TWI821864B

TWI821864B - 成像鏡頭、遮光片及電子裝置

Info

Publication number: TWI821864B
Application number: TW111101577A
Authority: TW
Inventors: 張建邦; 范丞緯; 劉思欣; 蔡溫祐; 周明達
Original assignee: 大立光電股份有限公司
Priority date: 2021-12-29
Filing date: 2022-01-14
Publication date: 2023-11-11
Also published as: BR102022025222A2; CN217085377U; US20230204828A1; CN116413880A; EP4266090A1; TW202328749A

Abstract

一種成像鏡頭，具有光軸且包含鏡片、遮光片及鏡筒。鏡片與遮光片容置於鏡筒。光軸通過鏡片。遮光片包含第一物側面、第一像側面、第一內環面、第一微米結構及第一奈米結構層。第一物側面與第一像側面相對設置。第一像側面與鏡片實體接觸。第一內環面連接第一物側面與第一像側面，且第一內環面圍繞光軸並定義出第一通光孔。第一微米結構至少設置於第一物側面或第一像側面。第一微米結構具有多個凸起。第一奈米結構層至少設置於第一內環面。第一奈米結構層的材料包含氧化鋁，且第一奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起。

Description

成像鏡頭、遮光片及電子裝置

本發明係關於一種成像鏡頭、遮光片與電子裝置，特別是一種適用於電子裝置的成像鏡頭與遮光片。

隨著科技日新月異，具有高光學品質的鏡頭儼然成為不可或缺的一環。並且，配備光學鏡頭的電子裝置的應用範圍更加廣泛，對於光學鏡頭的要求也是更加多樣化。

然而，近年來傳統的光學鏡頭已難以滿足多元化發展下的電子產品的高光學品質需求，特別是非成像光線容易在成像鏡頭內反射而影響成像品質。因此，如何改良成像鏡頭內部零件的結構來減弱非成像光線的反射強度，以滿足現今對電子裝置高規格的需求，已成為目前相關領域的重要議題。

鑒於以上提到的問題，本發明揭露一種成像鏡頭、遮光片與電子裝置，有助於減少非成像光線的反射，藉此提升總體的光學品質。

本發明之一實施例所揭露之成像鏡頭具有一光軸並包含一鏡片、一遮光片以及一鏡筒。光軸通過鏡片。遮光片包含一第一物側面、一第一像側面、一第一內環面、一第一微米結構以及一第一奈米結構層。第一物側面與第一像側面相對設置。第一像側面與鏡片實體接觸。第一內環面連接第一物側面與第一像側面，且第一內環面圍繞光軸並定義出一第一通光孔。第一微米結構至少設置於第一物側面與第一像側面兩者之中的其中一者。第一微米結構具有多個凸起，且第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米。第一奈米結構層至少設置於第一內環面。鏡筒容置鏡片與遮光片。鏡筒包含一第二物側面、一第二像側面、一第二內環面以及一第二奈米結構層。第二物側面與第二像側面相對設置。第二內環面連接第二物側面與第二像側面，且第二內環面圍繞光軸並定義出一第二通光孔。第二奈米結構層至少設置於第二內環面。第一奈米結構層與第二奈米結構層的材料包含氧化鋁。第一奈米結構層與第二奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且第一奈米結構層與第二奈米結構層的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米。

第一奈米結構層與第二奈米結構層兩者之間沿光軸之方向的最短距離為Dbs，鏡筒的最物側與鏡筒的最像側兩者之間沿光軸之方向的距離為Doi，第一內環面與光軸的夾角為θ1，第二內環面與光軸的夾角為θ2，其滿足下列條件：0

Dbs/Doi

0.94；0[度]

|θ1|

79[度]；以及0[度]

|θ2|

82[度]。

本發明之另一實施例所揭露之成像鏡頭具有一光軸並包含一鏡片、一遮光片、一間隔元件以及一鏡筒。第一物側面與第一像側面相對設置。第一像側面與鏡片實體接觸。第一內環面連接第一物側面與第一像側面，且第一內環面圍繞光軸並定義出一第一通光孔。第一微米結構至少設置於第一物側面與第一像側面兩者之中的其中一者。第一微米結構具有多個凸起，且第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米。第一奈米結構層至少設置於第一內環面。間隔元件與遮光片沿光軸設置。間隔元件包含一第二物側面、一第二像側面、一第二內環面以及一第二奈米結構層。第二物側面與第二像側面相對設置。第二內環面連接第二物側面與第二像側面，且第二內環面圍繞光軸並定義出一第二通光孔。第二奈米結構層至少設置於第二內環面。鏡筒容置鏡片、遮光片與間隔元件。第一奈米結構層與第二奈米結構層的材料包含氧化鋁。第一奈米結構層與第二奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且第一奈米結構層與第二奈米結構層的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米。

第一奈米結構層與間隔元件的第二奈米結構層兩者之間沿光軸之方向的最短距離為Dss，鏡筒的最物側與鏡筒的最像側兩者之間沿光軸之方向的距離為Doi，第一內環面與光軸的夾角為θ1，第二內環面與光軸的夾角為θ2，其滿足下列條件：0

Dss/Doi

0.62；0[度]

|θ1|

79[度]；以及 0[度]

|θ2|

82[度]。

本發明之再一實施例所揭露之成像鏡頭具有一光軸並包含至少一反射元件、一鏡片、一遮光片以及一鏡筒。所述至少一反射元件具有至少一反射面。所述至少一反射面用以轉折光線的傳遞方向。光軸通過鏡片。遮光片包含一第一物側面、一第一像側面、一第一內環面、一第一微米結構以及一第一奈米結構層。第一物側面與第一像側面相對設置。第一像側面與鏡片實體接觸。第一內環面連接第一物側面與第一像側面，且第一內環面圍繞光軸並定義出一第一通光孔。第一微米結構至少設置於第一物側面與第一像側面兩者之中的其中一者。第一微米結構具有多個凸起，且第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米。第一奈米結構層至少設置於第一內環面。鏡筒容置鏡片與遮光片。第一奈米結構層的材料包含氧化鋁。第一奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且第一奈米結構層的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米。

第一內環面與光軸的夾角為θ1，其滿足下列條件：0[度]

|θ1|

79[度]。

本發明之又一實施例所揭露之遮光片包含一第一物側面、一第一像側面、一第一內環面、一第一微米結構以及一第一奈米結構層。第一物側面與第一像側面兩者之中其中一者用以與一鏡片實體接觸。第一內環面連接第一物側面與第一像側面，且第一內環面圍繞光軸並定義出一第一通光孔。第一微米結構至少設置於第一物側面與第一像側面兩者之中的其中一者。第一微米結構具有多個凸起，且第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米。第一奈米結構層至少設置於第一內環面。第一奈米結構層的材料包含氧化鋁。第一奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且第一奈米結構層的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米。

第一內環面與光軸的夾角為θ1，第一內環面沿光軸之方向的厚度為T，其滿足下列條件：0[度]

|θ1|

79[度]；以及2[微米]

