CN116613110B - 一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 128
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 58
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 30
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 48
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 10
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 210000002469 basement membrane Anatomy 0.000 description 1
- 238000010073 coating (rubber) Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 gold tin copper aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
Abstract
本发明提供了一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构，涉及芯片封装技术领域，封装结构包括引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。本发明中，封装盖板与若干侧壁连接板形成密闭空间封装管芯，封装盖板采用导热材料制成，管芯热量通过封装盖板传递至外界环境中，提高了封装结构的散热效果。
Description
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构。
背景技术
随着半导体制造技术的进步,微电子组件的尺寸越来越小,其中的电路也越来越密集。为了进一步缩小尺寸,安装在电路板的微电子组件封装结构也必须更加紧密。
传统半导体封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板的相应引脚,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试。例如，授权公告号为“CN112117242B”的申请公开了一种芯片封装结构及其制造方法。所述芯片封装结构包括基岛、封装料、贴装在基岛上表面的第一芯片以及相较于第一芯片远离基岛上表面布设的第二芯片，还包括设于第二芯片下表面的基底膜层和多个连接柱，所述连接柱的上端植设于基底膜层且其下端焊接于基岛上表面，封装料包封第一芯片和第二芯片并填充于基岛和第二芯片之间。通过设置基底膜层和植设连接柱，使得在封装料能够沿连接柱包饶并充盈至第二芯片和基岛之间的空隙中，利于包封过程中气体的顺利排出，避免空洞现象；并且，连接柱的上端植设于基底膜层且其下端焊接至基岛上，使得连接柱稳固性强，避免连接柱脱落或移位。
但是，上述封装结构通过封装料直接包封第一芯片与第二芯片，封装料导热性较差，导致该封装结构散热性能较低，芯片工作过程产生的热量不易传递至外界，影响了芯片的工作性能。
发明内容
本发明提供一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构，用以解决目前封装结构采用封装料直接封装时导热性较差，导致该封装结构散热性能较低，芯片工作过程产生的热量不易传递至外界，影响了芯片的工作性能的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明公开了一种增强散热的盖板封装结构，包括：引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，若干管脚围设于基岛外围，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。
优选地，引线框架上设置塑封层，塑封层包覆在管脚、侧壁连接板及封装盖板外侧，封装盖板上表面延伸至塑封层外部。
优选地，封装盖板的凸缘靠下位置设置凸起。
