CN116598236B - 一种晶粒分选方法与分选系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶粒分选方法与分选系统，用于将附着在第一基材上的晶粒转移至第二基材上，其中，所述第一基材具有第一面，所述晶粒附着在所述第一面上，所述第二基材具有第二面，所述第二面用于接收所述晶粒，分选过程中仅需要使得待分选的晶粒的中心点、目标区域的中心点及顶针尖端的中心点在X向及Y向的坐标相互对应，便能够实现快速的分选操作，各运动部件之间的配合控制相对简单，该分选方法与分选系统，能够实现晶粒在相同粘性的基材之间的转移，以及从高粘性基材向低粘性基材的转移，不需要对第一基材进行预处理，节省了工序与设备，也提升了分选效率。

Description

一种晶粒分选方法与分选系统

技术领域

本发明涉及半导体生产技术领域，尤其涉及一种晶粒分选方法与分选系统。

背景技术

芯片在生产切割形成晶粒后，这些数量多达几千甚至数万个的晶粒通常是粘附在一种蓝膜上，以蓝膜作为载体，可以保证这些晶粒在排列整齐的情况下进行转移。但一些晶粒在投入到应用之前还需要进行测试分类，在完成测试分类后需要将同一张芯片上切割形成的这些晶粒分选到不同的蓝膜载体上。

中国专利CN112317339A公开了一种晶粒分选系统及其分选方法，其中，在对晶粒拾取时，需要通过顶针与吸嘴的协同作用予以完成，也就是说，先通过顶针将晶粒从蓝膜上顶下，然后再通过吸嘴将顶下的晶粒吸附拾取，并旋转180°而将该晶粒释放到另一蓝膜上。采用这样的分选方式时，一方面，需要顶针与吸嘴具备良好的位置及动作的配合度；另一方面，吸嘴至少包括上下方向的运动与旋转运动，分选效率受到限制。

中国专利CN113828545A公开了一种全自动针刺晶粒分选设备，其中，通过顶针机构将下蓝膜的晶粒顶起到上方的新蓝膜上，以实现快速分选。然而，采用这样的分选方式时，上方的蓝膜需要有较大的粘性，从而将被顶针向上顶起的晶粒粘附至上方的蓝膜上。在分选加工前，需要先对载有晶粒的蓝膜先进行处理，使其粘性降低，然后再将其投放至分选工序中进行分选，以保证顶针能够顺利地将晶粒从下方的蓝膜上转移出去，但这增加了生产工序，造成成本的增加。

发明内容

本发明的目的是提供一种新的晶粒分选方法，以使得晶粒能够从高粘度或相同粘度的基材上转移至低粘度或相同粘度的另一基材上。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种晶粒分选方法，用于将附着在第一基材上的晶粒转移至第二基材上，其中，所述第一基材具有第一面，所述晶粒附着在所述第一面上，所述第二基材具有第二面，所述第二面上具有用于接收所述晶粒的目标区域，所述第一面与所述第二面均为具有粘性的可附着面，所述第一面的粘度大于或者等于所述第二面的粘度，所述分选方法包括如下步骤：

步骤S1、将所述第一基材悬置于所述第二基材的上方，使得所述第一面朝下、所述第二面朝上，并使得所述第一面与所述第二面沿Z向的间距保持为一恒定值；所述第一基材与所述第二基材均位于顶针的下方，所述顶针具有位于下部的尖端，所述尖端的横截面面积小于所述晶粒的横截面面积，使得所述尖端与所述第一基材的上表面沿Z向的间距保持为另一恒定值；

步骤S2、调整所述第一基材与所述第二基材X向及Y向的位置，使得所述尖端的中心点、所述第一面上待转移的所述晶粒的中心点以及所述第二面上所述目标区域的中心点在同一水平面上的投影重合；

步骤S3、驱使所述顶针自所述第一基材的上方沿Z向下降，所述尖端顶推在所述第一基材上并位于所述晶粒的正上方，使得所述第一基材形变而使得所述晶粒向下运动，直至所述晶粒的下表面贴合至所述第二面上，所述顶针沿Z向上升；