T

88[微米]。

本發明之再另一實施例所揭露之電子裝置包含上述之成像鏡頭或上述之遮光片。

根據上述實施例所揭露的成像鏡頭、遮光片與電子裝置，藉由設置第一微米結構，可將非成像光線散射，以減弱非成像光線的反射強度。並且，由於加工製程等因素，較不易在第一內環面設置微米尺度的結構，因此使用結構尺度較小的第一奈米結構層進行補強，可突破現有製程的限制，並藉以減少非成像光線於第一內環面的反射，而且還可與第一微米結構搭配，使成像鏡頭內部的抗反射性能進一步提升，相較於習知的成像鏡頭可一定程度地降低鬼影產生的機會，從而提升成像品質。

再者，藉由設置脊狀凸起，可使第一奈米結構層的等效折射率自底部向頂部漸減，並可破壞反射，以減少反射光的產生。

當θ1或θ2滿足上述條件時，可與其上所設置的奈米結構層相互搭配來降低非成像光線在成像鏡頭內的反射率，以避免影響成像品質。

當Dbs/Doi或Dss/Doi滿足上述條件時，可形成光陷阱結構，使非成像光線在兩個奈米結構層之間反射。

當T滿足上述條件時，可在遮光片保有輕薄厚度的前提下，藉由設置奈米尺度的第一奈米結構層來降低面反射。

以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。

1、3、4、5、60a、60b、60c、60d:成像鏡頭

101、201、301、401、501:光軸

10、30a、30b、40、50:鏡片

11、21、31a、31b、41、51:遮光片

111、211、311a、311b、411、511:第一物側面

112、212、312a、312b、412、512:第一像側面

113、213、313a、313b、413、513:第一內環面

114、214:第一微米結構

115、215、315a、315b、415、515:第一奈米結構層

12、32、42、52:鏡筒

121、321:第二物側面

122、322:第二像側面

123、323:第二內環面

124:第二微米結構

125、325:第二奈米結構層

33:間隔元件

331:第三物側面

332:第三像側面

333:第三內環面

334:第三微米結構

335:第三奈米結構層

44、54:反射元件

441、541:反射面

6:電子裝置

A1:第一通光孔

A2:第二通光孔

A3:第三通光孔

H1、H2:高度

L1:基底層

L2:包覆層

R、R’:曲率半徑

AA、BB、CC、DD、EE、FF、GG、HH、II、JJ、KK、W1、W2、X、Y1、Y2、Z:區域

θ1:第一內環面與光軸的夾角

θ2:第二內環面與光軸的夾角

θ3:第三內環面與光軸的夾角

Dbs:第一奈米結構層與第二奈米結構層兩者之間沿光軸之方向的最短距離

Dss:第一奈米結構層與第三奈米結構層(間隔元件的第二奈米結構層)兩者之間沿光軸之方向的最短距離

Doi:鏡筒的最物側與鏡筒的最像側兩者之間沿光軸之方向的距離

R₃₇₄₀:第一物側面與第一像側面兩者之中設置有第一奈米結構層的其中一者的表面對波長為370奈米至400奈米的光的平均反射率

R₃₈₄₀:光學元件設置有奈米結構層的表面對波長為380奈米至400奈米的光的平均反射率

R₄₀₇₀:第一物側面與第一像側面兩者之中設置有第一奈米結構層的其中一者的表面對波長為400奈米至700奈米的光的平均反射率

R₇₅₉₀:第一物側面與第一像側面兩者之中設置有第一奈米結構層的其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率

T:第一內環面沿光軸之方向的厚度

圖1係根據本發明之第一實施例所繪示的成像鏡頭的側視剖面圖。

圖2係圖1之成像鏡頭的遮光片的立體示意圖。

圖3係圖2之遮光片的AA區域依實際比例放大3000倍的示意圖。

圖4係圖3之AA區域的BB區域依實際比例放大5000倍的示意圖。

圖5係圖4之BB區域的CC區域依實際比例放大30000倍的示意圖。

圖6係圖4之BB區域的DD區域依實際比例放大30000倍的示意圖。

圖7係圖4之BB區域的EE區域依實際比例放大30000倍的示意圖。

圖8係圖7之EE區域的FF區域依實際比例放大100000倍的示意圖。

圖9係圖1之成像鏡頭的遮光片的上視示意圖。

圖10係圖9之遮光片的GG區域依實際比例放大3000倍的示意圖。

圖11係圖10之GG區域的HH區域依實際比例放大30000倍的示意圖。

圖12係圖9之遮光片沿12-12’線段剖切的側視剖面圖。

圖13係圖1之成像鏡頭的鏡筒經剖切的立體示意圖。

圖14係圖13之經剖切鏡筒的II區域依實際比例放大3000倍的示意圖。

圖15係圖14之II區域的JJ區域依實際比例放大10000倍的示意圖。

圖16係圖15之JJ區域的KK區域依實際比例放大30000倍的示意圖。

圖17係圖1之成像鏡頭的鏡筒的上視示意圖。

圖18係圖17之鏡筒沿18-18’線段剖切的側視剖面圖。

圖19係根據本發明之第二實施例所繪示的成像鏡頭的遮光片的上視示意圖。

圖20係圖19之遮光片沿20-20’線段剖切的側視剖面圖。

圖21係根據本發明之第三實施例所繪示的成像鏡頭的側視剖面圖。

圖22係圖21之成像鏡頭的間隔元件的上視示意圖。

圖23係圖22之間隔元件沿23-23’線段剖切的側視剖面圖。

圖24係圖21之成像鏡頭的間隔元件的立體示意圖。

圖25係根據本發明之第四實施例所繪示的成像鏡頭的側視剖面圖。

圖26係根據本發明之第五實施例所繪示的成像鏡頭的側視剖面圖。

圖27係根據本發明之第六實施例所繪示的一種電子裝置的分解示意圖。

圖28係根據本發明繪示兩個參考片當中設置有奈米結構層的表面對各個波長的光的反射率實驗數據。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者瞭解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。

本發明提供一種成像鏡頭，成像鏡頭具有一光軸並包含一鏡片、一遮光片以及一鏡筒。光軸通過鏡片。鏡片與遮光片容置於鏡筒內。

遮光片包含一第一物側面、一第一像側面、一第一內環面、一第一微米結構以及一第一奈米結構層。第一物側面與第一像側面相對設置。第一像側面與鏡片實體接觸。第一內環面連接第一物側面與第一像側面，且第一內環面圍繞光軸並定義出一第一通光孔。具體來說，第一通光孔可為遮光片的最小孔徑所形成的通孔。並且，當第一內環面不與光軸平行而形成為錐面時，第一通光孔可由第一內環面所形成的尖端來定義。請參照圖20的Y1區域，係繪示有依照本發明第二實施例之形成為錐面的第一內環面213。

遮光片可為塑膠材質的基底層被兩個包覆層包覆，其中塑膠材質可為聚醯亞胺(polyimide,PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)。請參照圖20的Y1區域，係繪示有依照本發明第二實施例之由基底層L1被兩個包覆層L2包覆之多層結構的遮光片21。或者，遮光片亦可為金屬材質的基底層並在其表面設置有黑色顏料，其中金屬材質可為快削黃銅或銅合金。然而，本發明的遮光片不以上述結構為限。

