CN116560162A - 成像镜头及电子装置 - Google Patents

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Largan Precision Co Ltd
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Abstract

本发明公开一种成像镜头，所述成像镜头包含遮光片。遮光片包含物侧面、像侧面、内环面、多个渐缩遮光结构及纳米结构层。物侧面垂直且环绕光轴。像侧面与物侧面相对设置，且像侧面相较物侧面靠近像侧。内环面连接物侧面与像侧面，且内环面环绕光轴并定义出通光孔。渐缩遮光结构设置于内环面并朝光轴渐缩延伸，且渐缩遮光结构环绕光轴周期性设置。沿光轴方向观察时，每一个渐缩遮光结构的轮廓具有曲线段。曲线段于内环面上形成曲面。纳米结构层设置于曲面上，纳米结构层具有朝非定向延伸的多个脊状凸起，且纳米结构层的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。本发明还公开具有上述成像镜头的电子装置。

Description

成像镜头及电子装置
技术领域
本发明涉及一种成像镜头与电子装置，特别是一种适用于电子装置的成像镜头。
背景技术
随着科技日新月异，具有高光学品质的镜头俨然成为不可或缺的一环。并且，配备光学镜头的电子装置的应用范围更加广泛，对于光学镜头的要求也是更加多样化。
然而，近年来传统的光学镜头已难以满足多元化发展下的电子产品的高光学品质需求，特别是非成像光线容易在成像镜头内反射而影响成像品质。因此，如何改良成像镜头内部零件的结构来减弱非成像光线的反射强度，以满足现今对电子装置高规格的需求，已成为目前相关领域的重要议题。
发明内容
鉴于以上提到的问题，本发明揭露一种成像镜头与电子装置，有助于减少杂散光(非成像光线)的反射，可降低杂散光的影响，借此提升总体的光学品质。
本发明的一实施例所揭露的成像镜头，由一光轴通过。成像镜头包含一遮光片。遮光片包含一物侧面、一像侧面、一内环面、多个渐缩遮光结构以及一纳米结构层。物侧面垂直且环绕光轴设置。像侧面与物侧面相对设置，且像侧面相较物侧面靠近成像镜头的像侧。内环面连接物侧面与像侧面，且内环面环绕光轴并定义出一通光孔。渐缩遮光结构设置于内环面，渐缩遮光结构自内环面凸起并朝光轴渐缩延伸，且渐缩遮光结构环绕光轴周期性设置。沿光轴方向观察时，每一个渐缩遮光结构的轮廓具有一第一曲线段以及一第二曲线段。第一曲线段相较第二曲线段靠近光轴，且第一曲线段与第二曲线段各自于内环面上形成一曲面。纳米结构层至少设置于第一曲线段与第二曲线段所形成的曲面上，纳米结构层具有自曲面朝非定向延伸的多个脊状凸起，且纳米结构层的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
本发明的另一实施例所揭露的成像镜头，由一光轴通过。成像镜头包含一遮光片。遮光片包含一物侧面、一像侧面、一内环面、多个渐缩遮光结构以及一纳米结构层。物侧面垂直且环绕光轴设置。像侧面与物侧面相对设置，且像侧面相较物侧面靠近成像镜头的像侧。内环面连接物侧面与像侧面，且内环面环绕光轴并定义出一通光孔。渐缩遮光结构设置于内环面，渐缩遮光结构自内环面凸起并朝光轴渐缩延伸，且渐缩遮光结构环绕光轴周期性设置。沿光轴方向观察时，每一个渐缩遮光结构的轮廓具有至少一曲线段。所述至少一曲线段于内环面上形成一曲面。纳米结构层设置于所述至少一曲线段所形成的曲面上，纳米结构层具有自曲面朝非定向延伸的多个脊状凸起，且纳米结构层的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。当所述至少一曲线段的曲率半径中心相较所述至少一曲线段远离光轴时，所述至少一曲线段的曲率半径为RVC，通光孔的半径为RL，其满足下列条件：0.05≤(RVC/RL)×1.02π4≤34。当所述至少一曲线段的曲率半径中心相较所述至少一曲线段靠近光轴时，所述至少一曲线段的曲率半径为RC，通光孔的半径为RL，其满足下列条件：0.11≤(RC/RL)×1.02π4≤49。
本发明的又一实施例所揭露的成像镜头，由一光轴通过。成像镜头包含一遮光元件。遮光元件包含一物侧面、一像侧面、一内环面以及一纳米结构层。物侧面垂直且环绕光轴设置。像侧面与物侧面相对设置，且像侧面相较物侧面靠近成像镜头的像侧。内环面连接物侧面与像侧面，且内环面环绕光轴并定义出一通光孔。纳米结构层至少设置于内环面上，且纳米结构层具有自内环面朝非定向延伸的多个脊状凸起。
本发明的再一实施例所揭露的电子装置包含上述的成像镜头。
根据上述实施例所揭露的成像镜头与电子装置，于遮光片或遮光元件的内环面上设置纳米结构层以降低表面反射率，使遮光片或遮光元件不易形成杂散光影响成像品质。
再者，通过设置脊状凸起，可使纳米结构层的等效折射率自底部向顶部渐减，并可形成粗糙表面，以减少杂散光的反射。
此外，本发明更揭露具有曲面的渐缩遮光结构以改变或破坏遮光元件圆滑的内环面，也可进一步于渐缩遮光结构的曲面上设置纳米结构层以降低表面反射率，使遮光元件不易形成杂散光影响成像品质。举例而言，本发明揭露一种在遮光元件表面追加次波长结构后(包括但不限于在所述表面采用原子层沉积法(Atomic Layer Deposition)沉积而成的氧化铝(Al2O3)纳米结构层)，并用之设计成遮光机构的镜头内装设计。遮光元件可以是遮光片、间隔元件(Spacer)、固定元件(Retainer)或镜筒(Barrel)，甚至是与音圈马达(VoiceCoil Motor,VCM)一体化的镜筒，以互相搭配或是单元件型式在特定光路位置形成遮光举措，可以较有效率地将镜头内部的非成像光线获得具体控制。本发明可适用但不限于于手机(双镜头或多镜头)、平板计算机、随身影像纪录器、穿戴装置等电子装置等。
当(RVC/RL)×1.02π4或(RC/RL)×1.02π4满足上述条件时，可适度地钝化内环面，使杂散光进一步地不易于内环面反射。
以上关于本发明内容的说明及以下实施方式的说明是用以示范与解释本发明的原理，并且提供本发明的权利要求保护范围更进一步的解释。
附图说明
图1是根据本发明的第一实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图2是图1的成像镜头的遮光片的上视示意图。
图3是图2的遮光片的AA区域依实际比例放大3000倍的示意图。
图4是图3的AA区域的BB区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图5是图2的遮光片沿5-5线段剖切的侧视剖面图。
图6是图1的成像镜头的遮光片的立体示意图。
图7是图6的遮光片的CC区域依实际比例放大3000倍的示意图。
图8是图7的CC区域的DD区域依实际比例放大5000倍的示意图。
图9是图8的DD区域的EE区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图10是图8的DD区域的FF区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图11是图8的DD区域的GG区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图12是图11的GG区域的HH区域依实际比例放大100000倍的示意图。
图13是根据本发明的第二实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图14是图13的成像镜头的遮光片的上视示意图。
图15是图14的遮光片沿15-15线段剖切的侧视剖面图。
图16是根据本发明的第三实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图17是图16的成像镜头的遮光片的上视示意图。
图18是图17的遮光片沿18-18线段剖切的侧视剖面图。
图19是图16的成像镜头的间隔元件的下视示意图。
图20是图19的间隔元件沿20-20线段剖切的侧视剖面图。
图21是图16的成像镜头的间隔元件的立体示意图。
图22是根据本发明的第四实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图23是图22的成像镜头的遮光片的上视示意图。
图24是图23的遮光片沿24-24线段剖切的侧视剖面图。
图25是图22的成像镜头的镜筒的上视示意图。
图26是图25的镜筒沿26-26线段剖切的侧视剖面图。
图27是图22的成像镜头的镜筒经剖切的立体示意图。
图28是图27的经剖切镜筒的II区域依实际比例放大3000倍的示意图。
图29是图28的II区域的JJ区域依实际比例放大10000倍的示意图。
图30是图29的JJ区域的KK区域依实际比例放大30000倍的示意图。
