CN116655369A - 一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用 - Google Patents

一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用，属于压敏材料技术领域，采用分步烧结法，以ZnO为原料，掺杂氧化物烧结后得到氧化物掺杂ZnO陶瓷，在掺杂金属氧化物的ZnO陶瓷中间涂覆氧化物掺杂Bi2O3悬浮液涂，压制得到ZnO陶瓷‑富Bi层‑ZnO陶瓷三层结构坯体；再将其包裹于ZnO粉体内烧结，之后将最外层ZnO完全打磨掉，即得到结构简单的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，包括ZnO陶瓷外层和中间富铋层，基于此结构，ZnO压敏陶瓷中单个双肖特基晶界势垒的结构、性能及导电机理研究具有显著优势，可模拟常规ZnO压敏陶瓷复杂结构中形成的单个ZnO晶粒‑晶界‑ZnO晶粒结构，有望应用于低压压敏器件领域。

Description

一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其 制备方法和应用
技术领域
本发明属于压敏材料技术领域，具体涉及一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用。
背景技术
ZnO压敏陶瓷因具有非线性系数高、耐浪涌能力强及压敏电压调变范围大等优越性能被用来对各种电力系统和电子线路进行过电压保护。常规ZnO压敏陶瓷通常是以ZnO和Bi2O3为基本原料，同时少量掺杂多种氧化物，得到以施主掺杂的ZnO晶粒为主，同时在ZnO晶粒之间形成双肖特基晶界势垒的多晶陶瓷。以ZnO和Bi2O3为基本原料得到的常规ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷是应用最广泛的压敏陶瓷。研究人员主要采用固相烧结法制备常规ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷，并通过掺杂来改善其电学性能。由于常规ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷微观结构复杂，且不同双肖特基晶界势垒的晶界特性存在较大差异，使得研究人员很难对常规ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷微观结构和晶界特性进行准确分析。
因此，构建仅包含单个双肖特基晶界势垒的ZnO压敏陶瓷，并对其结构和性能进行研究，对推进ZnO压敏陶瓷的发展具有重要的意义。研究人员以ZnO单晶和氧化物为原料，得到了ZnO单晶-氧化物层-ZnO单晶三层结构压敏陶瓷，但ZnO单晶价格昂贵且很难对ZnO单晶进行掺杂，因此其微观结构与常规ZnO压敏陶瓷中单个ZnO晶粒-晶界-ZnO晶粒结构存在较大差异。研究人员也尝试用旋涂法制备并烧结得到ZnO层-氧化物层-ZnO层三层结构，但其相对密度较低，较难对ZnO层进行掺杂，且ZnO层与氧化物层之间互相渗透，导致所得结构与常规ZnO压敏陶瓷中单个ZnO晶粒-晶界-ZnO晶粒结构仍存在较大差异。
针对现有的旋涂法制备的ZnO层-氧化物层-ZnO层三层结构，相对密度较低，较难对ZnO层进行掺杂，ZnO层与氧化物层之间互相渗透，导致所得结构与常规ZnO压敏陶瓷中单个ZnO晶粒-晶界-ZnO晶粒结构仍存在较大差异的问题，急需构建一种与常规ZnO压敏陶瓷中单个ZnO晶粒-晶界-ZnO晶粒结构相似的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，对于ZnO压敏陶瓷中单个双肖特基晶界势垒的结构、性能及导电机理研究具有重要意义。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用，以解决现有的常规ZnO压敏陶瓷无法通过多晶ZnO陶瓷构建仅包含单个双肖特基晶界势垒的ZnO压敏陶瓷的技术问题。
为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
本发明公开了一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
1)将ZnO，掺杂氧化物和聚乙烯醇水溶液混合均匀，经球磨混合，造粒，压制，得到ZnO陶瓷，经排胶，烧结后，得到氧化物掺杂ZnO陶瓷；
2)将Bi2O3与氧化物掺杂，并与聚乙烯醇水溶液混合，加热搅拌后，得到氧化物掺杂Bi2O3悬浮液，静置，将下层沉淀涂覆于步骤1)得到的氧化物掺杂ZnO陶瓷得表面，在涂覆下层沉淀的表面再放置一片步骤1)得到的氧化物掺杂ZnO陶瓷，压制得到ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；
3)将步骤2)得到的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体包裹于ZnO粉体内压制，排胶，烧结，将最外层ZnO完全打磨掉，得到仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷。
优选地，步骤1)中，所述ZnO：掺杂金属氧化物的摩尔百分比为(95-100)：(0-5)；所述ZnO陶瓷的直径为6-15mm。
优选地，步骤1)中，所述聚乙烯醇水溶液的加入量为ZnO和掺杂金属氧化物总质量的20％；所述聚乙烯醇水溶液的质量百分数为5％；所述掺杂金属氧化物为Co2O3，MnO2，SrCO3或Y2O3。
优选地，步骤1)中，所述排胶温度为500-600℃，排胶时间为100-300min。
优选地，步骤1)中，所述烧结温度为600-1350℃，烧结时间为1-10h。
优选地，步骤2)中，所述氧化物为SiO2，水浴加热的温度为50-90℃，时间为1-10h。
优选地，步骤3)中，所述排胶温度为500-600℃，排胶时间为100-300min。