第一微米結構至少設置於第一物側面與第一像側面兩者之中的其中一者。第一微米結構具有多個凸起，且第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米。藉此，可將非成像光線散射，以減弱非成像光線的反射強度。其中，從第一微米結構的橫剖面觀察，第一微米結構的所述多個凸起呈弧形。換句話說，第一微米結構可為多個球狀微粒埋入遮光片的表面，並自遮光片表面露出部分球狀微粒，使得遮光片表面上形成有多個弧形凸起。請參照圖3、圖10與圖12的W1區域，係繪示有依照本發明第一實施例之設置於第一物側面111與第一像側面112並具有多個凸起的第一微米結構114。

第一奈米結構層至少設置於第一內環面。除此之外，第一奈米結構層還可設置於第一物側面與第一像側面兩者之中設置有第一微米結構的表面。第一奈米結構層可覆蓋第一微米結構，且第一奈米結構層可與第一微米結構實體接觸。由於第一微米結構可使光線發生散射，而將第一奈米結構層覆蓋於第一微米結構可使散射光的強度進一步降低，藉由搭配兩種不同尺度的抗反射結構，可進一步提升遮光片的抗反射性能。請參照圖3、圖5至圖7，係繪示有依照本發明第一實施例之設置於第一物側面111、第一像側面112與第一內環面113並在第一物側面111與第一像側面112上覆蓋並實體接觸於第一微米結構114的第一奈米結構層115。

鏡筒可包含一第二物側面、一第二像側面、一第二內環面、一第二微米結構以及一第二奈米結構層。第二物側面可與第二像側面相對設置。第二內環面可連接第二物側面與第二像側面，且第二內環面可圍繞光軸並可定義出一第二通光孔。具體來說，第二通光孔可為鏡筒的最小孔徑所形成的通孔。並且，當第二內環面不與光軸平行而形成為錐面時，第二通光孔可由第二內環面所形成的尖端來定義。請參照圖18，係繪示有依照本發明第一實施例之形成為錐面的第二內環面123。

第二微米結構可至少設置於第二內環面，並可與鏡筒的其餘部分一體成形。第二微米結構可具有多個凸起，且第二微米結構的平均高度可大於等於0.32微米且可小於等於22微米。藉此，可將非成像光線散射，以減弱非成像光線的反射強度。請參照圖18，係繪示有依照本發明第一實施例之設置於第二內環面123並具有多個凸起的第二微米結構124。

第二奈米結構層可至少設置於第二內環面。第二奈米結構層可覆蓋第二微米結構，且第二奈米結構層可與第二微米結構實體接觸。藉由微米結構與奈米結構層的搭配設置，可進一步提升抗反射性能。其中，第二微米結構與第二奈米結構層還可設置於第二物側面。藉此，可使鏡筒的外觀品質獲得提升。請參照圖17與圖18，係繪示有依照本發明第一實施例之設置於第二物側面121、第二像側面122與第二內環面123並在第二物側面121與第二內環面123上覆蓋並實體接觸於第二微米結構124的第二奈米結構層125。

成像鏡頭更可包含一間隔元件。間隔元件可與遮光片沿光軸設置，且間隔元件可容置於鏡筒內。間隔元件可包含一第三物側面、一第三像側面、一第三內環面、一第三微米結構以及一第三奈米結構層。第三物側面可與第三像側面相對設置。第三內環面可連接第三物側面與第三像側面，且第三內環面可圍繞光軸並可定義出一第三通光孔。具體來說，第三通光孔可為間隔元件的最小孔徑所形成的通孔。並且，當第三內環面不與光軸平行而形成為錐面時，第三通光孔可由第三內環面所形成的尖端來定義。請參照圖23，係繪示有依照本發明第三實施例之形成為錐面的第三內環面333。

第三微米結構可至少設置於第三內環面。第三微米結構可具有多個凸起，且第三微米結構的凸起可以光軸為中心周期性地設置。第三微米結構的平均高度可大於等於3微米且可小於等於182微米。藉此，可將非成像光線散射，以減弱非成像光線的反射強度。請參照圖22與圖24，係繪示有依照本發明第三實施例之設置於第三內環面333並具有以光軸為中心周期性地設置之多個凸起的第三微米結構334。

第三奈米結構層可至少設置於第三內環面。第三奈米結構層可覆蓋第三微米結構，且第三奈米結構層可與第三微米結構實體接觸。藉由微米結構與奈米結構層的搭配設置，可進一步提升抗反射性能。請參照圖23，係繪示有依照本發明第三實施例之設置於第三內環面333並在第三內環面333上覆蓋並實體接觸於第三微米結構334的第三奈米結構層335。

第一奈米結構層、第二奈米結構層與第三奈米結構層可分別均勻分布在第一微米結構、第二微米結構與第三微米結構的表面上並保留微米結構的形狀，使微米結構仍具有將光線散射的功效。

第一奈米結構層、第二奈米結構層與第三奈米結構層的材料可包含氧化鋁。第一奈米結構層、第二奈米結構層與第三奈米結構層各自可具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且第一奈米結構層、第二奈米結構層與第三奈米結構層各自的平均高度可大於等於98奈米且可小於等於350奈米。從脊狀凸起的橫剖面觀察時，脊狀凸起會如山脊般呈現下寬上窄的結構，這樣的結構可使奈米結構層的等效折射率自底部向頂部漸減，並可破壞反射，以減少反射光的產生。請參照圖12的W2區域與圖20的Y2區域，係分別繪示有依照本發明第一與第二實施例之朝非定向延伸且呈現下寬上窄結構的脊狀凸起。

由於加工製程等因素，較不易在第一內環面設置微米尺度的結構，因此使用結構尺度較小的第一奈米結構層進行補強，可突破現有製程的限制，並藉以減少非成像光線於第一內環面的反射，相較於習知的成像鏡頭可一定程度地降低鬼影產生的機會，從而提升成像品質。

第一奈米結構層、第二奈米結構層與第三奈米結構層更可於各自的表面具有多個孔洞。藉此，可使奈米結構層自底部向頂部的等效折射率變化更加線性。請參照圖8與圖16，係分別繪示有依照本發明第一實施例之第一奈米結構層115與第二奈米結構層125所具有的孔洞。

成像鏡頭更可包含至少一反射元件。所述至少一反射元件具有至少一反射面。所述至少一反射面用以轉折光線的傳遞方向。藉此，可使成像鏡頭滿足不同需求。其中，所述至少一反射面的數量可為至少二。請參照圖25，係繪示有依照本發明第四實施例的至少二個(四個)反射面441。其中，所述至少一反射元件的數量可為至少二。請參照圖26，係繪示有依照本發明第五實施例的至少二個反射元件54。

第一內環面與光軸的夾角為θ1，其滿足下列條件：0[度]

|θ1|

79[度]。藉此，可與其上所設置的奈米結構層相互搭配來降低非成像光線在成像鏡頭內的反射率，以避免影響成像品質。請參照圖20與圖26，係分別繪示有依照本發明第二與第五實施例的θ1。