步骤S4、重复步骤S2至步骤S3，直至所有待转移的所述晶粒均从所述第一面上转移至所述第二面上。

优选地，所述步骤S3中，所述顶针沿Z向向下运动的过程中，所述晶粒的上表面由外向内逐渐地脱离所述第一面；待所述晶粒的下表面与所述第二面相贴合时，所述顶针沿Z向向上运动，所述第一基材向上回弹使得所述第一面与所述晶粒的上表面全部脱离，使得所述晶粒完全地从所述第一面转移至所述第二面上。

在一些实施例中，所述步骤S3中，在所述顶针沿Z向下降的过程中，由吸附装置先吸附固定在所述第一基材上，所述顶针的所述尖端再顶推至所述第一基材的上表面，并沿Z向继续下降使得所述晶粒向下运动，其中，所述吸附装置吸附固定在所述第一基材上的吸附位置与所述晶粒在同一水平面上的正投影不重合。

在一些实施例中，所述吸附装置在所述第一基材上的所述吸附位置至少有两个，所述吸附位置位于所述晶粒的周向外侧。

在一些实施例中，所述步骤S3中，在所述尖端抵靠在所述第一基材上之前，所述吸附装置在所述第一基材上形成吸附作用；待所述顶针沿Z向向上运动时或者所述晶粒从所述第一面完全转移至所述第二面后，所述吸附装置解除与所述第一基材之间的吸附作用。

在一些实施例中，所述吸附装置具有中空的负压腔，所述顶针能够沿竖直方向滑动地穿设在所述负压腔中，所述吸附装置的底部具有多个吸附口，以及供所述顶针的所述尖端沿轴向滑动地穿出的穿孔，所述吸附口与所述穿孔均与所述负压腔相连通，所述吸附装置通过高频阀在吸附状态与解除吸附状态之间交替切换。

在一些实施例中，所述步骤S1中，将所述第一基材固定在上平台上，所述上平台具有沿上下方向贯穿的通孔，所有待转移的所述晶粒均位于所述通孔中，将所述第二基材平铺在下平台上并位于所述通孔的下方；所述步骤S3中，所述顶针沿Z向穿过所述通孔而使得所述晶粒从所述第一面转移至所述第二面。

在一些实施例中，所述步骤S2中，采用第一相机从所述第二基材的下方自下而上地拍摄待转移的所述晶粒并得到第一图像，采用第二相机从所述第二基材的下方自下而上地拍摄所述目标区域并得到第二图像，由控制装置根据所述第一图像获取待转移的所述晶粒中心点在水平面内的第一坐标，根据所述第二图像获取所述目标区域中心点在水平面内的第二坐标，所述控制装置根据所述第一坐标与所述第二坐标以及所述顶针的所述尖端中心点在水平面内的坐标调整所述第一基材与所述第二基材的位置，使得所述尖端的中心点、所述第一面上待转移的所述晶粒的中心点以及所述第二面上所述目标区域的中心点在同一水平面上的投影重合。

本发明的另一目的是提供一种新的晶粒分选系统。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种晶粒分选系统，所述分选系统采用如上述的分选方法，其中，所述分选系统包括：

上平台，具有沿上下方向贯穿的通孔；

下平台，具有支撑平面；

顶针，沿上下方向延伸，所述顶针的下部具有尖端；

第一驱动装置，用于驱使所述上平台沿X向及Y向平移；

第二驱动装置，用于驱使所述下平台沿X向及Y向平移；

第三驱动装置，用于驱使所述顶针沿Z向升降。

优选地，所述分选系统还包括机台、固定地设置在所述机台上的第一相机与第二相机，所述上平台与所述下平台各自能够沿X向及Y向平移地设置在所述机台上，所述顶针仅能够沿Z向升降地设置在所述机台上，所述第一相机与所述第二相机均设于所述下平台的下方。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明实施例提供的晶粒分选方法与分选系统，能够实现晶粒从第一基材到第二基材上的分选操作，分选过程中仅需要使得待分选的晶粒的中心点、目标区域的中心点及顶针尖端的中心点在X向及Y向的坐标相互对应，便能够实现快速的分选操作，各运动部件之间的配合控制相对简单，该分选方法与分选系统中，对第一基材及第二基材上的粘性没有要求，能够实现晶粒在相同粘性的基材之间的转移，以及从高粘性基材向低粘性基材的转移，不需要对第一基材进行预处理，节省了工序与设备，也提升了分选效率。

