CN116682762A - 一种芯片连续压合装置及压合方法 - Google Patents

一种芯片连续压合装置及压合方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116682762A
CN116682762A CN202310733332.XA CN202310733332A CN116682762A CN 116682762 A CN116682762 A CN 116682762A CN 202310733332 A CN202310733332 A CN 202310733332A CN 116682762 A CN116682762 A CN 116682762A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
frame
vacuum box
stepping
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202310733332.XA
Other languages
English (en)
Inventor
张远菊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Jingyi Technology Co ltd
Original Assignee
Hangzhou Jingyi Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Jingyi Technology Co ltd filed Critical Hangzhou Jingyi Technology Co ltd
Priority to CN202310733332.XA priority Critical patent/CN116682762A/zh
Publication of CN116682762A publication Critical patent/CN116682762A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L21/603—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Making Paper Articles (AREA)

Abstract

本发明公开了一种芯片连续压合装置及压合方法，包括机架，机架的内表面之间安装有调距模块，调距模块的周侧面传动连接有两个对称设置的步进送料机构，机架的表面且对应两个步进送料机构之间的位置安装有托料板，托料板的内壁固定滑动连接有顶芯板，顶芯板的顶面固定开设有密封环槽，托料板的底面安装有支架，支架与顶芯板的相对表面之间安装有一组竖直设置的顶升推杆。本发明通过多轴驱动平台、真空发生及检测模块模块和电辅助机构等结构的设置，使本装置能够高效完成芯片本体在芯片组装板上的压合作业。

Description

一种芯片连续压合装置及压合方法
技术领域
本发明涉及芯片压合装置技术领域，具体地说，涉及一种芯片连续压合装置及压合方法。
背景技术
现有技术中公开号为CN215451340U的专利文件公开了一种具有转动芯片功能的芯片压合设备，包括伸缩电机、安装于底座上的第一旋转电机和安装于伸缩电机底部的第二旋转电机，伸缩电机的底端通过伸缩轴固定连接有第二旋转电机，第二旋转电机的底端安装有压板，压板的外侧设置有弹性卡块，压板的正下方设置有工件盘，工件盘的表面设置有压槽，上述技术方案能够将压板嵌入压槽内实现卡扣固定，通过第一旋转电机以及第二旋转电机工作，分别控制工件盘和压板旋转，并且配合抽气阀通过导气管将压槽内的空气进行快速排出，有助于芯片的快速压合加工，使得密封效果更佳，但是上述装置杂芯片压合时不便于实现封装胶的自动填充、芯片卡槽的自动除尘和芯片的自动热压固化作业，基于此，本发明提供了一种芯片连续压合装置及压合方法以解决上述背景技术中提出的问题。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种芯片连续压合装置及压合方法，本发明通过多轴驱动平台、真空发生及检测模块模块和电辅助机构等结构的设置，使本装置能够高效完成芯片本体在芯片组装板上的压合作业。