优选地，管芯设置有若干个，封装盖板靠近管芯一侧中心开设凹槽，凹槽两侧形成与管芯相对应的盖板柱体，盖板柱体下端通过第二结合层与管芯上表面连接，凹槽内设置内部连接板，内部连接板两端分别与相邻两个管芯连接。
优选地，第一结合层、第二结合层、第三结合层均采用导热结合材料制成。
一种增强散热的盖板封装结构制备方法，用于制备上述的一种增强散热的盖板封装结构，包括以下步骤：
步骤1：取一铜片，通过蚀刻、冲压等工艺设置基岛及围设于基岛外围的若干管脚；
步骤2：在基岛上涂覆导热结合材料制得第一结合层，并在第一结合层上设置管芯；
步骤3：取侧壁连接板，将侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，并将侧壁连接板另一端与管脚连接；
步骤4：取一封装盖板，封装盖板外周设置凸缘，在封装盖板上表面设置第二结合层及第三结合层，并将封装盖板设置第二结合层及第三结合层一侧朝下盖设在管芯上方，封装盖板下表面通过第二结合层与管芯连接，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板连接，封装盖板与若干侧壁连接板形成密闭空间。
优选地，第一结合层、第二结合层、第三结合层均通过涂覆机制备而成，涂覆机输入端设置导热结合材料混合装置，涂覆机输出端设置涂胶头。
优选地，导热结合材料混合装置包括混合箱，混合箱内设置搅拌轴，搅拌轴上端延伸至混合箱上端外部并与驱动电机输出端连接，搅拌轴侧壁设置若干搅拌叶片，搅拌叶片长度与混合箱内壁直径相适配，混合箱内壁设置滑槽，搅拌叶片上方设置过滤网，过滤网内设置若干滤孔，过滤网外周与滑槽内壁滑动连接，滑槽内设置第一弹簧，第一弹簧一端与过滤网连接，第一弹簧另一端与滑槽内壁连接，过滤网中心与搅拌轴上下滑动连接，混合箱内壁设置加热条，混合箱侧壁设置进料管，混合箱下端呈锥形状，混合箱下端设置出料管，出料管内设置出料阀，出料管与涂覆机输入端连接。
优选地，搅拌轴外部套设滑套，滑套下端与过滤网上表面转动连接，滑套外壁设置若干破碎板，滑套内设置导向槽，导向槽内滑动设置导向条，导向条一侧与搅拌轴侧壁固定连接。
优选地，过滤网上方设置压板，压板中心与搅拌轴外壁上下滑动连接，压板外周与混合箱内壁滑动连接，压板下表面设置若干突刺，压板上表面设置若干第二弹簧，第二弹簧一端与压板上表面连接，第二弹簧另一端与混合箱上端内壁连接。
本发明的技术方案具有以下优点：本发明提供了一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构，涉及芯片封装技术领域，封装结构包括引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。本发明中，封装盖板与若干侧壁连接板形成密闭空间封装管芯，封装盖板采用导热材料制成，封装盖板导热性较强，管芯产生的热量通过封装盖板传递至外界环境中，提高了封装结构的散热效果，从而保证了管芯的工作性能，延长了管芯的使用寿命。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及说明书附图中所特别指出的装置来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明一种增强散热的盖板封装结构的第一种结构示意图；
图2为本发明一种增强散热的盖板封装结构的第二种结构示意图；
图3为本发明一种增强散热的盖板封装结构的第三种结构示意图；
图4为本发明一种增强散热的盖板封装结构的第四种结构示意图；
图5为本发明中导热结合材料混合装置结构示意图；
图6为本发明图5中A处放大图；
图7为本发明图5中B处放大图；
图8为本发明中翻动组件俯视图。
图中：1、基岛；2、管脚；3、第一结合层；4、管芯；5、侧壁连接板；6、封装盖板；7、第二结合层；8、凸缘；9、第三结合层；10、塑封层；11、凸起；12、凹槽；13、盖板柱体；14、内部连接板；15、混合箱；16、搅拌轴；17、驱动电机；18、搅拌叶片；19、滑槽；20、过滤网；21、滤孔；22、第一弹簧；23、加热条；24、进料管；25、出料管；26、滑套；27、破碎板；28、导向槽；29、导向条；30、压板；31、突刺；32、第二弹簧；33、不完全齿轮；34、套管；35、齿条；36、第三弹簧；37、搅动板；38、第四弹簧；39、滑动板；40、滚轮。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本发明，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案以及技术特征可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