附图说明

附图1为本发明一具体实施例的晶粒分选系统的整体结构示意图；

附图2为附图1的晶粒分选系统中上平台、下平台及顶针的布局示意图；

附图3为附图2的正视图；

附图4为上平台、下平台及第一相机、第二相机的位置关系示意图；

附图5为附图4的正视图；

附图6为晶粒从第一面向第二面转移的原理示意图；

附图7为附加有吸附装置时顶针用于晶粒分选过程中的示意图一；

附图8为附图7的纵向剖切示意图；

附图9为附加有吸附装置时顶针用于晶粒分选过程中的示意图二；

附图10为附图9的纵向剖切示意图；

附图11为吸附装置的控制原理示意图；

附图12为未设置吸附装置时晶粒的分选原理示意图；

其中：1、上平台；11、通孔；2、下平台；21、支撑平面；3、顶针；31、尖端；4、第一驱动装置；5、第二驱动装置；6、第三驱动装置；7、第一相机；70、第一光源；8、第二相机；80、第二光源；9、机台；

10、第一基材；10a、第一面；20、第二基材；20a、第二面；30、晶粒（待分选的）；40、吸附装置；40a、吸附口；40b、负压腔；40c、穿孔；50、高频阀。

具体实施方式

下面结合附图和最优实施例来对本发明的技术方案作进一步的阐述。

参见图1至图5所示，本实施例提供一种晶粒分选系统，该分选系统用于将附着于第一基材10其中一个表面上的多个晶粒30转移至第二基材20的一个表面上，其中，第一基材10具有第一面10a，晶粒30设于该第一面10a上，第二基材20具有第二面20a，该第二面20a具有用于接收晶粒30的目标区域，在上述过程中使得第一基材10上的多个需要被分离的晶粒30按照一定的规律排布至第二基材20上，实现晶粒30的分选。上述第一面10a与第二面20a均为具有粘性的可附着面，第一面10a的粘度大于或者等于第二面20a的粘度。

该分选系统包括机台9、上平台1、下平台2、顶针3，其中，上平台1、下平台2各自能够沿X向及Y向平移地设置在机台9上，机台9上还设置有提供上平台1与下平台2沿X向及Y向平移运动导向的导轨组件（图中未标示），顶针3仅能够沿Z向升降地设置在机台9上，该分选系统还包括用于驱使上平台1沿X向及Y向平移的第一驱动装置4、用于驱使下平台2沿X向及Y向平移的第二驱动装置5、以及用于驱使顶针3沿Z向升降的第三驱动装置6，其中，上平台1具有沿上下方向贯穿的通孔11，下平台2具有支撑平面21，此处该支撑平面21为下平台2的上表面。

分选时，第一基材10固定地设于上平台1上且第一面10a朝下，待分选的晶粒30位于通孔11中；第二基材20设于下平台2的支撑平面21上，且第二面20a朝上，顶针3设置在上平台1的上方且在由上向下运动的过程中将晶粒30向下顶推，使得晶粒30从第一面10a上脱离并转移至第二面20a上，该顶针3的下部具有一尖端31，该尖端31的横截面面积小于晶粒30的横截面面积。

该分选系统还包括第一相机7、第二相机8、设于第一相机7下方的第一光源70、设于第二相机8下方的第二光源80，上述第一相机7、第二相机8均固设于机台9上，且上述第一相机7与第二相机8均设于下平台2的下方。

该分选系统还包括控制装置（图中未示出），该控制装置与第一相机7、第二相机8、第一驱动装置4、第二驱动装置5、第三驱动装置6之间通信连接，在分选的过程中，由上述第一相机7与第二相机8由下至上拍摄的图像结果来相应地控制第一驱动装置4与第二驱动装置5运动，从而使得上平台1与下平台2在水平方向上的位置予以调整，使得顶针3、第一面10a上的晶粒30以及第二面20a上的目标区域彼此之间的水平位置相互对应，从而使得顶针3在沿Z向下降的过程中将晶粒30向下顶推，将晶粒30从第一面10a上转移至第二面20a上的目标区域。