(二)技术方案
本为实现上述目的，本发明提供如下技术方案，一种芯片连续压合装置，所采用的技术方案是:包括机架，所述机架的内表面之间安装有调距模块，所述调距模块的周侧面传动连接有两个对称设置的步进送料机构，所述机架的表面且对应两个步进送料机构之间的位置安装有托料板，所述托料板的内壁固定滑动连接有顶芯板，所述顶芯板的顶面固定开设有密封环槽，所述托料板的底面安装有支架，所述支架与顶芯板的相对表面之间安装有一组竖直设置的顶升推杆，所述顶升推杆与顶芯板的连接处固定设置有压力传感器，所述机架的上部分别安装有卡座和多轴驱动平台，所述卡座的内壁卡接有芯片码座，所述多轴驱动平台的表面传动连接有执行架，所述执行架的底面固定安装有真空箱a，所述真空箱a的顶部安装有真空发生及检测模块，所述真空箱a的底面安装有一组竖直设置的弹性缓压件，所述真空箱a的底面通过一组弹性缓压件固定安装有与真空箱a滑动连接的真空箱b，所述真空箱a的内壁转动连接有通过旋转电机驱动的旋盘，所述旋盘的内壁滑动连接有五个呈圆周阵列分布的导向管，每个所述导向管的周侧面且对应旋盘上方的位置均套设有收纳弹簧，五个所述导向管的底端分别安装有负压吸头、送胶头、识别摄像头、吸尘头和热压盘，所述执行架的表面安装有与负压吸头、送胶头、识别摄像头、吸尘头和热压盘连接的电辅助机构，所述执行架的内表面之间安装有通过丝杆升降模块驱动的执行压座。
作为优选方案，所述调距模块分别包括转动连接于机架内表面之间的调距丝杆和固定于机架背面的驱动马达，所述驱动马达的输出轴端与调距丝杆固定连接，所述调距丝杆的周侧面对称设置有正向螺纹部和反向螺纹部，所述正向螺纹部和反向螺纹部的周侧面分别与两个步进送料机构传动连接。
作为优选方案，所述步进送料机构分别包括与机架滑动连接的传动座，所述正向螺纹部和反向螺纹部的周侧面分别与两个步进送料机构中的传动座固定连接，所述传动座的表面固定安装有一组竖直设置的步进推杆，所述传动座的表面通过一组步进推杆固定安装有步进架，所述步进架的内部安装有导动模块，所述导动模块的周侧面传动连接有环形步进囊带，所述环形步进囊带为硅胶材质，所述环形步进囊带的内部固定开设有气腔，所述气腔的内部固定填充有气体，两个所述环形步进囊带的相对表面之间夹送有芯片组装板，所述芯片组装板的表面分别设置有芯片卡槽和数据插槽。
作为优选方案，所述导动模块分别包括固定于步进架表面的导动马达、转动连接于步进架内壁的主动轮和从动轮，所述导动马达的输出轴端与主动轮固定连接，所述主动轮和从动轮的周侧面均与环形步进囊带传动连接，所述环形步进囊带设置于托料板的上方。
作为优选方案，所述卡座的内部固定开设有与芯片码座配合的卡槽，所述芯片码座的内部规则分布有芯片码槽，所述芯片码槽的内壁卡接有芯片本体。
作为优选方案，所述多轴驱动平台分别包括举升台和轨道架，所述举升台和轨道架的相对表面之间安装有一组竖直设置的升降推杆，所述轨道架与举升台的相对表面之间安装有一组调位推杆，所述轨道架的内部固定安装有丝杆导动模块，所述丝杆导动模块的周侧面与执行架传动连接，所述举升台的表面固定安装有中控箱。
作为优选方案，所述真空发生及检测模块模块分别包括固定于执行架表面的真空泵，所述真空泵的端口通过真空发生管与真空箱a固定连通，所述真空发生管的内部安装有气压探头，所述真空箱a的内部滑动连接有竖直设置的数据传输导管，所述数据传输导管的底端固定安装有与数据插槽配合的数据端子，所述数据传输导管的周侧面且对应数据端子和真空箱a之间的位置套设有抗压弹簧，所述真空箱a的顶面固定安装有单片机，所述单片机的端口分别与压力传感器、气压探头和识别摄像头电连接。
作为优选方案，所述电辅助机构分别包括固定于执行架表面的储胶箱、负压泵和负压吸尘器，所述储胶箱的内部填充有封装胶，所述储胶箱的内顶部固定安装有蠕动泵，所述蠕动泵的进液端口连通有引胶管，所述蠕动泵的出胶端口通过软管a与送胶头连通，所述负压泵的负压端口通过软管b与负压吸头固定连通，所述负压吸尘器的吸尘端口通过软管c与吸尘头固定连通。
作为优选方案，所述弹性缓压件包括固定于竖直设置且固定于真空箱b表面的导向杆，所述导向杆的周侧面与真空箱a滑动连接，所述导向杆的周侧面且对应真空箱a和真空箱b之间的位置套设有缓冲弹簧，所述真空箱a的内壁固定设置有与真空箱b配合的密封圈。