第二內環面與光軸的夾角為θ2，其可滿足下列條件：0[度]

|θ2|

82[度]。藉此，可與其上所設置的奈米結構層相互搭配來降低非成像光線在成像鏡頭內的反射率，以避免影響成像品質。請參照圖18，係繪示有依照本發明第一實施例的θ2。

第三內環面與光軸的夾角為θ3，其可滿足下列條件：0[度]

|θ3|

82[度]。藉此，可與其上所設置的奈米結構層相互搭配來降低非成像光線在成像鏡頭內的反射率，以避免影響成像品質。請參照圖23，係繪示有依照本發明第三實施例的θ3。

第一奈米結構層與第二奈米結構層兩者之間沿光軸之方向的最短距離為Dbs，鏡筒的最物側與鏡筒的最像側兩者之間沿光軸之方向的距離為Doi，其可滿足下列條件：0

Dbs/Doi

0.94。藉此，可形成光陷阱結構，使非成像光線在兩個奈米結構層之間反射。請參照圖1，係繪示有依照本發明第一實施例的Dbs與Doi。

第一奈米結構層與第三奈米結構層兩者之間沿光軸之方向的最短距離為Dss，鏡筒的最物側與鏡筒的最像側兩者之間沿光軸之方向的距離為Doi，其可滿足下列條件：0

Dss/Doi

0.62。藉此，可形成光陷阱結構，使非成像光線在兩個奈米結構層之間反射。請參照圖21，係繪示有依照本發明第三實施例的Dss與Doi。

第一內環面沿光軸之方向的厚度為T，其可滿足下列條件：2[微米]

T

88[微米]。藉此，可在遮光片保有輕薄厚度的前提下，藉由設置奈米尺度的第一奈米結構層來降低面反射。請參照圖12的W1區域，係繪示有依照本發明第一實施例的T。

第一物側面與第一像側面兩者之中設置有第一奈米結構層的其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其可滿足下列條件：R₇₅₉₀

0.65%。藉此，可使第一奈米結構層相較於習知的多層膜具有在光譜寬波段中均維持低反射率的特性，對於長波長的光線仍可保持低反射率，以滿足部分特殊需求的成像鏡頭，如ToF感測鏡頭，但本發明不以此應用標的為限。其中，亦可滿足下列條件：R₇₅₉₀

0.5%。其中，第一物側面與第一像側面兩者之中設置有第一奈米結構層的其中一者的表面對波長為370奈米至400奈米的光的平均反射率為R₃₇₄₀，其可滿足下列條件：R₃₇₄₀

0.75%。藉由在此波段維持低反射率，可提升成像品質。其中，第一物側面與第一像側面兩者之中設置有第一奈米結構層的其中一者的表面對波長為400奈米至700奈米的光的平均反射率為R₄₀₇₀，其可滿足下列條件：R₄₀₇₀

0.5%。藉由在此波段維持低反射率，可提升成像品質。請參照圖28，係根據本發明繪示兩個參考片當中設置有奈米結構層的表面對各個波長的光的反射率實驗數據，其中參考片各自為一塑膠基板，並於塑膠基板的表面設置有奈米結構層。由圖28的實驗數據可得知，其中一個參考片(參考片-1)滿足下列條件：R₇₅₉₀=0.14%；R₃₈₄₀=0.08%；以及R₄₀₇₀=0.03%，而另外一個參考片(參考片-2)滿足下列條件：R₇₅₉₀=0.14%；R₃₈₄₀=0.07%；以及R₄₀₇₀=0.03%。圖28中對於參考片的反射率實驗數據可作為奈米結構層設置於各種光學元件表面的反射率參考。值得注意的是，上述的R₃₈₄₀定義為光學元件設置有奈米結構層的表面對波長為380奈米至400奈米的光的平均反射率，係為R₃₇₄₀的下位特徵；此外，在本發明中，上述的R₃₇₄₀、R₃₈₄₀、R₄₀₇₀與R₇₅₉₀不僅適用於設置有第一奈米結構層的表面，亦可適用於設置有第二奈米結構層或第三奈米結構層的表面。

上述本發明成像鏡頭或遮光片中的各技術特徵皆可組合配置，而達到對應之功效。

根據上述實施方式，以下提出具體實施例並配合圖式予以詳細說明。

<第一實施例>

請參照圖1至圖18，其中圖1係根據本發明之第一實施例所繪示的成像鏡頭的側視剖面圖，圖2係圖1之成像鏡頭的遮光片的立體示意圖，圖3係圖2之遮光片的AA區域依實際比例放大3000倍的示意圖，圖4係圖3之AA區域的BB區域依實際比例放大5000倍的示意圖，圖5係圖4之BB區域的CC區域依實際比例放大30000倍的示意圖，圖6係圖4之BB區域的DD區域依實際比例放大30000倍的示意圖，圖7係圖4之BB區域的EE區域依實際比例放大30000倍的示意圖，圖8係圖7之EE區域的FF區域依實際比例放大100000倍的示意圖，圖9係圖1之成像鏡頭的遮光片的上視示意圖，圖10係圖9之遮光片的GG區域依實際比例放大3000倍的示意圖，圖11係圖10之GG區域的HH區域依實際比例放大30000倍的示意圖，圖12係圖9之遮光片沿12-12’線段剖切的側視剖面圖，圖13係圖1之成像鏡頭的鏡筒經剖切的立體示意圖，圖14係圖13之經剖切鏡筒的II區域依實際比例放大3000倍的示意圖，圖15係圖14之II區域的JJ區域依實際比例放大10000倍的示意圖，圖16係圖15之JJ區域的KK區域依實際比例放大30000倍的示意圖，圖17係圖1之成像鏡頭的鏡筒的上視示意圖，且圖18係圖17之鏡筒沿18-18’ 線段剖切的側視剖面圖。

在本實施例中，成像鏡頭1具有一光軸101並包含有一鏡片10以及一遮光片11的一光學元件組(未另標號)以及一鏡筒12。光軸101通過鏡片10。鏡片10與遮光片11容置於鏡筒12內。值得注意的是，光學元件組除了包含鏡片10與遮光片11外，還包含其他鏡片、其他一般遮光片與固定環等光學元件(未另標號)，且光學元件組中的各元件不以圖式中的輪廓線為限。

遮光片11包含一第一物側面111、一第一像側面112、一第一內環面113、一第一微米結構114以及一第一奈米結構層115。第一物側面111與第一像側面112相對設置。第一像側面112與鏡片10實體接觸。第一內環面113連接第一物側面111與第一像側面112，且第一內環面113圍繞光軸101並作為遮光片11之最小孔徑的側面來定義出一第一通光孔A1。

第一微米結構114設置於第一物側面111與第一像側面112。如圖10與圖12的W1區域所示，第一微米結構114具有多個凸起(未另標號)，且第一微米結構114的平均高度(如圖12的W1區域中所標示之高度H1)大於等於0.25微米且小於等於19微米。如圖12的W1區域所示，從第一微米結構114的橫剖面觀察，第一微米結構114的凸起呈弧形，使得遮光片11表面上形成弧形凸起。