实施例1：
本发明实施例提供了一种增强散热的盖板封装结构，如图1所示，包括：引线框架，引线框架上设置基岛1与若干管脚2，若干管脚2围设于基岛1外围，基岛1上表面通过第一结合层3与管芯4下表面的下电极连接，管芯4与管脚2之间设置侧壁连接板5，侧壁连接板5一端与管芯4上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板5另一端通过折弯与管脚2连接，管芯4上方设置封装盖板6，管芯4上表面的上电极通过第二结合层7与封装盖板6下表面连接，封装盖板6上端外周设置凸缘8，凸缘8下表面通过第三结合层9与侧壁连接板5上表面连接；
第一结合层3、第二结合层7、第三结合层9均采用导热结合材料制成。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：本方案适用于单管芯4封装，基岛1通过第一结合层3与管芯4连接，管芯4通过侧壁连接板5与管脚2连接，侧壁连接板5截面呈S型，侧壁连接板5采用导电材质制成，管脚2与基岛1之间留有间隙，封装盖板6通过第二结合层7与管芯4连接，封装盖板6可采用导热陶瓷材质制得，封装盖板6的凸缘8通过第三结合层9与侧壁连接板5连接，不需要设置塑封层10，封装盖板6与若干侧壁连接板5形成密闭空间从而封装管芯4，第一结合层3、第二结合层7、第三结合层9均采用导热结合材料制成，导热结合材料可以为导电胶，导电胶具有导热性，第二结合层7设置较薄，能够将管芯4产生的热量传递至封装盖板6，封装盖板6采用导热材料制成，封装盖板6导热性较强，管芯4产生的热量通过封装盖板6传递至外界环境中，提高了封装结构的散热效果，从而保证了管芯4的工作性能，延长了管芯4的使用寿命，该封装结构通过封装盖板6能够实现电极隔离，导电可靠性较好。
实施例2
如图2所示，引线框架上设置塑封层10，塑封层10包覆在管脚2、侧壁连接板5及封装盖板6外侧，封装盖板6上表面延伸至塑封层10外部；
封装盖板6的凸缘8靠下位置设置凸起11。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：封装盖板6还可选用金属材质，提高了导热性能，此时，在引线框架上设置塑封层10，塑封层10能够包覆在管脚2、侧壁连接板5及封装盖板6外侧,封装盖板6通过塑封层10与侧壁连接板5连接，塑封层10通过塑封工艺形成密闭封装结构，提高了封装效果，封装盖板6上表面延伸至塑封层10外部，管芯4产生的热量能够通过封装盖板6传递至外界环境中，具有良好的散热效果，封装盖板6的凸缘8靠下位置设置凸起11，从而形成锁模结构，提高封装盖板6与塑封层10的连接强度，使得封装结构更加稳定可靠，针对不同管芯4的散热要求可选取不同材质的封装盖板6及封装结构，适用于多种不同场景，增加了适用范围。
实施例3
在实施例1基础上，如图3所示，管芯4设置有若干个，封装盖板6靠近管芯4一侧中心开设凹槽12，凹槽12两侧形成与管芯4相对应的盖板柱体13，盖板柱体13下端通过第二结合层7与管芯4上表面连接，凹槽12内设置内部连接板14，内部连接板14两端分别与相邻两个管芯4连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：当多管芯4进行封装时，多个管芯4布置在基岛1上，相邻管芯4之间通过凹槽12之间的内部连接板14连接，凹槽12两侧形成的盖板柱体13通过第二结合层7与管芯4上表面连接，侧壁连接板5连接底部封装管脚2，侧壁连接板5与封装盖板6形成密闭空间，从而封装管芯4，该封装结构能够实现多颗管芯4互连，并实现管芯4电极隔离，封装盖板6可采用导热陶瓷材质，封装盖板6的凸缘8通过第三结合层9与侧壁连接板5连接，不需要设置塑封层10，提高封装效果与导热性，使得管芯4热量通过封装盖板6传递至外界环境中，具有良好的散热效果。
实施例4