优选地，步骤3)中，烧结温度为900-1050℃，烧结时间为1-10h。
本发明还公开了上述制备方法制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，该仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的电位梯度为20.6-172V/mm，非线性系数为1.4-14，漏电流为0.3-0.8μA。
本发明还公开了上述仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷在电力系统和电子线路中的应用。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明公开了一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，采用分步烧结制备技术，以ZnO为原料，掺杂氧化物烧结后得到氧化物掺杂ZnO陶瓷；该氧化物掺杂ZnO陶瓷具有致密度高的优良微观结构，且对ZnO及掺杂氧化物添加剂的球磨均匀程度的要求有所降低，操作简单易行；再将氧化物掺杂Bi2O3悬浮液涂覆于氧化物掺杂ZnO陶瓷表面，之后在涂覆悬浮液的表面放置一片氧化物掺杂ZnO陶瓷，压制得到ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；再将其包裹于ZnO粉体内，将最外层ZnO完全打磨掉，即得到结构简单的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷；通过对常规ZnO压敏陶瓷制备工艺的改进，传统固相烧结法的基础上改进实验工艺，通过对ZnO陶瓷刷涂掺杂层从而制备得到一种全新仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，便于对单个双肖特基势垒进行分析。该仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的三层结构包括ZnO陶瓷外层和中间富铋层，基于此结构，ZnO压敏陶瓷中单个双肖特基晶界势垒的结构、性能及导电机理研究具有显著优势，可模拟常规ZnO压敏陶瓷复杂结构中形成的单个ZnO晶粒-晶界-ZnO晶粒结构，有望应用于低压压敏器件领域。
本发明还公开了上述制备方法制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，该仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷是多晶结构，致密度高，均匀程度可控，可以通过掺杂金属氧化物改善其电学性能，掺杂层制作方式简单易行，聚乙烯醇中的金属氧化物掺杂层含量可控，掺杂层配方中金属氧化物含量可控，氧化物掺杂ZnO陶瓷与氧化物掺杂Bi2O3层接触良好。其电位梯度为20.6-172V/mm，非线性系数为1.4-14，漏电流为0.3-0.8μA。
本发明还公开了上述仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷在电力系统和电子线路中的应用，本发明公开的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷对电力系统和电子线路进行过电压保护及浪涌吸收，从而有效保护电力系统和电子线路使其免受过电流冲击导致损坏。
附图说明
图1是本发明实施例1制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的SEM图；
图2是本发明实施例2制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的SEM图；
图3是本发明实施例3制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的SEM图；
图4是本发明实施例4制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的SEM图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
本发明提供了一种与常规ZnO压敏陶瓷中单个ZnO晶粒-晶界-ZnO晶粒结构相似的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，有利于对其晶界特性进行深入研究。
一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
1)将ZnO，掺杂氧化物和聚乙烯醇(PVA)水溶液按一定比例混合，并球磨干燥后得到粉料，之后过筛造粒，压制成型，排胶，烧结即得氧化物掺杂ZnO陶瓷；
2)将Bi2O3与氧化物掺杂，并与聚乙烯醇水溶液混合，水浴加热搅拌至均匀，得到氧化物掺杂Bi2O3悬浮液，静置24h，得到下层沉淀；将下层沉淀均匀涂覆于步骤1)得到的氧化物掺杂ZnO陶瓷表面，之后在涂覆悬浮液的表面放置一片步骤1)得到的氧化物掺杂ZnO陶瓷，得到ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；
3)将步骤2)得到的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体包裹于ZnO粉体内压制，排胶，烧结后，将最外层ZnO完全打磨掉，即得仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷。
所述步骤1)中，ZnO和掺杂金属氧化物的摩尔百分比为(95-99)：(1-5)；
聚乙烯醇水溶液的加入量为ZnO和掺杂金属氧化物总质量的20％；
ZnO陶瓷的直径为6-15mm；
排胶温度为500-600℃，排胶时间为100-300min；
烧结温度为600-1350℃，烧结时间为1-10h；