第一奈米結構層115除了設置於第一內環面113之外，還設置於第一物側面111與第一像側面112以覆蓋並實體接觸於第一物側面111與第一像側面112上的第一微米結構114。

如圖3與圖10所示，第一奈米結構層115均勻地分布在第一微米結構114的表面上並保留第一微米結構114的形狀。

如圖5到圖7、圖11與圖12的W2區域所示，第一奈米結構層115具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起(未另標號)，且第一奈米結構層115的平均高度(如圖12的W2區域中所標示之高度H2)大於等於98奈米且小於等於350奈米。如圖12的W2區域所示，從第一奈米結構層115的脊狀凸起的橫剖面觀察時，脊狀凸起會如山脊般呈現下寬上窄的結構。並且，如圖8所示，第一奈米結構層115更於其表面具有多個孔洞(未另標號)。

鏡筒12包含一第二物側面121、一第二像側面122、一第二內環面123、一第二微米結構124以及一第二奈米結構層125。第二物側面121與第二像側面122相對設置。第二內環面123連接第二物側面121與第二像側面122，且第二內環面123圍繞光軸101並作為鏡筒12之最小孔徑的側邊來定義出一第二通光孔A2。

第二微米結構124設置於第二物側面121與第二內環面123，並與鏡筒12的其餘部分一體成形。如圖14與圖18的X區域所示，第二微米結構124具有多個凸起(未另標號)，且第二微米結構124的平均高度(如圖18的X區域中所標示之高度H1)大於等於0.32微米且小於等於22微米。

第二奈米結構層125除了設置於第二像側面122之外，還設置於第二物側面121與第二內環面123以覆蓋並實體接觸於第二物側面121與第二內環面123上的第二微米結構124。

如圖14與圖18所示，第二奈米結構層125均勻地分布在第二微米結構124的表面上並保留第二微米結構124的形狀。

如圖15所示，第二奈米結構層125具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起(未另標號)，且第二奈米結構層125的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米。並且，如圖16所示，第二奈米結構層125更於其表面具有多個孔洞(未另標號)。

第一內環面113與光軸101的夾角為θ1，其滿足下列條件：|θ1|=0[度]。

第二內環面123與光軸101的夾角為θ2，其滿足下列條件：|θ2|=40[度](物側)；以及|θ2|=70[度](像側)，如圖18所示。

第一奈米結構層115與第二奈米結構層125兩者之間沿光軸101之方向的最短距離為Dbs，鏡筒12的最物側與鏡筒12的最像側兩者之間沿光軸101之方向的距離為Doi，其滿足下列條件：Dbs=0.855[公釐]；Doi=3.395[公釐]；以及Dbs/Doi=0.252。

第一內環面113沿光軸101之方向的厚度為T，其滿足下列條件：T=16[微米]，如圖12的W1區域所示。

設置有第一奈米結構層115的第一物側面111與第一像側面112的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀

0.65%。設置有第一奈米結構層115的第一物側面111與第一像側面112的表面對波長為370奈米至400奈米的光的平均反射率為R₃₇₄₀，其滿足下列條件：R₃₇₄₀

0.75%。設置有第一奈米結構層115的第一物側面111與第一像側面112的表面對波長為400奈米至700奈米的光的平均反射率為R₄₀₇₀，其滿足下列條件：R₄₀₇₀

0.5%。

<第二實施例>

請參照圖19至圖20，其中圖19係根據本發明之第二實施例所繪示的成像鏡頭的遮光片的上視示意圖，且圖20係圖19之遮光片沿20-20’線段剖切的側視剖面圖。以下僅針對本實施例與第一實施例中相異之處進行說明，其餘部分將被省略。

在本實施例中，成像鏡頭(未另標號)具有一光軸201並至少包含一遮光片21。遮光片21包含一第一物側面211、一第一像側面212、一第一內環面213、一第一微米結構214以及一第一奈米結構層215。第一物側面211與第一像側面212相對設置。第一內環面213連接第一物側面211與第一像側面212，且第一內環面213圍繞光軸201並作為遮光片21之最小孔徑的側面來定義出一第一通光孔A1。

如圖19所示，遮光片21的第一內環面213所定義出的第一通光孔A1其內緣具有多個曲率半徑R、R’，以使第一通光孔A1的邊緣呈波浪狀。然而，本發明不以此為限。在部分實施例中，第一通光孔的邊緣亦可為任意形狀。

如圖20的Y1區域所示，遮光片21的第一內環面213不與光軸201平行而形成為錐面形狀，但本發明不以錐面形狀的第一內環面213為限。並且，遮光片21為多層結構。具體來說，遮光片21為塑膠材質的基底層L1在其物側與其像側被兩個包覆層L2包覆，其中塑膠材質可為聚醯亞胺或聚對苯二甲酸乙二酯。然而，本發明不以此為限。在部分實施例中，遮光片亦可為金屬材質的基底層並在其物側與其像側設置有黑色顏料，其中金屬材質可為快削黃銅或銅合金。

第一微米結構214設置於第一物側面211與第一像側面212。第一奈米結構層215除了設置於第一內環面213之外，還設置於第一物側面211與第一像側面212以覆蓋並實體接觸於第一物側面211與第一像側面212上的第一微米結構214。如圖20的Y2區域所示，第一奈米結構層215具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起(未另標號)。

第一內環面213與光軸201的夾角為θ1，其滿足下列條件：|θ1|=45[度]，如圖20所示。

<第三實施例>

請參照圖21至圖24，其中圖21係根據本發明之第三實施例所繪示的成像鏡頭的側視剖面圖，圖22係圖21之成像鏡頭的間隔元件的上視示意圖，圖23係圖22之間隔元件沿23-23’線段剖切的側視剖面圖，且圖24係圖21之成像鏡頭的間隔元件的立體示意圖。

在本實施例中，成像鏡頭3具有一光軸301並包含有兩個鏡片30a、30b、兩個遮光片31a、31b以及一間隔元件33的一光學元件組(未另標號)以及一鏡筒32。光軸301通過鏡片30a、30b。鏡片30a、30b、遮光片31a、31b與間隔元件33容置於鏡筒32內。值得注意的是，光學元件組除了包含鏡片30a、30b、遮光片31a、31b與間隔元件33外，還包含其他鏡片、其他一般遮光片、其他一般間隔元件與固定環等光學元件(未另標號)，且光學元件組中的各元件不以圖式中的輪廓線為限。

遮光片31a包含一第一物側面311a、一第一像側面312a、一第一內環面313a以及一第一奈米結構層315a。第一物側面311a與第一像側面312a相對設置。第一像側面312a與鏡片30a實體接觸。第一內環面313a連接第一物側面311a與第一像側面312a，且第一內環面313a圍繞光軸301。

遮光片31a可如第一實施例的遮光片11般在第一物側面311a與第一像側面312a上設置第一微米結構(未繪示)。

第一奈米結構層315a除了設置於第一內環面313a之外，還設置於第一物側面311a與第一像側面312a以覆蓋並實體接觸於第一物側面311a與第一像側面312a上的第一微米結構。