作为优选方案，一种芯片连续压合装置的压合方法，包括以下步骤：
SS001、布设，压合作业前，将待压合的芯片组装板批量规则码放于托料板上，芯片码座上规则码放待压合的芯片本体；
SS002、压合，压合时，两个环形步进囊带通过步进上下送料方式将待压合的芯片组装板送至顶芯板的正上方，芯片组装板运动至顶芯板的正上方后，顶芯板将芯片组装板顶升至设定高度，待芯片组装板被顶升至设定高度后，压力传感器进行自校零，随后，多轴驱动平台驱动识别摄像头识别芯片码座上芯片卡槽的位置并建立多轴驱动平台的移动参数，识别摄像头建立参数后，负压吸尘头对芯片卡槽进行负压吸尘，吸尘完毕后，送胶头由储胶箱中定量取胶并将储胶箱内部的封装胶送入芯片卡槽，随后，负压吸头由芯片码座中吸取芯片本体并放至至芯片卡槽中，放置完毕后，真空箱b与顶芯板压合为一体，压合完毕后，真空泵对真空箱a和真空箱b进行吸真空处理，吸真空处理完毕后，热压盘以恒温温度将芯片本体热压合于芯片卡槽中；
SS003、连续压合，随后，重复SS002步骤，继而完成批量芯片本体的连续热压合。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种芯片连续压合装置及压合方法，具备以下有益效果
本发明通过多轴驱动平台、真空发生及检测模块模块和电辅助机构等结构的设置，使本装置能够高效完成芯片本体在芯片组装板上的压合作业，且本装置在压合作业时，通过以自动化方式依序完成芯片卡槽的三轴图像识别定位、芯片卡槽的负压预清尘、芯片卡槽中封装胶的预填充、芯片本体的自动对位组装及芯片组装后的热压固化定位，通过上述技术效果的实现，一方面能够有效提高芯片本体的压合效果和压合精度，另一方面则能够有效提高本压合装置的功能性和自动化程度。
附图说明
图1为本发明一种芯片连续压合装置的结构示意图；
图2为本发明图1中A处的局部放大结构示意图；
图3为本发明图1的后视视角结构示意图；
图4为本发明图3中B处的局部放大结构示意图；
图5为本发明执行架和真空箱a的结构示意图；
图6为本发明旋转电机和真空泵的结构示意图；
图7为本发明图6中C处的局部放大结构示意图；
图8为本发明收纳弹簧和执行压座的结构示意图；
图9为本发明图8中D处的局部放大结构示意图；
图10为本发明托料板和顶升推杆的结构示意图；
图11为本发明步进架和步进推杆的结构示意图；。
图中：1、机架；2、调距模块；3、托料板；4、顶芯板；5、顶升推杆；6、卡座；7、多轴驱动平台；8、芯片码座；9、执行架；10、真空箱a；11、弹性缓压件；12、真空箱b；13、旋转电机；14、旋盘；15、导向管；16、收纳弹簧；17、负压吸头；18、送胶头；19、识别摄像头；20、吸尘头；21、热压盘；22、丝杆升降模块；23、执行压座；24、传动座；25、步进推杆；26、步进架；27、导动模块；28、环形步进囊带；29、真空泵；30、数据传输导管；31、数据端子；32、抗压弹簧；33、单片机；34、储胶箱；35、负压泵；36、负压吸尘器。
具体实施方式
下面结合具体实施例和说明书附图对本发明做进一步阐述和说明:
请参阅图1-11，本发明：一种芯片连续压合装置，所采用的技术方案是:包括机架1，机架1的内表面之间安装有调距模块2，调距模块2的周侧面传动连接有两个对称设置的步进送料机构；
调距模块2分别包括转动连接于机架1内表面之间的调距丝杆和固定于机架1背面的驱动马达，驱动马达的输出轴端与调距丝杆固定连接，调距丝杆的周侧面对称设置有正向螺纹部和反向螺纹部，正向螺纹部和反向螺纹部的周侧面分别与两个步进送料机构传动连接；
步进送料机构分别包括与机架1滑动连接的传动座24，正向螺纹部和反向螺纹部的周侧面分别与两个步进送料机构中的传动座24固定连接；
通过正向螺纹部和反向螺纹部的设置，从而快速改变两个传动座24之间的间距，继而通过环形步进囊带28对芯片组装板进行有效步进夹持；
传动座24的表面固定安装有一组竖直设置的步进推杆25，传动座24的表面通过一组步进推杆25固定安装有步进架26，步进架26的内部安装有导动模块27，导动模块27的周侧面传动连接有环形步进囊带28；
导动模块27分别包括固定于步进架26表面的导动马达、转动连接于步进架26内壁的主动轮和从动轮，导动马达的输出轴端与主动轮固定连接，主动轮和从动轮的周侧面均与环形步进囊带28传动连接，环形步进囊带28设置于托料板3的上方；