掺杂氧化物为Co2O3，MnO2，SrCO3或Y2O3。
所述步骤2)中，所述氧化物为SiO2。
所述步骤2)中，聚乙烯醇水溶液的质量百分数为5％；
水浴加热的温度为50-90℃，时间为1-10h。
所述步骤3)中，排胶温度为500-600℃，排胶时间为100-300min。
所述步骤3)中，烧结温度为900-1050℃，烧结时间为1-10h。
实施例1
一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
1)首先将9.7983g的ZnO和0.2017g的Co2O3与去离子水混合，研磨球使用行星球磨仪，以500r/min球磨6h使其混合均匀，再将所得浆料在90℃干燥12h，得到混合粉体；
2)将步骤1)所得混合粉体过40目筛取小颗粒，并滴入适量聚乙烯醇(PVA)水溶液进行造粒，之后单轴压制得到直径为6.0mm，厚度为1.0mm的ZnO陶瓷；
3)将步骤2)制得的ZnO陶瓷以3℃/min升至500℃保温5h进行排胶，之后以5℃/min的升温速率升至1350℃保温1h后，以5℃/min降至500℃，随后自然冷却至室温，得到氧化物掺杂ZnO陶瓷；
4)将0.85g Bi2O3和0.15g SiO2与10mL PVA水溶液混合后50℃水浴加热1h且磁力搅拌至均匀，得到SiO2掺杂Bi2O3悬浮液并静置24h；
5)取步骤4)静置后的下层沉淀均匀涂覆于步骤3)所得的氧化物掺杂ZnO陶瓷表面，之后在涂覆悬浮液的表面再放置一片氧化物掺杂ZnO陶瓷，得到“三明治”结构的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；
6)将步骤5)制得的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体包裹于ZnO粉体内，再次压制成型后，之后单轴压制得到直径为15.0mm，厚度为2.5mm的ZnO陶瓷。以3℃/min升至500℃保温5h进行排胶，之后以5℃/min的升温速率升至900℃保温1h后5℃/min降至500℃，随后自然冷却至室温，即得仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷；
将制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷进行抛光、涂银、烘干等步骤后烧渗银电极，从而使氧化银还原为单质银并作为电极紧密贴合在样品表面便于测试其电学性能，测得其非线性系数α为14、压敏电压U1mA为554.3V、漏电流IL为0.6μA。
参见图1为本发明实施例1制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的SEM图；从图中可以看出，ZnO陶瓷致密度高，掺杂层与陶瓷紧密接触。
实施例2
一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
1)首先将9.7683g的ZnO和0.2317g的MnO2与去离子水混合，研磨球使用行星球磨仪以500r/min球磨6h使其混合均匀，再将所得浆料在90℃干燥12h，得到混合粉体；
2)将步骤1)所得混合粉体过40目筛取小颗粒，并滴入适量聚乙烯醇(PVA)水溶液进行造粒，之后单轴压制得到直径为8.0mm，厚度约为1.0mm的ZnO陶瓷；
3)将步骤2)制得的ZnO陶瓷以3℃/min升至550℃保温2h进行排胶，之后以5℃/min的升温速率升至1150℃保温4h后，以5℃/min降至500℃，随后自然冷却至室温，得到氧化物掺杂ZnO陶瓷；
4)将0.85g Bi2O3和0.15g SiO2与10mL PVA水溶液混合后65℃水浴加热3h且磁力搅拌至均匀，得到SiO2掺杂Bi2O3悬浮液并静置24h；
5)取步骤4)静置后的下层沉淀均匀涂覆于步骤3)所得的氧化物掺杂ZnO陶瓷表面，之后在涂覆悬浮液的表面再放置一片氧化物掺杂ZnO陶瓷，得到“三明治”结构的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；
6)将步骤5)制得的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体包裹于ZnO粉体内，再次压制成型之后单轴压制得到直径为15.0mm，厚度为2.5mm的ZnO陶瓷。以3℃/min升至550℃保温2h进行排胶，之后以5℃/min的升温速率升至950℃保温4h后5℃/min降至500℃，随后自然冷却至室温，即得仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷；
将制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷进行抛光、涂银、烘干等步骤后烧渗银电极，从而使氧化银还原为单质银并作为电极紧密贴合在样品表面便于测试其电学性能，测得非线性系数α为5、压敏电压U1mA为75.9V、漏电流IL为0.1μA。
参见图2是本发明实施例2制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的SEM图；从图中可以看出，ZnO陶瓷致密度高，掺杂层中空隙较明显但与陶瓷紧密贴合。
实施例3
一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
1)首先将9.5382g的ZnO和0.4618g的SrCO3与适量去离子水混合，研磨球使用行星球磨仪以500r/min球磨6h使其混合均匀，再将所得浆料在90℃干燥12h，得到混合粉体；
2)将步骤1)所得混合粉体过40目筛取小颗粒，并滴入适量聚乙烯醇(PVA)水溶液进行造粒，之后单轴压制得到直径为6.0mm，厚度约为1.0mm的ZnO陶瓷；
3)将步骤2)制得的ZnO陶瓷以3℃/min升至600℃保温5h进行排胶，之后以5℃/min的升温速率升至1350℃保温8h后，以5℃/min降至500℃，随后自然冷却至室温，得到氧化物掺杂ZnO陶瓷；