遮光片31b包含一第一物側面311b、一第一像側面312b、一第一內環面313b以及一第一奈米結構層315b。第一物側面311b與第一像側面312b相對設置。第一像側面312b與鏡片 30b實體接觸。第一內環面313b連接第一物側面311b與第一像側面312b，且第一內環面313b圍繞光軸301。

遮光片31b可如第一實施例的遮光片11般在第一物側面311b與第一像側面312b上設置第一微米結構(未繪示)。

第一奈米結構層315b除了設置於第一內環面313b之外，還設置於第一物側面311b與第一像側面312b以覆蓋並實體接觸於第一物側面311b與第一像側面312b上的第一微米結構。

鏡筒32包含一第二物側面321、一第二像側面322、一第二內環面323以及一第二奈米結構層325。第二物側面321與第二像側面322相對設置。第二內環面323連接第二物側面321與第二像側面322，且第二內環面323圍繞光軸301並作為鏡筒32之最小孔徑的側邊來定義出成像鏡頭3的光圈值為1.4。

鏡筒32可如第一實施例的鏡筒12般在第二物側面321與第二內環面323上設置有一體成形的第二微米結構(未繪示)。

第二奈米結構層325除了設置於第二像側面322之外，還設置於第二物側面321與第二內環面323以覆蓋並實體接觸於第二物側面321與第二內環面323上的第二微米結構。

間隔元件33與遮光片31b沿光軸301相接觸地設置。間隔元件33包含一第三物側面331、一第三像側面332、一第三內環面333、一第三微米結構334以及一第三奈米結構層335。第三物側面331與第三像側面332相對設置。第三內環面 333連接第三物側面331與第三像側面332，且第三內環面333圍繞光軸301並作為間隔元件33之最小孔徑的側邊來定義出一第三通光孔A3。

第三微米結構334設置於第三內環面333。如圖22與圖24所示，第三微米結構334具有多個三角柱狀凸起(未另標號)，且第三微米結構334的三角柱狀凸起以光軸301為中心沿圓周方向周期性地設置。第三微米結構334的平均高度(如圖23的Z區域中所標示之高度H1)大於等於3微米且小於等於182微米。

第三奈米結構層335設置於第三內環面333以覆蓋並實體接觸於第三內環面333上的第三微米結構334。

如圖23與圖24所示，第三奈米結構層335均勻地分布在第三微米結構334的表面上並保留第三微米結構334的形狀。

第三奈米結構層335具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起(未繪示)，且第三奈米結構層335的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米。並且，第三奈米結構層335更於其表面具有多個孔洞(未繪示)。

第一內環面313與光軸301的夾角為θ1，其滿足下列條件：|θ1|=0[度]。

第三內環面333與光軸301的夾角為θ3，其滿足下列條件：|θ3|=15[度](物側)；以及|θ3|=57.59[度](像側)，如圖23所示。

第一奈米結構層315與第二奈米結構層325兩者之間沿光軸301之方向的最短距離為Dbs，鏡筒32的最物側與鏡筒32的最像側兩者之間沿光軸301之方向的距離為Doi，其滿足下列條件：Dbs=0[公釐]；Doi=6.14[公釐]；以及Dbs/Doi=0。(即，第一奈米結構層315與第二奈米結構層325相接觸地鄰近設置)

第一奈米結構層315與第三奈米結構層335兩者之間沿光軸301之方向的最短距離為Dss，鏡筒32的最物側與鏡筒32的最像側兩者之間沿光軸301之方向的距離為Doi，其滿足下列條件：Dss=0.1[公釐]；Doi=6.14[公釐]；以及Dss/Doi=0.016。

設置有第一奈米結構層315的第一物側面311與第一像側面312的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀

0.65%。設置有第一奈米結構層315的第一物側面311與第一像側面312的表面對波長為370奈米至400奈米的光的平均反射率為R₃₇₄₀，其滿足下列條件：R₃₇₄₀

0.75%。設置有第一奈米結構層315的第一物側面311與第一像側面312的表面對波長為400奈米至700奈米的光的平均反射率為R₄₀₇₀，其滿足下列條件：R₄₀₇₀

0.5%。

<第四實施例>

請參照圖25，係根據本發明之第四實施例所繪示的成像鏡頭的側視剖面圖。

在本實施例中，成像鏡頭4具有一光軸401並包含有一鏡片40以及一遮光片41的一光學元件組(未另標號)、一鏡筒42以及一反射元件44。光軸401通過鏡片40。鏡片40與遮光片41容置於鏡筒42內。值得注意的是，光學元件組除了包含鏡片40與遮光片41外，還包含其他鏡片、其他一般遮光片與固定環等光學元件(未另標號)，且光學元件組中的各元件不以圖式中的輪廓線為限。

遮光片41包含一第一物側面411、一第一像側面412、一第一內環面413以及一第一奈米結構層415。第一物側面411與第一像側面412相對設置。第一像側面412與鏡片40實體接觸。第一內環面413連接第一物側面411與第一像側面412，且第一內環面413圍繞光軸401。

遮光片41可如第一實施例的遮光片11般在第一物側面411上設置第一微米結構(未繪示)。

第一奈米結構層415除了設置於第一內環面413之外，還設置於第一物側面411以覆蓋並實體接觸於第一物側面411上的第一微米結構。

反射元件44設置於鏡筒42的像側，並具有四個反射面441。如圖25所示，反射面441將來自鏡筒42的光線轉折方向(即轉折光軸401)。

第一內環面413與光軸401的夾角為θ1，其滿足下列條件：|θ1|=0[度]。

<第五實施例>

請參照圖26，係根據本發明之第五實施例所繪示的成像鏡頭的側視剖面圖。

在本實施例中，成像鏡頭5具有一光軸501並包含有一鏡片50以及一遮光片51的一光學元件組(未另標號)、一鏡筒52以及兩個反射元件54。光軸501通過鏡片50。鏡片50與遮光片51容置於鏡筒52內。值得注意的是，光學元件組除了包含鏡片50與遮光片51外，還包含其他鏡片、其他一般遮光片與固定環等光學元件(未另標號)，且光學元件組中的各元件不以圖式中的輪廓線為限。

遮光片51包含一第一物側面511、一第一像側面512、一第一內環面513以及一第一奈米結構層515。第一物側面511與第一像側面512相對設置。第一像側面512與鏡片50實體接觸。第一內環面513連接第一物側面511與第一像側面512，且第一內環面513圍繞光軸501。

遮光片51可如第一實施例的遮光片11般在第一物側面511與第一像側面512上設置第一微米結構(未繪示)。

第一奈米結構層515除了設置於第一內環面513之外，還設置於第一物側面511與第一像側面512以覆蓋並實體接觸於第一物側面511與第一像側面512上的第一微米結構。

反射元件54分別設置於鏡筒52的物側與像側，並各自具有一反射面541。如圖26所示，位於鏡筒52物側的反射面541將入射光線轉折方向後射向鏡筒52，並且位於鏡筒52像側的反射面541將來自鏡筒52的光線轉折方向(即轉折光軸501)。