环形步进囊带28为硅胶材质，环形步进囊带28的内部固定开设有气腔，气腔的内部固定填充有气体；通过环形步进囊带28的气腔开设设置，从而对芯片组装板进行有效夹持保护；
两个环形步进囊带28的相对表面之间夹送有芯片组装板，芯片组装板的表面分别设置有芯片卡槽和数据插槽；
机架1的表面且对应两个步进送料机构之间的位置安装有托料板3，托料板3的内壁固定滑动连接有顶芯板4，顶芯板4的顶面固定开设有密封环槽，托料板3的底面安装有支架，支架与顶芯板4的相对表面之间安装有一组竖直设置的顶升推杆5；
两个环形步进囊带28通过步进上下送料方式将待压合的芯片组装板送至顶芯板4的正上方，芯片组装板运动至顶芯板4的正上方后，顶芯板4将芯片组装板顶升至设定高度，待芯片组装板被顶升至设定高度后，压力传感器进行自校零；
非组装状态下，顶芯板4的顶面与托料板3的顶面平齐；
顶升推杆5与顶芯板4的连接处固定设置有压力传感器；
压力传感器用于实时监测热压盘21对芯片本体的热压合压力；
机架1的上部分别安装有卡座6和多轴驱动平台7，卡座6的内壁卡接有芯片码座8，卡座6的内部固定开设有与芯片码座8配合的卡槽，芯片码座8的内部规则分布有芯片码槽，芯片码槽的内壁卡接有芯片本体；
多轴驱动平台7的表面传动连接有执行架9；
多轴驱动平台7分别包括举升台和轨道架，举升台和轨道架的相对表面之间安装有一组竖直设置的升降推杆，轨道架与举升台的相对表面之间安装有一组调位推杆，轨道架的内部固定安装有丝杆导动模块27，丝杆导动模块27的周侧面与执行架9传动连接，举升台的表面固定安装有中控箱。
执行架9的底面固定安装有真空箱a10，真空箱a10的顶部安装有真空发生及检测模块；
真空发生及检测模块模块分别包括固定于执行架9表面的真空泵29，真空泵29的端口通过真空发生管与真空箱a10固定连通，真空发生管的内部安装有气压探头，真空箱a10的内部滑动连接有竖直设置的数据传输导管30，数据传输导管30的底端固定安装有与数据插槽配合的数据端子31，数据传输导管30的周侧面且对应数据端子31和真空箱a10之间的位置套设有抗压弹簧32，真空箱a10的顶面固定安装有单片机33，单片机33的端口分别与压力传感器、气压探头和识别摄像头19电连接；
多轴驱动平台7驱动识别摄像头19识别芯片码座8上芯片卡槽的位置并建立多轴驱动平台7的移动参数，识别摄像头19建立参数后，负压吸尘头20对芯片卡槽进行负压吸尘；
真空箱b12与顶芯板4压合为一体，压合完毕后，真空泵29对真空箱a10和真空箱b12进行吸真空处理，吸真空处理完毕后，热压盘21以恒温温度将芯片本体热压合于芯片卡槽中。
真空箱a10的底面安装有一组竖直设置的弹性缓压件11，弹性缓压件11包括固定于竖直设置且固定于真空箱b12表面的导向杆，导向杆的周侧面与真空箱a10滑动连接，导向杆的周侧面且对应真空箱a10和真空箱b12之间的位置套设有缓冲弹簧；
真空箱a10的底面通过一组弹性缓压件11固定安装有与真空箱a10滑动连接的真空箱b12，真空箱a10的内壁固定设置有与真空箱b12配合的密封圈；
真空箱a10的内壁转动连接有通过旋转电机13驱动的旋盘14，旋盘14的内壁滑动连接有五个呈圆周阵列分布的导向管15，每个导向管15的周侧面且对应旋盘14上方的位置均套设有收纳弹簧16，五个导向管15的底端分别安装有负压吸头17、送胶头18、识别摄像头19、吸尘头20和热压盘21，执行架9的表面安装有与负压吸头17、送胶头18、识别摄像头19、吸尘头20和热压盘21连接的电辅助机构；
电辅助机构分别包括固定于执行架9表面的储胶箱34、负压泵35和负压吸尘器36，储胶箱34的内部填充有封装胶，储胶箱34的内顶部固定安装有蠕动泵，蠕动泵的进液端口连通有引胶管，蠕动泵的出胶端口通过软管a与送胶头18连通，负压泵35的负压端口通过软管b与负压吸头17固定连通，负压吸尘器36的吸尘端口通过软管c与吸尘头20固定连通；
送胶头18由储胶箱34中定量取胶并将储胶箱34内部的封装胶送入芯片卡槽，随后，负压吸头17由芯片码座8中吸取芯片本体并放至至芯片卡槽中。
执行架9的内表面之间安装有通过丝杆升降模块22驱动的执行压座23。
工作原理：压合作业前，将待压合的芯片组装板批量规则码放于托料板3上，芯片码座8上规则码放待压合的芯片本体；