在实施例3的基础上，如图4所示，引线框架上设置塑封层10，塑封层10包覆在管脚2、侧壁连接板5及封装盖板6外侧，封装盖板6上表面延伸至塑封层10外部；
封装盖板6的凸缘8靠下位置设置凸起11。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：多管芯4封装时，封装盖板6可选用金属材质，如铜，当封装盖板6选用金属材质时，在引线框架上设置塑封层10，塑封层10包覆在管脚2、侧壁连接板5及封装盖板6外侧，封装盖板6通过塑封层10与侧壁连接板5连接，塑封层10填充于凹槽12内及管脚2与管芯4之间的间隙，提高了封装效果，封装盖板6上表面延伸至塑封层10外部，管芯4产生的热量能够通过封装盖板6传递至外界环境中，具有良好的散热效果，封装盖板6的凸缘8靠下位置设置凸起11，从而形成锁模结构，提高封装盖板6与塑封层10的连接强度，使得封装结构更加稳定可靠，基于上述多种封装结构，针对不同管芯4的散热要求可选取不同材质的封装盖板6及封装结构，适用于多种不同场景，增加了适用范围。
实施例5
在上述实施例的基础上，本发明还提供了一种增强散热的盖板封装结构制备方法，用于制备上述的一种增强散热的盖板封装结构，包括以下步骤：
步骤1：取一铜片，通过蚀刻、冲压等工艺制备基岛1及围设于基岛1外围的若干管脚2；
步骤2：在基岛1上涂覆导热结合材料制得第一结合层3，并在第一结合层3上设置管芯4；
步骤3：取侧壁连接板5，将侧壁连接板5一端与管芯4上表面的上电极焊盘连接，并将侧壁连接板5另一端与管脚2连接；
步骤4：取一封装盖板6，封装盖板6外周设置凸缘8，在封装盖板6上表面设置第二结合层7及第三结合层9，将封装盖板6设置第二结合层7及第三结合层9一侧朝下盖设在管芯4上方，封装盖板6下表面通过第二结合层7与管芯4连接，凸缘8下表面通过第三结合层9与侧壁连接板5连接，封装盖板6与若干侧壁连接板5形成密闭空间。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：先取一铜片，通过蚀刻、冲压等工艺制备设置基岛1及围设于基岛1外围的若干管脚2，接着在基岛1上涂覆导热结合材料制得第一结合层3，并在第一结合层3上设置管芯4，然后取侧壁连接板5，将侧壁连接板5一端与管芯4上表面的上电极焊盘连接，并将侧壁连接板5另一端与管脚2连接，最后取一封装盖板6，封装盖板6外周设置凸缘8，在封装盖板6上表面设置第二结合层7及第三结合层9，将封装盖板6设置第二结合层7及第三结合层9一侧朝下盖设在管芯4上方，封装盖板6下表面通过第二结合层7与管芯4上表面连接，凸缘8下表面通过第三结合层9与侧壁连接板5上表面连接，封装盖板6与若干侧壁连接板5形成密闭空间，采用上述方法制得的封装结构中，封装盖板6导热性较强，管芯4产生的热量先通过导热性良好的第二结合层7传递至封装盖板6，再通过封装盖板6传递至外界环境中，提高了封装结构的散热效果，从而保证了管芯4的工作性能，延长了管芯4的使用寿命，该封装结构通过封装盖板6能够实现电极隔离，导电可靠性较好。
实施例6
在实施例5的基础上，第一结合层3、第二结合层7及第三结合层9通过涂覆机制备而成，涂覆机输入端设置导热结合材料混合装置，涂覆机输出端设置涂胶头。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：为提高封装结构的散热性能，第一结合层3、第二结合层7及第三结合层9采用涂覆机制备时需涂覆均匀，且厚度保持一致，同时，为了提高第一结合层3、第二结合层7及第三结合层9的导热性能，第一结合层3、第二结合层7及第三结合层9的制备材料需保证熔融充分且不存在固体颗粒，以导电胶为例，导电胶制备前，先将导电胶制备原料投放至导热结合材料混合装置中，待导电胶制备原料混合均匀且充分熔融后，再注入涂覆机，并通过涂覆机输出端的涂胶头向基岛1、管芯4及侧壁连接板5上表面均匀涂覆，第一结合层3、第二结合层7及第三结合层9的制备材料中不含固体颗粒，从而提高了第一结合层3、第二结合层7及第三结合层9的导热性能，第二结合层7便将管芯4热量传递至封装盖板6，并由封装盖板6将热量传递至外界环境中，增强了封装结构的散热性能。
实施例7