第一內環面513與光軸501的夾角為θ1，其滿足下列條件：|θ1|=66.8[度](物側)；以及|θ1|=66.8[度](像側)，如圖26所示。

<第六實施例>

請參照圖27，係根據本發明之第六實施例所繪示的一種電子裝置的分解示意圖。

在本實施例中，電子裝置6為一智慧型手機。電子裝置6包含成像鏡頭60a、成像鏡頭60b、成像鏡頭60c、成像鏡頭60d、閃光燈模組、對焦輔助模組、影像訊號處理器、顯示裝置以及影像軟體處理器(未繪示)。成像鏡頭60a、成像鏡頭60b、成像鏡頭60c與成像鏡頭60d係皆配置於電子裝置6的同一側，而顯示裝置則配置於電子裝置6的另一側。其中，成像鏡頭60a為第五實施例之成像鏡頭5，且成像鏡頭60b為第一實施例之成像鏡頭1，但本發明不以此為限，成像鏡頭60a或成像鏡頭60b亦可例如為上述本發明其他實施例的成像鏡頭。

成像鏡頭60a為一超長焦望遠鏡頭，成像鏡頭60b為一長焦望遠鏡頭，成像鏡頭60c為一廣角主鏡頭，且成像鏡頭60d為一超廣角鏡頭。成像鏡頭60a的視角例如為5度至30度，成像鏡頭60b的視角例如為30度至60度，成像鏡頭60c的視角例如為65度至90度，且成像鏡頭60d的視角例如為93度至175度。本實施例之成像鏡頭60a、成像鏡頭60b、成像鏡頭60c與成像鏡頭60d具有相異的視角，使電子裝置6可提供不同的放大倍率，以達到光學變焦的拍攝效果。此外，成像鏡頭60a為具有反射元件54配置的超長焦望遠鏡頭，有利於電子裝置6的薄型化。上述電子裝置6以包含多個成像鏡頭60a、60b、60c、60d為例，但成像鏡頭的數量與配置並非用以限制本發明。當使用者拍攝被攝物時，電子裝置6利用成像鏡頭60a、成像鏡頭60b、成像鏡頭60c或成像鏡頭60d聚光取像，啟動閃光燈模組進行補光，並使用對焦輔助模組提供的被攝物之物距資訊進行快速對焦，再加上影像訊號處理器進行影像最佳化處理，來進一步提升成像鏡頭所產生的影像品質，同時提供變焦功能。對焦輔助模組可採用紅外線或雷射對焦輔助系統來達到快速對焦。顯示裝置可採用觸控螢幕或實體拍攝按鈕，配合影像軟體處理器的多樣化功能進行影像拍攝以及影像處理。經由影像軟體處理器處理後的影像可顯示於顯示裝置。

特別說明的是，圖27中的鏡頭蓋板分離於主機本體僅是為了方便示意電子裝置6內部的鏡頭模組，並不代表鏡頭蓋板為可拆卸，本發明不以此為限。

本發明的成像鏡頭不以應用於智慧型手機為限。成像鏡頭更可視需求應用於移動對焦的系統，並兼具優良像差修正與良好成像品質的特色。舉例來說，成像鏡頭可多方面應用於三維(3D)影像擷取、數位相機、行動裝置、數位平板、智慧型電視、網路監控設備、行車記錄器、倒車顯影裝置、多鏡頭裝置、辨識系統、體感遊戲機與穿戴式裝置等電子裝置中。前揭電子裝置僅是示範性地說明本發明的實際運用例子，並非限制本發明之成像鏡頭的運用範圍。