压合时，通过正向螺纹部和反向螺纹部的设置，从而快速改变两个传动座24之间的间距，继而通过环形步进囊带28对芯片组装板进行有效步进夹持，两个环形步进囊带28通过步进上下送料方式将待压合的芯片组装板送至顶芯板4的正上方，非组装状态下，顶芯板4的顶面与托料板3的顶面平齐，环形步进囊带28为硅胶材质，环形步进囊带28的内部固定开设有气腔，气腔的内部固定填充有气体，通过环形步进囊带28的气腔开设设置，从而对芯片组装板进行有效夹持保护；
芯片组装板运动至顶芯板4的正上方后，顶芯板4将芯片组装板顶升至设定高度，待芯片组装板被顶升至设定高度后，压力传感器进行自校零，随后，多轴驱动平台7驱动识别摄像头19识别芯片码座8上芯片卡槽的位置并建立多轴驱动平台7的移动参数，识别摄像头19建立参数后，负压吸尘头20对芯片卡槽进行负压吸尘，吸尘完毕后，送胶头18由储胶箱34中定量取胶并将储胶箱34内部的封装胶送入芯片卡槽，随后，负压吸头17由芯片码座8中吸取芯片本体并放至至芯片卡槽中，放置完毕后，真空箱b12与顶芯板4压合为一体，压合完毕后，真空泵29对真空箱a10和真空箱b12进行吸真空处理，吸真空处理完毕后，热压盘21以恒温温度将芯片本体热压合于芯片卡槽中；
随后，重复上述压合步骤，继而完成批量芯片本体的连续热压合。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (10)

1.一种芯片连续压合装置，包括机架(1)，其特征在于：所述机架(1)的内表面之间安装有调距模块(2)，所述调距模块(2)的周侧面传动连接有两个对称设置的步进送料机构，所述机架(1)的表面且对应两个步进送料机构之间的位置安装有托料板(3)，所述托料板(3)的内壁固定滑动连接有顶芯板(4)，所述顶芯板(4)的顶面固定开设有密封环槽，所述托料板(3)的底面安装有支架，所述支架与顶芯板(4)的相对表面之间安装有一组竖直设置的顶升推杆(5)，所述顶升推杆(5)与顶芯板(4)的连接处固定设置有压力传感器，所述机架(1)的上部分别安装有卡座(6)和多轴驱动平台(7)，所述卡座(6)的内壁卡接有芯片码座(8)，所述多轴驱动平台(7)的表面传动连接有执行架(9)，所述执行架(9)的底面固定安装有真空箱a(10)，所述真空箱a(10)的顶部安装有真空发生及检测模块，所述真空箱a(10)的底面安装有一组竖直设置的弹性缓压件(11)，所述真空箱a(10)的底面通过一组弹性缓压件(11)固定安装有与真空箱a(10)滑动连接的真空箱b(12)，所述真空箱a(10)的内壁转动连接有通过旋转电机(13)驱动的旋盘(14)，所述旋盘(14)的内壁滑动连接有五个呈圆周阵列分布的导向管(15)，每个所述导向管(15)的周侧面且对应旋盘(14)上方的位置均套设有收纳弹簧(16)，五个所述导向管(15)的底端分别安装有负压吸头(17)、送胶头(18)、识别摄像头(19)、吸尘头(20)和热压盘(21)，所述执行架(9)的表面安装有与负压吸头(17)、送胶头(18)、识别摄像头(19)、吸尘头(20)和热压盘(21)连接的电辅助机构，所述执行架(9)的内表面之间安装有通过丝杆升降模块(22)驱动的执行压座(23)。
2.根据权利要求1所述的一种芯片连续压合装置，其特征在于：所述调距模块(2)分别包括转动连接于机架(1)内表面之间的调距丝杆和固定于机架(1)背面的驱动马达，所述驱动马达的输出轴端与调距丝杆固定连接，所述调距丝杆的周侧面对称设置有正向螺纹部和反向螺纹部，所述正向螺纹部和反向螺纹部的周侧面分别与两个步进送料机构传动连接。
3.根据权利要求2所述的一种芯片连续压合装置，其特征在于：所述步进送料机构分别包括与机架(1)滑动连接的传动座(24)，所述正向螺纹部和反向螺纹部的周侧面分别与两个步进送料机构中的传动座(24)固定连接，所述传动座(24)的表面固定安装有一组竖直设置的步进推杆(25)，所述传动座(24)的表面通过一组步进推杆(25)固定安装有步进架(26)，所述步进架(26)的内部安装有导动模块(27)，所述导动模块(27)的周侧面传动连接有环形步进囊带(28)，所述环形步进囊带(28)为硅胶材质，所述环形步进囊带(28)的内部固定开设有气腔，所述气腔的内部固定填充有气体，两个所述环形步进囊带(28)的相对表面之间夹送有芯片组装板，所述芯片组装板的表面分别设置有芯片卡槽和数据插槽。