该分选系统还包括高度传感器（图中未示出），该高度传感器与控制装置通信连接，主要用于在分选系统调试阶段测量上平台1与下平台2之间的高度，以及顶针3的尖端31的高度，从而使得上平台1、下平台2及顶针3之间沿Z向的间距得以调整。

本实施例的分选系统将第一基材10上的晶粒30分选至第二基材20上时，分选方法包括如下步骤：

步骤S1、将第一基材10悬置于第二基材20的上方，使得第一面10a朝下、第二面20a朝上，并使得第一面10a与第二面20a沿Z向的间距保持为一恒定值；

该第一基材10与第二基材20均位于顶针3的下方，使得该顶针3下部的尖端31与第一基材10的上表面沿Z向的间距保持为另一恒定值；

步骤S2、调整第一基材10与第二基材20在X向与Y向的相对位置，使得尖端31的中心点、第一面10a上待转移的晶粒30的中心点、以及第二面20a上目标区域的中心点在同一水平面上的正投影相互重合；

步骤S3、驱使顶针3自第一基材10的上方沿Z向下降，顶针3下部的尖端31顶推在第一基材10上并位于晶粒30的正上方，使得第一基材10形变而使得晶粒30向下运动，直至晶粒30的下表面贴合至第二面20a上，顶针3再沿Z向上升；

步骤S4、重复步骤S2与步骤S3，直至所有待转移的晶粒30均从第一面10a上转移至第二面20a上。

本实施例中，步骤S1中，将第一基材10固定在上平台1上，且使得所有待转移的晶粒30均位于上平台1的通孔11中；将第二基材20平铺在下平台2上并位于通孔11的下方。在后续的步骤S3中，顶针3沿Z向穿过通孔11而使得晶粒30从第一面10a转移至第二面20a上。其中，该第一基材10与第二基材20均为透明或半透明的蓝膜。

本实施例中，步骤S2中，采用第一相机7从第二基材20的下方自下而上拍摄待转移的晶粒30，得到第一图像；采用第二相机8从第二基材20的下方自下而上拍摄第二面20a上的目标区域，得到第二图像；

控制装置根据第一图像获取待转移的晶粒30中心点在水平面内的第一坐标（X1，Y1），根据第二图像获取目标区域中心点在水平面内的第二坐标（X2，Y2），控制装置再根据上述第一坐标（X1，Y1）、第二坐标（X2，Y2），以及顶针3尖端31中心点在水平面内的坐标（X0，Y0）（顶针3仅能够Z向运动，该尖端31的坐标（X0，Y0）为恒定值），控制第一驱动装置4与第二驱动装置5工作，从而驱使上平台1与下平台2沿X向及Y向平移而调整位置，使得待转移的晶粒30中心点及目标区域的中心点在水平面上进行位置补偿，从而使得尖端31的中心点、第一面10a上待转移的晶粒30的中心点，以及第二面20a上目标区域的中心点在同一水平面上的正投影相互重合。

本实施例中，步骤S3中，由于第一基材10的四周被固定在上平台1上，在顶针3沿Z向向下运动的过程中，如图6所示，第一基材10自顶针3尖端31顶推的位置处向下运动而逐渐变形，使得晶粒30上表面的外侧周向边沿先脱离与第一面10a的接触，并由外向内逐渐地脱离第一面10a，使得晶粒30上表面与第一面10a上的粘附面积逐渐减小；待晶粒30的下表面与第二面20a相互贴合时，晶粒30上表面仅有被顶针3尖端31顶推的位置与第一面10a接触，第一基材10在被尖端31顶推的位置处变形呈锥形。

由于粘附力与粘度值及粘附的面积这两个因素呈正相关，即：

粘附力F=g×S，

其中，g为材料的单位面积粘力；

S为接触面积。

可以得知，在晶粒30由第一面10a向第二面20a转移的过程中，晶粒30受到第一面10a的粘附力F1的数值在逐渐减小，晶粒30受到第二面20a的粘附力F2的数值逐渐增大。