在实施例6的基础上，如图5、图6所示，导热结合材料混合装置包括混合箱15，混合箱15内设置搅拌轴16，搅拌轴16上端延伸至混合箱15上端外部并与驱动电机17输出端连接，搅拌轴16侧壁设置若干搅拌叶片18，搅拌叶片18长度与混合箱15内壁直径相适配，混合箱15内壁设置滑槽19，搅拌叶片18上方设置过滤网20，过滤网20内设置若干滤孔21，过滤网20外周与滑槽19内壁滑动连接，滑槽19内设置第一弹簧22，第一弹簧22一端与过滤网20连接，第一弹簧22另一端与滑槽19内壁连接，过滤网20中心与搅拌轴16上下滑动连接，混合箱15内壁设置加热条23，混合箱15侧壁设置进料管24，混合箱15下端呈锥形状，混合箱15下端设置出料管25，出料管25内设置出料阀，出料管25与涂覆机输入端连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：制备导热结合材料时，将导热结合材料的制备原料从进料管24投入混合箱15内，由于制备原料存在结块问题，因此在混合箱15内设置过滤网20，过滤网20位于进料管24下方，制备原料通过过滤网20后落在过滤网20下方，此时出料阀处于关闭状态，混合后的制备原料无法通过出料管25排出，过滤网20能够阻挡结块的大颗粒制备原料，从而提高制备原料的纯度及颗粒的均匀性，然后启动驱动电机17，驱动电机17转动带动搅拌轴16转动，搅拌轴16带动搅拌叶片18搅拌过滤网20下方的制备原料，同时加热条23启动，加热条23加热能够使制备原料熔化，搅拌叶片18使得制备原料充分熔化，同时提高熔化效率，提高导热结合材料制备效率，待制备原料充分熔化后，制得导热结合材料，然后开启出料阀，导热结合材料加入涂覆机输入端，并通过涂胶头进行涂覆，导热结合材料混合装置能够提高制备原料颗粒的均匀性，以及使得制备原料充分熔化，从而提高第一结合层3、第二结合层7及第三结合层9的制备质量，增强第一结合层3、第二结合层7及第三结合层9的导热性能，使得管芯4热量通过第二结合层7快速传递至封装盖板6，并通过封装盖板6传递至外界环境，增强了封装结构的散热性能。
实施例8
在实施例7的基础上，如图5、图7所示，搅拌轴16外部套设滑套26，滑套26下端与过滤网20上表面转动连接，滑套26外壁设置若干破碎板27，滑套26内设置导向槽28，导向槽28内滑动设置导向条29，导向条29一侧与搅拌轴16侧壁固定连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：随着过滤网20上表面阻挡的大颗粒制备原料的增多，过滤网20沿滑槽19向下滑动，第一弹簧22压缩，在搅拌轴16转动同时，搅拌轴16带动导向条29转动，导向条29带动滑套26转动，滑套26带动破碎板27转动，从而将过滤网20阻挡的大颗粒制备原料破碎成小颗粒，从而通过过滤网20，一方面能够提高制备原料的利用率，另一方面避免过滤网20堵塞，从而提高制备效率，滑套26能够沿导向条29随过滤网20上下滑动，并在导向条29的带动下转动，提高破碎效果。
实施例9
在实施例8的基础上，如图5-图7所示，过滤网20上方设置压板30，压板30中心与搅拌轴16外壁上下滑动连接，压板30外周与混合箱15内壁滑动连接，压板30下表面设置若干突刺31，压板30上表面设置若干第二弹簧32，第二弹簧32一端与压板30上表面连接，第二弹簧32另一端与混合箱15上端内壁连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：制备原料通过进料管24投放至压板30与过滤网20之间，压板30下表面与上侧的制备原料抵接，能够对制备原料产生向下的压力，并结合破碎板27的转动使制备原料铺平在过滤网20上，提高了制备原料通过过滤网20的速度以及破碎板27破碎效率，提高了导热结合材料的制备效率，在第一弹簧22与第二弹簧32的作用下，压板30与过滤网20将制备原料夹紧，当破碎板27转动时，破碎板27带动制备原料在压板30及过滤网20之间转动，位于上侧的制备原料与压板30下表面突刺31接触，在突刺31作用下对制备原料进行碾压粉碎，进一步降低了制备原料的颗粒，使得结块的制备原料快速破碎并通过过滤网20，并随着制备原料的快速通过，使得压板30与过滤网20之间的制备原料加快减少，过滤网20便在第一弹簧22作用下复位，第一弹簧22带动过滤网20震荡，进一步加速制备原料的通过，便于制备原料快速熔化，减少导热结合材料中的颗粒，从而提高了第二结合层7的导热性能。
实施例10