4.根据权利要求3所述的一种芯片连续压合装置，其特征在于：所述导动模块(27)分别包括固定于步进架(26)表面的导动马达、转动连接于步进架(26)内壁的主动轮和从动轮，所述导动马达的输出轴端与主动轮固定连接，所述主动轮和从动轮的周侧面均与环形步进囊带(28)传动连接，所述环形步进囊带(28)设置于托料板(3)的上方。
5.根据权利要求4所述的一种芯片连续压合装置，其特征在于：所述卡座(6)的内部固定开设有与芯片码座(8)配合的卡槽，所述芯片码座(8)的内部规则分布有芯片码槽，所述芯片码槽的内壁卡接有芯片本体。
6.根据权利要求5所述的一种芯片连续压合装置，其特征在于：所述多轴驱动平台(7)分别包括举升台和轨道架，所述举升台和轨道架的相对表面之间安装有一组竖直设置的升降推杆，所述轨道架与举升台的相对表面之间安装有一组调位推杆，所述轨道架的内部固定安装有丝杆导动模块(27)，所述丝杆导动模块(27)的周侧面与执行架(9)传动连接，所述举升台的表面固定安装有中控箱。
7.根据权利要求6所述的一种芯片连续压合装置，其特征在于：所述真空发生及检测模块模块分别包括固定于执行架(9)表面的真空泵(29)，所述真空泵(29)的端口通过真空发生管与真空箱a(10)固定连通，所述真空发生管的内部安装有气压探头，所述真空箱a(10)的内部滑动连接有竖直设置的数据传输导管(30)，所述数据传输导管(30)的底端固定安装有与数据插槽配合的数据端子(31)，所述数据传输导管(30)的周侧面且对应数据端子(31)和真空箱a(10)之间的位置套设有抗压弹簧(32)，所述真空箱a(10)的顶面固定安装有单片机(33)，所述单片机(33)的端口分别与压力传感器、气压探头和识别摄像头(19)电连接。
8.根据权利要求7所述的一种芯片连续压合装置，其特征在于：所述电辅助机构分别包括固定于执行架(9)表面的储胶箱(34)、负压泵(35)和负压吸尘器(36)，所述储胶箱(34)的内部填充有封装胶，所述储胶箱(34)的内顶部固定安装有蠕动泵，所述蠕动泵的进液端口连通有引胶管，所述蠕动泵的出胶端口通过软管a与送胶头(18)连通，所述负压泵(35)的负压端口通过软管b与负压吸头(17)固定连通，所述负压吸尘器(36)的吸尘端口通过软管c与吸尘头(20)固定连通。
9.根据权利要求1所述的一种芯片连续压合装置，其特征在于：所述弹性缓压件(11)包括固定于竖直设置且固定于真空箱b(12)表面的导向杆，所述导向杆的周侧面与真空箱a(10)滑动连接，所述导向杆的周侧面且对应真空箱a(10)和真空箱b(12)之间的位置套设有缓冲弹簧，所述真空箱a(10)的内壁固定设置有与真空箱b(12)配合的密封圈。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种芯片连续压合装置的压合方法，其特征在于：包括以下步骤：
SS001、布设，压合作业前，将待压合的芯片组装板批量规则码放于托料板(3)上，芯片码座(8)上规则码放待压合的芯片本体；
SS002、压合，压合时，两个环形步进囊带(28)通过步进上下送料方式将待压合的芯片组装板送至顶芯板(4)的正上方，芯片组装板运动至顶芯板(4)的正上方后，顶芯板(4)将芯片组装板顶升至设定高度，待芯片组装板被顶升至设定高度后，压力传感器进行自校零，随后，多轴驱动平台(7)驱动识别摄像头(19)识别芯片码座(8)上芯片卡槽的位置并建立多轴驱动平台(7)的移动参数，识别摄像头(19)建立参数后，负压吸尘头(20)对芯片卡槽进行负压吸尘，吸尘完毕后，送胶头(18)由储胶箱(34)中定量取胶并将储胶箱(34)内部的封装胶送入芯片卡槽，随后，负压吸头(17)由芯片码座(8)中吸取芯片本体并放至至芯片卡槽中，放置完毕后，真空箱b(12)与顶芯板(4)压合为一体，压合完毕后，真空泵(29)对真空箱a(10)和真空箱b(12)进行吸真空处理，吸真空处理完毕后，热压盘(21)以恒温温度将芯片本体热压合于芯片卡槽中；
SS003、连续压合，随后，重复SS002步骤，继而完成批量芯片本体的连续热压合。