4)将0.85g Bi2O3和0.15g SiO2与10mL PVA水溶液混合后80℃水浴加热6h且磁力搅拌至均匀，得到SiO2掺杂Bi2O3悬浮液并静置24h；
5)取步骤4)静置后的下层沉淀均匀涂覆于步骤3)所得的氧化物掺杂ZnO陶瓷表面，之后在涂覆悬浮液的表面再放置一片氧化物掺杂ZnO陶瓷，得到“三明治”结构的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；
6)将步骤5)制得的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体包裹于ZnO粉体内，再次压制成型之后单轴压制得到直径为15.0mm，厚度为2.5mm的ZnO陶瓷。以3℃/min升至600℃保温5h进行排胶，之后以5℃/min的升温速率升至1000℃保温8h后5℃/min降至500℃，随后自然冷却至室温，即得仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷；
将制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷进行抛光、涂银、烘干等步骤后烧渗银电极，从而使氧化银还原为单质银并作为电极紧密贴合在样品表面便于测试其电学性能，非线性系数α为1.4、压敏电压U1mA为101.8V、漏电流IL为671.2μA。
参见图3是本发明实施例3制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的SEM图；从图中可以看出，ZnO陶瓷致密度高，掺杂层中空隙较明显但与陶瓷紧密贴合。
实施例4
一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
1)首先将9.7274g的ZnO和0.2726g的Y2O3与适量去离子水混合，研磨球使用行星球磨仪以500r/min球磨6h使其混合均匀，再将所得浆料在90℃干燥12h，得到混合粉体；
2)将步骤1)所得混合粉体过40目筛取小颗粒，并滴入适量聚乙烯醇(PVA)水溶液进行造粒，之后单轴压制得到直径为6.0mm，厚度约为1.0mm的ZnO陶瓷；
3)将步骤2)制得的ZnO陶瓷以3℃/min升至600℃保温100min进行排胶，之后以5℃/min的升温速率升至600℃保温10h后，以5℃/min降至500℃，随后自然冷却至室温，得到氧化物掺杂ZnO陶瓷；
4)将0.85g Bi2O3和0.15g SiO2与10mL PVA水溶液混合后90℃水浴加热10h且磁力搅拌至均匀，得到SiO2掺杂Bi2O3悬浮液并静置24h；
5)取步骤4)静置后的下层沉淀均匀涂覆于步骤3)所得的氧化物掺杂ZnO陶瓷表面，之后在涂覆悬浮液的表面放置一片氧化物掺杂ZnO陶瓷，得到“三明治”结构的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；
6)将步骤5)制得的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体包裹于ZnO粉体内，再次压制成型之后单轴压制得到直径为15.0mm，厚度为2.5mm的ZnO陶瓷。以3℃/min升至600℃保温100min进行排胶，之后以5℃/min的升温速率升至1050℃保温10h后5℃/min降至500℃，随后自然冷却至室温，即得仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷；
将制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷进行抛光、涂银、烘干等步骤后烧渗银电极，从而使氧化银还原为单质银并作为电极紧密贴合在样品表面便于测试其电学性能，测得非线性系数α为1.6、压敏电压U1mA为439.4V、漏电流IL为153.1μA。
参见图4是本发明实施例4制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的SEM图；从图中可以看出，ZnO陶瓷致密度高，掺杂层中空隙较明显但与陶瓷紧密贴合。
表1实施例1～4制得的4种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的电学性能对比
参见表1为实施例1～4制得的4种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷各组成材料的电学性能对比，针对实施例中得到的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，分别测试了非线性系数α、压敏电压U1mA、漏电流IL。从表1中可以看出，实施例1测得非线性系数α为14、压敏电压U1mA为554.3V、漏电流IL为0.6μA；实施例2测得非线性系数α为5、压敏电压U1mA为75.9V、漏电流IL为0.1μA；实施例3测得非线性系数α为1.4、压敏电压U1mA为101.8V、漏电流IL为671.2μA；实施例4测得非线性系数α为1.6、压敏电压U1mA为439.4V、漏电流IL为153.1μA。实施例1制得的Co2O3掺杂ZnO陶瓷对其非线性系数提高具有明显效果，且漏电流低至0.6μA，压敏电压高达554.3V，实施例2制得的MnO2掺杂ZnO陶瓷、实施例3制得的SrCO3掺杂ZnO陶瓷和实施例4制得的Y2O3掺杂ZnO陶瓷对其非线性系数提高贡献较小，实施例3制得的SrCO3掺杂ZnO陶瓷可降低其压敏电压，实施例3制得的SrCO3掺杂ZnO陶瓷和实施例4制得的Y2O3掺杂ZnO陶瓷使漏电流显著增加。因此，构建与常规ZnO压敏陶瓷中单个ZnO晶粒-晶界-ZnO晶粒结构相似的仅包含单个双肖特基晶界势垒的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构压敏陶瓷，对于ZnO压敏陶瓷中单个双肖特基晶界势垒的结构、性能及导电机理研究具有重要意义。通过实施例1-4可知，Co2O3掺杂ZnO陶瓷对其非线性系数提高具有明显效果，可以认为，Co2O3掺杂可以有效提高双肖特基势垒高度从而提高非线性系数。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将ZnO，掺杂氧化物和聚乙烯醇水溶液混合均匀，经球磨混合，造粒，压制，得到ZnO陶瓷，经排胶，烧结后，得到氧化物掺杂ZnO陶瓷；
