镀OLED发光器件的各有机发光功能224(例如空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层等)和阴极(图中未示出)，完成第一显示区11的OLED像素22制备。
参照图6，在一个实施例中，在完成像素定义层90的制备之后，还可以形成覆盖OLED发光器件225、Micro LED芯片211和像素定义层90的薄膜封装层93，薄膜封装层93可以保护OLED发光器件225不受水汽和氧气的破坏，提高使用可靠性，同时薄膜封装层93亦可以保护Micro LED芯片211，同样提高Micro LED芯片211的使用可靠性。
本申请实施例提供的上述显示面板、其制备方法及显示装置，显示面板的第一显示区具有的显示像素可以采用OLED像素，第二显示区具有的显示像素可以采用Micro LED像素，Micro LED像素具有发光区和透光区，透光区可以实现第二显示区的透光特性，以便在第二显示区下方设置摄像头。在第二显示区采用Micro LED像素替换OLED像素后，可以设计第一显示区和第二显示区具有同等面积的显示像素，以实现第一显示区和第二显示区的显示效果一致性，由于Micro LED像素的发光尺寸比较小，可以保证Micro LED像素具有较大的透光区，进而可以提高第二显示区的光线透过率。并且，将与Micro LED像素连接的部分信号走线设置为透明走线，可以进一步提高第二显示区的光线透过率。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (18)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板具有第一显示区和第二显示区；
多个有机发光二极管OLED像素，位于所述第一显示区；
多个微型发光二极管Micro LED像素，固定于所述第二显示区，各所述Micro LED像素具有发光区和透光区；
多条信号走线，位于所述衬底基板上，所述多条信号走线分别与各所述Micro LED像素连接；
其中，所述多条信号走线中的至少部分信号走线为透明走线。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述Micro LED像素采用无源驱动方式，所述Micro LED像素包括固定于所述发光区的Micro LED芯片；
所述多条信号走线包括：与各所述Micro LED芯片的第一极连接的多条第一信号走线，与各所述Micro LED芯片的第二极连接的多条第二信号走线；
所述多条第一信号走线为透明走线，所述多条第二信号走线为金属走线。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述多条第一信号走线之间相互独立，所述多条第二信号走线相互连接构成公共电极。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二信号走线位于金属层，所述多条第一信号走线位于至少两层透明电极层，所述金属层位于所述衬底基板与所述透明电极层之间，所述金属层与所述透明电极层之间具有第一绝缘介质层，各所述透明电极层之间具有第二绝缘介质层；
位于不同所述透明电极层的所述第一信号走线之间具有交叠区域。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，位于不同所述透明电极层的所述第一信号走线之间完全重叠。
6.如权利要求4或5所述的显示面板，其特征在于，还包括与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚和第二信号引脚，所述第二信号走线通过填充在贯穿所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的第一连接孔内的导电材料与所述第一信号引脚连接，位于非顶层的透明电极层的第一信号走线通过填充在贯穿所述第二绝缘介质层的第二连接孔内的导电材料与所述第二信号引脚连接。
7.如权利要求2-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述Micro LED芯片的第一极和第二极位于同一平面且朝向所述衬底基板。
8.如权利要求1-7任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：第一驱动芯片和第二驱动芯片；
所述OLED像素与所述第一驱动芯片连接；
所述Micro LED像素通过所述多条信号走线与所述第二驱动芯片连接。
9.如权利要求2-8任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：像素定义层，位于所述衬底基板上；
所述像素定义层具有多个开口和多个开槽，各所述OLED像素的OLED发光器件位于各所述开口内，各所述开槽暴露出所述Micro LED芯片的发光面。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，还包括：薄膜封装层，位于所述衬底基板上；
所述薄膜封装层覆盖所述OLED发光器件、所述Micro LED芯片和所述像素定义层。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的显示面板，以及设置于所述显示面板的第二显示区下方的摄像头。
12.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板具有第一显示区和第二显示区；
在所述衬底基板上形成多条信号走线，所述多条信号走线中的至少部分信号走线为透明走线；
在所述衬底基板上的第二显示区形成多个Micro LED像素，各所述Micro LED像素具有发光区和透光区，各所述Micro LED像素分别与所述多条信号走线连接；
在所述衬底基板上的第一显示区形成多个OLED像素。
13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述Micro LED像素采用无源驱动方式，所述Micro LED像素包括固定于所述发光区的Micro LED芯片；所述多条信号走线包括：与各所述Micro LED芯片的第一极连接的多条第一信号走线，与各所述Micro LED芯片的第二极连接的多条第二信号走线；所述多条第一信号走线为透明走线，所述多条第二信号走线为金属走线；
在所述衬底基板上形成多条信号走线，具体包括：
在所述衬底基板上形成金属层，所述金属层包括所述第二信号走线；
在所述金属层上形成第一绝缘介质层；
在所述第一绝缘介质层上形成至少一层透明电极层，所述透明电极层包括所述第一信号走线。
14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述第一绝缘介质层上形成至少一层透明电极层，具体包括：
在所述第一绝缘介质层上依次形成至少两层透明电极层，各所述透明电极层之间形成第二绝缘介质层，所述多条第一信号走线位于所述至少两个透明电极层，且位于不同所述透明电极层的所述第一信号走线之间具有交叠区域。
15.如权利要求14所述的制备方法，其特征在于，在形成顶层的透明电极层之后，还包括：
通过刻蚀分别形成贯穿所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的第一连接孔，以及贯穿所述第二绝缘介质层的第二连接孔；
在所述第一连接孔和所述第二连接孔内填充导电材料，形成与顶层的透明电极层位于同一平面的第一信号引脚和第二信号引脚，使所述第二信号走线通过填充在所述第二连接孔内的导电材料与所述第一信号引脚连接，使位于非顶层的透明电极层的第一信号走线通过填充在所述第二连接孔内的导电材料与所述第二信号引脚连接。
16.如权利要求15所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上的第二显示区形成多个Micro LED像素，具体包括：
在所述衬底基板上形成分别与所述第一信号引脚、所述第二信号引脚和位于顶层的透明电极层的第一信号走线接触的多个焊球；
巨量转移所述多个Micro LED芯片；
键合所述多个焊球和所述多个Micro LED芯片。
17.如权利要求13-16任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上的第一显示区形成多个OLED像素之前，还包括：
在所述衬底基板上形成像素定义层，所述像素定义层具有多个开口和多个开槽，各所述开槽暴露出所述Micro LED芯片的发光面，各所述开口用于限定各所述OLED像素的OLED发光器件位置。
18.如权利要求17所述的制备方法，其特征在于，还包括：
形成覆盖所述OLED发光器件、所述Micro LED芯片和所述像素定义层的薄膜封装层。
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