CN202310733332.XA 2023-06-20 2023-06-20 一种芯片连续压合装置及压合方法 Withdrawn CN116682762A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310733332.XA CN116682762A (zh) 2023-06-20 2023-06-20 一种芯片连续压合装置及压合方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310733332.XA CN116682762A (zh) 2023-06-20 2023-06-20 一种芯片连续压合装置及压合方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116682762A true CN116682762A (zh) 2023-09-01

Family

ID=87787106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310733332.XA Withdrawn CN116682762A (zh) 2023-06-20 2023-06-20 一种芯片连续压合装置及压合方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116682762A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117206811A (zh) * 2023-11-07 2023-12-12 托伦斯半导体设备启东有限公司 一种水冷盘焊接固定机构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117206811A (zh) * 2023-11-07 2023-12-12 托伦斯半导体设备启东有限公司 一种水冷盘焊接固定机构
CN117206811B (zh) * 2023-11-07 2024-02-06 托伦斯半导体设备启东有限公司 一种水冷盘焊接固定机构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111947554A (zh) 一种光伏系统安装太阳能板用平整度检测设备及其检测方法
CN112830243B (zh) 工件上料贴装及保压装置
CN106793747A (zh) 一种自动fpc贴合机及贴板方法
CN116682762A (zh) 一种芯片连续压合装置及压合方法
CN109748104B (zh) 一种双工位聚合物锂电池上料方法
CN108878949A (zh) 新能源电池自动贴胶机
CN112657855A (zh) 芯片检测分选机及其检测方法
CN115647598A (zh) 一种电池盖板的自动打标工作方法
CN212634700U (zh) 一种汽车真空泵自动化生产线
CN213351451U (zh) 扇叶与磁铁精确组合装置
CN109003929A (zh) 一种集成电路芯片的烧录器
CN113263395A (zh) 一种用于电机外壳的打磨贴标装置
CN113183451A (zh) 一种产品的保护膜贴合及检测设备
KR100969533B1 (ko) Ｌｅｄ 다이 본딩 장치
CN109904097B (zh) 一种模块化多功能ic晶片贴装设备
CN113471124B (zh) 基于半导体封装用的自动排片机
CN113471107B (zh) 固晶机及固晶方法
CN216912865U (zh) 一种锁螺丝治具以及锁螺丝机
CN108899290A (zh) 多工位集成电路芯片烧录器
CN114486508A (zh) 一种叠层封装用推拉力测试装置
CN114273161A (zh) 一种传感器点胶组装一体机
CN116571403B (zh) 一种半导体磁路组件多视觉模组智能组装一体机
CN218489159U (zh) 一种麦拉片生产的贴合装置
CN213445115U (zh) 硅片上料抓取装置
CN212461643U (zh) 多功能智能移载设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20230901

WW01 Invention patent application withdrawn after publication