雖然本發明以前述之諸項實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

1:成像鏡頭

101:光軸

10:鏡片

11:遮光片

111:第一物側面

112:第一像側面

113:第一內環面

115:第一奈米結構層

12:鏡筒

121:第二物側面

122:第二像側面

123:第二內環面

125:第二奈米結構層

Claims

一種成像鏡頭，具有一光軸，該成像鏡頭包含：一鏡片，其中該光軸通過該鏡片；一遮光片，包含：一第一物側面；一第一像側面，其中該第一像側面與該第一物側面相對設置，且該第一像側面與該鏡片實體接觸；一第一內環面，連接該第一物側面與該第一像側面，其中該第一內環面圍繞該光軸並定義出一第一通光孔；一第一微米結構，至少設置於該第一物側面與該第一像側面兩者之中的其中一者，其中該第一微米結構具有多個凸起，且該第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米；以及一第一奈米結構層，至少設置於該第一內環面；以及一鏡筒，容置該鏡片與該遮光片，且該鏡筒包含：一第二物側面；一第二像側面，其中該第二像側面與該第二物側面相對設置；一第二內環面，連接該第二物側面與該第二像側面，其中該第二內環面圍繞該光軸並定義出一第二通光孔；以及一第二奈米結構層，至少設置於該第二內環面；其中，該第一奈米結構層與該第二奈米結構層的材料包含氧化鋁，該第一奈米結構層與該第二奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且該第一奈米結構層與該第二奈米結構層的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米；其中，該第一奈米結構層與該第二奈米結構層兩者之間沿該光軸之方向的最短距離為Dbs，該鏡筒的最物側與該鏡筒的最像側兩者之間沿該光軸之方向的距離為Doi，該第一內環面與該光軸的夾角為θ1，該第二內環面與該光軸的夾角為θ2，其滿足下列條件：0
Dbs/Doi
0.94；0[度]
|θ1|
79[度]；以及0[度]
|θ2|
82[度]。
如請求項1所述之成像鏡頭，其中該第一奈米結構層與該第二奈米結構層的表面具有多個孔洞。
如請求項2所述之成像鏡頭，其中該第一奈米結構層還設置於該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一微米結構的表面，該第一奈米結構層覆蓋該第一微米結構，且該第一奈米結構層與該第一微米結構實體接觸。
如請求項3所述之成像鏡頭，其中從該第一微米結構的橫剖面觀察，該第一微米結構的該些凸起呈弧形。
如請求項3所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀
0.65%。
如請求項5所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀
0.5%。
如請求項5所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為370奈米至400奈米的光的平均反射率為R₃₇₄₀，其滿足下列條件：R₃₇₄₀
0.75%。
如請求項5所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為400奈米至700奈米的光的平均反射率為R₄₀₇₀，其滿足下列條件：R₄₀₇₀
0.5%。
如請求項2所述之成像鏡頭，其中該第一內環面沿該光軸之方向的厚度為T，其滿足下列條件：2[微米]
T
88[微米]。
如請求項2所述之成像鏡頭，其中該鏡筒更包含一第二微米結構，該第二微米結構至少設置於該第二內環面，該第二微米結構被該第二奈米結構層覆蓋，且該第二微米結構與該第二奈米結構層實體接觸；其中，該第二微米結構具有多個凸起，且該第二微米結構的平均高度大於等於0.32微米且小於等於22微米。
如請求項10所述之成像鏡頭，其中該第二奈米結構層與該第二微米結構還設置於該第二物側面，該第二奈米結構層於該第二物側面覆蓋該第二微米結構，且該第二奈米結構層於該第二物側面與該第二微米結構實體接觸。
一種成像鏡頭，具有一光軸，該成像鏡頭包含：一鏡片，其中該光軸通過該鏡片；一遮光片，包含：一第一物側面；一第一像側面，其中該第一像側面與該第一物側面相對設置，且該第一像側面與該鏡片實體接觸；一第一內環面，連接該第一物側面與該第一像側面，其中該第一內環面圍繞該光軸並定義出一第一通光孔；一第一微米結構，至少設置於該第一物側面與該第一像側面兩者之中的其中一者，其中該第一微米結構具有多個凸起，且該第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米；以及一第一奈米結構層，至少設置於該第一內環面；一間隔元件，其中該間隔元件與該遮光片沿該光軸設置，且該間隔元件包含：一第二物側面；一第二像側面，其中該第二像側面與該第二物側面相對設置；一第二內環面，連接該第二物側面與該第二像側面，其中該第二內環面圍繞該光軸並定義出一第二通光孔；以及一第二奈米結構層，至少設置於該第二內環面；以及一鏡筒，容置該鏡片、該遮光片與該間隔元件；其中，該第一奈米結構層與該第二奈米結構層的材料包含氧化鋁，該第一奈米結構層與該第二奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且該第一奈米結構層與該第二奈米結構層的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米；其中，該第一奈米結構層與該間隔元件的該第二奈米結構層兩者之間沿該光軸之方向的最短距離為Dss，該鏡筒的最物側與該鏡筒的最像側兩者之間沿該光軸之方向的距離為Doi，該第一內環面與該光軸的夾角為θ1，該第二內環面與該光軸的夾角為θ2，其滿足下列條件：0
Dss/Doi
0.62；0[度]
|θ1|
79[度]；以及0[度]
|θ2|
82[度]。
如請求項12所述之成像鏡頭，其中該第一奈米結構層與該第二奈米結構層的表面具有多個孔洞。
如請求項13所述之成像鏡頭，其中該第一奈米結構層還設置於該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一微米結構的表面，該第一奈米結構層覆蓋該第一微米結構，且該第一奈米結構層與該第一微米結構實體接觸。
如請求項14所述之成像鏡頭，其中從該第一微米結構的橫剖面觀察，該第一微米結構的該些凸起呈弧形。
如請求項14所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀
0.65%。
如請求項16所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀
0.5%。
如請求項16所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為370奈米至400奈米的光的平均反射率為R₃₇₄₀，其滿足下列條件： R₃₇₄₀
0.75%。
如請求項16所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為400奈米至700奈米的光的平均反射率為R₄₀₇₀，其滿足下列條件：R₄₀₇₀
0.5%。
如請求項13所述之成像鏡頭，其中該間隔元件更包含一第二微米結構，該第二微米結構至少設置於該第二內環面，該第二微米結構被該第二奈米結構層覆蓋，且該第二微米結構與該第二奈米結構層實體接觸；其中，該第二微米結構具有多個凸起，該第二微米結構的該些凸起以該光軸為中心周期性地設置，且該第二微米結構的平均高度大於等於3微米且小於等於182微米。
一種成像鏡頭，具有一光軸，該成像鏡頭包含：至少一反射元件，具有至少一反射面，其中該至少一反射面用以轉折光線的傳遞方向；一鏡片，其中該光軸通過該鏡片；一遮光片，包含：一第一物側面；一第一像側面，其中該第一像側面與該第一物側面相對設置，且該第一像側面與該鏡片實體接觸；一第一內環面，連接該第一物側面與該第一像側面，其中該第一內環面圍繞該光軸並定義出一第一通光孔；一第一微米結構，至少設置於該第一物側面與該第一像側面兩者之中的其中一者，其中該第一微米結構具有多個凸起，且該第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米；以及一第一奈米結構層，至少設置於該第一內環面；以及一鏡筒，容置該鏡片與該遮光片；其中，該第一奈米結構層的材料包含氧化鋁，該第一奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且該第一奈米結構層的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米；其中，該第一內環面與該光軸的夾角為θ1，其滿足下列條件：0[度]
|θ1|
79[度]。
如請求項21所述之成像鏡頭，其中該至少一反射面的數量為至少二。
如請求項21所述之成像鏡頭，其中該至少一反射元件的數量為至少二。
如請求項21所述之成像鏡頭，其中該第一奈米結構層的表面具有多個孔洞。
如請求項24所述之成像鏡頭，其中該第一奈米結構層還設置於該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一微米結構的表面，該第一奈米結構層覆蓋該第一微米結構，且該第一奈米結構層與該第一微米結構實體接觸。
如請求項25所述之成像鏡頭，其中從該第一微米結構的橫剖面觀察，該第一微米結構的該些凸起呈弧形。
如請求項25所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀
0.65%。
如請求項27所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀
0.5%。
如請求項27所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為370奈米至400奈米的光的平均反射率為R₃₇₄₀，其滿足下列條件：R₃₇₄₀
0.75%。
如請求項27所述之成像鏡頭，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為400奈米至700奈米的光的平均反射率為R₄₀₇₀，其滿足下列條件：R₄₀₇₀
0.5%。
一種遮光片，包含：一第一物側面；一第一像側面，其中該第一像側面與該第一物側面兩者之中其中一者用以與一鏡片實體接觸；一第一內環面，連接該第一物側面與該第一像側面，其中該第一內環面圍繞一光軸並定義出一第一通光孔；一第一微米結構，至少設置於該第一物側面與該第一像側面兩者之中的其中一者，其中該第一微米結構具有多個凸起，且該第一微米結構的平均高度大於等於0.25微米且小於等於19微米；以及一第一奈米結構層，至少設置於該第一內環面；其中，該第一奈米結構層的材料包含氧化鋁，該第一奈米結構層具有朝非定向延伸的多個脊狀凸起，且該第一奈米結構層的平均高度大於等於98奈米且小於等於350奈米；其中，該第一內環面與該光軸的夾角為θ1，該第一內環面沿該光軸之方向的厚度為T，其滿足下列條件：0[度]
|θ1|
79[度]；以及2[微米]
T
88[微米]。
如請求項31所述之遮光片，其中該第一奈米結構層的表面具有多個孔洞。
如請求項32所述之遮光片，其中該第一奈米結構層還設置於該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一微米結構的表面，該第一奈米結構層覆蓋該第一微米結構，且該第一奈米結構層與該第一微米結構實體接觸。
如請求項33所述之遮光片，其中從該第一微米結構的橫剖面觀察，該第一微米結構的該些凸起呈弧形。
如請求項33所述之遮光片，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀
0.65%。
如請求項35所述之遮光片，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為750奈米至900奈米的光的平均反射率為R₇₅₉₀，其滿足下列條件：R₇₅₉₀
0.5%。
如請求項35所述之遮光片，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為370奈米至400奈米的光的平均反射率為R₃₇₄₀，其滿足下列條件： R₃₇₄₀
0.75%。
如請求項35所述之遮光片，其中該第一物側面與該第一像側面兩者之中設置有該第一奈米結構層的該其中一者的表面對波長為400奈米至700奈米的光的平均反射率為R₄₀₇₀，其滿足下列條件：R₄₀₇₀
0.5%。
一種電子裝置，包含如請求項1、12或21所述之成像鏡頭或如請求項31所述之遮光片。