2)将Bi2O3与氧化物掺杂，并与聚乙烯醇水溶液混合，加热搅拌后，得到氧化物掺杂Bi2O3悬浮液，静置，将下层沉淀涂覆于步骤1)得到的氧化物掺杂ZnO陶瓷得表面，在涂覆下层沉淀的表面再放置一片步骤1)得到的氧化物掺杂ZnO陶瓷，压制得到ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体；
3)将步骤2)得到的ZnO陶瓷-富Bi层-ZnO陶瓷三层结构坯体包裹于ZnO粉体内压制，排胶，烧结，将最外层ZnO完全打磨掉，得到仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷。
2.根据权利要求1所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述ZnO：掺杂金属氧化物的摩尔百分比为(95-100)：(0-5)；所述ZnO陶瓷的直径为6-15mm。
3.根据权利要求1所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述聚乙烯醇水溶液的加入量为ZnO和掺杂金属氧化物总质量的20％；所述聚乙烯醇水溶液的质量百分数为5％；所述掺杂金属氧化物为Co2O3，MnO2，SrCO3或Y2O3。
4.根据权利要求1所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述排胶温度为500-600℃，排胶时间为100-300min。
5.根据权利要求1所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述烧结温度为600-1350℃，烧结时间为1-10h。
6.根据权利要求1所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述氧化物为SiO2，水浴加热的温度为50-90℃，时间为1-10h。
7.根据权利要求1所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述排胶温度为500-600℃，排胶时间为100-300min。
8.根据权利要求1所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3)中，烧结温度为900-1050℃，烧结时间为1-10h。
9.权利要求1～8任意一项制备方法制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，其特征在于，该仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的电位梯度为20.6-172V/mm，非线性系数为1.4-14，漏电流为0.3-0.8μA。
10.权利要求9所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷在电力系统和电子线路中的应用。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4272754A (en) * 1979-12-17 1981-06-09 General Electric Company Thin film varistor
WO2013175794A1 (ja) * 2012-05-25 2013-11-28 パナソニック株式会社 電圧非直線性抵抗体およびこれを用いた積層バリスタ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5914602A (ja) * 1982-07-16 1984-01-25 松下電器産業株式会社 電圧非直線抵抗器とその製造方法
JPS5918601A (ja) * 1982-07-21 1984-01-31 松下電器産業株式会社 電圧非直線抵抗器とその製造方法
CN110952140A (zh) * 2019-12-05 2020-04-03 清华大学 实验用氧化锌人工晶界结构及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4272754A (en) * 1979-12-17 1981-06-09 General Electric Company Thin film varistor
WO2013175794A1 (ja) * 2012-05-25 2013-11-28 パナソニック株式会社 電圧非直線性抵抗体およびこれを用いた積層バリスタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BAI HAIRUI: "Influence of SiO2 on electrical properties of the highly nonlinear ZnO-Bi2O3-MnO2 varistors", 《JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY》, vol. 37, no. 13, 1 October 2017 (2017-10-01), pages 3965 - 3971, XP085065033, DOI: 10.1016/j.jeurceramsoc.2017.05.014 *

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