在实施例6-9中任一项的基础上，如图8所示，还包括翻动组件，翻动组件包括不完全齿轮33，不完全齿轮33设置在搅拌轴16上，不完全齿轮33位于过滤网20下方，混合箱15内壁水平设置两个套管34，两个套管34关于搅拌轴16中心呈中心对称分布，套管34一端与混合箱15内壁固定连接，套管34另一端滑动设置齿条35，齿条35远离搅拌轴16一端设置第三弹簧36，第三弹簧36一端与混合箱15内壁连接，第三弹簧36另一端与齿条35连接，齿条35靠近不完全齿轮33一侧带齿，齿条35远离搅拌轴16一侧设置搅动板37，搅动板37内设置滑动腔，滑动腔内设置第四弹簧38，第四弹簧38一端与滑动腔内壁连接，第四弹簧38另一端与滑动板39连接，滑动板39一端与滑动腔内壁滑动连接，滑动板39另一端延伸至滑动腔外部并设置滚轮40，滚轮40与混合箱15内壁抵接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：搅拌轴16转动时，搅拌轴16带动不完全齿轮33转动，不完全齿轮33转动时交替与两个齿条35啮合，当不完全齿轮33与齿条35啮合时，不完全齿轮33转动带动齿条35向远离套管34方向运动，第三弹簧36拉伸，齿条35带动搅动板37运动，搅动板37带动滑动板39运动，在第四弹簧38的作用下，滚轮40始终与混合箱15内壁抵接，搅动板37及滑动板39横向搅动制备原料，当不完全齿轮33与齿条35结束啮合后，在第三弹簧36的作用下，齿条35恢复原位，便可以反向搅动制备原料，翻动组件中，搅动板37、滑动板39能够使制备原料产生上下翻动的效果，搅动板37、滑动板39与搅拌叶片18相互配合，使得搅拌更加充分，加快了制备原料的熔化速度，提高了制备原料混合的均匀性，增强了导热结合材料的导电导热性能，滚轮40在第四弹簧38作用下始终与混合箱15内壁抵接，使得滑动板39在搅动制备原料时能最大范围的带动制备原料运动，减少了搅拌死角的出现，进一步提高了制备原料混合的均匀性。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种增强散热的盖板封装结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：取一铜片，通过蚀刻、冲压等工艺设置基岛(1)及围设于基岛(1)外围的若干管脚(2)；
步骤2：在基岛(1)上涂覆导热结合材料制得第一结合层(3)，并在第一结合层(3)上设置管芯(4)；
步骤3：取侧壁连接板(5)，将侧壁连接板(5)一端与管芯(4)上表面的上电极焊盘连接，并将侧壁连接板(5)另一端与管脚(2)连接；
步骤4：取一封装盖板(6)，封装盖板(6)外周设置凸缘(8)，在封装盖板(6)上方设置第二结合层(7)及第三结合层(9)，将封装盖板(6)设置第二结合层(7)及第三结合层(9)一侧朝下盖设在管芯(4)上方，封装盖板(6)下表面通过第二结合层(7)与管芯(4)连接，凸缘(8)下表面通过第三结合层(9)与侧壁连接板(5)连接，封装盖板(6)与若干侧壁连接板(5)形成密闭空间；
第一结合层(3)、第二结合层(7)、第三结合层(9)均通过涂覆机制备而成，涂覆机输入端设置导热结合材料混合装置，涂覆机输出端设置涂胶头；
导热结合材料混合装置包括混合箱(15)，混合箱(15)内设置搅拌轴(16)，搅拌轴(16)上端延伸至混合箱(15)上端外部并与驱动电机(17)输出端连接，搅拌轴(16)侧壁设置若干搅拌叶片(18)，搅拌叶片(18)长度与混合箱(15)内壁直径相适配，混合箱(15)内壁设置滑槽(19)，搅拌叶片(18)上方设置过滤网(20)，过滤网(20)内设置若干滤孔(21)，过滤网(20)外周与滑槽(19)内壁滑动连接，滑槽(19)内设置第一弹簧(22)，第一弹簧(22)一端与过滤网(20)连接，第一弹簧(22)另一端与滑槽(19)内壁连接，过滤网(20)中心与搅拌轴(16)上下滑动连接，混合箱(15)内壁设置加热条(23)，混合箱(15)侧壁设置进料管(24)，混合箱(15)下端呈锥形状，混合箱(15)下端设置出料管(25)，出料管(25)内设置出料阀，出料管(25)与涂覆机输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种增强散热的盖板封装结构制备方法，其特征在于，搅