因此，待晶粒30的下表面与第二面20a相互贴合时，即便第一面10a的粘度大于或等于第二面20a的粘度，但由于在第一面10a与晶粒30之间的粘附面积已经很小，第一面10a对晶粒30的粘附力F1已经很小，第二面20a对晶粒30的粘附力F2较大，且大于上述的粘附力F1，此时顶针3沿Z向向上运动，第一基材10向上回弹便能够使得第一面10a与晶粒30的上表面全部脱离，使得晶粒30完全地从第一面10a上转移至第二面20a上。如此，在分选操作前就不需要预先对第一基材10进行预处理来降低第一面10a的粘性，节省了工序与设备成本，同时也提升了分选效率。

图7至图11所示为晶粒分选方法的另一个实施例，其中，分选系统中还包括吸附装置40，该吸附装置40具有负压腔40b，以及设于底部的吸附口40a以及穿孔40c，顶针3能够沿Z向滑动配合地穿过该吸附装置40的负压腔40b，其尖端31能够经过穿孔40c到达吸附装置40的下方，吸附口40a设置在顶针3的周向外侧，且吸附口40a至少有两个。参见图10所示，吸附装置40的负压腔40b连接有两个高频阀50，以分别用于抽真空或者排真空，使得吸附装置40能够快速地在吸附与解除吸附两种状态之间进行交替切换。

本实施例的分选方法中，与前述实施例不同之处主要在于，在步骤S3中，在顶针3沿Z向下降的过程中，由吸附装置40先吸附固定在第一基材10上，此时吸附装置40通过底部的吸附口40a在第一基材10的上表面形成有多个吸附位置，该吸附位置与晶粒30在同一个水平面上的正投影不重合；顶针3的尖端31再顶推至第一基材10的上表面，并沿Z向继续下降使得晶粒30向下运动，此时吸附装置40底部吸附口40a在第一基材10上表面的吸附位置均位于晶粒30的周向外侧，这样，仅有被顶针3顶推的晶粒30向下运动，而该被顶针3顶推的晶粒30周围的其他晶粒30粘附处的第一基材10被固定吸附而不会向下运动，对比图12所示出的未设置有吸附装置40的分选方式，增加吸附装置40后，能够有效地避免需被分选的晶粒30周围其他晶粒30’的向下运动，从而避免分选过程中其他晶粒30’向下运动而造成晶粒30掉落进而引发的误分离风险。

上述步骤S3中，在尖端31抵靠在第一基材10上之前，吸附装置40就在第一基材10上形成吸附作用；待顶针3沿Z向向上运动时或者晶粒30已从第一面10a完全转移至第二面20a后，吸附装置40再解除与第一基材10之间的吸附作用。

综上所述，本发明实施例提供的晶粒分选方法与分选系统，能够实现晶粒30从第一基材10到第二基材20上的分选操作，分选过程中仅需要使得待分选的晶粒30的中心点、目标区域的中心点及顶针3尖端31的中心点在X向及Y向的坐标相互对应，便能够实现快速的分选操作，各运动部件之间的配合控制相对简单，该分选方法与分选系统中，对第一基材10及第二基材20上的粘性没有要求，能够实现晶粒从相同粘性的基材之间的转移，以及高粘性基材向低粘性基材的转移，不需要对第一基材10进行预处理，节省了工序与设备，也提升了分选效率。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种晶粒分选方法，用于将附着在第一基材上的晶粒转移至第二基材上，其中，所述第一基材具有第一面，所述晶粒附着在所述第一面上，所述第二基材具有第二面，所述第二面上具有用于接收所述晶粒的目标区域，所述第一面与所述第二面均为具有粘性的可附着面，其特征在于：所述分选方法包括如下步骤：

S1、将所述第一基材悬置于所述第二基材的上方，使得所述第一面朝下、所述第二面朝上，并使得所述第一面与所述第二面沿Z向的间距保持为一恒定值；所述第一基材与所述第二基材均位于顶针的下方，所述顶针具有位于下部的尖端，所述尖端的横截面面积小于所述晶粒的横截面面积，使得所述尖端与所述第一基材的上表面沿Z向的间距保持为另一恒定值；

S2、调整所述第一基材与所述第二基材X向及Y向的位置，使得所述尖端的中心点、所述第一面上待转移的所述晶粒的中心点以及所述第二面上所述目标区域的中心点在同一水平面上的投影重合，其中，采用第一相机从所述第二基材的下方自下而上地拍摄待转移的所述晶粒并得到第一图像，采用第二相机从所述第二基材的下方自下而上地拍摄所述目标区域并得到第二图像，由控制装置根据所述第一图像获取待转移的所述晶粒中心点在水平面内的第一坐标，根据所述第二图像获取所述目标区域中心点在水平面内的第二坐标，所述控制装置根据所述第一坐标与所述第二坐标以及所述顶针的所述尖端中心点在水平面内的坐标调整所述第一基材与所述第二基材的位置，使得所述尖端的中心点、所述第一面上待转移的所述晶粒的中心点以及所述第二面上所述目标区域的中心点在同一水平面上的投影重合；

S3、驱使所述顶针自所述第一基材的上方沿Z向下降，所述尖端顶推在所述第一基材上并位于所述晶粒的正上方，使得所述第一基材形变而使得所述晶粒向下运动，直至所述晶粒的下表面贴合至所述第二面上，所述顶针沿Z向上升，其中，在所述顶针沿Z向下降的过程中，由吸附装置先吸附固定在所述第一基材上，所述顶针的所述尖端再顶推至所述第一基材的上表面，并沿Z向继续下降使得所述晶粒向下运动，其中，所述吸附装置吸附固定在所述第一基材上的吸附位置与所述晶粒在同一水平面上的正投影不重合；

S4、重复步骤S2至步骤S3，直至所有待转移的所述晶粒均从所述第一面上转移至所述第二面上；

其中，从所述步骤S1至步骤S4的过程中，所述第一面的粘度始终大于或者等于所述第二面的粘度。

2.根据权利要求1所述的晶粒分选方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述顶针沿Z向向下运动的过程中，所述晶粒的上表面由外向内逐渐地脱离所述第一面；待所述晶粒的下表面与所述第二面相贴合时，所述顶针沿Z向向上运动，所述第一基材向上回弹使得所述第一面与所述晶粒的上表面全部脱离，使得所述晶粒完全地从所述第一面转移至所述第二面上。

3.根据权利要求1所述的晶粒分选方法，其特征在于：所述吸附装置在所述第一基材上的所述吸附位置至少有两个，所述吸附位置位于所述晶粒的周向外侧。

4.根据权利要求1所述的晶粒分选方法，其特征在于：所述步骤S3中，在所述尖端抵靠在所述第一基材上之前，所述吸附装置在所述第一基材上形成吸附作用；待所述顶针沿Z向向上运动时或者所述晶粒从所述第一面完全转移至所述第二面后，所述吸附装置解除与所述第一基材之间的吸附作用。

5.根据权利要求1所述的晶粒分选方法，其特征在于：所述吸附装置具有中空的负压腔，所述顶针能够沿竖直方向滑动地穿设在所述负压腔中，所述吸附装置的底部具有多个吸附口，以及供所述顶针的所述尖端沿轴向滑动地穿出的穿孔，所述吸附口与所述穿孔均与所述负压腔相连通，所述吸附装置通过高频阀在吸附状态与解除吸附状态之间交替切换。

6.根据权利要求1所述的晶粒分选方法，其特征在于：所述步骤S1中，将所述第一基材固定在上平台上，所述上平台具有沿上下方向贯穿的通孔，所有待转移的所述晶粒均位于所述通孔中，将所述第二基材平铺在下平台上并位于所述通孔的下方；所述步骤S3中，所述顶针沿Z向穿过所述通孔而使得所述晶粒从所述第一面转移至所述第二面。

7.一种晶粒分选系统，其特征在于：所述分选系统采用如权利要求1至6任一项所述的分选方法，其中，所述分选系统包括：

上平台，具有沿上下方向贯穿的通孔；

下平台，具有支撑平面；

顶针，沿上下方向延伸，所述顶针的下部具有尖端；

第一驱动装置，用于驱使所述上平台沿X向及Y向平移；

第二驱动装置，用于驱使所述下平台沿X向及Y向平移；

第三驱动装置，用于驱使所述顶针沿Z向升降。

8.根据权利要求7所述的晶粒分选系统，其特征在于：所述分选系统还包括机台、固定地设置在所述机台上的第一相机与第二相机，所述上平台与所述下平台各自能够沿X向及Y向平移地设置在所述机台上，所述顶针仅能够沿Z向升降地设置在所述机台上，所述第一相机与所述第二相机均设于所述下平台的下方。