图31是根据本发明的第五实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图32是图31的成像镜头的分解示意图。
图33是图31的成像镜头的部分元件的另一分解示意图。
图34是根据本发明的第六实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图。
图35是图34的成像镜头的分解示意图。
图36是图34的成像镜头的部分元件的另一分解示意图。
图37是根据本发明的第七实施例所绘示的一种电子装置的分解示意图。
图38是根据本发明绘示两个参考片当中设置有纳米结构层的表面对各个波长的光的反射率实验数据。
【符号说明】
1、2、3、4、5、6、70a、70b、70c、70d:成像镜头
11、21、31、41、51、61:遮光片
111、211、311、411、511、611、SP_1:物侧面
112、212、312、412、512、612、SP_2:像侧面
113、213、313、413、513、5621、613、6721、SP_3:内环面
114、214、314、414:渐缩遮光结构
115、215、415、435、SP_5:微米结构
116、216、316、416、436、516、566、616、6722、SP_6:纳米结构层
12、22、32、42、52、62:透镜组
321:第一透镜
322:第二透镜
13、23、33、43、53、63:镜筒
331、431:筒状部
332、432:板状部
4320:外露面
3321、4321:承靠面
3322、4322:内壁面
14、24、34、44、54、64:成像面
55:反射元件
551:反射面
56:保持件
561:透镜保持部
562:底座部
67:固定部
671:壳体
672:驱动保持件
68:弹性元件组
681:上弹性元件
682:下弹性元件
69:驱动部
691:磁性元件
692:线圈
7:电子装置
AA、BB、CC、DD、EE、FF、GG、HH、II、JJ、KK:区域
AS:光圈
CP1:第一曲线段
CP2:第二曲线段
CS:曲面
D:间隔距离
H1、H2、H3：高度
L1:基底层
L2:包覆层
LPO:通光孔
OA:光轴
PR:凸起
RLP:脊状凸起
RT:固定元件
SP:间隔元件
CT2:第二透镜沿光轴的厚度
RC:第二曲线段的曲率半径
RL:通光孔的半径
RVC:第一曲线段的曲率半径
T、T’:遮光片(遮光元件)的厚度
具体实施方式
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及附图，任何本领域技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。
本发明提供一种成像镜头，成像镜头由一光轴通过，且成像镜头可包含一遮光元件以及一透镜组。遮光元件可以是遮光片、间隔元件、固定元件或镜筒，甚至是与音圈马达一体化的镜筒。当遮光元件为遮光片、间隔元件或固定元件时，成像镜头可还包含一镜筒，且遮光元件与透镜组可容置于镜筒内。当遮光元件为镜筒时，透镜组可容置于遮光元件(镜筒)内。
当遮光元件为遮光片时，遮光片可为复合材质或金属材质。举例来说，遮光片可为塑胶材质的基底层被两个包覆层包覆，其中塑胶材质可为聚酰亚胺(polyimide,PI)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)。请参照图5，绘示有依照本发明第一实施例的由基底层L1被两个包覆层L2包覆的多层结构的遮光片11。或者，遮光片也可为金属材质的基底层并在其表面设置有黑色颜料，其中金属材质可为快削黄铜或铜合金。请参照图18，绘示有依照本发明第三实施例的由基底层L1于表面涂覆有黑色颜料的单层结构的遮光片31。然而，本发明的遮光片不以上述结构为限。
当遮光元件为遮光片、间隔元件、固定元件或镜筒时，遮光元件可包含一物侧面、一像侧面、一内环面、多个渐缩遮光结构、一微米结构以及一纳米结构层。物侧面垂直且环绕光轴设置。像侧面与物侧面相对设置，且像侧面相较物侧面靠近成像镜头的像侧。内环面连接物侧面与像侧面，且内环面环绕光轴并定义出一通光孔。具体来说，通光孔可为遮光元件的最小孔径所形成的通孔。并且，当内环面不与光轴平行而形成为锥面时，通光孔可由内环面所形成的尖端来定义。当遮光元件为遮光片时，请参照图5，绘示有依照本发明第一实施例的形成为与光轴平行的圆柱面的内环面113。当遮光元件为遮光片时，请参照图15，绘示有依照本发明第二实施例的形成为与光轴不平行的斜锥面的内环面213。当遮光元件为遮光片时，请参照图18，绘示有依照本发明第三实施例的形成为与光轴不平行的双锥面的内环面313。值得注意的是，内环面也可为任意形状的组合，本发明的内环面不以上述结构为限。
渐缩遮光结构设置于内环面，渐缩遮光结构自内环面凸起并朝光轴渐缩延伸，且渐缩遮光结构环绕光轴周期性设置。通过渐缩遮光结构的配置，可改变或破坏圆滑的内环面，以减弱杂散光的反射强度。其中，渐缩遮光结构可与遮光元件的其余部分为一体成型。借此，有助于缩短生产时间。请参照图2，绘示有依照本发明第一实施例的从内环面113朝光轴OA渐缩且环绕光轴OA周期性设置的渐缩遮光结构114。
沿光轴方向观察时，每一个渐缩遮光结构的轮廓具有至少一曲线段。具体来说，沿光轴方向观察时，每一个渐缩遮光结构的轮廓可具有一第一曲线段以及一第二曲线段。第一曲线段的曲率半径中心可相较第一曲线段远离光轴。第二曲线段的曲率半径中心可相较第二曲线段靠近光轴。第一曲线段与第二曲线段可直接连接，也可通过额外的直线段连接，本发明不以此为限。第一曲线段可相较第二曲线段靠近光轴，且第一曲线段与第二曲线段可各自于内环面上形成一曲面。请参照图6，绘示有依照本发明第一实施例的由第一曲线段CP1与第二曲线段CP2所形成的曲面CS。通过曲线段的配置，可使杂散光较不易于内环面反射。此外，曲线段有利于制造生产，以提高生产合格率，可使遮光元件大量生产。其中，第二曲线段可位于第一曲线段的一侧并连接相邻的其他渐缩遮光结构的第一曲线段。
微米结构可设置于遮光元件的物侧面与像侧面两者之中的至少一者，微米结构可具有多个凸起。请参照图5，微米结构的结构高度H1为自凸起的底部至凸起的顶部的垂直高度。微米结构当中至少三个或更多的凸起的结构平均高度可大于等于0.25微米且小于等于19微米。借此，可使杂散光发生散射，以减弱杂散光的反射强度。自遮光元件的剖面观察时，微米结构的凸起可呈弧形。也可以说，微米结构可为多个球状微粒埋入遮光元件表面，并自遮光元件表面露出部分球状微粒，使遮光元件表面呈多个弧形凸起。请参照图3、图5、图7与图8，绘示有依照本发明第一实施例的设置于物侧面111与像侧面112并具有多个凸起PR的微米结构115。
纳米结构层可至少设置于内环面上第一曲线段与第二曲线段所形成的曲面上，纳米结构层具有自曲面朝非定向延伸的多个脊状凸起。请参照图5，纳米结构层的结构高度可为自剖面观察时(破坏性量测)，自脊状凸起的绝对底部(山脚部分)至脊状凸起的顶部(山顶部分)的垂直高度H2；或者，请参照图4，纳米结构层的结构高度也可为自外表面观察时(非破坏性量测)，自脊状凸起的相对底部(两座山之间的山谷部分)至脊状凸起的顶部(山顶部分)的垂直高度H3，但本发明不以此为限。纳米结构层当中至少三个或更多的脊状凸起的结构平均高度(也就是H2或H3的平均值)可大于等于98纳米且小于等于350纳米。自遮光元件的剖面观察时，脊状凸起如山脊般呈现下宽上窄的形状，这样山脊般的结构可使纳米结构层的等效折射率自底部(山脚部分)向顶部(山顶部分)渐减，并可形成粗糙表面，以减少杂散光的反射。并且，可将纳米结构层设置于内环面上的渐缩遮光结构，能使内环面的反射率进一步降低，减少杂散光对成像品质的影响程度。其中，可将纳米结构层仅设置于内环面上的曲面，可缩短生产时间，有利于大量生产。其中，纳米结构层可进一步延伸至物侧面与像侧面两者之中的至少一者。通过将纳米结构层进一步设置于物侧面与像侧面两者之中的至少一者，有助于降低物侧面与像侧面两者之中的至少一者的反射率，以提升成像品质。其中，纳米结构层可进一步延伸至物侧面与像侧面两者之中的其中一者。通过将纳米结构层进一步设置于物侧面或像侧面两者之中的其中一者，可兼顾成像品质与生产速度。并且，纳米结构层可覆盖微米结构，以进一步降低散射光的强度，通过搭配两种不同尺度的抗反射结构，可进一步提升遮光元件的抗反射性能。其中，纳米结构层可均匀分布在微米结构的表面上，并且当纳米结构层的结构高度小于微米结构的结构高度时，仍可保留微米结构的形状，使微米结构仍具有将光线散射的功效。请参照图4、图5、图9至图12，绘示有依照本发明第一实施例的设置于物侧面111、像侧面112与内环面113、具有脊状凸起RLP并在物侧面111与像侧面112上覆盖微米结构115的纳米结构层116。
相较于在习知技术中杂散光容易于遮光元件的内环面发生反射，请参照图1与图2，绘示有依照本发明第一实施例的遮光元件(例如为图1与图2中的遮光片11)，本发明于遮光片11的内环面113上设置纳米结构层116以降低表面反射率，使遮光元件不易形成杂散光影响成像品质。同时，本发明更揭露具有曲面CS的渐缩遮光结构114以改变或破坏遮光片11圆滑的内环面113，也可进一步于渐缩遮光结构114的曲面CS上设置纳米结构层116以降低表面反射率，使遮光元件不易形成杂散光影响成像品质。举例而言，本发明揭露一种在遮光元件表面追加次波长结构后(包括但不限于在所述表面采用原子层沉积法(Atomic LayerDeposition)沉积而成的氧化铝(Al2O3)纳米结构层)，并用之设计成遮光机构的镜头内装设计。遮光元件可以是图1中的遮光片11、图16中的间隔元件(Spacer)SP、固定元件(Retainer)或图22中的镜筒(Barrel)43，甚至是与图34中的音圈马达(Voice Coil Motor,VCM)一体化的镜筒63，以互相搭配或是单元件型式在特定光路位置形成遮光举措，可以较有效率地将镜头内部的非成像光线获得具体控制。本发明也可适用但不限于于手机(双镜头或多镜头)、平板计算机、随身影像纪录器、穿戴装置等电子装置。
遮光元件的厚度为T，其可满足下列条件：2[微米]≤T≤88[微米]。借此，可在遮光元件保有轻薄厚度的前提下，通过设置纳米尺度的纳米结构层来降低面反射。当遮光元件为遮光片时，请参照图5，绘示有依照本发明第一实施例的T。当遮光元件为间隔元件时，请参照图20，系绘示有依照本发明第三实施例的T’。
渐缩遮光结构的数量为N，其可满足下列条件：39≤N≤147。借此，可减少杂散光反射并有助于提升制造品质。
第一曲线段的曲率半径为RVC，第二曲线段的曲率半径为RC，通光孔的半径为RL，其可满足下列条件：0.005[毫米]≤RVC≤0.37[毫米]；0.008[毫米]≤RC≤0.42[毫米]；0.3≤RC/RVC≤35；0.05≤(RVC/RL)×1.02π4≤34；以及0.11≤(RC/RL)×1.02π4≤49。借此，可适度地钝化内环面，使杂散光进一步地不易于内环面反射。当遮光元件为遮光片时，请参照图2，绘示有依照本发明第一实施例的RVC与RC。当遮光元件为遮光片时，请参照图5，绘示有依照本发明第一实施例的RL。
物侧面与像侧面两者之中设置有纳米结构层的至少一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其可满足下列条件：R7590≤0.65％。借此，可使纳米结构层相较于习知的多层膜具有在光谱宽波段中均维持低反射率的特性，对于长波长的光线仍可保持低反射率，以满足部分特殊需求的成像镜头，如ToF感测镜头，但本发明不以此应用标的为限。其中，也可满足下列条件：R7590≤0.5％。其中，物侧面与像侧面两者之中设置有纳米结构层的至少一者的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其可满足下列条件：R3840≤0.75％。通过在此波段维持低反射率，可提升成像品质。其中，物侧面与像侧面两者之中设置有纳米结构层的至少一者的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其可满足下列条件：R4070≤0.5％。通过在此波段维持低反射率，可提升成像品质。请参照图38，是根据本发明绘示两个参考片当中设置有纳米结构层的表面对各个波长的光的反射率实验数据，其中参考片各自为一塑胶基板，并于塑胶基板的表面设置有纳米结构层。由图38的实验数据可得知，其中一个参考片(参考片-1)满足下列条件：R7590＝0.14％；R3840＝0.08％；以及R4070＝0.03％，而另外一个参考片(参考片-2)满足下列条件：R7590＝0.14％；R3840＝0.07％；以及R4070＝0.03％。图38中对于参考片的反射率实验数据可作为纳米结构层设置于各种光学元件表面的反射率参考。
透镜组可包含多片透镜，且这些透镜之中的至少一片透镜也可设置有上述的纳米结构层。由于杂散光可形成于透镜与遮光元件之间，因此通过在透镜与遮光元件皆设置纳米结构层可降低杂散光的反射强度，减少对成像品质的影响。其中，这些透镜可包含一第一透镜以及一第二透镜，且遮光元件、第一透镜与第二透镜由成像镜头的物侧至像侧沿光轴依序排列。也可以说，可将位于遮光元件像侧的透镜定义为第一透镜，而将位于第一透镜像侧的透镜定义为第二透镜。请参照图16，绘示有依照本发明第三实施例的沿光轴OA依序排列的遮光片31、第一透镜321与第二透镜322。
镜筒可包含一筒状部以及一板状部。筒状部可以光轴为轴心环绕光轴。板状部可与筒状部连接，且板状部可朝靠近光轴的方向延伸并形成一光圈。板状部可具有一承靠面以及一内壁面。当遮光元件为遮光片、间隔元件或固定元件时，承靠面可与遮光元件实体接触。内壁面可自光圈朝承靠面延伸。内壁面与遮光元件沿平行光轴的方向可相距一间隔距离。借此，可形成一光陷阱结构，使杂散光于两者之间反射，借以提升成像品质。其中，间隔距离可向远离光轴的方向渐缩。请参照图16，绘示有依照本发明第三实施例的以光轴OA为轴心环绕光轴OA的筒状部331、朝靠近光轴OA的方向延伸并形成光圈AS的板状部332以及内壁面3322与遮光片31沿平行光轴OA方向相距的间隔距离D。
间隔距离的最大值为Dmax，第二透镜沿光轴的厚度为CT2，其可满足下列条件：0.26≤Dmax/CT2≤3.2；以及0.08[毫米]≤CT2≤0.82[毫米]。请参照图16，绘示有依照本发明第三实施例的Dmax与CT2。
上述本发明成像镜头中的各技术特征皆可组合配置，而达到对应的功效。
根据上述实施方式，以下提出具体实施例并配合附图予以详细说明。
<第一实施例>
请参照图1至图12，其中图1是根据本发明的第一实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图，图2是图1的成像镜头的遮光片的上视示意图，图3是图2的遮光片的AA区域依实际比例放大3000倍的示意图，图4是图3的AA区域的BB区域依实际比例放大30000倍的示意图，图5是图2的遮光片沿5-5线段剖切的侧视剖面图，图6是图1的成像镜头的遮光片的立体示意图，图7是图6的遮光片的CC区域依实际比例放大3000倍的示意图，图8是图7的CC区域的DD区域依实际比例放大5000倍的示意图，图9是图8的DD区域的EE区域依实际比例放大30000倍的示意图，图10是图8的DD区域的FF区域依实际比例放大30000倍的示意图，图11是图8的DD区域的GG区域依实际比例放大30000倍的示意图，且图12是图11的GG区域的HH区域依实际比例放大100000倍的示意图。
在本实施例中，一成像镜头1由一光轴OA通过。成像镜头1包含一遮光片11、一透镜组12、一镜筒13以及一成像面14。遮光片11与透镜组12容置于镜筒13内。光线进入镜筒13内后穿过遮光片11与透镜组12而成为成像光线成像于成像面14上。值得注意的是，镜筒13内的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片11为塑胶材质的基底层L1在其物侧与其像侧被两个包覆层L2所包覆的多层结构。遮光片11包含一物侧面111、一像侧面112、一内环面113、多个渐缩遮光结构114、一微米结构115以及一纳米结构层116。物侧面111垂直且环绕光轴OA设置。像侧面112与物侧面111相对设置，且像侧面112相较物侧面111靠近成像镜头1的像侧。内环面113连接物侧面111与像侧面112，内环面113为圆柱面，且内环面113环绕光轴OA并定义出一通光孔LPO。
如图2所示，内环面113可设置有渐缩遮光结构114，渐缩遮光结构114自内环面113凸起并朝光轴OA渐缩延伸，且渐缩遮光结构114环绕光轴OA周期性设置。渐缩遮光结构114与遮光片11的其余部分为一体成型。
如图2所示，沿光轴OA方向观察时，每一个渐缩遮光结构114的轮廓具有一第一曲线段CP1以及一第二曲线段CP2。第一曲线段CP1的曲率半径中心相较第一曲线段CP1远离光轴OA。第二曲线段CP2的曲率半径中心相较第二曲线段CP2段靠近光轴OA。第一曲线段CP1与第二曲线段CP2通过额外的直线段(未另标号)连接。第一曲线段CP1相较第二曲线段CP2靠近光轴OA，且第一曲线段CP1与第二曲线段CP2各自于内环面113上形成一曲面CS。并且，第二曲线段CP2通过额外的直线段连接相邻的渐缩遮光结构114的第一曲线段CP1。也可以说，第一曲线段CP1与第二曲线段CP2交替地设置。
如图5所示，微米结构115设置于遮光片11的物侧面111与像侧面112，但未设置于内环面113。微米结构115具有多个凸起PR，且微米结构115的结构高度为H1。微米结构115当中至少三个或更多的凸起PR的结构平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。自遮光片11的剖面观察时，微米结构115的凸起PR呈弧形。
如图2、图5与图6所示，纳米结构层116设置于内环面113所设置的渐缩遮光结构114上(包含第一曲线段CP1与第二曲线段CP2所形成的曲面CS上)，并可进一步延伸至物侧面111与像侧面112并均匀地覆盖微米结构115。也可以说，纳米结构层116设置于内环面113的渐缩遮光结构114上以及物侧面111与像侧面112的微米结构115上。请参照图5，纳米结构层116具有自曲面CS朝非定向延伸的多个脊状凸起RLP，且纳米结构层116的结构高度为自剖面观察时(破坏性量测)，自脊状凸起RLP的绝对底部(山脚部分)至脊状凸起RLP的顶部(山顶部分)的垂直高度H2；或者，请参照图4，纳米结构层116的结构高度也可为自外表面观察时(非破坏性量测)，自脊状凸起RLP的相对底部(两座山之间的山谷部分)至脊状凸起RLP的顶部(山顶部分)的垂直高度H3，但本发明不以此为限。纳米结构层当中至少三个或更多的脊状凸起RLP的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。自遮光片11的剖面观察时，脊状凸起RLP如山脊般呈现下宽上窄的形状，这样山脊般的结构可使纳米结构层116的等效折射率自底部(山脚部分)向顶部(山顶部分)渐减，并可形成粗糙表面，以减少杂散光的反射。
请参照表一，表一为图4中纳米结构层116的脊状凸起RLP的结构高度H3。
遮光片11的厚度为T，其满足下列条件：T＝23[微米]。
渐缩遮光结构114的数量为N，其满足下列条件：N＝60。
第一曲线段CP1的曲率半径为RVC，第二曲线段CP2的曲率半径为RC，通光孔LPO的半径为RL，其满足下列条件：RVC＝0.05[毫米]；RC＝0.05[毫米]；RL＝0.917[毫米]；RC/RVC＝1；(RVC/RL)×1.02π4＝5.42；以及(RC/RL)×1.02π4＝5.42。
设置有纳米结构层116的物侧面111与像侧面112的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其满足下列条件：R7590≤0.65％。设置有纳米结构层116的物侧面111与像侧面112的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其满足下列条件：R3840≤0.75％。设置有纳米结构层116的物侧面111与像侧面112的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其可满足下列条件：R4070≤0.5％。
<第二实施例>
请参照图13至图15，其中图13是根据本发明的第二实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图，图14是图13的成像镜头的遮光片的上视示意图，且图15是图14的遮光片沿15-15线段剖切的侧视剖面图。
在本实施例中，一成像镜头2由一光轴OA通过。成像镜头2包含一遮光片21、一透镜组22、一镜筒23以及一成像面24。遮光片21与透镜组22容置于镜筒23内。光线进入镜筒23内后穿过遮光片21与透镜组22而成为成像光线成像于成像面24上。值得注意的是，镜筒23内的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片21为塑胶材质的基底层L1在其物侧与其像侧被两个包覆层L2所包覆的多层结构。遮光片21包含一物侧面211、一像侧面212、一内环面213、多个渐缩遮光结构214、一微米结构215以及一纳米结构层216。物侧面211垂直且环绕光轴OA设置。像侧面212与物侧面211相对设置，且像侧面212相较物侧面211靠近成像镜头2的像侧。内环面213连接物侧面211与像侧面212，内环面213为斜锥面，且内环面213环绕光轴OA并以内环面213靠近物侧的尖端定义出一通光孔LPO。
如图14所示，内环面213可设置有渐缩遮光结构214，渐缩遮光结构214自内环面213凸起并朝光轴OA渐缩延伸，且渐缩遮光结构214环绕光轴OA周期性设置。渐缩遮光结构214与遮光片21的其余部分为一体成型。
如图14所示，沿光轴OA方向观察时，每一个渐缩遮光结构214的轮廓具有一第一曲线段CP1以及一第二曲线段CP2。第一曲线段CP1的曲率半径中心相较第一曲线段CP1远离光轴OA。第二曲线段CP2的曲率半径中心相较第二曲线段CP2段靠近光轴OA。第一曲线段CP1与第二曲线段CP2直接连接。第一曲线段CP1相较第二曲线段CP2靠近光轴OA，且第一曲线段CP1与第二曲线段CP2各自于内环面213上形成一曲面(未另标号)。并且，第二曲线段CP2连接相邻的渐缩遮光结构214的第一曲线段CP1。也可以说，第一曲线段CP1与第二曲线段CP2交替地设置。
如图15所示，微米结构215设置于遮光片21的物侧面211与像侧面212，但未设置于内环面213。微米结构215具有多个凸起PR，且微米结构215当中至少三个或更多的凸起PR的结构平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。自遮光片21的剖面观察时，微米结构215的凸起PR呈弧形。
如图14与图15所示，纳米结构层216设置于内环面213所设置的渐缩遮光结构214上(包含第一曲线段CP1与第二曲线段CP2所形成的曲面上)。也可以说，纳米结构层216仅设置于内环面213的渐缩遮光结构214上。请参照图15，纳米结构层216具有自曲面朝非定向延伸的多个脊状凸起RLP，且纳米结构层216当中至少三个或更多的脊状凸起RLP的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
遮光片21的厚度为T，其满足下列条件：T＝16[微米]。
渐缩遮光结构214的数量为N，其满足下列条件：N＝72。
第一曲线段CP1的曲率半径为RVC，第二曲线段CP2的曲率半径为RC，通光孔LPO的半径为RL，其满足下列条件：RVC＝0.01[毫米]；RC＝0.14[毫米]；RL＝1.6[毫米]；RC/RVC＝14；(RVC/RL)×1.02π4＝0.62；以及(RC/RL)×1.02π4＝8.69。
<第三实施例>
请参照图16至图21，其中图16是根据本发明的第三实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图，图17是图16的成像镜头的遮光片的上视示意图，图18是图17的遮光片沿18-18线段剖切的侧视剖面图，图19是图16的成像镜头的间隔元件的下视示意图，图20是图19的间隔元件沿20-20线段剖切的侧视剖面图，且图21是图16的成像镜头的间隔元件的立体示意图。
在本实施例中，一成像镜头3由一光轴OA通过。成像镜头3包含一遮光片31、一透镜组32、一间隔元件SP、一固定元件RT、一镜筒33以及一成像面34。遮光片31、透镜组32、间隔元件SP与固定元件RT容置于镜筒33内。光线进入镜筒33内后穿过遮光片31、透镜组32、间隔元件SP与固定元件RT而成为成像光线成像于成像面34上。值得注意的是，镜筒33内的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片31为金属材质的基底层L1在其表面涂覆有黑色颜料(未另绘示)的单层结构。遮光片31包含一物侧面311、一像侧面312、一内环面313、多个渐缩遮光结构314以及一纳米结构层316。物侧面311垂直且环绕光轴OA设置。像侧面312与物侧面311相对设置，且像侧面312相较物侧面311靠近成像镜头3的像侧。内环面313连接物侧面311与像侧面312，内环面313为双锥面，且内环面313环绕光轴OA并以内环面313中间的尖端定义出一通光孔LPO。
如图17所示，内环面313可设置有渐缩遮光结构314，渐缩遮光结构314自内环面313凸起并朝光轴OA渐缩延伸，且渐缩遮光结构314环绕光轴OA周期性设置。渐缩遮光结构314与遮光片31的其余部分为一体成型。
如图17所示，沿光轴OA方向观察时，每一个渐缩遮光结构314的轮廓具有一第一曲线段CP1以及一第二曲线段CP2。第一曲线段CP1的曲率半径中心相较第一曲线段CP1远离光轴OA。第二曲线段CP2的曲率半径中心相较第二曲线段CP2段靠近光轴OA。第一曲线段CP1与第二曲线段CP2通过额外的直线段(未另标号)连接。第一曲线段CP1相较第二曲线段CP2靠近光轴OA，且第一曲线段CP1与第二曲线段CP2各自于内环面313上形成一曲面(未另标号)。并且，第二曲线段CP2通过额外的直线段连接相邻的渐缩遮光结构314的第一曲线段CP1。也可以说，第一曲线段CP1与第二曲线段CP2交替地设置。
如图17与图18所示，纳米结构层316设置于内环面313所设置的渐缩遮光结构314上(包含第一曲线段CP1与第二曲线段CP2所形成的曲面上)，并可进一步延伸至物侧面311与像侧面312。也可以说，纳米结构层316设置于内环面313的渐缩遮光结构314上以及物侧面311与像侧面312上。纳米结构层316具有自曲面朝非定向延伸的多个脊状凸起(未另绘示)，且纳米结构层316当中至少三个或更多的脊状凸起的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
遮光片31的厚度为T，其满足下列条件：T＝20[微米]。
渐缩遮光结构314的数量为N，其满足下列条件：N＝90。
第一曲线段CP1的曲率半径为RVC，第二曲线段CP2的曲率半径为RC，通光孔LPO的半径为RL，其满足下列条件：RVC＝0.05[毫米]；RC＝0.075[毫米]；RL＝1.98[毫米]；RC/RVC＝1.5；(RVC/RL)×1.02π4＝2.51；以及(RC/RL)×1.02π4＝3.76。
设置有纳米结构层316的物侧面311与像侧面312的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其满足下列条件：R7590≤0.65％。设置有纳米结构层316的物侧面311与像侧面312的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其满足下列条件：R3840≤0.75％。设置有纳米结构层316的物侧面311与像侧面312的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其可满足下列条件：R4070≤0.5％。
透镜组32包含一第一透镜321以及一第二透镜322，且遮光片31、第一透镜321与第二透镜322由成像镜头3的物侧至像侧沿光轴OA依序排列。
镜筒33包含一筒状部331以及一板状部332。筒状部331以光轴OA为轴心环绕光轴OA。板状部332与筒状部331连接，且板状部332朝靠近光轴OA的方向延伸并形成一光圈AS。板状部332具有一承靠面3321以及一内壁面3322。承靠面3321与遮光片31实体接触。内壁面3322自光圈AS朝承靠面3321延伸。内壁面3322与遮光片31沿平行光轴OA的方向相距一间隔距离D，且间隔距离D向远离光轴OA的方向渐缩。
间隔距离D的最大值为Dmax，第二透镜322沿光轴OA的厚度为CT2，其满足下列条件：Dmax＝0.47[毫米]；CT2＝0.255[毫米]；以及Dmax/CT2＝1.843。
间隔元件SP也可设置有类似上述纳米结构层316的结构，以减少镜筒33内杂散光的反射。具体来说，间隔元件SP包含一物侧面SP_1、一像侧面SP_2、一内环面SP_3、一微米结构SP_5以及一纳米结构层SP_6。物侧面SP_1垂直且环绕光轴OA设置。像侧面SP_2与物侧面SP_1相对设置，且像侧面SP_2相较物侧面SP_1靠近成像镜头3的像侧。内环面SP_3连接物侧面SP_1与像侧面SP_2，且内环面SP_3环绕光轴OA并作为间隔元件SP的最小孔径来定义出一通光孔(未另标号)。
如图19、图20与图21所示，内环面SP_3可设置有微米结构SP_5。如图19与图21所示，微米结构SP_5具有多个三角柱状凸起(未另标号)，且微米结构SP_5的三角柱状凸起以光轴OA为中心沿圆周方向周期性地设置。
如图20与图21所示，纳米结构层SP_6设置于内环面SP_3以覆盖并实体接触于内环面SP_3上的微米结构SP_5。
如图20与图21所示，纳米结构层SP_6均匀地分布在微米结构SP_5的表面上并保留微米结构SP_5的形状。
固定元件RT也可设置有类似上述纳米结构层316或纳米结构层SP_6的结构，在此不再赘述。
<第四实施例>
请参照图22至图30，其中图22是根据本发明的第四实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图，图23是图22的成像镜头的遮光片的上视示意图，图24是图23的遮光片沿24-24线段剖切的侧视剖面图，图25是图22的成像镜头的镜筒的上视示意图，图26是图25的镜筒沿26-26线段剖切的侧视剖面图，图27是图22的成像镜头的镜筒经剖切的立体示意图，图28是图27的经剖切镜筒的II区域依实际比例放大3000倍的示意图，图29是图28的II区域的JJ区域依实际比例放大10000倍的示意图，且图30是图29的JJ区域的KK区域依实际比例放大30000倍的示意图。
在本实施例中，一成像镜头4由一光轴OA通过。成像镜头4包含一遮光片41、一透镜组42、一镜筒43以及一成像面44。遮光片41与透镜组42容置于镜筒43内。光线进入镜筒43内后穿过遮光片41与透镜组42而成为成像光线成像于成像面44上。值得注意的是，镜筒43内的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片41为塑胶材质的基底层L1在其物侧与其像侧被两个包覆层L2所包覆的多层结构。遮光片41包含一物侧面411、一像侧面412、一内环面413、多个渐缩遮光结构414、一微米结构415以及一纳米结构层416。物侧面411垂直且环绕光轴OA设置。像侧面412与物侧面411相对设置，且像侧面412相较物侧面411靠近成像镜头4的像侧。内环面413连接物侧面411与像侧面412，内环面413为斜锥面，且内环面413环绕光轴OA并以内环面413靠近像侧的尖端定义出一通光孔LPO。
如图23与图24所示，内环面413可设置有渐缩遮光结构414，渐缩遮光结构414自内环面413凸起并朝光轴OA渐缩延伸，且渐缩遮光结构414环绕光轴OA周期性设置。渐缩遮光结构414与遮光片41的其余部分为一体成型。
如图23所示，沿光轴OA方向观察时，每一个渐缩遮光结构414的轮廓具有一第一曲线段CP1以及一第二曲线段CP2。第一曲线段CP1的曲率半径中心相较第一曲线段CP1远离光轴OA。第二曲线段CP2的曲率半径中心相较第二曲线段CP2段靠近光轴OA。第一曲线段CP1与第二曲线段CP2直接连接。第一曲线段CP1相较第二曲线段CP2靠近光轴OA，且第一曲线段CP1与第二曲线段CP2各自于内环面413上形成一曲面(未另标号)。并且，第二曲线段CP2连接相邻的渐缩遮光结构414的第一曲线段CP1。也可以说，第一曲线段CP1与第二曲线段CP2交替地设置。
如图24所示，微米结构415设置于遮光片41的物侧面411，但未设置于像侧面412与内环面413。微米结构415具有多个凸起PR，且微米结构415当中至少三个或更多的凸起PR的结构平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。自遮光片41的剖面观察时，微米结构415的凸起PR呈弧形。
如图23与图24所示，纳米结构层416设置于内环面413所设置的渐缩遮光结构414上(包含第一曲线段CP1与第二曲线段CP2所形成的曲面上)，并可进一步延伸至物侧面411并均匀地覆盖微米结构415。也可以说，纳米结构层416设置于内环面413的渐缩遮光结构414上以及物侧面411的微米结构415上。纳米结构层416具有自曲面朝非定向延伸的多个脊状凸起(未另绘示)，且纳米结构层416当中至少三个或更多的脊状凸起的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
遮光片41的厚度为T，其满足下列条件：T＝30[微米]。
渐缩遮光结构414的数量为N，其满足下列条件：N＝60。
第一曲线段CP1的曲率半径为RVC，第二曲线段CP2的曲率半径为RC，通光孔LPO的半径为RL，其满足下列条件：RVC＝0.01[毫米]；RC＝0.04[毫米]；RL＝0.97[毫米]；RC/RVC＝4；(RVC/RL)×1.02π4＝1.02；以及(RC/RL)×1.02π4＝4.1。
设置有纳米结构层416的物侧面411的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其满足下列条件：R7590≤0.65％。设置有纳米结构层416的物侧面411的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其满足下列条件：R3840≤0.75％。设置有纳米结构层416的物侧面411的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其可满足下列条件：R4070≤0.5％。
镜筒43也可设置有类似上述纳米结构层416的结构，以减少镜筒43内杂散光的反射。具体来说，镜筒43包含一筒状部431、一板状部432、一微米结构435以及一纳米结构层436。筒状部431以光轴OA为轴心环绕光轴OA。板状部432与筒状部431连接，且板状部432朝靠近光轴OA的方向延伸并形成一光圈AS。板状部432具有一外露面4320、一承靠面4321以及一内壁面4322。外露面4320暴露于外。承靠面4321与镜筒43内部的光学元件(未另标号)实体接触。内壁面4322自光圈AS朝承靠面4321延伸。
如图26所示，内壁面4322可设置有微米结构435，并且微米结构435与镜筒43的其余部分一体成型。如图26与图28所示，微米结构435具有多个凸起(未另标号)。
如图26与图27所示，纳米结构层436除了设置于外露面4320与承靠面4321之外，还设置于内壁面4322以覆盖并实体接触于内壁面4322上的微米结构435。
如图26与图28所示，纳米结构层436均匀地分布在微米结构435的表面上并保留微米结构435的形状。
<第五实施例>
请参照图31至图33，其中图31是根据本发明的第五实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图，图32是图31的成像镜头的分解示意图，且图33是图31的成像镜头的部分元件的另一分解示意图。
在本实施例中，一成像镜头5由一光轴OA通过。成像镜头5包含一遮光片51、一透镜组52、一镜筒53、一成像面54、一反射元件55以及一保持件56。透镜组52容置于镜筒53内。遮光片51与反射元件55容置于保持件56内，且保持件56与镜筒53固定组装。光线进入镜筒53内后穿过透镜组52，随后进入保持件56内经过反射元件55与遮光片51，被反射元件55转向后射出保持件56而成为成像光线成像于成像面54上。详细来说，反射元件55设置于镜筒53的像侧，并具有四个反射面551。其中，反射元件55可包含多个棱镜以组合而成上述的四个反射面551，但本发明不以此为限。如图31所示，反射面551将来自镜筒53的光线转折方向(即转折光轴OA)。值得注意的是，镜筒53与保持件56内的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片51包含一物侧面511、一像侧面512、一内环面513以及一纳米结构层516。物侧面511垂直且环绕光轴OA设置。像侧面512与物侧面511相对设置，且像侧面512相较物侧面511靠近成像镜头5的像侧。内环面513连接物侧面511与像侧面512，且内环面513环绕光轴OA并定义出一通光孔LPO。
遮光片51贴附于其中一个反射面551以减少反射元件55所衍生的杂散光。具体来说，遮光片51的纳米结构层516设置于像侧面512与内环面513上，以减少杂散光在保持件56内的反射。
设置有纳米结构层516的像侧面512的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其满足下列条件：R7590≤0.65％。设置有纳米结构层516的像侧面512的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其满足下列条件：R3840≤0.75％。设置有纳米结构层516的像侧面512的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其可满足下列条件：R4070≤0.5％。
保持件56包含一透镜保持部561、一底座部562以及一纳米结构层566。透镜保持部561固定镜筒53。底座部562自透镜保持部561延伸，且较透镜保持部561靠近成像面54，使得透镜组52与成像面54保持一定距离。
底座部562在其内侧具有一内环面5621。内环面5621朝向反射元件55。纳米结构层566设置于底座部562的内环面5621上，以减少杂散光在保持件56内的反射。
<第六实施例>
请参照图34至图36，其中图34是根据本发明的第六实施例所绘示的成像镜头的侧视剖面图，图35是图34的成像镜头的分解示意图，且图36是图34的成像镜头的部分元件的另一分解示意图。
在本实施例中，一成像镜头6由一光轴OA通过。成像镜头6包含一遮光片61、一透镜组62、一镜筒63、一成像面64、一固定部67、一弹性元件组68以及一驱动部69。固定部67包含一壳体671以及一驱动保持件672，且壳体671与驱动保持件672共同形成一容置空间(未另标号)。弹性元件组68包含一上弹性元件681以及两个下弹性元件682。驱动部69包含多个磁性元件691以及一线圈692。透镜组62容置于镜筒63内。镜筒63的物侧通过上弹性元件681可相对移动地设置于壳体671内侧。镜筒63的像侧通过下弹性元件682可相对移动地设置于驱动保持件672上，且镜筒63被驱动保持件672所支撑。磁性元件691设置于壳体671内侧。线圈692设置于镜筒63外侧。磁性元件691与线圈692之间的相互作用会驱动镜筒63相对于壳体671、驱动保持件672与成像面64移动。遮光片61设置于驱动保持件672的像侧。光线进入镜筒63内后穿过透镜组62与遮光片61而成为成像光线并通过驱动部69调节聚焦位置以成像于成像面64上。值得注意的是，镜筒63与固定部67内的各元件不以附图中的轮廓线为限。
遮光片61包含一物侧面611、一像侧面612、一内环面613以及一纳米结构层616。物侧面611垂直且环绕光轴OA设置。像侧面612与物侧面611相对设置，且像侧面612相较物侧面611靠近成像镜头6的像侧。内环面613连接物侧面611与像侧面612，且内环面613环绕光轴OA并定义出一通光孔LPO。
遮光片61贴附于驱动保持件672以减少镜筒63与成像面64之间的杂散光。具体来说，遮光片61的纳米结构层616设置于物侧面611、像侧面612与内环面613上，以减少杂散光在镜筒63与成像面64之间反射。
设置有纳米结构层616的物侧面611与像侧面612的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其满足下列条件：R7590≤0.65％。设置有纳米结构层616的物侧面611与像侧面612的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其满足下列条件：R3840≤0.75％。设置有纳米结构层616的物侧面611与像侧面612的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其可满足下列条件：R4070≤0.5％。
驱动保持件672在其内侧具有一内环面6721，并包含一纳米结构层6722。内环面6721朝向光轴OA。纳米结构层6722设置于内环面6721上，以减少杂散光在驱动保持件672内的反射。
<第七实施例>
请参照图37，是根据本发明的第七实施例所绘示的一种电子装置的分解示意图。
在本实施例中，电子装置7为一智能手机。电子装置7包含成像镜头70a、成像镜头70b、成像镜头70c、成像镜头70d、闪光灯模块、对焦辅助模块、影像信号处理器、显示装置以及影像软件处理器(未绘示)。成像镜头70a、成像镜头70b、成像镜头70c与成像镜头70d皆配置于电子装置7的同一侧，而显示装置则配置于电子装置7的另一侧。其中，成像镜头70a为第五实施例的成像镜头5，且成像镜头70b为第一实施例的成像镜头1，但本发明不以此为限，成像镜头70a或成像镜头70b也可例如为上述本发明其他实施例的成像镜头。
成像镜头70a为一超长焦望远镜头，成像镜头70b为一长焦望远镜头，成像镜头70c为一广角主镜头，且成像镜头70d为一超广角镜头。成像镜头70a的视角例如为5度至30度，成像镜头70b的视角例如为30度至60度，成像镜头70c的视角例如为65度至90度，且成像镜头70d的视角例如为93度至175度。本实施例的成像镜头70a、成像镜头70b、成像镜头70c与成像镜头70d具有相异的视角，使电子装置7可提供不同的放大倍率，以达到光学变焦的拍摄效果。此外，成像镜头70a为具有反射元件55配置的超长焦望远镜头，有利于电子装置7的薄型化。上述电子装置7以包含多个成像镜头70a、70b、70c、70d为例，但成像镜头的数量与配置并非用以限制本发明。
当使用者拍摄被摄物时，电子装置7利用成像镜头70a、成像镜头70b、成像镜头70c或成像镜头70d聚光取像，启动闪光灯模块进行补光，并使用对焦辅助模块提供的被摄物的物距信息进行快速对焦，再加上影像信号处理器进行影像最佳化处理，来进一步提升成像镜头所产生的影像品质，同时提供变焦功能。对焦辅助模块可采用红外线或激光对焦辅助系统来达到快速对焦。显示装置可采用触控屏幕或实体拍摄按钮，配合影像软件处理器的多样化功能进行影像拍摄以及影像处理。通过影像软件处理器处理后的影像可显示于显示装置。
特别说明的是，图37中的镜头盖板分离于主机本体仅是为了方便示意电子装置7内部的镜头模块，并不代表镜头盖板为可拆卸，本发明不以此为限。
本发明的成像镜头不以应用于智能手机为限。成像镜头更可视需求应用于移动对焦的系统，并兼具优良像差修正与良好成像品质的特色。举例来说，成像镜头可多方面应用于三维(3D)影像撷取、数字相机、移动装置、平板计算机、智能电视、网络监控设备、行车记录仪、倒车显影装置、多镜头装置、辨识系统、体感游戏机与穿戴式装置等电子装置中。前揭电子装置仅是示范性地说明本发明的实际运用例子，并非限制本发明的成像镜头的运用范围。
虽然本发明以前述的诸项实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的专利保护范围须视本说明书所附的权利要求保护范围所界定者为准。

Claims (57)

1.一种成像镜头，其特征在于，由一光轴通过，所述成像镜头包含：
一遮光片，包含：
一物侧面，垂直且环绕所述光轴设置；
一像侧面，与所述物侧面相对设置，且所述像侧面相较所述物侧面靠近所述成像镜头的像侧；
一内环面，连接所述物侧面与所述像侧面，且所述内环面环绕所述光轴并定义出一通光孔；
多个渐缩遮光结构，设置于所述内环面，其中所述渐缩遮光结构自所述内环面凸起并朝所述光轴渐缩延伸，所述渐缩遮光结构环绕所述光轴周期性设置，沿所述光轴方向观察时每一所述渐缩遮光结构的轮廓具有一第一曲线段以及一第二曲线段，所述第一曲线段相较所述第二曲线段靠近所述光轴，且所述第一曲线段与所述第二曲线段各自于所述内环面上形成一曲面；以及
一纳米结构层，至少设置于所述第一曲线段与所述第二曲线段所形成的所述曲面上，且所述纳米结构层具有自所述曲面朝非定向延伸的多个脊状凸起。
2.根据权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片包含塑胶材质。
3.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述脊状凸起呈现下宽上窄的形状，且所述纳米结构层的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
4.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述第一曲线段的曲率半径中心相较所述第一曲线段远离所述光轴，所述第一曲线段的曲率半径为RVC，其满足下列条件：
0.005毫米≤RVC≤0.37毫米。
5.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述第二曲线段的曲率半径中心相较所述第二曲线段靠近所述光轴，所述第二曲线段的曲率半径为RC，其满足下列条件：
0.008毫米≤RC≤0.42毫米。
6.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述第一曲线段的曲率半径中心相较所述第一曲线段远离所述光轴，所述第二曲线段的曲率半径中心相较所述第二曲线段靠近所述光轴，所述第一曲线段的曲率半径为RVC，所述第二曲线段的曲率半径为RC，其满足下列条件：
0.3≤RC/RVC≤35。
7.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述纳米结构层进一步延伸至所述物侧面与所述像侧面两者之中的至少一者。
8.根据权利要求7所述的成像镜头，其特征在于，所述纳米结构层进一步延伸至所述物侧面与所述像侧面两者之中的其中一者。
9.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片还包含一微米结构，所述微米结构设置于所述物侧面与所述像侧面两者之中的至少一者，所述微米结构具有多个凸起，且所述微米结构的结构平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。
10.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述渐缩遮光结构与所述遮光片的其余部分为一体成型。
11.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述渐缩遮光结构的数量为N，其满足下列条件：
39≤N≤147。
12.根据权利要求7所述的成像镜头，其特征在于，所述物侧面与所述像侧面两者之中设置有所述纳米结构层的所述至少一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其满足下列条件：
R7590≤0.65％。
13.根据权利要求7所述的成像镜头，其特征在于，所述物侧面与所述像侧面两者之中设置有所述纳米结构层的所述至少一者的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其满足下列条件：
R3840≤0.75％。
14.根据权利要求7所述的成像镜头，其特征在于，所述物侧面与所述像侧面两者之中设置有所述纳米结构层的所述至少一者的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其满足下列条件：
R4070≤0.5％。
15.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片的厚度为T，其满足下列条件：
2微米≤T≤88微米。
16.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，所述成像镜头还包含：
一镜筒，容置所述遮光片，且所述镜筒包含：
一筒状部，以所述光轴为轴心环绕所述光轴；以及
一板状部，与所述筒状部连接，其中所述板状部朝靠近所述光轴的方向延伸并形成一光圈，且所述板状部具有：
一承靠面，与所述遮光片实体接触；以及
一内壁面，自所述光圈朝所述承靠面延伸，其中所述内壁面与所述遮光片沿平行所述光轴的方向相距一间隔距离，且所述间隔距离向远离所述光轴的方向渐缩。
17.根据权利要求16所述的成像镜头，其特征在于，所述成像镜头沿所述光轴依序包含：
所述遮光片；
一第一透镜，容置于所述镜筒内；以及
一第二透镜，容置于所述镜筒内；
其中，所述间隔距离的最大值为Dmax，所述第二透镜沿所述光轴的厚度为CT2，其满足下列条件：
0.26≤Dmax/CT2≤3.2。
18.根据权利要求17所述的成像镜头，其特征在于，所述第二透镜沿所述光轴的厚度为CT2，其满足下列条件：
0.08毫米≤CT2≤0.82毫米。
19.根据权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，还包含一透镜组，其中所述透镜组包含多个透镜，且所述透镜之中的至少一者设置有所述纳米结构层。
20.一种成像镜头，其特征在于，由一光轴通过，所述成像镜头包含：
一遮光片，包含：
一物侧面，垂直且环绕所述光轴设置；
一像侧面，与所述物侧面相对设置，且所述像侧面相较所述物侧面靠近所述成像镜头的像侧；
一内环面，连接所述物侧面与所述像侧面，且所述内环面环绕所述光轴并定义出一通光孔；
多个渐缩遮光结构，设置于所述内环面，其中所述渐缩遮光结构自所述内环面凸起并朝所述光轴渐缩延伸，所述渐缩遮光结构环绕所述光轴周期性设置，沿所述光轴方向观察时每一所述渐缩遮光结构的轮廓具有至少一曲线段，且所述至少一曲线段于所述内环面上形成一曲面；以及
一纳米结构层，设置于所述至少一曲线段所形成的所述曲面上，且所述纳米结构层具有自所述曲面朝非定向延伸的多个脊状凸起；
其中，当所述至少一曲线段的曲率半径中心相较所述至少一曲线段远离所述光轴时，所述至少一曲线段的曲率半径为RVC，所述通光孔的半径为RL，其满足下列条件：
0.05≤(RVC/RL)×1.02π4≤34；
其中，当所述至少一曲线段的曲率半径中心相较所述至少一曲线段靠近所述光轴时，所述至少一曲线段的曲率半径为RC，所述通光孔的半径为RL，其满足下列条件：
0.11≤(RC/RL)×1.02π4≤49。
21.根据权利要求20所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片包含塑胶材质。
22.根据权利要求21所述的成像镜头，其特征在于，所述脊状凸起呈现下宽上窄的形状，且所述纳米结构层的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
23.根据权利要求22所述的成像镜头，其特征在于，所述纳米结构层进一步延伸至所述物侧面与所述像侧面两者之中的至少一者。
24.根据权利要求23所述的成像镜头，其特征在于，所述纳米结构层进一步延伸至所述物侧面与所述像侧面两者之中的其中一者。
25.根据权利要求22所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片还包含一微米结构，所述微米结构设置于所述物侧面与所述像侧面两者之中的至少一者，所述微米结构具有多个凸起，且所述微米结构的结构平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。
26.根据权利要求21所述的成像镜头，其特征在于，所述渐缩遮光结构与所述遮光片的其余部分为一体成型。
27.根据权利要求26所述的成像镜头，其特征在于，所述渐缩遮光结构的数量为N，其满足下列条件：
39≤N≤147。
28.根据权利要求23所述的成像镜头，其特征在于，所述物侧面与所述像侧面两者之中设置有所述纳米结构层的所述至少一者的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其满足下列条件：
R7590≤0.65％。
29.根据权利要求23所述的成像镜头，其特征在于，所述物侧面与所述像侧面两者之中设置有所述纳米结构层的所述至少一者的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其满足下列条件：
R3840≤0.75％。
30.根据权利要求23所述的成像镜头，其特征在于，所述物侧面与所述像侧面两者之中设置有所述纳米结构层的所述至少一者的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其满足下列条件：
R4070≤0.5％。
31.根据权利要求22所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片的厚度为T，其满足下列条件：
2微米≤T≤88微米。
32.根据权利要求22所述的成像镜头，其特征在于，所述成像镜头还包含：
一镜筒，容置所述遮光片，且所述镜筒包含：
一筒状部，以所述光轴为轴心环绕所述光轴；以及
一板状部，与所述筒状部连接，其中所述板状部朝靠近所述光轴的方向延伸并形成一光圈，且所述板状部具有：
一承靠面，与所述遮光片实体接触；以及
一内壁面，自所述光圈朝所述承靠面延伸，其中所述内壁面与所述遮光片沿平行所述光轴的方向相距一间隔距离，且所述间隔距离向远离所述光轴的方向渐缩。
33.根据权利要求32所述的成像镜头，其特征在于，所述成像镜头沿所述光轴依序包含：
所述遮光片；
一第一透镜，容置于所述镜筒内；以及
一第二透镜，容置于所述镜筒内；
其中，所述间隔距离的最大值为Dmax，所述第二透镜沿所述光轴的厚度为CT2，其满足下列条件：
0.26≤Dmax/CT2≤3.2。
34.根据权利要求33所述的成像镜头，其特征在于，所述第二透镜沿所述光轴的厚度为CT2，其满足下列条件：
0.08毫米≤CT2≤0.82毫米。
35.根据权利要求22所述的成像镜头，其特征在于，还包含一透镜组，其中所述透镜组包含多个透镜，且所述透镜之中的至少一者设置有所述纳米结构层。
36.一种成像镜头，其特征在于，由一光轴通过，所述成像镜头包含：
一遮光元件，包含：
一物侧面，垂直且环绕所述光轴设置；
一像侧面，与所述物侧面相对设置，且所述像侧面相较所述物侧面靠近所述成像镜头的像侧；
一内环面，连接所述物侧面与所述像侧面，且所述内环面环绕所述光轴并定义出一通光孔；以及
一纳米结构层，至少设置于所述内环面上，其中所述纳米结构层具有自所述内环面朝非定向延伸的多个脊状凸起。
37.根据权利要求36所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光元件为一遮光片。
38.根据权利要求36所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光元件为一间隔元件或一固定元件。
39.根据权利要求37所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片包含塑胶材质。
40.根据权利要求39所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片为一多层结构，所述多层结构包含：
一基底层，所述基底层为塑胶材质；以及
二包覆层，所述包覆层自两侧包覆所述基底层。
41.根据权利要求39所述的成像镜头，其特征在于，所述脊状凸起呈现下宽上窄的形状，且所述纳米结构层的结构平均高度大于等于98纳米且小于等于350纳米。
42.根据权利要求41所述的成像镜头，其特征在于，所述纳米结构层的材质包含氧化铝(Al2O3)。
43.根据权利要求39所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光元件还包含多个渐缩遮光结构，所述渐缩遮光结构设置于所述内环面，所述渐缩遮光结构自所述内环面凸起并朝所述光轴渐缩延伸，所述渐缩遮光结构环绕所述光轴周期性设置，沿所述光轴方向观察时每一所述渐缩遮光结构的轮廓具有一第一曲线段以及一第二曲线段，所述第一曲线段与所述第二曲线段各自于所述内环面上形成一曲面，且所述纳米结构层设置于所述第一曲线段与所述第二曲线段所形成的所述曲面上。
44.根据权利要求43所述的成像镜头，其特征在于，所述第一曲线段的曲率半径中心相较所述第一曲线段远离所述光轴，所述第一曲线段的曲率半径为RVC，其满足下列条件：
0.005毫米≤RVC≤0.37毫米。
45.根据权利要求43所述的成像镜头，其特征在于，所述第二曲线段的曲率半径中心相较所述第二曲线段靠近所述光轴，所述第二曲线段的曲率半径为RC，其满足下列条件：
0.008毫米≤RC≤0.42毫米。
46.根据权利要求43所述的成像镜头，其特征在于，所述第一曲线段的曲率半径中心相较所述第一曲线段远离所述光轴，所述第二曲线段的曲率半径中心相较所述第二曲线段靠近所述光轴，所述第一曲线段的曲率半径为RVC，所述第二曲线段的曲率半径为RC，其满足下列条件：
0.3≤RC/RVC≤35。
47.根据权利要求39所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光元件还包含一微米结构，所述微米结构设置于所述物侧面与所述像侧面两者之中的至少一者，所述微米结构具有多个凸起，且所述微米结构的结构平均高度大于等于0.25微米且小于等于19微米。
48.根据权利要求46所述的成像镜头，其特征在于，所述渐缩遮光结构的数量为N，其满足下列条件：
39≤N≤147。
49.根据权利要求39所述的成像镜头，其特征在于，所述纳米结构层进一步延伸至所述物侧面与所述像侧面两者之中的至少一者，且设置有所述纳米结构层的所述物侧面或所述像侧面的表面对波长为750纳米至900纳米的光的平均反射率为R7590，其满足下列条件：
R7590≤0.65％。
50.根据权利要求39所述的成像镜头，其特征在于，所述纳米结构层进一步延伸至所述物侧面与所述像侧面两者之中的至少一者，且设置有所述纳米结构层的所述物侧面或所述像侧面的表面对波长为380纳米至400纳米的光的平均反射率为R3840，其满足下列条件：
R3840≤0.75％。
51.根据权利要求39所述的成像镜头，其特征在于，所述纳米结构层进一步延伸至所述物侧面与所述像侧面两者之中的至少一者，且设置有所述纳米结构层的所述物侧面或所述像侧面的表面对波长为400纳米至700纳米的光的平均反射率为R4070，其满足下列条件：
R4070≤0.5％。
52.根据权利要求39所述的成像镜头，其特征在于，所述遮光片的厚度为T，其满足下列条件：
2微米≤T≤88微米。
53.根据权利要求43所述的成像镜头，其特征在于，所述成像镜头还包含：
一镜筒，容置所述遮光元件，且所述镜筒包含：
一筒状部，以所述光轴为轴心环绕所述光轴；以及
一板状部，与所述筒状部连接，其中所述板状部朝靠近所述光轴的方向延伸并形成一光圈，且所述板状部具有：
一承靠面，与所述遮光元件实体接触；以及
一内壁面，自所述光圈朝所述承靠面延伸，其中所述内壁面与所述遮光元件沿平行所述光轴的方向相距一间隔距离，且所述间隔距离向远离所述光轴的方向渐缩。
54.根据权利要求53所述的成像镜头，其特征在于，所述成像镜头沿所述光轴依序包含：
所述遮光元件；
一第一透镜，容置于所述镜筒内；以及
一第二透镜，容置于所述镜筒内；
其中，所述间隔距离的最大值为Dmax，所述第二透镜沿所述光轴的厚度为CT2，其满足下列条件：
0.26≤Dmax/CT2≤3.2。
55.根据权利要求54所述的成像镜头，其特征在于，所述第二透镜沿所述光轴的厚度为CT2，其满足下列条件：
0.08毫米≤CT2≤0.82毫米。
56.根据权利要求43所述的成像镜头，其特征在于，还包含一透镜组，其中所述透镜组包含多个透镜，且所述透镜之中的至少一者设置有所述纳米结构层。
57.一种电子装置，其特征在于，包含根据权利要求1、16、20、32或36所述的成像镜头。
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