拌轴(16)外部套设滑套(26)，滑套(26)下端与过滤网(20)上表面转动连接，滑套(26)外壁设置若干破碎板(27)，滑套(26)内设置导向槽(28)，导向槽(28)内滑动设置导向条(29)，导向条(29)一侧与搅拌轴(16)侧壁固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种增强散热的盖板封装结构制备方法，其特征在于，过滤网(20)上方设置压板(30)，压板(30)中心与搅拌轴(16)外壁上下滑动连接，压板(30)外周与混合箱(15)内壁滑动连接，压板(30)下表面设置若干突刺(31)，压板(30)上表面设置若干第二弹簧(32)，第二弹簧(32)一端与压板(30)上表面连接，第二弹簧(32)另一端与混合箱(15)上端内壁连接。
4.一种使用权利要求1-3中任一项所述的方法制备的增强散热的盖板封装结构，其特征在于，包括：引线框架，引线框架上设置基岛(1)与若干管脚(2)，若干管脚(2)围设于基岛(1)外围，基岛(1)上表面通过第一结合层(3)与管芯(4)下表面的下电极连接，管芯(4)与管脚(2)之间设置侧壁连接板(5)，侧壁连接板(5)一端与管芯(4)上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板(5)另一端通过折弯与管脚(2)连接，管芯(4)上方设置封装盖板(6)，管芯(4)上表面的上电极通过第二结合层(7)与封装盖板(6)下表面连接，封装盖板(6)上端外周设置凸缘(8)，凸缘(8)下表面通过第三结合层(9)与侧壁连接板(5)上表面连接。
5.根据权利要求4所述的一种增强散热的盖板封装结构，其特征在于，引线框架上设置塑封层(10)，塑封层(10)包覆在管脚(2)、侧壁连接板(5)及封装盖板(6)外侧，封装盖板(6)上表面延伸至塑封层(10)外部。
6.根据权利要求5所述的一种增强散热的盖板封装结构，其特征在于，封装盖板(6)的凸缘(8)靠下位置设置凸起(11)。
7.根据权利要求4所述的一种增强散热的盖板封装结构，其特征在于，管芯(4)设置有若干个，封装盖板(6)靠近管芯(4)一侧中心开设凹槽(12)，凹槽(12)两侧形成与管芯(4)相对应的盖板柱体(13)，盖板柱体(13)下端通过第二结合层(7)与管芯(4)上表面连接，凹槽(12)内设置内部连接板(14)，内部连接板(14)两端分别与相邻两个管芯(4)连接。
8.根据权利要求4所述的一种增强散热的盖板封装结构，其特征在于，第一结合层(3)、第二结合层(7)、第三结合层(9)均采用导热结合材料制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310718302.1A CN116613110B (zh) | 2023-06-16 | 2023-06-16 | 一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310718302.1A CN116613110B (zh) | 2023-06-16 | 2023-06-16 | 一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116613110A CN116613110A (zh) | 2023-08-18 |
| CN116613110B true CN116613110B (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=87683641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310718302.1A Active CN116613110B (zh) | 2023-06-16 | 2023-06-16 | 一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116613110B (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116613110A (zh) | 2023-08-18 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |